RU2346800C2 - Способ изготовления микрохирургических лезвий - Google Patents
Способ изготовления микрохирургических лезвий Download PDFInfo
- Publication number
- RU2346800C2 RU2346800C2 RU2007110356/02A RU2007110356A RU2346800C2 RU 2346800 C2 RU2346800 C2 RU 2346800C2 RU 2007110356/02 A RU2007110356/02 A RU 2007110356/02A RU 2007110356 A RU2007110356 A RU 2007110356A RU 2346800 C2 RU2346800 C2 RU 2346800C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- blades
- oriented
- plate
- crystal silicon
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
Изобретение относится к медицинским инструментам и может быть использовано в микрохирургии. Формируют подложку в виде пластины из твердого монокристаллического кремния. Осуществляют анизотропное травление и скрайбирование указанной подложки с получением лезвий. При формировании подложки верхнюю поверхность пластины из твердого монокристаллического кремния ориентируют в кристаллографической плоскости (100). Осуществляют формирование разделительных канавок с наклонными поверхностями, ориентированными в кристаллографических плоскостях (111). Производят первоначальное окисление указанных наклонных поверхностей с получением слоя диоксида кремния толщиной от 0,5 до 0,7 мкм. Причем окисление осуществляют в атмосфере влажного кислорода. После скрайбирования подложки вторично осуществляют окисление поверхностей лезвий, включая поверхности, ориентированные в кристаллографических плоскостях (101). В результате обеспечивается повышение механической прочности лезвия. 7 ил.
Description
Изобретение относится к области медицинской техники, а более конкретно к способам изготовления микрохирургических лезвий.
Известен способ изготовления микрохирургических лезвий, включающий формирование подложки в виде пластины из твердого монокристаллического кремния, анизотропное травление и скрайбирование указанной подложки с получением лезвий (RU 2004130285 А, 27.05.2005, В21К 11/00, 4 л.) [1].
Однако указанный способ обладает существенным недостатком: малой механической прочностью лезвия.
Технический результат предлагаемого изобретения: повышение механической прочности лезвия.
Указанный технический результат достигается тем, что в способе изготовления микрохирургических лезвий, включающем формирование подложки в виде пластины из твердого монокристаллического кремния, анизотропное травление и скрайбирование указанной подложки с получением лезвий, согласно изобретению, при формировании подложки верхнюю поверхность пластины из твердого монокристаллического кремния ориентируют в кристаллографической плоскости (100), осуществляют формирование разделительных канавок с наклонными поверхностями, ориентированными в кристаллографических плоскостях (111), производят первоначальное окисление указанных наклонных поверхностей с получением слоя диоксида кремния толщиной от 0,5 до 0,7 мкм, при этом окисление осуществляют в атмосфере влажного кислорода, далее производят скрайбирование подложки, а затем вторично осуществляют окисление поверхностей лезвий, включая поверхности, ориентированные в кристаллографических плоскостях (101).
Способ изготовления микрохирургических лезвий осуществляется следующим образом.
В качестве исходной подложки выбирается пластина монокристаллического кремния. Расположение кристаллографических плоскостей монокристаллического кремния поясняется Фиг.1, на которой показана элементарная ячейка 1 кремния. Трехмерная система координат образуется ортогональными осями X, Y, Z. Координатами (101) обозначена кристаллографическая плоскость, перпендикулярная к плоскости, образованной осями Х и Y.
Координатами (111) обозначена кристаллографическая плоскость, наклонная к плоскости, образованной осями Х и Y (на фиг.1 заштрихована). Координатами (100) обозначена кристаллографическая плоскость, перпендикулярная плоскости, образованной осями Х и Y (Фиг.1).
Предложенное изобретение поясняется Фиг.1-7.
На Фиг.1 изображено расположение кристаллографических плоскостей монокристаллического кремния.
На Фиг.2 - исходная пластина 2 монокристаллического кремния и верхняя ее поверхность 3.
На Фиг.3 - пластина 2 с диоксидными слоями 4 на ее обеих поверхностях.
На Фиг.4 - пластина 2 с дополнительно нанесенными на диоксидные слои 4 слоями 5 нитрида кремния.
На Фиг.5 - маска 6 для образования топологического рисунка лезвия.
На Фиг.6 - анизотропное травление через окна 7.
На Фиг.7 - первоначальное окисление наклонных
поверхностей для образования упрочняющего слоя 12.
Пластина 2 монокристаллического кремния имеет двустороннюю полировку, верхняя поверхность 3 пластин сориентирована в кристаллографической плоскости (100) (Фиг.2).
После стандартного цикла химической обработки на поверхностях пластины 2 выращивают слои диоксида кремния 4 (Фиг.3). Далее на обе поверхности пластин 2 монокристаллического кремния плазмохимическим способом наносятся слои нитрида кремния 5 (Фиг.4), для последующего формирования фотолитографической маски. Формируют маску для образования топологического рисунка лезвия (Фиг.5). Через сформированную маску 6 производят удаление слоев нитрида кремния 5 и диоксида кремния 4. Через образование окна производят анизотропное травление кремния через верхнюю поверхность 3 (Фиг.6).
Таким образом, формируют разделительные канавки 8, которые предназначены для образования режущих кромок лезвия. Наклонные поверхности 9 канавок 8 ориентированы в кристаллографических плоскостях (111) (Фиг.6).
