JP7211017B2 - 光フィルタ、それを用いたレーザ光源および光送受信装置 - Google Patents

光フィルタ、それを用いたレーザ光源および光送受信装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7211017B2
JP7211017B2 JP2018207488A JP2018207488A JP7211017B2 JP 7211017 B2 JP7211017 B2 JP 7211017B2 JP 2018207488 A JP2018207488 A JP 2018207488A JP 2018207488 A JP2018207488 A JP 2018207488A JP 7211017 B2 JP7211017 B2 JP 7211017B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
ring resonator
peak
light
ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018207488A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020071448A (ja
Inventor
敏宏 小田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2018207488A priority Critical patent/JP7211017B2/ja
Priority to US16/665,704 priority patent/US11495935B2/en
Priority to CN201911052656.7A priority patent/CN111146687B/zh
Publication of JP2020071448A publication Critical patent/JP2020071448A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7211017B2 publication Critical patent/JP7211017B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • H01S5/142External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon which comprises an additional resonator
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018Mode suppression
    • H01S3/08022Longitudinal modes
    • H01S3/08027Longitudinal modes by a filter, e.g. a Fabry-Perot filter is used for wavelength setting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1071Ring-lasers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/40Transceivers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters
    • H04B10/501Structural aspects
    • H04B10/503Laser transmitters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08059Constructional details of the reflector, e.g. shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0287Facet reflectivity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1003Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
    • H01S5/101Curved waveguide

Description

本発明は、リング共振器を用いた波長可変の光フィルタ、それを用いたレーザ光源および光送受信装置に関するものである。
従来より、半導体基板に形成された2つのリング共振器を備えた波長可変の光フィルタやそれを有するレーザ光源として、様々なものがある。例えば、光フィルタを有するレーザ光源は、半導体光増幅器(以下、SOAという)からの出射光が導波路を通じて伝えられると、2つのリング共振器に入力されたのち、終端のループミラーで反射されてSOAに戻されるという構成とされる。そして、各リング共振器の寸法を僅かに異ならせることで、出射光が入力されたときに得られる各リング共振器の透過スペクトルの自由スペクトル間隔 (以下、FSRという)が僅かに異なった間隔となるようにしている。これにより、2つのリング共振器での透過スペクトルのピークの波長が重なったときに強い共振が生じるようにできる。すなわち、SOAの出射光を2つのリング共振器を通してループミラーで反射させてSOAに戻すことで、バーニア効果を利用してSOAの端面反射鏡とループミラーとの間において強い共振状態を作り出している。これにより、2つのリング共振器の透過スペクトルの合成スペクトルとなるダブルリングの透過スペクトルが強い共振が生じる波長において最もピークが高くなり、この波長においてレーザ発振した強い光をSOAの端面反射鏡から出力させることが可能となる。以下、SOAからの導波路側への出射光を内出射光、SOAから外部に出力する光を外出射光という。
このような光フィルタを有するレーザ光源においては、2つのリング共振器の間に温度差の変化が起こるとモードホップが起こるという課題がある。モードホップとは、2つのリング共振器の温度差の変化に基づいて、2つのリング共振器によって選択される縦モードの波長が本来の波長からずれるために発生する現象である。
波長可変性を良くするために、FSRが近い2つのリング共振器を用いているために2つリング共振器が選択している縦モードが変化するモードホップが生じる。また、ダブルリングの透過スペクトルは、強い共振が生じる波長において最もピークが高くなるが、それに隣接する両隣の波長の透過スペクトルも2番目に高いピークを有したものとなり、2つのリング共振器に温度差の変化が生じたときにモードホップが起き易くなる。さらに、SOAを備えたレーザ光源においては、2つのリング共振器の温度差の変化によって2番目に高いピークが上昇した場合、その2番目に高いピークで発振し易くなり、外出射光の波長がずれてしまう。
SOA等が熱源となって各リング共振器に熱が伝わるが、伝わり方にずれがあるために、各リング共振器の温度差に変化が発生する。各リング共振器には、ヒータが備えられていることから、ヒータによる温度調整も可能であるが、モードホップを抑制することは困難である。また、2番目に高いピークで発振したとしても1番目に高いピークと波長が近く、その状態を制御部などで検出できない。
このため、特許文献1に、制御用リングを備えた構成とすることでモードホップを抑制する技術が開示されている。具体的には、特許文献1の技術では、2つのリング共振器とは別に制御用リングを備えた構成とされている。そして、各リング共振器や制御用リングを経た内出射光の光量を制御用の受光素子で検出し、その検出結果に基づいてヒータを調整して制御用リングの内出射光の共振波長を制御することで、モードホップを抑制している。
国際公開第2009/096431号パンフレット
しかしながら、特許文献1のように、制御用リングを備えることでモードホップを抑制する場合、2つのリング共振器以外に制御用リングが必要になる。このため、追加素子が必要になるし、光フィルタが形成される半導体基板が大型化する等の課題が発生する。
本発明は上記点に鑑みて、追加素子を備えなくても、モードホップを抑制することができる光フィルタ、それを用いたレーザ光源および光送受信装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の光フィルタは、異なる周囲長を有する第1リング共振器(13)および第2リング共振器(15)と、第1リング共振器に光結合され、該第1リング共振器に対して光を伝搬する第1導波路(12)と、を含み、導波路に入射された光が第1リング共振器を通じて第2リング共振器に伝搬され、第1リング共振器の透過スペクトルのFSRと第2リング共振器の透過スペクトルのFSRとがずらされ、第1リング共振器と第2リング共振器それぞれの透過スペクトルの合成スペクトルとなるダブルリングの透過スペクトルが任意の波長において最も高い1番目のピークとなるように、第1リング共振器と第2リング共振器それぞれの透過スペクトルのFSRの幅が設定されており、ダブルリングの透過スペクトルは、1番目のピークと該1番目のピークの次に高い2番目のピークとの間に、2番目のピークよりも低いピークが配置されている。
このように、1番目のピークとその次に高い2番目のピークの波長が離れるようにしている。このため、仮に、2番目のピークが上昇して、最も高い1番目のピークに入れ替わったとしても、本来1番目のピークになる波長から離れているため、それを比較的容易に検出できる。これにより追加素子を必要としなくても、モードホップを抑制することができる。
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
第1実施形態にかかるレーザ光源の概略構成を示す図である。 第1導波路、第1リング共振器および第2導波路の各部の寸法などの説明図である。 第1リング共振器の一部を示した断面図である。 従来のレーザ光源の各リング共振器が生成する透過スペクトルの波形図である。 図3に示す各リング共振器が生成する透過スペクトルの合成スペクトルに相当するダブルリングの透過スペクトルの波形図である。 温度変化が生じたときの波長と透過率の変化を示した波形図である。 従来のレーザ光源におけるダブルリングの透過スペクトルとSOAの利得との関係を示した波形図である。 第1実施形態にかかるレーザ光源の各リング共振器が生成する透過スペクトルの波形図である。 図7に示す各リング共振器が生成する透過スペクトルの合成スペクトルに相当するダブルリングの透過スペクトルとSOAの利得との関係を示した波形図である。 実施例1にかかる光フィルタの概略構成図である。 実施例1にかかる光フィルタの各パラメータの値を示した図表である。 状態a1~a3それぞれの場合のピーク位置を説明した図表である。 状態a1~a3それぞれの場合のダブルリングの透過スペクトル波形図である。 比較例1にかかる光フィルタの各パラメータの値を示した図表である。 状態b1~b3それぞれの場合のピーク位置を説明した図表である。 状態b1~b3それぞれの場合のダブルリングの透過スペクトル波形図である。 実施例2にかかるレーザ光源の各パラメータの値を示した図表である。 状態c1~c3それぞれの場合のピーク位置を説明した図表である。 状態c1~c3それぞれの場合のダブルリングの透過スペクトル波形図である。 実施例3にかかるレーザ光源の各パラメータの値を示した図表である。 状態d1~d3それぞれの場合のピーク位置を説明した図表である。 状態d1~d3それぞれの場合のダブルリングの透過スペクトル波形図である。 比較例2にかかるレーザ光源の各パラメータの値を示した図表である。 状態e1~e3それぞれの場合のピーク位置を説明した図表である。 状態e1~e3それぞれの場合のダブルリングの透過スペクトル波形図である。 第2実施形態にかかるレーザ光源の概略構成を示す図である。 第2実施形態の変形例にかかるレーザ光源の概略構成を示す図である。 第3実施形態にかかるレーザ光源の概略構成を示す図である。 第4実施形態にかかるレーザ光源の概略構成を示す図である。 第5実施形態にかかるレーザ光源の概略構成を示す図である。 第5実施形態の変形例にかかるレーザ光源の概略構成を示す図である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
(第1実施形態)
