JP6991013B2 - 窒化物結晶基板 - Google Patents

Description

本発明は、窒化物結晶基板に関する。

発光素子や高速トランジスタ等の半導体デバイスを作製する際、例えば窒化ガリウム等の窒化物結晶からなる基板（以下、窒化物結晶基板）が用いられる。窒化物結晶基板は、サファイア基板やそれを用いて作製した結晶成長用基板上に、窒化物結晶を成長させる工程を経ることで製造することができる。近年、直径が例えば２インチを超えるような大径の窒化物結晶基板を得るため、結晶成長用基板を大径化させるニーズが高まっている（例えば特許文献１参照）。

特開２００６－２９０６７６号公報

本発明の目的は、結晶成長用基板を大径化させ、これを用いて製造される良質な窒化物結晶基板に関する技術を提供することにある。

本発明の一態様によれば、
直径が１００ｍｍ以上の窒化物結晶からなる窒化物結晶基板であって、
主面に、連続する高転位密度領域と、前記高転位密度領域によって区分けされる複数の低転位密度領域と、を有するとともに、
前記主面は極性反転区を含まない
窒化物結晶基板が提供される。

本発明によれば、大径化のニーズに対応しつつ、良質な窒化物結晶基板を得ることが可能となる。

（ａ）は種結晶基板１０を作製する際に用いられる小径種基板５の平面図であり、（ｂ）は小径種基板５の裏面に凹溝を形成する様子を示す断面図であり、（ｃ）は凹溝に沿って小径種基板５を劈開させてその周縁部を除去する様子を示す模式図であり、（ｄ）は小径種基板５の周縁部を除去することで得られた種結晶基板１０の平面図であり、（ｅ）は種結晶基板１０の側面図である。 （ａ）は複数の種結晶基板１０が保持板１２上に接着されてなる組み立て基板１３の一例を示す平面図であり、（ｂ）は図２（ａ）に示す組み立て基板１３のＢ－Ｂ’断面図である。 （ａ）は複数の種結晶基板１０が保持板１２上に接着されてなる組み立て基板１３の変形例を示す平面図であり、（ｂ）は図３（ａ）に示す組み立て基板１３のＢ－Ｂ’断面図である。 （ａ）は複数の種結晶基板１０が保持板１２上に接着されてなる組み立て基板１３の変形例を示す平面図であり、（ｂ）は図４（ａ）に示す組み立て基板１３のＢ－Ｂ’断面図である。 結晶膜１４，２１を成長させる際に用いられる気相成長装置２００の概略図である。 （ａ）は種結晶基板１０上に結晶膜１４を成長させた様子を示す模式図であり、（ｂ）は種結晶基板１０が接合されてなる結晶成長用基板２０を自立させる様子を示す模式図であり、（ｃ）は裏面洗浄後の結晶成長用基板２０の模式図である。 （ａ）は結晶成長用基板２０上に結晶膜２１を厚く成長させた様子を示す模式図であり、（ｂ）は厚く成長させた結晶膜２１をスライスすることで複数枚の窒化物結晶基板３０を取得する様子を示す模式図である。 （ａ）は種結晶基板１０上に結晶膜１４を厚く成長させた様子を示す断面構成図であり、（ｂ）は厚く成長させた結晶膜１４をスライスすることで複数枚の結晶成長用基板３０を取得する様子を示す模式図である。 結晶成長用基板２０およびこれを用いて作製した窒化物結晶基板３０の平面構成を例示する模式図である。 複数の種結晶基板が接合されてなる結晶成長用基板の一構成例を示す写真である。 （ａ）は結晶成長方法の比較例を示す模式図であり、（ｂ）は結晶成長方法の他の比較例を示す模式図であり、（ｃ）は結晶成長方法のさらに他の比較例を示す模式図である。 （ａ）（ｂ）はそれぞれ、結晶成長用基板の比較例を示す模式図である。 窒化物結晶基板３０の高転位密度領域３１についてのＣＬ法による転位密度測定の一例を示す説明図である。 窒化物結晶基板３０の低転位密度領域３２についてのＣＬ法による転位密度測定の一例を示す説明図である。 高転位密度領域３１および低転位密度領域３２のそれぞれについて基板上の位置と転位密度との関係の一例を示す説明図である。 基板上の位置と転位密度との関係の比較例を示す説明図である。 高転位密度領域３１および低転位密度領域３２のそれぞれについてラマン分光法を利用した歪み状態の検出を行う場合の評価点の一例を示す説明図である。 高転位密度領域３１および低転位密度領域３２における各評価点で得られたラマンスペクトルを重ね書きした結果の一例を示す説明図である。 高転位密度領域３１および低転位密度領域３２における各評価点で得られたＥ_２モードのシフトピークを平面的にマッピングした結果の一例を示す説明図である。

＜本発明の一実施形態＞
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。

（１）窒化物結晶基板の製造方法
本実施形態では、以下に示すステップ１～５を実施することで、窒化物結晶基板として、窒化ガリウム（ＧａＮ）の結晶からなる結晶基板（以下、ＧａＮ基板ともいう）を製造する例について説明する。

（ステップ１：種結晶基板の用意）
本実施形態では、ＧａＮ基板を製造する際、図２（ａ）に平面視を例示するような円板状の外形を有する結晶成長用基板２０（以下、基板２０とも称する）を用いる。そこで本ステップでは、まず、基板２０を構成する種結晶基板１０（以下、基板１０とも称する）を作製する際に用いられるベース材料として、図１（ａ）に実線で外形を示すようなＧａＮ結晶からなる小径種基板（結晶基板、材料基板）５（以下、基板５とも称する）を複数枚用意する。基板５は、作製しようとする基板１０よりも大きな外径を有する円形の基板であって、例えば、サファイア基板等の下地基板上にＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させ、成長させた結晶を下地基板から切り出してその表面を研磨すること等により作製することができる。ＧａＮ結晶は、気相成長法や液相成長法を問わず、公知の手法を用いて成長させることができる。現在の技術水準では、直径２インチ程度のものであれば、その主面（結晶成長の下地面）内におけるオフ角のばらつき、すなわち、オフ角の最大値と最小値との差が、例えば０．３°以内と比較的小さく、また、欠陥密度や不純物濃度の少ない良質な基板を、比較的安価に得ることができる。ここでオフ角とは、基板５の主面の法線方向と、基板５を構成するＧａＮ結晶の主軸方向（主面に最も近い低指数面の法線方向）と、のなす角をいう。

本実施形態では、一例として、直径が２インチ程度であって、厚さが０．２～１．０ｍｍである基板を、基板５として用いる場合について説明する。また、本実施形態では、基板５の主面すなわち結晶成長面が、ＧａＮ結晶のｃ面に対して平行であるか、或いは、この面に対して±５°以内、好ましくは±１°以内の傾斜を有するような基板を、基板５として用いる場合について説明する。また、本実施形態では、複数の基板５を用意する際、それぞれの基板５の主面内におけるオフ角のばらつき（オフ角の最大値と最小値との差）が０．３°以内、好ましくは０．１５°以内であり、かつ、複数の基板５間におけるオフ角のばらつき（オフ角の最大値と最小値との差）が０．３°以内、好ましくは０．１５°以内であるような基板群を、複数の基板５として用いる例について説明する。

なお、本明細書で用いる「ｃ面」という用語は、ＧａＮ結晶の＋ｃ面、すなわち、（０００１）面に対して完全に平行な面だけでなく、上述のように、この面に対してある程度の傾斜を有する面を含み得る。この点は、本明細書において「ａ面」、「Ｍ面」という用語を用いる場合も同様である。すなわち、本明細書で用いる「ａ面」という用語は、ＧａＮ結晶のａ面、すなわち、（１１－２０）面に対して完全に平行な面だけでなく、この面に対して上記と同様の傾斜を有する面を含み得る。また、本明細書で用いる「Ｍ面」という用語は、ＧａＮ結晶のＭ面、すなわち、（１０－１０）面に対して完全に平行な面だけでなく、この面に対して上記と同様の傾斜を有する面を含み得る。

基板５を用意したら、図１（ｂ）に示すように、結晶成長面（＋ｃ面）の反対側の面である裏面（－ｃ面）に凹溝、すなわちスクライブ溝を形成する。凹溝は、例えば、レーザ加工法や機械加工法のような公知の手法を用いて形成することが可能である。凹溝を形成した後、図１（ｃ）に示すように、凹溝に沿って基板５を劈開させてその周縁部を除去することで、基板１０が得られる。図１（ｄ）に、基板１０の平面構成を示す。

基板１０の平面形状は、基板１０を同一平面上に複数並べた場合に、これらを平面充填させること、すなわち、隙間なく敷き詰めることが可能な形状とするのが好ましい。また、本実施形態のように基板１０の主面（結晶成長面）を＋ｃ面とする場合、後述する理由から、基板１０の側面のうち、他の基板１０の側面と当接する全ての面、すなわち、他の基板１０の側面と対向する（向かい合う）全ての面をＭ面又はａ面とし、かつ、互いに同一方位の面（等価な面）とするのが好ましい。例えば、本実施形態のように基板１０の主面（結晶成長面）をｃ面とする場合、基板１０の側面のうち、他の基板１０の側面と対向する全ての面をａ面とすることが考えられる。

ＧａＮ結晶は六方晶系の結晶構造を有することから、上述の要求を満たすようにするには、少なくとも基板２０の周縁部（円弧部）以外の部分を構成する基板１０の平面形状を、正三角形、平行四辺形（内角６０°および１２０°）、台形（内角６０°および１２０°）、正六角形、および、平行六辺形のうちいずれかの形状とするのが好ましい。基板１０の平面形状を正方形や長方形とすると、基板１０の側面のうちいずれかの面をａ面とした場合に、その面に直交する側面が必然的にＭ面となってしまい、それぞれが同一方位の面とはならない。また、基板１０の平面形状を円形や楕円形とすると、平面充填させることができず、また、基板１０の側面をＭ面又はａ面で、かつ、互いに同一方位の面とすることは不可能となる。

なお、上述した数種類の形状のうち、少なくとも基板２０の周縁部以外の部分を構成する基板１０の平面形状は、図１（ｄ）に示すように正六角形とするのが特に好ましい。この場合、平面形状が円形である基板５から、基板１０を、最大限の大きさで効率よく取得、すなわち、材料取りすることが可能となる。また、後述するステップ２において基板１０を同一平面上に平面充填させる際、その配列はハニカムパターンを構成することになり、複数の基板１０は、平面視において相互に噛み合わさるように配列することになる。これにより、配列させた複数の基板１０に対して面内方向に沿って外力が加わったとき、その方向によらず、基板１０の配列ずれを抑制することが可能となる。これに対し、基板１０の平面形状を、正三角形、平行四辺形、台形、正方形、長方形等とした場合には、基板１０の平面形状を正六角形とする場合に比べ、特定の方向からの外力の影響を受けやすくなり、基板１０の配列ずれが生じやすくなる。本実施形態では、基板１０の平面形状を正六角形とする場合について説明している。なお、基板２０の周縁部を構成する基板１０の平面形状は、図２（ａ）に示すように、正六角形の一部を、円板状の基板２０の外周に沿うように円弧状に切り出した形状となる。基板２０の周縁部を構成する基板１０、すなわち、小面積の基板１０については、１枚の基板５から、１枚以上、好ましくは２枚以上を一緒に取得することが好ましい。１枚の基板５から複数枚の基板１０を取得する場合、基板５の無駄を少なくすることができ、また、基板１０の品質を揃えやすくなる点で、好ましい。

基板１０の側面のうち、他の基板１０の側面と対向する全ての面をＭ面又はａ面とすれば、「Ｍ面又はａ面」以外の面である場合に比べて、以下の点で好ましいものとなる。
例えば、全ての面をＭ面とすれば、基板１０の加工精度を高めることができる。これは、ＧａＮ結晶の取り得る面方位のうち、Ｍ面については、単位面積あたりの結合手密度が小さい（原子間の結合が弱い）等の理由により、劈開させることが容易となるからである。
また、例えば、全ての面をａ面とすれば、他の側面と対向する接合部分の再破壊が生じ難くなり、基板１０の精度を高く維持し得るようになる。これは、ＧａＮ結晶の取り得る面方位のうち、ａ面については、単位面積あたりの結合手密度がＭ面における結合手密度よりも大きい（原子間の結合が強い）等の理由による。ただし、このことは、劈開させることが比較的困難となる要因にもなり得る。この点に関して、本実施形態では、上述したように基板５の裏面に凹溝（スクライブ溝）を形成してから劈開作業を行うこととしている。これにより、基板５を、Ｍ面以外の劈開性の弱い面（劈開しにくい面）方位で正確に劈開させることが可能となる。図１（ｅ）に、上述の手法で得られた基板１０の側面構成図を示す。図１（ｅ）に示すように、基板１０の側面には、基板５の裏面に凹溝を形成することで生じた融解面（レーザ加工面）或いは切削面（機械加工面）と、凹溝に沿って基板５を劈開させることで生じた劈開面と、が形成される。ここでいう融解面とは、例えば、結晶が一度融けた後に急激に固化することで形成されたアモルファス面等を含む面のことである。また、ここでいう切削面とは、例えば、裂開面等を含む面粗さ（粗さ）の比較的大きな面、すなわち粗い面（非鏡面）のことである。

