JP2004063698A - 積層インダクタ及びその外部電極端子形成方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】インダクタ部品の設計工数、製造コスト及び管理コストを削減する。
【解決手段】下側帯状導体16とスルーホール18,20が形成された下側絶縁層14、スルーホール24,26が形成された絶縁層22及び上側帯状導体30とスルーホール32,34が形成された上側絶縁層28が積層されることで、積層方向と垂直な軸周りに螺旋形状に巻回されたコイル導体が形成される。最上絶縁層42上には、スルーホール32,34の各々と接続される電極パッド44が形成されており、入力端子及び出力端子に用いる2つの電極パッド44を選択することでインダクタンス値を可変にすることができる。
【選択図】    図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層インダクタ及びその外部電極端子形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の積層インダクタの一例が特開2001−167966号公報に示されている。この従来の積層インダクタにおいては、積層方向と平行な軸周りに螺旋形状に巻回されたコイル導体が積層体内部に形成されており、コイル導体の両端と接続された外部電極端子が、積層及び焼成後のディッピング法により、積層体の側面に設けられている。なお、このようなインダクタ部品が用いられる回路は定数の異なるものが複数用いられることが多く、インダクタンス値固定のインダクタ部品が様々な定数で用意される。部品供給側では、様々な種類のインダクタ部品の設計及び製造を行い、基板実装側では、この様々な種類のインダクタ部品の品種ごとの管理を行っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
この従来の積層インダクタにおいては、インダクタンス値は固定であるため、部品供給側では多種類のインダクタ部品の設計及び製造を行わなければならない。そして、基板実装側でもインダクタンス値の異なる部品ごとに部品の管理をしなければならない。したがって、部品供給側では部品の設計工数及び製造コストが増大してしまい、基板実装側では部品の管理コストが増大してしまうという課題があった。
【0004】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、部品の設計工数、製造コスト及び管理コストを削減することができる積層インダクタ及びその外部電極端子形成方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、第1の本発明に係る積層インダクタは、複数の絶縁層が積層された積層体に、積層方向と垂直な軸周りに螺旋形状に巻回されたコイル導体が形成され、該コイル導体は、上側絶縁層上に形成された上側帯状導体と、上端が上側帯状導体の一端と接続され、下端が下側絶縁層に設けられた第1のスルーホール導体と、下側絶縁層上に形成され、一端が第1のスルーホール導体の下端と接続された下側帯状導体と、下端が下側帯状導体の他端と接続され、上端が別の上側帯状導体の他端と接続された第2のスルーホール導体と、によって形成されるパターンが積層方向と垂直な軸方向に複数回繰り返されて形成された導体を含む積層インダクタであって、上側絶縁層上または下側絶縁層上の導体部と接続された入力端子と、上側絶縁層上または下側絶縁層上の導体部と接続された出力端子と、を有し、入力端子と出力端子の少なくとも一方における上側絶縁層上または下側絶縁層上の導体部との接続位置を変えることで、インダクタンス値が可変であることを特徴とする。
【0006】
第2の本発明に係る積層インダクタは、複数の絶縁層が積層された積層体に、積層方向と垂直な軸周りに螺旋形状に巻回されたコイル導体が形成され、該コイル導体は、上側絶縁層上に形成された上側帯状導体と、上端が上側帯状導体の一端と接続され、下端が下側絶縁層に設けられた第1のスルーホール導体と、下側絶縁層上に形成され、一端が第1のスルーホール導体の下端と接続された下側帯状導体と、下端が下側帯状導体の他端と接続され、上端が別の上側帯状導体の他端と接続された第2のスルーホール導体と、によって形成されるパターンが積層方向と垂直な軸方向に複数回繰り返されて形成された導体を含む積層インダクタであって、積層体の最上積層外面または最下積層外面に形成された3つ以上の外部電極端子と、各外部電極端子ごとに設けられ、一端が外部電極端子と接続され、他端が上側絶縁層上または下側絶縁層上の導体部と接続された端子接続用スルーホール導体と、を有し、端子接続用スルーホール導体の各々は、上側絶縁層上または下側絶縁層上の導体部との接続位置が互いに異なり、入出力端子とする外部電極端子を選択することで、インダクタンス値が可変であることを特徴とする。
