JPWO2007000963A1 - 段差を有するセラミックス基板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

段差3を有するセラミックス基板1を製造するにあたって、セラミックスグリーンシートを焼成して得た焼成基板の表面にホーニング加工を施して段差3を形成する。また、セラミックスグリーンシートへの加工やセラミックスグリーンシートの積層等により段差を形成した後、セラミックスグリーンシートを焼成して段差3を要する焼成基板(セラミックス基板)1を作製する。

Description

本発明は段差を有するセラミックス基板の製造方法に関する。
セラミックス基板は、例えば回路基板、パッケージ基体、放熱板等、様々な分野に使用されている。その使われ方に関しても、金属板、導電性薄膜、導電性厚膜等の導電層を設けた回路基板、複雑形状を有するパッケージ、圧接構造を有するモジュールの放熱板等、様々な形態で使用されている。
セラミックス基板の材質としては、酸化アルミニウム(アルミナ:Al)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化珪素(Si)等が主として使用されている。アルミナは安価ではあるが、熱伝導率が20W/m・K程度と低い。窒化アルミニウムは熱伝導率が200W/m・K以上の高熱伝導性が得られるものの、強度が300〜400MPa程度とアルミナより低いものが多い。
そこで、近年では窒化珪素基板が注目されている。例えば、特許文献1には熱伝導率が70W/m・K以上で、かつ3点曲げ強度が700MPa以上の高熱伝導性窒化珪素基板が記載されている。このような高熱伝導性窒化珪素基板は強度がアルミナやAlNの2倍以上と高いものの、現状では熱伝導率に関してはAlNに及んでいない。
前述したように、セラミックス基板は様々な分野で使用されている。セラミックス基板に求められる特性は、主として放熱性と強度である。通常、一種類のセラミックス材料で基板を形成するが、要求特性によっては一種類の材質で十分応えられない場合もある。このような場合には、例えば特許文献2や特許文献3に記載されているように、材質が異なる二種類以上のセラミックス基板を組合せて対応している。
材質が異なるセラミックス基板を組合せて使用する場合、それらの接合部は単に接触させた構造、樹脂系接着剤や金属系接合材(例えば、Ti等の活性金属を含むろう材)を用いて接合した構造となる。このような接合構造を適用したセラミックス基板は接合部の強度が弱く、用途によっては適用できないことがある。さらに、放熱性の点でも接合部が熱抵抗となるため、基板全体の放熱性を低下させる要因になる。
ところで、熱抵抗は基板の熱伝導率と厚さで決まるものである。つまり、熱伝導率が高くても基板の厚さが厚いと熱抵抗は上がり、逆に熱伝導率が低くても基板の厚さを薄くすることで熱抵抗を下げることができる。言い換えると、熱伝導率が高くかつ基板の厚さが薄い場合に最も熱抵抗が下がり、放熱性が向上することになる。このため、単一材料からなるセラミックス基板の放熱性を向上させたい部分の厚さを薄くし、強度を上げたい部分の厚さを厚くすることが試みられている。つまり、基板表面に段差を設けることによって、放熱性と強度を共に高めたセラミックス基板の作製が試みられている。
従来の段差を有するセラミックス基板は、平らな基板表面にダイヤモンド砥石等を用いた機械研磨を施すことにより作製されている。しかしながら、セラミックス材料は難加工材であることから、段差の形成に機械研磨を適用した製造方法はセラミックス基板の製造コストが高いという難点を有する。さらに、回路基板のように厚さが1mm以下の薄いセラミックス基板に機械研磨を施すと基板に割れが生じ易いことから、段差を有するセラミックス基板の製造歩留りも低下する。
特開2000−34172公報 特開平9−121004号公報 特開平10−65292号公報
本発明の目的は、機械研磨を施すことなく、段差を有するセラミックス基板を製造することを可能にしたセラミックス基板の製造方法を提供することにある。
本発明の第1の態様に係る段差を有するセラミックス基板の製造方法は、セラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記セラミックスグリーンシートを焼成して焼成基板を作製する工程と、前記焼成基板の表面にホーニング加工を施して段差を形成する工程とを具備することを特徴としている。
本発明の第2の態様に係る段差を有するセラミックス基板の製造方法は、セラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記セラミックスグリーンシートに加工を施して、段差を有するセラミックスグリーンシートを作製する工程と、前記段差を有するセラミックスグリーンシートを焼成して焼成基板を作製する工程とを具備することを特徴としている。
本発明の第3の態様に係る段差を有するセラミックス基板の製造方法は、第1のセラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記第1のセラミックスグリーンシートと大きさが異なる第2のセラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記第1のセラミックスグリーンシート上に前記第2のセラミックスグリーンシートを積層して、段差を有するセラミックスグリーンシートを作製する工程と、前記段差を有するセラミックスグリーンシートを焼成して焼成基板を作製する工程とを具備することを特徴としている。