なお、凹溝は、あくまで、基板５を劈開させる際の制御性を高めるために設けるものである。そのため、凹溝を形成する際は、基板５を完全に切断（フルカット）してしまうことがないよう、その深さを調整する必要がある。凹溝の深さは、基板５の厚さＴに対して６０％以上９０％以下の範囲内の深さとするのが好ましい。凹溝の深さが基板５の厚さＴに対して６０％未満の深さとなると、劈開性の高いＭ面に沿って基板５が割れてしまうなど、所望の劈開面を得ることが困難となる場合がある。凹溝の深さを、基板５の厚さＴに対して６０％以上の深さとすることで、Ｍ面以外の面方位、例えばａ面に沿って劈開を成功させる等、所望の劈開面を得ることが可能となる。また、凹溝の深さを、基板５の厚さＴに対して９０％を超える深さとすると、劈開面の面積が過小となることで基板１０間の接合強度が不足し、基板２０を自立させることが困難となる場合がある。凹溝の深さを、基板５の厚さＴに対して９０％以下の深さとすることで、劈開面の面積を充分に確保でき、基板１０間の接合強度を高めることが可能となる。

なお、発明者等の鋭意研究によれば、凹溝を用いた基板５の劈開は、直線部だけでなく、円弧部においても実施可能であることが分かっている。そのため、複数の基板１０のうち、基板２０の周縁部（円弧部）を構成する基板１０を取得する際、それらの全ての側面（直線状および円弧状の側面）を、凹溝を利用した劈開作業により形成するのが好ましい。このようにした場合、基板２０上に成長させる結晶膜の品質を、その面内全域にわたり、すなわち、周縁部においても向上させることが可能となる。

劈開位置を正確に制御するため、凹溝の断面形状は、図１（ｂ）に示すようなＶ字状（開口部が広いテーパー状）の断面形状とするのが好ましい。なお、凹溝の開口幅については特に制限はないが、例えば０．２～１．８ｍｍが例示される。このように溝の寸法や形状を制御することで、基板５を劈開させる際の制御性を高めつつ、基板５を劈開させた際に形成される劈開面の幅（厚さ方向における幅）を充分に確保することが可能となる。これにより、後述するステップ３において隣接する基板１０の接合強度を高めたり、基板１０の接合部周辺に成長する結晶膜の品質を向上させたりすることが可能となる。

上述の加工を施すと、基板５の切粉が大量に発生して基板１０に付着し、そのままでは後述の結晶成長に悪影響を及ぼす場合がある。そこで、切粉を除去する洗浄処理を行う。その手法としては、例えば、塩化水素（ＨＣｌ）と過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）とを１対１で混合して得た薬液を用いたバブリング洗浄が挙げられる。

（ステップ２：種結晶基板の配置）
基板１０を複数枚取得したら、ステップ２を行う。本ステップでは、ＧａＮ結晶からなる複数の基板１０を、それらの主面が互いに平行となり、それらの側面が互いに対向（当接）するように、すなわち、隣接する基板１０の側面同士が対向（当接）するように、平面状に、また円形状に配置（平面充填）する。

図２（ａ）は、基板１０の配列パターンの一例を示す平面図である。本実施形態のように、平面形状が正六角形である基板１０を用いる場合、基板１０が平面充填されることでハニカムパターン（蜂の巣パターン）が構成される。複数の基板１０のうち、少なくとも基板２０の周縁部以外の部分を構成する基板は、平面形状が正六角形である主面を有することとなる。本図に示すように、基板１０の主面を組み合わせたハニカムパターンは、基板２０の主面の中心を通りこの主面に直交する軸を中心軸として基板２０を一回転させたとき、２回以上、本例では６回の回転対称性を有するように配置される。

なお、この図に示すように、配列させた複数の基板１０の中から任意に選択された基板１０は、少なくとも２つ以上の他の基板１０と対向するように構成されていることが分かる。また、基板１０の側面は、互いに直交しないように構成されていることも分かる。これらの事象は、基板１０の平面形状として例えば正六角形、正三角形、平行四辺形、台形を選択し、複数の基板１０を、この図に示すように略円形に（一方向だけでなく多方向に）平面充填させた場合に得られる固有のものであるといえる。また、この図に示すように、複数の基板１０は、平面視において相互に噛み合って（組み合って）おり、ステップ３やその後の工程において、基板１０の配列ずれが生じにくくなるように配置されていることも分かる。この事象は、基板１０の平面形状を正六角形とし、複数の基板１０を、この図に示すように略円形に平面充填させた場合に得られる固有のものであるといえる。

なお、ここでいう「複数の基板１０をそれらの主面が互いに平行となるように配置する」とは、隣接する基板１０の主面同士が、完全に同一平面上に配置される場合だけでなく、これらの面の高さに僅かな差がある場合や、これらの面が互いに僅かな傾きを持って配置される場合を含むものとする。すなわち、複数の基板１０を、これらの主面がなるべく同じ高さとなり、また、なるべく平行となるように配置することを意味する。但し、隣接する基板１０の主面の高さに差がある場合であっても、その大きさは、最も大きい場合で例えば１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下とするのが望ましい。また、隣接する基板１０の主面間に傾きが生じた場合であっても、その大きさは、最も大きい面で例えば１°以下、好ましくは０．５°以下とするのが望ましい。また、複数の基板１０を配置する際は、これらを配列させることで得られる基板群の主面内におけるオフ角のばらつき（全主面内におけるオフ角の最大値と最小値との差）を、例えば０．３°以内、好ましくは０．１５°以内とするのが望ましい。これらが大きすぎると、後述するステップ３，５（結晶成長工程）で成長させる結晶の品質が低下する場合があるためである。

また、ここでいう「複数の基板１０をそれらの側面が互いに対向するように配置する」とは、複数の基板１０を、これらの側面間になるべく隙間が生じないように近接して対向させて配置することを意味する。すなわち、隣接する基板１０の側面同士が、完全に、すなわち、隙間なく接触する場合だけでなく、これらの間に僅かな隙間が存在する場合も含むものとする。但し、隣接する基板１０の側面間に隙間が生じた場合であっても、室温条件におけるその大きさは、最も大きい場所で例えば１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下とするのが望ましい。隙間が大きすぎると、後述するステップ３（結晶成長工程）を実施した際に、隣接する基板１０間が接合しなかったり、接合したとしてもその強度が不足したりする場合があるためである。また、ステップ３を実施した後における隣接する基板１０間の接合強度を高めるため、隣接する基板１０を、それらの側面のうち少なくとも劈開面が当接するように配置することが好ましい。

なお、ステップ３における取り扱いを容易とするため、複数の基板１０は、例えば、平板として構成された保持板（支持板）１２上に固定するのが好ましい。図２（ｂ）に、複数枚の基板１０が接着剤１１を介して保持板１２上に接着されてなる組み立て基板１３の断面構成を示す。本図に示すように、基板１０は、その主面（結晶成長面）が上面となるように保持板１２上に、接着剤１１からなる層を介して設置される。言い換えると、基板１０と保持板１２との間には、接着剤１１からなる層が設けられている。

保持板１２の材料としては、後述するステップ３（結晶成長工程）での成膜温度、成膜雰囲気に耐えられる耐熱性、耐蝕性を有し、また、基板１０やステップ３で形成するＧａＮ結晶膜１４を構成する結晶と、同等或いはそれより小さい線膨張係数を有する材料を用いることが好ましい。保持板１２の材料としてこのような材料を用いることで、ステップ３において基板１０間に隙間が形成されたり、基板１０間に形成された隙間が広がったりしてしまうことを抑制できるようになる。ここでいう線膨張係数とは、基板１０の主面（ｃ面）に平行な方向、すなわち、基板１０を構成するＧａＮ結晶のａ軸方向における線膨張係数をいう。ＧａＮ結晶のａ軸方向における線膨張係数は５．５９×１０^－６／Ｋである。線膨張係数がこれらに比べて同等もしくは小さく、安価で入手が容易であり、ある程度の剛性を示す材料としては、例えば、等方性黒鉛、異方性黒鉛（パイロリティックグラファイト（以下、ＰＧとも略す）等）、シリコン（Ｓｉ）、石英、炭化珪素（ＳｉＣ）などが挙げられる。また、後述する理由から、これらの中でも、表層が剥離しやすいＰＧを特に好ましく用いることができる。また、等方性黒鉛、Ｓｉ、石英、ＳｉＣなどの平板基材の表面を、ＰＧ等の剥離しやすく耐蝕性に優れた材料により被覆（コーティング）してなる複合材料を、好適に用いることもできる。

接着剤１１の材料としては、ステップ３での成膜温度よりも遙かに低い温度条件下にて所定時間保持されることで固化するような材料、例えば、常温～３００℃の範囲内の温度条件下で数分～数十時間乾燥させることで固化するような材料を好適に用いることができる。接着剤１１の材料としてこのような材料を用いることで、接着剤１１を固化させるまでの間、保持板１２上に配置された基板１０の位置、高さ、傾き等をそれぞれ微調整することが可能となる。例えば、基板１０の主面に高さの差がある場合や、基板１０の主面間に傾きがある場合には、平坦であることが予め確認されたガラス板等を、保持板１２上に配置された複数の基板１０の主面群に対して押し当てるようにすることで、複数の基板１０の高さや傾きを、それらの主面が互いに平行となるように微調整することが可能となる。また、ステップ３を開始する前の比較的低温条件下にて接着剤１１の固化（基板１０の固定）を完了させることができ、これにより、基板１０の位置ずれが抑制された状態でステップ３を開始することが可能となる。これらの結果、ステップ３で成長させるＧａＮ結晶膜１４の品質を向上させ、基板１０間の接合強度を高めることが可能となる。また、基板１０の接着作業を例えば手作業でも実施することが可能となり、接着作業の簡便性を著しく向上させ、接着作業に要する設備を簡便にすることが可能となる。

また、接着剤１１の材料としては、後述するステップ３（結晶成長工程）での成膜温度、成膜雰囲気に耐えられる耐熱性、耐蝕性を有する材料を用いることが好ましい。接着剤１１の材料としてこのような材料を用いることで、ステップ３における昇温中に接着剤１１が熱分解等し、基板１０の固定が解除されることを回避できるようになる。また、基板１０の固定が不充分のままＧａＮ膜１４が成長することで最終的に得られる基板２０に反りが生じることを回避できるようになる。また、接着剤１１の熱分解による成長雰囲気の汚染を回避することができ、これにより、ＧａＮ膜１４の品質低下や基板１０間の接合強度の低下を防ぐことが可能となる。

また、接着剤１１の材料としては、基板１０やステップ３で成長させるＧａＮ膜１４を構成する結晶と近い線膨張係数を有する材料を用いることが好ましい。なお、「線膨張係数が近い」とは、接着剤１１の線膨張係数と、ＧａＮ結晶膜１４を構成する結晶の線膨張係数と、が実質的に同等であること、例えば、これらの差が１０％以内であることを意味する。接着剤１１の材料としてこのような材料を用いることで、後述するステップ３を行う際、接着剤の線膨張係数差に起因して基板１０の面内方向に加わる応力を緩和させることができ、基板１０に反りやクラック等が生じることを回避することが可能となる。

これらの要件を満たす接着剤１１の材料としては、例えば、耐熱性（耐火性）セラミックスと無機ポリマとを主成分とする耐熱性無機接着剤を用いることができ、特に、ジルコニアやシリカ等を主成分とする材料を好ましく用いることができる。このような接着剤としては、例えば、市販のアロンセラミックＣ剤やＥ剤（アロンセラミックは東亞合成株式会社の登録商標）が挙げられる。これらの接着剤は、例えば常温～３００℃の範囲内の温度で乾燥させて固化させることにより、１１００～１２００℃の高温に耐える硬化物を形成し、ステップ３での成膜雰囲気に対して高い耐蝕性を有するとともに、基板１０の位置ずれなどを生じさせない高い接着強度を示すことを確認済みである。また、基板１０上に成長させる結晶に影響を及ぼさないことも確認済みである。また、固化する前の段階で、常温下において例えば４００００～８００００ｍＰａ・ｓ程度の適正な粘性を示すことから、保持板１２上への基板１０の仮留めや位置合わせ等を行う際に、非常に好適であることも確認済みである。

基板１０を保持板１２上に接着する際は、接着剤１１が基板１０の主面側に回り込んではみ出ることのないよう、基板１０の少なくとも周縁部を除く領域、例えば周縁部から所定幅離れた領域であって、好ましくは中央付近にのみ接着剤１１を塗布するのが好ましい。接着剤１１が主面側に回り込むと、その回り込んだ箇所及びその周辺において、ＧａＮ結晶膜１４の品質が著しく劣化したり、ＧａＮ結晶膜１４の成長が妨げられたりする場合がある。なお、接着剤１１の回り込みを防ぐような構造を、保持板１２の表面に設けるようにしてもよい。例えば、基板１０の周縁部の下方に位置する保持板１２の表面に凹溝を形成し、基板１０を接着する際に余分となった接着剤１１をこの凹溝内へ逃がすことにより、基板１０の主面側への接着剤１１の回り込みを抑制することが可能となる。

