JPH09321127A - 半導体ウエハ用真空チャックおよびその製造方法 - Google Patents
半導体ウエハ用真空チャックおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH09321127A JPH09321127A JP13031396A JP13031396A JPH09321127A JP H09321127 A JPH09321127 A JP H09321127A JP 13031396 A JP13031396 A JP 13031396A JP 13031396 A JP13031396 A JP 13031396A JP H09321127 A JPH09321127 A JP H09321127A
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- JP
- Japan
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- wafer
- semiconductor wafer
- ring
- chuck
- suction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハに研削や研磨などの加工を行う
際、該ウエハを保持するための真空チャックにおいて、
吸引保持時のゴミ発生、コスト高、押し疵発生といった
問題を解決する。 【解決手段】 ウエハ保持面に連続した溝を有し、該保
持面の周辺部に設けられたリングを介して、前記溝と吸
引孔とが連結されている半導体ウエハ用真空チャック。
また、ウエハ保持面にエッチングによって溝を形成する
製造方法。 【効果】 製造コストの高騰が抑制され、研削や研磨後
のウエハ加工精度が高い。
際、該ウエハを保持するための真空チャックにおいて、
吸引保持時のゴミ発生、コスト高、押し疵発生といった
問題を解決する。 【解決手段】 ウエハ保持面に連続した溝を有し、該保
持面の周辺部に設けられたリングを介して、前記溝と吸
引孔とが連結されている半導体ウエハ用真空チャック。
また、ウエハ保持面にエッチングによって溝を形成する
製造方法。 【効果】 製造コストの高騰が抑制され、研削や研磨後
のウエハ加工精度が高い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハを研
削あるいは研磨する際に、該ウエハを保持するための真
空チャックおよびその製造方法に関するものである。
削あるいは研磨する際に、該ウエハを保持するための真
空チャックおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの加工において、単結晶イ
ンゴットをスライスしたウエハを研削する際、また研削
後に研磨する際、ウエハを真空チャックで保持すること
が多く行われる。従来の真空チャックには、多孔質タイ
プや細穴タイプのものがある。多孔質タイプは、内部に
吸引のための通気孔が３次元的に連結された構造となっ
ており、アルミナセラミックスが多く使用され、気孔率
を高めるために、焼結温度を低めに設定し焼結度を低く
して製造される。細穴タイプは、アルミナセラミックス
の焼結体に、直径１mm以下の小径の孔が，一定の間隔を
おいて配列された構造となっている。その他、リング溝
型、剣山型などもある。
ンゴットをスライスしたウエハを研削する際、また研削
後に研磨する際、ウエハを真空チャックで保持すること
が多く行われる。従来の真空チャックには、多孔質タイ
プや細穴タイプのものがある。多孔質タイプは、内部に
吸引のための通気孔が３次元的に連結された構造となっ
ており、アルミナセラミックスが多く使用され、気孔率
を高めるために、焼結温度を低めに設定し焼結度を低く
して製造される。細穴タイプは、アルミナセラミックス
の焼結体に、直径１mm以下の小径の孔が，一定の間隔を
おいて配列された構造となっている。その他、リング溝
型、剣山型などもある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の真空チャックに
おいて、上記多孔質タイプのものは内部が焼結ままの荒
れた表面となっており、使用中に通気孔からゴミが出て
くるという問題があった。また、上記細穴タイプのもの
は、細穴の加工に多大のコストを要するという問題があ
った。さらに、セラミックス製のチャックは半導体ウエ
ハよりも硬質なため、真空吸引した際にウエハに押し疵
が発生し易いという問題もあった。
おいて、上記多孔質タイプのものは内部が焼結ままの荒
れた表面となっており、使用中に通気孔からゴミが出て
くるという問題があった。また、上記細穴タイプのもの
は、細穴の加工に多大のコストを要するという問題があ
った。さらに、セラミックス製のチャックは半導体ウエ
ハよりも硬質なため、真空吸引した際にウエハに押し疵
が発生し易いという問題もあった。
【０００４】本発明は、半導体ウエハを研削あるいは研
磨加工する際、該ウエハを保持するための真空チャック
およびその製造方法であって、上記のようなゴミ発生、
コスト高、押し疵発生といった問題を解決することを目
的とする。
磨加工する際、該ウエハを保持するための真空チャック
およびその製造方法であって、上記のようなゴミ発生、
コスト高、押し疵発生といった問題を解決することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、半導体ウエハを保持するウエハ保持面に連
続した溝を有し、該保持面の周辺部に設けられたリング
を介して、前記溝と吸引孔とが連結されていることを特
徴とする半導体ウエハ用真空チャックである。また本発
明は、ウエハ保持面にエッチングによって溝を形成する
ことを特徴とする上記半導体ウエハ用真空チャックの製
造方法である。
の本発明は、半導体ウエハを保持するウエハ保持面に連
続した溝を有し、該保持面の周辺部に設けられたリング
を介して、前記溝と吸引孔とが連結されていることを特
徴とする半導体ウエハ用真空チャックである。また本発
明は、ウエハ保持面にエッチングによって溝を形成する
ことを特徴とする上記半導体ウエハ用真空チャックの製
造方法である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の半導体ウエハ用真空チャ
ックの例を図１および図２を用いて説明する。図１は平
面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図であり、ウエハを
載置した状態を示している。チャック本体１のウエハ保
持面２は、連続した溝３を有している。本例では、溝３
は格子状に形成されている。
ックの例を図１および図２を用いて説明する。図１は平
面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図であり、ウエハを
載置した状態を示している。チャック本体１のウエハ保
持面２は、連続した溝３を有している。本例では、溝３
は格子状に形成されている。
【０００７】チャック本体１の周辺部にはリング４が設
けられており、チャック本体１とリング４はチャックベ
ース６にボルト締結あるいは接合されている。チャック
本体１とリング４との間には吸引すきま５が確保される
ように組立てられている。吸引すきま５の大きさは、加
工方法や吸引条件によって異なるが、１００〜５００μ
ｍ程度が好ましい。この吸引すきま５はチャックベース
６に設けられた吸引孔７とつながっている。
けられており、チャック本体１とリング４はチャックベ
ース６にボルト締結あるいは接合されている。チャック
本体１とリング４との間には吸引すきま５が確保される
ように組立てられている。吸引すきま５の大きさは、加
工方法や吸引条件によって異なるが、１００〜５００μ
ｍ程度が好ましい。この吸引すきま５はチャックベース
６に設けられた吸引孔７とつながっている。
【０００８】本発明のチャックで半導体ウエハ８を保持
するには、ウエハ保持面２に、図２のように半導体ウエ
ハ８を載置し、吸引孔７から真空排気する。すると、ウ
エハ保持面２に連続して形成された溝３内の空気が、リ
ング４の内周面とチャック本体１との間の吸引すきま５
を通って吸引孔７から排気され、半導体ウエハ８がウエ
ハ保持面２に吸引保持される。
するには、ウエハ保持面２に、図２のように半導体ウエ
ハ８を載置し、吸引孔７から真空排気する。すると、ウ
エハ保持面２に連続して形成された溝３内の空気が、リ
ング４の内周面とチャック本体１との間の吸引すきま５
を通って吸引孔７から排気され、半導体ウエハ８がウエ
ハ保持面２に吸引保持される。
【０００９】溝３は図１のような直交格子状のほか、三
角形格子状でもよく、その他各種形状に形成することが
できる。そして、溝３の寸法は、対象とする半導体ウエ
ハや加工方法および条件により異なるが、幅５０〜８０
０μｍ、深さ１００〜９００μｍ、ピッチ１００μｍ以
上とするのが好ましい。
角形格子状でもよく、その他各種形状に形成することが
できる。そして、溝３の寸法は、対象とする半導体ウエ
ハや加工方法および条件により異なるが、幅５０〜８０
０μｍ、深さ１００〜９００μｍ、ピッチ１００μｍ以
上とするのが好ましい。
【００１０】チャックのウエハ保持面２は、保持する半
導体ウエハ８と同材質、あるいは半導体ウエハ８より軟
質の材料で形成するのが好ましく、例えばＳｉウエハを
保持する場合はＳｉで形成する。これにより、半導体ウ
エハ８への押し疵発生を抑制することができる。
導体ウエハ８と同材質、あるいは半導体ウエハ８より軟
質の材料で形成するのが好ましく、例えばＳｉウエハを
保持する場合はＳｉで形成する。これにより、半導体ウ
エハ８への押し疵発生を抑制することができる。
【００１１】つぎに本発明の製造法は、ウエハ保持面２
の溝３をエッチングによって形成することを特徴とす
る。エッチングの具体的手段については、半導体デバイ
スの製造工程などで採用されている方法によることがで
きる。すなわち、ウエハ保持面２に、図１の例のような
連続した溝３の部位を残してフォトレジスト膜が被覆さ
れた状態としたのち、エッチング液と接触させること
で、ミクロンオーダの寸法の連続した溝３を正確に形成
することができる。その他の部分は、研削や切削など従
来の機械加工法により形成することができる。
の溝３をエッチングによって形成することを特徴とす
る。エッチングの具体的手段については、半導体デバイ
スの製造工程などで採用されている方法によることがで
きる。すなわち、ウエハ保持面２に、図１の例のような
連続した溝３の部位を残してフォトレジスト膜が被覆さ
れた状態としたのち、エッチング液と接触させること
で、ミクロンオーダの寸法の連続した溝３を正確に形成
することができる。その他の部分は、研削や切削など従
来の機械加工法により形成することができる。
【００１２】
【実施例】Ｓｉウエハの研削および研磨用として、図１
および図２に示すようなＳｉ製真空チャックを製造し
た。溝３は、幅２００μｍ、ピッチ６００μｍの格子状
とした。ウエハ保持面２をフォトレジスト膜で被覆し、
露光法で格子模様を形成したチャック本体を、該保持面
２を上にして硝ふっ酸液に浸漬し、深さ３００μｍまで