【0007】
第3の本発明に係る積層インダクタは、第2の本発明に記載のインダクタであって、外部電極端子の少なくとも1つは積層体の最上積層外面に形成されており、積層体の最上積層外面に形成された外部電極端子は、電極パッドであることを特徴とする。
【0008】
第4の本発明に係る積層インダクタは、第2の本発明に記載のインダクタであって、外部電極端子の少なくとも1つは積層体の最下積層外面に形成されており、積層体の最下積層外面に形成された外部電極端子は、バンプ電極であり、バンプ電極と端子接続用スルーホールとの接続は、電極パッドを介して行われていることを特徴とする。
【0009】
第5の本発明に係る積層インダクタは、第2〜4の本発明のいずれか1に記載のインダクタであって、外部電極端子間の間隔が200μm以下である外部電極端子を有することを特徴とする。
【0010】
第6の本発明に係る積層インダクタの外部電極端子形成方法は、第3または第4の本発明に記載のインダクタの外部電極端子を形成する方法であって、前記電極パッドをスクリーン印刷工法を用いて最上絶縁層上面または最下絶縁層下面に形成する工程を含むことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態(以下実施形態という)を、図面に従って説明する。
【0012】
図1及び図2は、本発明の実施形態に係る積層インダクタの構成を示す図である。図1(A)は斜視図を示し、図1(B)は図1(A)でのA−A断面図を示す。図2は、各層における構成を分けて示した斜視図である。
【0013】
最下絶縁層10及び絶縁層12の上に積層されている下側絶縁層14上には、複数の下側帯状導体16がスクリーン印刷等の工法を用いて形成されている。各下側帯状導体16は、互いに所定間隔をおいて配列されている。各下側帯状導体16の両端にはスルーホール18,20が形成され、導体の印刷と同時に導電ペーストが充填されている。
【0014】
下側絶縁層14の上に積層されている複数の絶縁層22の各々には、スルーホール18,20とそれぞれ接続されるスルーホール24,26が形成され、導体の印刷と同時に導電ペーストが充填されている。図1においては、複数の絶縁層22のうちの最上層のみスルーホール24,26を表示しているが、実際はすべての絶縁層22にスルーホール24,26が形成されており、積層時にすべての絶縁層22のスルーホール24の各々及びスルーホール26の各々がそれぞれ接続される位置に配置されている。そして、スルーホール24の各々及びスルーホール26の各々は、スルーホール18の各々及びスルーホール20の各々と積層時にそれぞれ接続される位置に配置されている。
【0015】
絶縁層22の上に積層されている上側絶縁層28上には、複数の上側帯状導体30がスクリーン印刷等の工法を用いて形成されている。各上側帯状導体30は、互いに所定間隔をおいて配列されている。各上側帯状導体30の両端にはスルーホール32,34が形成され、導体の印刷と同時に導電ペーストが充填されている。スルーホール32の各々及びスルーホール34の各々は、一端の上側帯状導体30と接続された2つのうちの一端側のもの及び他端の上側帯状導体30と接続された2つのうちの他端側のものを除いて、スルーホール24の各々及びスルーホール26の各々と積層時にそれぞれ接続される位置に配置されている。そして、ある1つの下側帯状導体16の一端とスルーホール18,24,32を介して接続されている上側帯状導体30と、ある1つの下側帯状導体16の他端とスルーホール20,26,34を介して接続されている上側帯状導体30とは異なっている。ここで、スルーホール18,24,32によって下端が下側帯状導体16の一端と接続され上端が上側帯状導体30の一端と接続された第1のスルーホール導体が構成され、スルーホール20,26,34によって下端が下側帯状導体16の他端と接続され上端が別の上側帯状導体30の他端と接続された第2のスルーホール導体が構成される。
【0016】
上側絶縁層28の上に積層されている絶縁層36には、スルーホール32,34とそれぞれ接続されるスルーホール38,40が形成され、導体の印刷と同時に導電ペーストが充填されている。スルーホール38の各々及びスルーホール40の各々は、スルーホール32の各々及びスルーホール34の各々と積層時にそれぞれ接続される位置に配置されている。
【0017】
絶縁層36の上に積層されている最上絶縁層42上には、スルーホール38,40とそれぞれ接続される外部電極端子としての電極パッド44がスクリーン印刷等の工法を用いて形成されている。なお、図示はしていないが各電極パッド44の下にはスルーホール38,40と接続するためのスルーホールが形成され、導体の印刷と同時に導電ペーストが充填されている。電極パッド44及びその下のスルーホールの各々は、スルーホール38、40の各々と積層時に接続される位置に配置されている。ここで、スルーホール38,40及び電極パッド44下のスルーホールによって端子接続用スルーホール導体が構成される。
【0018】
上述の構成の絶縁層10,12,14,22,28,36,42が図1に示す順に積層されて加圧及び焼成が行われることで焼結体が得られる。このとき、絶縁層14,22,28が積層されることにより、上側帯状導体30→第1のスルーホール導体→下側帯状導体16→第2のスルーホール導体、によって形成されるパターンが積層方向と垂直な軸方向に複数回繰り返されて形成された導体を含み、積層方向と垂直な軸周りに螺旋形状に巻回されたコイル導体が形成される。
【0019】
さらに、外部とワイヤボンディング接続を行うために、ワイヤボンディングが良好な金属で電極パッド44のめっき加工が行われる。ただし、電極パッド44の材料にAuまたはAgを用いた場合は、めっき加工を行わなくてもそのままワイヤボンディング接続を行うことができる。
【0020】
なお、各絶縁層10,12,14,22,28,36,42は、フェライト等の磁性体材料によって構成されている。そして、コイル導体の周囲に磁束が回り込むことができるように、コイル導体の周囲は磁性体材料で覆われている。また、コイル導体を形成する各導体の材料としては、例えばAu、Ag、Cu等の比抵抗の小さい導電材料が用いられる。
【0021】
本実施形態においては、(上側帯状導体30の数×2)だけ設けられた電極パッド44のうちのいずれか2つが入力端子及び出力端子として用いられ、ワイヤボンディング接続が行われる。そして、入力端子及び出力端子に用いる2つの電極パッド44を選択することで、インダクタ部品のインダクタンス値を可変にすることができる。したがって、1つのインダクタ部品で様々なインダクタンス値を得ることができるので、部品の設計工数、製造コスト及び管理コストを削減することができる。
【0022】
そして、コイル導体の周囲が磁性体材料で覆われたインダクタ部品において、最上絶縁層42上面に電極パッド44を形成し、電極パッド44の各々と第1のスルーホール導体及び第2のスルーホール導体の各々とを端子接続用スルーホール導体を介して接続している。したがって、コイル導体の周囲への磁束の回り込みによって高いインダクタンス値を得る構成のインダクタ部品において、1つのインダクタ部品で様々なインダクタンス値を得ることができる。その場合に、最上絶縁層42上面に電極パッド44を形成しているので、スクリーン印刷工法を用いて電極パッド44を形成することができ、積層を行う工程の中で電極パッド44を形成することができる。したがって、従来のように積層及び焼成後に外部電極端子を形成する必要がないので、部品の製造コストをさらに削減することができる。
【0023】
また、従来のディッピング法を用いた外部電極端子の形成の場合は、外部電極端子間の間隔を200μm以下とすることはできなかった。しかし、本実施形態ではスクリーン印刷工法を用いて電極パッド44を形成することにより、電極パッド44間の間隔を200μm以下とすることができ、さらに約20μmまで詰めることができるので、外部電極端子を狭ピッチ化できる。したがって、可変とするインダクタンス値の選択数を増やすことができる。
【0024】
以上の説明においては、外部電極端子となる電極パッド44を最上絶縁層42上面に形成した場合について説明したが、図3に示すように、外部電極端子を最下絶縁層10下面に形成してもよい。図3は、外部電極端子を最下絶縁層10下面にも形成した場合の各層における構成を示す。そして、図4は、図3における最下絶縁層10を下側から見た斜視図を示す。
