JP2001102476A

JP2001102476A - セラミックス基板およびその製造方法

Info

Publication number: JP2001102476A
Application number: JP28064599A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Fukuda; 悦幸福田; Hideki Sato; 英樹佐藤; Tadashi Ishii; 正石井
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Development and Engineering Corp
Priority date: 1999-09-30
Filing date: 1999-09-30
Publication date: 2001-04-13
Anticipated expiration: 2019-09-30
Also published as: JP4515562B2

Abstract

(57)【要約】【課題】セラミックス基板に形成される加工部に生じる
ファインクラックの発生を防止し、品質を向上させたセ
ラミックス基板を得るとともに、低コスト化および量産
化できるセラミックス基板の製造方法を得る。【解決手段】加工部を有するセラミックス基板におい
て、加工部近傍に存在するファインクラックに液相成分
が充填されていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特に、半導体用回
路基板に適用される窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体
または窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）焼結体からなるセラミ
ックス基板およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体用回路基板として、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）基板、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）
基板などの高熱伝導性のセラミックス基板が製造されて
きた。これらのセラミックス基板には、孔または溝など
の加工部が形成される。例えば、加工部は、貫通孔（ス
ルーホール）または多個取りで孔加工によって形成され
る側面の凹形状部分等の孔形状を有する。この加工部に
は、通常セラミックス基板の表裏面を電気的に導通させ
る目的で、厚膜、薄膜などのメタライズ処理が施されて
いる。

【０００３】セラミックス基板に孔または溝を形成する
技術として、セラミックス基板の焼成後に加工部を形成
する方法と、セラミックス基板の焼成前に加工部を形成
する方法とが挙げられる。

【０００４】焼成後に加工部を形成する方法としては、
研磨、またはレーザによる方法などがある。

【０００５】焼成後に加工部を形成する方法では、概し
て、寸法精度の面において優れているものの、硬くても
ろいセラミックスを精度良く加工するためには、装置、
治工具、インデックス（加工時間）などに付加がかか
り、量産性に優れているとはいえない。

【０００６】レーザによる孔あけ加工では、位置精度や
少量他品種に対応する加工自由度においては優れている
が、孔形状がストレートではなく加工面から裏面に向か
って孔形が小さくなるという、レーザ加工特有の欠点が
ある。

【０００７】また、セラミックス基板として、１６０Ｗ
／ｍｋ程度以上の高熱伝導性を有する窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）基板を適用した場合には、熱が拡散しやす
く、熱伝導率が高いほど加工部形成に要求される電力が
高くなり、コスト低減を図ることが難しいという問題が
あった。

【０００８】このため、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基
板などの高熱伝導性を有するセラミックス基板では、焼
成前に加工部を形成する方法が適用されている。これ
は、焼成前のグリーンシートの状態でパンチング・プレ
ス型により加工部を形成するものである。この方法によ
れば、グリーンシートの量産性が優れているため、セラ
ミックス基板の量産化が可能である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、グリー
ンシートに加工部を形成する方法では、孔加工後に脱脂
工程および焼成工程を施すため、寸法精度や表面状態を
制御するために、例えば、表面粗さ設定値以下にする等
の表面処理、すなわち後加工処理を行う必要がある。こ
のため、後加工処理を行った場合には、既にあけられた
孔部分にダメージが加わり孔加工エッジ部分よりファイ
ンクラックが発生してしまう。これにより、最終的な接
合処理の接合強度等の特性が劣化し、品質が低下してし
まうという問題を有していた。

【００１０】また、熱伝導率が高いＡｌＮ基板は、熱伝
導率が高くなれば高くなるほど基板粒子の粒径が大きく
なりファインクラックが発生しやすくなるという特徴が
ある。このため、ＡｌＮ基板を用いた場合には、後加工
処理の加工技術だけでは孔などの加工部の寸法精度を制
御しにくいという問題を有していた。

【００１１】一方、さらに高い寸法精度の孔を有するセ
ラミックス基板を得るために、焼結後の超音波による孔
あけ方法などが適用されている。ところが、上述したよ
うに、超音波を用いた方法であっても、焼結後に加工部
を形成することから、寸法精度の面において優れている
が量産性に優れていない。特に、熱伝導率の高い窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）基板を用いた場合には、熱伝導率
が高い程基板粒子の粒径が大となりファインクラックが
発生し易いことから、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板
の製造方法には適していない等の問題を有していた。

