JP7203286B2 - 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法、回路基板、並びに接合基板 - Google Patents
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Description
(窒化アルミニウム焼結体の作製)
窒化アルミニウム粉末と、窒化ジルコニウム粉末と、酸化イットリウム粉末と、酸化アルミニウム粉末とを、90.5:3.0:3.5:3.0の質量比で配合し、ボールミルを用いて混合して混合粉末を得た。混合粉末100質量部に対し、セルロースエーテル系バインダー(信越化学工業株式会社製、商品名:メトローズ)を6質量部、グリセリン(花王株式会社製、商品名:エキセパール)を5質量部、及びイオン交換水を10質量部添加して、ヘンシェルミキサーを用いて1分間混合し、成形原料を得た。この成形原料を、ドクターブレード法によって成形し、シート状の成形体(厚み:1.4mm)を作製した。
JIS B 0601:2013に準拠して、窒化アルミニウム焼結体の研磨面の算術平均粗さ(Ra)、及び最大高さ粗さ(Rz)を、株式会社ミツトヨ製のSJ-301(商品名)を用いて測定した。結果は、表1に示すとおりであった。また、窒化アルミニウム焼結体の色を、JIS標準色票(光沢版、第9版、JIS Z 8721準拠)を用いて測定した。窒化アルミニウム焼結体は無彩色であり、明度(N)は、表1に示すとおりであった。
X線回折測定を行って、窒化アルミニウム焼結体に含まれる窒化ジルコニウム(ZrN)の含有量を測定した。分析には、株式会社リガク製のMiniFlex(商品名)を用いた。測定結果は、表1に示すとおりであった。
株式会社堀場製作所製の酸素・窒素分析装置(商品名:EMGA-920)を用いて、窒化アルミニウム焼結体に含まれる酸素の含有量を測定した。測定結果は、表1に示すとおりであった。
表面粗さ及び色の測定後に、窒化アルミニウム焼結体を、大気中で1週間放置した。その後、窒化アルミニウム焼結体の表面を目視で観察した。埃の検出の容易性を、以下の基準で評価した。
A:表面に付着した埃を目視で容易に検出することができた。
B:表面に付着した埃を目視で検出することができたが、Aよりも検出し難かった。
C:表面に付着した埃を、目視で検出することが難しかった。
窒化アルミニウム焼結体を加工して、縦×横×厚さ=50mm×50mm×1.0mmの直方体形状の測定試料を調製した。JIS R1611に準拠し、レーザーフラッシュ法で上記測定試料の熱伝導率を測定した。測定装置は、株式会社リガク製のLF/TCM-8510B(商品名)を用いた。測定温度は、23±1℃とした。
Ag粉末(比表面積:0.6m2/g、酸素含有量:0.16質量%)、Cu粉末(比表面積:0.7m2/g、酸素含有量:0.05質量%)、TiH2粉末(特級試薬)、及び、Sn粉末(特級試薬)を、87:9:2:2の質量比率にて混合して混合粉末を得た。この混合粉末100質量部に対して、テレピネオールを15質量部、及び、ポリイソブチルメタクリレートのトルエン溶液を固形分として1.3質量部の比率で、三本ロールを用いて混合した。得られた混合物から目開き20μmのナイロンメッシュを通過したものを、ろう材ペーストとした。
窒化アルミニウム粉末と、窒化ジルコニウム粉末と、酸化イットリウム粉末と、酸化アルミニウム粉末とを、90:3.5:3.5:3.0の質量比で配合し、ボールミルを用いて混合して混合粉末を得た。この混合粉末を用いたこと以外は、参考例1と同様にして成形及び焼成を行って、窒化アルミニウム焼結体を得た。続いて、窒化アルミニウム焼結体の両方の主面を、ダイヤモンドペーストを用いて研磨して、表面粗さを調整した(研磨時間:1時間)。このようにして得られた窒化アルミニウム焼結体の各評価を、参考例1と同じ手順で行った。また、参考例1と同じ手順で接合基板を作製し、評価を行った。結果は表1に示すとおりであった。
参考例1と同じ手順で、混合、成形、脱脂及び焼成を行って、窒化アルミニウム焼結体を得た。そして、主面の研磨を行わずに、参考例1と同じ手順で窒化アルミニウム焼結体の各評価を行った。また、研磨していないこの窒化アルミニウム焼結体を用いたこと以外は、参考例1と同様にして接合基板を作製し、評価を行った。結果は表1に示すとおりであった。
窒化アルミニウム粉末と、酸化イットリウム粉末と、酸化アルミニウム粉末とを、93.5:3.5:3.0の質量比で配合し、ボールミルを用いて混合して混合粉末を得た。この混合粉末を用いたこと以外は、参考例1と同様にして、窒化アルミニウム焼結体を得た。このようにして得られた窒化アルミニウム焼結体の各評価を、参考例1と同じ手順で行った。また、参考例1と同じ手順で接合基板を作製し、評価を行った。結果は表1に示すとおりであった。
Claims (8)
- 主成分として窒化アルミニウムと、副成分として窒化ジルコニウムと、を含み、
前記窒化ジルコニウムの含有量が3~9質量%であり、
少なくとも一つの主面の算術平均粗さが0.1μm以上且つ0.9μm未満であり、
JIS Z 8721:2001で規定されるマンセル表色系の明度が2.0以下である、窒化アルミニウム焼結体。 - 酸素の含有量が0.3~3質量%である、請求項1に記載の窒化アルミニウム焼結体。
- 前記算術平均粗さが0.2μm以上である、請求項1又は2に記載の窒化アルミニウム焼結体。
- 少なくとも一つの前記主面の最大高さ粗さが1μm以上且つ4μm以下である、請求項1~3のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム焼結体。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム焼結体と、前記少なくとも一つの主面に取り付けられる導体部と、を備える回路基板。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム焼結体と、前記少なくとも一つの主面に取り付けられる金属板と、を備える接合基板。
- 窒化アルミニウム粉末、窒化ジルコニウム粉末、及び焼結助剤を含む成形体を焼成して、主成分として窒化アルミニウムと副成分として窒化ジルコニウムとを含み、前記窒化ジルコニウムの含有量が3~9質量%である窒化アルミニウム焼結体を得る工程、及び、
前記窒化アルミニウム焼結体の少なくとも一つの主面を研磨して、当該主面の算術平均粗さを0.1μm以上且つ0.9μm未満に調整し、JIS Z 8721:2001で規定されるマンセル表色系の明度が2.0以下である窒化アルミニウム焼結体を得る工程、を有する、窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 - 前記焼結助剤は、酸化アルミニウム及び酸化イットリウムを含む、請求項7に記載の窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
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---|---|---|---|---|
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JP2017200872A (ja) | 2016-04-28 | 2017-11-09 | 京セラ株式会社 | 多孔質セラミック体、吸着用部材および多孔質セラミック体の製造方法 |
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