WO2009096431A1 - 波長可変光源、光モジュールおよび波長可変光源の製造方法 - Google Patents
波長可変光源、光モジュールおよび波長可変光源の製造方法 Download PDFInfo
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 16
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 16
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 9
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229920005560 fluorosilicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
- H01S5/1032—Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on thermo-optic effects
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
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- G—PHYSICS
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12133—Functions
- G02B2006/12164—Multiplexing; Demultiplexing
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/05—Function characteristic wavelength dependent
- G02F2203/055—Function characteristic wavelength dependent wavelength filtering
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/15—Function characteristic involving resonance effects, e.g. resonantly enhanced interaction
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- G—PHYSICS
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- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/58—Multi-wavelength, e.g. operation of the device at a plurality of wavelengths
- G02F2203/585—Add/drop devices
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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- H01S5/0612—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by temperature
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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Abstract
Description
Wavelength Division Multiplexing)通信の需要が高まっている。
Bragg Reflector)レーザがよく使われてきた。しかしながら、可変波長範囲はDFBレーザで3nm以内、DBRレーザで10nm以内であり、実際にWDM装置に適用するためには不十分である。
11、13、24、25、26、27 方向性結合器
11t、25t、27t、24t、26t、13t スルーポート
12 入出力側導波路
14 反射側導波路
15 PLC基板(基板)
16 高反射膜(光反射部)
17 SOA(光入出力部)
17a 位相制御領域
18 制御部
18a 光パワー加算手段
18b 光可変部制御手段
20 多重リング共振器(多重共振器)
21、22、23 リング共振器(共振器)
21p、22p、23p 受光素子(光検出部)
22h、23h ヒータ(光可変部)
31 複数組み合わせ作成手段
32 第二組み合わせ抽出手段
33 第一組み合わせ作成手段
34 動作終了判定手段
35 再収束判定手段
91、92、93 結合導波路(光減衰部)
91i、92i、93i 入力端
91o、92o、93o 出力端
94 交差導波路
95 ギャップ
96 軸ずれ構造
Claims (11)
- 互いに異なる光路長を有するとともに互いに連結された、スルーポートを備えた複数のリング共振器を含む多重共振器と、前記複数のリング共振器のそれぞれのスルーポートを経て出力される光パワーを検出する複数の光検出部と、前記複数の共振器のそれぞれ独立に作用して前記多重共振器の透過率を変化させる複数の光可変部と、前記多重共振器へ光を供給するとともに当該多重共振器から戻って来た光を外部へ出射する光入出力部と、前記光検出部で検出された前記光パワーに基づいて前記複数の光可変部を制御する制御部とを備えた波長可変光源において、
前記スルーポートと前記光検出部との間に、前記スルーポートから出射された光を減衰させて前記光検出部に入射させる光減衰部を有することを特徴とする波長可変光源。 - 前記制御部は、前記複数の光検出部受光素子で検出された前記光パワーの和を求める光パワー加算手段と、この光パワー加算手段で求めた前記光パワーの和が最小となるように前記複数の光可変部を制御する光可変部制御手段とを有することを特徴とする波長可変光源。
- 前記光減衰部は、前記光検出部を構成する各々の受光素子で検出された前記光パワーが概略等しくなるように、前記スルーポートから出射された光を減衰させて前記各々の受光素子に入射させることを特徴とする、請求項1に記載の波長可変光源。
- 前記光減衰部が、結合導波路、交差導波路、ギャップ手段、軸ずれ手段のうちいずれか1つ以上を含むことを特徴とする、請求項3に記載の波長可変光源。
- 前記光減衰部が、前記スルーポートから出射された光を複数の出力系統に分岐する結合導波路によって構成され、前記複数の出力系統のうち1系統の光が前記光検出部に入射され、前記光検出部に入射されない系統の光を外部に逃がすことを特徴とする、請求項3に記載の波長可変光源。
- 前記光可変部制御手段は、
前記複数の光可変部に対する各制御入力の値同士の第一の組み合わせについて、少なくとも一つの制御入力の値を変えた複数の組み合わせを作成する複数組み合わせ作成手段と、
これらの複数の組み合わせおよび前記第一の組み合わせに従って前記複数の光可変部を制御して、前記複数の受光素子で検出された前記光パワーの和が最小になる組み合わせを第二の組み合わせとする第二組み合わせ抽出手段と、
