JP7429825B2 - 窒化アルミニウム焼結体、及びその製造方法、回路基板、並びに、積層基板 - Google Patents
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Description
F(σ)=1-exp[-(σ/η)m]・・・(1)
上記式(1)中、ηはフィッティングパラメータである。
(窒化アルミニウム焼結板の作製)
窒化アルミニウムの粉末100質量部にたいして、焼結助剤として酸化イットリウム粉末6.0質量部、及びα-酸化アルミニウム0.3質量部を配合し、ボールミルを用いて混合して混合粉末を得た。混合粉末100質量部に対し、セルロースエーテル系バインダー(信越化学工業株式会社製、商品名:メトローズ)を6質量部、グリセリン(花王株式会社製、商品名:エキセパール)を5質量部、及びイオン交換水を10質量部添加して、ヘンシェルミキサーを用いて1分間混合し、成形原料を得た。
得られた窒化アルミニウム焼結板(厚み:0.635mm)について、ヒートサイクル試験を行った。具体的には、まず、銀(Ag)、銅(Cu)及び活性金属を含むろう材(Agが90質量部、Cuが10質量部、Snが3質量部、及びTiが3.5質量部である組成を有するろう材)を介して、ろう材層の厚みが15μmになるように、上記窒化アルミニウム焼結板に銅板(厚み:0.3mm)を、接合温度:830℃、接合時間:1時間、真空度:1×10-3Paの条件で接合することによって窒化アルミニウム基板(積層体)を調製した。得られた積層体について、350℃の環境に5分間曝した後に、25℃の環境で5分間冷却した。上記前処理を行なった積層体を、まずドライアイス中(-78℃)の環境に5分間曝した後に、室温(25℃)に戻す操作を1サイクルとして、これを10サイクル実施するヒートサイクル試験を行った。試験後の窒化アルミニウム基板に対して、塩化銅水溶液、フッ化アンモニウム、及び過酸化水素によってエッチングすることで、上記積層体から、金属板及びろう材を除去し、窒化アルミニウム焼結板を取り出した。得られた窒化アルミニウム焼結板の上記銅板が積層されていた側の主面の画像をスキャナで、600dpi×600dpiの解像度で取り込んだ。取得画像に対して、画像解析ソフト「GIMP2」で二値化(閾値:140)した後、窒化アルミニウム焼結板の主面に水平方向に向かって発生したクラックの面積を、窒化アルミニウム焼結板の主面の面積(全面積)で除すことで、クラックの率を算出した。結果を表1に示す。
得られた窒化アルミニウム焼結板について、窒化アルミニウム(AlN)粒子のd50(平均粒子径)及びd90、並びに、主面における算術平均粗さRa及び最大高さ粗さRyを測定した。結果を表1に示す。
得られた窒化アルミニウム焼結板の曲げ強さ及び曲げ強さの分布(ワイブル係数)を測定した。窒化アルミニウム焼結板の曲げ強さは、JIS C 2141:1992「電気絶縁用セラミック材料試験方法」に記載の方法に準拠して測定した。また、得られた曲げ強さの結果に基づいてワイブルプロットを作成し、ワイブル係数を決定した。結果を表1に示す。
アニール工程におけるアニール温度を1400℃とし、アニール時間を1時間に変更したこと以外は、実施例1と同様にして、窒化アルミニウム焼結板を調製した。
アニール工程におけるアニール時間を6時間に変更したこと以外は、実施例1と同様にして、窒化アルミニウム焼結板を調製した。
アニール工程におけるアニール温度を1500℃に変更したこと以外は、実施例1と同様にして、窒化アルミニウム焼結板を調製した。
アニール工程におけるアニール温度を1800℃に変更し、アニール時間を8時間に変更したこと以外は実施例1と同様にして、窒化アルミニウム焼結板を得た。なお、参考のために、研磨処理前の焼結体の主面、及び窒化アルミニウム焼結板の主面を走査型電子顕微鏡(SEM)によって取得したSEM画像を図5に示す。図5中、(a)は研磨処理前の焼結体の主面を示し、(b)は窒化アルミニウム焼結板の主面を示す。図5の(a)及び(b)から確認されるように、研磨後の窒化アルミニウム焼結板の主面に、窒化アルミニウム粒子の脱粒によって形成された凹部が観察されている。
アニール工程を実施しなかったこと以外は、比較例1と同様にして、窒化アルミニウム焼結板を調製した。
アニール工程におけるアニール時間を2時間に変更したこと以外は、比較例1と同様にして、窒化アルミニウム焼結板を調製した。
実施例2~4、及び比較例1~3で得られた窒化アルミニウム焼結板のそれぞれについて、実施例1と同様にして、ヒートサイクル試験を行った。結果を表1に示す。
実施例2~4、及び比較例1~3で得られた窒化アルミニウム焼結板のそれぞれについて、実施例1と同様にして、窒化アルミニウム(AlN)粒子のd50(平均粒子径)及びd90、並びに、主面における算術平均粗さRa及び最大高さ粗さRyを測定した。結果を表1に示す。
実施例2~4、及び比較例1~3で得られた窒化アルミニウム焼結板のそれぞれについて、実施例1と同様にして、窒化アルミニウム焼結板の曲げ強さ及び曲げ強さの分布(ワイブル係数)を測定した。結果を表1に示す。
Claims (7)
- 窒化アルミニウム粒子と、焼結助剤粒子と、を含む、窒化アルミニウム焼結体であって、
金属板と積層して積層体を調製し、350℃の環境に5分間曝した後、25℃の環境で5分間冷却した前記積層体を対象とし、-78℃の環境に5分間曝した後に、25℃に戻す操作を1サイクルとして、10サイクルのヒートサイクル試験を行った場合に、観測されるクラック率が9.00面積%未満であり、
前記窒化アルミニウム粒子に対する電子顕微鏡画像解析によって測定される粒子径の累積頻度分布曲線において、小粒径からの積算値が全体の50%及び90%に達した時の粒子径を、それぞれd50及びd90としたときに、d90-d50の値が10.0μm未満であり、
d90が4.0~15.0μmである、窒化アルミニウム焼結体。 - d50が5.2~9.0μmである、請求項1に記載の窒化アルミニウム焼結体。
- 一対の主面を有する板状であり、前記主面における最大高さ粗さRyと算術平均粗さRaとの差が6.0μm以下である、請求項1又は2に記載の窒化アルミニウム焼結体。
- 前記最大高さ粗さRyが10.0μm未満である、請求項3に記載の窒化アルミニウム焼結体。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム焼結体と、当該窒化アルミニウム焼結体に取り付けられている導体部と、を備える、回路基板。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム焼結体と、当該窒化アルミニウム焼結体に取り付けられている金属板と、を備える積層基板。
- 窒化アルミニウム及び焼結助剤を含む混合物で構成される成形体を1~6時間焼成して焼結体を得る焼成工程と、
前記焼結体を1400℃以上1700℃未満の温度で1時間以上加熱処理することでアニール処理物を得る工程と、
前記アニール処理物の表面を研磨処理することで窒化アルミニウム焼結体を得る工程と、を有し、
前記焼結助剤は酸化イットリウム及び酸化アルミニウムを含有し、