【００１２】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであり、セラミックス基板に形成される
加工部に生じるファインクラックの発生を防止し、品質
を向上させたセラミックス基板を提供するとともに、低
コスト化および量産化可能なセラミックス基板の製造方
法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するため、特に、セラミックス基板の製造手順につ
いて種々検討し、焼成工程後に再加熱を施すことによ
り、セラミックス基板に発生したファインクラック内に
液相成分が浸透し、ファインクラックを解消または緩和
できることを見い出し、本発明を完成するに至ったもの
である。

【００１４】請求項１記載の発明は、加工部を有するセ
ラミックス基板において、前記加工部近傍に存在するフ
ァインクラックに液相成分が充填されていることを特徴
とする。

【００１５】請求項２記載の発明は、請求項１記載のセ
ラミックス基板において、加工部はセラミックス基板に
形成された孔または溝であることを特徴とする。

【００１６】請求項３記載の発明は、請求項１記載のセ
ラミックス基板において、加工部近傍は加工部から１．
５ｍｍ以内の範囲を示すことを特徴とする。

【００１７】請求項４記載の発明は、請求項１記載のセ
ラミックス基板において、ファインクラックの開口幅は
１０μｍ以下であり、ファインクラックの開口深さはセ
ラミックス基板の厚さの５０％以下であることを特徴と
する。

【００１８】請求項５記載の発明は、請求項１記載のセ
ラミックス基板において、セラミックス基板は、１６０
Ｗ／ｍ・ｋ以上の熱伝導率を有する窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）焼結体であることを特徴とする。

【００１９】請求項６記載の発明は、請求項１記載のセ
ラミックス基板において、セラミックス基板は、６０Ｗ
／ｍ・ｋ以上の熱伝導率を有する窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ
_４）焼結体であり、このセラミックス基板の厚さは１．
０ｍｍ以下であることを特徴とする。

【００２０】請求項７記載のセラミックス基板の製造方
法は、セラミックス基板材料粉末に焼結助剤を添加して
原料粉末を解砕および混合した後シート成形して成形体
とする工程と、前記成形体に孔または溝の加工部を形成
する工程と、加工部が形成された前記成形体を焼成して
焼結体とする焼成工程と、前記焼結体を再加熱する再加
熱工程とを備えることを特徴とする。

【００２１】請求項８記載のセラミックス基板の製造方
法は、セラミックス基板材料粉末に焼結助剤を添加して
原料粉末を解砕および混合した後シート成形して成形体
とする工程と、前記成形体を焼成して焼結体とする焼成
工程と、前記焼結体に孔または溝の加工部を形成する工
程と、加工部が形成された前記焼結体を再加熱する再加
熱工程とを備えることを特徴とする。

【００２２】請求項９記載の発明は、請求項７または８
記載のセラミックス基板の製造方法において、再加熱工
程の温度は、焼成工程よりも５０℃以上低い温度とした
ことを特徴とする。

【００２３】請求項１０記載の発明は、請求項７記載の
セラミックス基板の製造方法において、セラミックス基
板材料として、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いたこ
とを特徴とする。

【００２４】請求項１１記載の発明は、請求項８記載の
セラミックス基板の製造方法において、セラミックス基
板材料として、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を用いたこと
を特徴とする。

【００２５】請求項１２記載の発明は、請求項７または
８記載のセラミックス基板の製造方法において、焼成工
程後、焼結体に表面加工を施して、平坦度を２０μｍ／
１０ｍｍ以下としたことを特徴とする。

【００２６】本発明は、表面加工により、１０ｍｍ×１
０ｍｍ四方における最大高さと最小高さとの差を２０μ
以下としたものである。

【００２７】請求項１３記載の発明は、請求項７または
８記載のセラミックス基板の製造方法において、焼成工
程後、焼結体に表面加工を施して、表面粗さをＲａ（Ｊ
ＩＳ規格で定められた算術平均粗さ）で１．０μｍ以
下、好ましくは０．８μｍ以下としたことを特徴とす
る。