本発明の第4の態様に係る段差を有するセラミックス基板の製造方法は、セラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記セラミックスグリーンシート上にセラミックスペーストを塗布して、段差を有するセラミックスグリーンシートを作製する工程と、前記段差を有するセラミックスグリーンシートを焼成して焼成基板を作製する工程とを具備することを特徴としている。
本発明の第5の態様に係る段差を有するセラミックス基板の製造方法は、第1のセラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記第1のセラミックスグリーンシートを焼成して焼成基板を作製する工程と、前記第1のセラミックスグリーンシートと大きさが異なる第2のセラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記焼成基板上に前記第2のセラミックスグリーンシートを積層する工程と、前記焼成基板を再度焼成する工程とを具備することを特徴としている。
図1は段差を有するセラミックス基板の一例を示す斜視図である。 図2は図1に示すセラミックス基板の平面図である。 図3は図1に示すセラミックス基板の断面図である。 図4は段差を有するセラミックス基板の他の例を示す斜視図である。 図5は図4に示すセラミックス基板の平面図である。 図6は図4に示すセラミックス基板の断面図である。 図7は図1に示すセラミックス基板の変形例を示す平面図である。 図8は図4に示すセラミックス基板の変形例を示す平面図である。 図9は図4に示すセラミックス基板の他の変形例を示す平面図である。 図10は段差を有するセラミックス基板の他の例を示す断面図である。 図11は段差を有するセラミックス基板の他の例を示す断面図である。 図12は段差を有するセラミックス基板の他の例を示す断面図である。 図13は段差を有するセラミックス基板の他の例を示す断面図である。 図14はセラミックス基板の表面に設けられる段差の他の例を示す断面図である。 図15はセラミックス基板の表面に設けられる段差のさらに他の例を示す断面図である。 図16はセラミックス基板の表面に設けられる段差のさらに他の例を示す断面図である。
符号の説明
1…セラミックス基板、2…凸部、3…段差。
発明を実施するための形態
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、以下では本発明の実施形態を図面に基づいて述べるが、それらの図面は図解のみの目的のために提供されるものであり、本発明はそれらの図面に限定されるものではない。
本発明の製造方法は段差を有するセラミックス基板を製造する方法である。段差を有するセラミックス基板の例について、図1ないし図13を参照して述べる。図1、図2および図3に示すセラミックス基板1は、その表面1aの端部側に設けられた凸部2を有している。セラミックス基板1の表面1aには、凸部2に基づいて段差3が設けられている。図4、図5および図6に示すセラミックス基板1は、その表面1aの中央付近に設けられた凸部2を有している。セラミックス基板1の表面1aには、中央付近に設けられた凸部2の両側に段差3、3が設けられている。
凸部2およびそれに基づく段差3の形状や形成位置は、特に限定されるものではない。上述したように、凸部2およびそれに基づく段差3はセラミックス基板1の表面1aの任意の位置に設けることができる。表面1aの端部側に凸部2を設ける場合、図7に示すような形状を有する凸部2であってもよい。表面1aの中央付近に凸部2を設ける場合、図8に示す矩形状の凸部2や図9に示す円形状の凸部2であってもよい。いずれにしても、セラミックス基板1の表面1aには凸部2に基づいて段差3が形成される。
図1ないし図9に示すセラミックス基板1は、一方の表面1aに1個の凸部2を設け、この1個の凸部2に基づいて段差3を有している。凸部2の数や凸部2を形成する表面はこれに限られるものではない。例えば図10ないし図13に示すように、セラミックス基板1は複数の凸部2を有していてもよいし、またセラミックス基板1の両面に凸部2を設けてもよい。本発明の実施形態による製造方法は、このような種々の凸部2に基づく段差3を有するセラミックス基板1の製造に適用される。
図10および図11に示すセラミックス基板1は、一方の表面1aに形成された2個の凸部2A、2Bを有しており、これら2個の凸部2A、2Bに基づいて表面1aに段差3が設けられている。図12および図13に示すセラミックス基板1は、一方の表面1aに形成された凸部2Aと他方の表面1bに形成された凸部2Bとを有しており、これら2個の凸部2A、2Bに基づいて各表面1a、1bに段差3が設けられている。図10ないし図13では2個の凸部2A、2Bを有するセラミックス基板1を示したが、凸部2の数は3個もしくはそれ以上であってもよいことは言うまでもない。
さらに、段差3の形状は図1ないし図13に示したように、断面矩形状の凸部2に基づく段差(垂直面を有する段差)3に限られるものではない。例えば、図14に示すように、表面1aと凸部2との間が傾斜面とされた段差3であってもよい。さらに、図15や図16に示すように、表面1aと凸部2との間が曲面(凸状湾曲面や凹状湾曲面等)とされた段差3であってもよい。曲面状の段差3を適用する場合、断面R形状はR0.2mm以上またはC0.2mm以上であることが好ましい。
このように、段差3を有するセラミックス基板1の形状は特に限定されるものではなく、少なくとも一つの表面に1個以上の段差3を有していればよい。段差3の形状は垂直面、傾斜面、曲面等、各種の形状が適用可能である。段差3を設ける場所は任意であり、セラミックス基板1の表面の端部でもよいし、また中央付近であってもよい。さらに、段差3はセラミックス基板1の表面側に限らず、裏面側に設けてもよい。段差3を有するセラミックス基板1は少なくとも1つの段差3を有するものであればよく、段差3の数、形成箇所、形状等は任意に設定可能である。
