JP7390211B2 - 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス - Google Patents

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関連出願の相互参照
本願は、2015年5月5日出願のPCT特許出願第PCT/US15/29269号の一部継続出願であり、その開示内容の全体を参照によって援用する、2014年5月8日出願の米国特許仮出願第61/990,239号及び2014年11月21日出願の米国特許仮出願第62/082,970号に対する優先権も主張するものである。
本発明は、一般的には、新規の化合物、前記化合物を含む組成物、及び前記化合物及び/又は前記組成物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスを含む前記化合物及び前記組成物の適用に関する。
特許請求されている発明は、大学・企業の共同研究契約の下記の当事者:University of Southern California及びUniversal Display Corporationの理事らの1又は複数によって、その利益になるように、且つ/又は関連して為されたものである。該契約は、特許請求されている発明が為された日付以前に発効したものであり、特許請求されている発明は、該契約の範囲内で行われる活動の結果として為されたものである。
概して、OLEDは、アノード及びカソードの間に配置され、それらと電気的に接続された少なくとも1つの有機層を含む。電流が印加されると、アノードが正孔を注入し、カソードが電子を有機層(複数可)に注入する。注入された正孔及び電子は、逆帯電した電極にそれぞれ移動する。電子及び正孔が同じ分子上に局在する場合、励起エネルギー状態を有する局在電子正孔対である「励起子」が形成される。光は、励起子が緩和した際に、光電子放出機構を介して放出される。いくつかの事例において、励起子はエキシマー又はエキサイプレックス上に局在し得る。熱緩和等の無輻射機構が発生する場合もあるが、概して望ましくないとみなされている。
初期のOLEDは、例えば、参照によりその全体が組み込まれる特許文献1において開示されている通り、その一重項状態から光を放出する発光分子(「蛍光」)を使用していた。蛍光発光は、概して、10ナノ秒未満の時間枠で発生する。
ごく最近では、三重項状態から光を放出する発光材料(「リン光」)を有するOLEDが実証されている。参照によりその全体が組み込まれる、Baldoら、「Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices」、395巻、151~154、1998;(「Baldo-I」)及びBaldoら、「Very high-efficiency green organic light emitting devices based on electrophosphorescence」、Appl.Phys.Lett.、75巻、3号、4~6(1999)(「Baldo-II」)。リン光は、遷移がスピン状態における変化を必要とし、量子力学においてこのような遷移は許容されないことが示されているため、「禁制」遷移として言及されることがある。その結果、リン光は、一般的に少なくとも10ナノ秒、典型的には100ナノ秒超を超える時間枠で起こる。リン光の自然放射寿命が長すぎると、三重項は、光が発光しないような非輻射メカニズムによって減衰することがある。有機リン光は、多くの場合、非常に低い温度で電子の非共有対を有するヘテロ原子を含む分子でも確認されることがある。2,2’-ビピリジンがそのような分子である。非輻射減衰メカニズムは、典型的には温度依存性であり、液体窒素温度でリン光を示す有機材料が、一般的には室温ではリン光を示さない。しかし、Baldoによって実証されたように、室温でリン光を示すリン光化合物を選択することでこの問題は対処されることができる。代表的な発光層としては、特許文献2;特許文献3;特許文献4、及び特許文献5;特許文献6;及び特許文献7に開示されるようなドープされた又はドープされていないリン光有機金属材料が挙げられる。
リン光は、三重項励起状態から発光減衰が生じる中間の非三重項状態への遷移によって先導される。例えば、ランタニド元素に配位している有機分子は、多くの場合、ランタニド金属上に局在化された励起状態からリン光を発する。しかし、このような材料は、三重項励起状態から直接リン光を発せず、代わりにランタニド金属イオンに中心がある原子の励起状態から発光する。ユーロピウムジケトネート錯体は、これらの種のタイプの1つである。
三重項からのリン光は、有機分子を高い原子番号の原子と近接して、好ましくは結合によって制限することにより、蛍光よりも高いものとすることができる。重原子効果と呼ばれるこの現象は、スピン軌道カップリングとして知られるメカニズムによって形成される。このようなリン光遷移は、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム(III)等の有機金属原子の励起された金属から配位子への電荷移動状態(MLCT)で確認されることができる。
有機材料を利用する光電子デバイスは、いくつもの理由から、次第に望ましいものとなりつつある。そのようなデバイスを作製するために使用される材料の多くは比較的安価であるため、有機光電子デバイスは無機デバイスを上回るコスト優位性の可能性を有する。加えて、柔軟性等の有機材料の固有の特性により、該材料は、フレキシブル基板上での製作等の特定用途によく適したものとなり得る。有機光電子デバイスの例は、有機発光デバイス(OLED)、有機光トランジスタ、有機光電池及び有機光検出器を含む。OLEDについて、有機材料は従来の材料を上回る性能の利点を有し得る。例えば、有機発光層が光を放出する波長は、概して、適切なドーパントで容易に調整され得る。
OLEDはデバイス全体に電圧が印加されると光を放出する薄い有機膜を利用する。OLEDは、フラットパネルディスプレイ、照明及びバックライティング等の用途において使用するためのますます興味深い技術となりつつある。数種のOLED材料及び構成は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、特許文献8、特許文献2、及び特許文献9において記述されている。
リン光性発光分子の1つの用途は、フルカラーディスプレイである。そのようなディスプレイの業界標準は、「飽和(saturated)」色と称される特定の色を放出するように適合された画素を必要とする。特に、これらの標準は、飽和した赤色、緑色及び青色画素を必要とする。或いは、OLEDは、白色光を照射するように設計することができる。従来の、白色バックライトからの液晶ディスプレイ発光は、吸収フィルターを用いてフィルタリングされ、赤色、緑色、及び青色発光を生成する。同様の技術は、OLEDでも用いられることができる。白色OLEDは、単一のEMLデバイス又は積層体構造のいずれかであることができる。色は、当技術分野において周知のCIE座標を使用して測定することができる。
緑色発光分子の一例は、下記の構造:
Figure 0007390211000001
を有する、Ir(ppy)と表示されるトリス(2-フェニル)イリジウムである。
この図面及び本明細書における後出の図面中で、本発明者らは、窒素から金属(ここではIr)への配位結合を直線として描写する。
本明細書において使用される場合、用語「有機」は、有機光電子デバイスを製作するために使用され得るポリマー材料及び小分子有機材料を含む。「小分子」は、ポリマーでない任意の有機材料を指し、且つ「小分子」は実際にはかなり大型であってよい。小分子は、いくつかの状況において繰り返し単位を含み得る。例えば、長鎖アルキル基を置換基として使用することは、「小分子」クラスから分子を排除しない。小分子は、例えばポリマー骨格上のペンダント基として、又は該骨格の一部として、ポリマーに組み込まれてもよい。小分子は、コア部分上に構築された一連の化学的シェルからなるデンドリマーのコア部分として役立つこともできる。デンドリマーのコア部分は、蛍光性又はリン光性小分子発光体であってよい。デンドリマーは「小分子」であってよく、OLEDの分野において現在使用されているデンドリマーはすべて小分子であると考えられている。
本明細書において使用される場合、「頂部」は基板から最遠部を意味するのに対し、「底部」は基板の最近部を意味する。第一層が第二層「の上に配置されている」と記述される場合、第一層のほうが基板から遠くに配置されている。第一層が第二層「と接触している」ことが指定されているのでない限り、第一層と第二層との間に他の層があってもよい。例えば、間に種々の有機層があるとしても、カソードはアノード「の上に配置されている」と記述され得る。
本明細書において使用される場合、「溶液プロセス可能な」は、溶液又は懸濁液形態のいずれかの液体媒質に溶解、分散若しくは輸送することができ、且つ/又は該媒質から堆積することができるという意味である。
配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に直接寄与していると考えられる場合、「光活性」と称され得る。配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に寄与していないと考えられる場合には「補助」と称され得るが、補助配位子は、光活性配位子の特性を変化させることができる。
本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の「最高被占分子軌道」(HOMO)又は「最低空分子軌道」(LUMO)エネルギー準位は、第一のエネルギー準位が真空エネルギー準位に近ければ、第二のHOMO又はLUMOエネルギー準位「よりも大きい」又は「よりも高い」。イオン化ポテンシャル(IP)は、真空準位と比べて負のエネルギーとして測定されるため、より高いHOMOエネルギー準位は、より小さい絶対値を有するIP(あまり負でないIP)に相当する。同様に、より高いLUMOエネルギー準位は、より小さい絶対値を有する電子親和力(EA)(あまり負でないEA)に相当する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、材料のLUMOエネルギー準位は、同じ材料のHOMOエネルギー準位よりも高い。「より高い」HOMO又はLUMOエネルギー準位は、「より低い」HOMO又はLUMOエネルギー準位よりもそのような図の頂部に近いように思われる。
本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の仕事関数がより高い絶対値を有するならば、第一の仕事関数は第二の仕事関数「よりも大きい」又は「よりも高い」。仕事関数は概して真空準位と比べて負数として測定されるため、これは「より高い」仕事関数が更に負であることを意味する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、「より高い」仕事関数は、真空準位から下向きの方向に遠く離れているものとして例証される。故に、HOMO及びLUMOエネルギー準位の定義は、仕事関数とは異なる慣例に準ずる。
OLEDについての更なる詳細及び上述した定義は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる特許文献10において見ることができる。
本開示の態様によれば、下記式1の構造(LMLで表される化合物が開示される。
Figure 0007390211000002
式1において、Mは、40超の原子量を有する金属であり、nは、少なくとも1の値を有し、m+nは、前記金属Mと結合することができる配位子の最大数であり;
Aは、2個~3個の連結原子を有する連結基であり、前記連結原子は、それぞれ独立して、C、Si、O、S、N、B、又はこれらの組合せからなる群から選択され;
前記連結原子は、2つの連結原子の間に少なくとも1つの単結合を形成し;R1a~R1gは、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、CN、CF、COR、C(O)R、C(O)NR、NR、NO、OR、SR、SO、SOR、SOR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、複素環基、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
Rは、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
1b~R1gが結合している環原子のいずれか1つは、窒素原子で置換されていてもよく;
前記環原子が窒素原子で置換されている場合、対応しているR基は存在せず;
Lは、置換又は無置換のシクロメタル化された配位子である。
本開示の他の態様によれば、有機発光デバイスが開示される。前記OLEDは、前記OLEDは、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機層とを含み、前記有機層は、式1の構造で表される化合物を含む。
本開示の他の態様によれば、前記式1の構造で表される化合物を含む組成物も開示される。
本開示の他の態様によれば、下記に示される式(1a)の構造で表される化合物が開示される。
Figure 0007390211000003
式(1a)において、Aは、2個~3個の連結原子を有する連結基であり、前記連結原子は、それぞれ独立して、C、Si、O、S、N、B、又はこれらの組合せからなる群から選択され;
ab、Rga、及びR1b~R1fは、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、CN、CF、COR、C(O)R、C(O)NR、NR、NO、OR、SR、SO、SOR、SOR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、複素環基、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
Rは、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
ab、Rga、及びR1b~R1fが結合している環原子のいずれか1つは、窒素原子で置換されていてもよく、前記環原子が窒素原子で置換されている場合、対応しているR基は、存在しない。
本開示の他の態様によれば、式(1a)で表される化合物は、下記に定義されるように、共に結合される構造式である式(2a)及び式(2b)で表される構造で表される化合物であることができる。
及びAは、それぞれ、2個~3個の連結原子を有する第1の連結基であり、前記連結原子は、それぞれ独立して、C、Si、O、S、N、B、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
ac、Rgb、及びR2b~R2fは、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、CN、CF、COR、C(O)R、C(O)NR、NR、NO、OR、SR、SO、SOR、SOR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、複素環基、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
前記化合物は、RabとRacとの間及び/又はRgaとRgbとの間に形成される少なくとも1つの第2の連結基を介して共に結合され、少なくとも1つの第2の連結基は、1から3の連結原子を有し、連結原子は、それぞれ独立して、B、N、P、O、S、Se、C、Si、Ge、及びこれらの組合せからなる群から選択され;R1b~R1f及びR2b~R2fが結合している環原子のいずれか1つは、窒素原子で置換されていてもよく;前記環原子が窒素原子で置換されている場合、対応しているR基は、存在しない。
本開示の他の態様によれば、前記式(1a)で表される化合物は、下記に示される式(3a)で表される構造で表される化合物であることができる。
Figure 0007390211000005
及びLは、それぞれ独立して、単結合、BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO、CR、SiR、及びGeRからなる群から選択され;
3a~R3fは、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、CN、CF、COR、C(O)R、C(O)NR、NR、NO、OR、SR、SO、SOR、SOR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、複素環基、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
及びRは、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
任意の隣接するR1f、R3a、R3c、R3d、R、及びRは、結合して環を形成してもよく;L及びR1f、L及びR3a、又はL及びR1fとR3aの両方は、結合して1つ以上の環を形成してもよく、L及びR3c、L及びR3d、又はL及びR3cとR3dの両方は、結合して1つ以上の環を形成してもよい。
本発明に従った化合物、組成物、及びデバイスの例示の実施形態の下記の詳細な記載と同様に、前述の概要は、添付された例示の実施形態の図面と合わせて読めば、より理解されるであろう。しかし、本発明は、示される正確な配置及び手段に限定されないことが理解されるであろう。
図面について:
図1は、例示的な有機発光デバイス100を示す。
図2は、本開示に従った例示的な有機発光デバイス200を示す。
図3aは、比較化合物1に対する、最小化された、結合が切断されたジオメトリー(上部)のコンピュータモデルを示す。 図3bは、比較化合物1に対する、最小化された、結合が切断されていないジオメトリー(底部)のコンピュータモデルを示す。
図4は、比較化合物4のMALDIのネガティブモードの質量スペクトルを示す。最も高い強度ピークは、イミダゾール環のフラグメントと一致する。
図5は、3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンのX線結晶構造を示す。
図6は、3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロ-1,2a1-ジアザ-3-シラベンゾ[fg]アセアントリレンのX線結晶構造を示す。
図7は、77K及び室温における、2-メチルTHF溶媒中の化合物49、及び固相のPMMAマトリックス中の化合物49の発光スペクトルを示す。
概して、OLEDは、アノード及びカソードの間に配置され、それらと電気的に接続された少なくとも1つの有機層を含む。電流が印加されると、アノードが正孔を注入し、カソードが電子を有機層(複数可)に注入する。注入された正孔及び電子は、逆帯電した電極にそれぞれ移動する。電子及び正孔が同じ分子上に局在する場合、励起エネルギー状態を有する局在電子正孔対である「励起子」が形成される。光は、励起子が緩和した際に、光電子放出機構を介して放出される。いくつかの事例において、励起子はエキシマー又はエキサイプレックス上に局在し得る。熱緩和等の無輻射機構が発生する場合もあるが、概して望ましくないとみなされている。
初期のOLEDは、例えば、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第4,769,292号において開示されている通り、その一重項状態から光を放出する発光分子(「蛍光」)を使用していた。蛍光発光は、概して、10ナノ秒未満の時間枠で発生する。
ごく最近では、三重項状態から光を放出する発光材料(「リン光」)を有するOLEDが実証されている。参照によりその全体が組み込まれる、Baldoら、「Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices」、395巻、151~154、1998;(「Baldo-I」)及びBaldoら、「Very high-efficiency green organic light emitting devices based on electrophosphorescence」、Appl.Phys.Lett.、75巻、3号、4~6(1999)(「Baldo-II」)。リン光については、参照により組み込まれる米国特許第7,279,704号5~6段において更に詳細に記述されている。
イミダゾフェナントリジンは、白金及びイリジウム金属の両方に結合するとき、460nmの発光を提供することができる有用な配位子である。リン光イミダゾフェナントリジン錯体は、略0から1(unity)までの範囲である調節可能なリン光量子収率を有する深い青色発光を提供することができる。残念なことに、青色発光錯体に基づくイリジウム及び白金のいずれも、デバイス寿命が制限されている。本明細書において、我々は、コンピュータ理論、質量スペクトルフラグメント分析、光酸化研究によって、多環環ひずみ及び電子構造によって弱い結合であることが示される配位子上の結合を対処することで、イミダゾフェナントリジン配位子の安定性を改善するための戦略を提供する。
図1は、有機発光デバイス100を示す。図は必ずしも一定の縮尺ではない。デバイス100は、基板110、アノード115、正孔注入層120、正孔輸送層125、電子ブロッキング層130、発光層135、正孔ブロッキング層140、電子輸送層145、電子注入層150、保護層155、カソード160、及びバリア層170を含み得る。カソード160は、第一の導電層162及び第二の導電層164を有する複合カソードである。デバイス100は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。これらの種々の層の特性及び機能並びに材料例は、参照により組み込まれるUS7,279,704、6~10段において更に詳細に記述されている。
これらの層のそれぞれについて、更なる例が利用可能である。例えば、フレキシブル及び透明基板-アノードの組合せは、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第5、844、363号において開示されている。p-ドープされた正孔輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2003/0230980号において開示されている通りの、50:1のモル比でm-MTDATAにF-TCNQをドープしたものである。発光材料及びホスト材料の例は、参照によりその全体が組み込まれるThompsonらの米国特許第6,303,238号において開示されている。n-ドープされた電子輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2003/0230980号において開示されている通りの、1:1のモル比でBPhenにLiをドープしたものである。参照によりその全体が組み込まれる米国特許第5,703,436号及び同第5,707,745号は、上を覆う透明の、導電性の、スパッタリング蒸着したITO層を持つMg:Ag等の金属の薄層を有する複合カソードを含むカソードの例を開示している。ブロッキング層の理論及び使用は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,097,147号及び米国特許出願公開第2003/0230980号において更に詳細に記述されている。注入層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2004/0174116号において提供されている。保護層についての記述は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2004/0174116号において見ることができる。
図2は、反転させたOLED200を示す。デバイスは、基板210、カソード215、発光層220、正孔輸送層225、及びアノード230を含む。デバイス200は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。最も一般的なOLED構成はアノードの上に配置されたカソードを有し、デバイス200はアノード230の下に配置されたカソード215を有するため、デバイス200は「反転させた」OLEDと称されることがある。デバイス100に関して記述されたものと同様の材料を、デバイス200の対応する層において使用してよい。図2は、いくつかの層が如何にしてデバイス100の構造から省略され得るかの一例を提供するものである。
図1及び2において例証されている単純な層構造は、非限定的な例として提供されるものであり、本発明の実施形態は多種多様な他の構造に関連して使用され得ることが理解される。記述されている特定の材料及び構造は、事実上例示的なものであり、他の材料及び構造を使用してよい。機能的なOLEDは、記述されている種々の層を様々な手法で組み合わせることによって実現され得るか、又は層は、設計、性能及びコスト要因に基づき、全面的に省略され得る。具体的には記述されていない他の層も含まれ得る。具体的に記述されているもの以外の材料を使用してよい。本明細書において提供されている例の多くは、単一材料を含むものとして種々の層を記述しているが、ホスト及びドーパントの混合物等の材料の組合せ、又はより一般的には混合物を使用してよいことが理解される。また、層は種々の副層を有してもよい。本明細書における種々の層に与えられている名称は、厳しく限定することを意図するものではない。例えば、デバイス200において、正孔輸送層225は正孔を輸送し、正孔を発光層220に注入し、正孔輸送層又は正孔注入層として記述され得る。一実施形態において、OLEDは、カソード及びアノードの間に配置された「有機層」を有するものとして記述され得る。有機層は単層を含んでいてよく、又は、例えば図1及び2に関して記述されている通りの異なる有機材料の多層を更に含んでいてよい。
参照によりその全体が組み込まれるFriendらの米国特許第5,247,190号において開示されているもののようなポリマー材料で構成されるOLED(PLED)等、具体的には記述されていない構造及び材料を使用してもよい。更なる例として、単一の有機層を有するOLEDが使用され得る。OLEDは、例えば、参照によりその全体が組み込まれるForrestらの米国特許第5,707,745号において記述されている通り、積み重ねられてよい。OLED構造は、図1及び2において例証されている単純な層構造から逸脱してよい。例えば、基板は、参照によりその全体が組み込まれる、Forrestらの米国特許第6,091,195号において記述されている通りのメサ構造及び/又はBulovicらの米国特許第5,834,893号において記述されている通りのくぼみ構造等、アウトカップリングを改良するための角度のついた反射面を含み得る。
別段の規定がない限り、種々の実施形態の層のいずれも、任意の適切な方法によって堆積され得る。有機層について、好ましい方法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,013,982号及び同第6,087,196号において記述されているもの等の熱蒸着、インクジェット、参照によりその全体が組み込まれるForrestらの米国特許第6,337,102号において記述されているもの等の有機気相堆積(OVPD)、並びに参照によりその全体が組み込まれる米国特許第7,431,968号において記述されているもの等の有機気相ジェットプリンティング(OVJP)による堆積を含む。他の適切な堆積法は、スピンコーティング及び他の溶液ベースのプロセスを含む。溶液ベースのプロセスは、好ましくは、窒素又は不活性雰囲気中で行われる。他の層について、好ましい方法は熱蒸着を含む。好ましいパターニング法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,294,398号及び同第6,468,819号において記述されているもの等のマスク、冷間圧接を経由する堆積、並びにインクジェット及びOVJD等の堆積法のいくつかに関連するパターニングを含む。他の方法を使用してもよい。堆積する材料は、特定の堆積法と適合するように修正され得る。例えば、分枝鎖状又は非分枝鎖状であり、且つ好ましくは少なくとも3個の炭素を含有するアルキル及びアリール基等の置換基は、溶液プロセシングを受ける能力を増強するために、小分子において使用され得る。20個以上の炭素を有する置換基を使用してよく、3~20個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造を持つ材料は、対称構造を有するものよりも良好な溶液プロセス性を有し得、これは、非対称材料のほうが再結晶する傾向が低くなり得るからである。溶液プロセシングを受ける小分子の能力を増強するために、デンドリマー置換基が使用され得る。
本発明の実施形態に従って製作されたデバイスは、バリア層を更に含んでいてよい。バリア層の1つの目的は、電極及び有機層を、水分、蒸気及び/又はガス等を含む環境における有害な種への損傷性暴露から保護することである。バリア層は、基板、電極の上、下若しくは隣に、又はエッジを含むデバイスの任意の他の部分の上に堆積し得る。バリア層は、単層又は多層を含んでいてよい。バリア層は、種々の公知の化学気相堆積技術によって形成され得、単相を有する組成物及び多相を有する組成物を含み得る。任意の適切な材料又は材料の組合せをバリア層に使用してよい。バリア層は、無機若しくは有機化合物又は両方を組み込み得る。好ましいバリア層は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第7,968,146号、PCT特許出願第PCT/US2007/023098号及び同第PCT/US2009/042829号において記述されている通りの、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物を含む。「混合物」とみなされるためには、バリア層を構成する前記のポリマー及び非ポリマー材料は、同じ反応条件下で及び/又は同時に堆積されるべきである。ポリマー材料対非ポリマー材料の重量比は、95:5から5:95の範囲内となり得る。ポリマー材料及び非ポリマー材料は、同じ前駆体材料から作成され得る。一例において、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物は、ポリマーケイ素及び無機ケイ素から本質的になる。
本発明の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、種々の電気製品又は中間部品に組み込まれることができる多種多様な電子部品モジュール(又はユニット)に組み込まれることができる。このような電気製品又は中間部品としては、エンドユーザーの製品製造者によって利用されることができるディスプレイスクリーン、照明デバイス(離散的光源デバイス又は照明パネル等)が挙げられる。このような電子部品モジュールは、駆動エレクトロニクス及び/又は電源を任意に含むことができる。本発明の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、組み込まれた1つ以上の電子部品モジュール(又はユニット)を有する多種多様な消費者製品に組み込まれることができる。このような消費者製品は、1つ以上の光源及び/又は1つ以上のある種の表示装置を含む任意の種類の製品を含む。このような消費者製品の幾つかの例としては、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、メディカルモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び/又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全又は部分透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、タブレット、ファブレット、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、マイクロディスプレイ、3-Dディスプレイ、車、大面積壁、劇場又はスタジアムのスクリーン、或いは看板を含む。パッシブマトリックス及びアクティブマトリックスを含む種々の制御機構を使用して、本発明に従って製作されたデバイスを制御することができる。デバイスの多くは、摂氏18度から摂氏30度、より好ましくは室温(摂氏20~25度)等、ヒトに快適な温度範囲内での使用が意図されているが、この温度範囲外、例えば、摂氏-40度~+80度で用いることもできる。
本明細書において記述されている材料及び構造は、OLED以外のデバイスにおける用途を有し得る。例えば、有機太陽電池及び有機光検出器等の他の光電子デバイスが、該材料及び構造を用い得る。より一般的には、有機トランジスタ等の有機デバイスが、該材料及び構造を用い得る。
本明細書において、「ハロ」、「ハロゲン」、又は「ハライド」という用語は、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素を含む。
本明細書において、「アルキル」という用語は、任意の好適な置換基で置換されていてもよい直鎖又は分岐鎖飽和非環式炭化水素基を意味する。したがって、本発明に従ったアルキル基は、第一級、第二級、第三級、及び第四級炭素原子のいずれの組合せを含んでいてもよい。例示的なアルキル基としては、炭素数1~20のアルキル、炭素数1~18のアルキル、炭素数1~16のアルキル、炭素数1~14のアルキル、炭素数1~12のアルキル、炭素数1~10のアルキル、炭素数1~8のアルキル、炭素数1~6のアルキル、炭素数1~4のアルキル、炭素数1~3のアルキル、及び炭素数2のアルキルが挙げられるが、これらに限定されない。具体的には、メチル、エチル、1-プロピル、2-プロピル、2-メチル-1-プロピル、1-ブチル、2-ブチル、t-ブチル、n-オクチル、n-デシル、及びn-ヘキサデシルが挙げられる。
