JPH02114691A - 半導体レーザーの外部共振器 - Google Patents
半導体レーザーの外部共振器Info
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- JPH02114691A JPH02114691A JP1239749A JP23974989A JPH02114691A JP H02114691 A JPH02114691 A JP H02114691A JP 1239749 A JP1239749 A JP 1239749A JP 23974989 A JP23974989 A JP 23974989A JP H02114691 A JPH02114691 A JP H02114691A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、単導体レーザー用の外部光共振器に関する
ものである。
ものである。
コヒーレント光伝送系の実現には単一モードの狭帯域レ
ーザー発振器が必要である。ファプリー・ベロー半導体
レーザーは多モードスペクトルを持つ、外部共振器を組
合わせるとこの種の半導体レーザーからヘテロゲイン又
はホモダイン受信式光１ｉｌｌｌ信系に適した狭帯域の
蛍−モード・レーザー発振器を実現することができる（
［ブリティッシュ・テレコム・テクノ・ジャーナル（Ｂ
ｒｉｔ、 Ｔｅ１ｅｃｏｌ１１． Ｔｅｃｈｎ、
Ｊｏｕｒｎａｌ ） ３ Ｖ ｏ １． ３、Ｎ
ｎ４、１９８５年参照）。
ーザー発振器が必要である。ファプリー・ベロー半導体
レーザーは多モードスペクトルを持つ、外部共振器を組
合わせるとこの種の半導体レーザーからヘテロゲイン又
はホモダイン受信式光１ｉｌｌｌ信系に適した狭帯域の
蛍−モード・レーザー発振器を実現することができる（
［ブリティッシュ・テレコム・テクノ・ジャーナル（Ｂ
ｒｉｔ、 Ｔｅ１ｅｃｏｌ１１． Ｔｅｃｈｎ、
Ｊｏｕｒｎａｌ ） ３ Ｖ ｏ １． ３、Ｎ
ｎ４、１９８５年参照）。
欧州特許第０２１６２１２号明細書によりこのような外
部光共振器が公知である。この共振器は２つの光導波路
を備える光方向性結合器から成り、一方の導波路の１つ
の終端面を遣して半導体レーザーから放出された光電力
が方向性結合器に入結合される。この導波路の別の終端
面には帰還結合装置が設けられ、この導波路に導かれた
光出力の僅かの部分をこの導波路に帰還結合し、この光
出力の大部分はそこから１つの導波路に高結合される。
部光共振器が公知である。この共振器は２つの光導波路
を備える光方向性結合器から成り、一方の導波路の１つ
の終端面を遣して半導体レーザーから放出された光電力
が方向性結合器に入結合される。この導波路の別の終端
面には帰還結合装置が設けられ、この導波路に導かれた
光出力の僅かの部分をこの導波路に帰還結合し、この光
出力の大部分はそこから１つの導波路に高結合される。
高結合された光電力は１つの光ファイバを通して方向性
結合器の他方の光導波路の１つの終端面に導かれ、この
光導波路に入結合されるや他方の光導波路の別の終端面
から高結合された光電力は、ビーム吸収器に導かれるか
あるいは半導体レーザーの出力として１つのシステム・
ファイバに入結合される。この最後の実施形態ではシス
テム・ファイバと共振器がレーザーの同じ終端面に結合
されている。この構造は共振器とシステム・ファイバが
レーザーの異なる終端面に結合されている実施形態に比
べて機械的な一点が刀２ないという利点がある。
結合器の他方の光導波路の１つの終端面に導かれ、この
光導波路に入結合されるや他方の光導波路の別の終端面
から高結合された光電力は、ビーム吸収器に導かれるか
あるいは半導体レーザーの出力として１つのシステム・
ファイバに入結合される。この最後の実施形態ではシス
テム・ファイバと共振器がレーザーの同じ終端面に結合
されている。この構造は共振器とシステム・ファイバが
レーザーの異なる終端面に結合されている実施形態に比
べて機械的な一点が刀２ないという利点がある。
光方向性結合器はガラスファイバ方向性結合器又は集積
方向性結合器とすることができる。
方向性結合器とすることができる。
方向性結合器の他方の光導波路の１つのゲートには、フ
ァイバに導かれた光電力の僅かな部分をこのファイバに
帰還結合する第２帰還結合装置を設けることができる。
ァイバに導かれた光電力の僅かな部分をこのファイバに
