JP7176435B2 - インダクタ部品 - Google Patents

Description

本開示は、インダクタ部品に関するものである。

従来、電子部品は、種々の電子機器に搭載されている。その電子部品の１つとして、例えば積層型のインダクタ部品が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１３－１５３００９号公報

ところで、携帯電話などの電子機器で使用される信号の高周波化に伴い、電子機器には高周波信号に対応した小型インダクタ部品が要求されている。単純にインダクタ部品を小型化すると、配線断面積が減少し、コイル内径も小さくなるため、取得可能なインダクタンス値（Ｌ値）やＱ値の最大値は低下する。このため、高周波信号に用いられる小型のインダクタ部品において、単位体積当たりのＬ値やＱ値等の特性の取得効率を向上する方法が今後重要となってくる。

具体的には、例えば、特許文献１のようなインダクタ部品の構造のまま、インダクタンス値を増加しようとすると、コイル導体層の層数を多くする必要がある。この場合、積層方向に積層体が大きくなり、インダクタ部品の外形が大きくなり、小型化を実現できなくなる。また、特許文献１のようなインダクタ部品において、同じ外形でインダクタンス値を増加させるためにコイル導体層当たりのターン数を１ターン以上にすると、各コイル導体層において平行となる２つの配線により発生する磁束が互いに干渉してＱ値が低下してしまう。

本開示の目的は、特性の取得効率が向上したインダクタ部品を提供することにある。

本開示の一態様であるインダクタ部品は、第１の側面を有する直方体状の素体と、前記素体内において、前記第１の側面と平行な主面において１ターンを超えて巻回された渦巻状のコイル導体層と、を備え、前記コイル導体層は、前記コイル導体層の内側から前記コイル導体層の外側に向かう第１方向において隣り合う２つの配線部分の配線間隔が、前記コイル導体層の内側から前記コイル導体層の外側に向かい前記第１方向と異なる第２方向において隣り合う２つの配線部分の配線間隔と異なる。

隣り合う２つの配線部分では、それぞれに流れる電流によって発生する磁束が互いに打ち消し合う。上記の構成によれば、隣り合う２つの配線部分の配線間隔が異なることによって、互いの磁束の打ち消し合いが低減される部分を有するため、特性の取得効率が向上する。なお、上記における「配線間隔」は、隣り合う２つの配線部分の間の最短距離を示す。

本開示の一態様によれば、特性の取得効率が向上したインダクタ部品を提供できる。

インダクタ部品の概略斜視図。 インダクタ部品の概略透視斜視図。 インダクタ部品の概略透視側面図。 コイル導体層及び外部電極層を示す絶縁体層の平面図。 インダクタ部品の分解斜視図。 コイル導体層及び外部電極層を示す絶縁体層の平面図。 （ａ），（ｂ）は、コイル導体層の一部拡大図。 配線間隔Ｓ２とＬ値の関係を示す説明図。 曲率半径の差Ｒ４－Ｒ２とＱ値の関係を示す説明図。 配線間隔Ｓ２とＱ値の関係を示す説明図。 配線間隔の比Ｓ２／Ｓ１とＱ値の関係を示す説明図。 （ａ）（ｂ）は変更例のインダクタのコイル導体層を示す説明図。

以下、一実施形態を説明する。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。

図１は、インダクタ部品１の外観を示す概略斜視図である。インダクタ部品１は、素体１０を備えている。素体１０は、インダクタ部品１の各部材を配置する基体であり、概略で直方体状である。なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。また、「直方体状」は、主面及び側面の一部又は全部に凹凸などが形成された形状であってもよく、対向する面が完全に平行となっておらず、多少の傾きがある形状であってもよい。

素体１０は、実装面１１を有している。この実装面１１は、インダクタ部品１を回路基板に実装する際に、回路基板と対向する面である。素体１０は、実装面１１と平行な上面１２を有している。また、素体１０は、実装面１１に対して直交する二対の面を有している。この二対の面のうちの一方の一対の面を第１の側面１３及び第２の側面１４とし、二対の面のうちの他方の一対の面を第１の端面１５及び第２の端面１６とする。なお、第１の端面１５及び第２の端面１６は、第１の側面１３及び第２の側面１４と直交する。

本明細書において、上面１２及び実装面１１と垂直な方向を「高さ方向」、第１の側面１３と第２の側面１４と垂直な方向を「幅方向」、第１の端面１５と第２の端面１６と垂直な方向を「長さ方向」とする。具体的な例示として、「長さ方向Ｌ」、「高さ方向Ｔ」、「幅方向Ｗ」を図１に図示する。そして、「幅方向」の大きさを「幅寸法」、「高さ方向」の大きさを「高さ寸法」、「長さ方向」の大きさを「長さ寸法」とする。なお、以下ではインダクタ部品１の高さ方向における実装面１１側を下側、上面１２側を上側とする。

図２に示す素体１０において、長さ方向Ｌの大きさ（長さ寸法Ｌ１）は、０ｍｍよりも大きく、１．０ｍｍ以下が好ましい。例えば、長さ寸法Ｌ１は、０．６ｍｍである。また、素体１０において、幅方向Ｗの大きさ（幅寸法Ｗ１）は、０ｍｍよりも大きく、０．６ｍｍ以下であることが好ましい。幅寸法Ｗ１は、０．３６ｍｍ以下であることが好ましく、０．３３ｍｍ以下であることがより好ましい。例えば、素体１０の幅寸法Ｗ１は、０．３ｍｍである。また、素体１０において、高さ方向Ｔの大きさ（高さ寸法Ｔ１）は、０ｍｍよりも大きく、０．８ｍｍ以下であることが好ましい。例えば、素体１０の高さ寸法Ｔ１は、０．４ｍｍである。