本発明の製造方法は上述したような段差を有するセラミックス基板を製造する方法である。本発明の実施形態による段差を有するセラミックス基板の製造方法について、以下に詳述する。なお、段差を有するセラミックス基板の製造方法の各工程を説明するにあたって、各実施形態で実質的に同じ工程を示す場合には同一の工程記号で表記する。
第1の実施形態による段差を有するセラミックス基板の製造方法は、
工程A:セラミックスグリーンシートを成形する工程、
工程B:セラミックスグリーンシートを焼成することによって、焼成基板(セラミックス基板)を作製する工程、
工程C:焼成基板(セラミックス基板)の表面にホーニング加工を施すことによって、段差を形成する工程、
を具備する。
まず、主成分となるセラミックス粉末と必要に応じて焼結助剤粉末、さらに樹脂バインダや溶媒を所定比率で混合してセラミックスペーストを作製する。工程Aにおいては、このようなセラミックスペーストを用いてセラミックスグリーンシートを成形する。セラミックスグリーンシートの成形には、金型プレス法、ドクターブレード法等の様々な成形法を適用することができる。なお、セラミックス基板の厚さが1mm以下と薄い場合には、ドクターブレード法を適用することが好ましい。
次に、工程Bとしてセラミックスグリーンシートを焼成して焼成基板を作製する工程を行う。焼成条件(温度、時間、雰囲気等)は主成分となるセラミックス材料によって適宜選択するものとする。この後、工程Cとして焼成基板の表面にホーニング加工を施して段差を形成する工程を行う。ホーニング加工を適用した製造方法は、特に段差の高さが0.6mm以下と比較的小さな段差を形成する場合に有効である。
ホーニング加工はセラミック砥粒を用いて実施することが好ましい。その際のホーニング圧は0.4MPa以上とすることが好ましい。ホーニング圧の上限は材料の強度に応じて適宜に選択されるものである。ただし、必要以上にホーニング圧が高いと基板に割れや欠けが生じて歩留りが低下するおそれがある。例えば、アルミナ基板やAlN基板のように強度が低い場合には2MPa以下、窒化珪素基板のように強度が高い場合には3MPa以下とすることが好ましい。
第2の実施形態による段差を有するセラミックス基板の製造方法は、
工程A:セラミックスグリーンシートを成形する工程、
工程D:グリーンシートに加工を施すことによって、段差を有するセラミックスグリーンシートを作製する工程、
工程B:段差を有するセラミックスグリーンシートを焼成することによって、段差を有する焼成基板(セラミックス基板)を作製する工程、
を具備する。
工程Aおよび工程Bは第1の実施形態の製造方法と実質的に同じである。第2の実施形態の製造方法において、段差の形成工程は工程Dとなる。つまり、セラミックスグリーンシートに加工を施すことによって、セラミックスグリーンシートひいてはセラミックス基板に段差を設ける。焼成前のセラミックスグリーンシートは容易に加工することができるため、製造コストや製造歩留りを大幅に高めることが可能となる。
セラミックスグリーンシートへの加工を適用した製造方法は、段差の高さが0.7mm以上と比較的大きな段差を形成する場合に有効である。段差の上限は特に限定されるものではないが、製造性等を考慮すると1mm以下とすることが好ましい。1mmを超える段差を有する基板を作製する場合には、厚さが1mm以下のシートを多層化する方法も有効である。これはセラミックスグリーンシートを加工する方法に限らず、セラミックスグリーンシートを積層する方法に対しても適用可能である。
第3の実施形態による段差を有するセラミックス基板の製造方法は、
工程A:第1のセラミックスグリーンシートとそれとは大きさが異なる第2のセラミックスグリーンシートを成形する工程、
工程E:第1のグリーンシート上に第2のグリーンシートを積層することによって、段差を有するセラミックスグリーンシートを作製する工程、
工程B:段差を有するセラミックスグリーンシートを焼成することによって、段差を有する焼成基板(セラミックス基板)を作製する工程、
を具備する。
ここでは、工程Aで2種類のセラミックスグリーンシートを作製するが、具体的なグリーンシートの作製工程自体は第1の実施形態と実質的に同じである。工程Bも第1の実施形態と実質的に同じである。第3の実施形態の製造方法において、段差の形成工程は工程Eとなる。つまり、第1のセラミックスグリーンシート上に例えばそれより小さい第2のセラミックスグリーンシートを積層することによって、セラミックスグリーンシートひいてはセラミックス基板に段差を設ける。セラミックスグリーンシートの積層を適用した製造方法は、厚さが厚い基板や縦横サイズが大きい基板の作製に有効である。
第4の実施形態による段差を有するセラミックス基板の製造方法は、
工程A:セラミックスグリーンシートを成形する工程、
工程F:セラミックスグリーンシート上にそれとは大きさが異なるようにセラミックスペーストを塗布することによって、段差を有するセラミックスグリーンシートを作製する工程、
工程B:段差を有するセラミックスグリーンシートを焼成することによって、段差を有する焼成基板(セラミックス基板)を作製する工程、
を具備する。
工程Aおよび工程Bは第1の実施形態と実質的に同じである。第4の実施形態の製造方法において、段差の形成工程は工程Fとなる。つまり、セラミックスグリーンシート上にそれとは大きさが異なるようにセラミックスペーストを塗布することによって、セラミックスグリーンシートひいてはセラミックス基板に段差を設ける。セラミックスペーストを使用するため、あまり大きな段差の形成には向かないが、セラミックスペーストの塗布という簡易な工程は複数の凸部を設けるときに有効である。
