JP2006278769A - 波長可変レーザ - Google Patents
波長可変レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006278769A JP2006278769A JP2005096224A JP2005096224A JP2006278769A JP 2006278769 A JP2006278769 A JP 2006278769A JP 2005096224 A JP2005096224 A JP 2005096224A JP 2005096224 A JP2005096224 A JP 2005096224A JP 2006278769 A JP2006278769 A JP 2006278769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- wavelength
- waveguide
- ring resonator
- mode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
- H01S5/142—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon which comprises an additional resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0612—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
- H01S5/1032—Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0651—Mode control
- H01S5/0653—Mode suppression, e.g. specific multimode
- H01S5/0654—Single longitudinal mode emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】 波長可変レーザ50は、互いに異なる光路長を有するリング状導波路から成る二つリング共振器61,62が連結されて成る多重リング共振器60と、リング共振器61に一端が結合された入出力側導波路52と、リング共振器62に一端が結合された反射側導波路54と、多重リング共振器60、入出力側導波路52及び反射側導波路54が形成されたPLC基板55と、反射側導波路54の他端に設けられた高反射膜56と、入出力側導波路52の他端に結合されたLD57と、多重リング共振器60の共振波長を変化させる膜状ヒータ62hと、多重共振器60に対して高次モードの光の進入を抑え基本モードの光を伝搬させるモードフィルタ71〜73と、を備えている。
【選択図】 図1
Description
telecommunication union)グリッド毎に波長のみが異なった製品を用いて、WDM伝送システムを構成している。このため、波長毎に異なった製品を用いる必要があるので、棚管理コストが上昇したり、故障対応のための余剰な在庫が必要になったりしていた。更に、波長により光路を切り換えるROADMでは、通常のDFB−LDを使用してしまうと、温度変化で変えられる3nm程度に波長範囲の可変幅が制限されてしまう。したがって、波長資源を積極的に使用するROADMの特長を活かした光ネットワークの構成が困難となってしまう。
diode)」という。)、半導体光増幅器(以下「SOA(semiconductor optical amplifier)」という。)、光ファイバ増幅器などである。また、本発明に係る波長可変レーザは、多重共振器を伝搬する光を検出する光検出手段と、光検出手段で検出された光に基づき波長可変手段を制御する制御手段と、を更に備えてもよい。光検出手段は、例えばフォトダイオードやフォトトランジスタなどの受光素子であり、例えばいずれかのリング共振器のスルーポートにおいて光を検出する。制御手段は、例えば、多重共振器を伝搬する光の共振波長が一定になるように、波長可変手段を介してフィードバック制御を実行する。
0.9W1 < W2では、狭幅導波路とこれ以外の導波路との光伝搬特性が、ほぼ同じになってしまう。また、W2
< 0.1W1では、屈折率分布の非対称性などにより、基本モードですら伝搬できなくなるおそれがある。そのため、前式の上限値及び下限値を定めている。
11,51,53 方向性結合器
11t スルーポート
12,52 入出力側導波路
14,54 反射側導波路
15,55 PLC基板(基板)
16,56 高反射膜(光反射手段)
17 SOA(光入出力手段)
171 位相制御領域(波長可変手段)
18 制御手段
20,60 多重リング共振器
21p 受光素子(光検出手段)
21,22,23,61,62 リング共振器
22h,23h,62h 膜状ヒータ(波長可変手段)
24,25,27,63,64 方向性結合器(光学的結合手段)
28,29,65 連結用の導波路(光学的結合手段)
31,32,33,34,71,72,73,70a,70b,70c モードフィルタ(フィルタ手段)
57 LD(光入出力手段)
Claims (7)
- リング状導波路から成るとともに互いに異なる光路長を有する複数のリング共振器と、これらのリング共振器が連結されて成る多重リング共振器と、この多重リング共振器に結合された入出力側導波路と、この入出力側導波路に結合された光入出力手段と、前記多重リング共振器に結合された反射側導波路と、この反射側導波路に結合された光反射手段と、前記多重リング共振器の共振波長を変化させる波長可変手段と、前記多重共振器に対して高次モードの光の進入を抑え基本モードの光を伝搬させるフィルタ手段と、
を備えたことを特徴とする波長可変レーザ。 - 前記多重リング共振器、前記入出力側導波路及び前記反射側導波路が形成された基板を更に備え、
前記フィルタ手段は、前記基板に形成されたモードフィルタである、
請求項1記載の波長可変レーザ。 - 前記複数のリング共振器は、連結用導波路を含む光学的結合手段によって連結され、
前記モードフィルタは、前記連結用導波路、前記入出力側導波路及び前記反射側導波路の中の少なくとも一つに形成された、
請求項2記載の波長可変レーザ。 - 前記モードフィルタは、基本モードの光を伝搬させる幅を有する狭幅導波路から成る、
請求項2又は3記載の波長可変レーザ。 - 前記モードフィルタは、基本モードの光を伝搬させる曲率半径を有する曲がり導波路から成る、
請求項2又は3記載の波長可変レーザ。 - 前記多重リング共振器を伝搬する光を検出する光検出手段と、
この光検出手段で検出された光に基づき前記波長可変手段を制御する制御手段と、
を更に備えた請求項1乃至5のいずれかに記載の波長可変レーザ。 - 前記光反射手段が反射膜であり、前記光入出力手段がレーザダイオード又は半導体光増幅器であり、前記波長可変手段が膜状ヒータであり、前記基板がPLC基板であり、前記光検出手段が受光素子であり、
前記制御手段は、前記受光素子で検出された受光量が最小になるように前記膜状ヒータへの通電量を制御する、
請求項6記載の波長可変レーザ。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005096224A JP2006278769A (ja) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | 波長可変レーザ |
CA002541049A CA2541049A1 (en) | 2005-03-29 | 2006-03-27 | Tunable laser comprising a multiple ring resonator and higher order mode blocking filter |
DE602006011523T DE602006011523D1 (de) | 2005-03-29 | 2006-03-28 | Abstimmbarer Laser mit Mehrfachringresonator und Modenfilter |
EP06006412A EP1708323B1 (en) | 2005-03-29 | 2006-03-28 | Tunable laser with multiple ring resonator and mode filter |
CNB2006100679982A CN100574023C (zh) | 2005-03-29 | 2006-03-29 | 可调谐激光器 |
AU2006201303A AU2006201303A1 (en) | 2005-03-29 | 2006-03-29 | Tunable laser |
US11/391,204 US20060222038A1 (en) | 2005-03-29 | 2006-03-29 | Tunable laser |
KR1020060028154A KR100816578B1 (ko) | 2005-03-29 | 2006-03-29 | 가변 파장 레이저 |
TW095110874A TWI360272B (en) | 2005-03-29 | 2006-03-29 | Tunable laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005096224A JP2006278769A (ja) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | 波長可変レーザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006278769A true JP2006278769A (ja) | 2006-10-12 |
Family
ID=36423526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005096224A Pending JP2006278769A (ja) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | 波長可変レーザ |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060222038A1 (ja) |
EP (1) | EP1708323B1 (ja) |
JP (1) | JP2006278769A (ja) |
KR (1) | KR100816578B1 (ja) |
CN (1) | CN100574023C (ja) |
AU (1) | AU2006201303A1 (ja) |
CA (1) | CA2541049A1 (ja) |
DE (1) | DE602006011523D1 (ja) |
TW (1) | TWI360272B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100796258B1 (ko) | 2006-07-10 | 2008-01-21 | 이상신 | 대역폭과 소멸비가 조절되는 마이크로링 공진기를 이용한광필터 |
JP2008193003A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Nec Corp | 光モジュール |
EP1975657A2 (en) | 2007-03-29 | 2008-10-01 | Nec Corporation | Optical device and manufacturing method thereof |
JP2008270583A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nec Corp | 波長可変光源装置とその制御方法,制御用プログラム |
JP2009016594A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Nec Corp | 半導体光素子の実装構造 |
WO2009099050A1 (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Eudyna Devices Inc. | レーザ装置およびレーザ装置の制御データ |
US7940819B2 (en) | 2008-08-07 | 2011-05-10 | Fujitsu Limited | Tunable laser module, tunable laser apparatus and controlling method for tunable laser |
WO2013114577A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 富士通株式会社 | レーザ素子 |
WO2013145195A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-03 | 富士通株式会社 | 光半導体デバイス |
JP2018041792A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 株式会社フジクラ | ファイバレーザ |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8655114B2 (en) * | 2007-03-26 | 2014-02-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Hitless tuning and switching of optical resonator amplitude and phase responses |
WO2009055440A2 (en) * | 2007-10-22 | 2009-04-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Low-loss bloch wave guiding in open structures and highly compact efficient waveguide-crossing arrays |
US20090161113A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Young-Kai Chen | Integrated optoelectronic system for automatic calibration of an optical device |