【0025】
最下絶縁層10には、スルーホール52,54が形成され、導体の印刷と同時に導電ペーストが充填されている。スルーホール52,54の下には電極パッド56がスクリーン印刷等の工法を用いて形成されており、電極パッド56の下には外部電極端子としてのバンプ電極58が形成されている。
【0026】
最下絶縁層10の上に積層されている絶縁層12には、スルーホール52,54とそれぞれ接続されるスルーホール60,62が形成され、導体の印刷と同時に導電ペーストが充填されている。スルーホール60の各々及びスルーホール62の各々は、スルーホール52の各々及びスルーホール54の各々と積層時にそれぞれ接続される位置に配置されている。
【0027】
下側絶縁層14に設けられたスルーホール18の各々及びスルーホール20の各々は、スルーホール60の各々及びスルーホール62の各々と積層時にそれぞれ接続される位置に配置されている。ここで、スルーホール52,54,60,62によっても端子接続用スルーホール導体が構成される。他の構成は図2と同様であるため説明を省略する。
【0028】
図3及び図4に示す構成においても、図1及び図2に示す構成と同様の効果が得られる。さらに、図3及び図4に示す構成においては、最下絶縁層10下面に外部電極端子となるバンプ電極58をさらに形成し、バンプ電極58の各々と第1のスルーホール導体及び第2のスルーホール導体の各々とを接続しているので、可変とするインダクタンス値の選択数をさらに増やすことができる。そして、インダクタ部品が実装される基板にはバンプ電極58により接続されるので、接着剤等での固定が不必要となる。
【0029】
上記の説明においては、外部電極端子を最上絶縁層42上面及び最下絶縁層10下面の両方に形成した場合について説明したが、外部電極端子を最下絶縁層10下面のみに形成してもよい。
【0030】
以上の説明においては、外部電極端子となる電極パッド44またはバンプ電極58が端子接続用スルーホール導体を介して第1のスルーホール導体及び第2のスルーホール導体と接続されている場合について説明したが、電極パッド44は端子接続用スルーホール導体を介して上側絶縁層28上の導体部と接続されていればよく、バンプ電極58は端子接続用スルーホール導体を介して下側絶縁層14上の導体部と接続されていればよい。例えば、端子接続用スルーホール導体を介して上側帯状導体30と接続されている電極パッド44を最上絶縁層42上面に形成してもよいし、端子接続用スルーホール導体を介して下側帯状導体16と接続されているバンプ電極58を最下絶縁層10下面に形成してもよい。これらの電極パッド44またはバンプ電極58を形成することで、可変とするインダクタンス値の選択数をさらに増やすことができる。ただし、これらの電極パッド44またはバンプ電極58を形成する場合は、これらの電極パッド44またはバンプ電極58と接続される端子接続用スルーホール導体がコイル導体周囲における磁束の回り込みの妨げとならないような位置に形成することが好ましい。
【0031】
そして、外部電極端子については、最低3つあればインダクタンス値を可変にすることができるので、外部電極端子の数については、要求される仕様に応じて3つ以上の範囲で任意に設定することができる。
【0032】
さらに、高いインダクタンス値が要求されない場合は、最上絶縁層42及び絶縁層36を省略して上側絶縁層28上の導体部を外部に露出させ、上側絶縁層28上の導体部のいずれかの位置を入力端子または出力端子として用いてもよい。この場合は、例えば上側絶縁層28上の導体部に入力端子または出力端子として用いるためのランドを設け、所望のインダクタンス値が得られるためのワイヤボンディング接続位置を明確にすることが好ましい。そして、最下絶縁層10及び絶縁層12を省略してスルーホール18,20の下に電極パッド56及びバンプ電極58を形成し、このバンプ電極58を入力端子または出力端子として用いてもよい。また、高いインダクタンス値が要求されない場合は、各絶縁層は磁性体材料以外であってもよい。
【0033】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、1つのインダクタ部品で様々なインダクタンス値を得ることができるので、部品の設計工数、製造コスト及び管理コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る積層インダクタの構成を示す図である。