本明細書において、「ヘテロアルキル」という用語は、本明細書に記載されるように、1つ以上の炭素原子がヘテロ原子によって置換されるアルキル基を意味する。好適なヘテロ原子としては、酸素、硫黄、窒素、及びリン等が挙げられる。ヘテロアルキル基の例としては、アルコキシ、アミノ、チオエステル、ポリ(エチレングリコール)、アルキル置換アミノが挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書において、「シクロアルキル」という用語は、環状アルキル基を意味する。好ましいシクロアルキル基としては、3~7個の炭素原子を含むシクロアルキル基であり、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等を含む。更に、前記シクロアルキル基は置換されていてもよい。
本明細書において、「アルケニル」という用語は、1つ以上の炭素-炭素二重結合を有する、非環式の分岐鎖又は非分岐鎖炭化水素基を意味する。例示的なアルケニル基としては、炭素数1~20のアルケニル基、炭素数1~18のアルケニル基、炭素数2~16のアルケニル基、炭素数2~14のアルケニル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~10のアルケニル基、炭素数2~8のアルケニル基、炭素数2~6のアルケニル基、炭素数2~4のアルケニル基、炭素数2~3のアルケニル基、及び炭素数2のアルケニル基が挙げられるが、これらに限定されない。具体的な例としては、エチレニル、プロピレニル、1-ブテニル、2-ブテニル,イソブチレニル、1-ペンテニル、2-ペンテニル、3-メチル-1-ブテニル、2-メチル-2-ブテニル、及び2,3-ジメチル-2-ブテニルが挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書において、「アルキレン」という用語は、置換されていてもよい、飽和直鎖又は分岐鎖炭化水素基を意味する。例示的なアルキレン基としては、炭素数1~20のアルキレン、炭素数2~18のアルキレン、炭素数2~16のアルキレン、炭素数2~14のアルキレン、炭素数2~12のアルキレン、炭素数2~10のアルキレン、炭素数2~8のアルキレン、炭素数2~6のアルキレン、炭素数2~4のアルキレン、炭素数2~3のアルキレン、及び炭素数2のアルキレンが挙げられるが、これらに限定されない。アルキレンの具体的な例としては、メチレン、ジメチレン、及びトリメチレンが挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書において、「アルキニル」という用語は、少なくとも1つの炭素-炭素三重結合を有する、非環式の分岐鎖又は非分岐炭化水素を意味する。例示的なアルキレン基としては、炭素数1~20のアルキニル基、炭素数2~18のアルキニル基、炭素数2~16のアルキニル基、炭素数2~14のアルキニル基、炭素数2~12のアルキニル基、炭素数2~10のアルキニル基、炭素数2~8のアルキニル基、炭素数2~6のアルキニル基、炭素数2~4のアルキニル基、炭素数2~3のアルキニル基、及び炭素数2のアルキニル基が挙げられるが、これらに限定されない。アルキニルの具体的な例としては、プロパギル、及び3-ペンチニル、アセチレニル、プロピニル、1-ブチニル、2-ブチニル、1-ペンチニル、2-ペンチニル、及び3-メチル-1-ブチニルが挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書において、「アラルキル」という用語は、アルキルブリッジ(例えば、-アルキル-(アリール)、jは、1、2、又は3である)を通って結合した、本明細書において定義される1つ以上のいずれのアリール基を意味する。アラルキルの具体的な例としては、ベンジル(-CH-フェニル、即ち、Bn)、ジフェニルメチル(—CH—(フェニル))、及びトリチル(-C-(フェニル))が挙げられるが、これらに限定されない。更に、前記アラルキル基は、置換されていてもよい。
特に記載がない限り、本明細書において、「複素環基」及び「ヘテロシクリル」を含む、「複素環」という用語及び前記用語のバリアントは、前記少なくとも2つの異なる元素の環員原子(ring members atoms)として有する置換されていてもよい単環又は多環環系を意味し、前記単環又は多環環系は、飽和、不飽和、又は芳香族のいずれかである。幾つかの実施形態においては、複素環は、炭素原子及び少なくとも1つのヘテロ原子を含む。幾つかの実施形態においては、複素環は、炭素原子、及び窒素、酸素、ケイ素、セレン、及び硫黄からなる群から選択される少なくとも1つのヘテロ原子を含み、前記窒素、前記酸素、前記ケイ素、前記セレン、及び前記硫黄のヘテロ原子は、酸化されていてもよく、前記窒素のヘテロ原子は、四級化されてもよい。複素環としては、フリル、ベンゾフラニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、ピロリル、インドリル、イソインドリル、アザインドリル、ピリジル、キノリニル、イソキノリニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、ピラゾリル、イミダゾリル、ベンズイミダゾリル、チアゾリル、ベンゾチアゾリル、イソチアゾリル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、トリアジニル、シノリニル、フタラジニル、及びキナゾリニルが挙げられるが、これらに限定されない。したがって、上記で挙げられた芳香族ヘテロアリールに加えて、複素環としては、モルフォリニル、ピロリジノニル、ピロリジニル、ピペリジニル、ピペリジニル、ヒダントイニル、バレロラクタミル、オキシラニル、オキセタニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロピリジニル、テトラヒドロピリミジニル、テトラヒドロチオフェニル、テトラヒドロチオピラニル、テトラヒドロピリミジニル、テトラヒドロチオフェニル、及びテトラヒドロチオピラニルが挙げられる(ただし、これらに限定されない)。
本明細書において、「アリール」という用語は、置換されていてもよい単環又は多環芳香族炭化水素を意味する。アリールの具体的な例としては、フェニル、フェニル、4-メチルフェニル、2,6-ジメチルフェニル、ナフチル、アントラニル、及びフェナントレニルが挙げられるが、これらに限定されない。本明細書において、「アリール」又は「芳香族基」は、単環及び多環系を意味する。多環とは、2つの隣接する環(前記環は、「縮合」している)により2つの炭素が共有されている2つ以上の環を有することができ、前記環の少なくとも1つは、芳香族であり、例えば、他の環は、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヘテロ環、及び/又はヘテロアリールである。更に、前記アリール基は、置換されていてもよい。
本明細書において、「ヘテロアリール」という用語は、少なくとも1つのヘテロ原子及び少なくとも1つの炭素原子を有する、置換されていてもよい単環又は多環芳香族炭化水素を意味する。幾つかの実施形態においては、前記少なくとも1つのヘテロ原子は、窒素、酸素、ケイ素、セレン、及び硫黄から選択される。ヘテロアリールの具体的な例としては、フリル、ベンゾフラニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、ピロリル、インドリル、イソインドリル、アザインドリル、ピリジル、キノリニル、イソキノリニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、ピラゾリル、イミダゾリル、ベンズイミダゾリル、チアゾリル、ベンゾチアゾリル、イソチアゾリル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、トリアジニル、シノリニル、フタラジニル、及びキナゾリニルが挙げられるが、これらに限定されない。
前記アルキル、前記シクロアルキル、前記アルケニル、前記アルキニル、前記アラルキル、前記ヘテロ環、前記アリール、及び前記ヘテロアリールは、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、環状アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組合せから選択される1つ以上の置換基で置換されていてもよい。
本明細書において、「置換(された)」は、H以外の置換基が炭素等の関連している位置に結合していることを示す。したがって、例えば、Rが一置換である場合、RはH以外でなくてはならない。同様に、Rが二置換である場合、Rのうちの2つは、H以外でなくてはならない。同様に、Rが無置換である場合、Rは全ての置換位置において水素である。
本明細書において記述されるフラグメント、例えば、アザ-ジベンゾフラン、アザ-ジベンゾチオフェン等の中の「アザ」という名称は、各フラグメント中のC-H基の1つ以上が窒素原子に置き換わることができることを意味し、例えば、何ら限定するものではないが、アザトリフェニレンは、ジベンゾ[f,h]キノキサリンとジベンゾ[f,h]キノリンのいずれをも包含する。当業者であれば、上述のアザ誘導体の他の窒素アナログを容易に想像することができ、このようなアナログ全てが本明細書に記載の前記用語によって包含されることが意図される。
分子フラグメントが置換基として記述される、又は他の部分に結合されているものとして記述される場合、その名称は、フラグメント(例えば、フェニル、フェニレン、ナフチル、ジベンゾフリル)又は分子全体(ベンゼン、ナフタレン、ジベンゾフラン)であるように記載されることがあることを理解されたい。本明細書においては、置換基又は結合フラグメントの表示の仕方が異なっていても、これらは、等価であると考える。
本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の「最高被占分子軌道」(HOMO)又は「最低空分子軌道」(LUMO)エネルギー準位は、第一のエネルギー準位が真空エネルギー準位に近ければ、第二のHOMO又はLUMOエネルギー準位「よりも大きい」又は「よりも高い」。イオン化ポテンシャル(IP)は、真空準位と比べて負のエネルギーとして測定されるため、より高いHOMOエネルギー準位は、より小さい絶対値を有するIP(あまり負でないIP)に相当する。同様に、より高いLUMOエネルギー準位は、より小さい絶対値を有する電子親和力(EA)(あまり負でないEA)に相当する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、材料のLUMOエネルギー準位は、同じ材料のHOMOエネルギー準位よりも高い。「より高い」HOMO又はLUMOエネルギー準位は、「より低い」HOMO又はLUMOエネルギー準位よりもそのような図の頂部に近いように思われる。
本明細書において、「三重項エネルギー」という用語は、所定の材料のリン光スペクトルにおいて識別可能な最も高いエネルギーの形態に対応するエネルギーを意味する。前記最も高いエネルギーの形態は、必ずしもリン光スペクトルにおいて最も良好な強度を有するピークではなく、例えば、このようなピークの最高エネルギー側ではっきりとしたショルダーの極大値であろう。
本開示の態様によれば、下記に示される式1の構造(LMLで表される化合物が開示される。
Figure 0007390211000006
式1において、Mは、40超の原子量を有する金属であり、nは、少なくとも1である値を有し、m+nは、前記金属と結合することができる配位子の最大数であり;
Aは、2~3個の連結原子を有する連結基であり、前記連結基は、それぞれ独立して、C、Si、O、S、N、B、又はそれらの組合せからなる群から選択され;
前記連結原子は、2つの連結原子間に少なくとも1つの単結合を形成し;
1a~R1gは、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、CN、CF、COR、C(O)R、C(O)NR、NR、NO、OR、SR、SO、SOR、SOR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、複素環基、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
Rは、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
1b~R1gが結合している環原子のいずれか1つは、窒素原子で置換されていてもよく、前記環原子が窒素原子で置換されている場合、対応しているR基は存在せず;
Lは、置換又は無置換のシクロメタル化された配位子である。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、R1b~R1gが結合している環原子の1つは、窒素原子である。幾つかの実施形態においては、R1eが結合している環原子は、窒素原子である。
1つの実施形態においては、前記化合物は、三重項励起状態を有し、前記化合物が三重項励起状態にあるとき、前記連結基Aは、NとC1bとの間の結合を開裂から安定化させる。
1つの実施形態においては、前記化合物は、500nm未満のピーク発光波長を有する。他の実施形態においては、前記化合物は、480nm未満のピーク発光波長を有する。更に他の実施形態においては、前記化合物は、400nm~500nmのピーク発光波長を有する。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記連結基Aは、飽和基である。
式1で表される化合物の1つの実施形態においては、前記連結基Aは、独立して、-CR-CR-、-CR-CR-CR-、-CR-NR-、-CR=CR-CR-、-O-SiR-、-CR-S-、-CR-O-、及び-C-SiR-からなる群から選択され、置換基R~Rは、同じでも異なっていてもよく、独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;任意の隣接するR~Rは、結合して、飽和5員環又は飽和6員環を形成してもよい。任意の隣接する置換基は、環を形成することができる任意の2つの置換基を意味する。2つの隣接する置換基は、同じ原子上、又は異なる原子上であることができる。前記連結基Aは、下記からなる群から選択されることができる。
幾つかの実施形態においては、前記連結基Aは、独立して、-CR-CR-、-CR-CR-CR-、-CR-NR-、-CR=CR-CR-、-O-SiR-、-CR-S-、-CR-O-、及び-C-SiR-からなる群から選択され、置換基R~Rは、同じでも異なっていてもよく、独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され、少なくとも1つの隣接するR~Rは、結合して、飽和5員環又は飽和6員環を形成する。幾つかの実施形態においては、少なくとも2つの隣接するR~Rは、もし存在すれば、結合して、飽和5員環又は飽和6員環を形成する。幾つかの実施形態においては、R~Rは、それぞれ独立して、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択され;任意の隣接するR~Rは、結合して、飽和5員環又は飽和6員環を形成してもよい。
幾つかの実施形態においては、前記連結基Aは、独立して、-CR-CR-、-CR-CR-CR-、-CR-NR-、-CR=CR-CR-、-O-SiR-、-CR-S-、-CR-O-、及び-C-SiR-からなる群から選択され、前記置換基R~Rは、同じでも異なっていてもよく、独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;R~Rは、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、1-メチルエチル、ブチル、1-メチルプロピル、2-メチルプロピル、ペンチル、1-メチルブチル、2-メチルブチル、3-メチルブチル、1,1-ジメチルプロピル、1,2-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、2,6-ジメチルフェニル、2,4,6-トリメチルフェニル、2,6-ジイソプロピルフェニル、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、R~Rは、それぞれ独立して、アルキル、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択され;任意の隣接するR~Rは、結合して、飽和5員環又は飽和6員環を形成してもよい。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、R1a~R1gの少なくとも1つは、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択される。他の実施形態においては、R1b、R1d、及びR1eの少なくとも1つは、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択される。他の実施形態においては、R1dは、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択される。他の実施形態においては、R1aは、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、部分的に又は完全に重水素化されたこれらのバリアント、及びこれらの組合せからなる群から選択される。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記金属Mは、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、及びAuからなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、前記金属Mは、Ir及びPtからなる群から選択される。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記配位子Lは、下記からなる群から選択される。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記配位子Lは、下記からなる群から選択される。
式中、X~X13は、それぞれ独立して、炭素及び窒素からなる群から選択され;
Xは、BR’、NR’、PR’、O、S、Se、C=O、S=O、SO、CR’R’’、SiR’R’’、及びGeR’R’’からなる群から選択され;
R’及びR’’は、縮合又は結合して、環を形成してもよく;
、R、R、及びRは、それぞれ、モノ置換から可能な最大数の置換を表す、又は無置換を表し;
R’、R’’、R、R、R、及びRは、それぞれ独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
、R、R、及びRの任意の2つの隣接する置換基は、縮合又は結合し、環を形成する、又は多座配位子を形成してもよい。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記配位子Lは、下記からなる群から選択される。
Figure 0007390211000029
式中、R及びRは、上記で定義される。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記配位子Lは、下記からなる群から選択される。
Figure 0007390211000030
式中、R及びRは、上記で定義される。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記配位子Lは、下記からなる群から選択される。
式中、R、R、及びRは、上記で定義される。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記配位子Lは、下記からなる群から選択される。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、(LIrであり、Lは、上記で定義される。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、(L)Ir(L)又は(LIr(L)であり、L及びLは、上記で定義される。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、Lは、上記で定義され、前記化合物は、式Ir(LAiで表される化合物Axであり;x=iであり、iは、1から2,758までの整数である。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、Lは、上記で定義され、前記化合物は、式Ir(LAi)(Lで表される化合物By、又は式Ir(LAi(L)で表される化合物Czであり;
y=39i+j-39であり、iは、1から2,758までの整数であり、jは、1から39までの整数であり;
z=39i+j-39であり、iは、1から2,758までの整数であり、jは、1から39までの整数であり;
~L39は、下記の構造で表される。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、下記からなる群から選択される。
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、式2の構造で表される。
Figure 0007390211000050
式中、MはPtであり;
及びAは、それぞれ独立して、2個~3個の連結原子を有する第1の連結基であり、前記連結原子は、それぞれ独立して、C、Si、O、S、N、B、又はこれらの組合せからなる群から選択され;
1b~R1f及びR2b~R2fは、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、CN、CF、COR、C(O)R、C(O)NR、NR、NO、OR、SR、SO、SOR、SOR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、複素環基、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
Rは、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
1b~R1f及びR2b~R2fが結合する環原子のいずれか1つは、窒素原子で置換されていてもよく、前記環原子が窒素原子で置換されている場合、対応しているR基は存在せず;
ab及びRac及び/又はRga及びRgbは、結合して、それぞれ独立して、B、N、P、O、S、Se、C、Si、Ge、又はこれらの組合せからなる群から選択される1個~3個の連結原子を有する第2の連結基を形成してもよい。
式2で表される化合物の幾つかの実施形態においては、第1の連結基A及びAは、それぞれ独立して、-CR-CR-、-CR-CR-CR-、-CR-NR-、-CR=CR-CR-、-O-SiR-、-CR-S-、-CR-O-、及び-C-SiR-からなる群から選択され、各R~Rは、同じでも異なっていてもよく、独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;任意の隣接するR~Rは、結合して、飽和5員環又は飽和6員環を形成してもよい。
式2で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、三重項励起状態を有し、前記化合物が三重項励起状態にあるとき、前記連結基は、NとC1bとの間の結合を開裂から安定化させる。
式2で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、500nm未満のピーク発光波長を有する。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、480nm未満のピーク発光波長を有する。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、400nm~500nmのピーク発光波長を有する。
式2で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記第1の連結基A及びAは、それぞれ独立して、下記からなるリンカー基から選択される。
式2で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記第2の連結基は、独立して、BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO、CR、-CR-CR-、-CR-CR-CR-、-CR-NR-、-CR=CR-CR-、-O-SiR-、-CR-S-、-CR-O-、-C-SiR-、SiR、及びGeRからなる群から選択され、各R~Rは、同じでも異なっていてもよく、独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルケニル、アルキニル、ヘテロアルキル、アラルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;任意の隣接するR~Rは、結合して、飽和5員環又は飽和6員環を形成してもよい。
式2で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、下記からなる群から選択される。
Figure 0007390211000053
式1で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、式3で表される。
Figure 0007390211000054
式中、MはPtであり;
及びLは、それぞれ独立して、単結合、BR、NR、PR、O、S、Se、C-O、S-O、SO、CR、SiR、及びGeRからなる群から選択され;
3a~R3fは、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、CN、CF、COR、C(O)R、C(O)NR、NR、NO、OR、SR、SO、SOR、SOR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、複素環基、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
Rは、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
任意の2つの隣接するR1f、R3a、R3c、R3d、R、及びRは、結合して環を形成してもよく;L及びR1f、L及びR3a、又はL及びR1fとR3aの両方は、結合して、1つ以上の環を形成してもよく;
及びR3c、L及びR3d、又はL及びR3cとR3dの両方は、結合して、1つ以上の環を形成してもよい。
式3で表される化合物の幾つかの実施形態においては、L及びLは、それぞれ独立して、BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO、CR、SiR、及びGeRからなる群から選択される。式3で表される化合物の幾つかの実施形態においては、R1f又はR3a、及びR又はRは、結合して環を形成する。式3で表される化合物の幾つかの実施形態においては、R3c又はR3d、及びR又はRは、結合して、環を形成する。
式3で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、下記からなる群から選択される。
本開示の他の態様によれば、有機発光デバイス(OLED)が開示される。前記OLEDは、アノードと;カソードと;前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機層とを含み、前記有機層は、式1の構造(LMLで表される化合物を含む。
Figure 0007390211000056
式中、Mは、40超の原子量を有する金属であり、nは、少なくとも1である値を有し、m+nは、前記金属と結合することができる配位子の最大数であり;
Aは、2~3個の連結原子を有する連結基であり、前記連結基は、それぞれ独立して、C、Si、O、S、N、B、又はそれらの組合せからなる群から選択され;
前記連結原子は、2つの連結原子間に少なくとも1つの単結合を形成し;
1a~R1gは、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、CN、CF、COR、C(O)R、C(O)NR、NR、NO、OR、SR、SO、SOR、SOR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、複素環基、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
Rは、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
1b~R1gが結合している環原子のいずれか1つは、窒素原子で置換されていてもよく、前記環原子が窒素原子で置換されている場合、対応しているR基は存在せず;
Lは、置換又は無置換のシクロメタル化された配位子である。
前記OLEDの幾つかの実施形態においては、前記OLEDは、消費者製品、電子部品モジュール、及び照明パネルからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる。
前記OLEDの幾つかの実施形態においては、前記有機層は、発光層であり、前記化合物は、発光ドーパント又は非発光ドーパントである。
前記OLEDの幾つかの実施形態においては、前記有機層は、ホストを更に含み、前記ホストは、ベンゾ縮合チオフェン又はベンゾ縮合フランを含むトリフェニレンを含み;
前記ホスト中のいずれの置換基は、独立して、C2n+1、OC2n+1、OAr、N(C2n+1、N(Ar)(Ar)、CH=CH-C2n+1、C≡CC2n+1、Ar、Ar-Ar、C2n-Arからなる群から選択される非縮合置換基である、又は無置換であり;
nは、1から10までの範囲であり;
Ar及びArは、独立して、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びこれらの複素芳香族類似体からなる群から選択される。
前記OLEDの幾つかの実施形態においては、前記有機層は、ホストを更に含み、前記ホストは、トリフェニレン、カルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、アザトリフェニレン、アザカルバゾール、アザ-ジベンゾチオフェン、アザ-ジベンゾフラン、及びアザ-ジベンゾセレノフェンからなる群から選択される少なくとも1つの化学基を含む。
前記OLEDの幾つかの実施形態においては、前記有機層は、ホストを更に含み、前記ホストは、下記からなる群から選択される。
前記OLEDの幾つかの実施形態においては、前記有機層は、ホストを更に含み、前記ホストは、金属錯体を含む。
本開示の他の態様によれば、式1で表される化合物を含む組成物も開示される。前記組成物は、本明細書に開示される溶媒、ホスト、正孔注入材料、正孔輸送材料、及び電子輸送層材料からなる群から選択される1つ以上の成分を含むことができる。
本開示の他の態様によれば、下記に示される式(1a)で表される化合物が開示される。
Figure 0007390211000059
式(1a)において、Aは、2個~3個の連結原子を有する連結基であり、前記連結原子は、それぞれ独立して、C、Si、O、S、N、B、又はこれらの組合せからなる群から選択され;
ab、Rga、及びR1b~R1fは、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、CN、CF、COR、C(O)R、C(O)NR、NR、NO、OR、SR、SO、SOR、SOR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、複素環基、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
Rは、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
ab、Rga、R1b~R1fが結合する環原子はいずれも、窒素原子で置換されていてもよく、前記環原子が窒素原子で置換されている場合、対応しているR基は、存在しない。
式1aで表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記連結基Aは、独立して、-CR-CR-、-CR-CR-CR-、-CR-NR-、-CR=CR-CR-、-O-SiR-、-CR-S-、-CR-O-、及び-C-SiR-からなる群から選択され、各R~Rは、同じでも異なっていてもよく、独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され、任意の隣接するR~Rは、結合して、飽和5員環又は飽和6員環を形成してもよい。
式(1a)で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、三重項励起状態を有し、前記化合物が三重項励起状態にあるとき、前記連結基は、NとC1bとの間の結合を開裂から安定化させる。
式(1a)で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記連結基Aは、上記で定義されるリンカー基から選択される。
式(1a)で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、下記からなる群から選択される。
式(1a)で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、下記で示される、共に結合された式(2a)及び式(2b)の構造で表される。
Figure 0007390211000082
式中、A及びAは、それぞれ、2個~3個の連結原子を有する第1の連結基であり、前記連結原子は、それぞれ独立して、C、Si、O、S、N、B、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
ac、Rgb、及びR2b~R2fは、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、CN、CF、COR、C(O)R、C(O)NR、NR、NO、OR、SR、SO、SOR、SOR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、複素環基、及びこれらの組合せからなる群から選択され、