【００２８】請求項１４記載の発明は、請求項７または
８記載のセラミックス基板の製造方法において、焼結助
剤は、少なくとも１種類の希土類酸化物を含み、前記焼
結助剤を、セラミックス基板材料粉末に対して３重量％
以上１５重量％以下の割合で添加したことを特徴とす
る。

【００２９】本発明のセラミックス基板の製造方法にお
いて、焼成工程後に、還元雰囲気中、液相成分が移動す
る温度にて再加熱することで、セラミックス基板に生じ
たファインクラックに液相成分が充填されるため、表面
加工処理などの後加工処理で発生したファインクラック
を解消または緩和できる。再加熱時の熱処理温度は焼結
温度より５０℃以上低い温度で行うことがよい。例え
ば、ＡｌＮ基板を用いた場合には、１８００℃で焼結し
た後、１７５０℃以下の温度で再加熱することが好まし
い。一方、Ｓｉ_３Ｎ_４基板を用いた場合も同様に、１８
００℃で焼結した後、同じく１７５０℃以下の温度で再
加熱することが好ましい。このとき、再加熱温度が焼結
温度と同じもしくはそれ以上に高いと再焼結している状
態と同じになり、粒成長などを伴うため得られる焼結体
の特性を変化させてしまうおそれがあるため好ましくな
い。また、再加熱における最低温度は液相成分が移動す
る温度であるため、主成分の違い、用いる助剤の量や種
類によって変わるが、１６００℃以上が好ましい。あま
り再加熱温度が低いと液相成分の移動が少なく再加熱時
間が必要以上に長くなり、逆に再加熱温度があまり高い
と前述のように再焼結している状態と同じになり、得ら
れるセラミックス焼結体の特性を変化させてしまうおそ
れがあるため、再加熱温度は１６００℃以上、焼結温度
より５０℃低い温度以下が好ましい範囲となる。また、
Ｓｉ_３Ｎ_４基板を用いた場合には、１８００℃にて焼成
した後、１７５０℃以上の温度で再加熱すると良い。

【００３０】なお、再加熱温度が高く再加熱時間が長い
ほどファインクラックの解消を促進するが、コストパフ
ォーマンスを考慮した場合必ずしも完全にファインクラ
ックを解消する必要はなく、接合処理にて要求される特
性を以上のレベルを満足していればよい。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、実施例１ないし実施例４、比較例１および比較例２
を用いて説明する。

【００３２】実施例１（表１）本実施例では、セラミックス基板として窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）基板を用い、焼成前にグリーンシートへの
孔加工を行った。

【００３３】まず、平均粒径１．５μｍの窒化アルミニ
ウム粉末に対して焼結助剤として酸化イットリウム（Ｙ
_２Ｏ_３）を３ｗｔ％添加し、高分子系分散剤、トルエ
ン、ｎ−ブタノール、メチルエチルケトンを加え、ボー
ルミルにて解砕および混合を行った。その後、アクリル
バインダーとジブチルフタレートを混合しスラリーを作
製した。作製したスラリーをドクターブレード法により
シート成形を行った後、切断して大きさ１００ｍｍ×１
００ｍｍ、厚さ１ｍｍのグリーンシートを得た。このグ
リーンシートにパンチング法を用いて、直径φ０．６ｍ
ｍの大きさの孔を均等間隔で５０ヵ所作製した。その
後、還元雰囲気中、８００℃の温度で脱脂後、窒素雰囲
気中、１８００℃の温度で４．５時間焼成してＡｌＮ基
板焼結体を得た。このＡｌＮ基板焼結体の熱伝導率をレ
ーザフラッシュ法で測定したところ１９０Ｗ／ｍｋであ
った。ＡｌＮ基板の敷き粉を除去した後、ラッピング加
工により表面粗さ０．８μｍ（Ｒａ）のＡｌＮ基板を作
製した。作製したＡｌＮ基板を窒素雰囲気中で１７５０
℃の温度で１．２時間再加熱した。

【００３４】得られたＡｌＮ基板にチタン（Ｔｉ）、ニ
ッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）にて薄膜をパターン形成し
た。窒水素雰囲気中、８５０℃の温度で、銀ろうを使用
してコバール製のリードフレームを接合した。