帰還結合する第２帰還結合装置を設けることができる。
２つの光導波路を備えるファイバ・オプティカル方向性
結合器の形の外部光共振器であって共振器とシステム・
ファイバとが半導体レーザーの同じ終＠面に結合回部で
あるものは、ドイツ連邦共和国特許出願公開第３６３３
０７７ （特開昭６３９４２０２）号明１Ｉｔｕｔにお
いて提案されている。
結合器の形の外部光共振器であって共振器とシステム・
ファイバとが半導体レーザーの同じ終＠面に結合回部で
あるものは、ドイツ連邦共和国特許出願公開第３６３３
０７７ （特開昭６３９４２０２）号明１Ｉｔｕｔにお
いて提案されている。
この周波数選択性のファイバ方向性結合器は１つの分散
性二重コア・ファイバから成り、その両方のコアが方向
性結合器の両方の光導波路を形成する。一方のコアの１
つの終端面は半導体レーザーに結合され、このｖ！：端
面と同じ側に置かれた他方のコアの終端面は自由になっ
ている０両コアの他方の終端面には帰還結合装置が設け
られ、一方のコアに導かれた光電力の僅かの部分をこの
コアに帰還結合し、残りの部分はこのコアから高結合す
る。他方のコアに関しては帰還結合装置は何等の作用も
行わない、１つのコアから高結合された光電力は１つの
システム・ファイバに入結合される。
性二重コア・ファイバから成り、その両方のコアが方向
性結合器の両方の光導波路を形成する。一方のコアの１
つの終端面は半導体レーザーに結合され、このｖ！：端
面と同じ側に置かれた他方のコアの終端面は自由になっ
ている０両コアの他方の終端面には帰還結合装置が設け
られ、一方のコアに導かれた光電力の僅かの部分をこの
コアに帰還結合し、残りの部分はこのコアから高結合す
る。他方のコアに関しては帰還結合装置は何等の作用も
行わない、１つのコアから高結合された光電力は１つの
システム・ファイバに入結合される。
ドイツ連邦共和国特許出願公開第３６３３０７６（時開
ＦＷ４６３−１１６２４）号明細書では、集積光方向性
結合器とし構成され、システム・ファイバと共振器が単
導体レーザーの同じ終端面に結合されている外部共振器
が提案されている。この方向性結合器の両方の光導波路
は１つのへ板上に４４積されたストライブ導波路となっ
ている。半導体レーザーから放出された光電力は１つの
ストライプ導波路に入結合され、この４波路の他方の終
端面には１つの帰還結合装置が設けられて１つの導波路
に導かれた光電力をこの導波路に帰還結合する。１つの
光導波路の他方の終端面と同じ側に設けられた他方のス
トライプ導波路の一方の終端面には帰還結合装置が設け
られ、この導波路に導かれた光電力をこの導波路に帰還
結合する。この他方の導波路の他方の終端面の１つには
システム・ファイバが結合される。単一モード動作の達
成に対しては両方の帰還結合装置が方向性結合器の１つ
の結合区間から互いに異なる光間隔をもって設けられて
いることが重要である。方向性結合器の結合区間は両方
の導波路がそれらの間に電力のオーバーフローが可能で
あるように小さい間隔を保つ区間を指している。
ＦＷ４６３−１１６２４）号明細書では、集積光方向性
結合器とし構成され、システム・ファイバと共振器が単
導体レーザーの同じ終端面に結合されている外部共振器
が提案されている。この方向性結合器の両方の光導波路
は１つのへ板上に４４積されたストライブ導波路となっ
ている。半導体レーザーから放出された光電力は１つの
ストライプ導波路に入結合され、この４波路の他方の終
端面には１つの帰還結合装置が設けられて１つの導波路
に導かれた光電力をこの導波路に帰還結合する。１つの
光導波路の他方の終端面と同じ側に設けられた他方のス
トライプ導波路の一方の終端面には帰還結合装置が設け
られ、この導波路に導かれた光電力をこの導波路に帰還
結合する。この他方の導波路の他方の終端面の１つには
システム・ファイバが結合される。単一モード動作の達
成に対しては両方の帰還結合装置が方向性結合器の１つ
の結合区間から互いに異なる光間隔をもって設けられて
いることが重要である。方向性結合器の結合区間は両方
の導波路がそれらの間に電力のオーバーフローが可能で
あるように小さい間隔を保つ区間を指している。
［発明が解決しようとする諜８］
この発明の課題は、２つの光導波路を備える半導体レー
ザー用の外部光共振器として１００ＧＨｚｎ域の空スペ
クトル帯域が可能であるような短い構成長に集積技術に