この第二の組み合わせの各制御入力の値に前記第一の組み合わせの各制御入力の値を近づけて、これを新たな前記第一の組み合わせとして前記複数組み合わせ作成手段へ出力する第一組み合わせ作成手段とを備えたことを特徴とする請求項3に記載の波長可変光源。 - 前記複数の光可変部は、前記複数のリング共振器に設けられたそれぞれのヒータであり、
前記複数組み合わせ作成手段は、前記複数のヒータに対する各投入電力の値同士の第一の組み合わせについて、少なくとも一つの投入電力の値を変えた複数の組み合わせを作成する機能を有し、
前記第二組み合わせ抽出手段は、これらの複数の組み合わせおよび前記第一の組み合わせに従って前記複数のヒータを制御して、前記複数の受光素子で検出された前記光パワーの和が最小になる組み合わせを第二の組み合わせとする機能を有し、
前記第一組み合わせ作成手段は、この第二の組み合わせの各投入電力の値に前記第一の組み合わせの各投入電力の値を近づけて、これを新たな前記第一の組み合わせとして前記複数組み合わせ作成手段へ出力する機能を有することを特徴とする請求項6に記載の波長可変光源。 - 波長可変光源と、前記波長可変光源を収納したケースと、前記波長か辺光源から出射された光を前記ケース外部に導く光導通部とを有し、
前記波長可変光源は、
互いに異なる光路長を有するとともに互いに連結され、スルーポートを備えた複数のリング共振器を含む多重共振器と、
前記複数のリング共振器のそれぞれのスルーポートを経て出力される光パワーを検出する複数の光検出部と、
前記複数のリング共振器のそれぞれ独立に作用して前記多重共振器の透過率を変化させる複数の光可変部と、
前記多重共振器へ光を供給するとともに当該多重共振器から戻って来た光を外部へ出射する光入出力部と、
前記光検出部で検出された前記光パワーに基づいて前記複数の光可変部を制御する制御部と、
前記スルーポートと前記光検出部との間に、前記スルーポートから出射された光を減衰させて前記光検出部に入射させる光減衰部を有することを特徴とする光モジュール。 - 互いに異なる光路長を有するとともに互いに連結された複数のリング共振器を含む多重共振器と、前記複数の共振器のそれぞれのスルーポートを経て出力される光パワーを各スルーポートで検出する複数の受光素子と、前記複数の共振器の少なくとも二つに独立に作用して前記多重共振器の透過率を変化させる複数の光可変部と、前記多重共振器へ光を供給するとともに当該多重共振器から戻って来た光を外部へ出射する光入出力部と備え、前記複数の受光素子で検出された前記光パワーの和が最小となるように前記複数の光可変部を制御する波長可変光源の制御方法であって、
前記スルーポートから出射された光を減衰させて前記複数の受光素子に入射させることを特徴とする波長可変光源の制御方法。 - 前記各受光素子で検出された前記光パワーを概略等しくなるように前記光を減衰させることを特徴とする、請求項9に記載の波長可変光源の制御方法。
- 前記スルーポートから出射された光を複数の出力系統に分岐し、
前記複数の出力系統のうち1系統の光を前記受光素子に入射させ、前記受光素子に入射されない系統の光を前記波長可変光源の外部に逃がすことを特徴とする、請求項10に記載の波長可変光源の制御方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009801035170A CN101953038A (zh) | 2008-02-01 | 2009-01-28 | 可变波长光源、光学模块和可变波长光源的制造方法 |
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JP2009551542A JP5333236B2 (ja) | 2008-02-01 | 2009-01-28 | 波長可変光源、光モジュールおよび波長可変光源の制御方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008022811 | 2008-02-01 | ||
JP2008-022811 | 2008-02-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2009096431A1 true WO2009096431A1 (ja) | 2009-08-06 |
Family
ID=40912783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2009/051371 WO2009096431A1 (ja) | 2008-02-01 | 2009-01-28 | 波長可変光源、光モジュールおよび波長可変光源の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8249405B2 (ja) |
JP (1) | JP5333236B2 (ja) |
CN (1) | CN101953038A (ja) |
WO (1) | WO2009096431A1 (ja) |
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- 2009-01-28 JP JP2009551542A patent/JP5333236B2/ja active Active
- 2009-01-28 WO PCT/JP2009/051371 patent/WO2009096431A1/ja active Application Filing
- 2009-01-28 US US12/811,868 patent/US8249405B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPWO2009096431A1 (ja) | 2011-05-26 |
CN101953038A (zh) | 2011-01-19 |
US20100284649A1 (en) | 2010-11-11 |
JP5333236B2 (ja) | 2013-11-06 |
US8249405B2 (en) | 2012-08-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 200980103517.0 Country of ref document: CN |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 09706097 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2009551542 Country of ref document: JP Ref document number: 12811868 Country of ref document: US |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 09706097 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |