JPS6184037A - 窒化アルミニウム系セラミツクス基板 - Google Patents
窒化アルミニウム系セラミツクス基板Info
- Publication number
- JPS6184037A JPS6184037A JP59204709A JP20470984A JPS6184037A JP S6184037 A JPS6184037 A JP S6184037A JP 59204709 A JP59204709 A JP 59204709A JP 20470984 A JP20470984 A JP 20470984A JP S6184037 A JPS6184037 A JP S6184037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- rmax
- 10mum
- aluminum nitride
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/0072—Heat treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野」
本発明は最適な表面状態を有する窒化アルミニウム系セ
ラミックス基板に関する。
ラミックス基板に関する。
[発明の技術的背景]
クス基板として、アルミナ系のものが一般に使用されて
きたが、大電力半導体素子を搭載する場合や集積密度を
増大させた場合、アルミナ系セラミックス基板は熱伝導
性が必ずしも充分でなく、シリコンベレット等の半導体
素子からの発熱を充分に放散させることは困難であった
。
きたが、大電力半導体素子を搭載する場合や集積密度を
増大させた場合、アルミナ系セラミックス基板は熱伝導
性が必ずしも充分でなく、シリコンベレット等の半導体
素子からの発熱を充分に放散させることは困難であった
。
そこで最近、熱伝導性のより優れた窒化アルミニウム系
セラミックス基板が使用されるようになってきている。
セラミックス基板が使用されるようになってきている。
[背景技術の問題点]
しかし、この窒化アルミニウム系セラミックス基板は、
近年になって開発されてもので、表面状態の最適条件に
ついてのデータが不十分であり、従って、表面形状の不
備を原因とする種々の問題が生じていた。
近年になって開発されてもので、表面状態の最適条件に
ついてのデータが不十分であり、従って、表面形状の不
備を原因とする種々の問題が生じていた。
すなわち、表面あらさが大きすぎると導体との接着強度
が低下して膜または箔の剥離が生じたり、導体膜の場合
には電気的特性が悪くなり、ファインライン性が低下す
る等の望ましくない結果が生じる。
が低下して膜または箔の剥離が生じたり、導体膜の場合
には電気的特性が悪くなり、ファインライン性が低下す
る等の望ましくない結果が生じる。
そこで窒化アルミニウム系セラミックス基板について、
それぞれの基板用途に応じた表面あらさの最適範囲を見
出すことが望まれていた。
それぞれの基板用途に応じた表面あらさの最適範囲を見
出すことが望まれていた。
[発明の目的]
本発明はこのような問題を解消するためになされたもの
で、窒化アルミニウム系セラミックス基板の表面あらざ
の最適条件を決定することにより導体の基板への密着性
を向上させ、導体の高性能実装化を実現する窒化アルミ
ニウム系セラミックス基板を提供することを目的とする
。
で、窒化アルミニウム系セラミックス基板の表面あらざ
の最適条件を決定することにより導体の基板への密着性
を向上させ、導体の高性能実装化を実現する窒化アルミ
ニウム系セラミックス基板を提供することを目的とする
。
[発明の概要]
すなわち本発明の窒化アルミニウム系セラミックス基板
は、主として窒化アルミニウムで形成されているセラミ
ックス基板であって、表面あらさがRmax≦10μm
であることを特徴とする。
は、主として窒化アルミニウムで形成されているセラミ
ックス基板であって、表面あらさがRmax≦10μm
であることを特徴とする。
本発明における窒化アルミニウム系セラミックス基板は
、窒化アルミニウムを95%以上含むセラミックス基板
を有し、窒化アルミニウム粉末に酸化イツトリウム等の
焼結助剤を0.1〜5%添加混合し、所定形状に成形[
)焼成したもの、あるいはより好ましくはこれをさらに
酸化して窒化アルミニウムの表面に 1〜10μmの安
定したアルミナ層を形成させ、導体との接合を容易にし
たものが含まれる。このアルミナ層は、空気中その他の
醇化性雰囲気中で1,000〜1,400℃、0.5〜
5時間の熱処理を行なうことにより形成される。
、窒化アルミニウムを95%以上含むセラミックス基板
を有し、窒化アルミニウム粉末に酸化イツトリウム等の
焼結助剤を0.1〜5%添加混合し、所定形状に成形[
)焼成したもの、あるいはより好ましくはこれをさらに
酸化して窒化アルミニウムの表面に 1〜10μmの安
定したアルミナ層を形成させ、導体との接合を容易にし
たものが含まれる。このアルミナ層は、空気中その他の
醇化性雰囲気中で1,000〜1,400℃、0.5〜
5時間の熱処理を行なうことにより形成される。
なお、本発明において表面あらさとは最大高さくRma
x)を意味する。
x)を意味する。
この表面あらさは、10μm以下の場合に初期の目的を
達成できるが、特にAu 、A9/Pd、CLI、ガラ
ス、抵抗体等を用いる厚膜用基板としテハ5μm以下、
Cu 、Ti 、AC+ 、Au等を用いる薄膜用基板
としては2μm以下、銅版を直接接合する基板としては
6μm以下および構造用の基板としては10μm以下が