なお、保持板１２の線膨張係数と基板１０の線膨張係数との間に差がある場合、特に、これらの差が大きい場合、基板１０の裏面側に塗布する接着剤１１の量を「極少量」に制限するのが好ましい。というのも、ステップ３を実施することで、保持板１２上に配置された隣接する基板１０は互いに接合された状態となる。複数の基板１０を一体化（合体）させて基板２０を得た後は、基板２０および保持板１２を、成膜温度から、例えば常温付近にまで降温させることになる。保持板１２および基板１０の線膨張係数に上述の差がある場合、これらの部材の熱収縮量の差に起因して、基板２０の面内方向に、引張応力或いは圧縮応力が加わることになる。線膨張係数の差によっては、基板２０の面内方向に大きな応力が加わり、基板２０を構成する基板１０や接合部にクラック等を生じさせる場合がある。このような課題に対し、発明者は、接着剤１１の量を適正に制限することが非常に有効であるとの知見を得ている。接着剤１１の量を適正に制限することで、基板２０の面内方向に上述の応力が加わったとき、固化した接着剤１１を適正なタイミングで破断させたり、固着させた接着剤１１を基板１０或いは保持板１２から剥離させたりすることができ、これにより、基板１０の破損等を回避することが可能となるのである。従って、ここで用いる「極少量」という文言は、少なくともステップ３を進行させるにあたり保持板１２上への基板１０の固定および位置ずれをそれぞれ防止することが可能な量であって、かつ、上述の線膨張係数差に起因して降温時の基板２０に対して応力が加わったとき、固化した状態の接着剤１１が破断或いは剥離することで基板１０等の破損を回避することが可能となるような、所定の幅を持ちうる量を意味している。

また、保持板１２の線膨張係数と基板１０の線膨張係数との間に差がない場合であっても、或いは、これらの差が非常に小さい場合であっても、接着剤１１の線膨張係数と基板１０の線膨張係数との間に差がある場合、特に、これらの差が大きい場合には、接着剤１１の量を上述の「極少量」とするのが好ましい。これにより、接着剤１１と基板１０との線膨張係数差に起因して基板１０の面内方向に加わる応力を緩和させることができ、基板１０に反りやクラック等が生じることを回避することが可能となる。

なお、接着剤１１の量を極小量に制限する場合、接着剤１１は、基板１０の中心部に塗布するのが好ましい。接着剤１１を基板１０の中心部に塗布する方が、基板１０の中心部以外の領域に塗布するよりも、基板１０の姿勢を調整したり、それを維持したりすることが容易となる。また、接着剤１１の主面側への回り込みもより確実に防止できるようになる。また、保持板１２上に接着された各基板１０は、後述するステップ３等で昇降温される際、接着剤１１により接着された箇所を基点として周囲方向に膨張或いは収縮することになる。この場合、接着剤１１を基板１０の中心部に接着することにより、隣接する基板１０間の隙間を基板２０面内で均等なものとすることが可能となる。また、隣接する基板１０間に隙間が存在しない場合においては、隣接する基板１０の側面（当接面）に加わる応力の分布を、基板２０面内で均等なものとすることが可能となる。但し、ここで用いる「基板１０の中心部」という文言は、必ずしも基板１０の幾何学的な中心に限らず、基板１０の幾何学的な中心を含む領域、或いは、幾何学的中心を含まないがその近傍の領域を意味している。

接着剤１１を介して保持板１２上に基板１０を配置し、接着剤１１を固化させることで、組立基板１３の作製が完了する。なお、接着剤１１の固化が、複数の基板１０の主面が互いに平行となり、また、隣接する基板１０の側面が当接した状態で完了するように、接着剤１１が固化するまでの間、必要に応じて、基板１０の位置、傾き、高さをそれぞれ調整するのが好ましい。なお、接着剤１１の固化は、ステップ３の開始前に完了させておくのが好ましい。このようにすることで、後述するＨＶＰＥ装置２００への組立基板１３の投入および結晶成長のそれぞれを、複数の基板１０の位置ずれが抑制された状態で行うことが可能となる。

なお、この組立基板１３を、すなわち、後述するＧａＮ膜１４を成長させる前の状態の組立基板１３を、本実施形態における基板２０の一態様として考えることもできる。すなわち、ここで得られた組立基板１３の主面（結晶成長面）上に、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法等を用いて後述するＧａＮ結晶膜２１（以下、ＧａＮ膜２１とも称する）を厚く成長させ、この厚く成長させたＧａＮ膜２１をスライスすることにより、複数のＧａＮ基板３０を得るようにしてもよい。但し、後述するステップ３を実施し、複数の基板１０間がＧａＮ膜１４によって接合されてなる自立可能な接合基板を作製し、これを基板２０として用いる方が、基板１０の位置ずれ等を確実に防止でき、その取り扱いが容易となる点から、好ましい。

（ステップ３：結晶成長による接合）
接着剤１１が固化し、組み立て基板１３の作製が完了したら、図５に示すハイドライド気相成長装置（ＨＶＰＥ装置）２００を用い、平面状に配置させた複数の基板１０の表面上に、第１結晶膜（接合用薄膜）としてのＧａＮ結晶膜１４を成長させる。

ＨＶＰＥ装置２００は、石英等の耐熱性材料からなり、成膜室２０１が内部に構成された気密容器２０３を備えている。成膜室２０１内には、組み立て基板１３や基板２０を保持するサセプタ２０８が設けられている。サセプタ２０８は、回転機構２１６が有する回転軸２１５に接続されており、回転自在に構成されている。気密容器２０３の一端には、成膜室２０１内へＨＣｌガス、窒化剤としてのアンモニア（ＮＨ_３）ガス、窒素（Ｎ_２）ガスを供給するガス供給管２３２ａ～２３２ｃが接続されている。ガス供給管２３２ｃには水素（Ｈ_２）ガスを供給するガス供給管２３２ｄが接続されている。ガス供給管２３２ａ～２３２ｄには、上流側から順に、流量制御器２４１ａ～２４１ｄ、バルブ２４３ａ～２４３ｄがそれぞれ設けられている。ガス供給管２３２ａの下流には、原料としてのＧａ融液を収容するガス生成器２３３ａが設けられている。ガス生成器２３３ａには、ＨＣｌガスとＧａ融液との反応により生成された塩化ガリウム（ＧａＣｌ）ガスを、サセプタ２０８上に保持された組み立て基板１３等に向けて供給するノズル２４９ａが接続されている。ガス供給管２３２ｂ，２３２ｃの下流側には、これらのガス供給管から供給された各種ガスをサセプタ２０８上に保持された組み立て基板１３等に向けて供給するノズル２４９ｂ，２４９ｃがそれぞれ接続されている。気密容器２０３の他端には、成膜室２０１内を排気する排気管２３０が設けられている。排気管２３０にはポンプ２３１が設けられている。気密容器２０３の外周にはガス生成器２３３ａ内やサセプタ２０８上に保持された組み立て基板１３等を所望の温度に加熱するゾーンヒータ２０７が、気密容器２０３内には成膜室２０１内の温度を測定する温度センサ２０９が、それぞれ設けられている。ＨＶＰＥ装置２００が備える各部材は、コンピュータとして構成されたコントローラ２８０に接続されており、コントローラ２８０上で実行されるプログラムによって、後述する処理手順や処理条件が制御されるように構成されている。

ステップ３は、上述のＨＶＰＥ装置２００を用い、例えば以下の処理手順で実施することができる。まず、ガス生成器２３３ａ内に原料としてＧａ多結晶を収容し、また、組み立て基板１３を、気密容器２０３内へ投入（搬入）し、サセプタ２０８上に保持する。そして、成膜室２０１内の加熱および排気を実施しながら、成膜室２０１内へＨ_２ガス（あるいはＨ_２ガスとＮ_２ガスとの混合ガス）を供給する。そして、成膜室２０１内が所望の温度となり組み立て基板１３が所望の成膜温度に到達するとともに、成膜室２０１内が所望の成膜圧力に到達したら、成膜室２０１内の雰囲気が所望の雰囲気に維持した状態で、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂからガス供給を行い、組み立て基板１３（基板１０）の主面（表面）に対し、成膜ガスとしてＧａＣｌガスとＮＨ_３ガスとを供給する。これにより、図６（ａ）に断面図を示すように、基板１０の表面上に、ＧａＮ結晶がエピタキシャル成長し、ＧａＮ結晶膜１４が形成される。ＧａＮ結晶膜１４が形成されることで、隣接する基板１０は、ＧａＮ結晶膜１４によって互いに接合され、一体化した状態となる。その結果、隣接する基板１０が接合されてなる基板２０が得られる。なお、成膜処理の過程での基板１０を構成する結晶の分解を防止するため、ＮＨ_３ガスを、ＨＣｌガスよりも先行して、例えば成膜室２０１内の加熱前から供給するのが好ましい。また、ＧａＮ結晶膜１４の面内膜厚均一性を高め、隣接する基板１０の接合強度を面内でむらなく向上させるため、ステップ３は、サセプタ２０８を回転させた状態で実施するのが好ましい。

ステップ３を実施する際の処理条件としては、以下が例示される。
成膜温度（組み立て基板１３の温度）：９８０～１１００℃、好ましくは、１０５０～１１００℃
成膜圧力（成膜室２０１内の圧力）：９０～１０５ｋＰａ、好ましくは、９０～９５ｋＰａ
ＧａＣｌガスの分圧：１．５～１５ｋＰａ
ＮＨ_３ガスの分圧／ＧａＣｌガスの分圧：２～６
Ｎ_２ガスの分圧／Ｈ_２ガスの分圧：１～２０

ＧａＮ結晶膜１４の膜厚は、目的に応じ、所定の幅を有する膜厚帯から適宜選択することができ、例えば、基板２０の外径をＤｃｍとした場合に、３Ｄμｍ、好ましくは１０Ｄμｍ以上の厚さとすることができる。ＧａＮ結晶膜１４の膜厚が３Ｄμｍ未満であると、隣接する基板１０の接合力が不足し、基板２０の自立状態が維持できなくなり、その後のステップを進行させることが不可能となる。

なお、ＧａＮ結晶膜１４の膜厚について特に上限はないが、ここで行う結晶成長は、あくまでも複数の基板１０を接合させて自立可能な状態とする目的に止めておくようにしてもよい。言い換えれば、ＧａＮ結晶膜１４の膜厚は、後述するステップ４（保持板剥がし、洗浄）において、互いに接合された基板１０からなる基板２０を保持板１２から取り外して洗浄等を行った状態であっても、隣接する基板１０の接合状態、すなわち、基板２０の自立状態が維持されるのに必要かつ最小の厚さに止めておくようにしてもよい。本実施形態のように、本格的な結晶成長工程としてステップ５を別途行うのであれば、ステップ３で成長させるＧａＮ結晶膜１４の膜厚を厚くしすぎると、成膜に用いる各種ガスの浪費や、ＧａＮ基板のトータルでの生産性低下を招いてしまう場合があるためである。このような観点から、ＧａＮ結晶膜１４の膜厚は、例えば、基板２０の外径をＤｃｍとした場合に、１００Ｄμｍ以下の厚さとしてもよい。

これらのことから、本実施形態では、基板１０の外径が２インチ、基板２０の外径が６～８インチである場合、ＧａＮ結晶膜１４の膜厚は、例えば４５０μｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは１５０μｍ以上２ｍｍ以下の範囲内の厚さとすることができる。

なお、ＧａＮ結晶膜１４によって基板１０を接合させる際、基板１０の側面のうち、他の基板１０の側面と対向する全ての面をＭ面又はａ面とし、かつ、互いに同一方位の面とすることで、それらの接合強度を高めることが可能となる。ＧａＮ結晶膜１４の膜厚を同一膜厚とする場合、隣接する基板１０を「Ｍ面又はａ面」以外の面同士で接合させた場合よりも、隣接する基板１０をＭ面同士又はａ面同士で接合させた場合、特にａ面同士で接合させた場合の方が、基板１０の接合強度を高めることが可能となる。

（ステップ４：保持板剥がし、洗浄）
ＧａＮ結晶膜１４の成長が完了し、隣接する基板１０が互いに接合された状態となったら、成膜室２０１内へＮＨ_３ガス、Ｎ_２ガスを供給し、成膜室２０１内を排気した状態で、ガス生成器２３３ａ内へのＨＣｌガスの供給、成膜室２０１内へのＨ_２ガスの供給、ヒータ２０７による加熱をそれぞれ停止する。そして、成膜室２０１内の温度が５００℃以下となったらＮＨ_３ガスの供給を停止し、その後、成膜室２０１内の雰囲気をＮ_２ガスへ置換して大気圧に復帰させるとともに、成膜室２０１内を搬出可能な温度にまで低下させた後、成膜室２０１内から組み立て基板１３を搬出する。