第1実施形態ついて、図1~図8を参照して説明する。本実施形態では、光フィルタを用いたレーザ光源について説明する。
図1に示すように、レーザ光源は、光フィルタ1とSOA2とを有して構成されている。このレーザ光源は、SOA2から内出射光を光フィルタ1に出射し、光フィルタ1およびSOA2において共振状態とした強い光として取り出し、SOA2から外出射光として外部に出力するものである。
光フィルタ1は、例えば半導体基板10を用いて半導体プロセスを施すことによって形成されている。具体的には、光フィルタ1を構成する半導体基板10には、SSC11、第1導波路12、第1リング共振器13、第2導波路14、第2リング共振器15、第3導波路16、変調器17、ループミラー18などが備えられている。
SSC11は、光スポットサイズ変換器である。SSC11は、SOA2と第1導波路12や第2導波路14とのモード径を合わせるためのものであり、一端が、半導体基板10の端面10aから露出させられており、他端が第1導波路12に接続されている。例えば、SSC11は、テーパ状に形成され、第1導波路12からSOA2に向けて徐々にモード径が拡径されている。また、SSC11のうちの第1導波路12側となる他端側は、反射を防止するため、第1導波路12の長手方向に対して所定角度だけ傾けられている。
第1導波路12、第2導波路14および第3導波路16は、SSC11から伝えられたSOA2の内出射光を伝搬する役割を果たすものであり、一方向を長手方向としたライン状で構成され、互いに平行に並べられている。第1導波路12は、内出射光を第1リング共振器13に伝搬したり、第1リング共振器13から戻ってくる内出射光をSOA2側に伝搬したりする。第2導波路14は、第1リング共振器13から伝搬された内出射光を第2リング共振器15に伝搬したり、第2リング共振器15から戻ってくる内出射光を第1リング共振器13側に伝搬したりする。第3導波路16は、第2リング共振器15から伝搬された内出射光がループミラー18を介して戻されるため、これを再び第2リング共振器15に伝搬する。
なお、第1導波路12のうちのSSC11と反対側の端部、第2導波路14の両端部、および、第3導波路16のうちのループミラー18と反対側の端部には、それぞれ、ターミネータ12a、14a、14b、16aが備えられている。これらターミネータ12a、14a、14b、16aにより、各導波路から伝搬されてきた不要な光が各導波路の外部に放出させられる。各ターミネータ12a、14a、14b、16aは、不要な光が反射して再び導波路に伝搬されることが抑制されるように、各導波路の長手方向に対して所定の角度傾斜した方向に延設され、先細り形状とされている。また、第1導波路12のうちのSSC11と接続される側の端部も、第1導波路12の長手方向に対して所定の角度傾斜した方向に延設されている。そして、この端部は、先細り形状の導波路12bを含むSSC11に接続されることで、反射が抑制されて効率よく光がSSC11側に伝搬される構造とされている。
第1リング共振器13と第2リング共振器15は、内出射光が入力されることにより、それぞれが所定のFSRを有する透過スペクトルを生成する共振器である。第1リング共振器13と第2リング共振器15は、互いに異なる周囲長で構成されており、それぞれで異なるFSRを有する透過スペクトルを生成する。第1リング共振器13と第2リング共振器15それぞれの周囲長については任意に設定されるが、概ね、短い方の周囲長に対して長い方の周囲長が1.1~1.5倍の範囲で設定される。
これら第1リング共振器13と第2リング共振器15それぞれで生成された透過スペクトルが重なった波長が、これらの合成スペクトルとなるダブルリングの透過スペクトルが最も高い1番目のピークとなる。この1番目のピークによって、反射鏡21とループミラー18の間で形成されるファブリペロー共振器の縦モードが選択され、レーザ発振が起こり強い光となるため、この強い光が外出射光としてSOA2から外へ出力されるようになっている。
第1リング共振器13は、第1導波路12および第2導波路14の間に配置され、これらから所定距離離れた位置に配置されているが、これらに対して光結合されている。このため、第1導波路12から内出射光が伝搬されてくると、第1リング共振器13にその内出射光が伝搬され、第1リング共振器13内に伝搬された光が第2導波路14に伝搬される。
また、第2リング共振器15は、第2導波路14および第3導波路16の間に配置され、これらから所定距離離れた位置に配置されているが、これらに対して光結合されている。このため、第2導波路14から内出射光が伝搬されてくると、第2リング共振器15にその内出射光が伝搬され、第2リング共振器15内に伝搬された光が第3導波路16に伝搬される。
なお、第1リング共振器13や第2リング共振器15には、それぞれ、後述する図2Bに示されるようなヒータ35が備えられている。このヒータ35によって加熱されることで、意図的に、透過スペクトルのFSRを変化させられるようになっている。
図2Aおよび図2Bを用いて、第1導波路12、第2導波路14、第1リング共振器13の各部の詳細について説明する。なお、ここでは第1リング共振器13とその両側に配置される第1導波路12および第2導波路14について、各部の寸法などの一例を説明するが、第2リング共振器15およびその両側に配置される第2導波路14および第3導波路16についても一部を除いて同様である。
図2Aに示されるように、第1導波路12、第2導波路14は、共に幅Wtが同じに設定されている。ここでは、幅Wtを0.40μmとしてある。また、第1リング共振器13は、長方形状の四隅を四分円としたもので構成され、幅Wrも幅Wtと同じとして0.40μmとしてある。第1リング共振器13のうち第1導波路12、第2導波路14と対向する直線部分は、主に第1導波路12、第2導波路14と光結合される部分であり、対向している部分の長さが結合長Lcとされている。第1リング共振器13のうち第1導波路12、第2導波路14と対向する直線部分に対して垂直な部分は、長さLdとされている。そして、四分円の曲率半径Rは、例えば20μmとされている。第1リング共振器13の周囲長Lringは、2×Lc+2×Ld+2πRとなり、結合長Lcや長さLdを調整することにより設定されている。
結合長Lcについては、第1導波路12および第2導波路14との結合効率κを考慮して設定される。すなわち、結合効率κについては、結合長Lcと第1リング共振器13と第1導波路12または第2導波路14との間隔である導波路間ギャップWGAP、各導波路の幅Wr、Wtによって設計することができる。第1リング共振器13と第1導波路12との結合と、第1リング共振器13と第2導波路14との結合とで、別々の結合効率κとすることもできるが、同じにすることもできる。ここでは、第1導波路12と第2導波路14の幅Wtを等しくし、導波路間ギャップWGAPも0.28μmと等しくしているが、第1リング共振器13と第2リング共振器15それぞれについて結合長Lcを異ならせることで異なる結合効率κとなるようにしている。なお、この理由については後述する。
また、図2Bに示すように、第1リング共振器13は、支持基板31、アンダークラッド層32、コア層33、オーバークラッド層34、ヒータ35を積層することで構成されている。
支持基板31は、シリコン基板などによって構成されており、例えば725μmの厚みとされている。アンダークラッド層32は、シリコン酸化膜などの絶縁膜によって構成され、支持基板31の上に例えば2μmの厚みで成膜されている。コア層33は、第1リング共振器13の導波路を構成する部分であり、シリコンなどによって構成されていて、上面形状が第1リング共振器13の形状となるようにパターニングされている。コア層33の幅が第1リング共振器13の幅Wrに相当するものであり、例えば0.40μmとされ、厚みが例えば0.22μmとされている。オーバークラッド層34は、シリコン酸化膜などの絶縁膜によって構成され、コア層33を覆うように例えば3μmの厚みで形成されている。ヒータ35は、オーバークラッド層34上において、コア層33と対応する位置に形成されており、0.12μmの厚みで形成されている。ヒータ35は、例えばTa、TiN、TaNなどのように、通電によってコア層33を加熱できる発熱材料で構成されている。
なお、ここでは第1リング共振器13の断面構造として説明したが、第2リング共振器15も同様の構造とされている。また、第1~第3導波路12、14、16も、基本的には図2Bの断面構成とされ、ここからヒータ35を無くした構成とされている。また、支持基板31、アンダークラッド層32およびコア層33として、SOI(Silicon On Insulatorの略)基板が用い、SOI基板における活性層をパターニングしてコア層33を形成している。
変調器17は、第3導波路16を通過する内出射光の位相を変調するものである。変調器17としては、例えば熱光学効果やキャリアプラズマ効果や電気光学効果などを利用した位相変調器が用いられる。なお、変調器17については、第3導波路16に限らず、第1導波路12や第2導波路14に備えられていても良い。
ループミラー18は、第2反射部に相当するもので、第3導波路16から伝搬されてきた内出射光をループ状に伝搬させて、再び第3導波路16に伝搬させる役割を果たす。
一方、SOA2は、例えば、III-V族半導体構造などによって構成され、光を増幅して出力する光源となるものである。SOA2は、一面2aが半導体基板10の端面10aに貼り付けられることで光フィルタ1に接続されて一体となっている。この一面2aにおいて、第1導波路12と光結合されるように、図示しないマッチングオイルや紫外線硬化樹脂などを介して、SOA2が端面10aに接続されている。
SOA2の他面2bは、外出射光の出射面となる面である。この他面2bには、第1反射部に相当する反射鏡21が備えられており、SOA2から外部に外出射光を取り出しつつも、内出射光を反射して光フィルタ1側に戻す役割を果たす。本実施形態のように、反射鏡21にて内出射光を反射しつつ、外部に外出射光を取り出す形態とする場合、一般的には、反射鏡21の反射率は1~10%程度とされる。なお、SOA2には、図示しない電極などが備えられており、電極から注入する電流に基づいて、外出射光の光出力を可変させられるようになっている。
このようにして、光フィルタ1およびそれにSOA2を組み合わせることで構成されたレーザ光源が構成されている。このようなレーザ光源は、反射鏡21とループミラー18とによって内出射光が反射させられるファブリペロー共振器を構成し、反射鏡21とループミラー18との間において縦モードとなる共振状態を作り出す。そして、第1リング共振器13と第2リング共振器15の強い共振状態によって、これら縦モードのうち一つ以上が選択され、強い共振状態が生じる波長においてレーザ発振し、強い光が反射鏡21から誘導放出されて外出射光として出力されるようになっている。
そして、本実施形態のレーザ光源では、後述する図8のようにダブルリングの透過スペクトルの最も高い1番目のピークとその次に高い2番目のピークが隣り合わず離れるようにしている。つまり、第1リング共振器13と第2リング共振器15にて所定のFSRの透過スペクトルを生成することで、ダブルリングの透過スペクトルの1番目のピークと2番目のピークとの間に、それよりも低いピークが配置されるようにしている。これにより、FSRが近い2つのリング共振器13、15を用いているために2つリング共振器13、15が選択している縦モードが変化するモードホップの抑制が可能となっている。この効果が得られる理由について、従来のレーザ光源と比較しながら、本実施形態のレーザ光源の作動などについて説明する。
従来のレーザ光源の構成は、図1に示す本実施形態のレーザ光源とほぼ同様であり、各リング共振器の周囲長が異なったものとなっているが、従来のレーザ光源についても、便宜上、図1に示した参照符号を参照して説明する。
従来のレーザ光源の各リング共振器13、15が生成する透過スペクトルは、図3のように表される。ここでは、従来のレーザ光源として、第1リング共振器13の周囲長を151.3μm、第2リング共振器15の周囲長を165.1μmとしてシミュレーションを行っている。
この図に示されるように、第1リング共振器13の透過スペクトルのFSRに対して、第2リング共振器15の透過スペクトルのFSRが僅かにずらされており、任意の波長、図3では1550nmの波長において、透過スペクトルのピークが重なる。なお、ここでは1番目のピークとして、波長が1550nm近傍となる例を示すが、それよりも短波長と長波長のいずれにも1番目のピークとなる波長は複数存在する。そして、波長1550nmを中心に、短波長側では第1リング共振器13の透過スペクトルのピークと第2リング共振器15の透過スペクトルのピークが交互に順番に並び、長波長側では第2リング共振器15の透過スペクトルのピークと第1リング共振器13の透過スペクトルのピークが交互に順番に並ぶ状態となる。なお、図中には、第1リング共振器13と第2リング共振器15のいずれの透過スペクトルのピークか判りやすいように、各透過スペクトルの上に“1”、“2”と表記してある。
このため、2つのリング共振器の透過スペクトルの合成スペクトルとなるダブルリングの透過スペクトルの波形は、図4のようになる。つまり、ダブルリングの透過スペクトルは、2つのリング共振器を用いて1つの縦モードを選ぶことでシングルモードを実現したものとなり、強い共振状態が生じる波長において最もピークが高くなる。
しかしながら、強い共振状態が生じる波長に隣接する両隣の波長の透過スペクトルが2番目のピークとなる。このため、2つのリング共振器の間に、例えば1℃以上の温度差の変化が生じたときにモードホップが起き易くなる。さらに、SOAを備えたレーザ光源においては、2つのリング共振器の温度差の変化によって2番目のピークが上昇した場合、その2番目のピークで発振し易くなり、外出射光の波長がずれてしまう。
例えば、リング共振器の温特は、図5のように表される。この図は、リング共振器を25℃、40℃、55℃、70℃とした場合の透過スペクトルを調べた結果を示している。この図に示されるように、リング共振器のFSRは3.90nmとなっており、25℃から40℃へ、15℃変化したことで透過スペクトルの波長が1.10nmずれた。つまり、1℃当たりの透過スペクトルの波長の変化量に相当する波長温度係数が0.073nm/℃となる。このため、2つのリング共振器の間の温度差の変化が生じると、本来重なる波長で透過スペクトルのピークが重ならず、それに隣接する波長で透過スペクトルのピークが重なるなど、本来2番目のピークとなる波長で透過スペクトルのピークが上昇し、発振し易くなる。
ここで、光フィルタでの内出射光の発振条件は、発振波長においてダブルリングの透過率とSOA2の利得を合わせた値が大きな値になることである。SOA2の利得は、図6に示すように、1番目のピークを中心としてそこから波長が離れるほど徐々に低下していくという曲線を描く。このため、1番目のピークの付近ではSOA2の利得も高く、本来2番目のピークとなる波長で透過スペクトルのピークが上昇すると、SOA2の利得と合わせた値が大きな値となって、発振条件を満たし易くなるのである。
このように、1番目の両隣に2番目のピークが位置していることから、2番目のピークとなる透過スペクトルが上昇すると、SOA2の利得が高い場所において透過スペクトルが上昇することになるため、発振条件を満たしてしまう。
そこで、本実施形態のレーザ光源では、第1リング共振器13と第2リング共振器15にて所定のFSRの透過スペクトルを生成し、ダブルリングの透過スペクトルの最も高い1番目のピークとその次に高い2番目のピークが隣り合わず離れるようにしている。本実施形態のレーザ光源の各リング共振器13、15が生成する透過スペクトルは、図7のように表される。ここでは、本実施形態のレーザ光源として、第1リング共振器13の周囲長を134.9μm、第2リング共振器15の周囲長を164.5μmとしてシミュレーションを行っている。
この図に示されるように、第1リング共振器13の透過スペクトルのFSRに対して、第2リング共振器15の透過スペクトルのFSRが僅かにずらされており、任意の波長、図7では1550nmの波長において、透過スペクトルのピークが重なる。そして、波長1550nmを中心に、短波長側でも長波長側でも第1リング共振器13の透過スペクトルのピークと第2リング共振器15の透過スペクトルのピークが順番に並ぶ。なお、図中には、第1リング共振器13と第2リング共振器15のいずれの透過スペクトルのピークか判りやすいように、各透過スペクトルのピークの上に“1”、“2”と表示してある。
ただし、短波長側および長波長側において、第1リング共振器13の透過スペクトルのピークと第2リング共振器15の透過スペクトルのピークが交互に順番に並ぶだけでなく、ピークの順番が入れ替わる順番逆転部が存在している。短波長側を見てみると、波長が1530nm以下のときまでは第1リング共振器13と第2リング共振器15の順番で透過スペクトルのピークが交互に並び、1530~1550nmの間では第2リング共振器15と第1リング共振器13の順番で透過スペクトルのピークが交互に並ぶ。このように、波長が1530nmの付近において順番逆転部が存在する状態となっている。本実施形態の場合、1550nmのように1番目のピークとなる波長において第1リング共振器13と第2リング共振器15それぞれの透過スペクトルの山と山が重なり合い、順番逆転部において、各透過スペクトルの谷と谷が重なり合う状態となっている。そして、1番目のピークとなる波長は、1550nmよりも短波長もしくは長波長にも存在していることから、隣り合う1番目のピークにおいて透過スペクトルの山と山が重なり合っている波長の中間に、透過スペクトルの谷と谷が重なる部分が存在した状態となる。
このため、2つのリング共振器の透過スペクトルの合成スペクトルとなるダブルリングの透過スペクトルの波形は、図8のようになる。つまり、ダブルリングの透過スペクトルは、共振時の波長において最も高い1番目のピークとなるが、2番目のピークは1番目のピークから波長が離れた位置になる。図8の例で言えば、1番目のピークと2番目のピークとの間は波長が20.5nmずれており、これらの間に2番目のピークよりも高さが低い複数のピークが位置した状態となっている。
したがって、強い共振状態が生じる波長に隣接する両隣の波長のスペクトルではないところが2番目のピークとなる。このため、2つのリング共振器の間に温度差の変化が生じたときにモードホップが起き難くなる。さらに、SOA2を備えたレーザ光源においては、2つのリング共振器の温度差の変化によって2番目のピークが上昇しても、その2番目のピークで発振し難くできるため、確実に1番目のピークで発振させることが可能となる。
すなわち、上記したように、光フィルタでの内出射光の発振条件は、発振波長においてダブルリングの透過率とSOA2の利得を合わせた値が大きな値になることである。SOA2の利得は、図8に示すように、1番目のピークを中心としてそこから波長が離れるほど徐々に低下していくという曲線を描く。このため、1番目のピークの付近ではSOA2の利得も高くなる。しかしながら、1番目のピークから離れるほどSOA2の利得が低下するため、本実施形態の場合、2番目のピークとなる波長ではSOA2の利得が最も高い利得よりも低下した状態となっている。したがって、2番目のピークが上昇しても、SOA2の利得と合わせた値があまり大きな値にならず、発振条件を満たし難くなるのである。
このように、1番目の両隣に2番目のピークが位置しておらず、離れていることから、2番目のピークとなる透過スペクトルが上昇したとしても、SOA2の利得が高くない場所において透過スペクトルのピークが上昇することになるため、発振条件を満たさないようにできる。
以上説明したように、本実施形態では、第1リング共振器13と第2リング共振器15にて所定のFSRの透過スペクトルを生成し、ダブルリングの透過スペクトルの最も高い1番目のピークとその次に高い2番目のピークが隣り合わず離れるようにしている。このような条件とするには、第1リング共振器13と第2リング共振器15が生成する透過スペクトルについて、1番目のピークと異なる位置でピークの順番が入れ替わる順番逆転部が存在するように、各透過スペクトルのFSRを設定すれば良い。
このように、1番目のピークとその次に高い2番目のピークの波長が離れるようにしている。このため、仮に、2番目のピークが上昇して、最も高い1番目のピークに入れ替わったとしても、本来1番目のピークになる波長から離れているため、それを比較的容易に検出できる。これにより追加素子を必要としなくても、モードホップを抑制することができる。また、光フィルタ1をレーザ光源に適用する場合で言えば、2番目のピークとなる透過スペクトルが上昇したとしても、SOA2の利得が高くない場所において透過スペクトルが上昇することになるため、発振条件を満たさないようにできる。よって、追加素子を必要としなくても、モードホップを抑制することができる光フィルタ、およびそれを用いたレーザ光源とすることが可能となる。
そして、このようなレーザ光源については、車両用のレーザレーダ装置のようなレーザ光源を備える光送受信装置に適用することができる。すなわち、レーザ光源より、特定波長の外出射光を出力し、それが障害物に衝突して反射して戻ってきたときに、その反射光を図示しない受信機で受信することで障害物までの距離を測定するような光送受信装置に適用できる。このような光送受信装置では、出力する光の波長を変化させながら外部に出力していくという使用形態とされることがあるが、その場合に、本実施形態で説明したレーザ光源を用いることで、的確に出力したい波長で光を出力できる。したがって、より的確に障害物までの距離を測定することが可能となる。
なお、ここでは、第1リング共振器13や第2リング共振器15などの各部の寸法などの一例を挙げたが、ここに記載したものはあくまで一例であり、ここに挙げた寸法などに限らない。以下、実施例や比較例を挙げて、第1リング共振器13や第2リング共振器15などの各部の寸法などと共に、ダブルリングの透過スペクトルの変化などについて説明する。
(実施例1)
本実施例では、図9に示す光フィルタについて、ダブルリングの透過スペクトルの変化を調べた。図9に示すように、本実施例の光フィルタ1は、上記実施形態で説明した光フィルタ1に対して、SSC11や変調器17およびループミラー18を無くし、第1導波路12に対して入力光を入射し、第3導波路16から出力光を出射させる形態とされている。入力光としては、コヒーレント光を用いているが、レーザ光源やスーパールミネッセンスダイオード(SLED)等の光を用いても良い。
このような構成において、各部の寸法や結合効率κなどの各パラメータについて、図10Aに示す値としている。なお、以下では、第1リング共振器13の周囲長をLring1、第2リング共振器15の周囲長をLring2という。第1リング共振器13と第1導波路12や第2導波路14との結合長をLc1、第2リング共振器15と第2導波路14や第3導波路16との結合長をLc2という。また、第1リング共振器13と第1導波路12との結合効率をκ1、第2リング共振器15と第2導波路14との結合効率をκ2という。
そして、このような光フィルタ1に対して、図10Bに示すように、状態a1~a3について、ダブルリングの透過スペクトルのピーク変化をシミュレーションにより確認したところ、図中に示したように、1番目のピーク位置が変化した。図11は、各状態におけるダブルリングの透過スペクトルを示している。
まず、状態a1では、第2リング共振器15の温度を基準として第1リング共振器13の相対温度が0℃の場合、つまり第1リング共振器13と第2リング共振器15との温度差が0℃の場合のダブルリングの透過スペクトルを示している。この場合は、波長が1550nmや1590nm近傍のピーク(1)、(3)などが1番目のピークとなり、波長が1568nm近傍のピーク(2)が2番目のピークとなった。ピーク(1)、(3)の波長域は、第1リング共振器13の透過スペクトルのピークと第2リング共振器15の透過スペクトルのピークが重なる波長域である。ピーク(2)の波長域は、第1リング共振器13の透過スペクトルと第2リング共振器15の透過スペクトルのピークが重ならないようにした場所であるが、元々2番目のピークと想定している波長域である。このように、1番目のピークにしたい波長域で1番目のピークが得られ、2番目のピークにしたい波長域で2番目のピークが得られている。
次に、状態a2では、第2リング共振器15の温度を基準として第1リング共振器13の相対温度が2.7℃の場合のダブルリングの透過スペクトルを示している。この場合は、
波長が1550nmや1590nm近傍のピーク(1)、(3)に加えて、波長が1568nm近傍のピーク(2)が1番目のピークとなった。このように、1番目のピークにしたい波長域で1番目のピークが得られているものの、2番目のピークにしたい波長域でも1番目のピークとなった。
