JP2003158015A - インダクタ部品およびそのインダクタンス値調整方法 - Google Patents
インダクタ部品およびそのインダクタンス値調整方法Info
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- H—ELECTRICITY
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｑ特性の劣化が少なくかつ小型のインダクタ
部品およびそのインダクタンス値調整方法を提供する。 【解決手段】 矩形状の絶縁性基板１１の上には、渦巻
き状のコイルパターン１２がフォトリソグラフィ法にて
形成されている。コイルパターン１２は、基板１１の右
側短辺の近傍に短辺に対して平行に配設されているパタ
ーン部分１２ｃ，１２ｄの電極幅Ｗ１が、他のパターン
部分の電極幅Ｗ０と比較して太く設定されている。パタ
ーン部分１２ｃと１２ｄの電極間隔Ｇ１も、他のパター
ン部分の電極間隔Ｇ０と比較して広く設定されている。
インダクタ部品２１のインダクタンスを所望のインダク
タンス値に近づけるために下げなければならない場合に
は、図５（Ｂ）に示すように、コイルパターン１２のパ
ターン部分１２ｃ，１２ｄの電極幅をコイルパターン１
２の内側に太くしてＷ２（＞Ｗ１）に設定し、インダク
タンス値を調整する。
部品およびそのインダクタンス値調整方法を提供する。 【解決手段】 矩形状の絶縁性基板１１の上には、渦巻
き状のコイルパターン１２がフォトリソグラフィ法にて
形成されている。コイルパターン１２は、基板１１の右
側短辺の近傍に短辺に対して平行に配設されているパタ
ーン部分１２ｃ，１２ｄの電極幅Ｗ１が、他のパターン
部分の電極幅Ｗ０と比較して太く設定されている。パタ
ーン部分１２ｃと１２ｄの電極間隔Ｇ１も、他のパター
ン部分の電極間隔Ｇ０と比較して広く設定されている。
インダクタ部品２１のインダクタンスを所望のインダク
タンス値に近づけるために下げなければならない場合に
は、図５（Ｂ）に示すように、コイルパターン１２のパ
ターン部分１２ｃ，１２ｄの電極幅をコイルパターン１
２の内側に太くしてＷ２（＞Ｗ１）に設定し、インダク
タンス値を調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はインダクタ部品、特
に高周波回路などに使用されるインダクタ部品およびそ
のインダクタンス値調整方法に関する。
に高周波回路などに使用されるインダクタ部品およびそ
のインダクタンス値調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話端末機などの移動体通信機器の
小型化に伴って、これら移動体通信機器内で使用される
電子部品に対する小型化の要求が強い。ところで、従来
の積層型インダクタ部品のインダクタンス値調整は、数
層あるコイルパターンのうち一層以上のコイルパターン
の全ての部分のパターン幅を一様に太くしたり、細くし
たりして行なっていた。
小型化に伴って、これら移動体通信機器内で使用される
電子部品に対する小型化の要求が強い。ところで、従来
の積層型インダクタ部品のインダクタンス値調整は、数
層あるコイルパターンのうち一層以上のコイルパターン
の全ての部分のパターン幅を一様に太くしたり、細くし
たりして行なっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、積層型インダ
クタ部品の小型化がさらに進み、パターン幅が微細にな
ると、図８の（Ａ）に示すように、同一層上に数ターン
の渦巻きコイルパターン１が形成されることが多くな
る。このような場合、インダクタンス値調整のため、コ
イルパターン１のパターン幅をパターンの中心を基準に
して太くすると、同一層上のコイルパターン１のサイズ
が大きくなり、インダクタ部品の小型化の障害となる。
クタ部品の小型化がさらに進み、パターン幅が微細にな
ると、図８の（Ａ）に示すように、同一層上に数ターン
の渦巻きコイルパターン１が形成されることが多くな
る。このような場合、インダクタンス値調整のため、コ
イルパターン１のパターン幅をパターンの中心を基準に
して太くすると、同一層上のコイルパターン１のサイズ
が大きくなり、インダクタ部品の小型化の障害となる。
【０００４】そこで、同一層上のコイルパターン１のサ
イズが大きくなるのを防止するため、コイルパターン１
の内側に向かってパターン幅を太くすると、図８の
（Ｂ）に示すように、内径の狭いコイルパターン２とな
る。このようなコイルパターン２を有したインダクタ部
品は、Ｑ特性が悪かった。
イズが大きくなるのを防止するため、コイルパターン１
の内側に向かってパターン幅を太くすると、図８の
（Ｂ）に示すように、内径の狭いコイルパターン２とな
る。このようなコイルパターン２を有したインダクタ部
品は、Ｑ特性が悪かった。
【０００５】また、内径の狭い短辺方向において、コイ
ルパターンの一部として形成される層間接続用ビアパッ
ド１ａ（図８の（Ａ）参照）を形成する領域を確保する
ことが困難であった。
ルパターンの一部として形成される層間接続用ビアパッ
ド１ａ（図８の（Ａ）参照）を形成する領域を確保する
ことが困難であった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、Ｑ特性の劣化が
少なくかつ小型のインダクタ部品およびそのインダクタ
ンス値調整方法を提供することにある。
少なくかつ小型のインダクタ部品およびそのインダクタ
ンス値調整方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】以上の目的を
達成するため、本発明に係るインダクタ部品は、矩形状
の絶縁性基板と、フォトリソグラフィ法にて設けられ、
絶縁性基板上を周回する少なくとも一つのコイルパター
ンとを備え、コイルパターンにおいて、絶縁性基板の二
つの短辺のうち少なくとも一つの短辺の近傍に短辺方向
に対して略平行に配設されているパターン部分の電極幅
や電極間隔を、残りのパターン部分、例えば絶縁性基板
の長辺近傍に長辺方向に対して略平行に配設されている
パターン部分の電極幅や電極間隔より太くしたり、広く
したりしている。
達成するため、本発明に係るインダクタ部品は、矩形状
の絶縁性基板と、フォトリソグラフィ法にて設けられ、
絶縁性基板上を周回する少なくとも一つのコイルパター
ンとを備え、コイルパターンにおいて、絶縁性基板の二
つの短辺のうち少なくとも一つの短辺の近傍に短辺方向
に対して略平行に配設されているパターン部分の電極幅
や電極間隔を、残りのパターン部分、例えば絶縁性基板
の長辺近傍に長辺方向に対して略平行に配設されている
パターン部分の電極幅や電極間隔より太くしたり、広く
したりしている。
【０００８】また、本発明に係るインダクタ部品のイン
ダクタンス値調整方法は、矩形状の絶縁性基板と、フォ
トリソグラフィ法にて設けられ、絶縁性基板上を周回す
る少なくとも一つのコイルパターンとを備えたインダク
タ部品のインダクタンス値調整方法であって、コイルパ
ターンにおいて、絶縁性基板の少なくとも一つの短辺の
近傍に短辺方向に対して略平行に配設されているパター
ン部分の電極幅や電極間隔の寸法を増加もしくは減少さ
せることにより、インダクタンス値を調整している。あ
るいは、前記コイルパターンのうち少なくとも一つのコ
イルパターンにおいて、絶縁性基板の少なくとも一つの
長辺の近傍に該長辺方向に対して略平行に配設されてい
るパターン部分の電極幅や電極間隔の寸法を減少させる
ことにより、インダクタンス値を上げている。
ダクタンス値調整方法は、矩形状の絶縁性基板と、フォ
トリソグラフィ法にて設けられ、絶縁性基板上を周回す
る少なくとも一つのコイルパターンとを備えたインダク
タ部品のインダクタンス値調整方法であって、コイルパ
ターンにおいて、絶縁性基板の少なくとも一つの短辺の
近傍に短辺方向に対して略平行に配設されているパター
ン部分の電極幅や電極間隔の寸法を増加もしくは減少さ
せることにより、インダクタンス値を調整している。あ
るいは、前記コイルパターンのうち少なくとも一つのコ
イルパターンにおいて、絶縁性基板の少なくとも一つの
長辺の近傍に該長辺方向に対して略平行に配設されてい
るパターン部分の電極幅や電極間隔の寸法を減少させる
ことにより、インダクタンス値を上げている。
【０００９】ここに、「絶縁性基板上を周回する」と
は、絶縁性基板の上面に形成されたものだけでなく、絶
縁層等を介して絶縁性基板の上部に形成されたコイルパ
ターンも含む。
は、絶縁性基板の上面に形成されたものだけでなく、絶
縁層等を介して絶縁性基板の上部に形成されたコイルパ
ターンも含む。
【００１０】以上の構成により、限られた部品サイズ内
でのインダクタンス値の微調整が可能となるとともに、
Ｑ特性劣化を最小限に抑えることができる。
でのインダクタンス値の微調整が可能となるとともに、
Ｑ特性劣化を最小限に抑えることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るインダクタ部
品およびそのインダクタンス値調整方法の実施の形態に
ついて、添付の図面を参照して説明する。
品およびそのインダクタンス値調整方法の実施の形態に
ついて、添付の図面を参照して説明する。
【００１２】本発明に係るインダクタ部品のコイルパタ
ーンはフォトリソグラフィ法を用いて形成される。すな
わち、図１に示すように、矩形状の絶縁性基板１１の上
面を平滑な面になるように研磨した後、スパッタリング
や蒸着などの薄膜形成法、あるいは、スクリーン印刷な
どの厚膜形成法を用いて、絶縁性基板１１の上面全面に
導体材料膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ法を
用いて、渦巻き状のコイルパターン１２を絶縁性基板１
１の上面に形成する。コイルパターン１２の電極厚みは
８〜１２μｍ程度である。なお、絶縁性基板の上面に絶
縁性材料を形成した後、その上面にコイルパターンを形
成してもよい。
ーンはフォトリソグラフィ法を用いて形成される。すな
わち、図１に示すように、矩形状の絶縁性基板１１の上
面を平滑な面になるように研磨した後、スパッタリング
や蒸着などの薄膜形成法、あるいは、スクリーン印刷な
どの厚膜形成法を用いて、絶縁性基板１１の上面全面に
導体材料膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ法を
用いて、渦巻き状のコイルパターン１２を絶縁性基板１
１の上面に形成する。コイルパターン１２の電極厚みは
８〜１２μｍ程度である。なお、絶縁性基板の上面に絶
縁性材料を形成した後、その上面にコイルパターンを形
成してもよい。
【００１３】フォトリソグラフィ法は、例えば以下に説
明する方法である。絶縁性基板１１の上面に形成された
導体材料膜の上面全体に、フォトレジスト膜（例えば感
光性樹脂膜等）をスピンコート又は印刷により形成す
る。次に、フォトレジスト膜の上面に、所定の画像パタ
ーンが形成されたマスクフィルムを被せ、紫外線等を照
射する等の方法により、フォトレジスト膜の所望の部分
を硬化させる。次に、硬化した部分を残してフォトレジ
スト膜を剥がした後、露出した部分の導体材料膜をエッ
チングで除去し、所望のコイルパターン１２を形成す
る。この後、硬化したフォトレジスト膜を除去する。そ
して、このような、いわゆるフォトリソグラフィ技術を
用いた方法において、ウエットエッチング法、ドライエ
ッチング法、リフトオフ法、アディティブ法、セミアデ
ィティブ法等の周知の工法が適宜採用される。
明する方法である。絶縁性基板１１の上面に形成された
導体材料膜の上面全体に、フォトレジスト膜（例えば感
光性樹脂膜等）をスピンコート又は印刷により形成す
る。次に、フォトレジスト膜の上面に、所定の画像パタ
ーンが形成されたマスクフィルムを被せ、紫外線等を照
射する等の方法により、フォトレジスト膜の所望の部分
を硬化させる。次に、硬化した部分を残してフォトレジ
スト膜を剥がした後、露出した部分の導体材料膜をエッ
チングで除去し、所望のコイルパターン１２を形成す
る。この後、硬化したフォトレジスト膜を除去する。そ
して、このような、いわゆるフォトリソグラフィ技術を
用いた方法において、ウエットエッチング法、ドライエ
ッチング法、リフトオフ法、アディティブ法、セミアデ
ィティブ法等の周知の工法が適宜採用される。
【００１４】さらに、別のフォトリソグラフィ法とし
て、絶縁性基板１１の上面に感光性導体材料ペーストを
塗布して導体材料膜を形成し、その後、所定の画像パタ
ーンが形成されたマスクフィルムを被せて露光し、現像
する方法でもよい。特に、感光性導体材料ペーストを用
いると、導体材料膜の膜厚が厚い状態で微細加工が可能
となり、本発明の実施においては低損失が確保できる。
また、路線間の間隔を狭くすることができる。
て、絶縁性基板１１の上面に感光性導体材料ペーストを
塗布して導体材料膜を形成し、その後、所定の画像パタ
ーンが形成されたマスクフィルムを被せて露光し、現像
する方法でもよい。特に、感光性導体材料ペーストを用
いると、導体材料膜の膜厚が厚い状態で微細加工が可能
となり、本発明の実施においては低損失が確保できる。
また、路線間の間隔を狭くすることができる。
【００１５】渦巻状コイルパターン１２は、その一方の
層間接続用ビアパッド１２ａが渦巻パターンの内側に位
置し、他方の端部１２ｂが渦巻パターンの外側に位置し
て絶縁性基板１１の左辺に露出している。絶縁性基板１
１の材料としては、ガラス、ガラスセラミックス、アル
ミナ、フェライト、Ｓｉ、ＳｉＯ2等が用いられる。コ
イルパターン１２の材料としては、例えばＣｕ，Ａｕ，
Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄなどの導体材料ペーストや感光性導体
材料ペ−ストなどが使用される。
層間接続用ビアパッド１２ａが渦巻パターンの内側に位
置し、他方の端部１２ｂが渦巻パターンの外側に位置し
て絶縁性基板１１の左辺に露出している。絶縁性基板１
１の材料としては、ガラス、ガラスセラミックス、アル
ミナ、フェライト、Ｓｉ、ＳｉＯ2等が用いられる。コ
イルパターン１２の材料としては、例えばＣｕ，Ａｕ，
Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄなどの導体材料ペーストや感光性導体
材料ペ−ストなどが使用される。
【００１６】次に、図２に示すように、開口部１５ａを
有した絶縁体層１５が形成される。すなわち、液状の絶
縁性材料を絶縁性基板１１の上面の全面にスピンコート
又は印刷等により塗布、乾燥及び焼成して絶縁体層１５
を形成する。絶縁性材料には、例えば感光性ポリイミド
樹脂や感光性ガラスペースト等が使用される。通常のポ
リイミド樹脂やガラスペーストを使用すると、所望のパ
ターンに加工するためには、レジスト層を形成し、該レ
ジスト層を加工する必要がある。しかし、感光性ポリイ
ミド樹脂や感光性ガラスペーストを使用すると、直接、
全面塗布された感光性材料を加工できるため、レジスト
塗布およびレジスト剥離の工程を省くことができ、効率
良い加工工程となる。
有した絶縁体層１５が形成される。すなわち、液状の絶
縁性材料を絶縁性基板１１の上面の全面にスピンコート
又は印刷等により塗布、乾燥及び焼成して絶縁体層１５
を形成する。絶縁性材料には、例えば感光性ポリイミド
樹脂や感光性ガラスペースト等が使用される。通常のポ
リイミド樹脂やガラスペーストを使用すると、所望のパ
ターンに加工するためには、レジスト層を形成し、該レ
ジスト層を加工する必要がある。しかし、感光性ポリイ
ミド樹脂や感光性ガラスペーストを使用すると、直接、
全面塗布された感光性材料を加工できるため、レジスト
塗布およびレジスト剥離の工程を省くことができ、効率
良い加工工程となる。
【００１７】次に、絶縁体層１５の上面に所定の画像パ
ターンが形成されたマスクフィルムを被せ、紫外線等を
照射する等の方法により、絶縁体層１５の所望の部分を
硬化させる。次に、絶縁体層１５の未硬化部分を除去
し、開口部１５ａを形成する。開口部１５ａには、渦巻
形状のコイルパターン１２の層間接続用ビアパッド１２
ａが露出している。
ターンが形成されたマスクフィルムを被せ、紫外線等を