よって作ることができ、更に共振器とシステム・ファイ
バがレーザーの同じ終端面に結合可能であるものを提供
することである。
ザー用の外部光共振器として１００ＧＨｚｎ域の空スペ
クトル帯域が可能であるような短い構成長に集積技術に
よって作ることができ、更に共振器とシステム・ファイ
バがレーザーの同じ終端面に結合可能であるものを提供
することである。
この課題は特許請求の範囲の請求項１に特徴として挙げ
た構成とすることによって達成される。
た構成とすることによって達成される。
この発明による共振器の公知共振器に対する主な差異は
、半導体レーザーから放出された光電力が入結合される
方向性結合器の一方の光導波路には帰還結合Ｖ装置が設
けられることなく、他方の光導波路の両方の終端面に帰
還結合装置が設けられることである。
、半導体レーザーから放出された光電力が入結合される
方向性結合器の一方の光導波路には帰還結合Ｖ装置が設
けられることなく、他方の光導波路の両方の終端面に帰
還結合装置が設けられることである。
この発明による共振器では特許請求の範囲の請求項２に
記載したように、方向性結合器を４１４積方向性光結合
器とするのが有利である。しかしこれ以外の方向性結合
器、例えばファイバ方向性結合器も特に短いチャネル長
を必要としない場合には使用可能である。
記載したように、方向性結合器を４１４積方向性光結合
器とするのが有利である。しかしこれ以外の方向性結合
器、例えばファイバ方向性結合器も特に短いチャネル長
を必要としない場合には使用可能である。
この発明による方向性結合器において特許請求の範囲の
請求項３に記載したように、方向性結合器の少なくとも
１つの光導波路の屈折率をこの結合器の結合区間内で可
変にすると共振周波数と共振器の位相の同調が可能とな
る。
請求項３に記載したように、方向性結合器の少なくとも
１つの光導波路の屈折率をこの結合器の結合区間内で可
変にすると共振周波数と共振器の位相の同調が可能とな
る。
この発明による共振器はｍ８位の短い構成長とするのが
有利である。この短い構成長によって自由な空スペクト
ル範囲ＦＳＲが達成され、それによってこの共振器を使
用するレーザー発振器の１００ＧＨｚ単位の同調範囲が
実現する。これは多重チャネル光伝送において必要とな
ることである。
有利である。この短い構成長によって自由な空スペクト
ル範囲ＦＳＲが達成され、それによってこの共振器を使
用するレーザー発振器の１００ＧＨｚ単位の同調範囲が
実現する。これは多重チャネル光伝送において必要とな
ることである。
特許請求の範囲の請求項３の構成は同じく請求項４に記
載の手段によって簡単に実現され、それによって電気的
に同３周可能の外部集積光共振器が得られる。
載の手段によって簡単に実現され、それによって電気的
に同３周可能の外部集積光共振器が得られる。
これらの点に関しては、２つの光導波路を備え一方の光
導波路は電気光学効果材料から成り更にこの材料内に可
変電場を発生する装置が設けられている集積外部光共振
器が既に先のドイツ連邦共和国特許出廟公間第３６３３
０７６号明ｌ１ｌｌＦにおいて提案されていることを指
摘しておく、そこではこの装置は周波数変巽周出力信号
を発生する位相変ｔＮ器である。
導波路は電気光学効果材料から成り更にこの材料内に可
変電場を発生する装置が設けられている集積外部光共振
器が既に先のドイツ連邦共和国特許出廟公間第３６３３
０７６号明ｌ１ｌｌＦにおいて提案されていることを指
摘しておく、そこではこの装置は周波数変巽周出力信号
を発生する位相変ｔＮ器である。
特許請求の範囲の請求項３の構成は特許請求の範囲の請
求項５の手段によっても簡単に実現され、それによって
熱的又は機械的に同調可能な共振器が得られる。
求項５の手段によっても簡単に実現され、それによって
熱的又は機械的に同調可能な共振器が得られる。
特許請求の範囲の請求項６に従い、方向性結合器の少な
くとも一方の光導波路の長さを可変とすることによって
も同調可能な共振器が得られる。
くとも一方の光導波路の長さを可変とすることによって
も同調可能な共振器が得られる。
この長さの変化は、光導波路の温度変化によるかあるい
は圧力又は引張り力を光導波路に加えることによって達
成される。
は圧力又は引張り力を光導波路に加えることによって達
成される。
帰還結合装置自体はこの発明の共振器の場合、特許請求