続いて、状態a3では、第2リング共振器15の温度を基準として第1リング共振器13の相対温度が5.4℃の場合のダブルリングの透過スペクトルを示している。この場合は、波長が1568nm近傍のピーク(2)が1番目のピークとなり、波長が1550nmや1590nm近傍のピーク(1)、(3)のピーク(2)が2番目のピークとなった。つまり、1番目のピークにしたい波長域で2番目のピークとなってしまい、2番目のピークにしたい波長域で1番目のピークとなった。
このように、本実施例の光フィルタ1は、第1リング共振器13と第2リング共振器15との温度差が大きくなると、1番目のピークと2番目のピークとなる波長域が入れ替わるという状態になる。しかしながら、1番目のピークと2番目のピークとの波長の変化幅が17.5nmある。このため、仮に1番目のピークの入れ替わりがあったとしても、それを比較的容易に検出することができる。
なお、上記したように、実施例1では、結合効率κを異ならせてある。これは、各透過スペクトルの半値幅を揃える設計が行えるためである。第1リング共振器13と第2リング共振器15それぞれの周囲長Lring1、Lring2の差が小さい場合には、透過スペクトルの鋭さの差が小さいが、大きくなると差が大きくなる。具体的には、大きな周囲長Lring2となる第2リング共振器15の方が小さな周囲長Lring1となる第1リング共振器13よりも、透過スペクトルの切り立ち方が鋭くなる。一方、結合効率κについては、小さい値になるほど、透過スペクトルの切り立ち方が鋭くなる。このため、ここでは結合効率κ1、κ2を異なる値としている。そして、大きな周囲長Lring2となる第2リング共振器15については透過スペクトルの切り立ちが緩やかな大きな値の結合効率κ2とし、小さな周囲長Lring1となる第1リング共振器13については透過スペクトルの切り立ちが鋭い小さな結合効率κ1としている。これにより、各透過スペクトルの半値幅を揃えることが可能となり、ダブルリングの透過スペクトルが切り立ち方が鋭い透過スペクトルの方に支配的になることを抑制でき、1番目のピークの入れ替わりが起こりにくくなるようにできる。
(比較例1)
本比較例では、図9に示した光フィルタ1において、図12Aに示すように各部の寸法や結合効率κなどの各パラメータを変えて、図12Bに示すように、状態b1~b3について、ダブルリングの透過スペクトルのピーク変化をシミュレーションにより確認した。その結果、図12B中に示すように、この比較例の場合にも、1番目のピーク位置が変化した。図13は、各状態におけるダブルリングの透過スペクトルを示している。
まず、状態b1では、第2リング共振器15の温度を基準として第1リング共振器13の相対温度が0℃の場合のダブルリングの透過スペクトルを示している。この場合は、波長が1510nmや1550nm近傍のピーク(1)、(3)などが1番目のピークとなり、波長が1550nmの隣の波長が1545nm近傍のピーク(2)などが2番目のピークとなった。ピーク(1)、(3)の波長域は、第1リング共振器13の透過スペクトルのピークと第2リング共振器15の透過スペクトルのピークが重なる波長域である。ピーク(2)の波長域は、第1リング共振器13の透過スペクトルのピークと第2リング共振器15の透過スペクトルのピークが重ならないようにした場所で、元々2番目のピークと想定している波長域である。このように、1番目のピークにしたい波長域で1番目のピークが得られ、2番目のピークにしたい波長域で2番目のピークが得られている。
次に、状態b2では、第2リング共振器15の温度を基準として第1リング共振器13の相対温度が2.2℃の場合のダブルリングの透過スペクトルを示している。この場合は、
波長が1510nmや1550nm近傍のピーク(1)、(3)に加えて、波長が1545nm近傍のピーク(2)が1番目のピークとなった。このように、1番目のピークにしたい波長域で1番目のピークが得られているものの、2番目のピークにしたい波長域でも1番目のピークとなった。
続いて、状態b3では、第2リング共振器15の温度を基準として第1リング共振器13の相対温度が4.3℃の場合のダブルリングの透過スペクトルを示している。この場合は、波長が1545nm近傍のピーク(2)が1番目のピークとなり、波長が1510nmや1550nm近傍のピーク(1)、(3)のピーク(2)が2番目のピークとなった。つまり、1番目のピークにしたい波長域で2番目のピークとなってしまい、2番目のピークにしたい波長域で1番目のピークとなった。
このように、本比較例の光フィルタ1も、第1リング共振器13と第2リング共振器15との温度差が大きくなると、1番目のピークと2番目のピークとなる波長域が入れ替わるという状態になる。そして、1番目のピークと2番目のピークとの波長の変化幅が3.4nmと小さい。このため、仮に1番目のピークの入れ替わりがあった場合、それを検出することは困難である。したがって、1番目のピークの入れ替わりを抑制することが難しくなる。
(実施例2)
本実施例では、図1に示したレーザ光源について、ダブルリングの透過スペクトルの変化を調べた。このような構成において、各部の寸法や結合効率κなどの各パラメータについて、図14Aに示す値としている。
そして、このようなレーザ光源に対して、図14Bに示すように、状態c1、c2について、ダブルリングの透過スペクトルのピーク変化をシミュレーションにより確認したところ、図中に示したように、ピーク高さが変化した。図15は、各状態におけるダブルリングの透過スペクトルを示している。
まず、状態c1では、第2リング共振器15の温度を基準として第1リング共振器13の相対温度が0℃の場合のダブルリングの透過スペクトルを示している。この場合は、波長が1550nm近傍のピーク(1)が1番目のピークとなり、波長が1568nm近傍のピーク(2)が2番目のピークとなった。また、波長が1572nm近傍のピーク(3)が3番目のピークとなっていて、ピーク(2)は、ピーク(1)とピーク(3)の間に位置していた。
ピーク(1)の波長域は、第1リング共振器13の透過スペクトルのピークと第2リング共振器15のスペクトルのピークが重なる波長域である。ピーク(2)、(3)の波長域は、第1リング共振器13の透過スペクトルのピークと第2リング共振器15の透過スペクトルのピークが重ならないようにした場所で、元々2、3番目のピークと想定している波長域である。このように、1番目のピークにしたい波長域で1番目のピークが得られ、2、3番目のピークにしたい波長域で2、3番目のピークが得られている。このときのダブルリングの透過スペクトルにおける1番目のピークと2番目のピークの透過率差Yは、6.0dBとなっていた。
また、状態c1の場合のSOA2の利得を見てみると、1番目のピークとなる波長λ1と2番目のピークとなる波長λ2とで、利得差Xが2.0dBとなっている。このため、1番目のピークとなる波長λ1と2番目のピークとなる波長λ2とで、利得差Xと透過率差Yを合わせた値X+Yについては8.0dBとなった。このように、利得差Xと透過率差Yを合わせた値X+Yが8.0dB確保できると、ファブリペロー共振器の縦モードの1つを2つのリング共振器を直列に接続したダブルリングフィルタで抜き出し、シングルモード発振させることが可能となる。
次に、状態c2では、第2リング共振器15の温度を基準として第1リング共振器13の相対温度が2.0℃の場合のダブルリングの透過スペクトルを示している。この場合は、波長が1550nm近傍のピーク(1)が1番目のピークとなっているが、波長が1568nm近傍のピーク(2)が2番目のピークになっているものの、ほぼ1番目のピークと高さが同じになった。このように、1番目のピークにしたい波長域で1番目のピークが得られているものの、2番目のピークにしたい波長域でも1番目のピークとほぼ同じ高さのピークとなった。このときのダブルリングの透過スペクトルにおける1番目のピークと2番目のピークの透過率差Yは、1.0dBとなっていて、低い値であった。
しかしながら、状態c2において、SOA2の利得を見てみると、1番目のピークとなる波長λ1と2番目のピークとなる波長λ2とで、利得差Xが2.0dBとなっている。このため、1番目のピークとなる波長λ1と2番目のピークとなる波長λ2とで、利得差Xと透過率差Yを合わせた値X+Yについては3.0dBとなった。シングルモード発振させるには、値X+Yが3.0dB以上であれば良く、状態c2まではシングルモード発振が可能になっていると言える。このように、本実施例の場合、少なくとも第1リング共振器13と第2リング共振器15の温度差が2.0℃までは、シングルモード発振させることが可能になり、追加素子を必要としなくても、モードホップを抑制することが可能になる。
(第3実施例)
本実施例も、図1に示したレーザ光源について、ダブルリングの透過スペクトルの変化を調べた。このような構成において、各部の寸法や結合効率κなどの各パラメータについて、図16Aに示す値としており、第2実施例と異なったパラメータとしている。
そして、このようなレーザ光源に対して、図16Bに示すように、状態d1、d2について、ダブルリングの透過スペクトルのピーク変化をシミュレーションにより確認したところ、図中に示したように、ピーク高さが変化した。図17は、各状態におけるダブルリングの透過スペクトルを示している。
まず、状態d1では、第2リング共振器15の温度を基準として第1リング共振器13の相対温度が0℃の場合のダブルリングの透過スペクトルを示している。この場合は、波長が1550nm近傍のピーク(1)が1番目のピークとなり、波長が1530nm近傍のピーク(2)が2番目のピークとなった。また、波長が1533nm近傍のピーク(3)が3番目のピークとなって、ピーク(2)は、ピーク(3)を挟んでピーク(1)と反対側となった。つまり、ピーク(1)とピーク(2)との間にピーク(3)が入り込んだ状態となった。
ピーク(1)の波長域は、第1リング共振器13の透過スペクトルのピークと第2リング共振器15の透過スペクトルのピークが重なる波長域である。ピーク(2)、(3)の波長域は、第1リング共振器13の透過スペクトルのピークと第2リング共振器15の透過スペクトルのピークが重ならないようにした場所で、元々2、3番目のピークと想定している波長域である。このように、1番目のピークにしたい波長域で1番目のピークが得られ、2、3番目のピークにしたい波長域で2、3番目のピークが得られている。このときのダブルリングの透過スペクトルにおける1番目のピークと2番目のピークの透過率差Yは、6.0dBとなっていた。
また、状態d1の場合のSOA2の利得を見てみると、1番目のピークとなる波長λ1と2番目のピークとなる波長λ2とで、利得差Xが3.0dBとなっている。このため、1番目のピークとなる波長λ1と2番目のピークとなる波長λ2とで、利得差Xと透過率差Yを合わせた値X+Yについては9.0dBとなった。このように、利得差Xと透過率差Yを合わせた値X+Yが9.0dB確保できると、ファブリペロー共振器の縦モードの1つを2つのリング共振器を直列に接続したダブルリングフィルタで抜き出し、シングルモード発振させることが可能となる。
次に、状態d2では、第2リング共振器15の温度を基準として第1リング共振器13の相対温度が2.3℃の場合のダブルリングの透過スペクトルを示している。この場合は、波長が1550nm近傍のピーク(1)が1番目のピークとなっているが、波長が1530nm近傍のピーク(2)も1番目のピークと高さが同じになった。このように、1番目のピークにしたい波長域で1番目のピークが得られているものの、2番目のピークにしたい波長域でも1番目のピークの高さのピークとなった。このときのダブルリングの透過スペクトルにおける1番目のピークと2番目のピークの透過率差Yは、0.0dBとなった。
しかしながら、状態d2において、SOA2の利得を見てみると、1番目のピークとなる波長λ1ともう一方の1番目のピークとなる波長λ2とで、利得差Xが3.0dBとなっている。このため、1番目のピークとなる波長λ1ともう一方の1番目のピークとなる波長λ2とで、利得差Xと透過率差Yを合わせた値X+Yについては3.0dBとなった。シングルモード発振させるには、値X+Yが3.0dB以上であれば良く、状態c2まではシングルモード発振が可能になっていると言える。このように、本実施例の場合、少なくとも第1リング共振器13と第2リング共振器15の温度差が2.3℃までは、シングルモード発振させることが可能になり、追加素子を必要としなくても、モードホップを抑制することが可能になる。
また、本実施例においては、ピーク(1)とピーク(2)との間にピーク(3)が入り込んだ状態となっている。このようにすると、ピーク(2)の位置においてSOA2の利得を更に下げることができる。したがって、尚更に、第1リング共振器13と第2リング共振器15の温度差が高くても、シングルモード発振させることが可能となる。
(比較例2)
本比較例では、図1とほぼ同様の構造を従来のレーザ光源について、ダブルリングの透過スペクトルの変化を調べた。ただし、比較例では、各部の寸法や結合効率κなどの各パラメータについて、図18Aに示す値となっているため、第2、第3実施例と異なり、共振時の波長に隣接する両隣の波長の透過スペクトルが2番目のピークとなる。
このようなレーザ光源に対して、図18Bに示すように、状態e1、e2について、ダブルリングの透過スペクトルのピーク変化をシミュレーションにより確認したところ、図中に示したように、ピーク高さが変化した。図19は、各状態におけるダブルリングの透過スペクトルを示している。
まず、状態e1では、第2リング共振器15の温度を基準として第1リング共振器13の相対温度が0℃の場合のダブルリングの透過スペクトルを示している。この場合は、波長が1550nm近傍のピーク(1)が1番目のピークとなり、波長が1545nm近傍のピーク(2)が2番目のピークとなった。ピーク(1)の波長域は、第1リング共振器13の透過スペクトルのピークと第2リング共振器15の透過スペクトルのピークが重なる波長域である。ピーク(2)の波長域は、第1リング共振器13の透過スペクトルのピークと第2リング共振器15の透過スペクトルのピークが重ならないようにした隣接するピークとなる場所で、元々2番目のピークと想定している波長域である。このように、1番目のピークにしたい波長域で1番目のピークが得られ、2番目のピークにしたい波長域で2番目のピークが得られている。このときのダブルリングの透過スペクトルにおける1番目のピークと2番目のピークの透過率差Yは、6.0dBとなっていた。
また、状態e1の場合のSOA2の利得を見てみると、1番目のピークとなる波長λ1と2番目のピークとなる波長λ2とで、利得差Xが0.0dBとなっている。このため、1番目のピークとなる波長λ1と2番目のピークとなる波長λ2とで、利得差Xと透過率差Yを合わせた値X+Yについては6.0dBとなった。このように、利得差Xと透過率差Yを合わせた値X+Yが6.0dB確保できると、ファブリペロー共振器の縦モードの1つを2つのリング共振器を直列に接続したダブルリングフィルタで抜き出し、シングルモード発振させることが可能となる。
次に、状態e2では、第2リング共振器15の温度を基準として第1リング共振器13の相対温度が1.2℃の場合のダブルリングの透過スペクトルを示している。この場合は、波長が1550nm近傍のピーク(1)が1番目のピークとなっているが、波長が1545nm近傍のピーク(2)が2番目のピークになっているものの、ほぼ1番目のピークと高さが同じになった。このように、1番目のピークにしたい波長域で1番目のピークが得られているものの、2番目のピークにしたい波長域でも1番目のピークとほぼ同じ高さのピークとなった。このときのダブルリングの透過スペクトルにおける1番目のピークと2番目のピークの透過率差Yは、3.0dBとなっていた。
シングルモード発振させるには、値X+Yが3.0dB以上であれば良く、状態e2まではシングルモード発振が可能になっていると言える。しかしながら、このときの第1リング共振器13と第2リング共振器15の温度差が1.2℃と小さく、これ以上に温度差が付くとシングルモード発振できなくなってしまう。このため、第1リング共振器13と第2リング共振器15の温度差が1℃程度に低い場合までしかシングルモード発振させられず、モードホップを抑制することが難しいと言える。
なお、このような比較例のレーザ光源では、2番目等のピークで発振しないように、ピーク(1)とピーク(2)等との間の透過率差が3dB以上となるように設計が行われる。そして、ダブルリングの透過スペクトルの1番目と2番目のピークの透過率差と、SOA2の利得差の両方を設計することでシングルモード発振するレーザ光源となる。しかしながら、第1リング共振器13と第2リング共振器15との温度差に基づいて、ピーク(1)とピーク(2)等との間の透過率差が低下した場合には、シングルモード発振しなくなり、モードホップを抑制できなくなる。
(第2実施形態)
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して光の取り出し方向などを変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第1実施形態では、レーザ発振が起こったときに第1反射部に相当する反射鏡21から光が出力されるようにしているが、本実施形態では、反射鏡21と異なる部分から光が出力されるようにする。
本実施形態では、第2反射部を第1実施形態のようなループミラー18で構成するのではなく、図20に示すように、方向性結合器40にて構成している。方向性結合器40は、第3導波路16から蛇行状に折り返されている。そして、本実施形態の場合、方向性結合器40の先端が、半導体基板10のうちSOA2が配置された端面10aと反対側の端面10bに向けられた構造とされている。
具体的には、方向性結合器40は、第1折返部40a、第2折返部40bおよび第3折返部40cを有した構成とされている。第1折返部40aは、第3導波路16の一端に接続されたものであり、本実施形態では第3導波路16の延長線上に延設されている。第2折返部40bは、第1折返部40aから第3導波路16側に向かって折り返された部分である。本実施形態では、第2折返部40bは、第1折返部40aの端部から所定の曲率半径で折り返されると共に、第1折返部40aに近づけられ、一部が第1折返部40aと対向配置されている。そして、対向配置された部分において、第2折返部40bの一部と第1折返部40aとの間が所定のギャップとされることで第2折返部40bと第1折返部40aとの間が光結合し、第2折返部40bに伝搬された光が第1折返部40aに伝わるようになっている。第3折返部40cは、第2折返部40bから端面10b側に向けて折り返された構成とされている。
このような構成とされているため、方向性結合器40は、第3導波路16から方向性結合器40に伝搬されてきた光を第3導波路16に戻すように反射する第2反射部としての役割を果たす。そして、方向性結合器40が第2反射部としての役割を果たすことから、反射鏡21と方向性結合器40との間で内出射光が反射させられるファブリペロー共振器が構成される。そして、発振時には、強い光が方向性結合器40の第3折返部40cを通じて端面10a側に出力されるようになっている。
なお、方向性結合器40は、内出射光を反射しつつ、外部に外出射光を取り出す形態とされる場合、一般的には、反射率が1~10%程度とされる。また、反射鏡21については、内出射光を反射しつ、外部には外出射光が取り出されない形態とされるため、反射率が90~100%程度とされる。
また、第3折返部40cの先端には、先細り形状の導波路50aを含むSSC50が接続されており、方向性結合器40からSSC50側へ、反射が抑制されて効率よく光が伝搬される構造とされている。そして、SSC50が端面10bに至るように形成されており、SSC50に伝搬された光が端面10bから出力されるようになっている。
なお、ここでは、導波路50aを含むSSC50が第3折返部40cの長手方向に対して所定の角度傾斜した方向に延設されるようにしているが、図21に示すように、第3折返部40cの長手方向と同方向に延設されていても良い。
以上説明したように、本実施形態では、第1反射部に相当する反射鏡21と異なる部分、具体的には第2反射部に相当する方向性結合器40から光が出力されるようにしている。このような構成において、第1実施形態と同様、第1リング共振器13と第2リング共振器15にて所定のFSRの透過スペクトルを生成し、ダブルリングの透過スペクトルの最も高い1番目のピークとその次に高い2番目のピークが隣り合わないようにする。これにより、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第3実施形態)
第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1、第2実施形態に対して第1リング共振器13と第2リング共振器15との間の構成を変更したものであり、その他については第1、第2実施形態と同様であるため、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは第1実施形態のようにSOA2の反射鏡21を通じて光が出力される形態を例に挙げて説明するが、第2実施形態のように反射鏡21と異なるところから光が出力される形態であっても良い。
本実施形態では、第1、第2実施形態で備えてあった第2導波路14を無くした構成としている。具体的には、図22に示すように、第1リング共振器13と第2リング共振器15が隣り合って配置されるようにしてあり、第1リング共振器13の一辺と第2リング共振器15の一辺とが所定のギャップで対向配置された状態となっている。これにより、第1リング共振器13と第2リング共振器15とが直接光結合し、光の伝搬が行われるようにしている。
このように、第1リング共振器13と第2リング共振器15とを隣接配置し、これらの間を直接光結合させることで、光の伝搬が行われるようにしても良い。このようにしても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第4実施形態)
第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して第3導波路16に伝わった光が第1導波路12に伝搬されて反射鏡21に至る構成としたものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
図23に示すように、第1導波路12を複数箇所で屈曲させた形状とし、第2リング共振器15を第2導波路14に対して第1リング共振器13と同じ側に配置している。また、第2導波路14に対して、第2リング共振器15を挟んだ第1導波路12側に第3導波路16を配置している。そして、第3導波路16を第1導波路12に接続し、第1導波路12と第3導波路16とによってY分岐導波路が構成されるようにしている。また、第1リング共振器13のうち第1導波路12または第2導波路14との結合長と、第2リング共振器15のうち第2導波路14または第3導波路16との結合長は、異なった長さに設定され、それぞれの結合効率κが異なった値とされている。
このように構成されるレーザ光源では、SOA2から出力された内出射光が第1導波路12から第1リング共振器13を通じて第2導波路14に伝搬され、さらに第2導波路14から第2リング共振器15を通じて第3導波路16に伝搬される。そして、第3導波路16に伝搬された光は、さらに第1導波路12に伝搬され、SSC11を通じてSOA2に戻る。これにより、第1導波路12に入射された光は、第1リング共振器13、第2導波路14、第2リング共振器15および第3導波路16に伝わり反射鏡21にて反射される光経路で伝搬される。また、これと同時に、第1導波路12に入射された光は、第3導波路16、第2リング共振器15、第2導波路14、第1リング共振器13および第1導波路12に伝搬され、SSC11を通じてSOA2に戻る。これにより、第1導波路12に入射された光は、第3導波路16、第2リング共振器15、第2導波路14、第1リング共振器13および第1導波路12に伝わり反射鏡21にて反射される光経路でも伝搬される。これにより、Y分岐導波路にて二方向に分岐した光経路が構成されるファブリペロー共振器が構成される。