第5の実施形態による段差を有するセラミックス基板の製造方法は、
工程A:第1のセラミックスグリーンシートとそれとは大きさが異なる第2のセラミックスグリーンシートを成形する工程、
工程B:第1のセラミックスグリーンシートを焼成することによって、焼成基板(セラミックス基板)を作製する工程、
工程G:焼成基板(セラミックス基板)上に大きさが異なる第2のセラミックスグリーンシートを積層する工程、
工程H:焼成基板を再度焼成することによって、段差を有するセラミックス基板を作製する工程、
を具備する。
ここでは、工程Aで2種類のセラミックスグリーンシートを作製するが、具体的なグリーンシートの作製工程自体は第1の実施形態と実質的に同じである。工程Bも第1の実施形態と実質的に同じである。第5の実施形態の製造方法において、段差の形成工程は工程Gと工程Hとなる。つまり、一旦焼成した基板上にセラミックスグリーンシートを積層して再度焼成することによって、段差を有するセラミックス基板を作製する。一旦焼成した基板を用いているため、薄いセラミックス基板(例えば0.3mm以下)に段差を設ける場合に好適である。
上述した第1ないし第5の実施形態の製造方法によれば、いずれも機械研磨(ダイヤモンド砥石を用いた研磨等)を行うことなく、セラミックス基板上に段差を設けることができる。各実施形態の製造方法で得られるセラミックス基板は機械研磨を施さない研磨レス基板となることから、段差を有するセラミックス基板の製造コストを低減することができる。さらに、機械研磨のように強い応力を基板に加えないため、段差を有するセラミックス基板の製造歩留りを高めることができる。
各実施形態の製造方法で作製するセラミックス基板の厚さは任意であるが、特に厚さ1mm以下、さらには0.5mm以下の薄型基板に適用した場合においても良好な製造歩留りを得ることができる。段差の高さも0.3〜0.6mmの小さな段差から0.7mm以上の大きな段差まで、様々なサイズの段差を1個または複数個(2個以上)設ける場合において、段差を有するセラミックス基板の製造歩留りを高めることが可能となる。なお、第1ないし第5の実施形態は必要に応じ組合せてもよい。
さらに、上述した第1ないし第5の実施形態の製造方法によれば、段差を有する表面における任意方向の表面粗さをRa1、それと直交する表面粗さをRa2としたとき、Ra1/Ra2の値が0.8〜1.2の範囲内であるセラミックス基板を得ることができる。機械研磨を施すと表面粗さに方向性がでるため、Ra1/Ra2が0.8〜1.2の範囲内にはならない。Ra1/Ra2が0.8〜1.2の研磨レス基板によれば、特開2002−171037号公報に開示されているように、曲げ強度特性や耐熱サイクル(TCT)特性等を向上させることが可能となる。
本発明の実施形態による製造方法で作製したセラミックス基板は段差を有しているため、強度を向上させたいところは厚く、また放熱性を向上させたいところは薄くすることができる。従って、種々の要求特性に対応させたセラミックス基板を提供することが可能となる。このような段差を有するセラミックス基板は、金属板、導電性薄膜、導電性厚膜(ペーストを焼成したメタライズ層等)等の導電層を設けたセラミックス回路基板、複数の段差(凸部)を有する複雑形状のパッケージ基体、圧接構造のように応力が加わる放熱板(または回路基板)に好適である。
セラミックス基板の材質についても特に限定されるものではない。主成分が酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素のいずれのセラミックス基板にも適用可能であるが、好ましくは窒化珪素基板である。前述したように、放熱性に影響を及ぼす熱抵抗は材質の熱伝導率と基板の厚さによって決まるものである。例えば、窒化アルミニウム基板は熱伝導率200W/m・K以上のものが開発されているが、強度が弱いために圧接構造や熱サイクル付加の大きい分野には使用し難い。酸化アルミニウム基板は強度が400〜500MPa程度であるものの、熱伝導率が20W/m・K程度と低いために熱抵抗を十分に低下させることは困難である。
一方、窒化珪素基板は特許文献1等に記載されているように、熱伝導率が70W/m・K以上でかつ強度が700MPa以上と高熱伝導かつ高強度のものが開発されている。窒化珪素基板は強度が大きいことから、圧接構造や熱サイクル付加の大きい分野にも適用可能である。さらに、放熱性を向上させたい部分は薄くすることによって、熱抵抗を下げることができる。窒化珪素基板は素材としての強度が大きいことから、基板厚さが0.1〜0.3mmと薄くした場合においても強度を保つことができる。従って、セラミックス基板としては窒化珪素基板が好ましい。
次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。
実施例1
まず、熱伝導率が70W/m・K、3点曲げ強度が800MPa、厚さが0.32mmの窒化珪素基板を用意した。この窒化珪素基板はグリーンシートを焼成して得たものである。このような窒化珪素基板にホーニング加工を施して、図1ないし図3に示した段差を有するセラミックス基板を作製した。
ホーニング加工はセラミック砥粒を用いて実施した。その際のホーニング圧は0.5MPaとした。このような条件下で窒化珪素基板にホーニング加工を施すことによって、表1に示す段差を有するセラミックス基板を作製した。このときの熱抵抗および製造歩留りを調べた。さらに、Ra1/Ra2を測定した。これらの結果を表1に示す。
Figure 2007000963
実施例2