【００３５】このようにして得られたリードフレームを
引っ張り試験器にて接合強度を測定したところ、表１に
示すように、１８Ｎという値であった。

【００３６】

【表１】

【００３７】また、再加熱前に、ＡｌＮ基板焼結体の孔
周囲を電子顕微鏡で３０００倍の倍率で観察したとこ
ろ、孔周囲部分を起点としたファインクラックが観察さ
れたが、再加熱後にも、同じようにＡｌＮ基板の孔周囲
を電子顕微鏡にて観察したところファインクラックは解
消され、ほとんど観察されなかった。さらに、再加熱
後、ファインクラックを解消した成分を定性分析したと
ころ、Ｙ成分が多く観察された。

【００３８】比較例１（表１）本比較例では、セラミックス基板として窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）基板を用い、実施例１と同様の方法でＡｌ
Ｎ基板を製造し、ラッピング加工後の加熱を行わなかっ
た。得られたＡｌＮ基板について、実施例２と同様に薄
膜処理を行い、リードフレームの接合強度を測定したと
ころ５Ｎと低い値であった。

【００３９】実施例２（表１）本実施例では、セラミックス基板として窒化ケイ素（Ｓ
ｉ_３Ｎ_４）基板を用い、焼結後に超音波法で孔加工を行
った。

【００４０】まず、平均粒径０．６μｍの窒化ケイ素粉
末に焼結助剤として酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）粉末
を５ｗｔ％、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）粉末を
０．２ｗｔ％添加して原料粉末を調整し、ボールミルに
て解砕および混合を行った。この原料粉末にアクリル高
分子、ジブチルフタレート、トルエン、ｎ−ブタノール
およびメチルイソブチルケトンなどの混合溶媒からなる
バインダ成分を混合してスラリーを作製した。作製した
スラリーをドクターブレード法によりシート成形を行っ
た後、切断して大きさ１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚さ１
ｍｍのグリーンシートを得た。このグリーンシートを還
元雰囲気中、８００℃の温度で脱脂した後、加圧窒素雰
囲気中、１８５０℃の温度で６時間焼成してＳｉ_３Ｎ_４
基板焼結体を得た。このＳｉ_３Ｎ_４基板焼結体の熱伝導
率をレーザフラッシュ法で測定したところ６０Ｗ／ｍｋ
であった。Ｓｉ_３Ｎ_４基板の敷き粉を除去した後、ラッ
ピング加工により表面粗さ０．６μｍ（Ｒａ）のＳｉ_３
Ｎ_４基板を作製した。このＳｉ_３Ｎ_４基板に超音波法で
直径φ０．２ｍｍの大きさの孔を均等間隔で５０ヵ所作
製し、作製したＳｉ_３Ｎ_４基板を加圧窒素雰囲気中で１
７５０℃の温度で１．２時間再加熱した。

【００４１】得られたＳｉ_３Ｎ_４基板にチタン（Ｔ
ｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）にて薄膜をパター
ン形成した。窒水素雰囲気中、８５０℃の温度で、銀ろ
うを使用してコバール製のリードフレームを接合した。

【００４２】このようにして得られたリードフレームを
引っ張り試験器にて接合強度を測定したところ、表１に
示すように、２０Ｎという値であった。

【００４３】また、再加熱前に、Ｓｉ_３Ｎ_４基板焼結体
の孔周囲を電子顕微鏡で３０００倍の倍率で観察したと
ころ、孔周囲部分を起点としたファインクラックが観察
されたが、再加熱後にも、同じようにＳｉ_３Ｎ_４基板の
孔周囲を電子顕微鏡にて観察したところファインクラッ
クは解消され、ほとんど観察されなかった。さらに、再
加熱後、ファインクラックを解消した成分を定性分析し
たところ、Ｙ成分及びＡｌが多く観察された。

【００４４】比較例２（表１）本比較例では、セラミックス基板として窒化ケイ素（Ｓ
ｉ_３Ｎ_４）基板を用い、実施例１と同様の方法でＳｉ_３
Ｎ_４基板を製造し、ラッピング加工後の加熱を行わなか
った。得られたＳｉ_３Ｎ_４基板について、実施例１と同
様に薄膜処理を行い、リードフレームの接合強度を測定
したところ１１Ｎと低い値であった。