前記化合物は、RabとRacとの間、及び/又はRgaとRgbとの間に形成される少なくとも1つの第2の連結基を介して共に結合され、前記少なくとも1つの第2の連結基は、1個~3個の連結原子を有し、前記連結原子は、それぞれ独立して、B、N、P、O、S、Se、C、Si、Ge、及びこれらの組合せからなる群から選択され、R1b~R1f及びR2b~R2fが結合している環原子のいずれか1つは、窒素原子で置換されていてもよく、前記環原子が窒素原子で置換されている場合、対応しているR基は、存在しない。
上記で定義される、共に結合された式(2a)及び式(2b)の構造で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記少なくとも1つの第2の連結基は、RabとRacとの間に形成される。
上記で定義される、共に結合された式(2a)及び式(2b)の構造で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記少なくとも1つの第2の連結基は、RgaとRgbとの間に形成される。
上記で定義される、共に結合された式(2a)及び式(2b)の構造で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記少なくとも1つの第2の連結基は、RgaとRgbとの間、及びRabとRacとの間に形成される。
上記で定義される、共に結合された式(2a)及び式(2b)の構造で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記第1の連結基A及びAは、それぞれ独立して、-CR-CR-、-CR-CR-CR-、-CR-NR-、-CR=CR-CR-、-O-SiR-、-CR-S-、-CR-O-、及び-C-SiR-からなる群から選択され、各置換基R~Rは、同じでも異なっていてもよく、独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;任意の隣接するR~Rは、結合して、飽和5員環又は飽和6員環を形成してもよい。
上記で定義される、共に結合された式(2a)及び式(2b)の構造で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記第1の連結基A及びAは、それぞれ独立して、上記で定義されるリンカー基から選択される。
上記で定義される、共に結合された式2a及び式2bの構造で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記第2の連結基は、それぞれ独立して、BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO、CR、-CR-CR-、-CR-CR-CR-、-CR-NR-、-CR=CR-CR-、-O-SiR-、-CR-S-、-CR-O-、-C-SiR-、SiR、及びGeRからなる群から選択され、各R~Rは、同じでも異なっていてもよく、独立して、水素、重水素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;任意の隣接するR~Rは、結合して、飽和5員環又は飽和6員環を形成してもよい。
上記で定義される、共に結合された式(2a)及び式(2b)の構造で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、下記からなる群から選択される。
Figure 0007390211000083
上記で定義される、共に結合された式(2a)及び式(2b)の構造で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、式(3a)で表される。
Figure 0007390211000084
及びLは、それぞれ独立して、単結合、BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO、CR、SiR、及びGeRからなる群から選択され;
3a~R3fは、それぞれ独立して、水素、重水素、アルキル、、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、CN、CF、COR、C(O)R、C(O)NR、NR、NO、OR、SR、SO、SOR、SOR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、複素環基、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
Rは、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
任意の2つの隣接するR1f、R3a、R3c、R3d、R、及びRは、結合して環を形成してもよく;L及びR1f、L及びR3a、又はL及びR1fとR3aは、結合して1つ以上の環を形成してもよく;
及びR3c、L及びR3d、又はL及びR3cとR3dの両方は、結合して、1つ以上の環を形成してもよい。
式(3a)で表される化合物の幾つかの実施形態においては、L及びLは、独立して、BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO、CR、SiR、及びGeRからなる群から選択される。
式(3a)で表される化合物の幾つかの実施形態においては、R1f又はR3a、及びR又はRは、結合して環を形成してもよい。
式(3a)で表される化合物の幾つかの実施形態においては、R3c又はR3d、及びR又はRは、結合して環を形成する。
式(3a)で表される化合物の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、下記からなる群から選択される。
本発明の様々な実施形態によれば、金属錯体は、数多くの望ましい特徴を示す。幾つかの実施形態においては、式1、式2、又は式3の構造で表される金属錯体は、高い量子効率、狭いスペクトル幅、及び/又は可視域又は近赤外域等、波長の望ましい幅において位置するピーク発光波長を有するフォトルミネセンスを示すことができる。また、これらのフォトルミネセンスの特徴は、励起波長の広い幅にわたり、比較的不変であることができる。幾つかの実施形態においては、式1、式2、又は式3で表される金属錯体は、バンドギャップエネルギー及び電気伝導率に関する等、他の望ましい特徴を有することができる。また、式1、式2、又は式3で表される金属錯体は、市販の出発物質から安価に且つ容易に合成できるところも有利な点である。幾つかの実施形態においては、式1、式2、又は式3で表される金属錯体は、比較的低い量子効率を有するフォトルミネセンスを示すことがあるが、それでも一定の応用には十分であることができる。
幾つかの実施形態においては、式1、式2、又は式3の構造で表される金属錯体は、500nm未満のピーク発光波長を有する。幾つかの実施形態においては、式1、式2、又は式3の構造で表される金属錯体は、480nm未満のピーク発光波長を有する。幾つかの実施形態においては、式1、式2、又は式3の構造で表される金属錯体は、400nm~500nm(含む)のピーク発光波長を有する。
幾つかの実施形態においては、式1、式2、又は式3の構造で表される金属錯体は、三重項励起状態、及び前記化合物が三重項励起状態にあるとき、下記に示されるNとC1bとの間の結合を開裂から安定化させる前記連結基Aを有する。
Figure 0007390211000086
したがって、幾つかの実施形態においては、式1、式2、又は式3の構造で表される金属錯体は、リン光発光物質である。幾つかの実施形態においては、式1、式2、又は式3の構造で表される金属錯体は、蛍光発光物質である。幾つかの実施形態においては、式1、式2、又は式3の構造で表される金属錯体は、蛍光発光物質及びリン光発光物質の両方である。
式1、式2、又は式3の構造で表される金属錯体は、例えば、電流によって励起されると、光を発光する材料の性質を利用するOLEDの使用に好適である。したがって、幾つかの態様においては、本発明は、式1、式2、又は式3の構造で表される少なくとも1つの金属錯体を含む有機発光材料を提供する。幾つかの実施形態においては、本発明は、式1、式2、又は式3の構造で表される化合物から少なくとも2つの金属錯体を含む有機発光材料を提供する。
本発明の様々な実施形態によれば、有機発光材料は、数多くの望ましい特徴を示す。幾つかの実施形態においては、前記有機発光材料は、高い量子効率、狭いスペクトル幅、及び可視域又は近赤外域等、波長の望ましい幅において位置するピーク発光波長を有するフォトルミネセンスを示すことができる。また、これらのフォトルミネセンスの特徴は、励起波長の広い幅にわたり、比較的不変であることができる。前記有機発光材料は、バンドギャップエネルギー及び電気伝導率に関する等、他の望ましい特徴を有することができる。また、消費者製品及び照明パネル等を含む様々な応用において使用するために、前記有機発光材料は、安価で容易に形成することができる所が有利な点である。。
幾つかの実施形態においては、本発明の発光材料中のフォトルミネセンス物質の量(例えば、式1、式2、又は式3の構造で表される1つ以上の金属錯体等)は、前記発光材料を含む発光層の全質量に対して、0.1質量%~50質量%(含む)である。幾つかの実施形態においては、本発明の発光材料中のフォトルミネセンス物質の量は、前記発光材料を含む発光層の全質量に対して、0.3質量%~40質量%(含む)である。幾つかの実施形態においては、本発明の発光材料中のフォトルミネセンス物質の量は、前記発光材料を含む発光層の全質量に対して、0.5質量%~30質量%(含む)である。幾つかの実施形態においては、本発明の発光材料中のフォトルミネセンス物質は、ポリマー鎖に結合する、又はデンドリマー材料に組み込まれる。
IV.デバイス
幾つかの態様においては、本発明は、式1、式2、又は式3の構造で表される少なくとも1つの金属錯体を含む有機エレクトロルミネセンスデバイスを提供する。幾つかの実施形態においては、本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスは、第1の有機発光デバイスを含み、前記第1の有機発光デバイスは、アノードと;カソードと;前記アノードと前記カソードとの間に配置され、式1、式2、又は式3の構造で表される少なくとも1つの金属錯体を含む有機層と、を更に含む。前記有機エレクトロルミネセンスデバイスの幾つかの好ましい実施形態においては、前記有機層は、ホスト材料を更に含む。前記有機エレクトロルミネセンスデバイスの幾つかの好ましい実施形態においては、前記ホスト材料は、有機化合物を含む。前記有機エレクトロルミネセンスデバイスの幾つかの好ましい実施形態においては、前記ホスト材料は、カルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、アザカルバゾール、アザ-ジベンゾチオフェン、及びアザ-ジベンゾフランからなる群から選択される少なくとも1つの基を含む分子を有する有機化合物を含む。
一般的には、本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイス中の使用に好適な有機層は、例えば、前記有機エレクトロルミネセンスデバイスの適用及び目的に応じて、好適な層の構成のいずれも有することができる。したがって、前記有機エレクトロルミネセンスデバイスの幾つかの実施形態においては、前記有機層は、透明電極又は半導体電極上に形成される。幾つかのこのような実施形態においては、前記有機層は、前記透明電極又は前記半導体電極の頂部表面或いは好適な表面のいずれかに形成される。また、前記有機エレクトロルミネセンスデバイスの適用及び目的に応じて、前記有機層の好適な形状、大きさ、及び/又は厚みを採用することができる。基板、カソード、アノード、及び有機層を有する本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスの構成の具体的な例としては、下記が挙げられるが、これらに限定されない。
(A)アノード/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/カソード;
(B)アノード/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/カソード;
(C)アノード/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/カソード;
(D)アノード/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/カソード;
(E)アノード/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/カソード;
(F)アノード/正孔注入層/電子ブロッキング層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/カソード
基板、カソード、及びアノードを含む有機エレクトロルミネセンスデバイスの追加のデバイス構成は、特許公報第2008-270736号に記載される。
<基板>
本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスに利用できる好適な基板は、ディスプレイの適用に用いたときに有機層から照射される光を散乱させない、又は減少させない基板であることが好ましい。照明又はある程度のディスプレイの応用に用いられる場合、光を散乱させる基板が受け入れられる。幾つかの実施形態においては、前記基板は、優れた耐熱性、寸度安定性、耐溶剤性、絶縁性、及び/又は加工性を示す有機材料からなることが好ましい。
本発明の使用に好適な基板は、有機化合物層から発する光を散乱させない又は減少させない基板が好ましい。前記基板の材料の具体的な例としては、ジルコニア安定化イットリア(YSZ)及びガラス等の無機材料;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、及びポリエチレンナフタレート等のポリエステル;及びポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリーレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、及びポリクロロトリフルオロエチレン等の有機材料が挙げられるが、これらに限定されない。
幾つかの実施形態においては、前記基板として、ガラスが用いられる場合、無アルカリガラスが使われることが好ましい。好適な無アルカリガラスの具体的な例としては、2013年9月12日に出版された、川口貴弘による米国特許出願公開第2013/0237401号において確認される。幾つかの実施形態においては、前記基板として、ソーダ石灰ガラスが用いられる場合、シリカなどのバリアコートが施されているガラスを用いることが好ましい。幾つかの実施形態においては、前記基板として、有機材料が用いられる場合、耐熱性、寸度安定性、耐溶剤性、絶縁性、及び加工性に優れた特性の1つ以上を有する材料を用いることが好ましい。
一般的には、基板の形状、構造、大きさ等に関して特に限定はないが、これらの性質のいずれも発光素子の適用、目的などに応じて、好適に選択されることができる。一般的には、基板の形状としては、プレート状の基板が好ましい。基板の構造としては、単層構造又は積層構造であることができる。更に、基板は、1つの部材又は2つ以上の部材から形成されることができる。
前記基板は、透明及び無色、又は透明及び有色であることができるが、前記基板は有機発光層から発する光を散乱及び減少させない基板という観点から、透明及び無色であることが好ましい。幾つかの実施形態においては、水蒸気透過防止層(ガスバリア層)を前記基板の上部表面又は底部表面に設けることができる。前記水蒸気透過防止層(ガスバリア層)の材料としては、窒化ケイ素及び酸化ケイ素等の無機物質が挙げられるが、これらに限定されない。前記水蒸気透過防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタリング法等に従って作製されることができる。
熱可塑性基板に適用する場合、必要に応じて、ハードコート層又はアンダーコート層を更に設けることができる。
<アノード>
アノードはいずれも、正孔を有機層に供給する電極として機能するのであれば、本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスに用いられることができる。本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスの幾つかの実施形態においては、例えば、前記有機エレクトロルミネセンスデバイスの適用及び目的に応じて、公知の電極材料の好適な形状、構造、及び/又は大きさを用いることができる。幾つかの実施形態においては、透明なアノードが好ましい。
前記アノードは、一般的には、正孔を有機化合物層に供給する電極として機能するのであれば、いずれの材料であることができ、形状、構造、大きさ等に関しては限定はない。しかし、発光素子の適用及び目的に従って、公知の電極材料から好適に選択されることができる。幾つかの実施形態においては、前記アノードは、透明アノードとして提供される。
前記アノード材料としては、例えば、金属、合金、酸化金属、導電性化合物、及びこれらの混合物等が挙げられる。4.0eV以上の仕事関数を有する材料が好ましい。前記アノード材料の具体的な例としては、アンチモン、フッ素等でドープした酸化スズ(ATO及びFTO)、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)、及び酸化インジウム亜鉛(IZO)等の導電性金属酸化物;金属、銀、クロム、アルミニウム、銅、及びニッケル等の金属;これらの金属及び前記導電性金属酸化物との混合物又は積層物;ヨウ化銅及び硫化銅等の無機導電性材料;ポリアニリン、ポリチオフェン、及びポリピロール等の有機導電性材料;及びこれらの無機又は有機導電性材料とITOとの積層物等が挙げられる。これらの中でも、生産性、高導電性、透明性等の観点から、前記導電性金属酸化物が好ましく、特にITOが好ましい。
アノードを構成する材料に対する適合性を考慮して、プリンティング法、コーティング法等のウェット法;真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方法;CVD(化学蒸着)及びプラズマCVD法等の化学法から適切に選択される方法に従って、アノードは、基板上に形成されることができる。例えば、アノードの材料として、ITOが選択される場合、DC又は高周波スパッタリング法、真空蒸着法又はイオンプレーティング法等に従って、アノードを形成することができる。
本発明の有機エレクトロルミネセンス素子においては、アノードが形成される位置は、特に限定されないが、発光素子の適用及び目的に応じて好適に選択されることができる。アノードは、基板のいずれかにおいて、表面全体又は表面の一部に、形成されることができる。
アノードを形成するためのパターニングをするために、フォトリソグラフィー等の化学エッチング法、レーザーによるエッチング等の物理的エッチング法、重ねあわせマスク(superposing masks)を通した真空蒸着又はスパッタリング等の方法、リフトオフ法、又はプリンティング法等が適用されることができる。
アノードの厚みは、アノードを構成する材料に応じて好適に選択されることができるため、明確に決められないが、一般的には、10nm~50μmの範囲であり、50nm~20μmの範囲が好ましい。アノード層の厚みは、用いられる材料に応じて適切に制御されることができる。アノードの抵抗は、10Ω/square以下が好ましく、10Ω/square以下がより好ましく、30Ω/square以下がより好ましい。アノードが透明である場合、透明且つ無色、又は透明かつ有色のいずれかであることができる。透明アノード側から発光を取り出すには、アノードの光透過率は60%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましい。透明アノードの詳細な記載は、1999年CMC社から出版された、沢田豊著の「透明電極膜の新展開(透明電極膜の新開発)」において確認することができる。
本発明において、耐熱性が低いプラスチック基板が用いられる場合、ITO又はIZOを用いて、150℃以下の低い温度で膜を形成することで作製される透明アノードを得ることが好ましい。
<カソード>
カソードはいずれも、有機層に電子を供給する電極として機能するのであれば、本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスに用いられることができる。本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスの幾つかの実施形態においては、公知の電極材料の好適な形状、構造、及び/又は大きさのいずれも、例えば、有機エレクトロルミネセンスデバイスの適応及び目的等に応じて、用いられることができる。幾つかの実施形態においては、透明カソードが好ましい。
カソードは、一般には、電子を有機化合物層に注入するための電極としての機能を有するのであれば、いずれの材料であることができ、形状、構造、大きさ等に関しては特に限定はない。しかし、発光素子の適用及び目的に応じて、公知の電極材料から好適に選択されることができる。
カソードを構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等が挙げられる。4.0eV以上の仕事関数を有する材料が好ましい。具体的な例としては、アルカリ金属(例えば、Li、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(例えば、Mg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム-カリウム合金、リチウム-アルミニウム合金、マグネシウム-銀合金、インジウム及びイッテルビウム等の希土類金属等が挙げられる。これらは単独で用いることができるが、安定性及び電子注入性の両方を満たす観点から、これらを2つ以上組み合わせて用いることが好ましい。
幾つかの実施形態においては、カソードを構成する材料として、電子注入性の観点で、アルカリ金属又はアルカリ土類金属が好ましく、優れた保存安定性の観点から、アルミニウムを主成分として含む材料が好ましい。
「アルミニウムを主成分として含む材料」という用語は、アルミニウムのみによって構成される材料;アルミニウム及び0.01重量%~10重量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む合金;又はこれらの混合物(例えば、リチウム-アルミニウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金等)を意味する。カソードの例示材料は、特開平第2-15595号公報及び特開平第5-121172号公報に詳細に記載される。
カソードを形成する方法としては、特に限定はないが、公知の方法に従って形成されることができる。例えば、カソードは、カソードを構成する材料に対する適合性を考慮して、プリンティング法、コーティング法等のウェット法;真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方法;CVD及びプラズマCVD法等の化学法から適切に選択される方法に従って形成されることができる。例えば、金属(金属類)が、カソードの材料として選択される場合、スパッタリング法等に従って、同時又は順次に1つ又は2つ以上の金属を塗布することができる。
カソードを形成するためのパターニングをするために、フォトリソグラフィー等の化学エッチング法、レーザーによるエッチング等の物理的エッチング法、重ねあわせマスクを通した真空蒸着又はスパッタリング等の方法、リフトオフ法、又はプリンティング法等が適用されることができる。
本発明においては、カソードが形成される位置は、特に限定されないが、有機化合物層の全体又はその一部に形成されることができる。
更に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物又は酸化物等からなる誘電体材料層は、0.1nm~5nmの厚みで、カソードと有機化合物層との間に挿入されることができる。前記誘電体層は、電子注入層の一種として考えられることができる。前記誘電体材料層は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等に従って形成されることができる。
カソードの厚みは、カソードを構成する材料に応じて好適に選択されることができるため、明確に決められないが、一般的には、10nm~50μmの範囲であり、50nm~1μmの範囲が好ましい。
更に、カソードは、透明又は不透明であることができる。透明カソードは、カソードのための材料を1nm~10nmの僅かな厚みに調整し、ITO又はIZO等の透明な導電性材料をその上に更に積層することで形成されることができる。
<保護層>
本発明の有機ELの全体は、保護層によって保護されることができる。素子の悪化を加速させる水分、酸素等の成分が素子への浸透を防ぐ機能を有する材料であれば、いずれの材料も保護層に適用させることができる。前記保護層のための材料の具体的な例としては、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、及びNi等の金属;MgO、SiO、SiO、Al、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe、Y、及びTiO等の金属酸化物;SiN及びSiN等の金属窒化物;MgF、LiF、AlF、及びCaF等の金属フッ化物;ポリエチレン;ポリプロピレン;ポリメチルメタクリレート;ポリイミド;ポリウレア;ポリテトラフルオロエチレン;ポリクロロトリフルオロエチレン;ポリジクロロジフルオロエチレン;クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体;テトラフルオロエチレン及び少なくとも1つのコモノマーを含むモノマー混合物を共重合して得られる共重合体;共重合主鎖中に環状構造を有するフッ素含有共重合体;1%以上の吸水率を有する吸水性材料;及び0.1%以下の吸水率を有する水分浸透防止物質等が挙げられる。
前記保護層を形成する方法に関しては、特に限定はない。例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシャル)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガス源CVD法、コーティング法、プリンティング法、又はトランスファー法を適用することができる。
<封止>
本発明の有機エレクトロルミネセンス素子は全て、封止キャップで封止されることができる。更に、吸湿剤又は不活性液体は、前記封止キャップと前記発光素子との間の規定されたスペースを封止するために用いられることができる。前記吸湿剤としては、特に限定されないが、具体的な例としては、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化リン、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、及び酸化マグネシウム等が挙げられる。前記不活性液体としては、特に限定されないが、具体的な例としては、パラフィン;流動パラフィン;パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶媒;塩素系溶媒;及びシリコーンオイル等が挙げられる。
<駆動>
前記本発明の有機エレクトロルミネセンス素子においては、DC(必要に応じて、AC成分を含むことができる)電圧(通常、2ボルト~15ボルト)又はDCを前記アノード及び前記カソードを渡って印加すると、発光を得ることができる。前記本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の駆動方法としては、特開平第2-148687号、特開平第6-301355号、特開平第5-29080号、特開平第7-134558号、特開平第8-234685号、及び特開平第8-241047号;及び特許公報第2784615号、米国特許第5,828,429号及び米国特許第6,023,308号に記載された駆動方法が適用可能である。
<適用>
本明細書中に記載される発明の実施形態に従って作製されたデバイスは、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び/又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、マイクロディスプレイ、車、大面積壁、劇場又はスタジアムのスクリーン、或いは看板等、多種多様な消費者製品に組み込まれることができるが、これらに限定されない。
<有機層>
本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスの使用に好適な有機層は、例えば、発光層、ホスト材料、電荷輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層等を含む、複数の層を含むことができる。ブロッキング層としては、例えば、正孔(又は励起子)ブロッキング層(HBL)又は電子(及び/又は励起子)ブロッキング層(EBL)が挙げられる。本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスの幾つかの実施形態においては、有機層は、それぞれ、堆積法又はスパッタリング法等の乾式成膜法、トランスファー法、プリンティング法、スピンコーティング法、又はバーコーティング法等の溶液塗布法によって形成されることができる。本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスの幾つかの実施形態においては、前記有機層の少なくとも1つの層は、溶液塗布法によって形成されることが好ましい。
A.発光層
発光材料:
本発明に従った発光材料は、式1、式2、又は式3の構造で表される少なくとも1つの金属錯体を含むことが好ましい。本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスの幾つかの実施形態は、前記発光層を構成する化合物の全量に対し、約0.1質量%~約50質量%の量の前記発光材料を含む。幾つかの実施形態においては、本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスは、前記発光層を構成する化合物の全量に対し、約1質量%~約50質量%の量の前記発光材料を含む。幾つかの実施形態においては、本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスは、前記発光層を構成する化合物の全量に対し、約2質量%~約40質量%の量の前記発光材料を含む。幾つかの実施形態においては、前記発光層中の前記発光材料の全量は、前記発光層中に含まれる化合物の全量に対し、約0.1重量%~約30重量%の量であることが好ましい。幾つかの実施形態においては、前記発光層中の前記発光材料の全量は、耐久性及び外部量子効率の観点から、約1重量%~約20重量%であることが好ましい。幾つかの実施形態においては、前記発光層中の前記ホスト材料の全量は、約70重量%~約99.9重量%であることが好ましい。幾つかの実施形態においては、前記発光層中のホスト材料の全量は、耐久性及び外部量子効率の観点から、約80重量%~99重量%であることが好ましい。幾つかの実施形態においては、前記発光層中でグレーデッド(graded)発光層又はグレーデッド界面が使われることができる。例えば、一方の層から他の層への突然の変化が形成されないような方法で、2つ以上の異なる材料を混合することでグレーディング(grading)を形成することができる。グレーデッド発光層及び/又は界面は、デバイス寿命を改善することを示し、このデバイス構造は、PHOLED寿命及び一般的な性能を改善するのに効果的であることができる。この例において、発光材料は、発光層内の任意の所定の位置において、約0質量%~約100質量%の量で存在することができる。
幾つかの実施形態においては、ホスト材料及び一重項励起子を通して発光(蛍光)する蛍光発光材料との組合せとして、又はホスト材料及び三重項励起子を通して発光(リン光)するリン光発光材料との組合せとして、本発明における発光層は、発光層中に含まれる発光材料及びホスト材料を含むことができる。幾つかの実施形態においては、本発明における発光層は、リン光発光材料及びホスト材料との組合せとして、発光層中に含まれるホスト材料及び発光材料を含むことができる。
幾つかの実施形態においては、第1の化合物は、発光ドーパントであることができる。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、リン光、蛍光、熱活性化遅延蛍光、即ちTADF(E型遅延蛍光とも言われる)、三重項-三重項消滅、又はこれらの過程の組合せを介して、発光を生成することができる。
B.ホスト材料
本発明の使用のための好適なホスト材料は、正孔輸送ホスト材料(正孔輸送ホストと言われることもある)及び/又は電子輸送ホスト材料(電子輸送ホストと言われることもある)であることができる。
前記有機層は、ホストを含むこともできる。幾つかの実施形態においては、2つ以上のホストが好ましい。幾つかの実施形態においては、使用される前記ホストは、a)双極性(bipolar)材料、b)電子輸送材料、c)正孔輸送材料、又はd)電荷輸送の役割がほとんどないワイドバンドギャップ材料であることができる。幾つかの実施形態においては、前記ホストは、金属錯体を含むことができる。前記ホストは、ベンゾ縮合チオフェン又はベンゾ縮合フランを含むトリフェニレンであることができる。前記ホスト中のいずれの置換基は、独立して、C2n+1、OC2n+1、OAr、N(C2n+1、N(Ar)(Ar)、CH=CH-C2n+1、C≡C-C2n+1、Ar、Ar-Ar、及びC2n-Arからなる群から選択される非縮合置換基であることができる、又は前記ホストは無置換であることができる。前述の置換基において、nは1から10までの範囲にわたることができ、Ar及びArは、独立して、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びこれらの複素芳香族類似体からなる群から選択されることができる。幾つかの実施形態においては、前記ホストは、無機化合物であることができる。例えば、ZnS等、Zn含有無機材料が挙げられる。
前記ホストは、トリフェニレン、カルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、アザトリフェニレン、アザカルバゾール、アザ-ジベンゾチオフェン、アザ-ジベンゾフラン、及びアザ-ジベンゾセレノフェンからなる群から選択される少なくとも1つの化学基を含む化合物であることができる。前記ホストは、金属錯体を含むことができる。前記ホストは、下記からなる群から選択される具体的な化合物であることができる。
正孔輸送ホスト材料
前記正孔輸送ホスト材料の具体的な例としては、ピロール、カルバゾール、アザカルバゾール、ピラゾール、インドール、アザインドール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリラントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族三級アミン化合物、スチルアミン化合物、芳香族ジメチリジン化合物、ポルフィリン化合物、ポリシラン化合物、ポリ(N-ビニルカルバゾール)、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、炭素膜、及びこれらの誘導体等が挙げられるが、これらに限定されない。幾つかの好ましいホスト材料としては、カルバゾール誘導体、インドール誘導体、イミダゾール誘導体、芳香族三級アミン化合物、及びチオフェン誘導体等が挙げられる。
前記電子輸送ホスト材料の具体的な例としては、8-キノリノール誘導体、金属フタロシアニン、及び配位子として、ベンゾキサゾール又はベンゾチアゾールを有する金属錯体等の金属錯体によって表される様々な金属錯体を含む、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラキノンジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキサイド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレン、ペリレン等の芳香族環状テトラカルボキシ無水物、フタロシアニン、これらの誘導体等がが挙げられるが、これらに限定されない。
電子輸送ホストは、金属錯体、アゾール誘導体(ベンズイミダゾール誘導体及びイミダゾピリジン誘導体等)、及びアジン誘導体(ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、及びトリアジン誘導体等)が好ましい。
C.膜厚
幾つかの実施形態においては、発光層の膜厚は、約10nm~約500nmが好ましい。幾つかの実施形態においては、発光層の膜厚は、例えば、所望の輝度均一性、駆動電圧及び輝度に応じて、約20nm~約100nmであることが好ましい。幾つかの実施形態においては、発光層は、光発光効率を低減することなく、発光層から隣接する層へ電荷の通過を最適化する厚みを有するように構成される。幾つかの実施形態においては、発光層は、最小限の駆動電圧で最大光発光効率を維持する厚みを有するように構成される。
D.層構成
発光層は、1つの層又は2つ以上の層から構成されることができ、各層は、異なる発光色で発光を引き起こすことができる。また、発光層が積層構造を有する場合、前記積層構造を形成する各層の膜厚は、特に限定されないが、各発光層の膜厚の合計が前述の範囲であることが好ましい。幾つかの実施形態においては、層中のグレーデッド層又はグレーデッド界面が用いられることができる。
E.正孔注入層及び正孔輸送層
正孔注入層及び正孔輸送層は、アノード又はアノード側から正孔を受け取り、発光層へ前記正孔を輸送するために機能する層である。正孔注入層又は正孔輸送層に導入される材料としては、特に限定されないが、低分子化合物又は高分子化合物のいずれも用いることができる。
正孔注入層及び正孔輸送層中に含まれる材料の具体的な例としては、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリラントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族三級アミン化合物、スチルアミン化合物、芳香族ジメチリジン化合物、フタロシアニン化合物、ポルフィリン化合物、オルガノシラン誘導体、及びカーボン等が挙げられるが、これらに限定されない。
電子受容性ドーパントは、本発明の有機EL素子中の正孔注入層又は正孔輸送層中に導入されることができる。前記正孔注入層又は前記正孔輸送層に導入される前記電子受容性ドーパントとして、前記化合物が電子受容性及び有機化合物を酸化する機能を有していれば、無機化合物又は有機化合物のいずれも用いることができる。
具体的には、前記無機化合物は、塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、及び五塩化アンチモン等の金属ハライド、及び五酸化バナジウム及び三酸化モリブデン等の金属酸化物等が挙げられる。
前記有機化合物を用いる場合、ニトロ基、ハロゲン、シアノ基、及びトリフルオロメチル基等の置換基を有する化合物;キノリン化合物;酸無水物化合物;及びフラーレン等をを適用することができるのが好ましい。
正孔注入材料及び正孔輸送材料の具体例としては、特開平第6-212153号公報、特開平第11-111463号公報、特開平第11-251067号公報、特開第2000-196140号公報、特開第2000-286054号公報、特開第2000-315580号公報、特開第2001-102175号公報、特開第2001-160493号公報、特開第2002-252085号公報、特開第2002-56985号公報、特開第2003-157981号公報、特開第2003-217862号公報、特開第2003-229278号公報、特開第2004-342614号公報、特開第2005-72012号公報、特開第2005-166637号公報、及び特開第2005-209643号公報等の特許文書に記載される化合物が挙げられる。
正孔注入材料及び正孔輸送材料の具体例としては、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、p-フルオラニル、p-クロラニル、p-ブロマニル、p-ベンゾキノン、2,6-ジクロロベンゾキノン、2,5-ジクロロベンゾキノン、1,2,4,5-テトラシアノベンゼン、1,4-ジシアノテトラフルオロベンゼン、2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノベンゾキノン、p-ジニトロベンゼン、m-ジニトロベンゼン、o-ジニトロベンゼン、1,4-ナフトキノン、2,3-ジクロロナフトキノン、1,3-ジニトロナフタレン、1,5-ジニトロナフタレン、9,10-アントラキノン、1,3,6,8-テトラニトロカルバゾール、2,4,7-トリニトロ-9-フルオレノン、2,3,5,6-テトラシアノピリジン、及びフラーレンC60等の有機化合物が挙げられる。これらの中でも、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、p-フルオラニル、p-クロラニル、p-ブロマニル、2,6-ジクロロベンゾキノン、2,5-ジクロロベンゾキノン、2,3-ジクロロナフトキノン、1,2,4,5-テトラシアノベンゼン、2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノベンゾキノン、及び2,3,5,6-テトラシアノピリジンが好ましく、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン。
1つ以上の電子受容性ドーパントは、本発明の有機EL素子中の正孔注入層又は正孔輸送層に組み込まれることができるため、これらの電子受容性ドーパントは、単独で使用してもよいし、2つ以上を併用してもよい。用いられるこれらの電子受容性ドーパントの正確な量は、材料の種類に依存するが、正孔輸送層又は正孔注入層の総重量の約0.01重量%~約50重量%が好ましい。幾つかの実施形態においては、これらの電子受容性ドーパントの量は、正孔輸送層又は正孔注入層の総重量の約0.05重量%~約20重量%の範囲である。幾つかの実施形態においては、これらの電子受容性ドーパントの量は、正孔輸送層又は正孔注入層の総重量の約0.1重量%~約10重量%の範囲である。
幾つかの実施形態においては、正孔注入層の厚み及び正孔輸送層の厚みは、駆動電圧を減少させる、又は光のアウトカップリングを最適化する観点で、それぞれ、約500nm以下であることが好ましい。幾つかの実施形態においては、前記正孔輸送層の厚みは、約1nm~約500nmが好ましい。幾つかの実施形態においては、前記正孔輸送層の厚みは、約5nm~約50nmであることが好ましい。幾つかの実施形態においては、前記正孔輸送層の厚みは、約10nm~約40nmであることが好ましい。幾つかの実施形態においては、前記正孔注入層の厚みは、約0.1nm~約500nmであることが好ましい。幾つかの実施形態においては、前記正孔注入層の厚みは、約0.5nm~約300nmであることが好ましい。幾つかの実施形態においては、前記正孔注入層の厚みは、約1nm~約200nmであることが好ましい。
正孔注入層及び正孔輸送層は、1つ又は2つ以上の上記で述べられた材料を含む単層構造、又は同種組成物又は異種組成物の複数の層からなる多層構造からなることができる。
F.電子注入層及び電子輸送層
電子注入層及び電子輸送層は、カソード又はカソード側から電子を受け取り、発光層へ電子を輸送するための機能を有する層である。これらの層に用いられる電子注入材料又は電子輸送材料は、低分子化合物又は高分子化合物であることができる。電子注入層及び電子輸送層中に用いられるのに好適な材料の具体的な例としては、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ペリレン及びナフタレン等の芳香族環状テトラカルボン無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体で表される金属錯体、金属フタロシアニン、配位子としてベンゾキサゾール又はベンゾチアゾールを含む金属錯体、及びシロールで例示される有機シラン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されない。
電子注入層又は電子輸送層は、電子供与性ドーパントを含むことができる。前記電子注入層又は前記電子輸送層中の使用のための好適な電子供与性ドーパントは、電子供与性及び有機化合物を還元する性質を有していれば、用いられることができる好適な材料のいずれも挙げられる。電子供与性ドーパントの具体例としては、Li等のアルカリ金属、Mg等のアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属、及び還元性有機化合物等が挙げられる。金属供与性ドーパントの他の例としては、例えば、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Cs、La、Sm、Gd、及びYb等の4.2V以下の仕事関数を有する金属が挙げられる。前記還元性有機化合物の具体例としては、窒素含有化合物、硫黄含有化合物、及びリン含有化合物等が挙げられる。
電子供与性ドーパントは、単独で使用してもよいし、2つ以上を併用してもよい。幾つかの実施形態においては、電子供与性ドーパントは、電子注入層又は電子輸送層中に、電子輸送層材料又は電子注入層材料の総重量の約0.1重量%~約99重量%の範囲の量で含まれる。幾つかの実施形態においては、電子供与性ドーパントは、電子注入層又は電子輸送層中に、電子輸送層材料又は電子注入層材料の総重量の約1.0重量%~約80重量%の範囲の量で含まれる。幾つかの実施形態においては、電子供与性ドーパントは、電子注入層又は電子輸送層中に、電子輸送層材料又は電子注入層材料の総重量の約2.0重量%~約70重量%の範囲の量で含まれる。
電子注入層の厚み及び電子輸送層の厚みは、それぞれ、駆動電圧を減少させる観点で500nm以下であることが好ましい。前記電子輸送層の厚みは、1nm~500nmが好ましく、5nm~200nmが更に好ましく、10nm~100nmが更に一層好ましい。前記電子注入層の厚みは、0.1nm~200nmが好ましく、0.2nm~100nmがより好ましく、0.5nm~50nmが更に一層好ましい。
電子注入層及び電子輸送は、上記で述べられた材料の1つ又は2つ以上を含む単層構造、又は同種組成物、又は異種組成物の複数の層からなる多層構造からなることができる。
他の材料との組合せ
有機発光デバイス中の特定の層に有用として本明細書において記述されている材料は、デバイス中に存在する多種多様な他の材料と組み合わせて使用され得る。例えば、本明細書において開示されている発光性ドーパントは、多種多様なホスト、輸送層、ブロッキング層、注入層、電極、及び存在し得る他の層と併せて使用され得る。以下で記述又は参照される材料は、本明細書において開示されている化合物と組み合わせて有用となり得る材料の非限定的な例であり、当業者であれば、組み合わせて有用となり得る他の材料を特定するための文献を容易に閲覧することができる。
HIL/HTL:
本発明の実施形態において使用される正孔注入/輸送材料は特に限定されず、その化合物が正孔注入/輸送材料として典型的に使用されるものである限り、任意の化合物を使用してよい。材料の例は、フタロシアニン又はポルフィリン誘導体;芳香族アミン誘導体;インドロカルバゾール誘導体;フッ化炭化水素を含有するポリマー;伝導性ドーパントを持つポリマー;PEDOT/PSS等の導電性ポリマー;ホスホン酸及びシラン誘導体等の化合物に由来する自己集合モノマー;MoO等の金属酸化物誘導体;1,4,5,8,9,12-ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル等のp型半導体有機化合物;金属錯体、並びに架橋性化合物を含むがこれらに限定されない。
HIL又はHTL中に使用される芳香族アミン誘導体の例は、下記の一般構造を含むがこれらに限定されない。
Figure 0007390211000089
ArからArのそれぞれは、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群;ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群;並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基である2から10個の環式構造単位からなる群から選択され、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも1つを介して、互いに結合している。ここで、各Arは、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択される置換基によって更に置換されている。
一態様において、ArからArは、
Figure 0007390211000090
からなる群から独立に選択される。
式中、kは1から20までの整数であり;X101からX108はC(CHを含む)又はNであり;Z101はNAr、O、又はSであり;Arは、上記で定義したものと同じ基を有する。
HIL又はHTL中に使用される金属錯体の例は、下記の一般式を含むがこれに限定されない。
Figure 0007390211000091
式中、Metは、40より大きい原子量を有し得る金属であり;(Y101-Y102)は二座配位子であり、Y101及びY102は、C、N、O、P及びSから独立に選択され;L101は補助配位子であり;k’は、1から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値であり;且つ、k’+k’’は、金属に付着し得る配位子の最大数である。
一態様において、(Y101-Y102)は2-フェニルピリジン誘導体である。別の態様において、(Y101-Y102)はカルベン配位子である。別の態様において、Metは、Ir、Pt、Os及びZnから選択される。更なる態様において、金属錯体は、Fc/Fcカップルに対して、溶液中で約0.6V未満の最小酸化電位を有する。
EBL:
電子ブロッキング層(EBL)を使用して、発光層を出る電子及び/又は励起子の数を減らすことができる。デバイス中のこのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して、かなり高い効率及び/又はより長い寿命をもたらすことができる。また、ブロッキング層は、OLEDの所望の領域に発光を制限するために用いられることができる。幾つかの実施形態においては、前記EBL材料は、EBLインターフェースに最も近接した発光体よりも、より高いLUMO(真空準位により近い)及び/又はより高い三重項エネルギーを有する。幾つかの実施形態においては、前記EBL材料は、EBLインターフェースに最も近接したホストの1つ以上よりも高いLUMO(真空準位により近い)及び/又は高い三重項エネルギーを有する。1つの態様においては、EBL中に用いられる化合物は、下記に記載されるホストの1つとして、同じ分子又は同じ官能基を含む。
ホスト:
本発明の有機ELデバイスの発光層は、発光材料として少なくとも金属錯体を含むことが好ましく、前記金属錯体をドーパント材料として用いるホスト材料を含んでいてもよい。幾つかの実施形態においては、2つ以上のホストが好ましい。幾つかの実施形態においては、使用される前記ホストは、a)双極性材料、b)電子輸送材料、c)正孔輸送材料、又はd)電荷輸送の役割がほとんどないワイドバンドギャップ材料であることができる。前記ホスト材料の例は、特に限定されず、ホストの三重項エネルギーがドーパントのものより大きい限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。下記の表において、各色を発光するデバイスに好ましいホスト材料が分類されているが、三重項の基準が満たされれば、いずれのホスト材料もいずれのドーパントと共に用いてもよい。
ホスト材料として使用される金属錯体の例は、下記の一般式を有することが好ましい。
Figure 0007390211000092
式中、Metは金属であり;(Y103-Y104)は二座配位子であり、Y103及びY104は、C、N、O、P及びSから独立に選択され;L101は他の配位子であり;k’は、1から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値であり;且つ、k’+k’’は、金属に付着し得る配位子の最大数である。
一態様において、金属錯体は、下記の錯体である。
Figure 0007390211000093
式中、(O-N)は、原子O及びNに配位された金属を有する二座配位子である。
別の態様において、Metは、Ir及びPtから選択される。更なる態様において、(Y103-Y104)はカルベン配位子である。
ホスト材料として使用される有機化合物の例は、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群;ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群;並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基であり、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも1つを介して互いに結合している2から10個の環式構造単位からなる群から選択される。各基は、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される置換基によって更に置換されている。
一態様において、ホスト化合物は、分子中に下記の群の少なくとも1つを含有する。
Figure 0007390211000094
式中、R101からR107は、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したArのものと同様の定義を有する。kは0から20又は1から20までの整数であり;k’’’は、0から20までの整数である。X101からX108はC(CHを含む)又はNから選択される。Z101及びZ102はNR101、O、又はSである。
HBL:
正孔ブロッキング層(HBL)を使用して、発光層から出る正孔及び/又は励起子の数を低減させることができる。デバイス中のそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して大幅に高い効率及び/又はより長い寿命をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、OLEDの所望の領域に発光を制限することもできる。幾つかの実施形態においては、HBL材料は、HBLインターフェースに最も近接した発光体よりも低いHOMO及び/又は高い三重項エネルギーを有する。
一態様において、前記HBL中に使用される前記化合物は、上述したホストとして使用されるものと同じ分子を含有する。
別の態様において、前記HBL中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも1つを含有する。
Figure 0007390211000095
式中、kは1から20までの整数であり;L101は他の配位子であり、k’は1から3までの整数である。
ETL:
電子輸送層(ETL)は、電子を輸送することができる材料を含み得る。電子輸送層は、真性である(ドープされていない)か、又はドープされていてよい。ドーピングを使用して、伝導性を増強することができる。ETL材料の例は特に限定されず、電子を輸送するために典型的に使用されるものである限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。
一態様において、前記ETL中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも1つを含有する。
Figure 0007390211000096
式中、R101は、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したArのものと同様の定義を有する。ArからArは、上記で言及したArのものと同様の定義を有する。kは1から20までの整数である。X101からX108はC(CHを含む)又はNから選択される。
別の態様において、前記ETL中に使用される金属錯体は、下記の一般式を含有するがこれらに限定されない。
Figure 0007390211000097
式中、(O-N)又は(N-N)は、原子O、N又はN、Nに配位された金属を有する二座配位子であり;L101は他の配位子であり;k’は、1から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値である。
電荷発生層(CGL):
タンデム型、又は積層型のOLED中で、CGLは、性能において重要な役割を果たし、それぞれ、電子及び正孔の注入ためのn-ドープ層及びp-ドープ層からなる。電子及び正孔は、前記CGL及び電極から供給される。前記CGL中の消費された電子及び正孔は、それぞれカソード及びアノードから注入された電子及び正孔によって再び満たされ、その後バイポーラ電流が徐々に安定した状態に達する。典型的なCGL材料としては、輸送層で用いられるn型及びp型伝導性ドーパントが挙げられる。
OLEDデバイスの各層中に使用される任意の上記で言及した化合物において、水素原子は、部分的に又は完全に重水素化されていてよい。故に、メチル、フェニル、ピリジル等であるがこれらに限定されない任意の具体的に挙げられている置換基は、それらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンを包含する。同様に、アルキル、アリール、シクロアルキル、ヘテロアリール等であるがこれらに限定されない置換基のクラスは、それらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンも包含する。
本明細書において開示されている材料に加えて且つ/又はそれらと組み合わせて、多くの正孔注入材料、正孔輸送材料、ホスト材料、ドーパント材料、励起子/正孔ブロッキング層材料、電子輸送及び電子注入材料がOLEDにおいて使用され得る。OLED中で本明細書において開示されている材料と組み合わせて使用され得る材料の非限定的な例を、以下の表Aに収載する。表Aは、材料の非限定的なクラス、各クラスについての化合物の非限定的な例、及び該材料を開示している参考文献を収載する。
Figure 0007390211000099
Figure 0007390211000107
Figure 0007390211000110
Figure 0007390211000115
発明は、制限しようとすることなく、下記の実施例によってより詳細に説明される。当業者であれば、独創性のない記載に基づき電子デバイスを更に作製することができ、それによって権利が主張された範囲内で発明を実行することができるであろう。
実施例
特段の指示がない限り、保護気体雰囲気下において、乾燥溶媒中で下記の合成が行われる。更に、金属錯体は、光を排除して扱われる。溶媒及び試薬は、例えば、シグマアルドリッチ社又はABCR社から購入することができる。
実施例1:3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンをスキーム1に従って調製した。
Figure 0007390211000121
A.4-クロロブタナールの合成:
Figure 0007390211000122
DCM(400ml)中、塩化オキサリル(22.54ml、263mmol)の溶液をPrOH/COバスの中で冷却した。DMSO(37.3ml、525mmol)をシリンジを介して徐々に添加し、冷却下で1時間撹拌した。50mL中、4-クロロブタン-1-オール(19g、175mmol)の溶液を滴下した。冷却した混合物を1時間撹拌し、その後トリエチルアミン(110ml、788mmol)を徐々に添加した。懸濁液を冷却下で30分間撹拌し、その後室温まで加温させた。反応物を水でクエンチし、酸性化し、有機物を分離した。蒸留して溶媒を除去し、無色の油状物として8gの生成物を得た。
B.2-ブロモ-4-クロロブタナールの合成:
Figure 0007390211000123
4-クロロブタナール(7.939g、74.5mmol)をDCM(300ml)中に溶解し、アイスバス中で冷却した。DCM(50ml)中、ジブロミン(4.00ml、78mmol)の溶液を約1時間以上かけて添加した。添加後、赤色の溶液を冷却下で30分間撹拌し、その後室温まで徐々に加温し、更に1時間撹拌した。水を添加し、有機物を分離し、乾燥し、溶媒を除去すると、淡黄色の油状物として、1.57gの粗生成物を得た(80%)。
C.4-ブロモフェナントリジン-6-アミンの合成:
Figure 0007390211000124
2,6-ジブロモアニリン(15.33g、61.1mmol)、2-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)ベンゾニトリル(7.0g、30.6mmol)、及びリン酸カリウム一水和物(21.11g、92mmol)をジオキサン(120ml)及び水(7.49ml)中で合わせた。混合物を脱気し、添加したDCM中の(dppf)PdCl錯体(0.749g、0.917mmol)を添加し、混合物を4時間還流した。黒色の混合物をEtOAcと水/食塩水との間で分画した。有機相を食塩水で洗浄し、乾燥し、溶媒を除去した。500mLのEtOAc中に溶解し、EtOAcを用いてシリカプラグに通して溶離し、溶媒を除去して、橙色の残渣を得て、カラムクロマトグラフィーで精製し、黄色/橙色の固体として、5.86gの生成物を得た(70%)。
D.5-ブロモ-3-(2-クロロエチル)イミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成:
Figure 0007390211000125
2-プロパノール(102ml)及び水(5.11ml)中に、4-ブロモフェナントリジン-6-アミン(5.86、21.46mmol)、2-ブロモ-4-クロロブタナール(5.36g、28.9mmol)、及び重炭酸ナトリウム(3.60g、42.9mmol)を合わせた。懸濁液を室温で4時間撹拌し、その後16時間還流した。真空下で溶媒を除去し、セライト上に残渣を塗布した。カラムクロマトグラフィーによって、生成物と出発物質であるアミジンとの混合物を得て、DCM中で過剰なアセチルクロライド及びトリエチルアミンで処理した。ワークアップ後、ヘプタンへ繰り返し抽出することによって所望の生成物をアセトアミドから抽出し、3.93gの黄色の、粘性がある残渣を得た(51%)。
E.3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの合成:
Figure 0007390211000126
5-ブロモ-3-((2-クロロエチル)イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(3.93g、10.93mmol)をTHF(200ml)中に溶解し、アイスバス中で冷却し、THF中、イソプロピルマグネシウムクロライド溶液(2.0M、6.01ml、12.02mmol)を徐々に添加した。溶液を冷却下で30分間撹拌して、その後室温まで加温し、2時間撹拌した。反応物をクエンチし、DCM中に抽出し、カラムクロマトグラフィーを用いて反応生成物を精製し、淡色のベージュの結晶固体を1.90g得た(71%)。
3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンのX線構造を図5に示す。3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの結晶構造は、下記表の中で表される特徴の1つ以上で定義されることができる。
Figure 0007390211000127
=Σ||F|-|F||/Σ|F|;wR=[Σ[w(F –F ]/Σ[w(F ]]½;GOF=[Σw(|F|-|F|)/(n–m)]½
実施例2:4,4-ジメチル-3,4-ジヒドロ-1,2a1-ジアザ-4-シラベンゾ[fg]アセアントリレン及び3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロ-1,2a1-ジアザ-3-シラベンゾ[fg]アセアントリレンの合成:
上記の配位子を下記スキーム2に従って調製した。
Figure 0007390211000130
A.5-ブロモイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成:
Figure 0007390211000131
4-ブロモフェナントリジン-6-アミン(4.0g、14.7mmol)を100mLのiPrOH中に溶解した。クロロアセトアルデヒド(水中、50%、3.6g、22mmol、1.5当量)を添加し、その後NaHCO(2.5g、2当量)を添加し、混合物を2時間還流し、その後アイスバス中で冷却した。黄褐色の固体を濾過し、MeOHで洗浄した。受けているフラスコを換え、水で固体を洗浄し、清澄でオフホワイトの生成物を3.2g得た。水の洗浄物をEtOAcで抽出し、これらの抽出物を最初の濾過から得たアルコール洗浄物と合わせた。溶媒を除去し、橙色の固体を1.3g得て、これをEtOAcから再結晶化し、黄褐色の針状物として、更に清澄な生成物0.46gを得た。全収率:3.5g(80%)
B.3,5-ジブロモイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成:
Figure 0007390211000132
DMF(125ml)中、5-ブロモイミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(2.0g、6.73mmol)を溶解し、その後窒素下で10mLのDMF中、NBS(1.318g、7.40mmol)の溶液を徐々に添加した。室温で3時間撹拌した後、16時間穏やかに加熱し、反応混合物を300mLの水とEtOAcとの間で分画した。水相をEtOAcで更に抽出し、有機物を水で洗浄し、カラムクロマトグラフィーで淡黄色の固体として、1.99gの生成物を単離した(79%)。
C.5-ブロモ-3-((クロロメチル)ジメチルシリル)イミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成:
Figure 0007390211000133
3,5-ジブロモイミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(0.48g、1.28mmol)及びクロロ(クロロメチル)ジメチルシラン(0.17ml、1.28mmol)をTHF(25ml)に溶解し、iPrOH/CO2バスの中で冷却した。ヘキサン中、ブチルリチウムの溶液(2.5M、0.51ml、1.28mmol)を徐々に添加し、混合物を冷却下で30分間撹拌し、その後室温まで加温させた。食塩水を添加し、反応物をクエンチし、有機物をEtOAcで抽出し、カラムクロマトグラフィーで精製し、無色で粘性のある残渣として、0.16gの生成物を得た(31%)。
D.4,4-ジメチル-3,4-ジヒドロ-1,2a1-ジアザ-4-シラベンゾ[fg]アセアントリレン及び3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロ-1,2a1-ジアザ-3-シラベンゾ[fg]アセアントリレンの合成:
Figure 0007390211000134
