JP6926475B2 - 強誘電体記憶素子、その製造方法、ならびにそれを用いたメモリセルおよびそれを用いた無線通信装置 - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
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- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
- C08F220/1806—C6-(meth)acrylate, e.g. (cyclo)hexyl (meth)acrylate or phenyl (meth)acrylate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
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Description
(1)絶縁性基材上に、強誘電体記憶素子の導電膜を形成する工程;
(2)前記導電膜上に少なくとも平均粒子径が30〜500nmである強誘電体粒子、有機成分、及び溶剤を含有する組成物を塗布および乾燥して、強誘電体層を形成する工程;
(3)前記強誘電層上に強誘電体記憶素子の導電膜を形成する工程。
図1は、本発明の強誘電体記憶素子の実施形態の一つであるキャパシタ型の素子である。この構造では、絶縁性基材100と、一対の導電膜である第一の導電膜11、強誘電体層12、及び第二の導電膜13とを有する。第一の導電膜11と第二の導電膜13はそれぞれ下部電極、上部電極として作用する。第一の導電膜11と第二の導電膜13は電気的に接続されておらず、第一の導電膜11と第二の導電膜13の間に強誘電体層12が形成されている。
強誘電体層とは、強誘電特性を示す層である。強誘電特性とは、電界の印加により生じた分極が電界を0にしても保持され、かつ分極の方向が電界の印加によって反転する(これを分極反転という)性質のことである。
化学式(1)で表される単位構造と化学式(2)で表される単位構造を持つ樹脂は、化学式(1)で表される単位構造を持つ樹脂中のカルボキシル基に対して、グリシジル基を有する化合物を付加反応させることにより得られる。ただし、この方法に限定されるものではない。
本発明の強誘電体記憶素子の導電膜に用いられる導電体としては、一般的に電極として使用されうる導電材料であればいかなるものでもよい。例えば、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム(ITO)などの導電性金属酸化物、あるいは白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、パラジウム、モリブデン、アモルファスシリコンやポリシリコンなどの金属やこれらの合金、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体など、ヨウ素などのドーピングなどで導電率を向上させた導電性ポリマーなど、炭素材料などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの電極材料は、単独で用いてもよいが、複数の材料を積層または混合して用いてもよい。
キャパシタ型強誘電体記憶素子の作製方法は特に制限はないが、以下の工程を含む。
(1)絶縁性基材上に、強誘電体記憶素子の導電膜を形成する工程;
(2)前記導電膜上に少なくとも平均粒子径が30〜500nmである強誘電体粒子、有機成分、及び溶剤を含有する強誘電体ペーストを塗布および乾燥して、強誘電体層を形成する工程;
(3)前記強誘電層上に強誘電体記憶素子の導電膜を形成する工程。
[絶縁性基材]
絶縁性基材は、少なくとも導電膜が配置される面が絶縁性であればいかなる材質のものでもよい。例えば、シリコンウエハ、ガラス、サファイア、アルミナ焼結体等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンサルフォン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリパラキシレン等の有機材料などの平滑な基材が好適に用いられる。中でも基材のフレキシブル性の観点からガラス転移温度が200℃以下のものが好ましく、特にポリエチレンテレフタレートが好ましい。
導電膜の形成方法としては、抵抗加熱蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、メッキ、CVD、イオンプレーティングコーティング、インクジェットおよび印刷などが挙げられるが、導通を取ることができれば特に制限されない。
(A)絶縁性基材上に、導電体と感光性有機成分を含有する導電ペーストを用いて塗布膜を形成する工程;