の範囲の請求項７に従い支持体にとり付けら軌だ反射層
とすることができる。
の範囲の請求項７に従い支持体にとり付けら軌だ反射層
とすることができる。
図面についてこの発明を更に詳細に説明する。
第１図に示したレーザー発振器の主要部は外部光共振器
１と半導体レーザー２である。レーザー２の共振器ｌに
対向する終端面２１はレーザーの出力を取り出すもので
、例えば反射防止Ｎ２２によって減反射にされている。
１と半導体レーザー２である。レーザー２の共振器ｌに
対向する終端面２１はレーザーの出力を取り出すもので
、例えば反射防止Ｎ２２によって減反射にされている。
半導体レーザー２の共振器に対して反対側の終端面２３
はその出力を高めるため鏡面Ｊｔ’１２４で覆われる。
はその出力を高めるため鏡面Ｊｔ’１２４で覆われる。
共振器Ｉの主要部は、光方向性結合器１０と２つの帰還
結合装Ｗ１２３と１２４である。
結合装Ｗ１２３と１２４である。
光方向性結合器１０は電気光学効果材料例えばニオブ酸
リチウムのｉ＋ｉ−ｈに集積された２つのストライブ先
導波Ｆ＃！１１１と１２とから構成される。
リチウムのｉ＋ｉ−ｈに集積された２つのストライブ先
導波Ｆ＃！１１１と１２とから構成される。
これらの光導波路は結合長しの間僅かな間隔ｄを保って
並行し、それらの間に電力の過結合が生ずる。光導波路
１１と１２の屈折率ｎ、とｎｔは基板材料の屈折率ｎ、
より高い、屈折率ｎｌ とｎ。
並行し、それらの間に電力の過結合が生ずる。光導波路
１１と１２の屈折率ｎ、とｎｔは基板材料の屈折率ｎ、
より高い、屈折率ｎｌ とｎ。
は等しくすることができる。
図示の実施例では結合長しは方向性結合器の構成長に等
しく選ばれ、これは共振器の構成長にほぼ対応する。半
導体レーザー２の終端面２１から放出された光電力は勾
配レンズ１１３からガラス小板１２５を通過し、一方の
光導波路１１の終端面１１１とに集束されてこの光導波
路に入結合される。この人結合された光電力は光導波路
１１の別の終端面１１２から重結合され、ガラス小板１
２６を通過し別の勾配レンズ１１４によって集束される
。集束された光電力は更に別の勾配レンズ１１６により
システム・ファイバ４の終端面４１上に焦点を結び、レ
ーザー２の出力としてこのシステム・ファイバに入結合
される。光導波路１１から重結合された光電力の通路中
にはシステム・ファイバの前、例えば勾配レンズ１１４
と勾配レンズ１１６との間に光絶縁体３が設けられ、こ
の系から半導体レーザー２に到達し得る寄生反射を抑制
する。
しく選ばれ、これは共振器の構成長にほぼ対応する。半
導体レーザー２の終端面２１から放出された光電力は勾
配レンズ１１３からガラス小板１２５を通過し、一方の
光導波路１１の終端面１１１とに集束されてこの光導波
路に入結合される。この人結合された光電力は光導波路
１１の別の終端面１１２から重結合され、ガラス小板１
２６を通過し別の勾配レンズ１１４によって集束される
。集束された光電力は更に別の勾配レンズ１１６により
システム・ファイバ４の終端面４１上に焦点を結び、レ
ーザー２の出力としてこのシステム・ファイバに入結合
される。光導波路１１から重結合された光電力の通路中
にはシステム・ファイバの前、例えば勾配レンズ１１４
と勾配レンズ１１６との間に光絶縁体３が設けられ、こ
の系から半導体レーザー２に到達し得る寄生反射を抑制
する。
ガラス小板１２５と１２６はそれぞれ帰還結合装置１２
３又は１２４の支持体となるものである。
３又は１２４の支持体となるものである。
これらの帰還結合ｖｔ置はガラス小板１２５と１２６の
局部的金属化部分、例えば金めつき部分とすることがで
きる。
局部的金属化部分、例えば金めつき部分とすることがで
きる。
第１図においてｎｌは光導波路１１の屈折率、ｎ、は光
導波路１２の屈折率、ｎ、は基板＋０１の屈折率であっ
て、ｎ、はｎ、より小さくｎｔより小さいことが必要で
ある。
導波路１２の屈折率、ｎ、は基板＋０１の屈折率であっ
て、ｎ、はｎ、より小さくｎｔより小さいことが必要で
ある。
１（１、ＩＩＷ Ｑ 、であってこれらをｎとするとき
、第１図の共振器ではβ・Ｌ−ｍ・πにおいて空のスペ
クトル範ｔｆｆｉＦｓＲ−ｃ／２ｎ−Ｌをもって共振が
起こる。ここでθは光導波路１１と１２中を導かれる光
波の伝搬定数であり、ｍは任意の整数である。篤１図の
共振器の鮮駁實ＦはＦ−πＪ”Ｗ ｃｏｓ”ｋＬ／（Ｉ