5-ブロモ-3-((クロロメチル)ジメチルシリル)イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(0.13g、0.322mmol)をTHF(25ml)中に溶解し、アイスバス中で冷却した。THF中、イソプロピルマグネシウムクロライド溶液(2.0M、0.18ml、0.36mmol)を徐々に添加し、その後室温まで加温した。食塩水で反応物をクエンチし、DCMで有機物を抽出し、混合物をクロマトグラフィーにかけ、粘性の残渣として、16mgの4,4-ジメチル-3,4-ジヒドロ-1,2a1-ジアザ-4-シラベンゾ[fg]アセアントリレン(17%)、及び結晶固体として、33mgの3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロ-1,2a1-ジアザ-3-シラベンゾ[fg]アセアントリレンを得た(36%)。
更に、本実施例で用いられた有機材料は、全て昇華精製をし、高速液体クロマトグラフィー(Tosoh TSKgel ODS-100Z)で分析し、254nmで99.9%以上の面積比吸収強度を有する材料を使用した。
3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロ-1,2a1-ジアザ-3-シラベンゾ[fg]アセアントリレンのX線構造を図6に示す。3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロ-1,2a1-ジアザ-3-シラベンゾ[fg]アセアントリレンの結晶構造は、下記表の中で表される特徴の1つ以上で定義されることができる。
Figure 0007390211000135
=Σ||F|-|F||/Σ|F|;wR=[Σ[w(F –F ]/Σ[w(F ]]½;GOF=[Σw(|F|-|F|)/(n–m)]½
実施例3:6-イソプロピル-10-((9-(4-イソプロピルピリジン-2-イル)-9H-カルバゾール-2-イル)オキシ)-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの白金(II)錯体の合成:
Figure 0007390211000136
A.2-ブロモ-5-メトキシベンゾニトリルの合成:
Figure 0007390211000137
2-ブロモ-5-メトキシベンズアルデヒド(100g、0.47mol、1当量)、塩酸ヒドロキシルアミン(64.8g、0.93mol、2当量)、酢酸ナトリウム(76.42g、0.93mol、2当量)、及び氷酢酸(500mL)の混合物を16時間還流した。酢酸を減圧下で除去し、残渣をジクロロメタン(約400mL)で抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し(3×200mL)、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。得られた残渣をヘプタン(50mL)で粉砕し、追加のヘプタンで固体を洗浄し(2×50mL)、白色の粉末として目的生成物を得た(82.6g、収率86%)。
B.5-メトキシ-2-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)ベンゾニトリルの合成:
Figure 0007390211000138
1,4-ジオキサン(400mL)及びDMSO(40mL)の混合物中、2-ブロモ-5-メトキシベンゾニトリル(82.6g、0.39mol、1当量)、ビス(ピナコラト)ジボロン(109.1g、0.43mol、1.1当量)及び酢酸カリウム(115.3g、1.17mol、3当量)の混合物を1時間窒素で注入した。Pd(dppf)Cl(7.13g、5mol%)を添加し、反応混合物を60℃で2時間穏やかに加熱し、その後16時間還流した。混合物をセライトに通して濾過し、濾液から単離した固体をイソプロパノール及びヘプタンで洗浄し、オフホワイトの固体として目的生成物を得た(57.41g、収率57%)。追加の生成物(約10g)を濾液から単離した。
C.4-ブロモ-2-イソプロピル-8-メトキシフェナントリジン-6-アミンの合成:
Figure 0007390211000139
トルエン及び水の4:1混合物(1250mL)中、5-メトキシ-2-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)ベンゾニトリル(57.41g、0.22mol、1当量)、2,6-ジブロモ-4-イソプロピルアニリン(64.92g、0.22mol、1当量)、及びリン酸カリウム(153.1g、0.66mol、3当量)の混合物を窒素で1時間注入した。トランス-Pd(PPhCl(7.8g、11mmol、0.05当量)を添加し、反応混合物を20時間間撹拌した。追加のリン酸カリウム(77g、0.33mol、1.5当量)及びトランス-Pd(PPhCl(1g、1.43mmol、0.0065当量)を添加し、反応混合物を更に3時間還流した。相を分離し、有機相を温水で洗浄した(2×400mL)。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。得られた固体をジクロロメタン及びヘプタンの順に粉砕した。カラムクロマトグラフィーによって、目的生成物(30g)を得た。
D.6-イソプロピル-10-((9-(4-イソプロピルピリジン-2-イル)-9H-カルバゾール-2-イル)オキシ)-3,4ジヒドロ-ジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの合成:
Figure 0007390211000140
4-ブロモ-2-イソプロピル-8-メトキシフェナントリジン-6-アミン(8.9g、25.8mmol、1当量)、p-トルエンスルホン酸一水和物(348mg)、新たに調製した2-ブロモ-4-クロロブタナール(24g、129mmol、5当量)、及びイソ-プロパノール(500mL)の懸濁液を室温で2.5時間撹拌した。炭酸ナトリウム(6.5g、77.4mmol、3当量)及び脱イオン水(32ml)を添加し、反応混合物を16時間還流した。室温まで冷却した後、減圧下で反応混合物の体積を約100mLに減少させた。混合物を酢酸エチル(350mL)で希釈し、飽和食塩水(200mL)で洗浄した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、8.44gの生成物を得た(収率76%)。
E.6-イソプロピル-10-メトキシ-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの合成:
Figure 0007390211000141
乾燥THF(250mL)中、6-イソプロピル-10-((9-(4-イソプロピルピリジン-2-イル)-9H-カルバゾール-2-イル)オキシ)-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン(8.44g、19.6mmol、1.0当量)の溶液を窒素で30分間注入した。0℃まで冷却した後、THF中、2Mのイソプロピルマグネシウムクロライド(14.7mL、29.4mmol、1.5当量)を滴下した。反応混合物を室温まで加温し、16時間撹拌した。反応物を水(10mL)でクエンチし、減圧下でTHFを除去した。残渣を酢酸エチル(400mL)で希釈し、飽和食塩水で洗浄した(2×200mL)。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、カラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、3.6gの生成物を得た(収率58%)。
F.6-イソプロピル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-10-オールの合成:
Figure 0007390211000142
ジクロロメタン(200mL)中、6-イソプロピル-10-メトキシ-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン(3.6g、11.36mmol、1当量)の溶液に、三臭化ホウ素(5.4mL、56.78mmol、5当量)を-78℃で滴下した。反応物を室温まで加温し、16時間撹拌した。300mlの氷水に反応混合物を注意深く注ぎ、得られた固体を濾過し、水(70mL)、酢酸エチル(40mL)、及びヘプタン(40mL)の順に洗浄し、3.6gの生成物を得た(定量的収率)。
G.4’-ブロモ-2-ニトロ-1,1’-ビフェニルの合成:
Figure 0007390211000143
1,2-ジメトキシエタン(660mL)中、2-ヨード-ニトロベンゼン(50g、200mmol、1.0当量)及び4-ブロモベンゼンボロン酸(40.7g、202mol、1.0当量)の混合物に、水(450mL)中、炭酸カリウム(84g、608mmol、3.0当量)の溶液を添加した。反応物を窒素で5.0分間注入した。テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(2.32g、2mmol、1mol%)を添加し、混合物を窒素で更に10分間注入した。16時間還流した後、反応物を室温まで冷却し、相を分離した。水相を酢酸エチル(500mL)で抽出した。合わせた有機抽出物を飽和食塩水(500mL)で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧下で濃縮した。ヘプタン(300mL)中、25%酢酸エチル中に残渣を溶解し、シリカゲルのパッドに通して真空濾過した(135g)。ヘプタン中、25%酢酸エチルを用いてパッドをすすいだ(3×350mL)。合わせた濾液を減圧下で濃縮し、橙色の固体を得た。この残渣をヘプタン(150mL)中で懸濁し、20分で40℃まで加熱した。室温まで1.0時間かけて、懸濁液を冷却させた。固体を真空濾過で回収し、ヘプタン(50mL)で洗浄し、乾燥し、黄色固体として、4’-ブロモ-2-ニトロ-1,1’-ビフェニルを得た(49.16g、収率88.4%)。
H.2-ブロモ-9H-カルバゾールの合成:
Figure 0007390211000144
1,2-ジクロロベンゼン(460mL)中、4’-ブロモ-2-ニトロ-1,1’-ビフェニル(66.25g、238mmol、1.0当量)の溶液に、トリフェニルホスフィン(156.3g、596mmol、2.5当量)を5分かけて添加した。反応物を窒素で5分間注入し、その後16時間還流した。反応物を室温まで冷却し、減圧蒸留し、殆どの1,2-ジクロロベンゼン(450mL)を除去した。酢酸エチル(1.5L)中に暗い残渣を溶解し、50℃で30分、脱色炭(50g)で処理した。冷却後、混合物をセライトに通して濾過し(200g)、その後酢酸エチル洗浄物で洗浄した(2×650mL)。合わせた濾液を減圧下で約500mLの体積に濃縮した。溶液を室温まで冷却し、1.5時間後、得られた淡い黄褐色の固体(トリフェニルホスフィンオキサイド)を濾過により除去し、処分した。濾液を減圧下で濃縮した。メタノール(600mL)中に残渣を溶解し、室温で16時間保管した。得られた黄褐色の固体を濾過し、メタノールで洗浄し(2×100mL)、真空下で40℃で乾燥し、淡い黄褐色の固体として、2-ブロモ-9H-カルバゾールを得た(33.5g、収率57.2%)。
I.2-ブロモ-9-(4-イソプロピルピリジン-2-イル)-9H-カルバゾールの合成:
Figure 0007390211000145
2-ブロモ-9H-カルバゾール(13.9g、56.5mmol、1当量)、4-イソプロピル-2-クロロビリジン(15.86g、101.7mmol、1.8当量)、L-プロリン(1.3g、11.3mmol、0.2当量)、ヨウ化銅(1)(0.95g、5.65mmol、0.1当量)、炭酸カリウム(19.48g、141.25mmol、2.5当量)、及びDMSO(80mL)の懸濁液を窒素で5分間注入した。混合物を95℃で16時間加熱した。追加の4-イソプロピル-2-クロロビリジン(1.58g、10.12mmol、0.18当量)を添加し、反応混合物を更に24時間155℃で加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、酢酸エチル(750mL)で希釈し、セライトに通して真空濾過した(70g)。セライトのパッドを酢酸エチル洗浄物で洗浄した(2×100mL)。合わせた濾液を飽和食塩水で洗浄し(3×500mL)、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧下で濃縮した。この残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し、茶色の油状物として1.8gの生成物を得た(収率8.6%)。
J.6-イソプロピル-10-((9-(4-イソプロピルピリジン-2-イル)-9H-カルバゾール-2-イル)オキシ)-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの合成:
Figure 0007390211000146
6-イソプロピル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-10-オール(1.5g、4.93mmol、1当量)、2-ブロモ-9-(4-イソプロピルピリジン-2-イル)-9H-カルバゾール(1.8g、4.93mmol、1当量)、リン酸カリウム(5.68g、24.65mmol、5当量)、ヨウ化銅(I)(0.47g、2.47mmol、0.5当量)、ピコリン酸(1.52g、12.33mmol、2.5当量)、及びDMSO(150mL)の混合物を150℃で4.5時間加熱した。室温まで冷却した後、反応混合物を水(700mL)に注ぎ、酢酸エチルで抽出した(4×150mL)。合わせた有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、黄褐色の固体として1.25gの生成物を得た(収率43%)。
K.6-イソプロピル-10-((9-(4-イソプロピルピリジン-2-イル)-9H-カルバゾール-2-イル)オキシ)-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの白金(II)錯体の合成:
Figure 0007390211000147
60mlの氷酢酸中に、6-イソプロピル-10-((9-(4-イソプロピルピリジン-2-イル)-9H-カルバゾール-2-イル)オキシ)-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン(400mg、0.68mmol、1当量)を溶解し、窒素で30分間注入した。その後、KPtCl(283mg、0.68mmol、1当量)を添加し、反応混合物を40時間還流した。室温まで冷却した後、橙色の沈殿物を濾過し、水(3×15mL)、ヘプタン(10ml×2回)の順に洗浄した。10mlのジクロロメタン中に、粗生成物(340mg)を溶解し、シリカゲルのプラグに通して濾過し、残りのKPtClを除去し、追加のジクロロメタン(10mL)で溶離した。濾液を体積の半分まで減らし、ヘプタン(10mL)で希釈した。生成物を濾過し、ヘプタン(10mL)中、10%のジクロロメタンの溶液で粉砕し、淡黄色の固体として生成物を得た(140mg、収率26%)。酢酸及びジクロロメタン/ヘプタンの濾液から更に生成物を単離した。
実施例4:(3-フェニル-1H-ピラゾール)Ir(MeOH)(OTf)の合成
Figure 0007390211000148
A.(3-フェニル-1H-ピラゾール)IrCl二量体の合成
2-エトキシエタノール(120ml)及び水(40ml)中で、塩化イリジウム水和物(6.00g、17.02mmol)及び1-フェニル-1H-ピラゾール(5.89g、40.9mmol)を合わせた。反応混合物を加熱し、窒素下で16時間還流した。得られた固体を濾過し、メタノールで洗浄し、乾燥し、8.3gのイリジウム二量体を得た。
実施例4Aのイリジウム二量体(8.3g、8.07mmol)を100mLのDCM中に溶解し、20mLのメタノール中、銀トリフレート(4.36g、16.96mmol)の溶液を添加した。反応混合物を室温で、窒素下、1時間撹拌した。混合物をセライトに通して濾過し、ケーキをDMCで洗浄した。濾液を蒸発させ、10.85gの(3-フェニル-1H-ピラゾール)Ir(MeOH)(OTf)を得た(97%)。
実施例5:実施例化合物35をスキーム5に従って調製した。
Figure 0007390211000149
A.イミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成
Figure 0007390211000150
DMF(550mL)中、2-フェニル-1H-イミダゾール(10.0g、69.3mmol、1当量)、1,2-ジブロモベンゼン(19.63g、83.2mmol、1.2当量)、炭酸セシウム(67.79g、208.0mmol、3当量)、キサントホス(4.01g、6.9mmol、0.1当量)、及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(8.01g、6.9mmol、0.1当量)の混合物を窒素気流で15分間注入した。混合物を140℃で24時間加熱し、その後減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、淡黄色の固体として、イミダゾ[1,2-f]フェナントリジンを得た(10g、収率67%)。
B.3-ブロモイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成
Figure 0007390211000151
DMF(32mL)中、15(1.99g、9.1mmol、1当量)の溶液に、N-ブロモサクシミド(1.62g、9.1mmol、1当量)を0℃で添加した。室温で18時間撹拌した後、反応物を水(300mL)で希釈し、メチルt-ブチルエーテル中、10%ジクロロメタン(3×500mL)、酢酸エチル(2×300mL)、及びジクロロメタン(400mL)の順に抽出した。合わせた有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、オフホワイトの固体として、3-ブロモイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンを得た(1.66g、収率65%)。
C.tert-ブチル2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)アセテートの合成
Figure 0007390211000152
無水テトラヒドロフラン(220mL)中、16(15.4g、51.8mmol、1当量)の溶液に、ジ-μ-ブロモビス(トリ-t-ブチルホスフィノ)ジパラジウム(I)(2.01g、2.5mmol、0.05当量)を添加し、溶液を窒素気流で15分間注入した。ジエチルエーテル中、0.5Mの2-tert-ブトキシ-2-オキソエチル臭化亜鉛(155mL、77.7mmol、1.5当量)を窒素下で添加した。反応物を60℃で16時間撹拌した。追加の0.5Mの2-tert-ブトキシ-2-オキソエチル塩化亜鉛溶液(155mL、77.7mmol、1.5当量)及びジ-μ-ブロモビス(トリ-t-ブチルホスフィノ)-ジパラジウム(I)(2.01g、2.5mmol、0.05当量)を添加し、LC/MS分析で完了したことが示されるまで、反応物を60℃で撹拌した。反応混合物を減圧下で濃縮した。残渣をジクロロメタン(1L)中に溶解し、セライトのパッドに通して濾過した。濾液を減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、橙色の固体として、tert-ブチル2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)アセテートを得た(5g、収率30%)。
D.メチル2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)アセテートハイドロクロライドの合成
Figure 0007390211000153
メタノール中、1.25MのHCl(55mL、68.7mmol、6.5当量)中、17(2.8g、8.4mmol、1当量)の溶液を60℃で16時間撹拌した。反応混合物を減圧下で濃縮した。残渣をジエチルエーテルで洗浄し、40℃で16時間真空下で乾燥し、オフホワイトの固体として、メチル2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)アセテートハイドロクロライドを得た(2.5g、収率100%)。
E.メチル2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)-2-プロパン酸メチルの合成
Figure 0007390211000154
5℃で、無水DMF(45mL)中、メチル2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)アセテートハイドロクロライド(4.0g、12.24mmol、1当量)の溶液に、鉱油中、水素化ナトリウムの60%分散体(2.45g、61.2mmol、5当量)、及びヨードメタン(2mL、32.1mmol、2.6当量)を順に添加した。混合物を冷却バス中で30分間撹拌し、室温まで加温し、6時間撹拌した。追加のヨードメタン(1.2mL、19.2mmol、1.6当量)を添加した。反応物を室温で1週間かけて撹拌し、メタノール(32mL)でクエンチし、減圧下で濃縮した。残っている油状物をジクロロメタン(350mL)で希釈し、水(100mL)で洗浄した。水相をジクロロメタンで洗浄した(2×100mL)。合わせた有機相を飽和塩化アンモニウム(100mL)で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、オフホワイトの固体として、メチル2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)-2-プロパン酸メチルを得た(1.6g、収率41%)。
F.2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)-2-メチルプロパン酸の合成
Figure 0007390211000155
メタノール(100mL)中、メチル2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)-2-プロパン酸メチル(1.6g、5.0mmol、1当量)の溶液を1Nの水酸化ナトリウム水溶液(30mL、30mmol、6当量)で処理し、更に水(100mL)で希釈した。5日間還流した後、反応物を減圧下で濃縮した。水(100mL)中に残渣を溶解し、濃HClでpH5~6まで酸性化した。得られた白色懸濁液をイソプロパノール及びジクロロメタンの1:2混合物で抽出した(4×200mL)。合わせた有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧下で濃縮した。残渣を高真空下で、40℃、16時間乾燥し、白色固体として2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)-2-メチルプロパン酸を得た(1.3g、収率82%)。
G.2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)-2-メチルプロパノイルクロライドの合成
Figure 0007390211000156
無水ジクロロメタン(100mL)中、2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)-2-メチルプロパン酸(1.3g、4.2mmol、1当量)の懸濁液に、塩化チオニル(1mL、13.7mmol、2当量)及び無水DMF(0.05mL、0.6mmol、0.11当量)を添加した。室温で16時間撹拌した後、減圧下で混合物を濃縮し、オフホワイトの固体として2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)-2-メチルプロパノイルクロライド(1.37g、収率100%)を得た。
H.3,3-ジメチルジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-4(3H)-オンの合成
Figure 0007390211000157
無水ジクロロメタン(60mL)中、2-(イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン-3-イル)-2-メチルプロパノイルクロライド(1.37g、4.2mmol、1当量)及び無水塩化アルミニウム(6.0g、44.9mmol、10当量)の混合物を室温で6時間撹拌した。アイスウォーターバスを用いて、反応物を冷却し、氷でクエンチし、飽和重炭酸ナトリウム(300mL)で希釈し、ジクロロメタンで抽出した(4×400mL)。合わせた有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーを用いて残渣を精製し、白色固体として、3,3-ジメチルジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-4(3H)-オンを得た(1g、収率81%)。
I.3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-4-オールの合成
Figure 0007390211000158
5℃で、エタノール(70mL)中、3,3-ジメチルジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-4(3H)-オン(0.9g、3.1mmol、1当量)の溶液に、水素化ホウ素ナトリウム(0.24g、6.3mmol、2当量)を一度に添加した。反応物を室温で1.5時間撹拌し、その後アセトン(2mL)でクエンチした。反応混合物を減圧下で濃縮した。残渣をメチルt-ブチルエーテル(300mL)中に溶解し、飽和重炭酸ナトリウム(2×60mL)及び飽和食塩水(60mL)で洗浄した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、白色固体として、3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-4-オールを得た(0.9g、収率100%)。
J.o-(3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-4-イル)S-メチルカーバノジチオエート
Figure 0007390211000159
0℃で、無水THF(70mL)中、3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-4-オール(0.71g、2.46mmol、1当量)の溶液に、鉱油中、水素化ナトリウムの60%分散体(0.48g、20.2mmol、5当量)を添加した。5℃で30分間撹拌した後、無水テトラヒドロフラン(3.2mL)中、イミダゾール(0.0168g、0.24mmol、0.1当量)の溶液を添加し、二硫化炭素(0.89mL、14.8mmol、6当量)を滴下した。反応物を30分かけて徐々に12℃まで加温させた。ヨードメタン(0.92mL、14.7mmol、6当量)を滴下し(発熱)、反応物を室温で1時間撹拌した。反応物を5℃まで冷却し、飽和食塩水(140mL)を希釈し、ジクロロメタンで抽出した(5×100mL)。合わせた有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、白色固体として、o-(3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-4-イル)S-メチルカーバノジチオエートを得た(0.86g、収率93%)。
K.3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの合成
Figure 0007390211000160
無水トルエン(70mL)中、o-(3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-4-イル)S-メチルカーバノジチオエート(0.98g、2.6mmol、1当量)、2,2’-アザビス(2-メチルプロピオニトリル)(0.098g、0.6mmol、0.2当量)、及び水素化トリブチルスズ(1.81mL、6.7mmol、2.6当量)の溶液を80℃で3.5時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応混合物を減圧下で35℃で濃縮し、シリカゲルに吸収させた(10g)。カラムクロマトグラフィーで粗材料を精製し、白色固体として、3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンを得た(0.53g、収率72%)。
L.(3-クロロプロピル)(メチル)スルファンの合成
Figure 0007390211000161
150mLのEtOH中にナトリウムメタンチオレート(6.14g、88mmol)を溶解し、アイスバス中で冷却し、その後1-ブロモ-3-クロロプロパン(8.6ml、87mmol)を添加した。溶液を室温まで加温し、2時間撹拌した。沈殿させた固体を濾過し、濾液を真空下で凝縮させた。残渣を真空下で蒸留させ、無色の油状物として、生成物を得た(36%)。
M.トリス-[(3-メチルチオ)プロピル]イリジウム(III)の合成
Figure 0007390211000162
(3-クロロプロピル)(メチル)スルファン及びマグネシウム(削り状)によって得られたグリニャール試薬を、THF中でIrCl(THT)と共に撹拌し、(3-クロロプロピル)(メチル)スルファンを合成し、カラムクロマトグラフィーによって、白色固体を得た(32%)。
N.化合物35の合成
Figure 0007390211000163
実施例5のMからのトリス-[(3-メチルチオ)プロピル]イリジウム(III)(0.020g、0.044mmol)及び実施例5のKからの3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン(0.036g、0.131mmol)をエチレングリコール(0.5ml)中で合わせ、真空/バックフィル(backfill)のサイクルで脱気し、撹拌して還流すると、黄色から黒色に変わった。冷却した残渣を水とDCMの間で分画し、有機物を乾燥し、セライトに塗布した。カラムクロマトグラフィーによる精製によって、ベージュの固体として、4mgの化合物35を得た(9%)。
実施例6:スキーム6に従って、化合物48の合成を行った。
Figure 0007390211000164
2-エトキシエタノール(0.5ml)中で、実施例4から(3-フェニル-1H-ピラゾール)Ir(MeOH)(OTf)(0.031g、0.045mmol)及び実施例5のKから3,3-ジメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン(0.024g、0.090mmol)を合わせて、直ちに真空/バックフィルを3回行い、その後窒素下で2時間還流下で加熱した。反応混合物をDCM中に溶解し、セライトに塗布し、カラムクロマトグラフィーで精製し、殆ど無色の残渣として化合物35を6mg得た(18%)。
実施例7:下記スキーム7に従って化合物49の合成を行った。
A.1-メチルフェナントリジン6-アミンの合成:
Figure 0007390211000166
THF(832mL)中、2-ブロモ-3-メチルアニリン(38.8g、208mmol、1当量)、(クロロ(2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシ-1,1’-ビフェニル)[2-(2’-アミノ-1,1’-ビフェニル)]パラジウム(II)(2.99g、4.16mmol、0.02当量)、及び2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニル(1.71g、4.16mmol、0.02当量)の混合物を窒素で15分間注入した。(2-シアノフェニル)臭化亜鉛溶液(500mL、THF中0.5M、250mmol、1.2当量)を混合物に添加し、反応物を16時間還流した。室温まで冷却した後、反応物を飽和食塩水(10mL)で希釈し、減圧下で濃縮した。固体をジクロロメタン(500mL)及び24重量%の水酸化ナトリウム水溶液(500mL)中、10%のメタノールに溶解した。相を分離し、水相をジクロロメタンで抽出した(3×500mL)。合わせた有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。茶色の固体をヘプタン(1.5L)中25%MTBE、及びジクロロメタン(5×25mL)で順に粉砕し、淡黄色の固体として、26を得た(10.7g、収率25%、純度95%超)。
B.8-メチルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成:
Figure 0007390211000167
水中、1-メチルフェナントリジン-6-アミン(10.7g、51mmol、1当量)、及びイソプロパノール(340mL)中、炭酸ナトリウム(13.5g、128mmol、2.5当量)との混合物(16mL、102mmol、2当量)を2時間還流した。反応物を4℃まで冷却し、ジクロロメタン(250mL)及び飽和重炭酸ナトリウム(500mL)で冷却した。相を分離し、水相をジクロロメタンで抽出した(3×250mL)。合わせた有機物相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮し、茶色の固体として、粗生成物の8-メチルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(23.8g)を得て、その後使用した。
C.3-ブロモ-8-メチルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成
Figure 0007390211000168
ジクロロメタン(306mL)中、粗生成物の8-メチルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(23.8g)及びN-ブロモサクシミド(9.1g、51mmol、1当量)の混合物を室温で2時間撹拌した。水(500mL)を添加し、相を分離した。水相をジクロロメタンで抽出した(3×500mL)。合わせた有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。固体をシリカゲル上へ予吸収させ、カラムクロマトグラフィーで精製し、明るい茶色の固体として、3-ブロモ-8-メチルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンを得た(12g、純度98%)。