インダクタ部品１は、素体１０の表面に露出する第１外部電極２０と第２外部電極３０とを有している。第１外部電極２０は、素体１０の実装面１１において露出している。また、第１外部電極２０は、素体１０の第１の端面１５において露出している。第２外部電極３０は、素体１０の実装面１１において露出している。また、第２外部電極３０は、素体１０の第２の端面１６において露出している。つまり、実装面１１には、第１外部電極２０と第２外部電極３０とが露出している。言い換えると、素体１０において第１外部電極２０と第２外部電極３０とが露出する面が実装面１１である。

第１外部電極２０は、第１の端面１５において、素体１０の実装面１１から、素体１０の高さの略１／２の長さに形成されている。第１外部電極２０は、幅方向Ｗにおいて、素体１０の略中央に形成され、第１外部電極２０の幅寸法は、素体１０の幅寸法より小さく、例えば０．２４ｍｍである。なお、第１外部電極２０は、例えば実装面１１において、第１の端面１５から０．１５ｍｍの長さに形成されている。第２外部電極３０は、第２の端面１６において、素体１０の実装面１１から、素体１０の高さの略１／２の長さに形成されている。本実施形態において、第２外部電極３０は、幅方向Ｗにおいて、素体１０の略中央に形成され、第２外部電極３０の幅寸法は、素体１０の幅寸法より小さく、例えば０．２４ｍｍである。なお、第２外部電極３０は、例えば実装面１１において、第２の端面１６から０．１５ｍｍの長さに形成されている。また、第１外部電極２０及び第２外部電極３０の幅寸法は、素体１０の幅寸法と等しくてもよい。

図２、図３及び図４は、インダクタ部品１の内部構造を含む各部の構成を説明するための図である。インダクタ部品１は、素体１０内に設けられたコイル４０を有している。図２及び図３では、素体１０内に位置するコイル４０と、後述する第１外部電極２０及び第２外部電極３０の下地層２１，３１とを実線にて示すとともに、素体１０を二点鎖線にて示している。また、図２では、素体１０外に位置する後述の第１外部電極２０及び第２外部電極３０の被覆層２２，３２を省略することにより、素体１０の内部を判り易くしている。

図５に示すように、素体１０は、第１の側面１３と平行な長方形状の主面を有する板状の複数の絶縁体層６０を含み、複数の絶縁体層６０が第１の側面１３と垂直な幅方向Ｗに積層されて構成された直方体状である。従って、幅方向Ｗは、絶縁体層６０の積層方向である。また、幅方向Ｗと垂直な長さ方向Ｌ及び高さ方向Ｔはそれぞれ、積層方向と垂直な層内方向の一つである。個々の絶縁体層には、それぞれを区別する符号「６１，６２，６３ａ～６３ｈ，６４，６５」を付している。以下の説明において、複数の絶縁体層を区別しない場合には符号「６０」を用い、個々を区別する場合には符号「６１，６２，６３ａ～６３ｈ，６４，６５」を用いる。

なお、絶縁体層６０の主面は、導体層形成、積層、焼成、硬化などの製造プロセスによって、第１の側面１３とは完全に平行とはならず、多少の傾きを有する場合や、面内に凹凸を含む場合がある。このような場合も、絶縁体層６０の主面は、第１の側面１３と実質的に平行とする。また、焼成や硬化等の製造プロセスによって、絶縁体層６０同士の界面が明確となっていない場合がある。

絶縁体層６０の材料としては、例えば、比透磁率が「２」以下の材料が好ましく、例えば、硼珪酸ガラスなどのガラス、アルミナ、ジルコニア、ポリイミド樹脂等の非磁性材料を用いることができる。なお、絶縁体層６０の材料は、比透磁率が「１」に近いことがより好ましい。ただし、インダクタ部品１の使用態様によって、絶縁体層６０は磁性体材料からなってもよく、フェライトや磁性粉含有樹脂などを材料に用いてもよい。

絶縁体層６１，６５の色は、他の絶縁体層６２，６３ａ～６３ｈ，６４の色と異なる。図１では、これらの絶縁体層６１，６５をハッチング及び実線にて他の絶縁体層と区別して示している。これにより、インダクタ部品１の実装時に、インダクタ部品１の横転等の検出が可能となる。なお、絶縁体層６１，６５の色は、他の絶縁体層６２，６３ａ～６３ｈ，６４の色と同じであってもよく、長さ寸法Ｌ１、幅寸法Ｗ１、高さ寸法Ｔ１がそれぞれ異なる値となっていれば、上記のように色が同じであっても横転等の検出が可能となる。

第１外部電極２０及び第２外部電極３０は、インダクタ部品１内のコイル４０に対する電気信号の入出力端子であり、インダクタ部品１を回路基板に実装する際の回路配線との接続部分となる。

図３に示すように、本実施形態の第１外部電極２０は、下地層２１と被覆層２２とを含む。下地層２１は、素体１０に埋め込まれている。下地層２１は、幅方向Ｗから視てＬ字状に形成されている。また、本実施形態の第２外部電極３０は、下地層３１と被覆層３２とを含む。下地層３１は、素体１０に埋め込まれている。下地層３１は、幅方向Ｗから視てＬ字状に形成されている。