エッチングした。
および図２に示すようなＳｉ製真空チャックを製造し
た。溝３は、幅２００μｍ、ピッチ６００μｍの格子状
とした。ウエハ保持面２をフォトレジスト膜で被覆し、
露光法で格子模様を形成したチャック本体を、該保持面
２を上にして硝ふっ酸液に浸漬し、深さ３００μｍまで
エッチングした。
【００１３】得られた真空チャックを使用してＳｉウエ
ハの研削加工を行ったところ、Ｓｉウエハは確実に保持
され、ウエハの平坦度は０．３０μｍと良好であった。
また、従来の多孔質タイプを使用した場合のような、ゴ
ミのかみこみによる局部凹みの発生などもなかった。
ハの研削加工を行ったところ、Ｓｉウエハは確実に保持
され、ウエハの平坦度は０．３０μｍと良好であった。
また、従来の多孔質タイプを使用した場合のような、ゴ
ミのかみこみによる局部凹みの発生などもなかった。
【００１４】
【発明の効果】本発明の半導体ウエハ用真空チャック
は、ウエハ保持面に連続した溝が形成され、該溝は、エ
ッチングによる高精度な微細加工により形成することが
できるので、製造コストの高騰が抑制される。またウエ
ハの真空吸引保持状態は確実で、研削や研磨後のウエハ
加工精度は極めて高くすることが可能となる。
は、ウエハ保持面に連続した溝が形成され、該溝は、エ
ッチングによる高精度な微細加工により形成することが
できるので、製造コストの高騰が抑制される。またウエ
ハの真空吸引保持状態は確実で、研削や研磨後のウエハ
加工精度は極めて高くすることが可能となる。
【図１】本発明真空チャックの例を示す平面図である。
【図２】本発明真空チャックの例を示す断面図であり、
図１のＡ−Ａ矢視図である。
図１のＡ−Ａ矢視図である。
１…チャック本体 ２…ウエハ保持面 ３…溝 ４…リング ５…吸引すきま ６…チャックベース ７…吸引孔 ８…半導体ウエハ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハを保持するウエハ保持面に
連続した溝を有し、該保持面の周辺部に設けられたリン
グを介して、前記溝と吸引孔とが連結されていることを
特徴とする半導体ウエハ用真空チャック。 - 【請求項２】 ウエハ保持面にエッチングによって溝を
形成することを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ
用真空チャックの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13031396A JPH09321127A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 半導体ウエハ用真空チャックおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13031396A JPH09321127A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 半導体ウエハ用真空チャックおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09321127A true JPH09321127A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15031344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13031396A Withdrawn JPH09321127A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 半導体ウエハ用真空チャックおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09321127A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006281434A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-10-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの保持機構 |
| CN100400236C (zh) * | 2002-09-27 | 2008-07-09 | 小松电子金属股份有限公司 | 一种研磨装置和晶片制造方法 |
-
1996
- 1996-05-24 JP JP13031396A patent/JPH09321127A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100400236C (zh) * | 2002-09-27 | 2008-07-09 | 小松电子金属股份有限公司 | 一种研磨装置和晶片制造方法 |
| JP2006281434A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-10-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの保持機構 |
| JP4705450B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-06-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの保持機構 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030805 |