【図2】本発明の実施形態に係る積層インダクタの構成を各層ごとに分けて示す斜視図である。
【図3】本発明の実施形態に係る積層インダクタの別の構成を各層ごとに分けて示す斜視図である。
【図4】本発明の実施形態に係る積層インダクタの別の構成における最下層を下側から見た斜視図である。
【符号の説明】
10 最下絶縁層、12,22,36 絶縁層、14 下側絶縁層、16 下側帯状導体、18,20,24,26,32,34,38,40,52,54,60,62 スルーホール、28 上側絶縁層、30 上側帯状導体、42 最上絶縁層、44,56 電極パッド、58 バンプ電極。

Claims (6)

  1. 複数の絶縁層が積層された積層体に、積層方向と垂直な軸周りに螺旋形状に巻回されたコイル導体が形成され、
    該コイル導体は、
    上側絶縁層上に形成された上側帯状導体と、
    上端が上側帯状導体の一端と接続され、下端が下側絶縁層に設けられた第1のスルーホール導体と、
    下側絶縁層上に形成され、一端が第1のスルーホール導体の下端と接続された下側帯状導体と、
    下端が下側帯状導体の他端と接続され、上端が別の上側帯状導体の他端と接続された第2のスルーホール導体と、
    によって形成されるパターンが積層方向と垂直な軸方向に複数回繰り返されて形成された導体を含む積層インダクタであって、
    上側絶縁層上または下側絶縁層上の導体部と接続された入力端子と、
    上側絶縁層上または下側絶縁層上の導体部と接続された出力端子と、
    を有し、
    入力端子と出力端子の少なくとも一方における上側絶縁層上または下側絶縁層上の導体部との接続位置を変えることで、インダクタンス値が可変であることを特徴とする積層インダクタ。
  2. 複数の絶縁層が積層された積層体に、積層方向と垂直な軸周りに螺旋形状に巻回されたコイル導体が形成され、
    該コイル導体は、
    上側絶縁層上に形成された上側帯状導体と、
    上端が上側帯状導体の一端と接続され、下端が下側絶縁層に設けられた第1のスルーホール導体と、
    下側絶縁層上に形成され、一端が第1のスルーホール導体の下端と接続された下側帯状導体と、
    下端が下側帯状導体の他端と接続され、上端が別の上側帯状導体の他端と接続された第2のスルーホール導体と、
    によって形成されるパターンが積層方向と垂直な軸方向に複数回繰り返されて形成された導体を含む積層インダクタであって、
    積層体の最上積層外面または最下積層外面に形成された3つ以上の外部電極端子と、
    各外部電極端子ごとに設けられ、一端が外部電極端子と接続され、他端が上側絶縁層上または下側絶縁層上の導体部と接続された端子接続用スルーホール導体と、
    を有し、
    端子接続用スルーホール導体の各々は、上側絶縁層上または下側絶縁層上の導体部との接続位置が互いに異なり、
    入出力端子とする外部電極端子を選択することで、インダクタンス値が可変であることを特徴とする積層インダクタ。
  3. 請求項2に記載の積層インダクタであって、
    外部電極端子の少なくとも1つは積層体の最上積層外面に形成されており、
    積層体の最上積層外面に形成された外部電極端子は、電極パッドであることを特徴とする積層インダクタ。
  4. 請求項2に記載の積層インダクタであって、
    外部電極端子の少なくとも1つは積層体の最下積層外面に形成されており、
    積層体の最下積層外面に形成された外部電極端子は、バンプ電極であり、
    バンプ電極と端子接続用スルーホールとの接続は、電極パッドを介して行われていることを特徴とする積層インダクタ。
  5. 請求項2〜4のいずれか1に記載の積層インダクタであって、
    外部電極端子間の間隔が200μm以下である外部電極端子を有することを特徴とする積層インダクタ。
  6. 請求項3または4に記載の積層インダクタの外部電極端子を形成する方法であって、
    前記電極パッドをスクリーン印刷工法を用いて最上絶縁層上面または最下絶縁層下面に形成する工程を含むことを特徴とする積層インダクタの外部電極端子形成方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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