照射する等の方法により、絶縁体層１５の所望の部分を
硬化させる。次に、絶縁体層１５の未硬化部分を除去
し、開口部１５ａを形成する。開口部１５ａには、渦巻
形状のコイルパターン１２の層間接続用ビアパッド１２
ａが露出している。
【００１８】次に、図３に示すように、導体材料からな
る渦巻き状のコイルパターン１６が、コイルパターン１
２等を形成した場合と同様の方法、すなわちフォトリソ
グラフィ法により形成される。絶縁体層１５の開口部１
５ａには導体材料が充填され、ビアホール１８とされ
る。なお、最上層のコイルパターン１６は、必ずしも渦
巻き状のコイルパターンである必要はなく、ビアパッド
１２ａの位置から絶縁性基板１１の右辺まで直線状に引
き出されたものであってもよい。
る渦巻き状のコイルパターン１６が、コイルパターン１
２等を形成した場合と同様の方法、すなわちフォトリソ
グラフィ法により形成される。絶縁体層１５の開口部１
５ａには導体材料が充填され、ビアホール１８とされ
る。なお、最上層のコイルパターン１６は、必ずしも渦
巻き状のコイルパターンである必要はなく、ビアパッド
１２ａの位置から絶縁性基板１１の右辺まで直線状に引
き出されたものであってもよい。
【００１９】コイルパターン１６の一方の端部１６ａ
は、ビアホール１８を介してコイルパターン１２の層間
接続用ビアパッド１２ａに電気的に接続している。コイ
ルパターン１６の他方の端部１６ｂは、絶縁性基板１１
の右辺に露出している。コイルパターン１２と１６は同
じターン数でなくてもよく、また、内径が同じでなくて
もよい。
は、ビアホール１８を介してコイルパターン１２の層間
接続用ビアパッド１２ａに電気的に接続している。コイ
ルパターン１６の他方の端部１６ｂは、絶縁性基板１１
の右辺に露出している。コイルパターン１２と１６は同
じターン数でなくてもよく、また、内径が同じでなくて
もよい。
【００２０】次に、図４に示すように、液状の絶縁性材
料を絶縁性基板１１の上面側全面にスピンコート又は印
刷等により塗布、乾燥および焼成して、コイルパターン
１６を被覆した絶縁体層１５とする。
料を絶縁性基板１１の上面側全面にスピンコート又は印
刷等により塗布、乾燥および焼成して、コイルパターン
１６を被覆した絶縁体層１５とする。
【００２１】次に、絶縁性基板１１の左右の側面部に、
それぞれ入出力外部電極１９，２０を設ける。入力外部
電極１９はコイルパターン１２の端部１２ｂに電気的に
接続し、出力外部電極２０はコイルパターン１６の端部
１６ｂに電気的に接続している。外部電極１９，２０
は、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ，Ｎ
ｉ等の導電性ペーストを塗布、焼き付けた上に湿式電解
めっきによりＮｉ，Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂなどの金属膜が形
成されたり、また、スパッタリング、蒸着、印刷、フォ
トリソグラフィ法などによって形成される。
それぞれ入出力外部電極１９，２０を設ける。入力外部
電極１９はコイルパターン１２の端部１２ｂに電気的に
接続し、出力外部電極２０はコイルパターン１６の端部
１６ｂに電気的に接続している。外部電極１９，２０
は、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ，Ｎ
ｉ等の導電性ペーストを塗布、焼き付けた上に湿式電解
めっきによりＮｉ，Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂなどの金属膜が形
成されたり、また、スパッタリング、蒸着、印刷、フォ
トリソグラフィ法などによって形成される。
【００２２】次に、このインダクタ部品２１のインダク
タンス値調整方法について説明する。図５の（Ａ）に示
すように、矩形状の絶縁性基板１１（本実施形態では、
長辺の長さ：短辺の長さ＝２：１であり、具体的数値例
としては、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ、あるいは、１．０
ｍｍ×０．５ｍｍ）の上には、コイルパターン１２がフ
ォトリソグラフィ法にて形成されている。コイルパター
ン１２（例えば、電極幅は１５〜３０μｍの範囲、電極
間隔は１５〜２５μｍの範囲）は、基板１１の右側短辺
の近傍に短辺に対して平行に配設されているパターン部
分１２ｃ，１２ｄの電極幅Ｗ１が、他のパターン部分の
電極幅Ｗ０と比較して太く設定されている。本実施形態
では、電極幅Ｗ１が例えば２５μｍ、電極幅Ｗ０が例え
ば１５μｍである。また、パターン部分１２ｃと１２ｄ
の電極間隔Ｇ１も、他のパターン部分の電極間隔Ｇ０と
比較して広く設定されている。コイルパターン１６も同
様に設計されている。本実施形態では、電極間隔Ｇ１が
例えば２５μｍ、電極間隔Ｇ０が例えば１５μｍであ
る。
タンス値調整方法について説明する。図５の（Ａ）に示
すように、矩形状の絶縁性基板１１（本実施形態では、
長辺の長さ：短辺の長さ＝２：１であり、具体的数値例
としては、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ、あるいは、１．０
ｍｍ×０．５ｍｍ）の上には、コイルパターン１２がフ
ォトリソグラフィ法にて形成されている。コイルパター
ン１２（例えば、電極幅は１５〜３０μｍの範囲、電極
間隔は１５〜２５μｍの範囲）は、基板１１の右側短辺
の近傍に短辺に対して平行に配設されているパターン部
分１２ｃ，１２ｄの電極幅Ｗ１が、他のパターン部分の
電極幅Ｗ０と比較して太く設定されている。本実施形態
では、電極幅Ｗ１が例えば２５μｍ、電極幅Ｗ０が例え
ば１５μｍである。また、パターン部分１２ｃと１２ｄ
の電極間隔Ｇ１も、他のパターン部分の電極間隔Ｇ０と
比較して広く設定されている。コイルパターン１６も同
様に設計されている。本実施形態では、電極間隔Ｇ１が
例えば２５μｍ、電極間隔Ｇ０が例えば１５μｍであ
る。
【００２３】そして、このインダクタ部品２１のインダ
クタンスを所望のインダクタンス値に近づけるために下
げなければならない場合には、図５の（Ｂ）に示すよう
に、コイルパターン１２のパターン部分１２ｃ，１２ｄ
の電極幅をコイルパターン１２の内側に太くしてＷ２
（＞Ｗ１）に設定し、インダクタンス値を調整する。た
だし、電極間隔Ｇ１は変えない。電極幅Ｗ２は、他のパ
ターン部分の電極幅Ｗ０の１．５〜２．５倍にすること
が好ましい。１．５倍より小さいと、インダクタンスが
僅かしか変化せず、インダクタンス値の実効ある調整が
できないからである。一方、２．５倍を越えると、長辺
の長さ：短辺の長さ＝２：１のサイズ比を有する絶縁性
基板１１では、コイルパターン１２の長辺方向の内径が
短辺方向の内径より狭くなり、コイルパターン１２の内
径に余裕をもたせる本発明の効果が得られなくなるから
である。
クタンスを所望のインダクタンス値に近づけるために下
げなければならない場合には、図５の（Ｂ）に示すよう
に、コイルパターン１２のパターン部分１２ｃ，１２ｄ
の電極幅をコイルパターン１２の内側に太くしてＷ２
（＞Ｗ１）に設定し、インダクタンス値を調整する。た
だし、電極間隔Ｇ１は変えない。電極幅Ｗ２は、他のパ
ターン部分の電極幅Ｗ０の１．５〜２．５倍にすること
が好ましい。１．５倍より小さいと、インダクタンスが
僅かしか変化せず、インダクタンス値の実効ある調整が
できないからである。一方、２．５倍を越えると、長辺
の長さ：短辺の長さ＝２：１のサイズ比を有する絶縁性
基板１１では、コイルパターン１２の長辺方向の内径が
短辺方向の内径より狭くなり、コイルパターン１２の内
径に余裕をもたせる本発明の効果が得られなくなるから
である。
【００２４】また、インダクタ部品２１のインダクタン
スを下げなければならない場合には、図５の（Ｃ）に示
すように、コイルパターン１２のパターン部分１２ｃ，
１２ｄの電極間隔をコイルパターン１２の内側に広くし
てＧ２（＞Ｇ１）に設定し、インダクタンス値を調整し
てもよい。ただし、電極幅Ｗ１は変えない。電極間隔Ｇ
２は、他のパターン部分の電極間隔Ｇ０の１．５〜２．
５倍にすることが好ましい。
スを下げなければならない場合には、図５の（Ｃ）に示
すように、コイルパターン１２のパターン部分１２ｃ，
１２ｄの電極間隔をコイルパターン１２の内側に広くし
てＧ２（＞Ｇ１）に設定し、インダクタンス値を調整し
てもよい。ただし、電極幅Ｗ１は変えない。電極間隔Ｇ
２は、他のパターン部分の電極間隔Ｇ０の１．５〜２．
５倍にすることが好ましい。
【００２５】なお、図５の（Ｂ），（Ｃ）では、基板１
１の右側短辺の近傍に平行して配設されているパターン
部分１２ｃ，１２ｄの電極幅や電極間隔のみを変更して
いるが、これらの変更だけではインダクタンス値調整が
十分できない場合には、基板１１の左側短辺の近傍に短
辺に対して平行に配設されているパターン部分１２ｅ，
１２ｆの電極幅や電極間隔も太くしたり、広くしたりし
て調整する。これでもまだインダクタンス値調整が十分
でない場合には、コイルパターン１６の同様のパターン
部分の電極幅や電極間隔を太くしたり、広くしたりして
さらに調整する。
１の右側短辺の近傍に平行して配設されているパターン
部分１２ｃ，１２ｄの電極幅や電極間隔のみを変更して
いるが、これらの変更だけではインダクタンス値調整が
十分できない場合には、基板１１の左側短辺の近傍に短
辺に対して平行に配設されているパターン部分１２ｅ，
１２ｆの電極幅や電極間隔も太くしたり、広くしたりし
て調整する。これでもまだインダクタンス値調整が十分
でない場合には、コイルパターン１６の同様のパターン
部分の電極幅や電極間隔を太くしたり、広くしたりして
さらに調整する。
【００２６】このように、コイルパターン１２におい
て、基板１１の短辺の近傍に短辺に対して平行に配設さ
れているパターン部分１２ｃ〜１２ｆのみの電極幅や電
極間隔をコイルパターン１２の内側に太くしたり、広く
したりしているため、限られた部品サイズ内でのインダ
クタンス値の微調整が可能である。すなわち、層間接続
用ビアパッド１２ａ，１６ａを形成する領域を確保しな
がらインダクタンス値を調整することができる。また、
コイルパターン１２の内径も、スペースの狭い短辺方向
の内径は、インダクタンス値調整の前後で変化しないの
で、Ｑ特性劣化を最小限に抑えることができる。さら
に、パターン部分１２ｃ〜１２ｆの電極幅や電極間隔が
太くなったり、広くなったりしているため、コイルパタ
ーン１２の微細加工条件が緩くなり、製造コストを低減
できる。また、コイルパターン１２の左右いずれか一方
の片側のみのパターン部分１２ｃ，１２ｄ又はパターン
部分１２ｅ，１２ｆの電極幅（又は電極間隔）を変えた
場合、インダクタ部品２１の方向性判別が容易になる。
て、基板１１の短辺の近傍に短辺に対して平行に配設さ
れているパターン部分１２ｃ〜１２ｆのみの電極幅や電
極間隔をコイルパターン１２の内側に太くしたり、広く
したりしているため、限られた部品サイズ内でのインダ
クタンス値の微調整が可能である。すなわち、層間接続
用ビアパッド１２ａ，１６ａを形成する領域を確保しな
がらインダクタンス値を調整することができる。また、
コイルパターン１２の内径も、スペースの狭い短辺方向
の内径は、インダクタンス値調整の前後で変化しないの
で、Ｑ特性劣化を最小限に抑えることができる。さら
に、パターン部分１２ｃ〜１２ｆの電極幅や電極間隔が
太くなったり、広くなったりしているため、コイルパタ
ーン１２の微細加工条件が緩くなり、製造コストを低減
できる。また、コイルパターン１２の左右いずれか一方
の片側のみのパターン部分１２ｃ，１２ｄ又はパターン
部分１２ｅ，１２ｆの電極幅（又は電極間隔）を変えた
場合、インダクタ部品２１の方向性判別が容易になる。
【００２７】逆に、インダクタ部品２１のインダクタン
スを上げなければならない場合には、図６の（Ｂ）に示
すように、コイルパターン１２のパターン部分１２ｃ，
１２ｄの電極幅を外側に細くしてＷ３（＜Ｗ１）に設定
し、インダクタンス値を調整する。ただし、電極間隔Ｇ
１は変えない。あるいは、図６の（Ｃ）に示すように、
コイルパターン１２のパターン部分１２ｃ，１２ｄの電
極間隔を狭くしてＧ３（＜Ｇ１）に設定し、インダクタ
ンス値を調整する。ただし、電極幅Ｗ１は変えない。こ
れらだけでは、インダクタンス値調整が十分できない場
合には、基板１１の左側短辺の近傍に短辺に対して平行
に配設されているパターン部分１２ｅ，１２ｆの電極幅
や電極間隔も細くしたり、狭くしたりして調整する。こ
れでもまだインダクタンス値調整が十分でない場合に
は、コイルパターン１６の同様のパターン部分の電極幅
や電極間隔を細くしたり、狭くしたりしてさらに調整す
る。
スを上げなければならない場合には、図６の（Ｂ）に示
すように、コイルパターン１２のパターン部分１２ｃ，
１２ｄの電極幅を外側に細くしてＷ３（＜Ｗ１）に設定
し、インダクタンス値を調整する。ただし、電極間隔Ｇ
１は変えない。あるいは、図６の（Ｃ）に示すように、
コイルパターン１２のパターン部分１２ｃ，１２ｄの電
極間隔を狭くしてＧ３（＜Ｇ１）に設定し、インダクタ
ンス値を調整する。ただし、電極幅Ｗ１は変えない。こ
れらだけでは、インダクタンス値調整が十分できない場
合には、基板１１の左側短辺の近傍に短辺に対して平行
に配設されているパターン部分１２ｅ，１２ｆの電極幅
や電極間隔も細くしたり、狭くしたりして調整する。こ
れでもまだインダクタンス値調整が十分でない場合に
は、コイルパターン１６の同様のパターン部分の電極幅
や電極間隔を細くしたり、狭くしたりしてさらに調整す
る。
【００２８】また、インダクタ部品２１のインダクタン
スを上げなければならない場合には、図７の（Ｂ）に示
すように、基板１１の上側長辺の近傍に長辺に対して平
行に配設されているパターン部分１２ｇ，１２ｈの電極
幅を外側に細くしてＷ４（＜Ｗ０）に設定し、インダク
タンス値を調整してもよい。ただし、電極間隔Ｇ０は変
えない。電極幅Ｗ４は、電極幅Ｗ０の２／５〜２／３倍
にすることが好ましい。
スを上げなければならない場合には、図７の（Ｂ）に示
すように、基板１１の上側長辺の近傍に長辺に対して平
行に配設されているパターン部分１２ｇ，１２ｈの電極
幅を外側に細くしてＷ４（＜Ｗ０）に設定し、インダク
タンス値を調整してもよい。ただし、電極間隔Ｇ０は変
えない。電極幅Ｗ４は、電極幅Ｗ０の２／５〜２／３倍
にすることが好ましい。
【００２９】また、インダクタ部品２１のインダクタン
スを上げなければならない場合には、図７の（Ｃ）に示
すように、コイルパターン１２のパターン部分１２ｇ，
１２ｈの電極間隔を狭くしてＧ４（＜Ｇ０）に設定し、
インダクタンス値を調整してもよい。ただし、電極幅Ｗ
０は変えない。電極間隔Ｇ４は、電極間隔Ｇ０の２／５
〜２／３倍にすることが好ましい。
スを上げなければならない場合には、図７の（Ｃ）に示
すように、コイルパターン１２のパターン部分１２ｇ，
１２ｈの電極間隔を狭くしてＧ４（＜Ｇ０）に設定し、
インダクタンス値を調整してもよい。ただし、電極幅Ｗ
０は変えない。電極間隔Ｇ４は、電極間隔Ｇ０の２／５
〜２／３倍にすることが好ましい。
【００３０】なお、図７の（Ｂ），（Ｃ）では、基板１
１の上側長辺の近傍に平行に配設されているパターン部
分１２ｇ，１２ｈの電極幅や電極間隔のみを変更してい
るが、これらの変更だけではインダクタンス値調整が十
分できない場合には、基板１１の下側長辺の近傍に長辺
に対して平行に配設されているパターン部分１２ｉ，１
２ｊの電極幅や電極間隔も細くしたり、狭くしたりして
調整する。これでもまだインダクタンス値調整が十分で
ない場合には、基板１１の短辺の近傍に配設されている
パターン１２ｃ〜１２ｆの電極幅や電極間隔を細くした
り、狭くしたり、さらには、コイルパターン１６の同様
のパターン部分の電極幅や電極間隔を細くしたり、狭く
したりして調整する。
１の上側長辺の近傍に平行に配設されているパターン部
分１２ｇ，１２ｈの電極幅や電極間隔のみを変更してい
るが、これらの変更だけではインダクタンス値調整が十
分できない場合には、基板１１の下側長辺の近傍に長辺
に対して平行に配設されているパターン部分１２ｉ，１
２ｊの電極幅や電極間隔も細くしたり、狭くしたりして