(B)前記塗布膜を、フォトリソグラフィーにより強誘電体記憶素子の導電膜に対応するパターンに加工する工程。
増感剤を本発明の導電ペーストに添加する場合、その添加量は感光性有機成分に対して通常0.05〜10wt%、より好ましくは0.1〜10wt%である。増感剤の量が少なすぎれば光硬化を向上させる効果が発揮されず、増感剤の量が多すぎれば、相溶性が不良になる恐れがある。
[強誘電体ペースト]
本発明において用いられる強誘電体ペーストは、主として平均粒子径が30〜500nmである強誘電体粒子、有機成分、及び溶剤から構成される。強誘電体ペースト中の強誘電体粒子および有機成分は、前記の強誘電体層においても、強誘電体粒子および有機成分として、そのまま、または物理的もしくは化学的に変化した状態で残存する。したがって、強誘電体膜中の強誘電体粒子および有機成分を与える材料であれば特に限定されない。
強誘電体層の作製方法は、特に制限されないが、前記強誘電体ペーストを塗布および乾燥することで得られた塗布膜を必要に応じ熱処理する方法が好ましい。
(4)前記導電膜上に、前記強誘電体粒子、感光性有機成分、及び溶剤を含有する組成物を塗布および乾燥して塗布膜を形成する工程;
(5)前記塗布膜を、フォトリソグラフィーにより強誘電体記憶素子の強誘電体層に対応するパターンに加工する工程;
(6)前記パターン加工した塗布膜を硬化させ、強誘電体記憶素子の強誘電体層を形成する工程。
強誘電体層の上部に導電膜を形成し、強誘電体記憶素子の上部電極とする。導電膜の形成は、上記工程(1)と同様に、抵抗加熱蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、メッキ、CVD、イオンプレーティングコーティング、感光性導電ペーストを用いたフォトリソグラフィー加工などの方法で作製することができる。なお、これらの中でも、微細加工性、加工位置の制御、製造コスト等の観点からは、感光性導電ペーストを用いたフォトリソグラフィー加工が好ましい。
図5、6は、キャパシタ型の強誘電体素子201と、強誘電体記憶素子の読み込みおよび書き込みを制御する薄膜トランジスタ202とを備えるメモリセル(所謂1T1C型)の一例である。薄膜トランジスタが電流のON/OFFのスイッチングを行うことにより、キャパシタ型の強誘電体記憶素子への情報の書き込み、および情報の読み出しを行う。なお、本発明のキャパシタ型の強誘電体素子は、1T1C型のメモリセルを2つ組み合わせた2トランジスタ2キャパシタ(所謂2T2C型)にも適用可能である。なお、1T1C型のメモリセルの構造は、これらに限定されるものではない。
これらに用いられる材料は、導電膜に用いられるものと同様の材料を用いることができる。
ゲート絶縁層に用いられる材料は、特に限定されないが、酸化シリコン、アルミナ等の無機材料;ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサン、ポリビニルフェノール等の有機高材料;あるいは無機材料粉末と有機材料の混合物を挙げられる。中でもケイ素原子と炭素原子の結合を含む有機化合物を含むことが好ましい。また、それに加えて金属原子および酸素原子の結合を含む金属化合物を含むことがさらに好ましい。
ここで、R5は水素、アルキル基、複素環基、アリール基またはアルケニル基を示し、R5が複数存在する場合、それぞれのR5は同じでも異なっていてもよい。R6は水素、アルキル基、アシル基またはアリール基を示し、R6が複数存在する場合、それぞれのR6は同じでも異なっていてもよい。mは1〜3の整数を示す。
ここで、R7は1つ以上のエポキシ基を鎖の一部に有するアルキル基を示し、R7が複数存在する場合、それぞれのR7は同じでも異なっていてもよい。R8は水素、アルキル基、複素環基、アリール基またはアルケニル基を示し、R8が複数存在する場合、それぞれのR8は同じでも異なっていてもよい。R9は水素、アルキル基、アシル基またはアリール基を示し、R9が複数存在する場合、それぞれのR9は同じでも異なっていてもよい。lは0〜2の整数、nは1または2を示す。ただし、l+n≦3である。
半導体層の材料としては、半導体性を有するものであれば特に制限はなく、シリコン半導体や酸化物半導体等の無機半導体、ペンタセンやポリチオフェン誘導体等の有機半導体、カーボンナノチューブ(CNT)やグラフェン等のカーボン半導体を用いることができる。これらの中でも、塗布形成できる点、200℃以下の低温で形成できる点、低OFF電流などの観点からCNTが好ましい。特に、高い半導体特性の観点からは、CNTの表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したCNT複合体が好ましい。OFF電流が低いことで、OFF状態にあるTFTが強誘電体層の分極状態に与える影響を低減することができる。なお、OFF電流の値としては100pA以下が好ましい。また、CNTの表面の少なくとも一部に共役系重合体を付着させることにより、CNTの保有する高い電気的特性を損なうことなくCNTを溶液中に均一に分散することが可能になる。また、CNTが均一に分散した溶液を用いることで、CNTが均一に分散した膜をインクジェット法等の塗布法により形成することができる。