第１外部電極２０，第２外部電極３０は、素体１０の表面のうち、幅方向Ｗと平行な面のみから露出しているため、コイル４０の周囲を幅方向Ｗに通過する磁束が、第１外部電極２０，第２外部電極３０に遮られない。また、インダクタ部品１を回路基板に実装した場合に、上記磁束は回路基板の主面と平行となり、回路基板の回路配線に遮られ難くなる。従って、インダクタ部品１のＱ値を向上できる。

被覆層２２，３２の材料としては、耐はんだ性やはんだ濡れ性の高い材料を用いることができる。例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）等の金属、又はこれらの金属を含む合金などを用いることができる。また、被覆層は、複数の層により形成することもできる。例えば、被覆層２２，３２は、第１外部電極２０と第２外部電極３０とを被覆するＮｉめっきと、Ｎｉめっきの表面を覆うＳｎめっきとを含む。この被覆層２２，３２は、第１外部電極２０及び第２外部電極３０の表面の酸化を防ぐ。この被覆層２２，３２は、素体１０から突出していてもよく、また素体１０の各面と同一面を形成していてもよい。

図２に示すように、下地層２１は、絶縁体層６３ａ～６３ｈのそれぞれの角に設けられ、幅方向Ｗに並ぶ複数の外部導体層２３を含む。複数の外部導体層２３は、幅方向Ｗにおいて互いに直接接続され、１つの下地層２１を形成する。同様に、下地層３１は、幅方向Ｗに設けられた複数の外部導体層３３を含む。複数の外部導体層３３は、幅方向Ｗにおいて互いに直接接続され、１つの下地層３１を形成する。なお、外部導体層２３，３３は、図２に示すように、幅方向に全面で接触する場合に限られず、絶縁体層６３ａ～６３ｈの主面上に形成されて互いに直接接触していなくてもよい。この場合、外部導体層２３，３３の間に位置する絶縁体層６３ｂ～６３ｈを貫通する導体層やビアによって外部導体層２３，３３が幅方向Ｗに電気的に接続されていてもよいし、互いに全く電気的に接続されていなくてもよい。

図３に示すように、コイル４０の第１端は、第１外部電極２０に接続され、コイル４０の第２端は、第２外部電極３０に接続されている。
コイル４０は、第１外部電極２０及び第２外部電極３０を介して入出力される電流により発生する磁束を集中させ、大きなインダクタンスを発生させるコイル部４０ａと、コイル部４０ａの両端をそれぞれ第１外部電極２０，第２外部電極３０に接続する第１引出導体層４０ｂ，第２引出導体層４０ｃとを有している。

図４及び図５に示すように、コイル部４０ａは、素体１０内において、幅方向Ｗに配列された複数のコイル導体層４１～４８と、コイル導体層４１～４８を幅方向Ｗに電気的に接続するビア導体層５１～５７を含む。

図４及び図５に示すように、各コイル導体層４１～４８は、素体１０内において、絶縁体層６３ａ～６３ｈの主面に沿って１ターンを超えて巻回された渦巻状の導体層である。渦巻状とは、平面に沿った螺旋形状（スパイラル）のことであり、立体螺旋（ヘリカル）とは区別される。なお、図４では、絶縁体層６０（６３ａ～６３ｈ）の外形を二点鎖線にて示している。

図４に示すように、本実施形態のコイル導体層４１～４８は、２つの環状の軌道Ｏ１，Ｏ２に概略沿うように渦巻状（スパイラル状）である。従って、本実施形態のコイル導体層４１～４８のターン数は、１ターン超２ターン以下である。ただし、コイル導体層４１～４８のターン数は、１ターンを超えていればよく、２ターンを超えていてもよい。本実施形態において、環状の軌道Ｏ１，Ｏ２はそれぞれ、長方形状である。また、図４に示すように、コイル導体層４１～４８は、幅方向Ｗから視て、一部が互いに重なり合って２つの環状の軌道Ｏ１，Ｏ２を形成している。なお、「互いに重なる」とは、製造ばらつき等によって、僅かに重ならない場合も含む。なお、コイル部４０ａの形状（軌道Ｏ１，Ｏ２の形状）は、上述の長方形状のほか、多角形状、円形状、楕円形状、又はこれらの複数の図形の組合せ、等であってもよい。また、外周軌道Ｏ１の形状と内周軌道Ｏ２の形状が相違するものであってもよい。

図４及び図５に示すように、各コイル導体層４１～４８は、絶縁体層６３ｂ～６３ｈを幅方向Ｗに貫通するビア導体層５１～５７を介して電気的に直列に接続されている。なお、図４及び図５では、ビア導体層５１～５７を、コイル導体層４１～４８の間の一点鎖線として示している。

各コイル導体層４１～４８、ビア導体層５１～５７、第１引出導体層４０ｂ、及び第２引出導体層４０ｃの材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の電気抵抗の小さい金属や、これらの金属を主成分とする合金等の導電性材料により形成されている。また、各外部導体層２３，３３は、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の電気抵抗の小さい金属や、これらの金属を主成分とする合金等の導電性材料により形成されている。さらに、これら導電性材料中にガラスが分散する構成であってもよい。