その後、隣接する基板１０が接合されてなる基板２０を保持板１２から引き剥がし、これらを分離させる（基板２０を自立させる）。

保持板１２の材料として、例えばＰＧのような材料（基板１０よりも表層が剥離しやすい材料）を用いた場合、図６（ｂ）に示すように、保持板１２の表層が犠牲層（剥離層）１２ａとなって薄く剥がれることで、保持板１２からの基板２０の自立が容易に行われるようになる。また、保持板１２の材料として、等方性黒鉛等からなる平板基材の表面をＰＧ等によりコーティングしてなる複合材料を用いた場合にも、同様の効果が得られるようになる。なお、ＰＧと比べて高価ではあるが、保持板１２の材料として、パイロリティックボロンナイトライド（ＰＢＮ）を用いた場合においても、同様の効果が得られる。また、保持板１２の材料として、例えば等方性黒鉛、Ｓｉ、石英、ＳｉＣ等の材料、すなわち、表層を犠牲層として作用させることができない材料を用いた場合であっても、接着剤１１の量を上述のように極少量とすれば、基板２０の面内方向に上述の応力が加わったとき、固化した接着剤１１を適正なタイミングで破断或いは剥離させることができる。これにより、保持板１２からの基板２０の自立が容易に行われるようになる。

自立させた基板２０の裏面（基板１０の裏面）に付着している接着剤１１および犠牲層１２ａは、フッ化水素（ＨＦ）水溶液等の洗浄剤を用いて除去する。これにより、図６（ｃ）に示すような自立状態の基板２０が得られる。基板２０は、その主面（ＧａＮ結晶膜１４の表面）が結晶成長用の下地面として用いられ、１００ｍｍ、さらには１５０ｍｍ（６インチ）を超える大径基板として、としてこの状態で市場に流通する場合がある。なお、基板２０の裏面の研磨を実施するまでは、その洗浄を実施した後であっても、接着剤１１や犠牲層１２ａの残留成分が付着した痕跡が、基板１０の裏面に残る場合がある。

（ステップ５：結晶成長、スライス）
本ステップでは、図５に示すＨＶＰＥ装置２００を用い、ステップ３と同様の処理手順により、自立した状態の基板２０の主面上に、第２結晶膜（本格成長膜）としてのＧａＮ結晶膜２１を成長させる。図７（ａ）に、基板２０の主面、すなわち、ＧａＮ結晶膜１４の表面上に、気相成長法によりＧａＮ結晶膜２１が厚く形成された様子を示す。

なお、本ステップの処理手順はステップ３とほぼ同様であるが、図７（ａ）に示すように、本ステップは、自立可能に構成された基板２０をサセプタ２０８上に直接載置した状態で行われる。すなわち、本ステップは、基板２０とサセプタ２０８との間に、保持板１２や接着剤１１が存在しない状態で行われる。このため、サセプタ２０８と基板２０との間の熱伝達が効率的に行われ、基板２０の昇降温に要する時間を短縮させることが可能となる。また、基板２０の裏面全体がサセプタ２０８に接触することから、基板２０が、その面内全域にわたり均等に加熱されるようになる。結果として、基板２０の主面、すなわち、結晶成長面における温度条件を、その面内全域にわたり均等なものとすることが可能となる。また、隣接する基板１０が一体に接合した状態で加熱処理が行われることから、隣接する基板１０間での直接的な熱伝達（熱交換）、すなわち、基板２０内における熱伝導が速やかに行われることになる。結果として、結晶成長面における温度条件を、その面内全域にわたってより均等なものとすることが可能となる。すなわち、本ステップでは、自立可能に構成された基板２０を用いて結晶成長を行うことから、結晶成長の生産性を高め、また、基板２０上に成長させる結晶の面内均一性等を向上させることが可能となる。

これに対し、図１１（ａ）に例示するように、保持板上に接着剤を介して複数の種結晶基板を並べて接着し後、その状態のまま、これら複数の種結晶基板上に結晶をそれぞれ成長させ、結晶成長を継続することで複数の結晶を一体化させるという代替手法も考えられる。すなわち、本願発明のような自立状態とするステップを経由せずに本格成長ステップを実施する手法も考えられる。しかしながら、この代替手法では、上述した種々の効果のうち、一部の効果が得られにくくなる場合がある。というのも、この手法では、サセプタから種結晶基板への熱伝達が、これらの間に介在する保持板や接着剤によって阻害されることがあり、本格成長ステップ等において、基板の加熱効率や冷却効率が低下しやすくなるという課題がある。また、この手法では、サセプタから基板へ向かう熱伝達の効率は、接着剤の塗布量や塗布位置などによって大きく影響を受けることから、この代替手法では、基板間における加熱効率や冷却効率が不揃いとなる（加熱効率や冷却効率の均一性が低下しやすくなる）といった課題もある。また、複数の種結晶基板を、隣接する種結晶基板間が離間した状態となるよう配置した場合（隣接する種結晶基板が一体に接合していない場合）、これら種結晶基板間での直接的な熱伝達（熱交換）が行われにくくなり、結果として、結晶成長面における温度条件が種結晶基板間で不揃いとなり、基板の面内温度均一性が低下しやすくなるといった課題もある。これらの結果、この代替手法では、本実施形態の手法に比べ、結晶成長の生産性が低下したり、最終的に得られる結晶の面内均一性が低下したりする場合がある。

このように、自立可能に構成された基板２０を用いる本実施形態の結晶成長の手法は、図１１（ａ）に例示されるような代替手法に比べ、生産性や品質の向上に非常に大きな利益をもたらすものといえる。なお、本実施形態では、自立可能に構成された基板２０の加熱を、サセプタ２０８上に載置された基板支持部材等の冶具上に載置した状態で行ってもよい。この冶具の基板載置面は平坦に構成されていることが好ましい。この場合であっても、基板２０とサセプタ２０８との間に接着剤１１が存在しない状態で基板２０の加熱が行われることから、図１１（ａ）に例示されるような代替手法に比べ、結晶成長の生産性や、最終的に得られる結晶の面内均一性を向上させることができる。

また、接着剤の塗布量や塗布位置のばらつきを避けるため、図１１（ｂ）に例示するように、保持板上に、接着層を一様な厚さで設け、その上に種結晶基板を平面配置するというさらなる代替手法も考えられる。しかしながら、この手法では、本格成長ステップで成長させる結晶への接着層による悪影響、例えば、接着層に含まれる成分の結晶中への拡散等を避けるため、接合部に彫り込み部を設けて接着層を除去したり、図１１（ｃ）に例示するように接合部にマスクを設けて接着剤（接着層）の影響を遮断したりする必要が生じ、製造プロセスの複雑化やコスト増加を招いてしまう恐れがある。また、彫り込み部を設ける上述の手法では、熱伝導率の低い空隙が種結晶基板間に形成されることから、種結晶基板間での熱交換が行われにくくなり、種結晶基板間の温度均一性が低下しやすくなる。結果として、本格成長ステップで成長させる結晶への悪影響、例えば、結晶性や成長レート等の面内均一性低下を招く恐れもある。

このように、自立可能に構成された基板２０を用いる本実施形態の結晶成長の手法は、図１１（ａ）～（ｃ）に例示されるような代替手法に比べ、生産性や品質の向上に非常に大きな利益をもたらすものといえる。

なお、ステップ５における処理条件は、上述したステップ３における処理条件と同様の条件とすることもできるが、これと異ならせることもできる。というのも、ステップ３における成膜処理は、基板１０の接合を主な目的として行うものである。そのため、ステップ３では、主面方向（ｃ軸方向）に向けた成長よりも、主面（ｃ面）に沿った方向（沿面方向）への成長を重視した条件下で結晶を成長させるのが好ましい。これに対し、ステップ５における成膜処理は、基板２０上にＧａＮ結晶膜２１を高速かつ厚く成長させることを主な目的として行うものである。そのため、ステップ５では、沿面方向に向けた成長よりも、主面方向に向けた成長を重視した条件下で結晶を成長させるのが好ましい。

上述の目的を達成する手法として、例えば、成膜室２０１内における雰囲気を、ステップ３とステップ５とで異ならせる手法がある。例えば、ステップ５での成膜室２０１内におけるＨ_２ガスの分圧のＮ_２ガスの分圧に対する比率（Ｎ_２／Ｈ_２）が、ステップ３での成膜室２０１内におけるＨ_２ガスの分圧のＮ_２ガスの分圧に対する比率（Ｎ_２／Ｈ_２）よりも小さくなるように設定する。これにより、ステップ３では沿面方向に向けた結晶成長が比較的活発となり、また、ステップ５では主面方向に向けた結晶成長が比較的活発となる。

また、上述の目的を達成する他の手法として、例えば、成膜温度をステップ３とステップ５とで異ならせる手法がある。例えば、ステップ５における成膜温度が、ステップ３における成膜温度よりも低くなるように設定する。これにより、ステップ３では沿面方向に向けた結晶成長が比較的活発となり、また、ステップ５では主面方向に向けた結晶成長が比較的活発となる。

また、上述の目的を達成するさらに他の手法として、例えば、ＮＨ_３ガスの供給流量のＧａＣｌガスの供給流量に対する比率（ＮＨ_３／ＧａＣｌ）をステップ３とステップ５とで異ならせる手法がある。例えば、ステップ５におけるＮＨ_３／ＧａＣｌ比率が、ステップ３におけるＮＨ_３／ＧａＣｌ比率よりも大きくなるように設定する。これにより、ステップ３では沿面方向に向けた結晶成長が比較的活発となり、また、ステップ５では主面方向に向けた結晶成長が比較的活発となる。

ステップ５を実施する際の処理条件としては、以下が例示される。
成膜温度（基板２０の温度）：９８０～１１００℃
成膜圧力（成膜室２０１内の圧力）：９０～１０５ｋＰａ、好ましくは、９０～９５ｋＰａ
ＧａＣｌガスの分圧：１．５～１５ｋＰａ
ＮＨ_３ガスの分圧／ＧａＣｌガスの分圧：４～２０
Ｎ_２ガスの分圧／Ｈ_２ガスの分圧：０～１

所望の膜厚のＧａＮ結晶膜２１を成長させた後、ステップ３終了時と同様の処理手順により成膜処理を停止し、ＧａＮ結晶膜２１が形成された基板２０を成膜室２０１内から搬出する。その後、ＧａＮ結晶膜２１をその成長面と平行にスライスすることにより、図７（ｂ）に示すように、円形状の外形を有するＧａＮ基板３０を１枚以上得ることができる。ＧａＮ基板３０も、１００ｍｍ以上、さらには１５０ｍｍ（６インチ）を超える大径の円形基板となる。なお、基板２０とＧａＮ結晶膜２１との積層構造全体をＧａＮ基板３０と考えることもできる。また、ＧａＮ結晶膜２１から基板２０を切り出す場合には、切り出した基板２０を用いてステップ５を再実施すること、すなわち、切り出した基板２０を再利用することもできる。

（２）窒化物結晶基板の構成
本実施形態では、上述したステップ１～５を実施することで、以下に説明する構成のＧａＮ基板３０を１枚以上得ることができる。

（高転位密度領域・低転位密度領域）
ＧａＮ基板３０は、基板１０の接合部の影響を間接的に受けることで、転位密度が相対的に大きくなっている高転位密度領域、すなわち、強度や品質が相対的に低下している領域を有する場合がある。高転位密度領域は、ＧａＮ結晶膜２１、すなわちＧａＮ基板３０における平均的な転位密度よりも大きな転位密度を有する領域、より具体的には平均的な転位密度の値よりも１桁程度大きな転位密度の値を有する領域のことである。このような高転位密度領域に対して、平均的な転位密度を有する領域については、以下、低転位密度領域という。なお、各領域の転位密度の値については、詳細を後述する。
高転位密度領域の存在は、表面に溝や段差が形成されることで目視できる場合もあるし、目視できない場合もある。目視できない場合であっても、後述するように例えば高転位密度領域の不純物濃度（特に酸素濃度）が高くなっていれば、紫外線照射を行う蛍光顕微鏡を用いて観察することで、その存在を確認することが可能である。また、目視できず、かつ、不純物濃度が高くなっていない場合であっても、例えば電子線を利用したカソードルミネッセンス（ＣＬ）法による検出を行うことで、その存在を確認することが可能である。
本実施形態のように基板１０の主面を正六角形とした場合、ＧａＮ基板３０が有する高転位密度領域は、図９に網掛けで示すように、平面形状が正六角形である輪郭形状を組み合わせたハニカムパターンを構成する。図９に示すように、高欠陥領域は、ＧａＮ基板３０の主面上に連続するように形成されることで、ＧａＮ基板３０の主面上に存在する低欠陥領域を区分けしているともいえる。また、このハニカムパターンは、ＧａＮ基板３０の主面の中心を通りこの主面に直交する軸を中心軸として基板２０を一回転させたとき、２回以上、本実施形態では６回の回転対称性を有しているともいえる。このハニカムパターンは、ＧａＮ結晶膜２１の厚さや成膜条件等に応じ、その形状がぼやけたり（輪郭が滲んだり）、変形したりする場合がある。特に、ＧａＮ結晶膜２１をスライスしてＧａＮ基板３０を複数枚取得する場合、ＧａＮ結晶膜２１の表面側から取得したＧａＮ基板３０において、その傾向が強くなる。