熱伝導率が200W/m・K、3点曲げ強度が350MPa、厚さが0.635mmの窒化アルミニウム基板の原料となるグリーンシートを用意した。このグリーンシートに加工を施して、段差を有するグリーンシートを作製した。段差は図1ないし図3に示した形状とした。この段差を有するグリーンシートを所定条件で焼成することによって、表2に示す段差を有するセラミックス基板を作製した。このときの熱抵抗および製造歩留りを調べた。さらに、Ra1/Ra2を測定した。これらの結果を表2に示す。
Figure 2007000963
実施例3
熱伝導率が80W/m・K、3点曲げ強度が850MPa、厚さが0.32mmの窒化珪素基板の原料となるグリーンシートを用意した。第1のグリーンシートのサイズは縦50mm×横50mmとし、その上にサイズが異なる第2のグリーンシート(組成は同一)を積層して、段差を有するグリーンシートを作製した。段差は図1ないし図3に示した形状とした。この段差を有するグリーンシートを所定条件で焼成することによって、表3に示す段差を有するセラミックス基板を作製した。このときの熱抵抗および製造歩留りを調べた。さらに、Ra1/Ra2を測定した。これらの結果を表3に示す。
Figure 2007000963
実施例4
熱伝導率が90W/m・K、3点曲げ強度が830MPa、厚さ0.32がmmの窒化珪素基板の原料となるグリーンシートを用意した。このグリーンシート上に同一組成のペーストを塗布して、段差を有するグリーンシートを作製した。段差は図4ないし図6に示した形状とした。この段差を有するグリーンシートを所定条件で焼成することによって、表4に示す段差を有するセラミックス基板を作製した。このときの熱抵抗および製造歩留りを調べた。さらに、Ra1/Ra2を測定した。これらの結果を表4に示す。
Figure 2007000963
実施例5
熱伝導率が90W/m・K、3点曲げ強度が830MPa、厚さが0.32mmの窒化珪素基板を用意した。窒化珪素基板はグリーンシートを焼成して得たものである。この窒化珪素基板上にサイズが異なるグリーンシート(同一組成)を積層した。段差は図4ないし図6に示した形状とした。これを所定条件で再度焼成することによって、表5に示す段差を有するセラミックス基板を作製した。このときの熱抵抗および製造歩留りを調べた。さらに、Ra1/Ra2を測定した。これらの結果を表5に示す。
Figure 2007000963
比較例1〜2
まず比較例1として、実施例1の試料1と同一形状および同一サイズの窒化珪素基板を、ダイヤモンド砥石を用いた機械研磨を適用して作製した。また比較例2として、実施例2の試料4と同一形状および同一サイズの窒化アルミニウム素基板を、ダイヤモンド砥石を用いた機械研磨を適用して作製した。このときの製造歩留りを調べた。さらに、Ra1/Ra2を測定した。これらの結果を表6に示す。
Figure 2007000963
実施例6、比較例3〜4
実施例3の試料7の窒化珪素基板において、ベースとなる基板の厚さを0.1mm(試料13)、0.2mm(試料14)に変更する以外は、実施例3と同様にして段差を有する窒化珪素基板を作製した。さらに、試料13および試料14と同一形状および同一サイズの窒化珪素基板(比較例3、4)を、ダイヤモンド砥石を用いた機械研磨を適用して作製した。このときの熱抵抗および製造歩留りを調べた。さらに、Ra1/Ra2を測定した。これらの結果を表7に示す。
Figure 2007000963
表7から明らかなように、比較例3、4のように薄い基板に機械研磨を施すと、基板割れが多数生じて歩留りが低下することが分かる。これに対し、実施例の製造方法によれば歩留りの低下を招くことなく、段差を有するセラミックス基板を作製することができる。
実施例7、比較例5〜6
図10に示した2個の凸部を有する窒化珪素基板(試料15)を、実施例4と同様の方法で作製した。また、図11に示した2個の凸部を有する窒化珪素基板(試料16)を、実施例5と同様の方法で作製した。さらに、試料13および試料14と同一形状および同一サイズの窒化珪素基板(比較例5、6)を、ダイヤモンド砥石を用いた機械研磨を適用して作製した。このときの熱抵抗および製造歩留りを調べた。さらに、Ra1/Ra2を測定した。これらの結果を表8に示す。
Figure 2007000963
表8から明らかなように、実施例の製造方法によれば複数の凸部およびそれらに基づく複数の段差を有するセラミックス基板についても歩留りよく作製することが可能である。
なお、本発明の製造方法は上記した実施形態に限定されるものではなく、各種形状の段差を有するセラミックス基板の製造に適用すること可能である。さらに、本発明の実施形態は本発明の技術的思想の範囲内で拡張もしくは変更することができ、この拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれるものである。
本発明のセラミックス基板の製造方法は機械研磨を施していないので、段差を有するセラミックス基板を低コストで提供することが可能となる。さらに、機械研磨のように強い応力を付加することがないため、段差を有するセラミックス基板の製造歩留りを向上させることができる。本発明のセラミックス基板の製造方法は、各種の用途に使用させる段差を有するセラミックス基板の製造に適用されるものである。

【0002】
でも接合部が熱抵抗となるため、基板全体の放熱性を低下させる要因になる。
[0007]
ところで、熱抵抗は基板の熱伝導率と厚さで決まるものである。つまり、熱伝導率が高くても基板の厚さが厚いと熱抵抗は上がり、逆に熱伝導率が低くても基板の厚さを薄くすることで熱抵抗を下げることができる。言い換えると、熱伝導率が高くかつ基板の厚さが薄い場合に最も熱抵抗が下がり、放熱性が向上することになる。このため、単一材料からなるセラミックス基板の放熱性を向上させたい部分の厚さを薄くし、強度を上げたい部分の厚さを厚くすることが試みられている。つまり、基板表面に段差を設けることによって、放熱性と強度を共に高めたセラミックス基板の作製が試みられている。
[0008]
従来の段差を有するセラミックス基板は、平らな基板表面にダイヤモンド砥石等を用いた機械研磨を施すことにより作製されている。しかしながら、セラミックス材料は難加工材であることから、段差の形成に機械研磨を適用した製造方法はセラミックス基板の製造コストが高いという難点を有する。さらに、回路基板のように厚さが1mm以下の薄いセラミックス基板に機械研磨を施すと基板に割れが生じ易いことから、段差を有するセラミックス基板の製造歩留りも低下する。
特許文献1:特開2000−34172公報
特許文献2:特開平9−121004号公報
特許文献3:特開平10−65292号公報
[発明の開示]
[0009]
本発明の目的は、機械研磨を施すことなく、段差を有するセラミックス基板を製造することを可能にしたセラミックス基板の製造方法を提供することにある。
[0010]
本発明の第1の態様に係る段差を有するセラミックス基板の製造方法は、セラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記セラミックスグリーンシートを焼成して焼成基板を作製する工程と、前記焼成基板の表面にホーニング加工を施して、高さが0.3〜0.6mmの段差を形成する工程とを具備することを特徴としている。
[0011]
本発明の第2の態様に係る段差を有するセラミックス基板の製造方法は、セラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記セラミックスグリーンシートに加工を施して、段差を有するセラミックスグリーンシートを作製する工程と、前記段差を有するセラミッ
【0003】
クスグリーンシートを焼成して、高さが0.7mm以上の段差を有する焼成基板を作製する工程とを具備することを特徴としている。
[0012]
本発明の第3の態様に係る段差を有するセラミックス基板の製造方法は、第1のセラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記第1のセラミックスグリーンシートと大きさが異なる第2のセラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記第1のセラミックスグリーンシート上に前記第2のセラミックスグリーンシートを積層して、段差を有するセラミックスグリーンシートを作製する工程と、前記段差を有するセラミックスグリーンシートを焼成して、高さが0.7mm以上の段差を有する焼成基板を作製する工程とを具備することを特徴としている。
[0013]
本発明の第4の態様に係る段差を有するセラミックス基板の製造方法は、セラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記セラミックスグリーンシート上にセラミックスペーストを塗布して、複数の段差を有するセラミックスグリーンシートを作製する工程と、前記段差を有するセラミックスグリーンシートを焼成して、複数の段差を有する焼成基板を作製する工程とを具備することを特徴としている。
[0014]
本発明の第5の態様に係る段差を有するセラミックス基板の製造方法は、第1のセラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記第1のセラミックスグリーンシートを焼成して、厚さが0.3mm以下の焼成基板を作製する工程と、前記第1のセラミックスグリーンシートと大きさが異なる第2のセラミックスグリーンシートを成形する工程と、前記焼成基板上に前記第2のセラミックスグリーンシートを積層する工程と、前記焼成基板を再度焼成する工程とを具備することを特徴としている。
[図面の簡単な説明]
[0015]
[図1]図1は段差を有するセラミックス基板の一例を示す斜視図である。
[図2]図2は図1に示すセラミックス基板の平面図である。
[図3]図3は図1に示すセラミックス基板の断面図である。
[図4]図4は段差を有するセラミックス基板の他の例を示す斜視図である。
[図5]図5は図4に示すセラミックス基板の平面図である。
[図6]図6は図4に示すセラミックス基板の断面図である。
[図7]図7は図1に示すセラミックス基板の変形例を示す平面図である。
[図8]図8は図4に示すセラミックス基板の変形例を示す平面図である。

Claims (20)

  1. セラミックスグリーンシートを成形する工程と、
    前記セラミックスグリーンシートを焼成して焼成基板を作製する工程と、
    前記焼成基板の表面にホーニング加工を施して段差を形成する工程と
    を具備することを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  2. 請求項1記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記焼成基板の前記段差を有する表面における任意方向の表面粗さをRa1、それと直交する表面粗さをRa2としたとき、Ra1/Ra2が0.8〜1.2の範囲内であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  3. 請求項1記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記段差を有するセラミックス基板は研磨レス基板であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  4. 請求項1記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記セラミックス基板は窒化珪素基板であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  5. セラミックスグリーンシートを成形する工程と、