図8A〜Gは、図5に示すメモリセルの製造工程を示したものである。絶縁性基材上200(図8A)上に、キャパシタの下部電極21と薄膜トランジスタのゲート電極24を形成する(図8B)。続いて、絶縁層を、強誘電体層とビアが形成される領域を除く部分に形成する(図8C)。この絶縁層の一部はゲート絶縁層25となる。
図9〜13は、本発明の強誘電体記憶素子の実施形態の一つである薄膜トランジスタ型の強誘電体記憶素子301(所謂1T型)の一例である。前記薄膜トランジスタ型強誘電体記憶素子は、それ自身がトランジスタ機能を有するため、メモリセルとして用いる場合に、キャパシタ型強誘電体記憶素子とは異なり制御用の薄膜トランジスタは不要である。
図15に、1T型メモリセルの回路図の一例を示す。前記薄膜トランジスタ型強誘電体記憶素子301のゲート電極31、ドレイン電極35、ソース電極33は、それぞれワード線391、ビット線392、プレート線393と電気的に接続されている。
薄膜トランジスタ型強誘電体記憶素子の作製方法は特に制限はないが、以下の工程を含む。
(1)絶縁性基材上に、強誘電体記憶素子の導電膜を形成する工程;
(2)前記導電膜上に少なくとも平均粒子径が30〜500nmである強誘電体粒子、有機成分、及び溶剤を含有する強誘電体ペーストを塗布および乾燥して、強誘電体層を形成する工程;
(3)前記強誘電層上に強誘電体記憶素子の導電膜を形成する工程;
(4)半導体層を形成する工程。
次に、本発明の強誘電体記憶素子、またはメモリセルを複数配置したメモリセルアレイの回路図の一例を図16に示す。図16には、一例として9つの強誘電体記憶素子、またはメモリセルから成るメモリセルアレイを示す。図16Aは図7に示したキャパシタ型強誘電体メモリセルを組み合わせたキャパシタ型メモリアレイセルを示す。図16Bは、それぞれ直交するように配置された行選択のためのワード線と列選択のためのビット線の各交点が強誘電体キャパシタを構成する(図16B中矢印部)CP型メモリアレイセルを示す。16Cは、図15に示した薄膜トランジスタ型強誘電体メモリセルを組み合わせたトランジスタ型メモリアレイセルを示す。なお、メモリセルアレイの周辺部にはドライバ等の周辺回路が各メモリセルにアクセスするためのアドレス端子、データの入出力端子等の各種接続端子が形成される。
次に、本発明の強誘電体記憶素子を配置した無線通信装置について説明する。この無線通信装置は、例えばRFIDタグのような、リーダ/ライタに搭載されたアンテナから送信される搬送波を受信することで電気通信を行う装置である。
走査型電子顕微鏡(SU−1510(株)日立製作所製)を用いて、強誘電体記憶素子の強誘電体層の破断面を観察し、そこに含まれる粒子の中から無作為に選択した粒子100個の粒子径をそれぞれ観察して、その数平均の値を求めて算出した。形状が球形の場合は、その直径を粒子径とした。形状が球形以外の場合は、ある1個の粒子について走査型電子顕微鏡で観察される最大の幅と最小の幅の平均値をその粒子の粒子径とした。
走査型電子顕微鏡(SU−1510(株)日立製作所製)を用いて、強誘電体記憶素子の破断面を観察し、強誘電体層の膜厚を測定した。5箇所で膜厚の測定を行い、それらの平均値を求めた。
レーザ回折/散乱式粒度分布測定装置(LA−920(株)堀場製作所)を用いて、強誘電体ペースト中の強誘電体粒子の体積平均粒子径を測定した。5回測定を行い、それらの平均値を求めた。
強誘電体特性評価システム(FCE−3型(株)東陽テクニカ製)を用いて、強誘電体記憶素子にピーク電圧が±5Vの三角波(周波数100Hz)を印加して、ヒステリシス曲線を測定した。その後、ピーク電圧を±5Vずつ高くしてヒステリシス曲線の測定を繰り返した。残留分極(Pr)が初めて2μC/cm2を超えるヒステリシス曲線が得られたときの三角波のピーク電圧の絶対値をVrとし、電界(Er=Vr/強誘電体層の膜厚)を決定した。なお、ヒステリシス曲線の測定においては、4周期目の三角波印加時に得られたヒステリシス曲線を本測定とした。