WO2009133631A1 (en) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Nec Corporation | Tunable laser source using intracavity laser light outcoupling and module containing the same |
JP5474338B2 (ja) | 2008-11-28 | 2014-04-16 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザのチューニング方法 |
WO2010065710A1 (en) * | 2008-12-03 | 2010-06-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Resonant optical modulators |
WO2010138849A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Cavity dynamics compensation in resonant optical modulators |
JP5093527B2 (ja) * | 2010-02-10 | 2012-12-12 | 日本電気株式会社 | 複合光導波路、波長可変フィルタ、波長可変レーザ、および光集積回路 |
JP5896017B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-03-30 | 富士通株式会社 | 光半導体素子及び光半導体素子の制御方法 |
CN104919665B (zh) * | 2013-08-15 | 2018-12-14 | 华为技术有限公司 | 一种激光器、激光调制方法及激光合波系统 |
GB2522252B (en) * | 2014-01-20 | 2016-04-20 | Rockley Photonics Ltd | Tunable SOI laser |
US9019998B1 (en) | 2014-04-02 | 2015-04-28 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Tunable fiber ring laser with a gain clamped semiconductor optical amplifier |
US9559484B2 (en) * | 2014-08-18 | 2017-01-31 | Morton Photonics Inc. | Low noise, high power, multiple-microresonator based laser |
US9748726B1 (en) * | 2014-08-18 | 2017-08-29 | Morton Photonics | Multiple-microresonator based laser |
US9835881B2 (en) * | 2015-03-25 | 2017-12-05 | Aurrion, Inc. | Wavelength locking filter |
CN107408793B (zh) * | 2015-06-01 | 2019-12-06 | 华为技术有限公司 | 一种同频率本振光源的产生装置、设备和方法 |
EP3113303B1 (en) | 2015-07-01 | 2019-10-16 | Institut Mines-Telecom | Light-emitting device having iii-v semiconductor gain section coupled to whistle-geometry tunable filter |
EP3365726B1 (en) * | 2015-10-23 | 2021-10-13 | LioniX International B.V. | Planar lightwave circuits (plcs) exhibiting controllable transmissivity / reflectivity |
WO2017190063A2 (en) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | General Electric Company | Photonic integrated circuits and devices for photonic sensing |
TWI641882B (zh) * | 2017-06-15 | 2018-11-21 | 中華學校財團法人中華科技大學 | 全光學式編碼元件 |
CN109818258B (zh) * | 2017-11-21 | 2020-08-25 | 海思光电子有限公司 | 一种可调谐激光器和激光发射机 |
JP7162066B2 (ja) * | 2018-02-02 | 2022-10-27 | ブロリス センサー テクノロジー,ユーエイビー | 広帯域波長可変レーザー及びそのレーザーシステムの波長判定 |
WO2019156226A1 (ja) | 2018-02-08 | 2019-08-15 | 古河電気工業株式会社 | 波長可変レーザおよび光モジュール |
KR102496484B1 (ko) * | 2018-06-20 | 2023-02-06 | 삼성전자주식회사 | 광 조향 장치 및 이를 포함하는 시스템 |
JP7211017B2 (ja) | 2018-11-02 | 2023-01-24 | 株式会社デンソー | 光フィルタ、それを用いたレーザ光源および光送受信装置 |
CN111338025A (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-26 | 中兴光电子技术有限公司 | 一种滤模装置和方法 |
US10955726B2 (en) * | 2019-08-15 | 2021-03-23 | International Business Machines Corporation | Intracavity grating to suppress single order of ring resonator |
FR3107351B1 (fr) * | 2020-02-19 | 2022-02-04 | Commissariat Energie Atomique | Capteur à fibre optique structurée intégrant un dispositif d’émission laser à effet Vernier accordable |
EP3879644A1 (en) * | 2020-03-09 | 2021-09-15 | Thorlabs Quantum Electronics, Inc. | Tunable laser assembly |
US11005566B1 (en) | 2020-05-14 | 2021-05-11 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Wavelength modulation to improve optical link bit error rate |
KR20210150225A (ko) | 2020-06-03 | 2021-12-10 | 삼성전자주식회사 | 파장 가변 레이저 광원 및 이를 포함하는 광 조향 장치 |
WO2022192784A1 (en) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | University Of Southern California | Electro-optical high bandwidth ultrafast differential ram |
CN113809634A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-12-17 | 中山大学 | 一种基于铌酸锂光子波导的混合集成外腔可调谐激光器 |
CN115810976A (zh) * | 2021-09-13 | 2023-03-17 | 中兴光电子技术有限公司 | 波长锁定器、可调激光器及波长锁定控制方法 |
US12009912B2 (en) * | 2022-03-23 | 2024-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | WDM channel reassignment |
DE102022123998A1 (de) | 2022-09-19 | 2024-03-21 | Ams-Osram International Gmbh | Laservorrichtung und verfahren |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005055882A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-03-03 | Nec Corp | 可変分散補償器および可変分散補償方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63281104A (ja) | 1987-05-14 | 1988-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光リングフィルタ |
RU2111520C1 (ru) | 1993-07-21 | 1998-05-20 | Фирма "Самсунг Электроникс Ко., Лтд." | Оптический процессор с бустерным выходом |
JP3833313B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2006-10-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体レーザ素子 |
JPH10261837A (ja) | 1997-03-20 | 1998-09-29 | Canon Inc | リング共振器を有する偏波変調可能な半導体レーザ、その使用方法及びこれを用いた光通信システム |
KR100269040B1 (ko) * | 1998-04-28 | 2000-10-16 | 서원석 | 파장이동 레이저 광원 및 파장이동 레이저 광 생성방법 |
US6580534B2 (en) * | 1999-01-27 | 2003-06-17 | Lucent Technologies Inc. | Optical channel selector |
JP3788232B2 (ja) * | 2000-12-13 | 2006-06-21 | 日本電気株式会社 | 波長可変光送信器、その出力制御方法並及び光通信システム |
US6522812B1 (en) * | 2001-12-19 | 2003-02-18 | Intel Corporation | Method of precision fabrication by light exposure and structure of tunable waveguide bragg grating |
JP3818169B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2006-09-06 | 日本電気株式会社 | 導波路デバイス |
JP2003337236A (ja) | 2002-05-17 | 2003-11-28 | Nec Corp | 光リング共振器、光導波路デバイスならびに光リング共振器の製造方法 |
US20040037341A1 (en) * | 2002-08-21 | 2004-02-26 | Tan Michael R. | Laser utilizing a microdisk resonator |
IL152195A0 (en) | 2002-10-09 | 2003-05-29 | Lambda Crossing Ltd | Tunable laser |
US7162120B2 (en) * | 2003-07-18 | 2007-01-09 | Nec Corporation | Tunable dispersion compensator and method for tunable dispersion compensation |
US7184451B2 (en) * | 2003-10-15 | 2007-02-27 | Oewaves, Inc. | Continuously tunable coupled opto-electronic oscillators having balanced opto-electronic filters |
-
2005
- 2005-03-29 JP JP2005096224A patent/JP2006278769A/ja active Pending
-
2006
- 2006-03-27 CA CA002541049A patent/CA2541049A1/en not_active Abandoned
- 2006-03-28 DE DE602006011523T patent/DE602006011523D1/de active Active
- 2006-03-28 EP EP06006412A patent/EP1708323B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-29 KR KR1020060028154A patent/KR100816578B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-03-29 TW TW095110874A patent/TWI360272B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-03-29 AU AU2006201303A patent/AU2006201303A1/en not_active Abandoned