図２及び図３に示すように、コイル部４０ａ及び第１，第２引出導体層４０ｂ，４０ｃは、実装面１１の中心から実装面１１と直交する方向に延びる軸線に対して、回転対称（１８０度回転）な構造を有している。このため、第１外部電極２０及び第２外部電極３０と、第１外部電極２０及び第２外部電極３０が接続される基板配線の接続関係を逆にしても、同様の特性が得られる。

コイル導体層について詳述する。
本実施形態において、図４及び図５に示す絶縁体層６３ａ～６３ｈのコイル導体層４１～４８は、同じ技術思想に基づいて形成されたものである。従って、ここでは、１つのコイル導体層、例えば絶縁体層６３ｈのコイル導体層４８について詳述し、他のコイル導体層４１～４７についての図面及び説明を省略する。

図６は、絶縁体層６３ｈの主面上のコイル導体層４８、第２引出導体層４０ｃ、外部導体層２３，３３を示す。
コイル導体層４８は、複数の直線部７１，７２，７３，７４，７５，７６，７７と、各直線部７１，７２，７３，７４，７５，７６，７７の間の湾曲部（角部）８１，８２，８３，８４，８５，８６を有している。直線部７１，７３，７５，７７は、素体１０の長さ方向Ｌに延びている。直線部７２，７４，７６は、素体１０の高さ方向Ｔに延びている。つまり、直線部７１，７３，７５，７７と、直線部７２，７４，７６は、直交する２つの方向（長さ方向Ｌ、高さ方向Ｔ）に延びている。

直線部７１，７２，７３，７４は、外周軌道Ｏ１の一部を形成し、直線部７５，７６，７７は、内周軌道Ｏ２の一部を形成する。ただし、直線部７５の一部は、内周軌道Ｏ２の一部を形成し、直線部７５の端部が、外周軌道Ｏ１の直線部７５と接続されている。つまり、この直線部７５は、内周軌道Ｏ２上の部分と、内周軌道Ｏ２と外周軌道Ｏ１との間の部分とを有している。

本実施形態のコイル導体層４８では、長方形状の外周軌道Ｏ１（直線部７１，７２，７３，７４及び湾曲部８１，８２，８３）を有することによって、外形を大きくできる。また、コイル導体層４８では、長方形状の内周軌道Ｏ２（直線部７５の一部，直線部７６．７７及び湾曲部８５，８６）を有することによって、長さ（配線長）を長くできる。このため、インダクタ部品１のＱ値は大きくなる。

本実施形態において、各湾曲部８１～８６は、接続する直線部と連続するように、湾曲して形成されている。つまり、各湾曲部８１～８６は、コイル導体層４８の内側の辺と、コイル導体層の外側の辺とを有し、それらの辺は円の約４分の１周分の円弧状である。

ここで、コイル導体層４８の内側から外側に向かうある方向について、当該方向にコイル導体層４８の内側から外側に向かう半直線と交差するコイル導体層４８の部分を、当該方向に並ぶ配線部分とする。また、当該方向において並ぶ配線部分のうち，隣り合うものを、当該方向において隣り合う配線部分とする。例えば、図６に示すように、外周軌道Ｏ１の直線部７１と、内周軌道Ｏ２の直線部７５とは、コイル導体層４８の内側から外側に向かう第１方向Ａ１において隣り合う配線部分である。同様に、外周軌道Ｏ１の湾曲部８２と、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６とは、コイル導体層４８の内側から外側に向かい第１方向Ａ１と異なる第２方向Ａ２において隣り合う配線部分である。

本実施形態において、第２方向Ａ２において隣り合う湾曲部８２，８６の配線間隔Ｓ２は、第１方向Ａ１において隣り合う直線部７１，７５の配線間隔Ｓ１よりも大きい。なお、図６に示す湾曲部８１，８５の配線間隔も、直線部７１，７５の配線間隔Ｓ１よりも大きい。つまり、インダクタ部品１は、絶縁体層６３ｈの主面において１ターンを超えて巻回された渦巻状のコイル導体層４８を備える。また、コイル導体層４８は、第１方向Ａ１において隣り合う２つの配線部分である直線部７１，７５の配線間隔Ｓ１が、第２方向Ａ２において隣り合う２つの配線部分である湾曲部８２，８６の配線間隔Ｓ２と異なる。

インダクタ部品１のコイル導体層４８のように１ターンを超えて巻回された渦巻状のコイル導体層においては、外周軌道Ｏ１において発生する磁束と内周軌道Ｏ２において発生する磁束とが打ち消し合うため、１ターン以内で巻回されたコイル導体層と比較して、絶縁体層の主面の面積当たりのＬ値の取得効率が下がり、Ｑ値も低下する。一方、インダクタ部品１では、配線間隔Ｓ１，Ｓ２が異なるため、少なくとも配線間隔が大きい側（湾曲部８２，８６）においては、外周軌道Ｏ１と内周軌道Ｏ２との間における磁束の打ち消し合いを低減できる。これにより、例えば、インダクタ部品１では、大きさに対するＬ値の取得効率を向上できる。

なお、隣り合う配線部分は、直線部７１，７５や湾曲部８２，８６のように、外周軌道Ｏ１の配線部分と内周軌道の配線部分との形状が互いに同じ場合に限らない。例えば、外周軌道Ｏ１の配線部分が直線状であり、内周軌道Ｏ２の配線部分が湾曲状であってもよい。