調整する。これでもまだインダクタンス値調整が十分で
ない場合には、基板１１の短辺の近傍に配設されている
パターン１２ｃ〜１２ｆの電極幅や電極間隔を細くした
り、狭くしたり、さらには、コイルパターン１６の同様
のパターン部分の電極幅や電極間隔を細くしたり、狭く
したりして調整する。
【００３１】このように、コイルパターン１２におい
て、基板１１の長辺の近傍に長辺に対して平行に配設さ
れているパターン部分１２ｈ〜１２ｊの電極幅や電極間
隔をコイルパターン１２の外側に細くしたり、狭くした
りするだけで、インダクタンス値の微調整を容易にする
ことができる。また、コイルパターン１２の内径に関し
て、スペースの広い長辺方向の内径はインダクタンス値
調整の前後で変化せず、スペースの狭い短辺方向の内径
はパターン部分１２ｈ〜１２ｊの電極幅などを狭くする
分だけ広げることができるので、Ｑ特性も劣化しない。
て、基板１１の長辺の近傍に長辺に対して平行に配設さ
れているパターン部分１２ｈ〜１２ｊの電極幅や電極間
隔をコイルパターン１２の外側に細くしたり、狭くした
りするだけで、インダクタンス値の微調整を容易にする
ことができる。また、コイルパターン１２の内径に関し
て、スペースの広い長辺方向の内径はインダクタンス値
調整の前後で変化せず、スペースの狭い短辺方向の内径
はパターン部分１２ｈ〜１２ｊの電極幅などを狭くする
分だけ広げることができるので、Ｑ特性も劣化しない。
【００３２】なお、本発明は前記実施形態に限定される
ものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更すること
ができる。
ものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更すること
ができる。
【００３３】前記実施形態は個産の場合を例にして説明
しているが、量産する場合には、複数のインダクタを備
えたマザー基板（ウエハ）の状態で製造し、最終工程で
ダイシング、スクライブブレイク、レーザ等の工法によ
り製品サイズ毎に切り出す方法が効果的である。
しているが、量産する場合には、複数のインダクタを備
えたマザー基板（ウエハ）の状態で製造し、最終工程で
ダイシング、スクライブブレイク、レーザ等の工法によ
り製品サイズ毎に切り出す方法が効果的である。
【００３４】さらに、インダクタ部品は、回路パターン
が形成されているプリント基板上に直接にコイルパター
ンを形成することによって構成されたものであってもよ
い。また、コイルパターンの形状は任意であって、前記
実施形態の渦巻形状の他に、蛇行形状等であってもよ
い。
が形成されているプリント基板上に直接にコイルパター
ンを形成することによって構成されたものであってもよ
い。また、コイルパターンの形状は任意であって、前記
実施形態の渦巻形状の他に、蛇行形状等であってもよ
い。
【００３５】また、前記実施形態のインダクタ部品は、
コイルパターンが２層のものであるが、必要に応じて１
層にしたり、３層以上にしたりしてもよいことは言うま
でもない。２層以上の多層構造にすると、コイルパター
ンの線路長を長くすることができ、より一層の高インダ
クタンスを得ることができる。
コイルパターンが２層のものであるが、必要に応じて１
層にしたり、３層以上にしたりしてもよいことは言うま
でもない。２層以上の多層構造にすると、コイルパター
ンの線路長を長くすることができ、より一層の高インダ
クタンスを得ることができる。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、限られた部品サイズ内でのインダクタンス値
の微調整が可能となるとともに、Ｑ特性劣化を最小限に
抑えることができる。
によれば、限られた部品サイズ内でのインダクタンス値
の微調整が可能となるとともに、Ｑ特性劣化を最小限に
抑えることができる。
【００３７】また、コイルパターンをフォトリソグラフ
ィ法によって形成しているので、スクリーン印刷法と比
較してパターン厚みやパターン幅をばらつきが少なくか
つ正確に再現することができ、精度の高いインダクタン
ス値調整を行なうことができる。
ィ法によって形成しているので、スクリーン印刷法と比
較してパターン厚みやパターン幅をばらつきが少なくか
つ正確に再現することができ、精度の高いインダクタン
ス値調整を行なうことができる。
【図１】本発明に係るインダクタ部品の一実施形態を示
す斜視図。
す斜視図。
【図２】図１に続く製造手順を示す斜視図。
【図３】図２に続く製造手順を示す斜視図。
【図４】図３に続く製造手順を示す斜視図。
【図５】本発明に係るインダクタンス値調整方法の一例
を説明するための平面図。
を説明するための平面図。
【図６】本発明に係るインダクタンス値調整方法の別の
例を説明するための平面図。
例を説明するための平面図。
【図７】本発明に係るインダクタンス値調整方法のさら
に別の例を説明するための平面図。
に別の例を説明するための平面図。
【図８】従来のインダクタンス値調整方法を説明するた
めの平面図。
めの平面図。
１１…絶縁性基板
１２，１６…コイルパターン
Ｇ０，Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４…電極間隔
Ｗ０，Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…電極幅
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 川口 正彦