D.8-メチル-3-(2-メチルプロプ-1-エン-1-イル)イミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成:
Figure 0007390211000169
1,4-ジオキサン及び水の5:1の混合物(185mL)中、3-ブロモ-8-メチルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(12g、38.5mmol、1当量)、4,4,5,5-テトラメチル-2-(2-メチルプロプ-1-エン-1-イル)-1,3,2-ジオキサボロラン(10.5g、58mmol、1.5当量)、及び炭酸カリウム(16g、115.5mmol、3当量)の混合物を窒素で15分間注入した。(クロロ(2-ジシクロヘキシルホスフィノ2’,6’-ジメトキシ-1,1’-ビフェニル)[2-(2’-アミノ-1,1’-ビフェニル)]パラジウム(II)(4.16g、5.78mmol、0.15当量)、及び2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニル(2.38g、5.78mmol、0.15当量)を添加し、反応物を36時間還流した。室温まで冷却した後、反応物を水(200mL)で希釈した。相を分離し、水相を酢酸エチルで抽出した(3×200mL)。合わせた有機物相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで粗固体を精製し、明るい茶色の固体として、8-メチル-3-(2-メチルプロプ-1-エン-1-イル)イミダゾ[1,2-f]フェナントリジンを得た(8.5g、収率70%、純度90%)。
E.4,4,7-トリメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの合成:
Figure 0007390211000170
ジクロロメタン(57mL)中、8-メチル-3-(2-メチルプロプ-1-エン-1-イル)イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(1.6g、5.69mmol、1当量)及び無水塩化アルミニウム(3.8g、28.4mmol、5当量)の混合物を室温で16時間撹拌した。反応物をアイスバス中で冷却し、水(10mL)を滴下した。相を分離し、水相をジクロロメタンで抽出した(3×50mL)。合わせた有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーによって、粗固体を精製し、明るい黄色の固体として、4,4,7-トリメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンを得た(1.43g、収率88%、純度98%)。
F.2-ブロモ-4,4,7-トリメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの合成:
Figure 0007390211000171
ジクロロメタン(11mL)中、4,4,7-トリメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン(500mg、1.75mmol、1当量)、及びN-ブロモサクシミド(311mg、1.75mmol、1当量)の混合物を室温で2時間撹拌した。反応物を水(20mL)及びジクロロメタン(10mL)で希釈した。相を分離し、水相をジクロロメタンで抽出した(3×20mL)。合わせた有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで残渣を精製して、明るい茶色の固体として、2-ブロモ-4,4,7-トリメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンを得た(575mg、収率90%、純度97%)。
G.2,4,4,7-テトラメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの合成:
1,4-ジオキサン及び水の10:1の混合物(7mL)中、2-ブロモ-4,4,7-トリメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン(265mg、0.73mmol、1当量)、トリメチルボロキシン(0.6mL、4.4mmol、6当量)及び炭酸カリウム(608mg、4.4mmol、6当量)の混合物を窒素で15分間注入した。(クロロ(2-ジシクロヘキシルホスフィノ2’,6’-ジメトキシ-1,1’-ビフェニル)[2-(2’-アミノ-1,1’-ビフェニル)]パラジウム(II)(108mg、0.15mmol、0.2当量)及び2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニル(62mg、0.15mmol、0.2当量)を添加し、反応物を16時間還流した。室温まで冷却した後、反応物を水(10mL)及び酢酸エチル(10mL)で希釈した。相を分離し、水相を酢酸エチルで抽出した(3×20mL)。合わせた有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、淡黄色の固体として、2,4,4,7-テトラメチル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンを得た(100mg、収率46%、純度95%)。
H.化合物49の合成:
Figure 0007390211000173
化合物49を化合物35と類似の方法で合成し、13mgの黄色粉末を得た(15%)。
実施例8:下記のスキーム8に従って、化合物50の合成を行った。
A.1-クロロフェナントリジン-6-アミンの合成:
Figure 0007390211000175
3-クロロ-2-ヨードアニリン(8.77g、34.6mmol)、CyJohnPhos(0.462g、1.319mmol)、及びPd(CHCN)Cl(0.171g、0.659mmol)の混合物をジオキサン(80ml)中に溶解した。シリンジに介して、トリエチルアミン(13.78ml、99mmol)、4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン(10.04ml、69.2mmol)の順に、溶液に添加した。反応物を4時間還流した。反応物を室温まで冷却し、2-ブロモベンゾニトリル(6g、33.0mmol)、S-PhosPdG2(0.475g、0.659mmol)、S-Phos(0.271g、0.659mmol)、及び炭酸カリウム(9.11g、65.9mmol)の固体混合物を反応混合物に添加し、その後ジオキサン(20ml)及び水(20ml)を添加し、反応物を85℃まで16時間加熱した。粗生成物をDCMで抽出し、真空濾過によって、橙色の油状物を得た。これをTHF(80mL)中に溶解し、水素化ナトリウム(1.978g、49.4mmol)を0℃で添加し、20分間撹拌した。食塩水で反応混合物をクエンチし、DCMで抽出した。エーテルで粉砕し、反応混合物を蒸発させると、オフホワイトの固体として、1-クロロフェナントリジン-6-アミンを得た(収率52%)。
B.8-クロロイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成:
Figure 0007390211000176
1-クロロフェナントリジン-6-アミン(864mg、3.78mmol)、2-クロロアセトアルデヒド(水中50重量%、1.02mL、7.56mmol)、及び重炭酸ナトリウム(635mg、7.56mmol)をiPrOH中で合わせ、1時間還流した。混合物を室温まで冷却し、水に注ぎ、濾過した(収率99%)。
C.8-フェニルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成:
Figure 0007390211000177
8-クロロイミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(955mg、3.78mmol)、フェニルボロン酸(829mg、6.80mmol)、S-PhosPdG2(109mg、0.151mmol)、S-Phos(62.1mg、0.151mmol)、及び炭酸カリウム(522mg、3.78mmol)の混合物を脱気と窒素充填を数回繰り返した。ジオキサン(20ml)及び水(4ml)を添加し、1時間還流した。粗生成物をDCM及び食塩水で抽出し、カラムクロマトグラフィーで精製し、生成物を得た(収率99%)。
D.3-ブロモ-8-フェニルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成:
Figure 0007390211000178
DMF中に、8-フェニルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(1.15mg、3.91mmol)及びNBS(0.765g、4.30mmol)を合わせ、室温で30分間撹拌し、水でクエンチした。得られた固体を濾過し、真空で乾燥し、75%の収率で3-ブロモ-8-フェニルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンを得た。
E.3-(2-メチルプロプ-1-エン-1-イル)-8-フェニルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成:
Figure 0007390211000179
3-ブロモ-8-フェニルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(980mg、2.63mmol)、SPhosPdG2(76mg、0.105mmol)、SPhos(43.1mg、0.105mmol)、及び炭酸カリウム(363mg、2.63mmol)の混合物を脱気と窒素充填を数回繰り返した。トルエン(15ml)、水(3ml)、及び4,4,5,5-テトラメチル-2-(2-メチルプロプ-1-エン-1-イル)-1,3,2-ジオキサボロラン(1.077ml、5.25mmol)を添加し、16時間還流下で加熱した。生成物をDCM及び食塩水で抽出し、カラムクロマトグラフィーで精製し、20%の収率で3-(2-メチルプロプ-1-エン-1-イル)-8-フェニルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジンを得た。
F.4,4-ジメチル-7-フェニル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの合成:
Figure 0007390211000180
DCM中に、3-(2-メチルプロプ-1-エン-1-イル)-8-フェニルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(160mg、0.459mmol)を溶解し、塩化アルミニウム(184mg、1.378mmol)を添加した。反応物を40分間室温で撹拌した。混合物をKOH(aq)/食塩水でクエンチし、DCMで数回抽出した。カラムクロマトグラフィーで生成物を精製し、63%の収率で4,4-ジメチル-7-フェニル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンを得た。
G.化合物50の合成:
実施例4からの(3-フェニル-1H-ピラゾール)Ir(MeOH)(OTf)(0.03g、0.043mmol)及び4,4-ジメチル-7-フェニル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン(0.030g、0.087mmol)を2-エトキシエタノール(0.5ml)中で合わせて、直ちに脱気と窒素充填を3回行い、その後窒素下において、2時間還流下で加熱した。カラムクロマトグラフィーで生成物を精製し、収率56%で化合物50を得た。
実施例9:下記スキーム8に従って、化合物108の合成を行った。
Figure 0007390211000182
A.tert-ブチル(4-((トリイソプロピルシリル)オキシ)フェニル)カルバメートの合成:
Figure 0007390211000183
THF(200mL)中、tert-ブチル(4-ヒドロキシフェニル)カルバメート(26.1g、0.125mol、1当量)の溶液に、トリイソプロピルクロロシラン(32mL、0.15mol、1.2当量)、及びトリエチルアミン(21mL、0.15mol、1.2当量)の順に添加した。反応混合物を室温で16時間撹拌した。反応物を濾過し、固体をTHFで洗浄した(2×30mL)。合わせた濾液を減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、黄色の油状物として、tert-ブチル(4-((トリイソプロピルシリル)オキシ)フェニル)カルバメートを得た(39.66g、収率87%)。
B.4-((トリイソプロピルシリル)オキシ)アニリンの合成:
Figure 0007390211000184
ジクロロメタン(400mL)中、tert-ブチル(4-((トリイソプロピルシリル)オキシ)フェニル)カルバメート(39.66g、0.1085mol、1当量)の溶液に、トリフルオロ酢酸(41.51mL、0.54mol、5当量)を室温で添加した。16時間撹拌した後、減圧下で溶媒を除去した。残渣をトルエンで共沸させた(3×50mL)。粗生成物をシリカ上で精製し、4-((トリイソプロピルシリル)オキシ)アニリンを得た(25g、収率87%)。
C.2,6-ジブロモ-4-((トリイソプロピルシリル)オキシ)アニリンの合成:
Figure 0007390211000185
ジクロロメタン及びメタノールの1:1の混合物(60mL)中、4-((トリイソプロピルシリル)オキシ)アニリン(17g、64.4mmol、1当量)の溶液に、臭素(8.2mL、0.16mol、2.5当量)を0℃で滴下した。反応混合物を室温まで加温させ、16時間撹拌した。反応混合物をジクロロメタン(200mL)で希釈し、1MのNaOH(2×100mL)及び飽和食塩水(2×100mL)で順に洗浄した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮し、茶色の油状物として2,6-ジブロモ-4-((トリイソプロピルシリル)オキシ)アニリンを得て(26.37g、収率97%)、その後使用した。
D.4-ブロモ-8-メトキシ-2-((トリイソプロピルシリル)オキシ)フェナントリジン-6-アミンの合成:
Figure 0007390211000186
トルエン及び水の4:1の混合物(500mL)中、5-メトキシ-2-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)ベンゾニトリル(16.14g、62.3mmol、1当量)、51(26.37g、62.3mmol、1当量)、及びリン酸カリウム(43.04g、0.187mol、3当量)の混合物を窒素で1時間注入した。トランス-Pd(PPhCl(2.8g、3.11mmol、0.05当量)を添加し、反応混合物を20時間還流した。追加の5-メトキシ-2-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)ベンゾニトリル(2.2g、8.5mmol、0.14当量)、及びトランス-Pd(PPhCl(0.3g、0.43mmol、0.0069当量)を添加し、反応混合物を更に4時間還流した。相を分離し、有機相を温水で洗浄した(2×200mL)。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、20%の収率で4-ブロモ-8-メトキシ-2-((トリイソプロピルシリル)オキシ)フェナントリジン-6-アミンを得た。
E.5-ブロモ-3-(2-クロロエチル)-11-メトキシ-7-((トリイソプロピルシリル)オキシ)イミダゾ[1,2-f]フェナントリジンの合成:
Figure 0007390211000187
i-プロパノール(500mL)中、4-ブロモ-8-メトキシ-2-((トリイソプロピルシリル)オキシ)フェナントリジン-6-アミン(5.95g、12.53mmol、1当量)、p-トルエンスルホン酸一水和物(175mg)、及び新たに調製した2(6.67g、62.63mmol、5当量)の懸濁液を室温で2時間撹拌した。炭酸ナトリウム(3.25g、37.6mmol、3当量)及び脱イオン水(12ml)を添加し、反応混合物を16時間還流した。室温まで冷却した後、反応混合物の体積を減圧下で約60mlまで減少させた。混合物を酢酸エチル(300mL)で希釈し、飽和食塩水(200mL)で洗浄した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、5-ブロモ-3-(2-クロロエチル)-11-メトキシ-7-((トリイソプロピルシリル)オキシ)イミダゾ[1,2-f]フェナントリジンを得た(5.53g、収率79%)。
F.10-メトキシ-6-((トリイソプロピルシリル)オキシ)-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの合成:
Figure 0007390211000188
乾燥THF(300mL)中、5-ブロモ-3-(2-クロロエチル)-11-メトキシ-7-((トリイソプロピルシリル)オキシ)イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン(5.53g、9.84mmol、1.0当量)の溶液を窒素で30分間注入した。0℃まで冷却した後、シリンジに介して、THF(7.4mL、14.76mmol、1.5当量)中、2Mのイソプロピルマグネシウムクロライドを滴下した。反応混合物を室温まで加温し、16時間撹拌した。反応物を水(10mL)でクエンチし、THFを減圧下で除去した。残渣をジクロロメタン(500mL)で抽出した。有機相を水で洗浄し(2×200mL)、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、10-メトキシ-6-((トリイソプロピルシリル)オキシ)-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンを得た(3g、収率68%)。
G.10-メトキシ-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-6-オールの合成:
Figure 0007390211000189
THF(100mL)中、10-メトキシ-6-((トリイソプロピルシリル)オキシ)-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン(3g、6.72mmol、1当量)の溶液に、THF(30mL)中、フッ化テトラブチルアンモニウム三水和物を滴下した。室温で16時間撹拌した後、溶媒を減圧下で除去し、残渣をジクロロメタン(80mL)で抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄した(2×100mL)。飽和食塩水で洗浄すると、大きな沈殿物が有機相中に形成し始めた。沈殿物を濾過し、ヘプタンで洗浄し(2×10mL)、10-メトキシ-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-6-オールを得た(1.83g、収率94%)。
H.10-メトキシ-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-6-イル トリフルオロメタンスルホネートの合成:
Figure 0007390211000190
ジクロロメタン(100mL)中、10-メトキシ-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-6-オール(1.79g、6.16mmol、1当量)の混合物に、トリフルオロ酢酸無水物(1.14mL、6.77mmol、1.1当量)及びピリジン(0.744mL、9.24mmol、1.5当量)を0℃で順に添加した。15分間撹拌した後、反応物を室温まで加温し、6時間撹拌した。反応混合物をジクロロメタン(200mL)で希釈し、水で洗浄した(3×100mL)。硫酸ナトリウムで有機相を乾燥し、溶媒を減圧下で除去した。ヘプタン及びジクロロメタンの10:1の混合物(10mL)で、残渣を粉砕し、10-メトキシ-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-6-イル トリフルオロメタンスルホネートを得た(2.17g、収率83%)。
I.10-メトキシ-6-フェニル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの合成:
Figure 0007390211000191
トルエン:1,4-ジオキサン:水の3:1:1の混合物(500mL)中、10-メトキシ-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-6-イル トリフルオロメタンスルホネート(0.65g、1.54mmol、1当量)、フェニルボロン酸(0.188g、1.54mmol、1当量)、及びリン酸カリウム(1.06g、4.62mmol、3当量)の混合物を窒素で1時間注入した。トランス-Pd(PPhCl(54mg、0.077mmol、0.05当量)を添加し、反応混合物を16時間還流した。反応混合物をジクロロメタン(200mL)で希釈した。有機相を温水で洗浄し(2×100mL)、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮し、10-メトキシ-6-フェニル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンを得た(0.527g、収率97%)。
J.6-フェニル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-10-オールの合成:
Figure 0007390211000192
ジクロロメタン(100mL)中、10-メトキシ-6-フェニル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの溶液(0.527g、1.5mmol、1当量)に、ジクロロメタン中、1Mの三臭化ホウ素(7.5mL、7.5mmol、5当量)を-78℃で滴下した。反応物を室温まで加温させ、16時間撹拌した。反応混合物を注意深く氷水(150mL)に注ぎ、得られた固体を濾過し、水(30ml)及びヘプタン(10mL)の順に洗浄し、6-フェニル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-10-オールを得た(0.47g、収率93%)。
K.10-((9-(4-イソプロピルピリジン-2-イル)-9H-カルバゾール-2-イル)オキシ)-6-フェニル-3,4-ジヒドロ-ジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンの合成:
Figure 0007390211000193
DMSO(50mL)中、2-ブロモ-9-(4-イソプロピルピリジン-2-イル)-9H-カルバゾール(0.528g、1.446mmol、1当量)、6-フェニル-3,4-ジヒドロジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン-10-オール(0.486g、1.446mmol、1当量)、リン酸カリウム(1.67g、7.23mmol、5当量)、ヨウ化銅(I)(0.138g、0.723mmol、0.5当量)、及びピコリン酸(0.445g、3.62mmol、2.5当量)の混合物を150℃で4.5時間加熱した。室温まで冷却した後、反応混合物を水(300mL)に注ぎ、酢酸エチルで抽出した(4×100mL)。合わせた有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、黄褐色の固体として、10-((9-(4-イソプロピルピリジン-2-イル)-9H-カルバゾール-2-イル)オキシ)-6-フェニル-3,4-ジヒドロ-ジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジンを得た(0.55g、収率61%)。
L.化合物108の合成:
氷酢酸(60mL)中、10-((9-(4-イソプロピルピリジン-2-イル)-9H-カルバゾール-2-イル)オキシ)-6-フェニル-3,4-ジヒドロ-ジベンゾ[b,ij]イミダゾ[2,1,5-de]キノリジン(350mg、0.564mmol、1当量)の溶液をアルゴンで40分間注入した。KPtCl(234mg、0.564mmol、1当量)を添加し、反応混合物を16時間還流した。室温まで冷却した後、黄緑がかった沈殿物を濾過し、水(4×15mL)及びヘプタン(2×10mL)の順に洗浄し、真空下、20℃で18時間乾燥した。粗生成物をジクロロメタン(500mL)中に溶解し、シリカゲル10g)のプラグに通して、残っているKPtClを除去した。溶媒を減圧下で除去した。ジクロロメタン及びヘプタンの1:1の混合物(20mL)で残渣を粉砕し、濾過し、ジクロロメタンで洗浄し(2×3mL)、化合物108を得た(40mg、収率8.7%、収率、83.2%)。
考察:金属が配位されたイミダゾフェナントリジン配位子の1つの実施形態の一般構造を下記に示す。コンピュータ上での検証において、興味ある結合は、4つの炭素-窒素(C-N)単結合である。これらは、窒素が3つのC-Nの単結合を有するC-N、C-N、及びC-Nph、及び窒素が金属に配位しているC-Nとしてラベルされる。
Figure 0007390211000195
ハイブリッドB3LYPファンクショナル(hybrid B3LYP functional)及びCEP-31g有効コアポテンシャル基底関数系を用いてGaussian09ソフトウェアパッケージにおいて、全ての錯体及び配位子のジオメトリー最適化を行った。結果及び考察において特段に述べられていない限り、全ての結果はこの方法を用いる。
結合を切断し、イミダゾフェナントリジン配位子にジラジカル種を形成することで、結合強度を算出した。通常、三重項状態は、ジラジカル一重項よりもエネルギーが低く、それによって結合が切断されたときに生成物が多く形成されるので、結合が切断されたジラジカル種を三重項状態として算出した。B3LYP/6-31g(d)レベルで算出を行い、熱力学によって、基底状態一重項→結合が切断された三重項及び最も低いエネルギー三重項(励起状態)→結合が切断された三重項と示した。
最も低い三重項励起状態(T1)の算出されたTD-DFT値も理論のB3LYP/CEP-31gレベルで行ったが、実験結果をより良好に調和させるように示す溶媒として、THFを用いたCPCM連続溶媒範囲が挙げられる。
結合強度の算出を下記の化合物で行った。
比較化合物1
Figure 0007390211000196
比較化合物2
Figure 0007390211000197
比較化合物3
Figure 0007390211000198
比較化合物4
Figure 0007390211000199
比較化合物5
Figure 0007390211000200
比較化合物6
Figure 0007390211000201
比較化合物7
Figure 0007390211000202
比較化合物8
Figure 0007390211000203
比較配位子1
Figure 0007390211000204
算出された結合強度を表1に示す。
表1は、一連の比較例及び発明化合物1の算出された結合強度を示す。同一セル上で2つの数字が見られる場合、上の数字は、励起状態の三重項→結合が切断された三重項との間の熱力学的差を示す。下の数字は、基底状態一重項→結合が切断された三重項を表す。セル上に数字が1つしかない場合、三重項→三重項結合強度(T→T)を示す。比較化合物1~4の全てにおいて、C-N結合は最も弱い結合であることが示される。基底状態一重項と比較して、励起された三重項状態において、結合強度がより弱いことが分かる。これは、励起状態のエネルギーを有する錯体が、出発点として、一般的に切断された状態のより高いエネルギー結合に利用可能であるからである。幾つかの場合においては、比較化合物2及び3に示されるように、結合が切断された状態は、最初の三重項状態よりもエネルギーが低い。したがって、結合が切断される現象は、熱力学的に好ましい又は発熱であると考えられることができる。比較化合物1と比較化合物2及び3を比較して分かるように、アリール置換がC-N結合の炭素原子に加えられると、結合強度が減少することが分かる。この効果は、アリール置換によって安定化された、結合が切断された場所においてラジカル種の共鳴安定化によるものであることができる。
式(1a)の“A”に示されるように、弱いC-N結合の安定化は、C-Nの炭素と隣接した縮合アリール環上の炭素と結合する連結置換によって達成されることができる。この連結基は、フェナントリジン環系の2つの炭素を渡ってブリッジを形成するための適切な構造ジオメトリーを提供する元素を含むことが好ましく、それによって得られた配位子及び錯体の三重項エネルギーを低減することなく、C-N結合を安定化させる必要な剛直性を提供する。
安定化リンカーの効果は、発明化合物1の表1に示される。ここで、三重項C-N結合強度は、類似体比較化合物1の11.81kcal/molから、発明化合物の35.38kcal/molへ、熱力学的結合強度が20kcal/mol超の増加をもって大幅に改善した。2つの炭素が連結する置換基は、配位子が、CN結合が切断された状態の適切な緩和ジオメトリーを得られないようにする。重要な事として、発明化合物1及び比較化合物1はいずれも、計算によれば468nmの同じ三重項エネルギーを有していることから、三重項エネルギーは、この置換によって影響されない。
最小化された発明例1の、結合が切断されていないジオメトリー及び結合が切断されたジオメトリーは、図3a及び図3bに示される。結合が切断されたジオメトリーは、イミダゾフェナントリジン配位子の縮合環系の環ひずみを緩和する。結合している置換は、発明化合物1に示されているように、結合が切断された緩和ジオメトリーを防ぎ、それによってC-N結合の熱力学的結合強度を高める。
C-N結合の弱さの更なる実験的根拠は、マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析(MALDI-MS)によって示される。MALDI-MSを用いて、分子の励起状態における結合の弱さを調べることができる。光化学的な安定性の測定として、MALDI-MSは、帯電及び励起状態が存在しているOLEDデバイス中で見られる幾つかの状態について、モデル化を行うことができると考えられている。図3は、比較化合物3をネガティブモードで捉えたMALDI-MSを示す。親イオンのピークは、1529amuで確認される。しかし、最も高い強度のピークは、1275amuで確認される。この質量は、イミダゾール環が2つの炭素及びターフェニル置換の質量を失った比較化合物3のフラグメントに対応する。示されたフラグメントの構造を図3に示す。このフラグメントがイリジウムを含み、示されたフラグメントの化学式と一致していることが同位体パターンによって確認される。更に、図4に示されるように、1083amuで、フラグメントが配位子を損失することが確認され、1020amuで、2つの配位子においてイミダゾール環の分解が確認された。このデータによって、主要なフラグメントの形成は、計算により、弱い結合と考えられるC-N結合の切断が必要であることが示唆される。
発明の化合物の光物理特性
発明化合物の測定された光物理特性は、下記表2に示される。室温及び77Kにおいて、かなり希釈された濃度での2-メチルテトラヒドロフラン溶媒中にて、錯体を測定した。1重量%ポリメチルメタクリレート(PMMA)固相マトリックス、又は0.4重量%ポリスチレン(PS)固相マトリックス中で、キセノンランプ、積分球、及びフォトニックマルチチャンネル分析器モデルC10027を装備した浜松C9920システムを用い、フォトルミネセンス量子収率(PLQY、ΦPL)を測定した。励起源として335nmのナノLEDを用いたIBHデータステーションハブで積算したHoriba Jobin Yvon社のFluorolog-3を用いて、時間相関単一光子計数法によりPLの過渡測定(τ)を行った。
表2
化合物35を測定し、深い青色発光を表し、451nmの77Kで最も高いエネルギーを表すが、錯体のPLQYは、僅か5%である。配位子に対する修飾がどのようにPLQYを改善するために使われることができるかが、化合物49によって実証される。イミダゾール環上のメチル置換は、エチレンブリッジされていないフェナントリジンイミダゾール類似体のPLQYを改善することが分かってきている。更に、外側のフェニル環上のメチル置換は、計算によって、メチル置換基と隣接するアリール環上のプロトンの立体的作用により、配位子の配位挟角に影響することが示される。この立体効果は、配位している場所が金属に更に近く結合することができる、ブリッジされていない配位子のジオメトリーに対して、フェナントリジンイミダゾール多環系ジオメトリーが近くなるように押す。配位子のジオメトリーにおける微妙な変化は、金属と、中性の配位窒素との間のより強い相互作用を可能にし、それによって金属―窒素の結合強度を改善する。金属―窒素結合の非輻射減衰を低減させることで、より強い金属―窒素の結合強度が錯体の放射効率を改善することができると考えられている。したがって、両方のメチル置換は、化合物35と比較して、化合物49のPLQYを高めることをもたらすであろう。化合物49を測定したところ、PMMAマトリックス中で62%のPLQYを有し、これは、ブリッジされていない類似体であり、且つ68%のPLQYを有すると測定される比較化合物6のPLQY値に極めて近い。更に、化合物35の5.1マイクロ秒の励起状態の寿命と比べて、化合物49は、77Kで2.9マイクロ秒と更に短い励起状態の寿命を有すると測定される。これは、これらのメチル置換基が化合物49の放射特性を改善したことを実証する。