そして、このような構成においても、第1リング共振器13と第2リング共振器15にて所定のFSRの透過スペクトルを生成し、ダブルリングの透過スペクトルの最も高い1番目のピークとその次に高い2番目のピークが隣り合わないようにしている。したがって、本実施形態のレーザ光源によっても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、本実施形態の場合、光フィルタ1内における光経路が上記したものとなることから、SSC11および第1導波路12のうちの第3導波路16との分岐点までについては光が往復するものの、それ以外の部分では往復する経路にならない。このため、本実施形態の場合、第1実施形態のように、第1導波路12、第1リング共振器13、第2導波路14、第2リング共振器15および第3導波路16を往復する光経路となる場合と比較して、ファブリペロー共振器を構成する光路長が短くなる。したがって、要求される光路長に応じて、第1導波路12の長さを調整するなどすると好ましい。
(第5実施形態)
第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1、第3、第4実施形態に対して反射鏡21ではない所から外出射光の取り出しを行うようにしたものであり、その他については第1、第3、第4実施形態と同様であるため、第1、第3、第4実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは第1実施形態の構造について本実施形態の外出射光の取り出し構造を適用した場合について説明するが、第3、第4実施形態の構造についても適用できる。
図24に示すように、第1導波路12に対して出射導波路に相当する第4導波路19を光結合し、第4導波路19を通じて外出射光が取り出されるようにしている。具体的には、第4導波路19は、光結合部19a、線状部19bおよびターミネータ19cを有し、光結合部19aにおいて第1導波路12に対して光結合されている。線状部19bは、第1導波路12と同方向に延設されており、その一端側において第4導波路19が部分的に第1導波路12に近づけられることで光結合部19aが構成されている。本実施形態の場合、光結合部19aは、第1リング共振器13とSSC11との間に配置され、その間において第4導波路19の一部が第1導波路12に近づけられることで構成されている。光結合部19aは、第1導波路12に対して所定のギャップを空けて対向配置された部分を有し、この部分において、第1導波路12と光結合されている。
ターミネータ19cは、第4導波路19のうち外出射光が取り出される側と反対側の端部に形成されており、第4導波路19に伝搬されてきた不要な光を外部に放出させる。本実施形態の場合、ターミネータ19cは、光結合部19aのうち線状部19bと反対側の端部に接続されており、光結合部19aの端部および線状部19bに対して所定角度傾斜した方向に延設されている。
また、線状部19bのうち光結合部19aおよびターミネータ19cと反対側には、先細り形状の導波路60aを含むSSC60が接続されている。このため、第4導波路19からSSC60側へ、反射が抑制されて効率よく光が伝搬される構造とされている。そして、SSC60が端面10bに至るように形成されており、SSC60に伝搬された光が端面10bから出力されるようになっている。
なお、ここでは第4導波路19およびSSC60より外出射光を外部に取り出している。したがって、第1反射部に相当する反射鏡21や第2反射部に相当するループミラー18については、共に、内出射光を反射しつ、外部には外出射光が取り出されない形態とされるため、反射率が90~100%程度とされる。
以上説明したように、本実施形態では、第1反射部に相当する反射鏡21とは異なる部分、具体的には第4導波路19およびSSC60から光が出力されるようにしている。このような構成において、第1実施形態と同様、第1リング共振器13と第2リング共振器15にて所定のFSRの透過スペクトルを生成し、ダブルリングの透過スペクトルの最も高い1番目のピークとその次に高い2番目のピークが隣り合わないようにする。これにより、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、ここでは、導波路60aを含むSSC60が線状部19bの長手方向に対して所定の角度傾斜した方向に延設されるようにしているが、図25に示すように、線状部19bの長手方向と同方向に延設されていても良い。
(他の実施形態)
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
例えば、上記実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
例えば、第1リング共振器13と第2リング共振器15や第1~第3導波路12、14、16の形状などについて、上記に限るものではないし、各部の材料や幅などの寸法についても、上記に限るものではない。また、第1~第3導波路12、14、16に備えられたターミネータ12a、14a、14b、16aについては必須なものではないし、形状も上記に限るものではない。
また、1番目のピークの波長において、第1リング共振器13と第2リング共振器15それぞれの透過スペクトルのピークが重なる状態、つまりスペクトルの山と山が重なる状態を例に挙げた。ここでいう山と山が重なる状態とは、山のピーク高さや傾斜が完全に一致するという意味ではなく、山のピークとなる波長同士がほぼ一致していることを意味している。ただし、波長同士も完全に一致していなくても良く、これらが若干ずれていても良い。
また、上記各実施例では、第1リング共振器13の周囲長Lring1よりも第2リング共振器15の周囲長Lring2の方が長くなる例を示したが、大小関係が逆になっても良い。いずれの場合についても、周囲長Lring1および結合効率κ1の組み合わせと、周囲長Lring2および結合効率κ2との組み合わせについて、周囲長の長い方の組み合わせでは短い方の組み合わせと比べて結合効率κが大きくされると良い。このようにすれば、各透過スペクトルの半値幅を合わせることが可能となって、上記効果を得ることができる。
また、上記第2実施形態では、内出射光を反射しつつ、外への光の出力が行える第2反射部として、方向性結合器40を例に挙げた。しかしながら、これは第2反射部の構成するものの一例を示したに過ぎず、DBR(Distributed Bragg Reflector)などの他の反射構造によって第2反射部を構成しても良い。
また、第1実施形態のように、外への光の出力を積極的に行わない第2反射部として、ループミラー18を例に挙げた。しかしながら、これも第2反射部の構成するものの一例を示したに過ぎず、第2実施形態で挙げた方向性結合器40やDBRなどで第2反射部を構成しても良い。方向性結合器40については、第1折返部40aと第2折返部40bとの対向長やギャップに基づいて結合係数を調整できるし、光の位相が反転してπずれて互いに打ち消し合ようにできることから、反射率を0~100%の範囲で調整できる。同様に、DBRについても、DBRを構成する回折格子の周期や数を調整することで、反射率を0~100%の範囲で調整できる。したがって、反射率が高くなるような調整を行うことで、方向性結合器40やDBRを外への光の出力を積極的に行わない第2反射部として用いることも可能である。
また、第5実施形態では、外出射光の取り出しを行う第4導波路19を第1導波路12に光結合しているが、第1導波路12に限らず、第2導波路14や第3導波路16に対して第4導波路19を光結合しても良い。勿論、第5実施形態で説明した第4導波路19より光を取り出す構造を第3、第4実施形態に適用する場合においても同様である。
なお、上記各実施形態において、第1導波路12、第2導波路14、第3導波路16、第4導波路19を直線状としているが、必ずしも直線状とする必要はない。また、第1リング共振器13、第2リング共振器15と各導波路とが光結合される部分をそれぞれ直線状としているが、この部分も直線状である必要は無く、光結合されていれば良い。
1 光フィルタ
2 SOA
10 半導体基板
12 第1導波路
13 第1リング共振器
14 第2導波路
15 第2リング共振器
16 第3導波路
17 変調器
18 ループミラー

Claims (15)

  1. 光フィルタであって、
    異なる周囲長を有する第1リング共振器(13)および第2リング共振器(15)と、
    前記第1リング共振器に光結合され、該第1リング共振器に対して光を伝搬する導波路(12)と、を含み、
    前記導波路に入射された光が前記第1リング共振器を通じて前記第2リング共振器に伝搬され、
    前記第1リング共振器の透過スペクトルの自由スペクトル間隔と前記第2リング共振器の透過スペクトルの自由スペクトル間隔とがずらされ、前記第1リング共振器と前記第2リング共振器それぞれの前記透過スペクトルの合成スペクトルとなるダブルリングの透過スペクトルが任意の波長において最も高い1番目のピークとなるように、前記第1リング共振器と前記第2リング共振器それぞれの前記透過スペクトルの自由スペクトル間隔が設定されており、
    前記ダブルリングの透過スペクトルは、前記1番目のピークと該1番目のピークの次に高い2番目のピークとの間に、前記2番目のピークよりも低いピークが配置されている光フィルタ。
  2. 前記ダブルリングの透過スペクトルは、前記2番目のピークの次に高い3番目のピークを有し、
    前記1番目のピークと前記2番目のピークとの間に前記3番目のピークが位置している請求項1に記載の光フィルタ。
  3. 前記ダブルリングの透過スペクトルは、複数の波長において前記1番目のピークを有し、
    前記第1リング共振器と前記第2リング共振器それぞれの透過スペクトルは、前記複数の波長における前記1番目のピークの間において順番に並びつつ、該順番が入れ替わる順番逆転部を有している請求項1または2に記載の光フィルタ。
  4. 前記ダブルリングの透過スペクトルは、複数の波長において前記1番目のピークを有し、
    前記複数の波長における前記1番目のピークにおいて前記第1リング共振器と前記第2リング共振器それぞれの透過スペクトルの山と山が重なり、前記複数の波長における前記1番目のピークの間に前記2番目のピークが位置し、該2番目のピーク付近において前記第1リング共振器と前記第2リング共振器それぞれの透過スペクトルの谷と谷が重なる請求項1または2に記載の光フィルタ。
  5. 前記第1リング共振器に対して光を伝搬する前記導波路を第1導波路として、
    前記第1リング共振器に光結合されると共に前記第2リング共振器に光結合され、該第1リング共振器から光が伝搬されると共に該光を前記第2リング共振器に伝搬する第2導波路(14)を含んでいる請求項1ないし4のいずれか1つに記載の光フィルタ。
  6. 前記第1リング共振器と前記第2リング共振器とが直接光結合されており、前記第1リング共振器から前記第2リング共振器に直接光が伝搬される請求項1ないし4のいずれか1つに記載の光フィルタ。
  7. 前記第1リング共振器に対して光を伝搬する前記導波路を第1導波路として、
    前記第1リング共振器に光結合されると共に前記第2リング共振器に光結合され、該第1リング共振器から光が伝搬されると共に該光を前記第2リング共振器に伝搬する第2導波路(14)と、
    前記第2リング共振器に光結合されると共に、前記第1導波路に接続され、前記第1導波路と共にY分岐導波路を構成する第3導波路(16)と、を有している請求項1ないし4のいずれか1つに記載の光フィルタ。
  8. 請求項5に記載の光フィルタ(1)と、
    前記光フィルタに接続され、前記第1導波路に対して光を入力する半導体光増幅器(2)と、を有し、
    前記半導体光増幅器のうち前記光フィルタと接続される一面(2a)と反対側となる他面(2b)には、前記第1導波路から該半導体光増幅器に伝搬される光を反射する第1反射部(21)が備えられ、
    前記光フィルタは、
    前記第2リング共振器に光結合されると共に前記第2リング共振器から光が伝搬される第3導波路(16)と、
    前記第3導波路に伝搬される光を反射して前記第3導波路に伝搬する第2反射部(18、40)と、を含み、
    前記第1導波路に入力された光が前記第1リング共振器、前記第2導波路、前記第2リング共振器および前記第3導波路の順に伝搬されて前記第2反射部で反射され、前記第3導波路、前記第2リング共振器、前記第2導波路、前記第1リング共振器および前記第1導波路の順に伝搬されて前記第1反射部で反射されるファブリペロー共振器が構成されており、
    前記ダブルリングの透過スペクトルの前記1番目のピークとなる波長において発振し、前記第1反射部と前記第2反射部のいずれか一方から光が出射させられるレーザ光源。