Ｒｃｏｓ”ｋＬ）で与えられる。ここでＲは帰還結
合装置ｉ２３．１２Ａの電力反射係数であり、ｋは１つ
の定数である。
、第１図の共振器ではβ・Ｌ−ｍ・πにおいて空のスペ
クトル範ｔｆｆｉＦｓＲ−ｃ／２ｎ−Ｌをもって共振が
起こる。ここでθは光導波路１１と１２中を導かれる光
波の伝搬定数であり、ｍは任意の整数である。篤１図の
共振器の鮮駁實ＦはＦ−πＪ”Ｗ ｃｏｓ”ｋＬ／（Ｉ
Ｒｃｏｓ”ｋＬ）で与えられる。ここでＲは帰還結
合装置ｉ２３．１２Ａの電力反射係数であり、ｋは１つ
の定数である。
屈折率ｎ、の変化によって第１図の共振器の共振周波敞
の同調が可能である１反射光の位相はｎを通して同調可
能である 光導波路１１と１２の屈折率を変える方法は既に明示さ
れている。第１図の共振器の電気的同調の実例を第２図
に示す。
の同調が可能である１反射光の位相はｎを通して同調可
能である 光導波路１１と１２の屈折率を変える方法は既に明示さ
れている。第１図の共振器の電気的同調の実例を第２図
に示す。
第２図の実施例では基板１０１がニオブ酸リチウムから
成り、光導波路１１と１２はこの基板内に拡散されてい
る。それらの屈折率はｎ、 −ｆｉ 。
成り、光導波路１１と１２はこの基板内に拡散されてい
る。それらの屈折率はｎ、 −ｆｉ 。
＝ｎであるとする。光導波路１１と１２の間には基板表
面にとりつけられるかそのＥ方に設けられた電極１００
が導波路の長さ方向に伸びている。
面にとりつけられるかそのＥ方に設けられた電極１００
が導波路の長さ方向に伸びている。
光導波路１１と１２の外側にもその長さ方向に２つの電
極１】０と１２０が伸び、これらの電極も基板表面にと
りつけられるかそのＬ方に設けられている。
極１】０と１２０が伸び、これらの電極も基板表面にと
りつけられるかそのＬ方に設けられている。
第２図の共振器の共振周波数の同調のためには、電極１
００と１２０の間に他方の光導波１ｉ’３１２にその長
さ方向に垂直な電場を作る電圧Ｕ、を印加し、屈折率ｎ
を変化させる。
００と１２０の間に他方の光導波１ｉ’３１２にその長
さ方向に垂直な電場を作る電圧Ｕ、を印加し、屈折率ｎ
を変化させる。
同様に電極１１０と１００の闇には光導波路１１内にそ
の長さ方向に垂直なｔｉｉ場を作る電圧Ｕ１を印加して
、光導波路１１の屈折率ｎを変化させる。電圧Ｕ、とＵ
ｔの調節によってレーザー発振器の空のスペクトル範囲
ＦＳＲ内での同調が可能となる。空のスペクトル範囲Ｆ
ＳＲ全体に亘っての間挿に対しては、波長１．３μ輌に
おいて電圧と長さの積は９０Ｖ・ｆｆ１Ｉ１１で充分で
ある。共据器長が例えばＬｎｍのとき電圧ＵｌとＵ、に
必要な値は±４５Ｖの範囲内にある。
の長さ方向に垂直なｔｉｉ場を作る電圧Ｕ１を印加して
、光導波路１１の屈折率ｎを変化させる。電圧Ｕ、とＵ
ｔの調節によってレーザー発振器の空のスペクトル範囲
ＦＳＲ内での同調が可能となる。空のスペクトル範囲Ｆ
ＳＲ全体に亘っての間挿に対しては、波長１．３μ輌に
おいて電圧と長さの積は９０Ｖ・ｆｆ１Ｉ１１で充分で
ある。共据器長が例えばＬｎｍのとき電圧ＵｌとＵ、に
必要な値は±４５Ｖの範囲内にある。
第１図はこの発明による光共振器を備えるレーザー発振
器の概略の構成を示し、第２図は第１図の１」線に沿う
断面図である。 １・・・光共振器 ２・・・単導体レーザー ０・・・方向性結合器 １０１・・・基板 ｌＧ１ １ 】、 １２・・・ストライプ光導波路 １００． １１０． １２０・・・電極 ＩＧ ２
器の概略の構成を示し、第２図は第１図の１」線に沿う
断面図である。 １・・・光共振器 ２・・・単導体レーザー ０・・・方向性結合器 １０１・・・基板 ｌＧ１ １ 】、 １２・・・ストライプ光導波路 １００． １１０． １２０・・・電極 ＩＧ ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）２つの光導波路（１１、１２）を備える光方向性結
合器（１０）から成る半導体レーザー用の外部共振器（
１）において、両光導波路（１１、１２）の一方（１１
）の１つの終端面（１０１）を通して半導体レーザー（
２）から放出された光電力が方向性結合器（１０）に入
結合可能であり、又この光導波路（１１）の別の終端面
（１１２）から取り出し可能であり、他方の光導波路（
１２）の各終端面（１２１、１２２）にそれぞれ１つの
光帰還結合装置（１２３、１２４）が設けられ、他方の