フェニルピラゾール配位子(ppz)を有するヘテロレプティック例である化合物48、及び化合物50を測定したところ、青色発光を示したが、PLQYは低かった。しかし、ブリッジされていない参照化合物である比較化合物8も測定したところ、14%の低いPLQYを示した。低い効率は、ピラゾール配位子の弱い金属-窒素結合によるものであると考えられている。この仮説を更に支持するために、トリスIr(ppz)は、室温の溶液中で非発光であり、77Kでかなりの発光性であることが文献中に示されてきた。室温での非放射効率は、弱い金属―窒素結合に起因する。
ブリッジされたフェナントリジンイミダゾール配位子を有するプラチナ錯体も、深い青色発光を有するかなり高い発光性があることが分かる。光学的に不活性なポリスチレンマトリックス中において、化合物105及び比較化合物7は、いずれも測定したところ、それぞれ85%及び87%の高いPLQY値を示した。イリジウム類似体である化合物49に記載されているように、プラチナ錯体は、イリジウムと比較して、相対的に強いプラチナ-窒素結合強度のために、PLQYを改善するための配位子の修飾を必要としないらしい。
当業者であれば、広い発明思想を逸脱することなく、上記に示され、記載された例示的な実施形態の変更を行うことは想像されるであろう。したがって、本発明は、提示され、記載された例示的な実施形態に制限されず、請求項によって規定された本発明の主旨及び範囲内において、変更が及ぶことが意図されることが理解される。例えば、例示的な実施形態の特徴は、主張された発明の一部であってもなくてもよく、開示された実施形態の特徴は、組み合わせてもよい。特段の記載がない限り、用語「a」、「an」、及び「the」は、1つのエレメントに限定されず、代わりに「少なくとも1つの」という意味で読まれることもある。
発明の図面及び記載の一部は、発明の明確な理解に関連しているエレメントに着目するために単純化され、一方、明確にするために、当業者が予期するであろう他のエレメントが除外されているものも本発明の一部分を含むことがある。しかし、このようなエレメントは、この分野においては公知であり、発明の更なる理解を促進する必要がないため、このようなエレメントの記載は、本明細書においては提供されない。
更に、本発明のいずれの方法も、本明細書中に記載されている工程の特定の順番に依存しない範囲においては、工程の特定の順番は、請求項の制限として解釈されるべきでない。このような方法に指示された請求項は、記載された順番における工程の性質に制限されるべきではなく、当業者であれば、この工程が、本発明の主旨及び範囲内において変更し、維持してもよい事を容易に想像することができる。
本明細書中に記載される刊行物、特許出願、及び特許を含む全ての文献は、それぞれの文献が個々に且つ具体的に参照により組み込まれ、本明細書中にその全内容が記載されているものとされる。
米国特許第4,769,292号明細書 米国特許第6,303,238号明細書 米国特許第6,310,360明細書 米国特許第6,830,828号明細書 米国特許第6,835,469号 米国特許出願公開第2002/0182441号 WO2002/074015号 米国特許第5,844,363号明細書 米国特許第5,707,745号明細書 米国特許第7,279,704号
100 有機発光デバイス
110 基板
115 アノード
120 正孔注入層
125 正孔輸送層
130 電子ブロッキング層
135 発光層
140 正孔ブロッキング層
145 電子輸送層
150 電子注入層
155 保護層
160 カソード
162 第一の導電層
164 第二の導電層
200 反転させたOLED、デバイス
210 基板
215 カソード
220 発光層
225 正孔輸送層
230 アノード

Claims (5)

  1. 下記式1の構造(LMLで表される化合物を含有することを特徴とする発光材料
    式中、Mは、Irであり、nは、1~3の整数であり、mは、0~2の整数であり;
    配位子Lが下記からなる群から選択され;
    前記配位子Lが、下記からなる群から選択される。
    (式中、X~X13は、それぞれ独立して、炭素及び窒素からなる群から選択され;
    Xは、BR’、NR’、PR’、O、S、Se、C=O、S=O、SO、CR’R’’、SiR’R’’、及びGeR’R’’からなる群から選択され;
    R’及びR’’は、縮合又は結合して、環を形成してもよく;
    、R、R、及びRは、それぞれ、モノ置換から可能な最大数の置換を表す、又は無置換を表し;
    R’、R’’、R、R、R、及びRは、それぞれ独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
    、R、R、及びRの任意の2つの隣接する置換基は、縮合又は結合し、環を形成する、又は多座配位子を形成してもよい。)
  2. 前記配位子Lが下記からなる群から選択される請求項1に記載の発光材料
  3. アノードと;
    カソードと;
    前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機層であって、前記有機層が請求項1から2のいずれかに記載の発光材料を含む有機層とを含むことを特徴とする有機発光デバイス(OLED)。
  4. 消費者製品、電子部品モジュール、及び照明パネルからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる請求項3に記載のOLED。
  5. 請求項1から2のいずれかに記載の発光材料を含むことを特徴とする組成物。
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Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5604505B2 (ja) 2009-04-06 2014-10-08 アリゾナ ボード オブ リージェンツ アクティング フォー アンド オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ 四配位白金錯体の合成およびそれらの発光デバイスへの応用
JP2013530135A (ja) 2010-04-30 2013-07-25 アリゾナ ボード オブ リージェンツ アクティング フォー アンド オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ 四配位パラジウム錯体の合成およびその発光素子におけるその適用
DE102010055901A1 (de) * 2010-12-23 2012-06-28 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
TWI541247B (zh) 2011-02-18 2016-07-11 美國亞利桑那州立大學董事會 具有幾何失真電荷轉移態之四配位鉑及鈀錯合物及彼等於發光裝置中之應用
WO2012162488A1 (en) 2011-05-26 2012-11-29 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Synthesis of platinum and palladium complexes as narrow-band phosphorescent emitters for full color displays
WO2014031977A1 (en) 2012-08-24 2014-02-27 Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University Metal compounds and methods and uses thereof
US10957870B2 (en) 2012-09-07 2021-03-23 Universal Display Corporation Organic light emitting device
WO2014047616A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University Metal compounds, methods, and uses thereof
WO2014109814A2 (en) 2012-10-26 2014-07-17 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Metal complexes, methods, and uses thereof
CN110003279A (zh) 2013-06-10 2019-07-12 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会 具有改进的发射光谱的磷光四齿金属络合物
US20150028290A1 (en) * 2013-07-25 2015-01-29 Universal Display Corporation Heteroleptic osmium complex and method of making the same
JP6804823B2 (ja) 2013-10-14 2020-12-23 アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティーArizona Board of Regents on behalf of Arizona State University 白金錯体およびデバイス
US10020455B2 (en) 2014-01-07 2018-07-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complex emitters containing phenyl-pyrazole and its analogues
WO2015131158A1 (en) 2014-02-28 2015-09-03 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Chiral metal complexes as emitters for organic polarized electroluminescent devices
EP3140871B1 (en) 2014-05-08 2018-12-26 Universal Display Corporation Stabilized imidazophenanthridine materials
US10301338B2 (en) 2014-05-08 2019-05-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10403830B2 (en) 2014-05-08 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10636983B2 (en) 2014-05-08 2020-04-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9941479B2 (en) 2014-06-02 2018-04-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate cyclometalated platinum complexes containing 9,10-dihydroacridine and its analogues
US9923155B2 (en) 2014-07-24 2018-03-20 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) complexes cyclometalated with functionalized phenyl carbene ligands and their analogues
US9502671B2 (en) 2014-07-28 2016-11-22 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tridentate cyclometalated metal complexes with six-membered coordination rings
US9818959B2 (en) 2014-07-29 2017-11-14 Arizona Board of Regents on behlaf of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent emitters containing tridentate ligands
WO2016025921A1 (en) 2014-08-15 2016-02-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Non-platinum metal complexes for excimer based single dopant white organic light emitting diodes
US11329244B2 (en) 2014-08-22 2022-05-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Organic light-emitting diodes with fluorescent and phosphorescent emitters
US9920242B2 (en) 2014-08-22 2018-03-20 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent materials as co-host materials for fluorescent OLEDs
US9865825B2 (en) 2014-11-10 2018-01-09 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Emitters based on octahedral metal complexes
US10033003B2 (en) 2014-11-10 2018-07-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate metal complexes with carbon group bridging ligands
KR102584846B1 (ko) * 2015-05-05 2023-10-04 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기 전계발광 재료 및 디바이스
WO2016181705A1 (ja) * 2015-05-11 2016-11-17 日本放送協会 有機薄膜および有機薄膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池、薄膜トランジスタ、塗料組成物
US9711739B2 (en) 2015-06-02 2017-07-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate metal complexes containing indoloacridine and its analogues
US9879039B2 (en) 2015-06-03 2018-01-30 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate and octahedral metal complexes containing naphthyridinocarbazole and its analogues
US11930662B2 (en) 2015-06-04 2024-03-12 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Transparent electroluminescent devices with controlled one-side emissive displays
US10158091B2 (en) 2015-08-04 2018-12-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) and palladium (II) complexes, devices, and uses thereof
CN108886856B (zh) * 2016-03-29 2020-04-10 夏普株式会社 有机el显示装置和有机el显示装置的制造方法
US11335865B2 (en) 2016-04-15 2022-05-17 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University OLED with multi-emissive material layer
US10672997B2 (en) 2016-06-20 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10177323B2 (en) 2016-08-22 2019-01-08 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) and palladium (II) complexes and octahedral iridium complexes employing azepine functional groups and their analogues
KR20210083134A (ko) 2016-10-12 2021-07-06 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 협대역 적색 인광성 4좌 백금(ii) 착물
KR101947622B1 (ko) 2016-11-30 2019-02-14 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
CN110036013B (zh) * 2016-11-30 2022-04-12 Lt素材株式会社 杂环化合物以及使用此杂环化合物的有机发光装置
US11183670B2 (en) 2016-12-16 2021-11-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Organic light emitting diode with split emissive layer
US11152579B2 (en) 2016-12-28 2021-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2020504762A (ja) 2017-01-04 2020-02-13 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンスデバイス用の材料
KR102557209B1 (ko) * 2017-01-20 2023-07-18 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기 전계발광 재료 및 디바이스
US10964904B2 (en) * 2017-01-20 2021-03-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2018140765A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Jian Li Metal-assisted delayed fluorescent emitters employing pyrido-pyrrolo-acridine and analogues
US11084838B2 (en) 2017-04-21 2021-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and device
US10975113B2 (en) 2017-04-21 2021-04-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862055B2 (en) * 2017-05-05 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11101435B2 (en) 2017-05-19 2021-08-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complexes based on biscarbazole and analogues
US10516117B2 (en) 2017-05-19 2019-12-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent emttters employing benzo-imidazo-phenanthridine and analogues
US11725022B2 (en) 2017-06-23 2023-08-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11552261B2 (en) 2017-06-23 2023-01-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11814403B2 (en) 2017-06-23 2023-11-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11802136B2 (en) 2017-06-23 2023-10-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11832510B2 (en) 2017-06-23 2023-11-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11744142B2 (en) * 2017-08-10 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11910699B2 (en) 2017-08-10 2024-02-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11605791B2 (en) 2017-09-01 2023-03-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11696492B2 (en) 2017-09-07 2023-07-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN109490404B (zh) * 2017-09-11 2020-09-29 中国科学院化学研究所 金属-氮掺杂多孔碳材料在质谱分析检测中的应用
WO2019079505A1 (en) 2017-10-17 2019-04-25 Jian Li HOLES LOCKING MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODES
US11594688B2 (en) 2017-10-17 2023-02-28 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Display and lighting devices comprising phosphorescent excimers with preferred molecular orientation as monochromatic emitters
KR102298231B1 (ko) 2017-10-19 2021-09-07 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102518722B1 (ko) * 2017-11-21 2023-04-07 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR20200089668A (ko) * 2017-11-29 2020-07-27 미쯔비시 케미컬 주식회사 이리듐 착물 화합물, 그 화합물 및 용제를 함유하는 조성물, 그 화합물을 함유하는 유기 전계 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치
EP3492480B1 (en) * 2017-11-29 2021-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11700765B2 (en) * 2018-01-10 2023-07-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11081659B2 (en) * 2018-01-10 2021-08-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102637103B1 (ko) * 2018-01-23 2024-02-20 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물
CN108530320B (zh) * 2018-06-05 2020-12-01 合肥碳艺科技有限公司 一种非热等离子体法制备六氰基苯的方法
US11476430B2 (en) 2018-10-15 2022-10-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11737349B2 (en) 2018-12-12 2023-08-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11878988B2 (en) 2019-01-24 2024-01-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Blue phosphorescent emitters employing functionalized imidazophenthridine and analogues
US11594691B2 (en) 2019-01-25 2023-02-28 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Light outcoupling efficiency of phosphorescent OLEDs by mixing horizontally aligned fluorescent emitters
KR20200116036A (ko) * 2019-03-26 2020-10-08 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기 전계발광 물질 및 디바이스
JP2020158491A (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス
US20210040129A1 (en) * 2019-08-08 2021-02-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN110577513A (zh) * 2019-08-28 2019-12-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 电致发光材料、电致发光材料的制备方法及发光器件
US20210066617A1 (en) * 2019-08-30 2021-03-04 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device and electronic apparatus including the same
US11785838B2 (en) 2019-10-02 2023-10-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Green and red organic light-emitting diodes employing excimer emitters
US20210175443A1 (en) * 2019-12-09 2021-06-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230006153A1 (en) * 2020-05-14 2023-01-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11945985B2 (en) 2020-05-19 2024-04-02 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal assisted delayed fluorescent emitters for organic light-emitting diodes
CN113717229B (zh) * 2020-05-26 2022-08-19 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 含oncn四齿配体的铂配合物及其在有机发光二极管中的应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009526071A (ja) 2006-02-10 2009-07-16 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション シクロメタル化したイミダゾ[1,2−f]フェナントリジン及びジイミダゾ[1,2−a:1’,2’−c]キナゾリン配位子並びにそれらの等電子及びベンゾ縮合類縁体の金属錯体
JP2012004529A (ja) 2010-01-15 2012-01-05 Fujifilm Corp 有機電界発光素子

Family Cites Families (176)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US4996523A (en) 1988-10-20 1991-02-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent storage display with improved intensity driver circuits
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JP2780880B2 (ja) 1990-11-28 1998-07-30 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子を用いた発光装置
JP3236332B2 (ja) 1991-01-29 2001-12-10 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2784615B2 (ja) 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
JPH06212153A (ja) 1993-01-14 1994-08-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3063453B2 (ja) 1993-04-16 2000-07-12 凸版印刷株式会社 有機薄膜el素子の駆動方法
DE69412567T2 (de) 1993-11-01 1999-02-04 Hodogaya Chemical Co Ltd Aminverbindung und sie enthaltende Elektrolumineszenzvorrichtung
JPH07134558A (ja) 1993-11-08 1995-05-23 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US6137467A (en) 1995-01-03 2000-10-24 Xerox Corporation Optically sensitive electric paper
US6939625B2 (en) 1996-06-25 2005-09-06 Nôrthwestern University Organic light-emitting diodes and methods for assembly and enhanced charge injection
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
JPH11111463A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US6528187B1 (en) 1998-09-08 2003-03-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Material for luminescence element and luminescence element using the same
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP2000196140A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
JP4408477B2 (ja) 1999-04-01 2010-02-03 大日本印刷株式会社 El素子
JP4420486B2 (ja) 1999-04-30 2010-02-24 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US6310360B1 (en) 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
JP4729154B2 (ja) 1999-09-29 2011-07-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