【００４５】実施例３（表３：試料Ｎｏ．１〜試料Ｎ
ｏ．１０）本実施例では、実施例１で作製したＡｌＮ基板を用い
た。このＡｌＮ基板に表２に示すように、再加熱工程で
の温度および時間を変えた試料Ｎｏ．１ないし試料Ｎ
ｏ．１０を得た。得られた各試料について平坦度および
表面粗さＲａを測定した。なお、平坦度は、リードフレ
ーム接合面の任意の直線距離１０ｍｍにおける凹凸の最
小値と最大値との差を測定したものである。

【００４６】

【表２】

【００４７】表２から分かる通り、再加熱処理の温度は
焼結温度より５０℃低い１７５０℃から１６００℃程度
が好ましい範囲であると言える。また、再加熱時間も１
〜２時間が最適であり、試料Ｎｏ．７のように３０分程
度の短い時間だとその効果が薄く、逆に試料Ｎｏ．８の
ように長すぎても平坦度の改善が見られず製造時間およ
びコストの面からも１〜２時間が好ましいと言える。こ
のような範囲で再加熱を行えば平坦度が向上し、その結
果表面粗さＲａの改善も図れることが分かった。

【００４８】一方、再加熱温度が試料Ｎｏ．６のように
１８００℃と高いと、２度焼結していることと同じ状態
になってしまうため、再度ＡｌＮ粒子の成長が始まり、
一度表面研磨した基板であるにもかかわらず、表面が粗
くなってしまうことが分かった。

【００４９】実施例４（表３：試料Ｎｏ．１１〜試料Ｎ
ｏ．２０）本実施例では、実施例２で作製したＳｉ_３Ｎ_４基板を用
いた。このＳｉ_３Ｎ_４基板に表３に示すように、再加熱
工程での温度および時間を変えた試料Ｎｏ．１１ないし
試料Ｎｏ．２０を得た。得られた各試料について平坦度
および表面粗さＲａを測定した。なお、平坦度はリード
フレーム接合面の任意の直線距離１０ｍｍにおける凹凸
の最小値と最大値との差を測定したものである。

【００５０】

【表３】

【００５１】表３から分かる通り、Ｓｉ_３Ｎ_４基板にお
いても再加熱処理の効果は認められ、再加熱工程におけ
る温度および時間ともＡｌＮ基板のときとほぼ同じ傾向
が見られる。なお、平坦度の改善は、Ｓｉ_３Ｎ_４基板の
方がＡｌＮ基板よりもややよくなっているが、これは結
晶粒径や粒界相の構成形態の違いによるものと思われ、
液相成分を構成する焼結助剤の存在は必須であると言え
る。このような観点から、本発明のセラミックス基板に
は焼結助剤を所定量含むものが好適であると言え、Ａｌ
Ｎ基板に関しては焼結助剤を１０ｗｔ％以下、Ｓｉ_３Ｎ
_４基板には焼結助剤を１８ｗｔ％以下添加すると良いこ
とが分かった。

【００５２】本実施形態によれば、再加熱を施すことに
より、ＡｌＮ基板内またはＳｉ_３Ｎ _４基板内に存在する
液相成分が、これらのセラミックス基板表面に滲み出し
てファインクラックに充填されるため、セラミックス基
板でのファインクラックの発生を防止し、信頼性の高い
セラミックス基板を得られる。

【００５３】また、熱伝導率の高いＡｌＮ基板を適用し
た場合には、焼成前に加工部を形成するため、加工部形
成が容易であることから、セラミックス基板を量産でき
る。また、熱伝導率が高いことから熱放散性に優れ、消
費電力の高い半導体などにセラミックス基板を適用でき
る。