- 2006-03-29 CN CNB2006100679982A patent/CN100574023C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-29 US US11/391,204 patent/US20060222038A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005055882A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-03-03 | Nec Corp | 可変分散補償器および可変分散補償方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100796258B1 (ko) | 2006-07-10 | 2008-01-21 | 이상신 | 대역폭과 소멸비가 조절되는 마이크로링 공진기를 이용한광필터 |
JP2008193003A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Nec Corp | 光モジュール |
EP1975657A2 (en) | 2007-03-29 | 2008-10-01 | Nec Corporation | Optical device and manufacturing method thereof |
US7539369B2 (en) | 2007-03-29 | 2009-05-26 | Nec Corporation | Optical device and manufacturing method thereof |
EP2144102A1 (en) | 2007-03-29 | 2010-01-13 | NEC Corporation | Optical device and manufacturing method thereof |
JP2008270583A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nec Corp | 波長可変光源装置とその制御方法,制御用プログラム |
JP2009016594A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Nec Corp | 半導体光素子の実装構造 |
CN101971445B (zh) * | 2008-02-05 | 2012-11-07 | 住友电工光电子器件创新株式会社 | 激光设备 |
WO2009099050A1 (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Eudyna Devices Inc. | レーザ装置およびレーザ装置の制御データ |
US7940819B2 (en) | 2008-08-07 | 2011-05-10 | Fujitsu Limited | Tunable laser module, tunable laser apparatus and controlling method for tunable laser |
WO2013114577A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 富士通株式会社 | レーザ素子 |
JPWO2013114577A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2015-05-11 | 富士通株式会社 | レーザ素子 |
US9130350B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-09-08 | Fujitsu Limited | Laser device that includes ring resonator |
WO2013145195A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-03 | 富士通株式会社 | 光半導体デバイス |
US9002147B2 (en) | 2012-03-28 | 2015-04-07 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor device |
JPWO2013145195A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-08-03 | 富士通株式会社 | 光半導体デバイス |
JP2018041792A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 株式会社フジクラ | ファイバレーザ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2541049A1 (en) | 2006-09-29 |
KR100816578B1 (ko) | 2008-03-24 |
DE602006011523D1 (de) | 2010-02-25 |
TW200707869A (en) | 2007-02-16 |
EP1708323B1 (en) | 2010-01-06 |
CN100574023C (zh) | 2009-12-23 |
EP1708323A2 (en) | 2006-10-04 |
KR20060105506A (ko) | 2006-10-11 |
CN1862898A (zh) | 2006-11-15 |
US20060222038A1 (en) | 2006-10-05 |
TWI360272B (en) | 2012-03-11 |
AU2006201303A1 (en) | 2006-10-19 |
EP1708323A3 (en) | 2006-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006278769A (ja) | 波長可変レーザ | |
JP4945907B2 (ja) | 波長可変レーザ | |
JP4774761B2 (ja) | 波長可変共振器、波長可変レーザ、光モジュール及びそれらの制御方法 | |
JP2006278770A (ja) | 波長可変レーザ | |
JP5029364B2 (ja) | 波長可変フィルタおよび波長可変レーザ | |
KR100837126B1 (ko) | 파장 가변 레이저 | |
JP4678191B2 (ja) | 多重共振器の設計方法 | |
JP4893026B2 (ja) | 波長可変共振器及びこれを用いた波長可変光源並びに多重共振器の波長可変方法 | |
JP2017216384A (ja) | 波長可変レーザ | |
JPWO2013114577A1 (ja) | レーザ素子 | |
CN108141006B (zh) | 半导体激光器装置 | |
JP5648391B2 (ja) | 半導体光装置 | |
JP2008241953A (ja) | 波長選択反射回路及び多波長光源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110715 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110809 |