US6458475B1 (en) 1999-11-24 2002-10-01 The Trustee Of Princeton University Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter
JP4407776B2 (ja) 1999-12-02 2010-02-03 淳二 城戸 電界発光素子
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
JP4144192B2 (ja) 2000-05-29 2008-09-03 三菱化学株式会社 有機電界発光素子の製造方法
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
JP2002050860A (ja) 2000-08-04 2002-02-15 Toray Eng Co Ltd 実装方法および実装装置
CN102041001B (zh) 2000-08-11 2014-10-22 普林斯顿大学理事会 有机金属化合物和发射转换有机电致磷光
US6939624B2 (en) 2000-08-11 2005-09-06 Universal Display Corporation Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
US6579630B2 (en) 2000-12-07 2003-06-17 Canon Kabushiki Kaisha Deuterated semiconducting organic compounds used for opto-electronic devices
JP3812730B2 (ja) 2001-02-01 2006-08-23 富士写真フイルム株式会社 遷移金属錯体及び発光素子
JP3972588B2 (ja) 2001-02-26 2007-09-05 淳二 城戸 有機電界発光素子
JP4307000B2 (ja) 2001-03-08 2009-08-05 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
EP1374320B1 (en) 2001-03-14 2020-05-06 The Trustees Of Princeton University Materials and devices for blue phosphorescence based organic light emitting diodes
JP4310077B2 (ja) 2001-06-19 2009-08-05 キヤノン株式会社 金属配位化合物及び有機発光素子
EP1407501B1 (en) 2001-06-20 2009-05-20 Showa Denko K.K. Light emitting material and organic light-emitting device
US7071615B2 (en) 2001-08-20 2006-07-04 Universal Display Corporation Transparent electrodes
US7250226B2 (en) 2001-08-31 2007-07-31 Nippon Hoso Kyokai Phosphorescent compound, a phosphorescent composition and an organic light-emitting device
US7431968B1 (en) 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
US7166368B2 (en) 2001-11-07 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds
JP3835263B2 (ja) 2001-11-22 2006-10-18 株式会社豊田自動織機 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの電子受容性ドーパント層の形成方法及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
JP3742054B2 (ja) 2001-11-30 2006-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US6863997B2 (en) 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
KR100691543B1 (ko) 2002-01-18 2007-03-09 주식회사 엘지화학 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
JP2003217862A (ja) 2002-01-18 2003-07-31 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6878975B2 (en) 2002-02-08 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Polarization field enhanced tunnel structures
US20030230980A1 (en) 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
US7189989B2 (en) 2002-08-22 2007-03-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light emitting element
CN100439469C (zh) 2002-08-27 2008-12-03 富士胶片株式会社 有机金属配位化合物、有机el元件及有机el显示器
US6687266B1 (en) 2002-11-08 2004-02-03 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
JP4365196B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-18 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP4365199B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-18 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP5095206B2 (ja) 2003-03-24 2012-12-12 ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア イリジウム(Ir)のフェニル及びフルオレニル置換フェニル−ピラゾール錯体
US7090928B2 (en) 2003-04-01 2006-08-15 The University Of Southern California Binuclear compounds
WO2004093207A2 (de) 2003-04-15 2004-10-28 Covion Organic Semiconductors Gmbh Mischungen von organischen zur emission befähigten halbleitern und matrixmaterialien, deren verwendung und elektronikbauteile enthaltend diese mischungen
US7029765B2 (en) 2003-04-22 2006-04-18 Universal Display Corporation Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage
US6936961B2 (en) 2003-05-13 2005-08-30 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers
JP4673744B2 (ja) 2003-05-29 2011-04-20 新日鐵化学株式会社 有機電界発光素子
US20040247933A1 (en) * 2003-06-03 2004-12-09 Canon Kabushiki Kaisha Bipolar asymmetric carbazole-based host materials for electrophosphorescent guest-host OLED systems
JP2005011610A (ja) 2003-06-18 2005-01-13 Nippon Steel Chem Co Ltd 有機電界発光素子
US20050025993A1 (en) 2003-07-25 2005-02-03 Thompson Mark E. Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
TWI390006B (zh) 2003-08-07 2013-03-21 Nippon Steel Chemical Co Organic EL materials with aluminum clamps
DE10338550A1 (de) 2003-08-19 2005-03-31 Basf Ag Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs)
DE10339772B4 (de) 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US20060269780A1 (en) 2003-09-25 2006-11-30 Takayuki Fukumatsu Organic electroluminescent device
DE10350722A1 (de) * 2003-10-30 2005-05-25 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
JP4243237B2 (ja) 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法
JP4822687B2 (ja) 2003-11-21 2011-11-24 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP5137292B2 (ja) 2003-12-26 2013-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置および電気器具
US7332232B2 (en) 2004-02-03 2008-02-19 Universal Display Corporation OLEDs utilizing multidentate ligand systems
CA2556934C (en) * 2004-02-20 2018-05-22 James F. Dempsey System for delivering conformal radiation therapy while simultaneously imaging soft tissue
EP2325191A1 (en) 2004-03-11 2011-05-25 Mitsubishi Chemical Corporation Composition for charge-transporting film and ion compound, charge-transporting film and organic electroluminescent device using same
TW200531592A (en) 2004-03-15 2005-09-16 Nippon Steel Chemical Co Organic electroluminescent device
JP4869565B2 (ja) 2004-04-23 2012-02-08 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US7393599B2 (en) 2004-05-18 2008-07-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
US7445855B2 (en) 2004-05-18 2008-11-04 The University Of Southern California Cationic metal-carbene complexes
US7534505B2 (en) 2004-05-18 2009-05-19 The University Of Southern California Organometallic compounds for use in electroluminescent devices
US7491823B2 (en) 2004-05-18 2009-02-17 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US7154114B2 (en) 2004-05-18 2006-12-26 Universal Display Corporation Cyclometallated iridium carbene complexes for use as hosts
JP4894513B2 (ja) 2004-06-17 2012-03-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR101272490B1 (ko) 2004-06-28 2013-06-07 시바 홀딩 인크 트리아졸 및 벤조트리아졸을 갖는 전계발광 금속 착물
US20060008670A1 (en) 2004-07-06 2006-01-12 Chun Lin Organic light emitting materials and devices
EP1784056B1 (en) 2004-07-23 2011-04-13 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device, display and illuminating device
DE102004057072A1 (de) 2004-11-25 2006-06-01 Basf Ag Verwendung von Übergangsmetall-Carbenkomplexen in organischen Licht-emittierenden Dioden (OLEDs)
WO2006072002A2 (en) 2004-12-30 2006-07-06 E.I. Dupont De Nemours And Company Organometallic complexes
GB2437453B (en) 2005-02-04 2011-05-04 Konica Minolta Holdings Inc Material for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, display device and lighting device
KR100803125B1 (ko) 2005-03-08 2008-02-14 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
WO2006098120A1 (ja) 2005-03-16 2006-09-21 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102005014284A1 (de) 2005-03-24 2006-09-28 Basf Ag Verwendung von Verbindungen, welche aromatische oder heteroaromatische über Carbonyl-Gruppen enthaltende Gruppen verbundene Ringe enthalten, als Matrixmaterialien in organischen Leuchtdioden
WO2006103874A1 (ja) 2005-03-29 2006-10-05 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2006114966A1 (ja) 2005-04-18 2006-11-02 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US7807275B2 (en) 2005-04-21 2010-10-05 Universal Display Corporation Non-blocked phosphorescent OLEDs
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
US8007927B2 (en) 2007-12-28 2011-08-30 Universal Display Corporation Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
JP4533796B2 (ja) 2005-05-06 2010-09-01 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
CN103435436A (zh) 2005-05-31 2013-12-11 通用显示公司 发射磷光的二极管中的苯并[9,10]菲基质
WO2006132173A1 (ja) 2005-06-07 2006-12-14 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. 有機金属錯体及びこれを用いた有機電界発光素子
WO2007002683A2 (en) 2005-06-27 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions
JP5076891B2 (ja) 2005-07-01 2012-11-21 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP4995470B2 (ja) * 2005-07-20 2012-08-08 エスアイアイ・プリンテック株式会社 インクジェットヘッドおよびインクジェット記録装置
WO2007028417A1 (en) 2005-09-07 2007-03-15 Technische Universität Braunschweig Triplett emitter having condensed five-membered rings
JP4887731B2 (ja) 2005-10-26 2012-02-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
EP1956666A4 (en) 2005-12-01 2010-06-16 Nippon Steel Chemical Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT
CN102633820B (zh) 2005-12-01 2015-01-21 新日铁住金化学株式会社 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件
JP4823730B2 (ja) 2006-03-20 2011-11-24 新日鐵化学株式会社 発光層化合物及び有機電界発光素子
JP5186365B2 (ja) 2006-04-26 2013-04-17 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2018090A4 (en) 2006-05-11 2010-12-01 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE
KR20090016684A (ko) 2006-06-02 2009-02-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자용 재료 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
WO2008023549A1 (fr) 2006-08-23 2008-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dérivés d'amines aromatiques et dispositifs électroluminescents organiques fabriqués à l'aide de ces dérivés
JP5589251B2 (ja) 2006-09-21 2014-09-17 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料
US8062769B2 (en) 2006-11-09 2011-11-22 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Indolocarbazole compound for use in organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
CN103254113A (zh) 2006-11-24 2013-08-21 出光兴产株式会社 芳香族胺衍生物及使用其的有机电致发光元件
US8119255B2 (en) 2006-12-08 2012-02-21 Universal Display Corporation Cross-linkable iridium complexes and organic light-emitting devices using the same
US8778508B2 (en) 2006-12-08 2014-07-15 Universal Display Corporation Light-emitting organometallic complexes
EP2112994B1 (en) 2007-02-23 2011-01-26 Basf Se Electroluminescent metal complexes with benzotriazoles
JP5081010B2 (ja) 2007-03-26 2012-11-21 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
EP2150556B1 (de) 2007-04-26 2011-01-12 Basf Se Silane enthaltend phenothiazin-s-oxid oder phenothiazin-s,s-dioxid-gruppen und deren verwendung in oleds
JP5256485B2 (ja) * 2007-05-16 2013-08-07 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2008156879A1 (en) * 2007-06-20 2008-12-24 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
EP2170911B1 (en) 2007-06-22 2018-11-28 UDC Ireland Limited Light emitting cu(i) complexes
JP5675349B2 (ja) 2007-07-05 2015-02-25 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se カルベン遷移金属錯体発光体、ならびにジシリルカルバゾール、ジシリルジベンゾフラン、ジシリルジベンゾチオフェン、ジシリルジベンゾホスホール、ジシリルジベンゾチオフェンs−オキシドおよびジシリルジベンゾチオフェンs,s−ジオキシドから選択される少なくとも1つの化合物を含む有機発光ダイオード
TW200909560A (en) 2007-07-07 2009-03-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence devcie
TW200911730A (en) 2007-07-07 2009-03-16 Idemitsu Kosan Co Naphthalene derivative, material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device using the same
US8779655B2 (en) 2007-07-07 2014-07-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
US8221907B2 (en) 2007-07-07 2012-07-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Chrysene derivative and organic electroluminescent device using the same
US20090045731A1 (en) 2007-07-07 2009-02-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
US8114530B2 (en) 2007-07-10 2012-02-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device utilizing the same
US8080658B2 (en) 2007-07-10 2011-12-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element employing the same
CN101688052A (zh) 2007-07-27 2010-03-31 E.I.内穆尔杜邦公司 包含无机纳米颗粒的导电聚合物的含水分散体
JP6009144B2 (ja) 2007-08-08 2016-10-19 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション トリフェニレン基を含むベンゾ縮合チオフェンまたはベンゾ縮合フラン化合物
JP2009040728A (ja) 2007-08-09 2009-02-26 Canon Inc 有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子
CN101896494B (zh) 2007-10-17 2015-04-08 巴斯夫欧洲公司 具有桥连碳烯配体的过渡金属配合物及其在oled中的用途
US20090101870A1 (en) 2007-10-22 2009-04-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electron transport bi-layers and devices made with such bi-layers
US7914908B2 (en) 2007-11-02 2011-03-29 Global Oled Technology Llc Organic electroluminescent device having an azatriphenylene derivative
DE102007053771A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JPWO2009063833A1 (ja) 2007-11-15 2011-03-31 出光興産株式会社 ベンゾクリセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5390396B2 (ja) 2007-11-22 2014-01-15 出光興産株式会社 有機el素子および有機el材料含有溶液
US8759819B2 (en) 2007-11-22 2014-06-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US8221905B2 (en) 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
KR101691610B1 (ko) 2008-02-12 2017-01-02 유디씨 아일랜드 리미티드 디벤조[f,h]퀴녹살린과의 전계발광 금속 착물
US8815415B2 (en) * 2008-12-12 2014-08-26 Universal Display Corporation Blue emitter with high efficiency based on imidazo[1,2-f] phenanthridine iridium complexes
DE102009007038A1 (de) * 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
KR101545771B1 (ko) * 2009-05-07 2015-08-19 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 발광 응용을 위한 중수소화된 화합물
US8586203B2 (en) * 2009-05-20 2013-11-19 Universal Display Corporation Metal complexes with boron-nitrogen heterocycle containing ligands
JP5627896B2 (ja) * 2009-09-30 2014-11-19 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
DE102009053382A1 (de) * 2009-11-14 2011-05-19 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
CN103201228B (zh) 2010-11-08 2015-11-25 日本电气硝子株式会社 无碱玻璃
CN103476781B (zh) * 2011-02-23 2017-02-15 通用显示公司 新型的四齿铂络合物
JP6038908B2 (ja) * 2011-06-28 2016-12-07 メルク パテント ゲーエムベーハー 金属錯体
US9461254B2 (en) 2012-01-03 2016-10-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20140014930A1 (en) * 2012-07-13 2014-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic Compound, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device
WO2014031977A1 (en) 2012-08-24 2014-02-27 Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University Metal compounds and methods and uses thereof
US9312505B2 (en) * 2012-09-25 2016-04-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102081689B1 (ko) * 2013-03-15 2020-02-26 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN110003279A (zh) 2013-06-10 2019-07-12 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会 具有改进的发射光谱的磷光四齿金属络合物
US10020455B2 (en) 2014-01-07 2018-07-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complex emitters containing phenyl-pyrazole and its analogues
US9905785B2 (en) * 2014-04-14 2018-02-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10403830B2 (en) 2014-05-08 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3140871B1 (en) * 2014-05-08 2018-12-26 Universal Display Corporation Stabilized imidazophenanthridine materials
KR102584846B1 (ko) * 2015-05-05 2023-10-04 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기 전계발광 재료 및 디바이스

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009526071A (ja) 2006-02-10 2009-07-16 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション シクロメタル化したイミダゾ[1,2−f]フェナントリジン及びジイミダゾ[1,2−a:1’,2’−c]キナゾリン配位子並びにそれらの等電子及びベンゾ縮合類縁体の金属錯体
JP2012004529A (ja) 2010-01-15 2012-01-05 Fujifilm Corp 有機電界発光素子

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