KR100837126B1

KR100837126B1 - 파장 가변 레이저

Info

Publication number: KR100837126B1
Application number: KR1020067020531A
Authority: KR
Inventors: 히로유키 야마자키
Original assignee: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤
Priority date: 2004-03-31
Filing date: 2005-03-29
Publication date: 2008-06-12
Also published as: CN1938917B; KR20060132745A; TWI251393B; EP1737090B1; WO2005096462A1; CA2559990A1; US20080232409A1; CN1938917A; US7773642B2; TW200537773A; JPWO2005096462A1; EP1737090A1; EP1737090A4

Abstract

(과제) 고신뢰성, 고성능이며 저가격인 파장 가변 레이저를 제공한다.

(해결 수단) 파장 가변 레이저 (10) 는 상이한 크기의 링 공진기 (111, 112) 가 방향성 결합기 (122) 를 개재하여 연결되어 이루어지는 이중 링 공진기 (11) 와, 링 공진기 (111) 에 방향성 결합기 (121) 를 개재하여 일단 (131) 이 접속된 LD 측 도파로 (13) 와, 링 공진기 (112) 에 방향성 결합기 (123) 를 개재하여 일단 (141) 이 접속된 반사측 도파로 (14) 와, 링 공진기 (111) 등이 형성된 PLC 기판 (15) 과, 반사측 도파로 (14) 의 타단 (142) 에 형성된 고반사막 (16) 과, 대향하는 2 개의 발광 단면 (171, 172) 의 일방에 저반사막 (18) 이 형성되고, 저반사막 (18) 에 LD 측 도파로 (13) 의 타단 (132) 이 광결합된 LD 칩 (17) 과, 이중 링 공진기 (11) 의 공진 파장을 변화시키는 막상 히터 (191 ∼ 194) 를 구비한 것이다.

파장 가변 레이저, 링 공진기, 반사측 도파로, 막상 히터

Description

파장 가변 레이저{TUNABLE LASER}

기술분야

본 발명은 예를 들어 WDM (Wavelength Division Multiplexing) 전송 시스템 등에 이용되는 파장 가변 레이저에 관한 것이다.

배경기술

브로드 밴드 시대를 맞이하여, 광섬유의 효율적인 활용을 위해, 1 대로 복수의 광파장 통신이 가능한 WDM 전송 시스템의 도입이 진행되고 있다. 최근에는, 수십의 광파장을 다중화하여, 더욱 고속의 전송을 가능하게 하는 DWDM 장치 (고밀도 파장 분할 다중 장치) 의 활용도 확대되고 있다. 이에 따라, 각 WDM 전송 시스템에는 광파장마다 대응한 광원이 필요하게 되고, 고다중화에 따라 그 필요수는 비약적으로 증가하고 있다. 또한, 최근에는, 임의 파장을 각 노드에서 애드/드롭 (Add/Drop) 하는 ROADM (Reconfigurable optical add/drop multiplexer) 이 상용화를 목표로 검토되고 있다. 이 ROADM 시스템을 도입하면, 파장 다중에 의한 전송 용량의 확대에 더해 파장을 바꾸는 것에 의한 광로 전환이 가능해지므로, 광 네트워크의 자유도가 비약적으로 높아진다.

WDM 전송 시스템용 광원으로는, 지금까지 단일축 모드 발진하는 DFB-LD (Distributed feedback laser diode : 분포 귀환형 반도체 레이저) 가 그 편리한 사용 및 신뢰성이 높은 점에서 널리 사용되어 왔다. DFB-LD 는 공진기 전역에 깊이 30㎚ 정도의 회절 격자가 형성되어 있고, 회절 격자 주기와 등가 굴절률의 2 배의 곱에 대응한 파장으로 안정된 단일축 모드 발진이 얻어진다. 그러나, DFB-LD 에서는 발진 파장의 광범위한 튜닝이 불가능하므로, ITU 그리드마다 파장만이 다른 제품을 사용하여 WDM 전송 시스템을 구성하고 있다. 이 때문에, 파장마다 다른 제품을 사용할 필요가 있어, 파장마다의 제품을 관리하는 비용이 상승하거나, 고장 대응을 위한 잉여 재고가 필요하게 되어 있었다. 또한, 파장에 의해 광로를 전환하는 ROADM 에서는 통상적인 DFB-LD 를 사용하면, 온도 변화로 바뀌는 3㎚ 정도로 파장 범위의 가변폭이 제한된다. 따라서, 파장 자원을 적극적으로 사용하는 ROADM 의 장점을 살린 광 네트워크의 구성이 어려워진다.

이들 현 상황의 DFB-LD 가 갖는 과제를 극복하고, 넓은 파장 범위에서 단일축 모드 발진을 실현하기 위해, 파장 가변 레이저의 연구가 활발하게 행해지고 있다. 이하, 하기 비특허 문헌 1 에 상세하게 기술되어 있는 것에서 몇 개를 예시함으로써, 종래의 파장 가변 레이저에 대하여 설명한다.

파장 가변 레이저는 레이저 소자 내에 파장 가변 기구를 설치한 타입과, 레이저 소자 밖에 파장 가변 기구를 설치한 타입의, 2 종류로 크게 구별된다.

전자의 경우, 이득을 발생시키는 활성 영역과, 회절 격자에 의한 반사를 발생시키는 DBR 영역이, 동일 레이저 소자 내에 형성된 DBR-LD (Distributed Bragg reflector laser diode) 가 제안되어 있다. 이 DBR-LD 의 파장 가변 범위는 최대한이라도 10㎚ 정도이다. 또, 이득을 발생시키는 활성 영역과 이것을 전방과 후방 사이에 두는 DBR 영역이 동일 레이저 소자 내에 형성된, 불균일 회절 격자를 이용한 DBR-LD 가 제안되어 있다. 전방과 후방의 DBR 영역은 불균일 회절 격자에 의해 다수의 반사 피크가 발생하고, 또한 반사 피크의 간격이 전방과 후방에서 약간 어긋나 있다. 이 구조에 의해 이른바 「버니어 효과」 가 얻어지므로, 매우 넓은 파장 가변이 가능해진다. 이 불균일 회절 격자를 이용한 DBR-LD 에서는, 100㎚ 를 넘는 파장 가변 동작 및 40㎚ 의 준연속 파장 가변 동작이 실현되고 있다.

후자의 경우, 레이저 소자 밖에 형성한 회절 격자를 회전시켜 특정 파장의 광을 레이저 소자로 되돌리는 파장 가변 레이저가 제안되어 있다.

비특허 문헌 1 : 코바야시 코로 저, 「광집적 디바이스」, 초판 2 쇄, 쿄리쯔 출판 주식회사, 2000 년 12 월, p.104-122

발명의 개시

발명이 해결하고자 하는 과제

그러나, 종래의 파장 가변 레이저에 있어서는, 지금까지 많은 구조가 제안되어 있지만, 모드 호핑의 발생, 복잡한 파장 제어 방법, 약한 진동 내성, 소자 증대에 의한 고가격화 등의 결점이 있기 때문에, 실용화가 곤란한 상황이 계속되고 있다.

DBR-LD 에서는, DBR 영역에 캐리어 주입을 실시함으로써, 이 부분에서의 굴절률을 변화시켜 파장 가변 동작을 실현하고 있다. 이 때문에, 전류 주입에 의해 결정 결함이 증식되면, 전류 주입에 대한 굴절률 변화의 비율이 현저하게 변동되므로, 장기간에 걸쳐 일정 파장에서의 레이저 발진을 유지하는 것이 어렵다. 또한, 현 상황의 화합물 반도체의 프로세스 기술에서는, 2 인치 이상의 인치 업은 불가능하다. 따라서, 복잡화되어 사이즈가 커진 레이저 소자에서는 현 상황 이상의 가격 저감이 어렵다.

또 레이저 소자 밖에 파장 가변 기구를 설치한 구성에서는, 진동에 의해 모드 점프가 용이하게 발생되는 점에서, 이것을 회피하기 위한 대규모 내진 기구가 필요하게 된다. 따라서, 모듈 사이즈의 대형화 및 가격의 상승을 초래한다.

본 발명의 목적은 실용화시에 문제가 되었던 종래의 파장 가변 레이저의 과제를 극복하고, 고신뢰성, 고성능이며 저가격인 파장 가변 레이저를 제공하는 것에 있다.

과제를 해결하기 위한 수단

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저는 서로 다른 광로 길이를 갖는 링 형상 도파로로 이루어지는 복수의 링 공진기를 광학적 결합 수단에 의해 연결한 다중 링 공진기와, 상기 복수의 링 공진기의 하나에 광학적 결합 수단에 의해 일단이 접속된 LD 측 도파로와, 상기 복수의 링 공진기의 다른 하나에 광학적 결합 수단에 의해 일단이 접속된 반사측 도파로와, 상기 링 공진기, 상기 LD 측 도파로 및 상기 반사측 도파로가 형성된 하나의 기판과, 상기 반사측 도파로의 타단에 형성된 반사막과, 대향하는 2 개의 발광 단면의 일방에 저반사막이 형성되고, 당해 저반사막을 개재하여 상기 LD 측 도파로에 광결합된 레이저 다이오드 칩 (Laser Diode Chip ; 이하, LD 칩이라고 한다) 과, 상기 다중 링 공진기의 공진 파장을 변화시키는 파장 가변 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다. 또한, 광학적 결합 수단으로는 방향성 결합기를 사용해도 된다. 또 광학 수단으로는 렌즈를 이용해도 된다.

LD 칩으로부터 출사된 광은 저반사막 → LD 측 도파로 → 다중 링 공진기 → 반사측 도파로 → 반사막 → 반사측 도파로 → 다중 링 공진기 → LD 측 도파로 → 저반사막이라는 경로를 통과하여 되돌아온다. 이 복귀광의 파장은 다중 링 공진기의 공진 파장이다. 그 이유는, 다중 링 공진기를 구성하는 각 링 공진기는 FSR (Free Spectral Range) 이 약간 상이하므로, 각 링 공진기에서 발생하고 있는 반사 (투과) 의 주기적인 변화가 일치된 파장 (공진 파장) 에 있어서 더욱 큰 반사가 발생하기 때문이다. 그리고, 주기가 일치하는 파장은 각 링 공진기의 원주 길이와 도파로 굴절률 변화에 따라 크게 바뀌므로, 효율이 좋은 파장 가변 동작이 얻어진다. 이 도파로 굴절률은 열광학 효과에 따라 바꿀 수 있다. 열광학 효과란, 열에 의해 재료의 굴절률이 증가하는 현상이며, 통상 어떠한 재료도 갖고 있다. 즉, 복수의 링 공진기의 온도 특성을 이용하여, 다중 링 공진기의 공진 파장을 변화시키는 것이 가능하다. 파장 가변 수단은 링 공진기를 가열하는 것이어도 되고, 냉각시키는 것이어도 된다. 이와 같이, 본 발명에서는 원주가 약간 다른 링 공진기를 복수 직렬로 접속하여 다중 링 공진기를 구성하고, 이에 의해 발생하는 버니어 효과를 교묘하게 이용하고 있다.

상기 다중 링 공진기는 적어도 2 이상의 상기 링 공진기를 포함하고 있다. 다중 링 공진기를 2 개의 링 공진기로 구성하면, 가장 단순한 구성이 됨과 함께, 2 개의 링 공진기의 온도를 제어함으로써, 이중 링 공진기에 있어서의 공진 파장을 용이하게 바꿀 수 있다. 또한, 다중 링 공진기는 링 공진기의 수가 N 개이면, N 개의 링 공진기의 공진 파장 모두가 일치된 파장으로 공진한다. 즉, N 개의 링 공진기의 온도를 제어하므로, N 이 증가할수록 다중 링 공진기의 공진 파장을 바꾸는 방법이 증가한다.

상기 레이저 다이오드 칩의 저반사막과 상기 LD 측 도파로를 맞대어 광결합하거나, 혹은 상기 레이저 다이오드 칩의 저반사막과 상기 LD 측 도파로를 광학 수단에 의해 광결합해도 되는 것이다. 이와 같이, 상기 레이저 다이오드 칩의 저반사막과 상기 LD 측 도파로를 광결합하는 구성을 상황에 따라 선택할 수 있다.

상기 복수의 링 공진기는 주기적으로 나타나는 반사 피크의 간격이 달라지도록 상기 링 형상 도파로의 직경이 설정되고, 반사 피크의 일치점에서 공진을 일으키는 구성으로 되어 있다. 파장 가변 수단은 상기 링 공진기의 링 형상 도파로의 굴절률을 변화시켜 공진 파장을 변화시킨다. 구체적으로 상기 파장 가변 수단은 상기 링 형상 도파로의 온도 특성을 이용하여 상기 링 형상 도파로의 굴절률을 변화시킨다.

따라서, 고정 파장의 DFB-LD 에서는 얻어지지 않는 넓은 파장 범위에서의 파장 가변 동작을, 지금까지의 외부경 (外部鏡) 을 이용하지 않은 간편한 구성에 의해 실현할 수 있다. 더욱이, 통상적인 외부경형 파장 가변 레이저와는 달리, 가동부가 존재하지 않기 때문에, 고신뢰성에 더해 높은 진동 충격 특성을 실현할 수 있다. 이에 더해, 파장 튜닝은 링 형상 도파로의 온도 특성을 이용하여 링 형상 도파로의 굴절률을 변화시키기 때문에, 반도체 도파로에 전류를 주입하는 방 식과 비교하여 특성의 시간 경과에 따른 변화가 매우 작다.

상기 다중 링 공진기의 공진 파장을 검출하는 파장 검출 수단을 추가로 구비하고 있다. 상기 파장 검출 수단은 일정 범위의 파장만의 광을 통과시켜 상기 파장을 검출하도록 해도 된다. 이 파장 검출 수단에 의해 다중 링 공진기의 공진 파장을 알 수 있다.

상기 다중 링 공진기와 상기 레이저 다이오드 칩 사이의 상기 LD 측 도파로 중, 상기 다중 링 공진기와 상기 고반사막 사이의 상기 반사측 도파로 중 또는 링 공진기 사이 중 적어도 1 개소에, 일정 범위의 파장의 광만을 통과시키는 필터를 삽입해도 된다. 상기 LD 측 도파로의 일단의 연장된 단면 또는 상기 반사측 도파로의 일단의 연장된 단면에 수광 소자를 형성해도 된다. 이 경우, 일정 범위의 파장의 광만이 필터를 통과하여 수광 소자에서 검출되도록 해도 된다. 이 수광 소자에 의해 LD 칩으로부터 출사되는 레이저광의 강도를 모니터할 수 있다. 또 필터에 의해 일정 범위의 파장의 레이저광을 통과시킬 수 있다.

상기 파장 검출 수단에 의해 검출된 공진 파장 정보에 기초하여 상기 다중 링 공진기의 공진을 피드백 제어하는 제어 수단을 구비한 구성으로 해도 된다. 이에 의해, 공진 파장이 일정해지도록, 피드백 제어를 실행할 수 있다.

상기 LD 측 도파로의 일단의 연장된 단면 또는 상기 반사측 도파로의 일단의 연장된 단면으로부터 출사되는 미광에 의한 영향을 억제하는 미광 억제부를 형성해도 된다. 이에 의해, 미광에 의한 영향을 억제할 수 있다.

상기 레이저 다이오드 칩을 상기 기판 상에 패시브 얼라인먼트 기술에 의해 실장해도 된다. 상기 수광 소자를 상기 기판 상에 패시브 얼라인먼트 기술에 의해 실장해도 된다. 본 공법을 이용하면, 광출력을 모니터하지 않고 위치 맞춤 마크만을 이용하여 각 칩을 실장함으로써, 제조 공정을 간소화할 수 있다.

발명의 효과

본 발명에 관련된 파장 가변 레이저에 의하면, 다중 링 공진기를 형성한 기판에 LD 칩을 실장하고, 다중 링 공진기의 온도에 의해 공진 파장을 변화시킴으로써, 매우 넓은 범위의 파장의 레이저광을 얻을 수 있다. 또, 반도체 레이저로의 전류 주입이나 기계적인 가동 부재를 이용하고 있지 않기 때문에, 신뢰성이 높다. 더욱이, 기판에 LD 칩을 실장하기만 한 구성이기 때문에, 제조가 용이하고, 저렴하다.

또한, 본 발명의 레이저 구조를 이용함으로써, 통상적인 DFB-LD 에서는 얻을 수 없는 넓은 파장 범위에서의 파장 가변 동작을, 지금까지의 외부경을 이용하지 않은 간편한 구성에 의해 실현할 수 있다. 더욱이, 통상적인 외부경형 파장 가변 레이저와는 달리, 가동부가 존재하지 않기 때문에, 고신뢰성에 더해 높은 진동 충격 특성을 실현할 수 있다. 이에 더해, 파장 튜닝은 링 공진기의 링 형상 도파로의 굴절률을 변화시켜 실시하므로, 반도체 도파로에 전류를 주입하는 방식과 비교하여, 특성의 시간 경과에 따른 변화가 매우 작다. 이상, 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저는 종래의 파장 가변 레이저와 비교하여 많은 점에서 우수하고, 또한 저가격에 의한 생산이 가능한 점에서, 실용상 매우 유효한 구성이다.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.

도 1 은 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 1 실시 형태를 나타내는 평면도이다. 이하, 이 도면에 기초하여 설명한다.