光導波路（１２）から供給された光電力を少なくとも部
分的にこの他方の光導波路（１２）に帰還結合すること
を特徴とする半導体レーザーの外部共振器。 ２）方向性結合器（１０）が１つの集積された光方向性
結合器から成ることを特徴とする請求項１記載の共振器
。 ３）方向性結合器（１０）の少なくとも一方の光導波路
の屈折率（ｎ＿１、ｎ＿２）が可変であることを特徴と
する請求項１又は２記載の共振器。 ４）可変屈折率の光導波路（１１、１２）が電気光学効
果材料又は磁気光学効果材料から成り、可変の電場又は
磁場を電気光学効果材料又は磁気光学効果材料内に発生
させる装置（１００、１１０、１２０）が設けられてい
ることを特徴とする請求項３記載の共振器。 ５）可変屈折率の光導波路（１１、１２）が熱光学効果
材料又は弾性光学効果材料から成り、熱光学効果材料の
温度を変化させるか弾性光学効果材料に圧力又は引張り
力を加える装置が設けられていることを特徴とする請求
項３又は４記載の共振器。 ６）方向性結合器（１０）の両光導波路（１１、１２）
の少なくとも一方の長さ（Ｌ）が可変であることを特徴
とする請求項１ないし５の１つに記載の共振器。 ７）１つの帰還結合装置（１２３、１２４）が支持体（
１２５、１２６）に取り付けられた反射層から成り、こ
の層が他方の光導波路（１２）の対応する終端面（１２
１又は１２２）に対向して設けられることを特徴とする
請求項１ないし６の１つに記載の共振器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3831943.8 | 1988-09-20 | ||
| DE3831943 | 1988-09-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114691A true JPH02114691A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=6363339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1239749A Pending JPH02114691A (ja) | 1988-09-20 | 1989-09-13 | 半導体レーザーの外部共振器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5023885A (ja) |
| EP (1) | EP0359967A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02114691A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7437037B2 (en) | 2006-01-23 | 2008-10-14 | Fujitsu Limited | Optical module having gain member and partial reflection section waveguides formed on a substrate |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH041614A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 光増幅装置 |
| US5107538A (en) * | 1991-06-06 | 1992-04-21 | At&T Bell Laboratories | Optical waveguide system comprising a rare-earth Si-based optical device |
| JP2693662B2 (ja) * | 1991-07-16 | 1997-12-24 | 株式会社東芝 | 光増幅装置 |
| DE19614526A1 (de) * | 1996-04-12 | 1997-10-16 | Sick Ag | Laseranordnung zur Erzeugung eines Haupt- und eines Referenzlichtstrahls |
| US7286582B1 (en) * | 2003-10-08 | 2007-10-23 | Fay Jr Theodore Denis | Optical external cavities having brewster angle wedges |