Угол наклона 10 разделительной канавки 8 к нижней поверхности 11 пластины образует режущую кромку лезвия. Далее производят первоначальное окисление наклонных поверхностей 9 для образования упрочняющего слоя 12 из аморфного диоксида кремния (Фиг.7). Окисление производят в атмосфере влажного кислорода. С верхней 3 и нижней 11 поверхностей пластины снимают слои диоксида 4 и нитрида 5 кремния методом плазмохимического травления. Далее производят скрайбирование (разрезание) пластины 2 на отдельные лезвия (не показано). Производят вторичное окисление поверхностей лезвий, включая поверхности, ориентированные в кристаллографических плоскостях (101) (не показано).
Толщина получаемого слоя диоксида кремния изменяется в интервале от 0,5 до 0,7 мкм.
Использование изобретения позволяет повысить механическую прочность лезвий.
Claims (1)
- Способ изготовления микрохирургических лезвий, включающий формирование подложки в виде пластины из твердого монокристаллического кремния, анизотропное травление и скрайбирование указанной подложки с получением лезвий, отличающийся тем, что при формировании подложки верхнюю поверхность пластины из твердого монокристаллического кремния ориентируют в кристаллографической плоскости (100), осуществляют формирование разделительных канавок с наклонными поверхностями, ориентированными в кристаллографических плоскостях (111), производят первоначальное окисление указанных наклонных поверхностей с получением слоя диоксида кремния толщиной от 0,5 до 0,7 мкм, при этом окисление осуществляют в атмосфере влажного кислорода, далее производят скрайбирование подложки, а затем вторично осуществляют окисление поверхностей лезвий, включая поверхности, ориентированные в кристаллографических плоскостях (101).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007110356/02A RU2346800C2 (ru) | 2007-03-21 | 2007-03-21 | Способ изготовления микрохирургических лезвий |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007110356/02A RU2346800C2 (ru) | 2007-03-21 | 2007-03-21 | Способ изготовления микрохирургических лезвий |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007110356A RU2007110356A (ru) | 2008-09-27 |
| RU2346800C2 true RU2346800C2 (ru) | 2009-02-20 |
Family
ID=39928638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007110356/02A RU2346800C2 (ru) | 2007-03-21 | 2007-03-21 | Способ изготовления микрохирургических лезвий |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2346800C2 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2475219C1 (ru) * | 2011-09-27 | 2013-02-20 | Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи" | Лезвие офтальмомикрохирургическое |
| RU2534392C1 (ru) * | 2013-10-03 | 2014-11-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Лезвие офтальмохирургическое |
-
2007
- 2007-03-21 RU RU2007110356/02A patent/RU2346800C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2475219C1 (ru) * | 2011-09-27 | 2013-02-20 | Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи" | Лезвие офтальмомикрохирургическое |
| RU2534392C1 (ru) * | 2013-10-03 | 2014-11-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Лезвие офтальмохирургическое |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2007110356A (ru) | 2008-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8278192B2 (en) | Trench formation method for releasing a thin-film substrate from a reusable semiconductor template | |
| US20130164522A1 (en) | Structure and method to form nanopore | |
| JP2014039995A (ja) | ガラスの中に埋め込まれた犠牲フィーチャをエッチングすることによってｍｅｍｓ構造を製造するための方法 | |
| KR101116993B1 (ko) | 집적 회로의 제조 방법 | |
| TW201911452A (zh) | 半導體晶片背面圖案與正面圖案精確對準的方法 | |
| US20170372887A1 (en) | Trench formation method for releasing a substrate from a semiconductor template | |
| RU2346800C2 (ru) | Способ изготовления микрохирургических лезвий | |
| CN108793053A (zh) | Mems soi晶圆和制备方法以及mems传感器和制备方法 | |
| JP3875047B2 (ja) | 半導体基板の面方位依存性評価方法及びそれを用いた半導体装置 | |
| CN109449120A (zh) | 一种优化划片质量的方法 | |
| US7059054B2 (en) | Cutting blades having pointed tip, ultra-sharp edges, and ultra-flat faces | |
| TWI787565B (zh) | 用於移轉表面層至凹穴上之方法 | |
| CN107293475B (zh) | 减少外延衬底缺陷的形成方法 | |
| WO2003046994A1 (fr) | Procede de fabrication d'une tranche collee | |
| CN112661105B (zh) | 基于梳齿局部氧化的mems高低梳齿结构的制作方法 | |
| JP2004363517A (ja) | 半導体ウェハのチップ化方法 | |
| KR101357271B1 (ko) | 반도체 재료를 에피택셜 성장시키기 위한 패터닝된 기판 및 기판을 패터닝하기 위한 방법 | |
| JP2004349550A (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| JPH03191549A (ja) | Ｓｉ基板上化合物半導体装置の製造方法 | |
| JP2004268236A (ja) | ダイヤモンド工具及びその製造方法 | |
| US20240282775A1 (en) | Method for forming semiconductor-on-insulator (soi) substrate | |
| CN113548636B (zh) | Mems驱动器件及其形成方法 | |
| JPH09321127A (ja) | 半導体ウエハ用真空チャックおよびその製造方法 | |
| CN107968039A (zh) | 改善晶元表面应力的方法 | |
| KR20210056831A (ko) | Soi 기판 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20090322 |