본 실시 형태의 파장 가변 레이저 (10) 는 서로 다른 광로 길이를 갖는 링 형상 도파로로 이루어지는 링 공진기 (111, 112) 가 방향성 결합기 (122) 를 개재하여 연결되어 이루어지는 이중 링 공진기 (11) 와, 링 공진기 (111) 에 방향성 결합기 (121) 를 개재하여 일단 (131) 이 접속된 LD 측 도파로 (13) 와, 링 공진기 (112) 에 방향성 결합기 (123) 를 개재하여 일단 (141) 이 접속된 반사측 도파로 (14) 와, 링 공진기 (111, 112), LD 측 도파로 (13) 및 반사측 도파로 (14) 가 형성된 하나의 PLC 기판 (15) 과, 반사측 도파로 (14) 의 타단 (142) 에 형성된 고반사막 (16) 과, PLC 기판 (15) 상에 형성됨과 함께, 대향하는 2 개의 발광 단면 (171, 172) 의 일방 (발광 단면 (171)) 에 저반사막 (18) 이 형성되고, 저반사막 (18) 에 LD 측 도파로 (13) 의 타단 (132) 이 맞대어져 광결합한 LD 칩 (17) 과, 링 공진기 (111, 112) 의 온도 특성을 이용하여 이중 링 공진기 (11) 의 공진 파장을 변화시키는 막상 (膜狀) 히터 (191 ∼ 194) 를 구비한 것이다. 또한, 상기 기술한 도파로로는 석영 유리 등을 이용할 수 있다.

PLC 기판 (15) 은, 예를 들어 실리콘 기판 상에 CVD, 포토리소그래피 및 RIE 등의 미세 가공 기술을 이용하여, 도파로가 되는 코어층과 도파로 이외의 클래드층을 형성한 것이다. 또한, 기판으로는 PLC 기판 (15) 이외의 기판을 이용해도 된다. 또 코어층과 클래드층의 재료로는 실리카 재료 외에, 폴리머, 광도체 등 의 다른 재료를 이용해도 된다. 고반사막 (16) 은 유전체 다층막 또는 금 등의 금속막으로 이루어지고, PLC 기판 (15) 의 측면에 막형성되어 있다. 또한, 고반사막 (16) 은 레이저광을 충분히 반사하는 특성을 갖는 것이면, 어느 반사막이어도 된다. LD 칩 (17) 으로는 통상적인 레이저 다이오드 칩을 이용한다. 저반사막 (18) 은, 예를 들어 유전체 다층막이다. 막상 히터 (191 ∼ 194) 는, 예를 들어 플라티나나 크롬 등의 금속막이다. 또, 막상 히터 (191 ∼ 194) 에는 도시하지 않지만, 막상 히터 (191 ∼ 194) 의 양단에 접하는 금막으로 이루어지는 배선, 이들 배선에 통전하는 전원, 이 전원의 출력 전압 또는 출력 전류를 제어하는 컨트롤러 등이 부설되어 있다. 파장 가변 수단으로서, 링 공진기 (111, 112) 의 링 형상 도파로의 온도 특성을 이용하여 링 형상 도파로의 굴절률을 변화시키는 막상 히터 (191 ∼ 194) 를 이용했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 막상 히터 (191 ∼ 194) 대신에, 가열·냉각에 의해 링 공진기 (111, 112) 의 링 형상 도파로의 온도 특성을 이용하여 링 형상 도파로의 굴절률을 변화시키는 구성으로 해도 된다. 요컨대, 링 공진기 (111, 112) 의 링 형상 도파로의 굴절률을 변화시켜 공진 파장을 변화시키는 것이면, 어느 것이어도 된다. 또한, 파장 가변 수단으로서 기판 상에 설치된 막상 히터를 이용하면, 기판 상에 예를 들어 금속막을 형성함으로써 파장 가변 수단을 간단하게 얻을 수 있으므로, 제조가 용이하다.

LD 칩 (17) 은 패시브 얼라인먼트 기술에 의해 PLC 기판 (15) 상에 직접 실장되어 있다. 패시브 얼라인먼트 기술이란, PLC 기판 (15) 면에 형성된 마크 패턴과, LD 칩 (17) 의 마크 패턴을 이용하여 위치를 결정하는 기술이다. 이 기술에 의하면, 지금까지 광 모듈 제작시에 행해지고 있던 광축 조심 (調芯) 을 필요로 하지 않으므로, 모듈 제작 비용 및 리드 타임을 크게 개선할 수 있다.

LD 칩 (17) 으로부터 출사된 광 (L1) 은 저반사막 (18) → LD 측 도파로 (13) → 이중 링 공진기 (11) → 반사측 도파로 (14) → 고반사막 (16) → 반사측 도파로 (14) → 이중 링 공진기 (11) → LD 측 도파로 (13) → 저반사막 (18) 이라는 경로를 통해 되돌아오고, 발광 단면 (172) 으로부터 레이저광 (L2) 으로서 출사된다. 이 복귀광 (L2) 의 파장은 이중 링 공진기 (11) 의 공진 파장이다.

도 2 는 파장 가변 레이저 (10) 의 파장 가변 동작을 나타내고, 도 2 [1] 은 링 형상 도파로의 직경이 작은 쪽의 링 공진기 (112) 의 반사 스펙트럼을 나타내는 그래프, 도 2 [2] 는 링 형상 도파로의 직경이 큰 쪽의 링 공진기 (111) 의 반사 스펙트럼을 나타내는 그래프, 도 2 [3] 은 이중 링 공진기 (11) 의 반사 스펙트럼을 나타내는 그래프이다. 이하, 도 1 및 도 2 에 기초하여 파장 가변 레이저 (10) 의 작용 및 효과에 대하여 설명한다.

링 공진기 (111, 112) 는 주기적으로 나타나는 반사 피크의 간격이 다르도록 링 형상 도파로의 직경이 설정되고, 반사 피크의 일치점에서 공진을 일으키도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 도 2 [1], 도 2 [2] 에 나타내는 바와 같이, 링 공진기 (111, 112) 는 주기적으로 나타나는 다수의 반사 피크의 간격이 약간 다르도록 그 직경 (R1, R2) 이 설정되어 있다. 여기에서, 실선으로 나타내는 링 공진기 (112) 의 반사 피크 간격이 링 공진기 (111) 의 반사 피크 간격보다 좁고, 또 한 파장 (λ1) 에서 링 공진기 (111, 112) 의 반사 피크가 일치하고 있는 것으로 한다. 이 때, 이중 링 공진기 (11) 는 도 2 [3] 에 나타내는 바와 같이 파장 (λ1) 에서 공진을 일으킨다.

막상 히터 (191, 192) 를 어느 통전량으로 가열하고 있던 상태로부터, 그 통전량을 감소시킴으로써, 링 공진기 (111) 의 온도를 내린 것으로 한다. 그러면, 그 링 형상 도파로의 굴절률이 감소함으로써, 링 공진기 (111) 의 반사 스펙트럼이 도 2 [2] 에 파선으로 나타내는 바와 같이, 전체적으로 단파장측으로 약간 이동한다. 그 결과, 파장 (λ2) 에서 링 공진기 (111, 112) 의 반사 피크가 일치함으로써, 이중 링 공진기 (11) 는 도 2 [3] 에 파선으로 나타내는 바와 같이, 파장 (λ2) 에서 공진을 일으킨다. 이와 같이, 도 2 [2] 에 Δλ 로 나타내는 반사 피크 파장 변화에 의해 λ1 에서 λ2 로의 파장 변화를 일으킬 수 있다. 예를 들어, 링 공진기 (111, 112) 에서 양자의 반사 피크의 간격이 10% 어긋나 있으면, 굴절률 변화에 의한 이중 링 공진기 (11) 의 반사 피크의 움직임은 10 배의 공진 파장 변화가 되어 나타난다. 이것을 차례차례 반복함으로써, 간헐적이기는 하지만 매우 넓은 파장 가변 범위를 얻을 수 있다. 이것은 버니어캘리퍼스나 옛 통신기의 주파수를 바꾸는 다이얼에 채용되고 있던 버니어 다이얼과 동일한 원리이다. 이에 더해, 막상 히터 (193, 194) 의 통전량을 제어하여 다른 일방의 링 공진기 (112) 의 반사 스펙트럼도 이동시킴으로써, 매우 넓은 범위에서 연속적으로 파장을 바꿀 수 있다.

도 3 은 이중 링 공진기 (11) 의 반사 스펙트럼의 그래프를 나타내고, 도 3 [1] 은 링 공진기 (111, 112) 사이의 위상차 φ = 0.44π 인 경우이고, 도 3 [2] 는 링 공진기 (111, 112) 사이의 위상차 φ = 1.76π 인 경우이다. 이하, 도 1 및 도 3 에 기초하여, 파장 가변 레이저 (10) 에 있어서의 파장 선택 기구 및 파장 가변 기구에 대하여 상세하게 설명한다.

먼저, 이중 링 공진기 (11) 의 광 전달 함수는 다음 식에 의해 주어진다.

[수학식 1]

여기에서, κ1, κ2, κ3 은 이중 링 공진기 (11) 중에 설치된 방향성 결합기 (121, 122, 123) 의 분기비, λ 는 파장, n 은 도파로 등가 굴절률, ΔL1 은 링 공진기 (112) 의 원주 길이, ΔL2 는 링 공진기 (111) 의 원주 길이, φ 는 링 공 진기 (111, 112) 사이의 위상차를 각각 나타낸다. κ1 = κ3 = 0.1296, κ2 = 0.0081, ΔL1 = 2000㎛, ΔL2 = 2040㎛ 로 하고, 고반사막 (16) 으로부터 광을 되돌린 경우의 반사 스펙트럼의 계산 결과를 도 3 에 나타낸다.

도 3 [1] 에 나타내는 바와 같이, φ = 0.44π 로 설정하면, 1.56㎛ 부근에 반사 피크가 출현한다. 한편, 도 3 [2] 에 나타내는 바와 같이, φ = 1.76π 로 설정하면, 반사 피크는 1.53㎛ 부근에 출현한다. 따라서, 거의 π 의 위상 변화에 의해 C 대 전역 (1.53㎛ ∼ 1.56㎛) 에 걸친 반사 피크의 이동이 가능하다. 이와 같이, π 의 위상 변화로 광범위한 파장 가변 동작을 가능하게 하고 있는 것은, 원주 길이, 즉 직경 (R1, R2) 이 약간 다른 링 공진기 (111, 112) 를 2 개 직렬로 접속하고, 이에 의해 발생하는 버니어 효과를 교묘하게 이용하고 있는 점에 있다. 그 이유는 직렬로 접속된 링 공진기 (111, 112) 의 FSR 이 약간 다르므로, 각 링 공진기 (111, 112) 에서 발생하고 있는 반사 (투과) 의 주기적인 변화가 일치된 파장 (공진 파장) 에서 더욱 큰 반사가 발생하기 때문이다. 이에 의해 주기가 일치하는 파장은 링 공진기 (111, 112) 의 원주 길이와 도파로 굴절률 변화에 의해 크게 바뀌므로, 효율이 좋은 파장 가변 동작을 기대할 수 있다. 상기 계산으로 나타낸 바와 같이, C 대 전역의 튜닝 동작을 실시하는 경우라도 이것에 필요한 위상 변화는 π 정도이다. 이것은 실리카 도파로의 경우, 80℃ 정도의 히터 통전에 의한 온도 변화에 의해 실현 가능한 값이다.

본 실시 형태에서는, 여기에서 기술한 이중 링 공진기 (11) 의 반사 특성을 LD 의 파장 선택 기구로서 이용하여 파장 가변 동작을 실현한다. 구체적으로 는, 링 공진기 (111, 112) 를 구성하는 링 형상 도파로 바로 위에 설치된 막상 히터 (191 ∼ 194) 에 통전함으로써, 국소적으로 온도를 상승시킨다. 그리고, 이 온도를 제어함으로써, 원하는 파장에서의 반사량을 증가시킬 수 있어 동 파장에서의 레이저 발진을 실현시킨다. 상기 기술한 바와 같이, 본 실시 형태의 구성이면, C 대 전체역 또는 L 대 전체역 (1.56㎛ ∼ 1.59㎛) 에 걸쳐 반사 피크 파장을 막상 히터 (191 ∼ 194) 에 대한 통전에 의해 쉬프트시키고, 이에 의해 광범위한 파장 범위에서 파장 가변 동작을 실시할 수 있다.

도 4 는 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 2 실시 형태를 나타내는 평면도이다. 이하, 이 도면에 기초하여 설명한다. 단, 도 1 과 동일 부분은 동일 부호를 붙임으로써 설명을 생략한다.

본 실시 형태의 파장 가변 레이저 (20) 는 LD 측 도파로 (13) 의 일단 (131) 및 반사측 도파로 (14) 의 일단 (141) 에 그들의 연장된 단면 (133, 143) 을 소정 방향으로 향하게 하는 만곡부 (134, 144) 가 형성된 것이다. 이에 의해, 단면 (133, 143) 으로부터 출사되는 미광을 영향이 적은 쪽으로 유도할 수 있다.

또한, 도 4 에서는 미광 억제부로서 만곡부 (134, 144) 를 이용했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. LD 측 도파로의 일단의 연장된 단면 또는 상기 반사측 도파로의 일단의 연장된 단면으로부터 출사되는 미광에 의한 영향을 억제하는 것이면, 어느 미광 억제부를 이용해도 된다.

도 5 는 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 3 실시 형태를 나타내는 평면도이다. 이하, 이 도면에 기초하여 설명한다. 단, 도 1 과 동일 부분 은 동일 부호를 붙임으로써 설명을 생략한다.

본 실시 형태의 파장 가변 레이저 (30) 는 LD 측 도파로 (13) 의 일단 (131) 의 연장된 단면 (133) 에 수광 소자 (31) 가 형성되어 있다. 이 수광 소자 (31) 에 의해 LD 칩 (17) 으로부터 출사되는 레이저광 (L2) 의 강도를 모니터할 수 있다. 수광 소자 (31) 는, 예를 들어 포토다이오드이고, 패시브 얼라인먼트 기술에 의해 LD 칩 (17) 과 함께 PLC 기판 (15) 상에 직접 실장된다. 또한, 수광 소자 (31) 는 반사측 도파로 (142) 의 일단 (141) 의 연장된 단면 (143) 에 형성해도 된다.

도 6 은 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 4 실시 형태를 나타내는 평면도이다. 이하, 이 도면에 기초하여 설명한다. 단, 도 1 및 도 5 와 동일 부분은 동일 부호를 붙임으로써 설명을 생략한다.

본 실시 형태의 파장 가변 레이저 (40) 는 LD 측 도파로 (13) 의 일단 (131) 의 연장된 단면 (133) 에 형성된 수광 소자 (31) 와, 수광 소자 (31) 와 이중 링 공진기 (11) 사이의 LD 측 도파로 (13) 중에 삽입되고, 일정 범위의 파장의 광만을 통과시키는 비대칭 마하젠더 간섭계 (41) 와, 수광 소자 (31) 에서 검출된 광강도가 일정해지도록 막상 히터 (191 ∼ 194) 에 대한 통전을 제어하는 제어 수단 (42) 을 추가로 구비하고 있다.

비대칭 마하젠더 간섭계 (41) 는 짧은 도파로 (411) 와 긴 도파로 (412) 가 방향성 결합기 (413, 414) 에 의해 병렬로 접속된 구조를 가지며, 도파로 (411, 412) 사이의 광로 길이 차이에 기초하는 간섭을 이용한 필터로서 기능한다. 또, 비대칭 마하젠더 간섭계 (41) 는 다른 도파로와 동시에 PLC 기판 (15) 에 형성할 수 있다. 제어 수단 (42) 은, 예를 들어 DSP 등의 마이크로 컴퓨터, AD 변환기, DA 변환기 및 증폭기 등으로 이루어지는 일반적인 것이다.

비대칭 마하젠더 간섭계 (41) 및 수광 소자 (31) 는 일정 범위의 파장의 광을 통과시켜, 이중 링 공진기 (11) 의 공진 파장을 검출하는 파장 검출 수단으로서 기능한다. 또한, 비대칭 마하젠더 간섭계 (41) 및 수광 소자 (31) 는 반사측 도파로 (14) 에 형성해도 된다.

본 실시 형태에 있어서, 제어 수단 (42) 은 파장 검출 수단 (31, 41) 이 검출한 공진 파장 정보에 기초하여 이중 링 공진기 (11) 의 공진을 피드백 제어한다.

도 7 은 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 5 실시 형태를 나타내는 평면도이다. 이하, 이 도면에 기초하여 설명한다. 단, 도 1 및 도 6 과 동일 부분은 동일 부호를 붙임으로써 설명을 생략한다.

본 실시 형태의 파장 가변 레이저 (50) 는 이중 링 공진기 (11) 와 고반사막 (16) 사이의 반사측 도파로 (14) 중에, 비대칭 마하젠더 간섭계 (41) 가 삽입되어 있다. 비대칭 마하젠더 간섭계 (41) 는 일정 범위의 파장의 광만을 통과시키는 필터로서 기능한다. 이 필터 기능에 의해 이중 링 공진기 (11) 로부터의 광 중, 일정 범위 내의 파장만의 광이 비대칭 마하젠더 간섭계 (41) 를 통과한다. 그 광의 파장은 이중 링 공진기 (11) 의 공진 파장에 상당한다. 비대칭 마하젠더 간섭계는 링 공진기 사이 등 광이 왕복하는 지점의 어디에 삽입되어도 된다.

도 8 은 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 6 실시 형태를 나타내는 평면도이다. 이하, 이 도면에 기초하여 설명한다. 단, 도 1 과 동일 부분은 동일 부호를 붙임으로써 설명을 생략한다.

본 실시 형태의 파장 가변 레이저 (60) 는 서로 다른 광로 길이를 갖는 링 형상 도파로로 이루어지는 링 공진기 (111, 112, 113) 가 방향성 결합기 (122, 123) 를 개재하여 연결되어 이루어지는 삼중 링 공진기 (61) 와, 링 공진기 (111) 에 방향성 결합기 (121) 를 개재하여 일단 (131) 이 접속된 LD 측 도파로 (13) 와, 링 공진기 (113) 에 방향성 결합기 (124) 를 개재하여 일단 (141) 이 접속된 반사측 도파로 (14) 와, 링 공진기 (111, 112, 113), LD 측 도파로 (13) 및 반사측 도파로 (14) 가 형성된 하나의 PLC 기판 (15) 과, 반사측 도파로 (14) 의 타단 (142) 에 형성된 고반사막 (16) 과, PLC 기판 (15) 상에 형성됨과 함께, 대향하는 2 개의 발광 단면 (171, 172) 의 일방 (발광 단면 (171)) 에 저반사막 (18) 이 형성되고, 저반사막 (18) 에 LD 측 도파로 (13) 의 타단 (132) 이 접속된 LD 칩 (17) 과, 링 공진기 (111, 112, 113) 의 온도 특성을 이용하여 삼중 링 공진기 (61) 의 공진 파장을 변화시키는 막상 히터 (191 ∼ 196) 를 구비한 것이다. 또한 도파로로는 석영 유리 등을 이용할 수 있다.

본 실시 형태에서는 다중 링 공진기가 삼중 링 공진기 (61) 로 되어 있다. 삼중 링 공진기 (61) 는 3 개의 링 공진기 (111, 112, 113) 의 공진 파장 모두가 일치된 파장으로 공진한다. 즉, 3 개의 링 공진기 (111, 112, 113) 의 온도를 제어할 수 있기 때문에, 삼중 링 공진기 (61) 의 공진 파장을 바꾸는 방법이 다양해진다.

도 9 는 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 7 실시 형태를 나타내는 평면도이다. 이하, 이 도면에 기초하여 설명한다. 단, 도 1 과 동일 부분은 동일 부호를 붙임으로써 설명을 생략한다.

본 실시 형태의 파장 가변 레이저 (70) 는 서로 다른 광로 길이를 갖는 링 형상 도파로로 이루어지는 링 공진기 (111, 112) 가 방향성 결합기 (122a, 122b) 및 직선 도파로 (122c) 를 개재하여 연결되어 이루어지는 이중 링 공진기 (11) 와, 링 공진기 (111) 에 방향성 결합기 (121) 를 개재하여 일단 (131) 이 접속된 LD 측 도파로 (13) 와, 링 공진기 (112) 에 방향성 결합기 (123) 를 개재하여 일단 (141) 이 접속된 반사측 도파로 (14) 와, 링 공진기 (111, 112), LD 측 도파로 (13) 및 반사측 도파로 (14) 가 형성된 하나의 PLC 기판 (15) 과, 반사측 도파로 (14) 의 타단 (142) 에 형성된 고반사막 (16) 과, PLC 기판 (15) 상에 형성됨과 함께, 대향하는 2 개의 발광 단면 (171, 172) 의 일방 (발광 단면 (171)) 에 저반사막 (18) 이 형성되고, 저반사막 (18) 에 LD 측 도파로 (13) 의 타단 (132) 이 접속된 LD 칩 (17) 과, 링 공진기 (111, 112) 의 온도 특성을 이용하여 이중 링 공진기 (11) 의 공진 파장을 변화시키는 막상 히터 (191 ∼ 194) 를 구비한 것이다. 또한 도파로로는 석영 유리 등을 이용할 수 있다.

본 실시 형태에서는 링 공진기 (111, 112) 를 연결하는 광학적 결합 수단으로서 방향성 결합기 대신에 직선 도파로 (122c) 를 이용하고 있다. 요컨대, 복수의 링 공진기 (111, 112) 를 연결하는 광학적 결합 수단으로는 방향성 결합기, 또는 도파로 중 어느 것을 이용해도 된다.

도 10 은 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 8 실시 형태를 나타내는 평면도이다. 도 11 은 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 9 실시 형태를 나타내는 평면도이다. 이하, 이 도면에 기초하여 설명한다. 단, 도 1 및 도 9 와 동일 부분은 동일 부호를 붙임으로써 설명을 생략한다.

이상 설명한 도 1, 도 4 ∼ 도 9 에 나타내는 실시 형태에서는, LD 칩 (17) 을 기판 (15) 상에 실장한 경우에 대하여 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 도 10 및 도 11 에 나타내는 바와 같이, LD 칩 (17) 을 기판으로부터 분리하여 형성해도 되는 것이다.

도 10 에 나타내는 실시 형태는 LD 칩 (17) 을 기판 (15) 으로부터 분리하여 형성하고 있다. 그리고, LD 칩 (17) 의 저반사막 (18) 과 LD 측 도파로 (13) 를 맞대어 광결합하고 있다. LD 칩 (17) 의 저반사막 (18) 과 LD 측 도파로 (13) 의 간격은 30㎛ 이하로 정밀하게 실장된다. 또한, LD 칩 (17) 의 저반사막 (18) 과 LD 측 도파로 (13) 를 밀착시켜 광결합해도 된다.

도 10 에 나타내는 실시 형태에 의하면, LD 칩 (17) 이 다른 기판 등에 실장되어 있는 경우 등에 유효하다. 또한, LD 칩 (17) 의 저반사막 (18) 과 LD 측 도파로 (13) 를 맞대어 광결합하고 있기 때문에, 그 사이의 치수를 짧게 할 수 있다.

도 11 에 나타내는 실시 형태는 도 10 의 실시 형태와 같이 LD 칩 (17) 을 기판 (15) 으로부터 분리하여 형성하고 있다. 그리고, LD 칩 (17) 의 저반사막 (18) 과 LD 측 도파로 (13) 를 렌즈 등의 광결합 수단 (80) 을 개재하여 광결합하 고 있다. 이 광결합 수단 (80) 에 의해 LD 칩 (17) 의 저반사막 (18) 과 LD 측 도파로 (13) 의 광 스폿 사이즈의 정합이 가능해진다.

도 11 에 나타내는 실시 형태에 의하면, 도 10 의 실시 형태와 마찬가지로, LD 칩 (17) 이 다른 기판 등에 실장되어 있는 경우 등에 유효할 뿐만 아니라, LD 칩 (17) 의 저반사막 (18) 과 LD 측 도파로 (13) 의 광결합부에서의 광결합 손실을 크게 저감시킬 수 있다.

이상의 설명에서는, 각 실시 형태를 독립적으로 설명했지만, 이들 실시 형태의 구성을 적절하게 조합할 수 있는 것이다.

도면의 간단한 설명

도 1 은 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 1 실시 형태를 나타내는 평면도이다.

도 2 는 도 1 의 파장 가변 레이저의 파장 가변 동작을 나타내고, 도 2 [1] 은 직경이 작은 쪽의 링 공진기의 반사 스펙트럼을 나타내는 그래프, 도 2 [2] 는 직경이 큰 쪽의 링 공진기의 반사 스펙트럼을 나타내는 그래프, 도 2 [3] 은 이중 링 공진기의 반사 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.

도 3 은 도 1 의 파장 가변 레이저에 있어서의 이중 링 공진기의 반사 스펙트럼의 그래프를 나타내고, 도 3 [1] 은 2 개의 링 공진기 사이의 위상차 φ = 0.44π 인 경우이고, 도 3 [2] 는 2 개의 링 공진기 사이의 위상차 φ = 1.76π 인 경우이다.

도 4 는 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 2 실시 형태를 나타내는 평면도이다.

도 5 는 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 3 실시 형태를 나타내는 평면도이다.

도 6 은 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 4 실시 형태를 나타내는 평면도이다.

도 7 은 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 5 실시 형태를 나타내는 평면도이다.

도 8 은 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 6 실시 형태를 나타내는 평면도이다.

도 9 는 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 7 실시 형태를 나타내는 평면도이다.

도 10 은 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 8 실시 형태를 나타내는 평면도이다.

도 11 은 본 발명에 관련된 파장 가변 레이저의 제 9 실시 형태를 나타내는 평면도이다.

*부호의 설명*

10, 20, 30, 40, 50, 60, 70 : 파장 가변 레이저

111, 112, 113 : 링 공진기

121, 122, 122a, 122b, 123, 124 : 방향성 결합기 (광학적 결합 수단)

11 : 이중 링 공진기

13 : LD 측 도파로

131 : LD 측 도파로의 일단

132 : LD 측 도파로의 타단

14 : 반사측 도파로

141 : 반사측 도파로의 일단

142 : 반사측 도파로의 타단

15 : PLC 기판 (기판)

16 : 고반사막

17 : LD 칩

171, 172 : 발광 단면

18 : 저반사막

191, 192, 193, 194, 195, 196 : 막상 히터

31 : 수광 소자

41 : 비대칭 마하젠더 간섭계

42 : 제어 수단

61 : 삼중 링 공진기

80 : 렌즈 (광결합 수단)

Claims

서로 다른 광로 길이를 갖는 링 형상 도파로로 이루어지는 복수의 링 공진기를 광학적 결합 수단에 의해 연결한 다중 링 공진기와,

상기 복수의 링 공진기의 하나에 광학적 결합 수단에 의해 일단이 접속된 LD 측 도파로와,

상기 복수의 링 공진기의 다른 하나에 광학적 결합 수단에 의해 일단이 접속된 반사측 도파로와,

상기 링 공진기, 상기 LD 측 도파로 및 상기 반사측 도파로가 형성된 하나의 기판과,

상기 반사측 도파로의 타단에 형성된 반사막과,

대향하는 2 개의 발광 단면의 일방에 저반사막이 형성되고, 당해 저반사막을 개재하여 상기 LD 측 도파로에 광결합된 레이저 다이오드 칩과,

상기 다중 링 공진기의 공진 파장을 변화시키는 파장 가변 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 1 항에 있어서,

상기 다중 링 공진기는 적어도 2 이상의 상기 링 공진기를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 1 항에 있어서,

상기 레이저 다이오드 칩의 저반사막과 상기 LD 측 도파로가 맞대어져 광결합되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 1 항에 있어서,

상기 레이저 다이오드 칩의 저반사막과 상기 LD 측 도파로가 광학 수단에 의해 광결합되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 4 항에 있어서,

상기 광학 수단으로서 렌즈를 이용한 파장 가변 레이저.
제 1 항에 있어서,

상기 복수의 링 공진기는 주기적으로 나타나는 반사 피크의 간격이 달라지도록 상기 링 형상 도파로의 직경이 설정되고, 반사 피크의 일치점에서 공진을 일으키는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 1 항에 있어서,

상기 광학적 결합 수단으로서 방향성 결합기를 이용한 파장 가변 레이저.
제 1 항에 있어서,

상기 파장 가변 수단은 상기 링 공진기의 링 형상 도파로의 굴절률을 변화시키고, 공진 파장을 변화시키는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 7 항에 있어서,

상기 파장 가변 수단은 상기 링 형상 도파로의 온도 특성을 이용하여 상기 링 형상 도파로의 굴절률을 변화시키는 것임을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 1 항에 있어서,

상기 다중 링 공진기의 공진 파장을 검출하는 파장 검출 수단을 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 10 항에 있어서,

상기 파장 검출 수단은 일정 범위의 파장만의 광을 통과 또는 차폐시켜, 상기 파장을 검출하는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 10 항에 있어서,

상기 파장 검출 수단에 의해 검출된 공진 파장 정보에 기초하여 상기 다중 링 공진기의 공진을 피드백 제어하는 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 1 항에 있어서,

상기 LD 측 도파로의 일단의 연장된 단면 또는 상기 반사측 도파로의 일단의 연장된 단면으로부터 출사되는 미광에 의한 영향을 억제하는 미광 억제부를 형성한 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 1 항에 있어서,

상기 다중 링 공진기와 상기 레이저 다이오드 칩 사이의 상기 LD 측 도파로 중, 상기 다중 링 공진기와 상기 고반사막 사이의 상기 반사측 도파로 중 또는 링 공진기 사이 중 적어도 1 개소에, 일정 범위의 파장의 광만을 통과시키는 필터를 삽입한 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 1 항에 있어서,

상기 LD 측 도파로의 일단의 연장된 단면 또는 상기 반사측 도파로의 일단의 연장된 단면에 수광 소자를 형성한 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 1 항에 있어서,

상기 레이저 다이오드 칩은 상기 기판 상에 패시브 얼라인먼트 기술에 의해 실장된 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.
제 15 항에 있어서,

상기 수광 소자는 상기 기판 상에 패시브 얼라인먼트 기술에 의해 실장된 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저.