（製造方法）
次に、上述のインダクタ部品１の製造方法について、図５を参照して説明する。
先ず、絶縁体層６１となるべきマザー絶縁体層を形成する。マザー絶縁体層とは、複数の絶縁体層６１が繋がった状態でマトリクス状に配列された大判の絶縁体層である。例えばキャリアフィルム上に硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストを塗布し、絶縁体層６１となるべきマザー絶縁体層が形成される。本実施形態では、焼成後の比透磁率が「２」以下となる絶縁ペーストを用いた。なお、絶縁体層６１に用いられる絶縁ペーストには、絶縁体層６２，６３ａ～６３ｈ，６４に用いられる絶縁ペーストと異なる着色が施されている。

次に、絶縁体層６２となるべきマザー絶縁体層を形成する。絶縁体層６１となるべきマザー絶縁体層上に絶縁ペーストを塗布し、絶縁体層６２となるべきマザー絶縁体層を形成する。

次に、絶縁体層６３ａとなるべきマザー絶縁体層を形成する。絶縁体層６２となるべきマザー絶縁体層上に絶縁ペーストを塗布し、絶縁体層６３ａとなるべきマザー絶縁体層を形成する。

次に、コイル導体層４１、及び外部導体層２３，３３を形成する。例えば、絶縁体層６３ａとなるべきマザー絶縁体層上にＡｇを金属主成分とする導電ペーストを塗布して、導電ペースト層を形成する。この際、コイル導体層４１、及び外部導体層２３，３３に対応する部分が開口されたスクリーン版を用いて導電性ペーストを印刷すてパターニングしてもよいし、感光性の導電ペーストをフォトリソグラフィでパターニングしてもよい。これにより、焼成前のコイル導体層４１、及び外部導体層２３，３３が、絶縁体層６３ａとなるべきマザー絶縁体層上に形成される。

次に、絶縁体層６３ｂとなるべきマザー絶縁体層を形成する。絶縁体層６３ａとなるべきマザー絶縁体層上に絶縁ペーストを塗布した後に、ビア導体層５１、及び外部導体層２３，３３が形成される位置をレーザ加工やフォトリソグラフィなどで除去する。これにより、コイル導体層４１のビアパッドに対応する位置に貫通孔を有するとともに、外部導体層２３，３３に対応する角部が切り欠かれた絶縁体層６３ｂとなるべきマザー絶縁体層が形成される。

次に、コイル導体層４２、ビア導体層５１、及び外部導体層２３，３３を形成する。上述のコイル導体層４１と同様に、導電ペーストを塗布して、導電ペースト層を絶縁体層６３ｂとなるべきマザー絶縁体層上に形成する。このとき、導電ペーストは、上述の貫通孔及び切り欠き部分に充填される。これにより、焼成前のコイル導体層４２、ビア導体層５１、及び外部導体層２３，３３が、絶縁体層６３ｂとなるべきマザー絶縁体層上に形成される。

この後、マザー絶縁体層を形成する工程と、導電ペースト層を形成する工程と、を交互に繰り返すことにより、絶縁体層６３ｃ～６３ｈとなるべきマザー絶縁体層、焼成前のコイル導体層４２～４８、外部導体層２３，３３、及びビア導体層５２～５７を形成する。

次に、絶縁体層６４となるマザー絶縁体層を、上述の絶縁体層６２となるマザー絶縁体層と同様にして、絶縁体層６３ｈとなるべきマザー絶縁体層上に形成する。そして、絶縁体層６５となるマザー絶縁体層を、上述の絶縁体層６１となるマザー絶縁体層と同様にして、絶縁体層６４となるべきマザー絶縁体層上に形成する。

以上の工程を経て、マトリクス状に配列されるとともに互いにつながった状態の複数の素体１０を含むマザー積層体を得る。
次に、ダイシング等によりマザー積層体をカットして未焼成の素体１０を得る。カット工程では、カットにより形成されるカット面において外部導体層２３，３３が素体１０から露出する。なお、後述する焼成において素体１０が収縮するので、収縮を考慮してマザー積層体をカットする。

次に、未焼成の素体１０を所定条件で焼成し、素体１０を得る。更に、素体１０に対してバレル加工を施す。バレル加工後に、外部導体層２３，３３を被覆する被覆層２２を形成する。例えば、被覆層２２は、電解めっき法や無電解めっき法により形成することができる。

以上の工程を経て、インダクタ部品１が完成する。
なお、上記の製造方法は例示であって、インダクタ部品１の構造が実現できるのであれば、他の公知の製造方法で置き換えたり、追加したりしてもよい。例えば、焼成を行わず、絶縁体層を硬化性樹脂、コイル導体層等をめっき等で形成してもよい。

（作用）
次に、上記のインダクタ部品１の作用を説明する。
図４及び図５に示すように、コイル導体層４１～４８は、外周軌道Ｏ１と内周軌道Ｏ２にかけた渦巻状である。

図６に示すように、インダクタ部品１は、第１の側面１３を有する直方体状の素体１０と、素体１０内において、第１の側面１３と直交する方向に配列され、第１の側面１３と平行な主面において１ターンを超えて巻回された渦巻状の複数のコイル導体層４１～４８とを備えている。各コイル導体層４１～４８の内側から外側に向かう方向（例えば第１方向Ａ１）において隣り合う２つの配線部分（例えば直線部７１，７５）の配線間隔（例えば、配線間隔Ｓ１）は、コイル導体層４１～４８の内側から外側に向かう方向（例えば第２方向Ａ２）において隣り合う２つの配線部分（湾曲部８２，８６）の配線間隔（例えば配線間隔Ｓ２）と異なる。これによって、上述したように、インダクタ部品１では、Ｌ値の取得効率を向上できる。