前記酸化イットリウムに対する前記酸化アルミニウムの質量比が0.5未満であり、
前記焼成工程は、
1700℃以上1800℃未満の温度で2.0時間以上加熱することによって、前記成形体から第一焼成体を得る工程と、
1800~1900℃の温度で1時間以上加熱することによって、前記第一焼成体から前記焼結体を得る工程と、を含み、
前記研磨処理は、研磨圧力:0.15~0.35MPa、研磨量:2~10μm、時間:1~5分間の条件のホーニング処理で行う、窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001097779A (ja) | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム基板および同基板を用いた回路基板 |
JP2001102476A (ja) | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | セラミックス基板およびその製造方法 |
WO2002024605A1 (fr) | 2000-09-21 | 2002-03-28 | Sintokogio, Ltd. | Procede pour renforcer une ceramique et produit ceramique |
WO2002042241A1 (fr) | 2000-11-22 | 2002-05-30 | Ibiden Co., Ltd. | Corps fritte de nitrure d'aluminium, procede de production d'un corps fritte de nitrure d'aluminium, substrat ceramique et procede de production d'un substrat ceramique |
JP2002293637A (ja) | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化アルミニウム焼結体、その製造方法及び用途 |
JP2005075695A (ja) | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
WO2006135016A1 (ja) | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Tokuyama Corporation | 窒化アルミニウム焼結体、スラリー、グリーン体、および脱脂体 |
WO2007018140A2 (ja) | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Tokuyama Corporation | 窒化アルミニウム焼結体 |
WO2017033855A1 (ja) | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63129075A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | 旭硝子株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPH0524930A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-02-02 | Showa Denko Kk | AlN焼結体およびその製造方法 |
JP3585338B2 (ja) * | 1997-03-06 | 2004-11-04 | 電気化学工業株式会社 | 窒化アルミニウム基板及びその用途 |
JPH10310475A (ja) * | 1997-05-02 | 1998-11-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化アルミニウム焼結体及びその用途 |
WO2021261441A1 (ja) * | 2020-06-22 | 2021-12-30 | デンカ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体、回路基板、及び接合基板 |
-
2022
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001097779A (ja) | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム基板および同基板を用いた回路基板 |
JP2001102476A (ja) | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | セラミックス基板およびその製造方法 |
WO2002024605A1 (fr) | 2000-09-21 | 2002-03-28 | Sintokogio, Ltd. | Procede pour renforcer une ceramique et produit ceramique |
WO2002042241A1 (fr) | 2000-11-22 | 2002-05-30 | Ibiden Co., Ltd. | Corps fritte de nitrure d'aluminium, procede de production d'un corps fritte de nitrure d'aluminium, substrat ceramique et procede de production d'un substrat ceramique |
JP2002293637A (ja) | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化アルミニウム焼結体、その製造方法及び用途 |
JP2005075695A (ja) | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
WO2006135016A1 (ja) | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Tokuyama Corporation | 窒化アルミニウム焼結体、スラリー、グリーン体、および脱脂体 |
WO2007018140A2 (ja) | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Tokuyama Corporation | 窒化アルミニウム焼結体 |
WO2017033855A1 (ja) | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
小林俊郎,セラミックスの強度と靭性,鉄と鋼,日本,一般社団法人日本鉄鋼協会,1990年02月01日,76巻,第2号,PP.149-157,ISSN:0021-1575, DOI:10.2355/tetsutohagane1955.76.2_149 |
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