望ましい。また、厚膜用基板の場合にはあまり平滑すぎ
ると膜の接着強度が低下するので2μm以上であること
が好ましい。
達成できるが、特にAu 、A9/Pd、CLI、ガラ
ス、抵抗体等を用いる厚膜用基板としテハ5μm以下、
Cu 、Ti 、AC+ 、Au等を用いる薄膜用基板
としては2μm以下、銅版を直接接合する基板としては
6μm以下および構造用の基板としては10μm以下が
望ましい。また、厚膜用基板の場合にはあまり平滑すぎ
ると膜の接着強度が低下するので2μm以上であること
が好ましい。
次に本発明による窒化アルミニウム系セラミックス基板
の表面あらさの調整方法は、所定形状に成形、焼成した
窒化アルミニウム系セラミックス基板を100〜1,0
00メツシユの7ランダム砥粒を用いてホーニング加工
するか、または100〜600メツシユのダイVモンド
砥粒を用いて研磨する。
の表面あらさの調整方法は、所定形状に成形、焼成した
窒化アルミニウム系セラミックス基板を100〜1,0
00メツシユの7ランダム砥粒を用いてホーニング加工
するか、または100〜600メツシユのダイVモンド
砥粒を用いて研磨する。
あるいはセラミックス基板の製造過程におけるセラミッ
クス材料の粉砕粒径および成形密度、焼結温度等を正当
に調整することによってセラミックス焼結後の基板に所
望の表面あらさを具備させることもできる。
クス材料の粉砕粒径および成形密度、焼結温度等を正当
に調整することによってセラミックス焼結後の基板に所
望の表面あらさを具備させることもできる。
し発明の実施例]
次に本発明の実施例について説明する。
実施例1
粒径1〜2μmの窒化アルミニウム粉末と3%゛
の酸化イツトリウムからなる混合粉末にバインダおよび
有は溶剤を添加混合して板状に形成し、窒素ガス中で約
700°CX3時間で脱脂した後、常圧焼結またはホ
ットプレスし、次いで空気中で、約1.200’C11
時間の熱処理を行なうことにより表面に約8μm厚さの
安定したアルミナ層を有する表面粗さ5μmRmaxの
平滑な窒化アルミニウム系セラミックス基板を製造した
。
の酸化イツトリウムからなる混合粉末にバインダおよび
有は溶剤を添加混合して板状に形成し、窒素ガス中で約
700°CX3時間で脱脂した後、常圧焼結またはホ
ットプレスし、次いで空気中で、約1.200’C11
時間の熱処理を行なうことにより表面に約8μm厚さの
安定したアルミナ層を有する表面粗さ5μmRmaxの
平滑な窒化アルミニウム系セラミックス基板を製造した
。
これに銅導体を焼付け、銅導体膜との密着性、電気的特
性およびフッインライン性を調べた。その結果、銅接着
強度約2 、5kg / wi、電気抵抗約2.00−
印、150μmピッチのパターンのタッチ、オーブンが
なくいずれも良好であった。
性およびフッインライン性を調べた。その結果、銅接着
強度約2 、5kg / wi、電気抵抗約2.00−
印、150μmピッチのパターンのタッチ、オーブンが
なくいずれも良好であった。
実施例2
粒径2.5〜4μmの窒化アルミニウム粉末と3%の酸
化イツトリウムを用いて実施例1と同様にして基板を得
た。(9られた基板の表面粗さは13μmRmaxであ
った。この基板に、約600メツシユの砥粒を用いてホ
ーニング加工を施こし表面粗さを8μmRmaxとした
。この基板に実施例1と同様に銅導体を焼付けたところ
良好な結果を得ることができた。
化イツトリウムを用いて実施例1と同様にして基板を得
た。(9られた基板の表面粗さは13μmRmaxであ
った。この基板に、約600メツシユの砥粒を用いてホ
ーニング加工を施こし表面粗さを8μmRmaxとした
。この基板に実施例1と同様に銅導体を焼付けたところ
良好な結果を得ることができた。
比較例
実施例2の過程で得られた表面粗さ13μmRma×の
基板(酸化処理したもの)に銅導体を焼付けたところ、
導体が容易に剥!!1する部分があった。
基板(酸化処理したもの)に銅導体を焼付けたところ、
導体が容易に剥!!1する部分があった。
以上のように表面あらざがRn+ax 110l1以下
のものはセラミックス基板と膜等との密着性に浸れ、電
気的特性、ファインライン性も満足できるものが得られ
た。
のものはセラミックス基板と膜等との密着性に浸れ、電
気的特性、ファインライン性も満足できるものが得られ
た。
[発明の効果]
以上説明したように本発明による窒化アルミニウム系セ
ラミックス基板は、膜等との密着性に層れ、電気的特性
、ファインライン性も満足できるものであり、高性能実
装化を可能にするものである。
ラミックス基板は、膜等との密着性に層れ、電気的特性
、ファインライン性も満足できるものであり、高性能実
装化を可能にするものである。
Claims (2)
- (1)主として窒化アルミニウムで形成されているセラ
ミックス基板であつて、表面あらさがRmax≦10μ
mであることを特徴とする窒化アルミニウム系セラミッ
クス基板。 - (2)表面にアルミナ層が形成されている特許請求の範
囲第1項記載の窒化アルミニウム系セラミックス基板。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59204709A JPS6184037A (ja) | 1984-09-30 | 1984-09-30 | 窒化アルミニウム系セラミツクス基板 |
DE19853534886 DE3534886A1 (de) | 1984-09-30 | 1985-09-30 | Verfahren zum herstellen von aluminiumnitrid-keramik-platten |