つまり、本実施形態のＧａＮ基板３０は、図９に示すように、その主面（すなわち表面または裏面）に、連続する高転位密度領域３１と、高転位密度領域３１によって区分けされる複数の低転位密度領域３２と、を有している。そして、高転位密度領域３１は、平面形状が正六角形である輪郭形状を組み合わせたハニカムパターンを構成することとなる。
なお、図９中には、高転位密度領域３１の部分拡大図を示している（図中の吹き出し部分参照）。この部分拡大図においては、ＧａＮ基板３０の主面に現れる転位の状態の一例を、実線および黒点によって模式的に示している。この部分拡大図から明らかなように、ＧａＮ基板３０の主面には、低転位密度領域３２における平均転位密度の値（例えば、５×１０^６個／ｃｍ^２以下）よりも１桁程度大きな平均転位密度の値（例えば、１×１０^７個／ｃｍ^２以上）を有する領域が、高転位密度領域３１として、基板１０の接合部に沿うように、ある程度の幅を持って存在しているのである。なお、ここでいう幅の大きさについては、特に限定されるものではなく、ＧａＮ基板３０の主面における転位密度の分布状態に応じて適宜特定されることになる。高転位密度領域３１における転位密度の分布状態については、詳細を後述する。

このような構成のＧａＮ基板３０は、基板１０を複数組み合わせて得られたものなので、大径化のニーズに容易かつ適切に対応し得るものとなる。具体的には、例えば直径が少なくとも１００ｍｍ以上、より詳しくは例えば外径４～６インチ程度の大径化に、容易かつ適切に対応し得るものとなる。

また、ＧａＮ基板３０は、主面に高転位密度領域３１を有しており、その高転位密度領域３１の存在を、目視可能であれば目視により、また目視できない場合であっても高転位密度領域３１の不純物濃度（特に酸素濃度）が高くなっていれば蛍光顕微鏡を用いた観察により、容易に確認することが可能である。このように、高転位密度領域３１の存在を容易に確認可能であれば、高転位密度領域３１と低転位密度領域３２とが混在している場合であっても、高転位密度領域３１をアンユーザブルエリア（非使用領域）とし、半導体デバイスを作製するためのユーザブルエリア（使用領域）として低転位密度領域３２を選択的に使用する、といったことが実現可能であることを意味する。つまり、強度や品質が相対的に良好である領域を専ら使用して半導体デバイスを作製し得るようになる。

しかも、高転位密度領域３１の存在を容易に確認することが可能であれば、その高転位密度領域３１の配置の規則性を利用することで、これによりＧａＮ基板３０の方向性についても判別することが可能となる。そのため、例えば、高転位密度領域３１を利用することで、オリエンテーションフラットやノッチ等に因らずにＧａＮ基板３０の向きを判断し得るようになり、オリエンテーションフラットやノッチ等（すなわち切断・廃棄する部分）を不要にすることが実現可能となる。さらには、主面の全域にわたって高転位密度領域３１が存在していることで、方向性の判別のみならず、より正確な位置合わせに利用することも可能となる。具体的には、例えば、アンユーザブルエリアである高転位密度領域３１を利用して半導体デバイス作製のためのマスクアライメントを精度良く行う、といったことが考えられる。

また、高転位密度領域３１は、不純物濃度（特に酸素濃度）が高くなっていれば、蛍光顕微鏡を用いた観察により確認できる。その場合において、ＧａＮ基板３０は、既に説明したように、基板２０上に形成されたＧａＮ結晶膜２１をスライスすることにより得られるものであるが（例えば図７（ｂ）参照）、その際に放電加工を用いた場合、すなわちＧａＮ基板３０を放電加工によって切り出した場合には、酸素等の不純物が異常放電を誘発させ得るため、主面に高転位密度領域３１が存在するという構成を顕在化させることができる。

なお、高転位密度領域３１の存在を目視できず、さらに不純物濃度に依拠した蛍光顕微鏡による観察でも確認できない場合であっても、例えばＣＬ法による検出を行えば、その存在を確認可能であることは、既に説明した通りである。

高転位密度領域３１によって区分けされる各低転位密度領域３２は、上述したように半導体デバイスを作製するための領域として使用され得ることから、それぞれが少なくとも１ｍｍ^２以上の面積を有しているものとし、好適には４ｍｍ^２以上、より好適には１００ｍｍ^２以上（例えば、１０×１０ｍｍ^２以上）の面積を有していることが好ましい。４ｍｍ^２以上の面積を有していれば、例えば作製しようとする半導体デバイスがパワーデバイス（電力用半導体素子）であっても、その一般的なチップサイズ（例えば２～３ｍｍ角程度）に対応し得るからであり、１００ｍｍ^２以上（例えば、１０×１０ｍｍ^２以上）の面積を有していれば、最大と考えられるパワーデバイスのチップサイズ（例えば１０ｍｍ角程度）にも十分に対応し得るからである。

また、各低転位密度領域３２については、半導体デバイスを作製するための領域として使用され得ることから、それぞれの表面における平均転位密度が５×１０^６個／ｃｍ^２以下、より好適には１×１０^６個／ｃｍ^２以下であることが好ましい。さらに、各低転位密度領域３２については、それぞれにおける平均キャリア濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上、より好適には２×１０¹⁸ｃｍ^-3～４×１０¹⁸ｃｍ^-3程度であることが好ましい。このような条件を満たすものであれば、各低転位密度領域３２は、半導体デバイスを作製するための領域として、非常に高品質なものとなるからである。なお、平均キャリア濃度が４×１０¹⁸ｃｍ^-3を超えてしまうと結晶性の悪化を招き得るようになるので、この点でも平均キャリア濃度は上記範囲内であることが好ましい。

ところで、ＧａＮ基板３０は、複数の基板１０を接合した後、その上にＧａＮ結晶膜２１を成長させることで得られたものであり、基板１０の接合部の影響を間接的に受けることで品質等が相対的に低下している高転位密度領域３１を有している。したがって、高転位密度領域３１では、転位密度のみならず、不純物濃度についても、接合部の影響を間接的に受けていることがあり得る。具体的には、接合部の影響により、高転位密度領域３１は、不純物濃度、特に酸素濃度が高くなっていることが考えられる。このことは、接合部の状態によっては、高転位密度領域３１の不純物濃度、特に酸素濃度を、低転位密度領域３２に比べて高くすることが可能になることを意味する。つまり、高転位密度領域３１と低転位密度領域３２とは、それぞれにおける平均不純物濃度（特に平均酸素濃度）に差があるものとすることができる。平均不純物濃度（特に平均酸素濃度）に差があれば、既に説明したように蛍光顕微鏡を用いて観察することで、高転位密度領域３１の存在を容易に確認することが可能となる。ただし、高転位密度領域３１と低転位密度領域３２とは、必ずしも平均不純物濃度（特に平均酸素濃度）に差が生じている必要はなく、それぞれの間で差が生じないように構成されたものであってもよい。

また、高転位密度領域３１では、転位密度のみならず、ＧａＮ基板３０を構成するＧａＮ結晶の結晶方位の傾き（すなわちオフ角）についても、接合部の影響を間接的に受けていることが考えられる。具体的には、以下に述べるような影響が考えられる。
高転位密度領域３１によって区切られる各低転位密度領域３２は、それぞれの領域内に結晶方位分布を有している。結晶方位分布は、低転位密度領域３２における結晶方位の傾き（オフ角）の分布のことをいうが、その分布の具体的態様については特に限定されるものではなく、領域内でオフ角の値が揃うようなものであってもよいし、オフ角の値が徐々に変動するようなものであってもよい。なお、ここでいうオフ角とは、ＧａＮ基板３０の主面の法線方向と、ＧａＮ基板３０を構成するＧａＮ結晶の主軸方向（主面に最も近い低指数面の法線方向）と、のなす角をいう。
これに対して、高転位密度領域３１は、低転位密度領域３２よりも大きな転位密度を有している。つまり、高転位密度領域３１には、低転位密度領域３２よりも多くの転位が存在している。したがって、高転位密度領域３１を挟んで隣り合う各低転位密度領域３２同士については、これらの間に高転位密度領域３１が介在することの影響により、結晶方位の分布（すなわちオフ角の値）の連続性が失われて不連続なものとなっていることが考えられる。
その一方で、高転位密度領域３１を挟んで隣り合う各低転位密度領域３２同士については、それぞれの結晶方位分布が不連続な場合であっても、結晶方位の傾き（オフ角）の差が例えば０．５°以内であるものとする。各低転位密度領域３２におけるオフ角は、配列された複数の基板１０の主面内におけるオフ角の影響を受けるが、各基板１０のオフ角のばらつき（全主面内におけるオフ角の最大値と最小値との差）が、既に説明したように、例えば０．３°以内、好ましくは０．１５°以内に抑えられているからである。また、隣り合う各低転位密度領域３２のオフ角の差が０．５°を超えていると、高転位密度領域３１が介在していても、これらの各領域が結合して１枚のＧａＮ基板３０を構成することが困難になり得るからである。

なお、高転位密度領域３１および低転位密度領域３２は、それぞれの領域区分によらず、連続した平滑な表面を有しているものとする。つまり、転位密度等に相違があっても、それぞれの表面は、連続した平滑面となっている。ＧａＮ基板３０は、既に説明したように、基板２０上に形成されたＧａＮ結晶膜２１をスライスすることにより得られるものだからである。

（極性反転区）
本実施形態のＧａＮ基板３０において、その主面は、高転位密度領域３１と低転位密度領域３２の別を問わず、極性反転区としてのインバージョンドメインを含まないものとなっている。インバージョンドメインとは、周囲の結晶とは極性が反転した領域を指す。

ここで、ＧａＮの極性について簡単に説明する。ＧａＮの結晶構造は、ｃ面に関して反転対称性を有さない。したがって、ｃ軸方向について極性を有し、＋ｃ軸方向と－ｃ軸方向とが区別され、＋ｃ軸方向の面がＧａ極性面またはＧａ面、－ｃ軸方向の面がＮ極性面またはＮ面と呼ばれる。このような結晶構造が配列された場合には、一方の面がＧａ極性面となり、その反対側の面がＮ極性面となるが、例えばＧａ極性面中にＮ極性面が混在していると、そのＮ極性面が存在する領域がインバージョンドメインとなる。

ＧａＮ結晶の成長において、例えば種結晶層としてのＧａＮ薄膜上にＳｉＯ_２等からなるマスクを形成した場合を考えると、マスクは極性を有さないので、そのマスク上にＧａＮ結晶の核が発生したときに、この核の上に形成されるＧａＮ結晶の極性を一定の方向に揃えるように制御することは困難である。したがって、かかる場合には、ＧａＮ結晶によって構成される基板の表面から裏面に至るようにインバージョンドメインが必然的に発生してしまうことになる。

これに対して、本実施形態のＧａＮ基板３０においては、オフ角のばらつきを抑えた複数の基板１０を配列してその上に基板２０を形成し、さらに基板２０上にＧａＮ結晶膜２１を形成し、そのＧａＮ結晶膜２１をスライスすることによりＧａＮ基板３０を得ている。つまり、ＧａＮ基板３０を構成するＧａＮ結晶については、その極性が一定の方向に揃うように制御されたものとなる。

したがって、本実施形態のＧａＮ基板３０は、その主面にインバージョンドメインを含まないもの、すなわち当該ＧａＮ基板３０を構成するＧａＮ結晶の極性が一定の方向に揃ったものとなるのである。

主面にインバージョンドメインを含まなければ、その主面は、半導体デバイスを作製するための領域として、非常に高品質なものとなる。例えば、インバージョンドメインが含まれていると、そのインバージョンドメインが存在する領域の上において異常成長が発生し得るが、インバージョンドメインを含まなければ、異常成長が発生するおそれを排除できるからである。

このようなインバージョンドメインの有無は、例えば、透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＴＥＭ）を用いた収束電子線回折（Ｃｏｎｖｅｒｇｅｎｔ Ｂｅａｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：ＣＢＥＤ）法を用いてＧａＮ結晶表面の極性を判定することにより判断できる。

（高転位密度領域の転位密度分布状態）
本実施形態のＧａＮ基板３０は、有限の領域である高転位密度領域３１を有している。高転位密度領域３１は、既に説明したように、低転位密度領域３２よりも大きな平均転位密度の値を有する領域であり、例えばＣＬ法による検出を行うことで存在を確認することが可能な領域である。

ここで、高転位密度領域３１における転位密度の分布状態について、ＣＬ法による検出結果の具体例を挙げつつ詳しく説明する。なお、ＣＬ法による検出は、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）と組み合わされてなる公知のＣＬ強度の空間マッピング描画装置を用いて行うことができる。

高転位密度領域３１についてのＣＬ法による検出は、例えば、図１３に示すように行った。具体的には、高転位密度領域３１を含むＧａＮ基板３０の面上につき、その高転位密度領域３１を中心（位置：０μｍ）として低転位密度領域３２にまで及ぶ範囲（位置：±６０μｍ）を、単位面積Ｓ＝５×１０^－６ｃｍ^２の複数領域に区分けした。そして、それぞれの領域について、存在する転位の個数（単位：個）を計数し、その計数結果から各領域における転位密度（単位：×１０^６ｃｍ^－２）を算出した。なお、各領域別の転位の個数および転位密度は図中に示している。

また、参考のために、低転位密度領域３２についても、ＣＬ法による検出を、例えば、図１４に示すように行った。具体的には、高転位密度領域３１を含まないＧａＮ基板３０の面上につき、上述した低転位密度領域３２の場合と同様に、複数領域に区分けした上で、それぞれの領域について、存在する転位の個数（単位：個）を計数し、その計数結果から各領域における転位密度（単位：×１０^６ｃｍ^－２）を算出した。なお、各領域別の転位の個数および転位密度は図中に示している。

図１３および図１４に示した検出結果をまとめると、図１５に示すような転位密度の分布状態が得られる。図１５は、横軸を基板上位置（μｍ）とし、縦軸を転位密度（ｃｍ^－２）とする座標空間上に、図１３および図１４に示したＣＬ法による検出結果をプロットしたものである。

図１５におけるプロット結果をフィッティングすると、低転位密度領域３２については基板上位置によらず転位密度の値が略一定（フラット）な分布状態を示す一方で、高転位密度領域３１については、その高転位密度領域３１の中心位置付近で転位密度の値が極大（ピーク）となるカーブを描くような分布状態を示すことがわかる。さらに詳しくは、高転位密度領域３１については、低転位密度領域３２から高転位密度領域３１に向けて転位密度の値が単調増加し、高転位密度領域３１の中心位置付近で転位密度の値のピークを超えると、高転位密度領域３１から低転位密度領域３２に向けて転位密度の値が単調減少する、という分布状態を示す。

つまり、本実施形態のＧａＮ基板３０は、主面に、高転位密度領域３１と、その高転位密度領域３１によって区分けされる複数の低転位密度領域３２と、を有するとともに、その高転位密度領域３１において、一方の低転位密度領域３２の側から転位密度の値がピークに向けて単調増加し、高転位密度領域３１の中心位置付近で転位密度の値のピークを超えると、他方の低転位密度領域３２の側に向けて転位密度の値がピークから単調減少する、という転位密度の分布状態を有している。

高転位密度領域３１は有限の領域であるが、その外縁（すなわち、低転位密度領域３２との境界）については、転位密度の値が単調増加または単調減少する分布状態に基づいて特定するようにしてもよい。
例えば、低転位密度領域３２は、既に説明したように、半導体デバイスを作製するための領域として使用され得ることから、平均転位密度が５×１０^６個／ｃｍ^２以下、より好適には１×１０^６個／ｃｍ^２以下であることが好ましい。これに基づき、低転位密度領域３２となり得る転位密度の閾値を設定した上で、転位密度の分布状態において閾値を超える部分を高転位密度領域３１とすれば、有限の領域である高転位密度領域３１の外縁を容易かつ的確に特定することができる。
このような外縁を有する低転位密度領域３２は、ある程度の幅を持ってＧａＮ基板３０の主面上に存在することになるが、その領域幅が例えば５０μｍ程度となる。
なお、転位密度の閾値設定は、上述の手法に限定されることはなく、例えば分布状態におけるピーク値の半値幅を用いるといったように、他の手法を用いて行っても構わない。

これに対して、本実施形態のＧａＮ基板３０とは異なり、複数の種結晶基板をある程度のギャップ（隙間）を設けて配置した上に結晶膜を成長させて各種結晶基板を接合せしめることで得られる基板や、各種結晶基板同士の接合箇所にマスクを形成して接合せしめることで得られる基板等では、転位密度の分布状態がピークに向けた単調増加またはピークからの単調減少とはならず、図１６に示すように転位密度の値のピーク前後に転位が確認されない凹状の落ち込みが存在する分布状態となる。これは、種結晶基板同士の接合箇所にギャップやマスク等が存在していると、結晶成長時にエピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース（ＥＬＯ）やペンデオエピタキシー等の影響が生じるためと考えられる。

ピーク前後に転位が確認されない凹状の落ち込みを有する分布状態の基板のように、急激に欠陥密度が変化する場合には、結晶面内に大きな歪み分布を伴う。このような歪み分布は、半導体デバイスを作製する際の機械加工等において破断を招いてしまうおそれがあり、著しく歩留りを低下させるという問題が生じ得る。

この点、本実施形態のＧａＮ基板３０によれば、転位密度の値が単調増加または単調減少する分布状態であるため、欠陥密度が段階的になだらかに変化することとなり、結晶面内に大きな歪み分布を伴うことなく、高転位密度領域３１と各低転位密度領域３２とを接合できていると考えられる。実際に、後述するように、高転位密度領域３１と低転位密度領域３２との接合部付近において、ラマン分光法を利用してＧａＮ結晶のＥ_２モードのラマンシフトのマッピングを取得してみると、シフト量の変化が全く見られず、各領域３１，３２のいずれも歪んでいないことが確認できた。

（高転位密度領域および低転位密度領域の歪み状態）
本実施形態のＧａＮ基板３０は、上述したように高転位密度領域３１と低転位密度領域３２で転位密度の分布状態が互いに異なる一方で、各領域３１，３２における歪み状態が実質的に同一である。ここでいう歪み状態とは、主として、ＧａＮ基板３０を構成するＧａＮ結晶の結晶格子の歪みの状態のことである。結晶格子の歪みの状態が実質的に同一であれば、その結晶格子によって構成される基板表面についても歪みの状態が実質的に同一となる。なお、結晶格子の歪みの状態は、例えば、ラマン分光法を利用することで検出が可能である。

ここで、高転位密度領域３１および低転位密度領域３２の歪み状態について、ラマン分光法を利用した検出結果の具体例を挙げつつ詳しく説明する。なお、ラマン分光法を利用した歪み状態の検出は、ＧａＮ基板３０に所定波長の光を照射して得られるラマン散乱光についてスペクトル解析をすることで行えばよい。このような検出は、公知の顕微ラマン分光装置を用いて行うことができる。

高転位密度領域３１および低転位密度領域３２の歪み状態の検出は、例えば、図１７に示すように行った。具体的には、高転位密度領域３１および低転位密度領域３２のそれぞれに対して、規則的に配列された複数の評価点（図中の白色点、例えば５０×５０点）を設定した。このとき、各評価点を含むマッピング測定範囲（図中の白枠内）には、顕微ラマン分光装置の光学顕微鏡像のピント合わせのために、異物３３の付着箇所を含めるようにした。そして、各評価点のそれぞれにおいて、励起光源として所定波長（例えば、５３２ｎｍ）の単色レーザー光を照射し、これにより得られるラマン散乱光を検出し、その検出結果についてスペクトル解析をすることで、歪み状態の検出を行った。このスペクトル解析にて、いわゆるラマンスペクトルが得られる。

図１８は、５６７ｃｍ^－１付近のピークＥ_２（ｈｉｇｈ）モードのシフトピークを有するラマンスペクトルについて、全評価点で得られたものを重ね書きした結果の一例を示している。ここで示す重ね書き結果によれば、重ね書きされた各ラマンスペクトルの中には、シフトピークが弱かったり、若干のシフトが見られたりするラマンスペクトルが存在するが、これらは異物３３の影響によるものと考えられ、異物３３による影響以外にＥ_２モードのシフト量の変化が見られない。つまり、異物３３の付着箇所を除けば、高転位密度領域３１および低転位密度領域３２のいずれにおいても、同様のラマンスペクトルが得られている。

図１９は、各評価点で得られたＥ_２モードのシフトピークを平面的にマッピングしたの一例を示している。なお、シフトピークの違いは、各評価点における表示明度の違いによって表している。ここで示すマッピング結果によれば、異物３３の付着箇所で若干のシフトが見られるが、それ以外の箇所は略同様の表示明度となっている。つまり、異物３３の付着箇所を除けば、高転位密度領域３１および低転位密度領域３２のいずれにおいても、同様のシフトピークが得られている。

これらのことから、本実施形態のＧａＮ基板３０は、高転位密度領域３１のラマンスペクトルにシフト変化がなく、その高転位密度領域３１におけるＧａＮ結晶の結晶格子に歪みがないことがわかる。また、本実施形態のＧａＮ基板３０は、高転位密度領域３１と同様に、低転位密度領域３２におけるＧａＮ結晶の結晶格子にも歪みがないことがわかる。

つまり、本実施形態のＧａＮ基板３０は、高転位密度領域３１と低転位密度領域３２とで転位密度の分布状態が異なるが、ＧａＮ結晶の結晶格子の歪み状態については、各領域３１，３２とも結晶格子に歪みがなく、各領域３１，３２で実質的に同一となっている。ここで、実質的に同一とは、各領域３１，３２で歪み状態が完全に一致する場合の他に、例えば異物３３の付着や測定誤差等を考慮すれば技術常識の範囲内で同一視して取り扱っても支障が生じない程度の差が生じている場合を含む。

このように、高転位密度領域３１と低転位密度領域３２とでＧａＮ結晶の結晶格子の歪み状態が実質的に同一であり、かつ、各領域３１，３２のいずれも結晶格子に歪みがない状態であれば、その結晶格子によって構成されるＧａＮ基板３０の基板表面についても各領域３１，３２に歪みがない状態となる。したがって、ＧａＮ基板３０は、複数の低転位密度領域３２を区分けする高転位密度領域３１が各低転位密度領域３２を歪みなく接合したものとなる。

これに対して、本実施形態のＧａＮ基板３０とは異なり、複数の種結晶基板をある程度のギャップ（隙間）を設けて配置した上に結晶膜を成長させて各種結晶基板を接合せしめることで得られる基板や、各種結晶基板同士の接合箇所にマスクを形成して接合せしめることで得られる基板等では、種結晶基板同士の接合箇所においてＧａＮ結晶の結晶格子の歪みが発生してしまうおそれがある。これは、種結晶基板同士の接合箇所にギャップやマスク等が存在していると、結晶成長時にＥＬＯやペンデオエピタキシー等の影響が生じるためと考えられる。このような部分的な結晶格子の歪みは、基板表面の歪みを招き得る。

この点、本実施形態のＧａＮ基板３０によれば、高転位密度領域３１が低転位密度領域３２を区分けする構成であっても、各領域３１，３２のいずれも歪みがない状態となるので、基板全体で歪みがない状態となり、特に直径が１００ｍｍ以上となる基板大径化に対応する上で非常に好適なものとなり、その結果として半導体デバイス作製の効率化が図れるようになる。

（３）本実施形態により得られる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果が得られる。

（ａ）ＧａＮ基板３０の主面に高転位密度領域３１と低転位密度領域３２を有するとともに、その主面が極性反転区としてのインバージョンドメインを含まないものであれば、大径化のニーズに対応しつつ、良質なＧａＮ基板３０を得ることが可能となる。
より詳しくは、高転位密度領域３１と低転位密度領域３２を有するということは、基板１０を複数組み合わせて得られた結果物であること、すなわち大径化のニーズに容易かつ適切に対応し得ることの表れであると言える。
また、高転位密度領域３１と低転位密度領域３２を有していれば、高転位密度領域３１をアンユーザブルエリア（非使用領域）とし、半導体デバイスを作製するためのユーザブルエリア（使用領域）として低転位密度領域３２を選択的に使用する、といったことが実現可能となる。しかも、インバージョンドメインを含まなければ、異常成長が発生するおそれを排除できる。したがって、かかる構成の主面は、半導体デバイスを作製するための領域として非常に高品質なものである。

（ｂ）低転位密度領域３２を区切る高転位密度領域３１が存在しており、しかもその高転位密度領域３１の存在を容易に確認し得る場合であれば、その配置の規則性を利用することで、ＧａＮ基板３０の方向性について判別することが可能となる。そのため、例えば、オリエンテーションフラットやノッチ等に因らずにＧａＮ基板３０の向きを判断し得るようになり、オリエンテーションフラットやノッチ等（すなわち切断・廃棄する部分）を不要にすることが実現可能となる。さらには、主面の全域にわたって高転位密度領域３１が存在していることで、方向性の判別のみならず、より正確な位置合わせに利用することも可能となる。具体的には、例えば、アンユーザブルエリアである高転位密度領域３１を利用して半導体デバイス作製のためのマスクアライメントを精度良く行う、といったことが考えられる。

（ｃ）高転位密度領域３１が転位密度のみならず不純物濃度（特に酸素濃度）についても高い領域である場合には、ＧａＮ基板３０を放電加工によって切り出せば、主面に高転位密度領域３１が存在するという構成を顕在化させることができる。したがって、高転位密度領域３１が存在することによって奏する効果を、確実なものとすることができる。

（ｄ）各低転位密度領域３２が少なくとも１ｍｍ^２以上の面積を有していれば、半導体デバイスを作製するための領域として好ましいものとなる。さらに、好適には４ｍｍ^２以上、より好適には１００ｍｍ^２以上（例えば、１０×１０ｍｍ^２以上）の面積を有していれば、例えば作製しようとする半導体デバイスがパワーデバイス（電力用半導体素子）であっても、そのチップサイズ（例えば２～３ｍｍ角程度、最大で１０ｍｍ角程度）に十分に対応することができる。したがって、かかる構成の主面を有するＧａＮ基板３０は、半導体デバイスを作製するためのものとして、非常に高品質なものとなる。

（ｅ）ＧａＮ基板３０の製造にあたり、比較的小径の基板１０を複数組み合わせることで、基板２０の外径や形状を任意に変更することが可能となる。この場合、基板２０を大径化させたとしても、その主面内におけるオフ角のばらつきの増加を抑制することが可能となる。例えば、基板２０全体での主面内におけるオフ角のばらつきを、それぞれの基板１０の主面内におけるオフ角のばらつきと同等以下とすることが可能となる。このように、オフ角のばらつきの少ない大径の基板２０を用いることで、高品質なＧａＮ基板３０を製造することが可能となる。図１０は、正六角形の種結晶基板を複数組み合わせることで得られた結晶成長用基板の一構成例を示す写真である。ここに示す結晶成長用基板の直径は約１６ｃｍであるが、結晶成長用基板全体での主面内におけるオフ角のばらつきは、この基板を構成する各種結晶基板の主面内におけるオフ角のばらつきと同等以下であることを確認済みである。このように、オフ角のばらつきの小さい大径の結晶成長用基板は、本実施形態に例示した知見がなくては製造困難な基板であるといえる。

（ｆ）基板１０の平面形状を正六角形とすることで、基板１０を組み合わせたハニカムパターンは、２回以上、本実施形態では６回の回転対称性を有することとなる。これにより、基板２０に含まれる欠陥や歪み、すなわち、隣接する基板１０の接合部の影響を受けることで生じた欠陥や歪みを、その面内にわたり均等に（６回の回転対称性を有するように）分散させることが可能となる。その結果、これを用いて作製されたＧａＮ基板３０についても同様の効果が得られ、この基板を、反りの分布が面内にわたって均等であり、割れにくい良質な基板とすることが可能となる。

（ｇ）基板１０の平面形状を正六角形とすることで、複数の基板１０は、平面視において相互に噛み合わせるように配置することとなる。これにより、ステップ３やその後の工程における基板１０の配列ずれを抑制できるようになる。結果として、基板１０間の接合強度を高めたり、これらの上に成長させるＧａＮ結晶膜１４，２１の品質を向上させたりすることが可能となる。

（ｈ）基板１０の側面のうち、他の基板１０の側面と対向する面の全てをＭ面又はａ面であって、かつ、互いに同一方位の面とすることで、ステップ３（結晶成長工程）で隣接する基板１０を接合させる際、その接合強度を高めることが可能となる。例えば、基板１０をＭ面同士又はａ面同士で接合させること、特にａ面同士で接合させることで、これらを「Ｍ面又はａ面」以外の面同士で接合させる場合よりも、その接合強度を高めることが可能となる。

（ｉ）基板５から基板１０を取得する際、基板５の裏面に予め凹溝を形成することで、基板５を制御性よく劈開させることが可能となる。これにより、基板１０の側面を、例えばａ面同士で接合させる場合であっても、当該ａ面（すなわち劈開しにくい面）で劈開させることが可能となる。

（ｊ）複数の基板１０を保持板１２上に接着させた状態（接着剤１１を固化させた状態）でＧａＮ結晶膜１４の結晶成長を行うことから、その過程での基板１０の配列ずれを抑制でき、基板１０間の接合強度を高めたり、これらの上に成長させる結晶の品質を向上させたりすることが可能となる。また、接着剤１１を用いずに、基板１０を外周から治具で固定することで保持板１２上に固定する場合に比べ、基板１０間の接合強度を高めたり、これらの上に成長させる結晶の品質を向上させたりすることが可能となる。というのも、治具を用いる場合、少なくとも室温において、並べられた基板１０にはその配列方向に沿って圧力が加わることとなる。すると、成膜温度では熱膨張の影響によりその圧力が増大し、基板１０の配列が崩れたり、主面が同一平面上に存在し得なくなったり、基板１０にチッピングやクラックが発生したりし、さらに、その際に発生したパーティクルが主面上に乗ったりする場合がある。接着剤１１を用いて基板１０を接着することで、これらの課題を回避することが可能となる。

（ｋ）複数の基板１０を保持板１２上に接着させた状態（接着剤１１を固化させた状態）で結晶成長を行うことから、各基板１０上に成長する結晶が相互作用することで基板１０に応力が加わったとしても、基板１０の位置ずれ等を回避できるようになる。結晶成長を進行させると、各基板１０上に成長する結晶の成長面が連続した面となるように、すなわち、基板１０を傾けたり持ち上げたりするように相互作用が働くことになるが、本実施形態のように接着剤１１を固化させた状態で結晶成長を行うことで、その過程で基板１０が傾いたり持ち上がったりすることを回避できるようになる。結果として、最終的に得られる基板２０の反りを抑制することができ、基板２０の主面全体におけるオフ角のばらつきの増加を回避することができるようになる。

（ｌ）保持板１２の材料として、例えば等方性黒鉛やパイロリティックグラファイトのような材料を用いることで、保持板１２からの基板２０の自立を容易に行うことが可能となる。特に、パイロリティックグラファイトや上述した複合材料を保持板１２の材料として用いることで、保持板１２の表層を犠牲層１２ａとして作用させることができ、基板２０の自立をさらに容易に行うことが可能となる。

（ｍ）基板２０を円板状とすることで、基板２０上に成長させる結晶の面内均一性を向上させることが可能となる。これは、本実施形態のようにＨＶＰＥ装置２００内で基板２０を回転させて気相成長を行う際、基板２０を円板状とすることで、基板２０の面内における原料ガスなどの供給条件を均等なものとすることが可能となるためである。これに対し、図１２（ａ）に示すような短冊状の種結晶基板を接合させてなる矩形状の結晶成長用基板を用いる場合や、図１２（ｂ）に示すような、同一寸法、同一形状の六角形の種結晶基板を接合させてなるハニカム形状の結晶成長用基板を用いる場合、それらの内周側（ゾーンＡ）と外周側（ゾーンＢ）とで、原料ガス等の供給量や消費量、温度等の諸条件に差異が生じやすくなる。そのため、これらの場合には、本実施形態のように結晶の面内均一性を高めることは困難となる。

（ｎ）高転位密度領域３１における転位密度の分布状態がピークに向けた単調増加またはピークからの単調減少であれば、高転位密度領域３１の外縁を容易かつ的確に特定することができる。また、複数の種結晶基板をある程度のギャップ（隙間）を設けて配置した上に結晶膜を成長させて各種結晶基板を接合せしめることで得られる基板や、各種結晶基板同士の接合箇所にマスクを形成して接合せしめることで得られる基板等とは異なり、結晶成長時にＥＬＯやペンデオエピタキシー等の影響が生じることがなく、結晶面内に大きな歪み分布を伴うことがないので、半導体デバイスを作製する際の歩留まり向上が図れるようになる。

（ｏ）高転位密度領域３１が低転位密度領域３２を区分けする構成のＧａＮ基板３０において、各領域３１，３２で転位密度の分布状態が互いに相違するにもかかわらず、各領域３１，３２における歪み状態が実質的に同一であり、各領域３１，３２のいずれも歪みがない状態となっていれば、基板全体で歪みがない状態となるので、特に直径が１００ｍｍ以上となる基板大径化に対応する上で非常に好適なものとなり、その結果として半導体デバイス作製の効率化が図れる。

＜他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

（ａ）上述の実施形態では、基板１０を組み合わせたハニカムパターンが、基板２０の主面の中心を通りその主面に直交する軸を中心軸として基板２０を一回転させたとき、６回の対称性を有する場合について説明した。しかしながら、本発明はこのような態様に限定されない。

例えば、図３（ａ）に示すように、基板１０を組み合わせたハニカムパターンが３回の回転対称性を有する場合であっても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。但し、図２（ａ）に示す配列の方が、図３（ａ）に示す配列よりも、基板２０に含まれる欠陥や歪みをその面内にわたりより均等に分散させることが可能となる点で好ましい。またその結果、最終的に得られるＧａＮ基板３０についても同様の効果が得られ、この基板を、反りの分布が面内にわたってより均等であり、より割れにくい良質な基板とすることが可能となる点で、好ましい。

また例えば、図４（ａ）に示すように、基板１０を組み合わせたハニカムパターンが２回の回転対称性（すなわち線対称性）を有する場合であっても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。但し、図２（ａ）や図３（ａ）に示す配列の方が、図４（ａ）に示す配列よりも、基板２０に含まれる欠陥や歪みをその面内にわたりより均等に分散させることが可能となる点で好ましい。またその結果、最終的に得られるＧａＮ基板３０についても同様の効果が得られ、この基板を、反りの分布が面内にわたってより均等であり、より割れにくい良質な基板とすることが可能となる点で、好ましい。

（ｂ）上述の実施形態では、基板１０の側面のうち、他の基板１０の側面と対向する全ての面をａ面とする場合について説明した。しかしながら、本発明はこのような態様に限定されず、ａ面以外の面で接合させるようにしてもよい。

（ｃ）基板１０の側面のうち、他の基板１０の側面と対向する全ての面をＭ面としてもよい。Ｍ面は劈開させやすい面であることから、基板５から基板１０を、低コストで効率よく作製することが可能となる。

この場合、複数の基板５を用意する際に、それぞれの基板５の主面内におけるオフ角のばらつき（オフ角の最大値と最小値との差）が０．１°未満であり、かつ、複数の基板５間におけるオフ角のばらつき（オフ角の最大値と最小値との差）が０．１°未満とするのが好ましい。これにより、隣接する基板１０の接合強度を充分に高めることが可能となる。

また、この場合、隣接する基板１０の厚さを異ならせ、これらの主面の高さにギャップを設けることでも、隣接する基板１０の接合強度を高めることが可能となる。これは、主面の高さにギャップを設けることで、隣接する基板１０の接合部周辺におけるガス流を乱す（接合部周辺にガスの滞留を生じさせる）ことができ、これにより、接合部周辺での結晶成長を局所的に促進させることが可能となるためである。また、主面の高さにギャップを設けることで、接合部周辺を流れるガス流の向き等を適正に制御することができ、これにより、沿面方向に向けた結晶成長を促進させることができるためである。

（ｄ）上述の実施形態では、保持板１２と基板１０とを異なる材料により構成し、これらを接着剤１１を用いて接合する場合について説明した。しかしながら、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、ＧａＮ多結晶からなる基板（ＧａＮ多結晶基板）を保持板１２として用い、保持板１２と基板１０とを接着剤１１を介さずに直接接合するようにしてもよい。例えば、ＧａＮ多結晶からなる保持板１２の表面をプラズマ処理することでその主面をＯＨ基で終端させ、その後、保持板１２の主面上に基板１０を直接載置することで、これらを一体に接合させることができる。そして、保持板１２と基板１０とが接合されてなる積層体をアニール処理することで、保持板１２と基板１０との間に残留する水分等を除去することができ、この積層体を、上述の組み立て基板１３、或いは、基板２０として好適に用いることが可能となる。

（ｅ）上述の実施形態では、ステップ３，５において結晶成長法としてハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）を用いる場合について説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、ステップ３，５のうちいずれか、或いは、両方において、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等のＨＶＰＥ法以外の結晶成長法を用いるようにしてもよい。この場合であっても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。

（ｆ）上述の実施形態では、保持板１２から引き剥がすことで自立させた基板２０を用意し、これを用いてＧａＮ結晶膜２１を成長させてＧａＮ基板３０を製造する場合について説明した。しかしながら、本発明はこのような態様に限定されない。すなわち、組み立て基板１３を用意した後、図８（ａ）に示すように基板１０上にＧａＮ結晶膜１４を厚く成長させ、その後、図８（ｂ）に示すようにＧａＮ結晶膜１４をスライスすることで１枚以上のＧａＮ基板３０を取得するようにしてもよい。すなわち、基板２０を自立させる工程を経ることなく、組み立て基板１３の用意からＧａＮ基板３０の製造までを一貫して行うようにしてもよい。この場合、上述の実施形態とは異なり、基板１０の加熱が保持板１２や接着剤１１を介して行われることから、加熱効率が低下する。しかしながら、他の点では、上述の実施形態とほぼ同様の効果が得られる。この場合、ステップ３の気相成長工程を省略してもよい。また、ステップ３，５の成長条件を上述のように異ならせ、これらのステップをそれぞれ省略せずに行うようにしてもよい。

（ｇ）上述の実施形態では、隣接する基板１０を接合させて基板２０として用いる場合、すなわち、基板２０が基板１０を含む場合について説明した。しかしながら、本発明はこのような態様に限定されない。すなわち、上述のように厚く成長させたＧａＮ結晶膜１４をスライスすることで得られた１枚以上の基板のそれぞれを、基板２０として用いるようにしてもよい。この場合であっても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。