| US20090229651A1 (en) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | Fay Jr Theodore Denis | Solar energy production system |
| US20110068279A1 (en) * | 2009-08-11 | 2011-03-24 | Fay Jr Theodore Denis | Ultra dark field microscope |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4667331A (en) * | 1984-01-20 | 1987-05-19 | At&T Company And At&T Bell Laboratories | Composite cavity laser utilizing an intra-cavity electrooptic waveguide device |
| JPS60180184A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザの波長安定化装置 |
| US4690488A (en) * | 1984-05-03 | 1987-09-01 | Hughes Aircraft Company | Compensation for optical damage of directional-coupler switches |
| EP0216212A3 (de) * | 1985-09-25 | 1989-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Externer optischer Resonator für einen Halbleiterlaser |
| US4831631A (en) * | 1986-09-29 | 1989-05-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Laser transmitter comprising a semiconductor laser and an external resonator |
| EP0262438B1 (de) * | 1986-09-29 | 1992-12-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Lasersender mit einem Halbleiterlaser und einem externen optischen Resonator in Form eines frequenzselektiven Faserrichtkopplers |
-
1989
- 1989-07-24 US US07/383,755 patent/US5023885A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-07 EP EP19890114584 patent/EP0359967A3/de not_active Withdrawn
- 1989-09-13 JP JP1239749A patent/JPH02114691A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7437037B2 (en) | 2006-01-23 | 2008-10-14 | Fujitsu Limited | Optical module having gain member and partial reflection section waveguides formed on a substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5023885A (en) | 1991-06-11 |
| EP0359967A3 (de) | 1991-04-10 |
| EP0359967A2 (de) | 1990-03-28 |
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