US07/212,130 US4863658A (en) | 1984-09-30 | 1988-06-28 | Aluminum nitride ceramic substrate for copper and method for production thereof |
US07/646,495 US5165983A (en) | 1984-09-30 | 1991-01-28 | Method for production of aluminum nitride ceramic plate |
JP5214130A JPH0773150B2 (ja) | 1984-09-30 | 1993-08-30 | 窒化アルミニウム系セラミックス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59204709A JPS6184037A (ja) | 1984-09-30 | 1984-09-30 | 窒化アルミニウム系セラミツクス基板 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5214130A Division JPH0773150B2 (ja) | 1984-09-30 | 1993-08-30 | 窒化アルミニウム系セラミックス基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6184037A true JPS6184037A (ja) | 1986-04-28 |
JPH0470775B2 JPH0470775B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=16495011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59204709A Granted JPS6184037A (ja) | 1984-09-30 | 1984-09-30 | 窒化アルミニウム系セラミツクス基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6184037A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62141744A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | Nec Corp | 窒化アルミニウムセラミツク基板 |
JPH01278001A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Tokin Corp | サーミスタ感温構造体 |
JPH02174184A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Toshiba Corp | 厚膜回路基板 |
JP2002076192A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 窒化アルミニウム基板およびそれを用いた半導体パッケージ |
JP2004162147A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Plasma Giken Kogyo Kk | 溶射被膜を有する窒化アルミニウム焼結体 |
US6884972B2 (en) | 1999-12-09 | 2005-04-26 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic plate for a semiconductor producing/inspecting apparatus |
JP2006028018A (ja) * | 2005-08-01 | 2006-02-02 | Dowa Mining Co Ltd | Al−セラミックス複合基板 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6922918B2 (ja) | 2016-08-22 | 2021-08-18 | 株式会社村田製作所 | セラミック基板及び電子部品内蔵モジュール |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4891599A (ja) * | 1972-03-03 | 1973-11-28 | ||
JPS54100410A (en) * | 1978-01-24 | 1979-08-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Ceramic heat conductor |
JPS59150453A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-08-28 | Toshiba Corp | 半導体モジユ−ル用基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-09-30 JP JP59204709A patent/JPS6184037A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4891599A (ja) * | 1972-03-03 | 1973-11-28 | ||