また、インダクタ部品１においては、以下のような構成を備えることが好ましい。
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、コイル導体層４８の一部を拡大して示す。
図７（ａ）は、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の曲率半径Ｒ４が、外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２より大きい例を示す。図７（ｂ）は、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の曲率半径Ｒ４が、外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２と同じ（湾曲部８２，８６が同じ形状）である例を示す。

図７（ａ）に示す例と図７（ｂ）に示す例のいずれにおいても、湾曲部８２，８６の配線間隔Ｓ２は、直線部７２，７６の配線間隔Ｓ１よりも大きく、上述したＬ値の取得効率の向上を実現できる。

一方、図７（ｂ）では、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の形状を、外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の形状と同じとすることにより、内周軌道Ｏ２の内側の領域を大きくでき、内周軌道Ｏ２の周長を大きくできる。

このように、内周軌道Ｏ２の周長を大きくすることにより、一般的にはインダクタ部品１のＱ値の向上効果が期待できる。しかしながら、本願発明者は、コイル導体層４８のような１ターンを超えて巻回された渦巻状のコイル導体層においては、内周軌道Ｏ２の周長を大きくすることにより、併走する配線部分の割合が増加し、隣り合う配線部分で磁束の打ち消し合いが発生することに思い至った。これにより、内周軌道Ｏ２の周長を大きくすることによるインダクタ部品１のＱ値の向上効果が期待するよりも低減することが考えられる。

そこで、図７（ａ）に示すように、インダクタ部品１では、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の曲率半径Ｒ４が、外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２より大きいことが好ましい。内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の曲率半径Ｒ４と外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２との差に応じて、直線部７２，７６の長さが短くなる。このため、外周軌道Ｏ１と内周軌道Ｏ２とにおいて、互いに平行となる配線部分が短くなり、隣り合う配線部分の間における磁束の打ち消し合いを低減できる。

上述したように、隣り合う配線部分の間における磁束の打ち消し合いを低減する観点では、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の曲率半径Ｒ４と外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２との差が大きい方が好ましい。しかしながら、湾曲部８６の曲率半径Ｒ４と外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２との差を大きくすると、内周軌道Ｏ２の内側の領域が小さくなり、Ｑ値が低下する。本願発明者は、インダクタ部品１を以下のように実施例として作成することにより、湾曲部８６の曲率半径Ｒ４と外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２との関係による特性の変化を確認した。

［実施例］
表１には、実施例１～６について、各部の寸法と、配線間隔Ｓ１に対する配線間隔Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１，曲率半径差Ｒ４－Ｒ２を示している。なお、各部の寸法の説明には、図７（ａ）に示す部材（湾曲部８２，８６等）を用いる。

（実施例１）
実施例１のインダクタ部品は、コイル導体層の配線幅Ｌｗ（μｍ）＝１８．９、配線間隔Ｓ１（μｍ）＝２２．０、曲率半径Ｒ１（μｍ）＝２７．３、曲率半径Ｒ２（μｍ）＝８．４、曲率半径Ｒ３（μｍ）＝２７．３、曲率半径Ｒ４（μｍ）＝８．４、配線間隔Ｓ２（μｍ）＝３８．９とした。このインダクタ部品において、配線間隔Ｓ１に対する配線間隔Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１は１．８、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の曲率半径Ｒ４と外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２との差Ｒ４－Ｒ２は０．０である。

（実施例２）
本実施例２のインダクタ部品は、コイル導体層の配線幅Ｌｗ（μｍ）＝１８．９、配線間隔Ｓ１（μｍ）＝２２．０、曲率半径Ｒ１（μｍ）＝２７．３、曲率半径Ｒ２（μｍ）＝８．４、曲率半径Ｒ３（μｍ）＝３８．９、曲率半径Ｒ４（μｍ）＝２０．０、配線間隔Ｓ２（μｍ）＝４３．７とした。このインダクタ部品において、配線間隔Ｓ１に対する配線間隔Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１は２．０、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の曲率半径Ｒ４と外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２との差Ｒ４－Ｒ２は１１．６である。

（実施例３）
本実施例３のインダクタ部品は、コイル導体層の配線幅Ｌｗ（μｍ）＝１８．９、配線間隔Ｓ１（μｍ）＝２２．０、曲率半径Ｒ１（μｍ）＝２７．３、曲率半径Ｒ２（μｍ）＝８．４、曲率半径Ｒ３（μｍ）＝５８．９、曲率半径Ｒ４（μｍ）＝４０．０、配線間隔Ｓ２（μｍ）＝５２．０とした。このインダクタ部品において、配線間隔Ｓ１に対する配線間隔Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１は２．４、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の曲率半径Ｒ４と外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２との差Ｒ４－Ｒ２は３１．６である。

（実施例４）
本実施例４のインダクタ部品は、コイル導体層の配線幅Ｌｗ（μｍ）＝１８．９、配線間隔Ｓ１（μｍ）＝２２．０、曲率半径Ｒ１（μｍ）＝２７．３、曲率半径Ｒ２（μｍ）＝８．４、曲率半径Ｒ３（μｍ）＝７８．９、曲率半径Ｒ４（μｍ）＝６０．０、配線間隔Ｓ２（μｍ）＝６０．３とした。このインダクタ部品において、配線間隔Ｓ１に対する配線間隔Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１は２．７、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の曲率半径Ｒ４と外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２との差Ｒ４－Ｒ２は５１．６である。

（実施例５）
本実施例５のインダクタ部品は、コイル導体層の配線幅Ｌｗ（μｍ）＝１８．９、配線間隔Ｓ１（μｍ）＝２２．０、曲率半径Ｒ１（μｍ）＝２７．３、曲率半径Ｒ２（μｍ）＝８．４、曲率半径Ｒ３（μｍ）＝９８．９、曲率半径Ｒ４（μｍ）＝８０．０、配線間隔Ｓ２（μｍ）＝６６．８とした。このインダクタにおいて、配線間隔Ｓ１に対する配線間隔Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１は３．１、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の曲率半径Ｒ４と外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２との差Ｒ４－Ｒ２は７１．６である。

（実施例６）
本実施例６のインダクタ部品は、コイル導体層の配線幅Ｌｗ（μｍ）＝１８．９、配線間隔Ｓ１（μｍ）＝２２．０、曲率半径Ｒ１（μｍ）＝２７．３、曲率半径Ｒ２（μｍ）＝８．４、曲率半径Ｒ３（μｍ）＝１１８．９、曲率半径Ｒ４（μｍ）＝１００．０、配線間隔Ｓ２（μｍ）＝７６．９とした。このインダクタ部品において、配線間隔Ｓ１に対する配線間隔Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１は３．５、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の曲率半径Ｒ４と外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２との差Ｒ４－Ｒ２は９１．６である。

（コイル導体層の寸法とインダクタ部品の特性との関係）
上述の実施例１～６について、上記の寸法のコイル導体層を含むインダクタ部品を作成し、個々のインダクタ部品について、周波数が周波数５００ＭＨｚの入力信号に対するＬ値とＱ値とを測定した。

図８中の点Ｐ１～Ｐ６は、それぞれ実施例１～６のインダクタ部品について測定したＬ値を示す。なお、図８の横軸は、湾曲部８２，８６の配線間隔Ｓ２、縦軸はＬ値である。
図８に示されるように、一定の配線間隔Ｓ１（２２．０っｍ）に対して、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６と外周軌道Ｏ１の湾曲部８２との配線間隔Ｓ２を大きくするにつれて、最初はＬ値が増加するが、ある配線間隔（Ｓ２≒４０．０μｍ）を超えると、今度はＬ値が低下することが判る。このように、Ｌ値に関しては、初期はコイル導体層４８の内側領域が小さくなる影響に比べて磁束の打ち消し合いを低減する効果が高いが、ある配線間隔を超えるとコイル導体層４８の内側領域が小さくなる影響が、磁束の打ち消し合いを低減する効果を上回ることが分かる。

図９中の点Ｐ１～Ｐ６は、実施例１～６のインダクタ部品について測定したＱ値を示す。なお、図９の横軸は、内周軌道Ｏ２の湾曲部８６の曲率半径Ｒ４と外周軌道Ｏ１の湾曲部８２の曲率半径Ｒ２との差Ｒ４－Ｒ２、縦軸はＱ値である。

図９に示されるように、曲率半径の差Ｒ４－Ｒ２が、０より大きく、６０μｍ以下の範囲において、実施例１のインダクタ部品のＱ値以上の値が得られる。
図１０中の点Ｐ１～Ｐ６は、実施例１～６のインダクタ部品について測定したＱ値を示す。なお、図１０の横軸は、湾曲部８２，８６の配線間隔Ｓ２、縦軸はＱ値である。配線間隔Ｓ２が配線間隔Ｓ１より大きいことにより、インダクタ部品のＱ値を向上が、Ｑ値の観点からは配線間隔Ｓ２は、２２μｍ以上、８２μｍ以下であることが好ましい。

図１１中の点Ｐ１～Ｐ６は、それぞれ上述の実施例１～６のインダクタ部品について測定したＱ値を示す。なお、図１１の横軸は、直線部７２，７６の配線間隔Ｓ１に対する湾曲部８２，８６の配線間隔Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１、縦軸はＱ値である。比Ｓ２／Ｓ１が大きくなると、インダクタ部品のＱ値が向上できるが、Ｑ値の観点からは、比Ｓ２／Ｓ１は１以上、３．７以下であることが好ましい。

以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）インダクタ部品１は、第１の側面１３を有する直方体状の素体１０と、素体１０内において、第１の側面１３と平行な主面において１ターンを超えて巻回された渦巻状のコイル導体層４１～４８とを有している。コイル導体層４１～４８の内側から外側に向かう第１方向Ａ１において隣り合う２つの配線部分（直線部７１，７５）の配線間隔Ｓ１は、コイル導体層４８の内側から外側に向かう第２方向Ａ２において隣り合う２つの配線部分（湾曲部８２，８６）の配線間隔Ｓ２と異なる。

隣り合う２つの配線部分では、それぞれに流れる電流によって発生する磁束が互いに打ち消し合う。上記の構成によれば、隣り合う２つの配線部分の配線間隔が異なることによって、互いの磁束の打ち消し合いが低減された部分を有するため、特性の取得効率が向上する。

（２）コイル導体層４１～４８のターン数は、１ターン超２ターン未満である。環状の軌道Ｏ１，Ｏ２はそれぞれ、長方形状である。長方形状の外周軌道Ｏ１及び内周軌道Ｏ２を形成する直線部７１～７７は、コイル部４０ａの外形を大きくでき、コイル部４０ａの長さ（周長）を長くできる。そして、コイル部４０ａの内側を大きくできる。このため、インダクタ部品１のＱ値を向上できる。

（変更例）
尚、上記実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態における軌道Ｏ１，Ｏ２の形状は適宜変更することができる。

図１２（ａ）に示すように、外周軌道Ｏ１と内周軌道Ｏ２とを長円形状（円弧形状と直線形状とが合成された形状）としてもよい。また、図１２（ｂ）に示すように、外周軌道Ｏ１を楕円形状とするとともに内周軌道Ｏ２を円形状としてもよい。なお、外周軌道Ｏ１と内周軌道Ｏ２との形状は、長方形状、多角形状、長円形状、楕円形状、又はこれらの複数の図形の組合せ、等であってもよい。また、外周軌道Ｏ１の形状と内周軌道Ｏ２の形状が相違するものであってもよい。例えば、外周軌道Ｏ１は、外部導体層に沿って屈曲する形状であってもよく、内周軌道Ｏ２は、円形状、楕円形状であってもよい。

・上記実施形態に対し、コイル導体層のターン数は、１ターンを超えていればよく、３ターン、４ターンなど２ターンを超える数に適宜変更してもよい。また、１つのインダクタ部品において、ターン数が異なるコイル導体層を含んでいてもよい。

・上記実施形態において、絶縁体層、コイル導体層、外部導体層の層数を適宜変更してもよい。
・上記実施形態において、第１外部電極２０の下地層２１と第２外部電極３０の下地層３１とを素体１０に埋め込みとしたが、素体１０の外部に設けるようにしてもよい。

１０…素体、２０…第１外部電極、３０…第２外部電極、４０…コイル、４０ａ…コイル部、４０ｂ…第１引出導体層、４０ｃ…第２引出導体層、４１～４８…コイル導体層、６０，６１，６２，６３ａ～６３ｈ，６４，６５…絶縁体層、７１～７７…直線部（配線部分．第１直線部，第２直線部）、８１～８６…湾曲部（配線部分，第１角部，第２角部）、Ａ１，Ａ２…直線、Ｏ１…外周軌道（第１軌道）、Ｏ２…内周軌道（第２軌道）。

Claims (5)

1. 第１の側面を有する直方体状の素体と、
   前記素体内において、前記第１の側面と平行な主面において１ターンを超えて巻回された渦巻状のコイル導体層と、
   を備え、
   前記コイル導体層は、前記コイル導体層の内側から前記コイル導体層の外側に向かう第１方向において隣り合う２つの配線部分の配線間隔が、前記コイル導体層の内側から前記コイル導体層の外側に向かい前記第１方向と異なる第２方向において隣り合う２つの配線部分の配線間隔と異なり、
   前記第２方向において隣り合う２つの配線部分の一方が円弧状の湾曲部であり、２つの前記配線部分の他方が屈曲する形状である、
   インダクタ部品。
2. 第１の側面を有する直方体状の素体と、
   前記素体内において、前記第１の側面と平行な主面において１ターンを超えて巻回された渦巻状のコイル導体層と、
   を備え、
   前記コイル導体層は、前記コイル導体層の内側から前記コイル導体層の外側に向かう第１方向において隣り合う２つの配線部分の配線間隔が、前記コイル導体層の内側から前記コイル導体層の外側に向かい前記第１方向と異なる第２方向において隣り合う２つの配線部分の配線間隔と異なり、
   前記第２方向において隣り合う２つの配線部分の少なくとも一方が円弧状の湾曲部であり、
   前記コイル導体層は、前記第１の側面に直交する方向から視て、環状の第１軌道に沿った配線部分と、前記第１軌道より内側の環状の第２軌道に沿った配線部分とを含み、
   前記第１軌道に沿った配線部分は、２つ以上の第１直線部と前記第１直線部同士を接続する第１角部とを含み、
   前記第２軌道に沿った配線部分は、前記第１直線部と平行な２つ以上の第２直線部と前記第２直線部同士を接続する第２角部とを含み、
   前記第１直線部と前記第２直線部の第１配線間隔Ｓ１に対する、前記第１角部と前記第２角部の第２配線間隔Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１は、１．８以上、３．１以下である、
   インダクタ部品。
3. 前記第２配線間隔は、２２μｍ以上、８２μｍ以下である、請求項２に記載のインダクタ部品。
4. 第１の側面を有する直方体状の素体と、
   前記素体内において、前記第１の側面と平行な主面において１ターンを超えて巻回された渦巻状のコイル導体層と、
   を備え、
   前記コイル導体層は、前記コイル導体層の内側から前記コイル導体層の外側に向かう第１方向において隣り合う２つの配線部分の配線間隔が、前記コイル導体層の内側から前記コイル導体層の外側に向かい前記第１方向と異なる第２方向において隣り合う２つの配線部分の配線間隔と異なり、
   前記第２方向において隣り合う２つの配線部分はともに円弧状の湾曲部であり、内側の前記湾曲部の曲率半径Ｒ４は、外側の前記湾曲部の曲率半径Ｒ２より大きい、
   インダクタ部品。
5. 内側の前記湾曲部の曲率半径Ｒ４と、外側の前記湾曲部の曲率半径Ｒ２との差は、６０μｍ以下である、請求項４に記載のインダクタ部品。

Images