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
Ｆターム(参考） 5E070 AA01 AB04 CB03 CB12
Claims (8)
- 【請求項１】 矩形状の絶縁性基板と、 フォトリソグラフィ法にて設けられ、前記絶縁性基板上
を周回する少なくとも一つのコイルパターンとを備え、 前記コイルパターンにおいて、前記絶縁性基板の二つの
短辺のうち少なくとも一つの短辺の近傍に短辺方向に対
して略平行に配設されているパターン部分の電極幅が、
残りのパターン部分の電極幅より太いこと、 を特徴とするインダクタ部品。 - 【請求項２】 矩形状の絶縁性基板と、 フォトリソグラフィ法にて設けられ、前記絶縁性基板上
を周回する少なくとも一つのコイルパターンとを備え、 前記コイルパターンにおいて、前記絶縁性基板の二つの
短辺のうち少なくとも一つの短辺の近傍に短辺方向に対
して略平行に配設されているパターン部分の電極間隔
が、残りのパターン部分の電極間隔より広いこと、 を特徴とするインダクタ部品。 - 【請求項３】 前記コイルパターンが渦巻きパターンで
あることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか
に記載のインダクタ部品。 - 【請求項４】 矩形状の絶縁性基板と、フォトリソグラ
フィ法にて設けられ、前記絶縁性基板上を周回する少な
くとも一つのコイルパターンとを備えたインダクタ部品
のインダクタンス値調整方法であって、 前記コイルパターンにおいて、前記絶縁性基板の少なく
とも一つの短辺の近傍に該短辺方向に対して略平行に配
設されているパターン部分の電極幅の寸法を増加もしく
は減少させることにより、インダクタンス値を調整する
ことを特徴とするインダクタ部品のインダクタンス値調
整方法。 - 【請求項５】 矩形状の絶縁性基板と、フォトリソグラ
フィ法にて設けられ、前記絶縁性基板上を周回する少な
くとも一つのコイルパターンとを備えたインダクタ部品
のインダクタンス値調整方法であって、 前記コイルパターンにおいて、前記絶縁性基板の少なく
とも一つの短辺の近傍に該短辺方向に対して略平行に配
設されているパターン部分の電極間隔の寸法を増加もし
くは減少させることにより、インダクタンス値を調整す
ることを特徴とするインダクタ部品のインダクタンス値
調整方法。 - 【請求項６】 矩形状の絶縁性基板と、フォトリソグラ
フィ法にて設けられ、前記絶縁性基板上を周回する少な
くとも一つのコイルパターンとを備えたインダクタ部品
のインダクタンス値調整方法であって、 前記コイルパターンにおいて、前記絶縁性基板の少なく
とも一つの長辺の近傍に該長辺方向に対して略平行に配
設されているパターン部分の電極幅の寸法を減少させる
ことにより、インダクタンス値を上げることを特徴とす
るインダクタ部品のインダクタンス値調整方法。 - 【請求項７】 矩形状の絶縁性基板と、フォトリソグラ
フィ法にて設けられ、前記絶縁性基板上を周回する少な
くとも一つのコイルパターンとを備えたインダクタ部品
のインダクタンス値調整方法であって、 前記コイルパターンにおいて、前記絶縁性基板の少なく
とも一つの長辺の近傍に該長辺方向に対して略平行に配
設されているパターン部分の電極間隔の寸法を減少させ
ることにより、インダクタンス値を上げることを特徴と
するインダクタ部品のインダクタンス値調整方法。 - 【請求項８】 前記コイルパターンが渦巻きパターンで
あることを特徴とする請求項４〜請求項７のいずれかに
記載のインダクタ部品のインダクタンス値調整方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001359405A JP3755453B2 (ja) | 2001-11-26 | 2001-11-26 | インダクタ部品およびそのインダクタンス値調整方法 |
| KR10-2002-0068844A KR100474032B1 (ko) | 2001-11-26 | 2002-11-07 | 인덕터부품 및 그 인덕턴스값 조정방법 |
| US10/290,404 US6727571B2 (en) | 2001-11-26 | 2002-11-08 | Inductor and method for adjusting the inductance thereof |
| CNB021522561A CN1271648C (zh) | 2001-11-26 | 2002-11-21 | 电感元件及其电感值调整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001359405A JP3755453B2 (ja) | 2001-11-26 | 2001-11-26 | インダクタ部品およびそのインダクタンス値調整方法 |
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|---|---|
| JP2003158015A true JP2003158015A (ja) | 2003-05-30 |
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|---|---|
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