JPS54100410A (en) * | 1978-01-24 | 1979-08-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Ceramic heat conductor |
JPS59150453A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-08-28 | Toshiba Corp | 半導体モジユ−ル用基板の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62141744A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | Nec Corp | 窒化アルミニウムセラミツク基板 |
JPH01278001A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Tokin Corp | サーミスタ感温構造体 |
JPH02174184A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Toshiba Corp | 厚膜回路基板 |
US6884972B2 (en) | 1999-12-09 | 2005-04-26 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic plate for a semiconductor producing/inspecting apparatus |
JP2002076192A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 窒化アルミニウム基板およびそれを用いた半導体パッケージ |
JP2004162147A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Plasma Giken Kogyo Kk | 溶射被膜を有する窒化アルミニウム焼結体 |
JP2006028018A (ja) * | 2005-08-01 | 2006-02-02 | Dowa Mining Co Ltd | Al−セラミックス複合基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0470775B2 (ja) | 1992-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4013386B2 (ja) | 半導体製造用保持体およびその製造方法 | |
JP3975944B2 (ja) | 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置 | |
JPH0461293A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
US5165983A (en) | Method for production of aluminum nitride ceramic plate | |
JPH05504933A (ja) | 窒化アルミニウム基板への銅の直接結合 | |
US4863658A (en) | Aluminum nitride ceramic substrate for copper and method for production thereof | |
JPS6184037A (ja) | 窒化アルミニウム系セラミツクス基板 | |
JP3422495B2 (ja) | セラミックスdbc基板の製造方法 | |
JP2006044980A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 | |
JPH1067586A (ja) | パワーモジュール用回路基板およびその製造方法 | |
JP4772187B2 (ja) | AlN焼結体およびこれを用いたAlN回路基板 | |
JP4795529B2 (ja) | セラミック基板、薄膜回路基板およびセラミック基板の製造方法 | |
JP3370532B2 (ja) | 静電チャック | |
JP3231822B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2563809B2 (ja) | 半導体用窒化アルミニウム基板 | |
WO2023162619A1 (ja) | 熱伝導性積層絶縁基板 | |
JP2007186382A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 | |
JPH06172041A (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
JPH029766A (ja) | セラミックス基板 | |
JPH0773150B2 (ja) | 窒化アルミニウム系セラミックス基板 | |
JP4653272B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
JP2006117449A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 | |
JP3171695B2 (ja) | 窒化アルミニウム回路基板の製造方法 | |
JP2004289137A (ja) | 半導体製造装置用ウェハ保持体及びそれを搭載した半導体製造装置 | |
JPH03146471A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |