JP3109622B2 - レーザ周波数安定化装置およびレーザ周波数安定化方法 - Google Patents
レーザ周波数安定化装置およびレーザ周波数安定化方法Info
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- JP3109622B2 JP3109622B2 JP04155331A JP15533192A JP3109622B2 JP 3109622 B2 JP3109622 B2 JP 3109622B2 JP 04155331 A JP04155331 A JP 04155331A JP 15533192 A JP15533192 A JP 15533192A JP 3109622 B2 JP3109622 B2 JP 3109622B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば大容量の周波数
分割多重光通信における送信源として用いられるレーザ
の周波数安定化装置および周波数安定化方法に関する。
分割多重光通信における送信源として用いられるレーザ
の周波数安定化装置および周波数安定化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレーザ周波数安定化装置は、図８
に示すように、半導体レーザ１０１と、リング共振器１
０７と、受光器１０３と、制御回路１０４と、レンズ１
０５，１０６で構成されている。
に示すように、半導体レーザ１０１と、リング共振器１
０７と、受光器１０３と、制御回路１０４と、レンズ１
０５，１０６で構成されている。
【０００３】半導体レーザ１０１からの出射光はレンズ
１０５を経て、所定の周波数の光を吸収しまたは透過さ
せるリング共振器１０７を透過し、レンズ１０６を経て
受光器１０３で受光され、光電変換される。制御回路１
０４は、半導体レーザ１０１の出射光の周波数が光リン
グ共振器１０７の共振ピークの１つの周波数に一致する
ように、受光器１０３で光電変換された電気信号に応じ
て半導体レーザ１０１を制御する。
１０５を経て、所定の周波数の光を吸収しまたは透過さ
せるリング共振器１０７を透過し、レンズ１０６を経て
受光器１０３で受光され、光電変換される。制御回路１
０４は、半導体レーザ１０１の出射光の周波数が光リン
グ共振器１０７の共振ピークの１つの周波数に一致する
ように、受光器１０３で光電変換された電気信号に応じ
て半導体レーザ１０１を制御する。
【０００４】ここで、半導体レーザ１０１の発振周波数
の温度依存性は約−１０ＧＨｚ／℃であるから±０．０
１℃以下に温度が安定化したとしても±１００ＭＨｚ以
下の周波数ゆらぎが存在する。したがって、共振周波数
２．５ＧＨｚのリング共振器を用いたとして共振ピーク
の線幅は２００ＭＨｚ程度必要であり、フィネス（共振
周波数間隔／共振ピークの線幅）は１２．５となる。こ
れで、周波数引き込み範囲は２００ＭＨｚであり、レー
ザの安定性は、線幅の１／１００の±１ＭＨｚ程度が達
成されている。
の温度依存性は約−１０ＧＨｚ／℃であるから±０．０
１℃以下に温度が安定化したとしても±１００ＭＨｚ以
下の周波数ゆらぎが存在する。したがって、共振周波数
２．５ＧＨｚのリング共振器を用いたとして共振ピーク
の線幅は２００ＭＨｚ程度必要であり、フィネス（共振
周波数間隔／共振ピークの線幅）は１２．５となる。こ
れで、周波数引き込み範囲は２００ＭＨｚであり、レー
ザの安定性は、線幅の１／１００の±１ＭＨｚ程度が達
成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のレーザ周波数安定化装置では、レーザの引き込
み範囲は２００ＭＨｚであり、±０．０１℃という高精
度の温度安定化が絶対的に必要であり、その光周波数の
絶対値も光周波数計などによって±１００ＭＨｚ程度ま
で事前に測定する必要があり、また、その安定性は、共
振ピークの線幅の１／１００程度に制限されてしまうと
いう問題点があった。
た従来のレーザ周波数安定化装置では、レーザの引き込
み範囲は２００ＭＨｚであり、±０．０１℃という高精
度の温度安定化が絶対的に必要であり、その光周波数の
絶対値も光周波数計などによって±１００ＭＨｚ程度ま
で事前に測定する必要があり、また、その安定性は、共