なお、このようにして得られた基板２０は、上述の実施形態とは異なり基板１０をその構成に含まないが、ＧａＮ基板３０と同様、基板１０の接合部の影響を間接的に受けることで、転位密度が相対的に大きくなっている高転位密度領域、すなわち強度や品質が相対的に低下している領域を有する場合がある。基板１０の主面を正六角形とした場合、図９に網掛けで示すように、高欠陥領域がハニカムパターンを構成し、６回の回転対称性を有する点は、上述した通りである。

（ｈ）本発明は、ＧａＮに限らず、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）等の窒化物結晶、すなわち、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ（０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式で表されるＩＩＩ族窒化物結晶からなる基板を製造する際にも、好適に適用可能である。

＜本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様について付記する。

（付記１）
直径が１００ｍｍ以上の窒化物結晶からなる窒化物結晶基板であって、
主面に、連続する高転位密度領域と、前記高転位密度領域によって区分けされる複数の低転位密度領域と、を有するとともに、
前記主面は極性反転区を含まない
窒化物結晶基板。

（付記２）
前記複数の低転位密度領域は、それぞれが少なくとも１ｍｍ^２以上の面積を有する
付記１に記載の窒化物結晶基板。

（付記３）
前記複数の低転位密度領域は、それぞれが１００ｍｍ^２以上の面積を有する
付記２に記載の窒化物結晶基板。

（付記４）
前記高転位密度領域は、平面形状が正六角形である輪郭形状を組み合わせたハニカムパターンを構成する
付記１から３のいずれかに記載の窒化物結晶基板。

（付記５）
前記複数の低転位密度領域は、それぞれにおける平均転位密度が５×１０^６個／ｃｍ^２以下である
付記１から４のいずれかに記載の窒化物結晶基板。

（付記６）
前記複数の低転位密度領域は、それぞれにおける平均キャリア濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上である
付記１から５のいずれかに記載の窒化物結晶基板。

（付記７）
前記複数の低転位密度領域は、それぞれの領域内に結晶方位分布を有しており、
前記高転位密度領域を挟んで隣り合う前記低転位密度領域同士は、前記結晶方位分布が不連続である
付記１から６のいずれかに記載の窒化物結晶基板。

（付記８）
前記低転位密度領域同士は、結晶方位の傾きの差が０．５°以内である
付記７に記載の窒化物結晶基板。

（付記９）
前記高転位密度領域および前記低転位密度領域は、それぞれの領域区分によらず連続した平滑な表面を有する
付記１から８のいずれかに記載の窒化物結晶基板。

（付記１０）
前記高転位密度領域と前記低転位密度領域とは、それぞれにおける平均不純物濃度に差がある
付記１から９のいずれかに記載の窒化物結晶基板。

（付記１１）
前記高転位密度領域は、転位密度の値がピークに向けた単調増加またはピークからの単調減少となる転位密度の分布状態を有する
付記１から１０のいずれかに記載の窒化物結晶基板。

（付記１２）
前記高転位密度領域および前記低転位密度領域における歪み状態が実質的に同一である
付記１１に記載の窒化物結晶基板。

（付記１３）
前記歪み状態は、ラマン分光法を利用した検出結果から特定される状態である
付記１２に記載の窒化物結晶基板。

（付記１４）
窒化物結晶を成長させる下地面を有する結晶成長用基板であって、
主面が互いに平行となり、側面が互いに対向するように平面状に配置された、窒化物結晶からなる複数の種結晶基板を有し、
複数の前記種結晶基板のうち、少なくとも前記結晶成長用基板の周縁部以外の部分を構成する基板は、平面形状が正六角形である主面を有し、
前記種結晶基板を組み合わせたハニカムパターンは、前記結晶成長用基板の主面の中心を通り前記主面に直交する軸を中心軸として前記結晶成長用基板を一回転させたとき、３回以上の対称性を有する結晶成長用基板。

（付記１５）
前記ハニカムパターンは、前記軸を中心軸として前記結晶成長用基板を一回転させたとき、６回の対称性を有する付記１４に記載の結晶成長用基板。

（付記１６）
前記種結晶基板の側面のうち、他の種結晶基板の側面と対向する全ての面がＭ面であり、かつ、互いに同一方位の面（等価な面）である付記１４又は１５に記載の結晶成長用基板。

（付記１７）
前記種結晶基板の側面のうち、他の種結晶基板の側面と対向する全ての面がａ面であり、かつ、互いに同一方位の面（等価な面）である付記１４又は１５に記載の結晶成長用基板。

（付記１８）
前記種結晶基板は、前記種結晶基板よりも大きな外径を有する結晶基板が加工（結晶基板からその周縁部が除去）されてなり、
前記種結晶基板の側面は、前記結晶基板の裏面に凹溝を形成することで生じた融解面（レーザ加工面）或いは切削面（機械加工面）と、前記凹溝に沿って前記結晶基板を劈開させることで生じた劈開面と、を有し、
複数の前記種結晶基板は、それらの側面のうち少なくとも前記劈開面が互いに対向するように配置されている付記１４から１７のいずれかに記載の結晶成長用基板。

（付記１９）
種結晶基板上に成長させた結晶膜を有する結晶成長用基板であって、
前記結晶膜は、前記結晶膜における平均的な転位密度（或いは欠陥密度）よりも大きな転位密度（或いは欠陥密度）を有する高転位密度領域（高欠陥領域）を有し、
前記高転位密度領域は、平面形状が正六角形である輪郭形状を組み合わせたハニカムパターンを構成しており、
前記ハニカムパターンは、前記結晶成長用基板の主面の中心を通り前記主面に直交する軸を中心軸として前記結晶成長用基板を一回転させたとき、３回以上の対称性を有する結晶成長用基板。

好ましくは、
窒化物結晶を成長させる下地面を有する結晶成長用基板であって、
主面が互いに平行となり、側面が互いに対向するように平面状に配置された窒化物結晶からなる複数の種結晶基板上に成長させた結晶膜を有し、
前記結晶膜は、前記種結晶基板の接合部の影響を受けることで、前記結晶膜における平均的な転位密度（或いは欠陥密度）よりも大きな転位密度（或いは欠陥密度）を有する高転位密度領域（高欠陥領域）を有し、
前記高転位密度領域は、複数の前記種結晶基板のうち、少なくとも周縁部以外の部分を構成する基板の主面が正六角形の平面形状を有することでハニカムパターンを構成しており、
前記ハニカムパターンは、前記結晶成長用基板の主面の中心を通り前記主面に直交する軸を中心軸として前記結晶成長用基板を一回転させたとき、３回以上の対称性を有する結晶成長用基板。

（付記２０）
結晶成長用基板上に成長させた結晶膜を有する窒化物結晶基板であって、
前記結晶膜は、前記結晶膜における平均的な転位密度（或いは欠陥密度）よりも大きな転位密度（或いは欠陥密度）を有する高転位密度領域（高欠陥領域）を有し、
前記高転位密度領域は、平面形状が正六角形である輪郭形状を組み合わせたハニカムパターンを構成しており、
前記ハニカムパターンは、前記窒化物結晶基板の主面の中心を通り前記主面に直交する軸を中心軸として前記窒化物結晶基板を一回転させたとき、３回以上の対称性を有する窒化物結晶基板。

好ましくは、
付記１４から１９のいずれかに記載の結晶成長用基板上に成長させた結晶膜を有する窒化物結晶基板であって、
前記結晶膜は、前記種結晶基板の接合部の影響を受けることで、前記結晶膜における平均的な転位密度（或いは欠陥密度）よりも大きな転位密度（或いは欠陥密度）を有する高転位密度領域（高欠陥領域）を有し、
前記高転位密度領域は、複数の前記種結晶基板のうち少なくとも周縁部以外の部分を構成する基板の主面が正六角形の平面形状を有することでハニカムパターンを構成しており、
前記ハニカムパターンは、前記窒化物結晶基板の主面の中心を通り前記主面に直交する軸を中心軸として前記窒化物結晶基板を一回転させたとき、３回以上の対称性を有する窒化物結晶基板。

（付記２１）
窒化物結晶からなる複数の種結晶基板を、それらの主面が互いに平行となり、それらの側面が互いに対向するように平面状に配置させる工程を経ることで、結晶成長用の下地面を有する結晶成長用基板を作製する工程と、
前記結晶成長用基板上に結晶膜を成長させる工程と、
前記結晶成長用基板上に成長した前記結晶膜をスライスして窒化物結晶基板を得る工程と、を有し、
前記結晶成長用基板を作製する工程では、
複数の前記種結晶基板のうち少なくとも（前記結晶成長用基板の）周縁部以外の部分を構成する基板として、主面の平面形状が正六角形であり、かつ、少なくとも１ｍｍ^２以上の面積を有する基板を用い、
前記種結晶基板を組み合わせたハニカムパターンを、前記結晶成長用基板の主面の中心を通り前記主面に直交する軸を中心軸として前記結晶成長用基板を一回転させたとき、３回以上の対称性を有する形状とし、
前記窒化物結晶基板を得る工程では、主面に、連続する高転位密度領域と、前記高転位密度領域によって区分けされる複数の低転位密度領域と、を有するとともに、前記主面が極性反転区を含まないように構成された前記窒化物結晶基板を得る
窒化物結晶基板の製造方法。

好ましくは、
窒化物結晶からなる複数の種結晶基板を、それらの主面が互いに平行となり、それらの側面が互いに対向するように平面状に配置させる工程を経て結晶成長用基板を製造する際、
複数の前記種結晶基板のうち少なくとも前記結晶成長用基板の周縁部以外の部分を構成する基板として、主面の平面形状が正六角形である基板を用い、
前記種結晶基板の接合部からなるハニカムパターンを、前記結晶成長用基板の主面の中心を通り前記主面に直交する軸を中心軸として前記結晶成長用基板を一回転させたとき、３回以上の対称性を有する形状とする
結晶成長用基板の製造方法。

（付記２２）
複数の前記種結晶基板が接着剤を介して保持板上に接着されてなる組み立て基板を用意する工程と、
前記組み立て基板を加熱して前記種結晶基板上に結晶膜を成長させる工程と、
隣接する種結晶基板が前記結晶膜により接合されてなる前記結晶成長用基板を自立させる工程と、を有し、
前記結晶成長用基板を自立させる工程では、前記保持板のうちその表層（のみを）を剥離することで、前記結晶成長用基板と前記保持板とを分離させる
結晶成長用基板の製造方法。

（付記２３）
前記保持板の材料として、前記種結晶基板を構成する結晶と同等或いはそれより小さい線膨張係数を有する材料を用いる
付記２２に記載の結晶成長用基板の製造方法。

（付記２４）
前記保持板の材料として、前記結晶膜を構成する結晶と同等或いはそれより小さい線膨張係数を有する材料を用いる
付記２２又は２３に記載の結晶成長用基板の製造方法。

（付記２５）
前記接着剤の材料として、前記種結晶基板を構成する結晶と近い線膨張係数を有する材料を用いる
付記２２から２４のいずれかに記載の結晶成長用基板の製造方法。

（付記２６）
前記接着剤の材料として、前記結晶膜を構成する結晶と近い線膨張係数を有する材料を用いる
付記２２から２５のいずれかに記載の結晶成長用基板の製造方法。

（付記２７）
前記保持板の材料として、等方性黒鉛、異方性黒鉛、および、等方性黒鉛からなる平板基材の表面を異方性黒鉛により被覆してなる複合材料のうちいずれかを用い、
前記接着剤の材料として、ジルコニア又はシリカを主成分とする材料を用いる
付記２２から２６のいずれに記載の結晶成長用基板の製造方法。

（付記２８）
前記接着剤を、前記種結晶基板の裏面のうち周縁部の除く領域（好ましくは中央部）にのみ塗布する（ことで、前記種結晶基板の主面側への前記接着剤の回り込みを抑制する）
付記２２から２７のいずれかに記載の結晶成長用基板の製造方法。

（付記２９）
前記保持板として、前記種結晶基板を前記保持板の主面上に接着する際、余剰な前記接着剤を逃がす（ことで、前記種結晶基板の主面側への前記接着剤の回り込みを抑制する）凹溝が、隣接する前記種結晶基板の接合部に沿うように設けられている部材を用いる
付記２２から２８のいずれかに記載の結晶成長用基板の製造方法。

１０ 種結晶基板
２０ 結晶成長用基板
３０ ＧａＮ基板（窒化物結晶基板）
３１ 高転位密度領域
３２ 低転位密度領域

Claims (2)

1. 直径が１００ｍｍ以上の窒化物結晶からなる窒化物結晶基板であって、
   主面に、連続する高転位密度領域と、前記高転位密度領域によって区分けされる複数の低転位密度領域と、を有するとともに、
   前記主面は極性反転区を含まず、
   前記高転位密度領域の存在を目視できず、かつ、前記高転位密度領域の不純物濃度が前記低転位密度領域の不純物濃度よりも高くなくそれぞれの間で差が生じない構成を有する
   窒化物結晶基板。
2. 前記窒化物結晶は、気相成長によりエピタキシャル成長されたものであり、
   前記複数の低転位密度領域は、それぞれが１００ｍｍ^２以上の面積を有する
   請求項１に記載の窒化物結晶基板。

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