【００５４】一方、Ｓｉ_３Ｎ_４基板を適用した場合に
は、焼成後に加工部を形成するため、高い加工精度を得
られるだけでなく、ＡｌＮ基板よりも熱伝導率が低いこ
とから、焼成後に超音波法などで孔などの加工部を形成
した場合でも、ＡｌＮ基板に比較して熱が拡散しないた
め、加工部形成に要求される電力を低くでき、コスト低
減を図ることができる。さらに、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ
_４）は破壊靭性値が高いことから、孔加工や表面加工を
行う際のファインクラックの発生および進展をより低減
することができ、高品質のセラミックス基板を得られ
る。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のセラミッ
クス基板の製造方法により作製されたセラミックス基板
によれば、ファインクラックの発生を防止して、高品質
のセミックス基板を得られるだけでなく、量産化および
低コスト化を図ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐藤英樹神奈川県横浜市鶴見区末広町二丁目４番地株式会社東芝京浜事業所内 (72)発明者石井正神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１東芝電子エンジニアリング株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】加工部を有するセラミックス基板におい
て、前記加工部近傍に存在するファインクラックに液相
成分が充填されていることを特徴とするセラミックス基
板。
【請求項２】請求項１記載のセラミックス基板におい
て、加工部はセラミックス基板に形成された孔または溝
であることを特徴とするセラミックス基板。
【請求項３】請求項１記載のセラミックス基板におい
て、加工部近傍は加工部から１．５ｍｍ以内の範囲を示
すことを特徴とするセラミックス基板。
【請求項４】請求項１記載のセラミックス基板におい
て、ファインクラックの開口幅は１０μｍ以下であり、
ファインクラックの開口深さはセラミックス基板の厚さ
の５０％以下であることを特徴とするセラミックス基
板。
【請求項５】請求項１記載のセラミックス基板におい
て、セラミックス基板は、１６０Ｗ／ｍ・ｋ以上の熱伝
導率を有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体である
ことを特徴とするセラミックス基板。
【請求項６】請求項１記載のセラミックス基板におい
て、セラミックス基板は、６０Ｗ／ｍ・ｋ以上の熱伝導
率を有する窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）焼結体であり、こ
のセラミックス基板の厚さは１．０ｍｍ以下であること
を特徴とするセラミックス基板。
【請求項７】セラミックス基板材料粉末に焼結助剤を
添加して原料粉末を解砕および混合した後シート成形し
て成形体とする工程と、前記成形体に孔または溝の加工
部を形成する工程と、加工部が形成された前記成形体を
焼成して焼結体とする焼成工程と、前記焼結体を再加熱
する再加熱工程とを備えることを特徴とするセラミック
ス基板の製造方法。
【請求項８】セラミックス基板材料粉末に焼結助剤を
添加して原料粉末を解砕および混合した後シート成形し
て成形体とする工程と、前記成形体を焼成して焼結体と
する焼成工程と、前記焼結体に孔または溝の加工部を形
成する工程と、加工部が形成された前記焼結体を再加熱
する再加熱工程とを備えることを特徴とするセラミック
ス基板の製造方法。
【請求項９】請求項７または８記載のセラミックス基
板の製造方法において、再加熱工程の温度は、焼成工程
よりも５０℃以上低い温度としたことを特徴とするセラ
ミックス基板の製造方法。
【請求項１０】請求項７記載のセラミックス基板の製
造方法において、セラミックス基板材料として、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）を用いたことを特徴とするセラミ
ックス基板の製造方法。
【請求項１１】請求項８記載のセラミックス基板の製
造方法において、セラミックス基板材料として、窒化ケ
イ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を用いたことを特徴とするセラミッ
クス基板の製造方法。
【請求項１２】請求項７または８記載のセラミックス
基板の製造方法において、焼成工程後、焼結体に表面加
工を施して、平坦度を２０μｍ／１０ｍｍ以下としたこ
とを特徴とするセラミックス基板の製造方法。
【請求項１３】請求項７または８記載のセラミックス
基板の製造方法において、焼成工程後、焼結体に表面加
工を施して、表面粗さをＲａで１．０μｍ以下としたこ
とを特徴とするセラミックス基板の製造方法。
【請求項１４】請求項７または８記載のセラミックス
基板の製造方法において、焼結助剤は、少なくとも１種
類の希土類酸化物を含み、前記焼結助剤を、セラミック
ス基板材料粉末に対して３重量％以上１５重量％以下の
割合で添加したことを特徴とするセラミックス基板の製
造方法。