振ピークの線幅の１／１００程度に制限されてしまうと
いう問題点があった。
【０００６】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、その目的は、より広範囲の周波数
引き込みを実現し、かつ、安定後は、極めて高安定に動
作する実用的なレーザ周波数安定化装置およびレーザ周
波数安定化方法を提供することである。
めになされたもので、その目的は、より広範囲の周波数
引き込みを実現し、かつ、安定後は、極めて高安定に動
作する実用的なレーザ周波数安定化装置およびレーザ周
波数安定化方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザ周波数安
定化装置は、リング共振器の結合化が可変になってい
る。
定化装置は、リング共振器の結合化が可変になってい
る。
【０００８】また、本発明のレーザ周波数安定化方法
は、前記レーザ周波数安定化装置を用い、リング共振器
の結合比を調整し、共振ピークを広くし、安定化するレ
ーザの周波数引き込み範囲を広くするステップと、レー
ザの発振周波数をリング共振器の共振ピークに引き込
み、該共振ピークの中心周波数に安定化するステップ
と、リング共振器の結合比を調整し、共振ピークを狭く
し、レーザ出力の周波数の安定性を向上させるステップ
とを含む。
は、前記レーザ周波数安定化装置を用い、リング共振器
の結合比を調整し、共振ピークを広くし、安定化するレ
ーザの周波数引き込み範囲を広くするステップと、レー
ザの発振周波数をリング共振器の共振ピークに引き込
み、該共振ピークの中心周波数に安定化するステップ
と、リング共振器の結合比を調整し、共振ピークを狭く
し、レーザ出力の周波数の安定性を向上させるステップ
とを含む。
【０００９】
【作用】本発明は、リング共振器の光結合器の結合比を
可変することによって、共振ピーク幅を可変できるよう
にしたもので、これによりこれまでには到達できなかっ
た、広い周波数引き込み範囲を実現でき、しかも高安定
なレーザ周波数安定化装置を実現できる。
可変することによって、共振ピーク幅を可変できるよう
にしたもので、これによりこれまでには到達できなかっ
た、広い周波数引き込み範囲を実現でき、しかも高安定
なレーザ周波数安定化装置を実現できる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例のレーザ周波数安
定化装置のブロック図である。
定化装置のブロック図である。
【００１２】本実施例のレーザ周波数安定化装置は、半
導体レーザ１０１と、光結合比を可変できるリング共振
器１０２と、受光器１０３と、制御回路１０４と、レン
ズ１０５，１０６からなる。
導体レーザ１０１と、光結合比を可変できるリング共振
器１０２と、受光器１０３と、制御回路１０４と、レン
ズ１０５，１０６からなる。
【００１３】このようなレーザ周波数安定化装置におい
て、まず、リング共振器１０２の結合比を調整し、共振
ピークを広くし、安定化するレーザの周波数引き込み範
囲を広くする。半導体レーザ１０１の出射光をリング共
振器１０２に透過させ、リング共振器１０２の透過光を
受光器１０３で受光し、半導体レーザ１０１からの出射
光の周波数がリング共振器１０２の共振ピークの中心周
波数に一致するように、光電変換された電気信号に応じ
て、半導体レーザ１０１を制御回路１０４によって制御
し、レーザの発振周波数をリング共振器１０２の共振ピ
ークに引き込み、共振ピークの中心周波数に安定化す
る。最後に、リング共振器１０２の結合比を調整し、共
振ピークを狭くし、レーザ出力１１０の周波数の安定性
を向上させる。
て、まず、リング共振器１０２の結合比を調整し、共振
ピークを広くし、安定化するレーザの周波数引き込み範
囲を広くする。半導体レーザ１０１の出射光をリング共
振器１０２に透過させ、リング共振器１０２の透過光を
受光器１０３で受光し、半導体レーザ１０１からの出射
光の周波数がリング共振器１０２の共振ピークの中心周
波数に一致するように、光電変換された電気信号に応じ
て、半導体レーザ１０１を制御回路１０４によって制御
し、レーザの発振周波数をリング共振器１０２の共振ピ
ークに引き込み、共振ピークの中心周波数に安定化す
る。最後に、リング共振器１０２の結合比を調整し、共
振ピークを狭くし、レーザ出力１１０の周波数の安定性
を向上させる。
【００１４】図２はリング共振器１０２の形状を示す図
で、同図（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）はＡＡ’線に沿っ
た断面を拡大して示す図である。このリング共振器１０
２は、シリコン基板１上に配置され、周長Ｌの閉ループ
を構成しているリング形状導波路２と、入力光導波路３
ａと、出力光導波路３ｂとから主になる。リング形状導
波路２と入力光導波路３ａ、出力光導波路３ｂとの光結
合器を、破線１１および２１で囲って示されているマッ
ハツェンダ光干渉計回路によって構成することによって
光結合比が可変になっている。
で、同図（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）はＡＡ’線に沿っ
た断面を拡大して示す図である。このリング共振器１０
２は、シリコン基板１上に配置され、周長Ｌの閉ループ
を構成しているリング形状導波路２と、入力光導波路３
ａと、出力光導波路３ｂとから主になる。リング形状導
波路２と入力光導波路３ａ、出力光導波路３ｂとの光結
合器を、破線１１および２１で囲って示されているマッ
ハツェンダ光干渉計回路によって構成することによって
光結合比が可変になっている。
【００１５】マッハツェンダ光干渉計回路１１では、方
向性結合器１２ａおよび１２ｂが長さが互いにΔＬだけ
異なる２本の光導波路１３ａおよび１３ｂにより連結さ
れている。なお、ここで光導波路１３ａはリング形状導
波路２の一部を共用し、光導波路１３ｂは入力光導波路
３ａの一部を共用している。位相器１４ａおよび１４ｂ
として薄膜ヒータがそれぞれ光導波路１３ａおよび１３
ｂのコア部の上方のクラッド層１ａ上に配置されてい
る。
向性結合器１２ａおよび１２ｂが長さが互いにΔＬだけ
異なる２本の光導波路１３ａおよび１３ｂにより連結さ
れている。なお、ここで光導波路１３ａはリング形状導
波路２の一部を共用し、光導波路１３ｂは入力光導波路
３ａの一部を共用している。位相器１４ａおよび１４ｂ
として薄膜ヒータがそれぞれ光導波路１３ａおよび１３
ｂのコア部の上方のクラッド層１ａ上に配置されてい
る。
【００１６】マッハツェンダ光干渉計回路２１では、マ
ッハツェンダ光干渉計回路１１と同様に、方向性結合器
２２ａおよび２２ｂが長さが互いにΔＬだけ異なる２本
の光導波路２３ａおよび２３ｂにより連結されている。
なお、ここで光導波路２３ａはリング形状導波路２の一
部を共用し、光導波路２３ｂは出力光導波路３ｂの一部
を共用している。位相器２４ａおよび２４ｂとして薄膜
ヒータがそれぞれ光導波路２３ａおよび２３ｂのコア部
の上方のクラッド層１ａ上に配置されている。マッハツ
ェンダ光干渉計回路１１および２１を構成している光導
波路の一方（ここでは光導波路１３ａおよび２３ａ）お
よびリング形状導波路２の中で光導波路１３ａと２３ａ
と共用していない部分の光導波路２上には、位相器とし
て薄膜ヒータ５、偏波補償器６がそれぞれ配置されてい
る。
ッハツェンダ光干渉計回路１１と同様に、方向性結合器
２２ａおよび２２ｂが長さが互いにΔＬだけ異なる２本
の光導波路２３ａおよび２３ｂにより連結されている。
なお、ここで光導波路２３ａはリング形状導波路２の一
部を共用し、光導波路２３ｂは出力光導波路３ｂの一部
を共用している。位相器２４ａおよび２４ｂとして薄膜
ヒータがそれぞれ光導波路２３ａおよび２３ｂのコア部
の上方のクラッド層１ａ上に配置されている。マッハツ
ェンダ光干渉計回路１１および２１を構成している光導
波路の一方（ここでは光導波路１３ａおよび２３ａ）お
よびリング形状導波路２の中で光導波路１３ａと２３ａ
と共用していない部分の光導波路２上には、位相器とし
て薄膜ヒータ５、偏波補償器６がそれぞれ配置されてい
る。
【００１７】図３は図２のリング共振器１０２の動作を
説明する周波数特性図である。図３（Ａ）から（Ｄ）
は、位相器である薄膜ヒータ１４ａおよび２４ａの消費
電力をそれぞれ０．３Ｗ，０．５Ｗ，０．７Ｗおよび
０．９Ｗとしたものである。図３（Ｅ）は薄膜ヒータ１
４ａおよび２４ｂの消費電力を０．７Ｗとしたものであ
る。図４は薄膜ヒータ１４ａおよび２４ａに同じ電力を
消費させたときのフィネスの変化を示すグラフである。
図５は、フィネスと共振ピークでの透過率の関係を示し
たものであるが、斜線の範囲が薄膜ヒータ１４ａ，１４
ｂ，２４ａおよび２４ｂを変化させて得られることが可
能な値である。
説明する周波数特性図である。図３（Ａ）から（Ｄ）
は、位相器である薄膜ヒータ１４ａおよび２４ａの消費
電力をそれぞれ０．３Ｗ，０．５Ｗ，０．７Ｗおよび
０．９Ｗとしたものである。図３（Ｅ）は薄膜ヒータ１
４ａおよび２４ｂの消費電力を０．７Ｗとしたものであ
る。図４は薄膜ヒータ１４ａおよび２４ａに同じ電力を
消費させたときのフィネスの変化を示すグラフである。
図５は、フィネスと共振ピークでの透過率の関係を示し
たものであるが、斜線の範囲が薄膜ヒータ１４ａ，１４
ｂ，２４ａおよび２４ｂを変化させて得られることが可
能な値である。
【００１８】図６は、図２のマッハツェンダ光干渉計回
路１１と２１を１つのマッハツェンダ光干渉計回路１１
で置き換えた構成となっている。
路１１と２１を１つのマッハツェンダ光干渉計回路１１
で置き換えた構成となっている。
【００１９】次に、本実施例のレーザ周波数安定化装置
の動作を図１にしたがって説明する。図１の装置構成に
おいて、半導体レーザ１として例えば波長１．５５μｍ
帯で発振するＩｎＧａＡｓＰ系の分布帰還型半導体レー
ザ（ＤＦＢ型ＬＤ）を用いた。リング共振器１０２に
は、図６で示す石英系導波路形リング共振器を用いた。
共振ピーク間隔は２．５ＧＨｚである。光導波路２，３
ａ，１３ａ，１３ｂなどは、厚さ６０μｍ程度のクラッ
ド層１ａ内に埋設されており、光導波路２，３ａ，１３
ａ，１３ｂなどのコア部寸法は８μｍ×８μｍ程度、コ
ア部・クラッド部の比屈折率差は０．３％程度である。
薄膜ヒータ１４ａ，１４ｂおよび５として、ここではＣ
ｒ金属薄膜（幅５０μｍ、厚さ０．３μｍ）を真空蒸着
技術により、長さ約５ｍｍにわたって形成した。さら
に、アモルファスシリコン薄膜６（幅２００μｍ、厚さ
９μｍ）をスパッタ技術により、長さ約１．６ｍｍにわ
たって形成し、垂直偏波（ＴＭ偏波）と水平偏波（ＴＥ
偏波）で共振特性を一致させた。
の動作を図１にしたがって説明する。図１の装置構成に
おいて、半導体レーザ１として例えば波長１．５５μｍ
帯で発振するＩｎＧａＡｓＰ系の分布帰還型半導体レー
ザ（ＤＦＢ型ＬＤ）を用いた。リング共振器１０２に
は、図６で示す石英系導波路形リング共振器を用いた。
共振ピーク間隔は２．５ＧＨｚである。光導波路２，３
ａ，１３ａ，１３ｂなどは、厚さ６０μｍ程度のクラッ
ド層１ａ内に埋設されており、光導波路２，３ａ，１３
ａ，１３ｂなどのコア部寸法は８μｍ×８μｍ程度、コ
ア部・クラッド部の比屈折率差は０．３％程度である。
薄膜ヒータ１４ａ，１４ｂおよび５として、ここではＣ
ｒ金属薄膜（幅５０μｍ、厚さ０．３μｍ）を真空蒸着
技術により、長さ約５ｍｍにわたって形成した。さら
に、アモルファスシリコン薄膜６（幅２００μｍ、厚さ
９μｍ）をスパッタ技術により、長さ約１．６ｍｍにわ
たって形成し、垂直偏波（ＴＭ偏波）と水平偏波（ＴＥ
偏波）で共振特性を一致させた。
【００２０】まず、リング共振器１０２のフィネスが
２．５になるように薄膜ヒータ１４ａ，１４ｂにより光
結合比を調整した後（図７（Ａ））、半導体レーザ１０
１の１００ＫＨｚの変調光をリング共振器１０２に入射
し、制御回路１０４で共振ピークの１つからのずれを検
出し、半導体レーザ１０１に帰還した。この場合、レー
ザの周波数引き込み範囲は±５００ＭＨｚあり、レーザ
の温度安定度は±０．０５℃で十分である。このときレ
ーザの発振周波数は±５ＭＨｚ以下に安定化された。安
定化帯域は１０ｍｓである。次に、レーザを安定化した
まま、薄膜ヒータ１４ａ，１４ｂでリング共振器１０２
のフィネスが５０になるように光結合比を調整すると
（共振ピーク幅５０ＭＨｚ）（図７（Ｂ））、半導体レ
ーザ１０１の出力１１０の周波数安定性は±２５０ＫＨ
ｚにまで向上した。
２．５になるように薄膜ヒータ１４ａ，１４ｂにより光
結合比を調整した後（図７（Ａ））、半導体レーザ１０
１の１００ＫＨｚの変調光をリング共振器１０２に入射
し、制御回路１０４で共振ピークの１つからのずれを検
出し、半導体レーザ１０１に帰還した。この場合、レー
ザの周波数引き込み範囲は±５００ＭＨｚあり、レーザ
の温度安定度は±０．０５℃で十分である。このときレ
ーザの発振周波数は±５ＭＨｚ以下に安定化された。安
定化帯域は１０ｍｓである。次に、レーザを安定化した
まま、薄膜ヒータ１４ａ，１４ｂでリング共振器１０２
のフィネスが５０になるように光結合比を調整すると
（共振ピーク幅５０ＭＨｚ）（図７（Ｂ））、半導体レ
ーザ１０１の出力１１０の周波数安定性は±２５０ＫＨ
ｚにまで向上した。
【００２１】なお、図１では半導体レーザ１０１の周波
数の変調に直接変調を用いたが、音響光学変調器、電気
光学変調器などの、他の構成の変調器を用いて変調して
も同様の効果を得ることができる。また、リング共振器
の光結合器の結合比を調整して信号強度を大きくするこ
ともできる。
数の変調に直接変調を用いたが、音響光学変調器、電気
光学変調器などの、他の構成の変調器を用いて変調して
も同様の効果を得ることができる。また、リング共振器
の光結合器の結合比を調整して信号強度を大きくするこ
ともできる。
【００２２】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能
であることは言うまでもない。
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能
であることは言うまでもない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、下記の
ような効果がある。 （１）請求項１の発明は、リング共振器の光結合器の結
合比を可変することによって、共振ピーク幅を可変でき
るようにし、これまでには到達できなかった、広い周波
数引き込み範囲を実現でき、また信号強度を大きくする
ことができる。 （２）請求項２の発明は、リング共振器の結合比を調整
して、レーザ出力の周波数の安定性を向上させることに
より、高安定なレーザ周波数安定化装置を実現できる。
ような効果がある。 （１）請求項１の発明は、リング共振器の光結合器の結
合比を可変することによって、共振ピーク幅を可変でき
るようにし、これまでには到達できなかった、広い周波
数引き込み範囲を実現でき、また信号強度を大きくする
ことができる。 （２）請求項２の発明は、リング共振器の結合比を調整
して、レーザ出力の周波数の安定性を向上させることに
より、高安定なレーザ周波数安定化装置を実現できる。
【図１】本発明の一実施例のレーザ周波数安定化装置の
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２】図１中のリング共振器１０２の構造を説明する
ための図である。
ための図である。
【図３】リング共振器１０２の位相器１４ａ，１４ｂ，
２４ａ，２４ｂの消費電力を変えたときの光周波数特性
を示す図である。
２４ａ，２４ｂの消費電力を変えたときの光周波数特性
を示す図である。
【図４】消費電力に対するフィネスの変化を示す図であ
る。
る。
【図５】設定可能なフィネスと共振ピークでの透過率の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図６】リング共振器１０２の他の例の構造図である。
【図７】共振ピーク幅を可変したときの光共振特性を示
す図である。
す図である。
【図８】従来のレーザ周波数安定化装置のブロック図で
ある。
ある。
１ シリコン基板 １ａ クラッド層 ２ リング形状導波路 ３ａ 入力光導波路 ３ｂ 出力光導波路 ５ 薄膜ヒータ ６ 偏波補償器 １１，２１ マッハツェンダ光干渉計回路 １２ａ，１２ｂ，２２ａ，２２ｂ 方向性結合器 １３ａ，１３ｂ，２３ａ，２３ｂ 光導波路 １４ａ，１４ｂ，２４ａ，２４ｂ 位相器 １０１ 半導体レーザ １０２，１０７ リング共振器 １０３ 受光器 １０４ 制御回路 １０５，１０６ レンズ １１０ レーザ出力
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−110927（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−164377（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−34990（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−15992（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−110927（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−307983（ＪＰ，Ａ) ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧ ＳＰＩＥ Ｖ ｏｌ．1141（ＥＣＩＯ’89）ｐｐ．52− 58 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ光源と、光結合器とリング形状導
波路からなり、所定の周波数の光を吸収しまたは透過さ
せるリング共振器と、該リング共振器を透過した、前記
レーザ光源の出射光を電気信号に変換する受光器と、前
記レーザ光源の出射光の周波数が前記リング共振器の所
定の共振ピーク周波数に一致するように、該電気信号に
応じて前記レーザ光源を制御する制御回路を備えたレー
ザ周波数安定化装置において、 前記リング共振器の光結合器の結合比が可変になってい
ることを特徴とするレーザ周波数安定化装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のレーザ周波数安定化装
置を用い、レーザの発振周波数を安定化するレーザ周波
数安定化方法であって、 前記リング共振器の結合比を調整し、共振ピークを広く
し、安定化するレーザの周波数引き込み範囲を広くする
ステップと、 レーザの発振周波数を前記リング共振器の共振ピークに
引き込み、該共振ピークの中心周波数に安定化するステ
ップと、 前記リング共振器の結合比を調整し、共振ピークを狭く
し、レーザ出力の周波数の安定性を向上させるステップ
とを含むレーザ周波数安定化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04155331A JP3109622B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | レーザ周波数安定化装置およびレーザ周波数安定化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04155331A JP3109622B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | レーザ周波数安定化装置およびレーザ周波数安定化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347452A JPH05347452A (ja) | 1993-12-27 |
| JP3109622B2 true JP3109622B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=15603558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04155331A Expired - Lifetime JP3109622B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | レーザ周波数安定化装置およびレーザ周波数安定化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3109622B2 (ja) |
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-
1992
- 1992-06-15 JP JP04155331A patent/JP3109622B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
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| ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．１１４１（ＥＣＩＯ’８９）ｐｐ．５２−５８ |
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|---|---|
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