    前記セラミックスグリーンシートに加工を施して、段差を有するセラミックスグリーンシートを作製する工程と、
    前記段差を有するセラミックスグリーンシートを焼成して焼成基板を作製する工程と
    を具備することを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  6. 請求項5記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記焼成基板の前記段差を有する表面における任意方向の表面粗さをRa1、それと直交する表面粗さをRa2としたとき、Ra1/Ra2が0.8〜1.2の範囲内であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  7. 請求項5記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記段差を有するセラミックス基板は研磨レス基板であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  8. 請求項5記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記セラミックス基板は窒化珪素基板であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  9. 第1のセラミックスグリーンシートを成形する工程と、
    前記第1のセラミックスグリーンシートと大きさが異なる第2のセラミックスグリーンシートを成形する工程と、
    前記第1のセラミックスグリーンシート上に前記第2のセラミックスグリーンシートを積層して、段差を有するセラミックスグリーンシートを作製する工程と、
    前記段差を有するセラミックスグリーンシートを焼成して焼成基板を作製する工程と
    を具備することを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  10. 請求項9記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記焼成基板の前記段差を有する表面における任意方向の表面粗さをRa1、それと直交する表面粗さをRa2としたとき、Ra1/Ra2が0.8〜1.2の範囲内であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  11. 請求項9記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記段差を有するセラミックス基板は研磨レス基板であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  12. 請求項9記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記セラミックス基板は窒化珪素基板であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  13. セラミックスグリーンシートを成形する工程と、
    前記セラミックスグリーンシート上にセラミックスペーストを塗布して、段差を有するセラミックスグリーンシートを作製する工程と、
    前記段差を有するセラミックスグリーンシートを焼成して焼成基板を作製する工程と
    を具備することを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  14. 請求項13記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記焼成基板の前記段差を有する表面における任意方向の表面粗さをRa1、それと直交する表面粗さをRa2としたとき、Ra1/Ra2が0.8〜1.2の範囲内であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  15. 請求項13記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記段差を有するセラミックス基板は研磨レス基板であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  16. 請求項13記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記セラミックス基板は窒化珪素基板であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  17. 第1のセラミックスグリーンシートを成形する工程と、
    前記第1のセラミックスグリーンシートを焼成して焼成基板を作製する工程と、
    前記第1のセラミックスグリーンシートと大きさが異なる第2のセラミックスグリーンシートを成形する工程と、
    前記焼成基板上に前記第2のセラミックスグリーンシートを積層する工程と、
    前記焼成基板を再度焼成する工程と