  9. 前記第1リング共振器の周囲長および前記第1リング共振器と前記第1導波路との結合効率の組み合わせと、前記第2リング共振器の周囲長および前記第2リング共振器と前記第2導波路との結合効率との組み合わせについて、前記周囲長の長い方の組み合わせでは短い方の組み合わせと比べて前記結合効率が大きくされている請求項8に記載のレーザ光源。
  10. 請求項6に記載の光フィルタ(1)と、
    前記光フィルタに接続され、前記第1リング共振器に対して光を伝搬する前記導波路を1つの導波路として、前記1つの導波路に対して光を入力する半導体光増幅器(2)と、を有し、
    前記半導体光増幅器のうち前記光フィルタと接続される一面(2a)と反対側となる他面(2b)には、前記1つの導波路から該半導体光増幅器に伝搬される光を反射する第1反射部(21)が備えられ、
    前記光フィルタは、
    前記第2リング共振器に光結合されると共に前記第2リング共振器から光が伝搬されるもう1つの導波路(16)と、
    前記もう1つの導波路に伝搬される光を反射して前記もう1つの導波路に伝搬する第2反射部(18、40)と、を含み、
    前記1つの導波路に入力された光が前記第1リング共振器、前記第2リング共振器および前記もう1つの導波路の順に伝搬されて前記第2反射部で反射され、前記もう1つの導波路、前記第2リング共振器、前記第1リング共振器および前記1つの導波路の順に伝搬されて前記第1反射部で反射されるファブリペロー共振器が構成されており、
    前記ダブルリングの透過スペクトルの前記1番目のピークとなる波長において発振し、前記第1反射部と前記第2反射部のいずれか一方から光が出射させられるレーザ光源。
  11. 請求項7に記載の光フィルタ(1)と、
    前記光フィルタに接続され、前記第1導波路に対して光を入力する半導体光増幅器(2)と、を有し、
    前記半導体光増幅器のうち前記光フィルタと接続される一面(2a)と反対側となる他面(2b)には、前記第1導波路から該半導体光増幅器に伝搬される光を反射する反射部(21)が備えられ、
    前記第1導波路に入力された光が前記第1リング共振器、前記第2導波路、前記第2リング共振器および前記第3導波路の順に伝搬されて前記反射部で反射される光経路と、前記第1導波路に入力された光が前記第3導波路から前記第2リング共振器、前記第2導波路、前記第1リング共振器および前記第1導波路の順に伝搬されて前記反射部で反射される光経路とに分岐する光経路を形成するファブリペロー共振器が構成されており、
    前記ダブルリングの透過スペクトルの前記1番目のピークとなる波長において発振し、前記反射部から光が出射させられるレーザ光源。
  12. 請求項5に記載の光フィルタ(1)と、
    前記光フィルタに接続され、前記第1導波路に対して光を入力する半導体光増幅器(2)と、を有し、
    前記半導体光増幅器のうち前記光フィルタと接続される一面(2a)と反対側となる他面(2b)には、前記第1導波路から該半導体光増幅器に伝搬される光を反射する第1反射部(21)が備えられ、
    前記光フィルタは、
    前記第2リング共振器に光結合されると共に前記第2リング共振器から光が伝搬される第3導波路(16)と、
    前記第3導波路に伝搬される光を反射して前記第3導波路に伝搬する第2反射部(18)と、を含み、
    前記第1導波路に入力された光が前記第1リング共振器、前記第2導波路、前記第2リング共振器および前記第3導波路の順に伝搬されて前記第2反射部で反射され、前記第3導波路、前記第2リング共振器、前記第2導波路、前記第1リング共振器および前記第1導波路の順に伝搬されて前記第1反射部で反射されるファブリペロー共振器が構成されており、
    さらに、前記第1導波路と前記第2導波路および前記第3導波路のうちのいずれかに光結合された出射導波路(19)を有し、
    前記ダブルリングの透過スペクトルの前記1番目のピークとなる波長において発振し、前記出射導波路を通じて光が出射させられるレーザ光源。
  13. 請求項6に記載の光フィルタ(1)と、
    前記光フィルタに接続され、前記第1リング共振器に対して光を伝搬する前記導波路を1つの導波路として、前記1つの導波路に対して光を入力する半導体光増幅器(2)と、を有し、
    前記半導体光増幅器のうち前記光フィルタと接続される一面(2a)と反対側となる他面(2b)には、前記1つの導波路から該半導体光増幅器に伝搬される光を反射する第1反射部(21)が備えられ、
    前記光フィルタは、
    前記第2リング共振器に光結合されると共に前記第2リング共振器から光が伝搬されるもう1つの導波路(16)と、
    前記もう1つの導波路に伝搬される光を反射して前記もう1つの導波路に伝搬する第2反射部(18)と、を含み、
    前記1つの導波路に入力された光が前記第1リング共振器、前記第2リング共振器および前記もう1つの導波路の順に伝搬されて前記第2反射部で反射され、前記もう1つの導波路、前記第2リング共振器、前記第1リング共振器および前記1つの導波路の順に伝搬されて前記第1反射部で反射されるファブリペロー共振器が構成されており、
    さらに、前記1つの導波路と前記もう1つの導波路のうちのいずれかに光結合された出射導波路(19)を有し、
    前記ダブルリングの透過スペクトルの前記1番目のピークとなる波長において発振し、前記出射導波路を通じて光が出射させられるレーザ光源。
  14. 請求項7に記載の光フィルタ(1)と、
    前記光フィルタに接続され、前記第1導波路に対して光を入力する半導体光増幅器(2)と、を有し、
    前記半導体光増幅器のうち前記光フィルタと接続される一面(2a)と反対側となる他面(2b)には、前記第1導波路から該半導体光増幅器に伝搬される光を反射する反射部(21)が備えられ、
    前記第1導波路に入力された光が前記第1リング共振器、前記第2導波路、前記第2リング共振器および前記第3導波路の順に伝搬されて前記反射部で反射される光経路と、前記第1導波路に入力された光が前記第3導波路から前記第2リング共振器、前記第2導波路、前記第1リング共振器および前記第1導波路の順に伝搬されて前記反射部で反射される光経路とに分岐する光経路を形成するファブリペロー共振器が構成されており、
    さらに、前記第1導波路と前記第2導波路および前記第3導波路のうちのいずれかに光結合された出射導波路(19)を有し、
    前記ダブルリングの透過スペクトルの前記1番目のピークとなる波長において発振し、前記出射導波路を通じて光が出射させられるレーザ光源。
  15. 請求項ないし14のいずれか1つに記載のレーザ光源を有し、
    該レーザ光源を光源とする光送受信装置。
JP2018207488A 2018-11-02 2018-11-02 光フィルタ、それを用いたレーザ光源および光送受信装置 Active JP7211017B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018207488A JP7211017B2 (ja) 2018-11-02 2018-11-02 光フィルタ、それを用いたレーザ光源および光送受信装置
US16/665,704 US11495935B2 (en) 2018-11-02 2019-10-28 Optical filter, and laser light source and optical transceiver using the same
CN201911052656.7A CN111146687B (zh) 2018-11-02 2019-10-31 滤光器、以及使用该滤光器的激光源和光学收发器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018207488A JP7211017B2 (ja) 2018-11-02 2018-11-02 光フィルタ、それを用いたレーザ光源および光送受信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020071448A JP2020071448A (ja) 2020-05-07
JP7211017B2 true JP7211017B2 (ja) 2023-01-24

Family

ID=70459070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018207488A Active JP7211017B2 (ja) 2018-11-02 2018-11-02 光フィルタ、それを用いたレーザ光源および光送受信装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11495935B2 (ja)
JP (1) JP7211017B2 (ja)
CN (1) CN111146687B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7379962B2 (ja) * 2019-09-04 2023-11-15 株式会社デンソー 光導波路終端素子およびそれを用いた光フィルタ
WO2023238294A1 (ja) * 2022-06-08 2023-12-14 三菱電機株式会社 光終端器、光波長フィルタ及び外部共振器型レーザ光源
CN115220151B (zh) * 2022-07-19 2023-11-14 欧梯恩智能科技(苏州)有限公司 基于微环谐振腔游标效应硅基光波导解调器件及方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005096462A1 (ja) 2004-03-31 2005-10-13 Nec Corporation 波長可変レーザ
WO2007029647A1 (ja) 2005-09-06 2007-03-15 Nec Corporation 波長可変フィルタおよび波長可変レーザ
JP2015154052A (ja) 2014-02-19 2015-08-24 国立大学法人東北大学 波長フィルタおよびレーザ
JP2016102926A (ja) 2014-11-28 2016-06-02 富士通株式会社 波長可変レーザ及び波長可変レーザモジュール
US20160204576A1 (en) 2015-01-13 2016-07-14 Futurewei Technologies, Inc. Tunable Laser with a Cascaded Filter and Comb Reflector
WO2017127203A1 (en) 2016-01-22 2017-07-27 Oracle International Corporation Wavelength control of a dual-ring laser
JP2018046144A (ja) 2016-09-14 2018-03-22 富士通株式会社 波長可変レーザ、波長可変レーザ装置及びその制御方法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0782131B2 (ja) 1985-10-28 1995-09-06 日本電信電話株式会社 光リングフィルタ
JPS63281104A (ja) 1987-05-14 1988-11-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光リングフィルタ
JP2667255B2 (ja) 1989-07-24 1997-10-27 日立電線株式会社 希土類元素添加ガラス導波路増幅器
JPH05323391A (ja) 1992-05-20 1993-12-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光信号処理装置
JPH10261837A (ja) 1997-03-20 1998-09-29 Canon Inc リング共振器を有する偏波変調可能な半導体レーザ、その使用方法及びこれを用いた光通信システム
KR100285009B1 (ko) * 1999-04-20 2001-03-15 박호군 반도체 광증폭기를 이득매체로 하는 능동형 모드 록킹된 고리형 반도체-광섬유 레이저
IL132385A0 (en) 1999-10-14 2001-03-19 Lambda Crossing Ltd An integrated optical device for data communications
ATE251761T1 (de) 2000-04-24 2003-10-15 Lambda Crossing Ltd Integrierte mehrschichtige optische vorrichtung und zugehöriges herstellungsverfahren
JP4083045B2 (ja) 2003-03-18 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 直列結合リング共振器波長フィルタの中心波長制御方法
JP4273020B2 (ja) 2004-02-27 2009-06-03 光伸光学工業株式会社 光導波路型波長フィルタおよび波長合分波器
JP4678191B2 (ja) * 2005-01-11 2011-04-27 日本電気株式会社 多重共振器の設計方法
JP4945907B2 (ja) 2005-03-03 2012-06-06 日本電気株式会社 波長可変レーザ
JP4774761B2 (ja) 2005-03-03 2011-09-14 日本電気株式会社 波長可変共振器、波長可変レーザ、光モジュール及びそれらの制御方法
JP2006278769A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 Nec Corp 波長可変レーザ
JP2006278770A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 Nec Corp 波長可変レーザ
JP2007115900A (ja) 2005-10-20 2007-05-10 Nec Corp 波長可変光源、波長可変光源モジュール、および波長可変光源の駆動方法
JP4779886B2 (ja) * 2006-08-31 2011-09-28 日本電気株式会社 波長可変レーザ
JP2008060445A (ja) 2006-09-01 2008-03-13 Nec Corp 発光素子
JP4942429B2 (ja) 2006-09-04 2012-05-30 日本電信電話株式会社 半導体波長可変レーザ
JP5050548B2 (ja) 2007-02-07 2012-10-17 日本電気株式会社 光モジュール
JP2008197500A (ja) 2007-02-14 2008-08-28 Nec Corp 光モジュール
JP2008251673A (ja) 2007-03-29 2008-10-16 Nec Corp 光デバイスとその製造方法
JP2008270583A (ja) 2007-04-23 2008-11-06 Nec Corp 波長可変光源装置とその制御方法,制御用プログラム
JP2009010197A (ja) 2007-06-28 2009-01-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ素子
JP2009016594A (ja) 2007-07-05 2009-01-22 Nec Corp 半導体光素子の実装構造
US20090046748A1 (en) * 2007-08-14 2009-02-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light-emitting device with precisely tuned and narrowed spectral width of optical output and an optical signal source providing the same
JP4973399B2 (ja) 2007-09-05 2012-07-11 日本電気株式会社 波長可変光源、その制御方法及び制御プログラム、並びに光モジュール
US8005122B2 (en) 2007-10-25 2011-08-23 Nec Corporation Mode-locked laser
WO2009096431A1 (ja) 2008-02-01 2009-08-06 Nec Corporation 波長可変光源、光モジュールおよび波長可変光源の製造方法
JPWO2009119284A1 (ja) 2008-03-26 2011-07-21 日本電気株式会社 波長可変レーザ装置並びにその制御方法及び制御プログラム
JP2009278015A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Nec Corp 平面光波回路及びこれを備えた波長可変レーザ装置
JP5206187B2 (ja) 2008-07-15 2013-06-12 富士通株式会社 光半導体装置
WO2010016295A1 (ja) 2008-08-06 2010-02-11 日本電気株式会社 波長可変光送信機
JP5240095B2 (ja) 2008-09-03 2013-07-17 日本電気株式会社 波長可変レーザ光源、及びその駆動方法
JP2010177539A (ja) 2009-01-30 2010-08-12 Nec Corp 送信光源及びその製造方法
JP2011075767A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Nec Corp 光リング共振器
JP2011142191A (ja) 2010-01-06 2011-07-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体波長可変レーザ
JP5609135B2 (ja) 2010-02-16 2014-10-22 日本電気株式会社 波長可変レーザ光源
EP2515099A1 (en) * 2011-04-21 2012-10-24 Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Wissenschaft E.V. Method of detecting molecules and optical sensor
JP5772989B2 (ja) * 2012-01-31 2015-09-02 富士通株式会社 レーザ素子
JP5458194B2 (ja) 2013-02-18 2014-04-02 日本電信電話株式会社 半導体波長可変レーザ
JP2015109303A (ja) 2013-12-03 2015-06-11 日本電信電話株式会社 波長可変レーザ光源
JP6327342B2 (ja) 2014-06-18 2018-05-23 富士通株式会社 レーザ装置
JP6274322B2 (ja) 2014-09-19 2018-02-07 富士通株式会社 レーザ装置及びレーザ装置の制御方法
JP6684094B2 (ja) * 2015-03-20 2020-04-22 古河電気工業株式会社 波長可変レーザ素子およびレーザモジュール
JP2016212265A (ja) 2015-05-08 2016-12-15 日本電信電話株式会社 レーザ光源
JP2017098362A (ja) 2015-11-20 2017-06-01 富士通株式会社 光集積素子及び光通信装置
JP2017216384A (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 富士通株式会社 波長可変レーザ
JP7019950B2 (ja) 2017-02-27 2022-02-16 株式会社豊田中央研究所 レーザレーダ装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005096462A1 (ja) 2004-03-31 2005-10-13 Nec Corporation 波長可変レーザ
WO2007029647A1 (ja) 2005-09-06 2007-03-15 Nec Corporation 波長可変フィルタおよび波長可変レーザ
JP2015154052A (ja) 2014-02-19 2015-08-24 国立大学法人東北大学 波長フィルタおよびレーザ
JP2016102926A (ja) 2014-11-28 2016-06-02 富士通株式会社 波長可変レーザ及び波長可変レーザモジュール
US20160204576A1 (en) 2015-01-13 2016-07-14 Futurewei Technologies, Inc. Tunable Laser with a Cascaded Filter and Comb Reflector
WO2017127203A1 (en) 2016-01-22 2017-07-27 Oracle International Corporation Wavelength control of a dual-ring laser
JP2018046144A (ja) 2016-09-14 2018-03-22 富士通株式会社 波長可変レーザ、波長可変レーザ装置及びその制御方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MATSUO Shinji, et al,Integrated Filtered Feedback Tunable Laser using Double-Ring-Resonator-Coupled Filter,2008 IEEE 21st International Semiconductor Laser Conference,IEEE,2008年09月,WB7,p.155-156,DOI: 10.1109/ISLC.2008.4636056

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020071448A (ja) 2020-05-07
CN111146687A (zh) 2020-05-12
US20200144782A1 (en) 2020-05-07
CN111146687B (zh) 2024-01-19
US11495935B2 (en) 2022-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10297973B2 (en) Tunable laser with directional coupler
JP5764875B2 (ja) 半導体光装置
JP4942429B2 (ja) 半導体波長可変レーザ
JP5772989B2 (ja) レーザ素子
JP6722204B2 (ja) ホイッスル形状可変フィルタに結合されたiii−v族半導体利得部を有する発光装置
US10126501B2 (en) Tunable reflectors based on multi-cavity interference
JP2016178283A (ja) 波長可変レーザ素子およびレーザモジュール
JP7211017B2 (ja) 光フィルタ、それを用いたレーザ光源および光送受信装置
JP2010091737A (ja) 光共振器及び波長可変レーザ
JP5648391B2 (ja) 半導体光装置
JP7095605B2 (ja) 波長可変レーザ
JP7189431B2 (ja) 波長可変レーザ
JP5524821B2 (ja) 半導体レーザモジュール
WO2020145176A1 (ja) 波長可変レーザ
JP2023173210A (ja) 光送受信装置
JP2023043949A (ja) 光フィルタおよび波長可変レーザ素子
JP2018142658A (ja) 光源装置、及び、光素子
KR20140109783A (ko) Amzi-fp 필터 집적 파장가변 레이저다이오드 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211013

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220809

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220928

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221226

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7211017

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151