    を具備することを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  18. 請求項17記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記焼成基板の前記段差を有する表面における任意方向の表面粗さをRa1、それと直交する表面粗さをRa2としたとき、Ra1/Ra2が0.8〜1.2の範囲内であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  19. 請求項17記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記段差を有するセラミックス基板は研磨レス基板であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。
  20. 請求項17記載の段差を有するセラミックス基板の製造方法において、
    前記セラミックス基板は窒化珪素基板であることを特徴とする段差を有するセラミックス基板の製造方法。

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2484957B1 (en) * 2009-07-06 2022-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of packaging a ceramic substrate for mounting a device, method of packaging a ceramic substrate for mounting an led
JP5631618B2 (ja) * 2010-04-08 2014-11-26 オリンパス株式会社 ケーブル接続構造
KR101209306B1 (ko) * 2010-06-23 2012-12-06 엘지이노텍 주식회사 세라믹 기판 및 그의 제조 방법과 이미지 센서 패키지 및 그의 제조 방법
EP3879565A4 (en) * 2018-11-08 2022-07-27 Kyocera Corporation CIRCUIT BOARD, COMPOSITE BOARD AND ELECTRICAL DEVICE

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0232553A (ja) * 1988-07-22 1990-02-02 Toshiba Corp 高周波半導体素子用セラミックス基板
JP2691451B2 (ja) * 1989-06-15 1997-12-17 三井金属鉱業株式会社 車両用ロツク装置
JPH04171746A (ja) * 1990-11-02 1992-06-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及びこれにより製造される半導体装置
KR100232660B1 (ko) * 1995-03-20 1999-12-01 니시무로 타이죠 질화규소 회로기판
JPH09298252A (ja) * 1996-05-01 1997-11-18 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ及びこれを用いた半導体装置
JP3683348B2 (ja) * 1996-06-25 2005-08-17 日本特殊陶業株式会社 セラミック構造体の製造方法
TW353220B (en) * 1996-08-20 1999-02-21 Toshiba Corp Silicon nitride circuit board and semiconductor module
JP4346151B2 (ja) * 1998-05-12 2009-10-21 株式会社東芝 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびそれを用いた回路基板並びに集積回路
JP3767362B2 (ja) * 1999-12-13 2006-04-19 株式会社村田製作所 積層型セラミック電子部品の製造方法
JP4479074B2 (ja) * 2000-07-28 2010-06-09 株式会社村田製作所 積層型セラミック電子部品の製造方法および製造装置、積層型セラミック電子部品、ならびにセラミックグリーンシート
JP5038565B2 (ja) * 2000-09-22 2012-10-03 株式会社東芝 セラミックス回路基板およびその製造方法
JP2002261570A (ja) * 2001-03-06 2002-09-13 Citizen Watch Co Ltd 水晶振動子用パッケージベースおよびそれを用いた水晶振動子パッケージ構造体の製造方法
JP3711883B2 (ja) * 2001-03-23 2005-11-02 株式会社村田製作所 多層セラミック基板の製造方法
JP2002329803A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Mitsubishi Electric Corp 電子回路モジュールおよびその製造方法
JP3716783B2 (ja) * 2001-11-22 2005-11-16 株式会社村田製作所 セラミック多層基板の製造方法及び半導体装置
JP2004165339A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多層セラミック基板の製造方法、誘電体積層デバイスおよびそれを用いた無線機器
JP2004179546A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Kyocera Corp 配線基板およびその製造方法

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