半導体特性評価システム(4200−SCS ケースレーインスツルメンツ(株)製)を用いて、ゲート電極とソース電極間の電圧(VGS)を+5V→−5V→+5V(掃引電圧±5Vと表記する)の範囲で掃引して、ソース電極とドレイン電極間に流れる電流(IDS)を測定した。その後、掃引電圧を±5Vずつ高くしてIDSの測定を繰り返した。マイナス電圧からプラス電圧に向けて掃引した時のIDS+0と、プラス電圧からマイナス電圧に向けてIDS−0の比IDS+0-/IDS−0(以降fと記す)が初めて100を超えたときの掃引電圧の絶対値をVrとし、電界(Er=Vr/強誘電体層の膜厚)を決定した。なお、VGS−IDSの測定においては、1回目に掃引した際に得られたVGS−IDS曲線を本測定とした。
強誘電体特性評価システム(FCE−3型 (株)東陽テクニカ製)を用いて、強誘電体記憶素子にピーク電界が±50MV/mの三角波を1万回印加する前後で、(4)に記載の方法でヒステリシス曲線を取得し、繰り返し電圧印加試験前後のErの変化(Er(後)/Er(前)(%))を求めた。繰り返し電圧印加試験によりErは増加するが、その変化は、120%以下が好ましく、110%以下がさらに好ましい。
半導体特性評価システム(4200−SCS ケースレーインスツルメンツ(株)製)を用いて、掃引電界±60MV/mで1万回掃引する前後で(5)に記載の方法で強誘電特性測定を行い、繰り返し電圧印加試験前後のErの変化(Er(後)/Er(前)(%))を求めた。繰り返し電圧印加試験によりErは増加するが、その変化は、120%以下が好ましく、110%以下がさらに好ましい。
強誘電体記憶素子100個について、(4)または(5)に記載の方法で強誘電特性評価を行い、短絡の有無を指標とし、以下の基準で評価を行った。
A(非常に良好):短絡が見られた素子数が100個中1個以下。
B(良好):短絡が見られた素子数が100個中2個以上5個未満。
C(可):短絡が見られた素子数が100個中5個以上10個未満。
D(不可):短絡が見られた素子数が100個中10個以上。
熱重量測定装置(株式会社島津製作所製 TGA−50)を用いて、大気気流下での強誘電体膜の重量変化を測定した。昇温レート10℃/minで室温から800℃まで昇温し、室温まで降温させた後の重量と、昇温前の重量の比から強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率を求めた。
走査型電子顕微鏡(SU−1510 (株)日立製作所製)を用いて、強誘電体記憶素子の電極の破断面を観察し、そこに含まれる粒子についてEDX測定を行い、金属種を同定した。その後、それらの中から無作為に選択した金属粒子100個の粒子径をそれぞれ観察して、その数平均の値を求めて算出した。形状が球形の場合は、その直径を粒子径とした。形状が球形以外の場合は、ある1個の粒子について走査型電子顕微鏡で観察される最大の幅と最小の幅の平均値をその粒子の粒子径として算定した。
表面形状測定装置(サーフコム1400 東京精密(株)製)を用いて、キャパシタ構造の素子の場合は上部電極の、トランジスタ構造の素子の場合はソース電極の導電膜表面の表面粗さ(算術平均粗さ(Ra))の測定を行った。5箇所でRaの測定を行い、それらの平均値を求めた。
図18を参照して説明する。強誘電体記憶素子を形成した基板101について、強誘電体記憶素子を形成した面上の中央部に直径30mmの金属円柱100を固定し、この円柱に沿って、円柱の抱き角0°(サンプルが平面の状態)の状態に置き(図18A参照)、円柱への抱き角が180°(円柱で折り返した状態)となる範囲(図18B参照)で、折り曲げ動作を500回行い、(4)に記載の方法で強誘電特性測定を行い、屈曲試験前後のErの変化(Er(後)/Er(前)(%))を求めた。屈曲試験によりErは増加するが、その変化は、150%以下が好ましく、120%以下がさらに好ましい。
図18を参照して説明する。強誘電体記憶素子を形成した基板101について、強誘電体記憶素子を形成した面上の中央部に直径30mmの金属円柱100を固定し、この円柱に沿って、円柱の抱き角0°(サンプルが平面の状態)の状態に置き(図18A参照)、円柱への抱き角が180°(円柱で折り返した状態)となる範囲(図18B参照)で、折り曲げ動作を500回行い、(5)に記載の方法で強誘電特性測定を行い、屈曲試験前後のErの変化(Er(後)/Er(前)(%))を求めた。屈曲試験によりErは増加するが、その変化は、150%以下が好ましく、120%以下がさらに好ましい。
半導体特性評価システム(4200−SCS ケースレーインスツルメンツ(株)製)を用いて、薄膜トランジスタのゲート電極とソース電極間に−10Vの電圧を印加して薄膜トランジスタを「ON」にした状態で、(4)で記した方法で求めたVrの2倍の電圧を薄膜トランジスタに印加して、強誘電体キャパシタに“1”書き込みを行った。続いて、強誘電体キャパシタに対して、0Vから−2Vrの電圧を掃引印加し、強誘電体層の分極反転に由来する電流を測定し、その最大値を変位電流Aとした。同様に、―2Vrの電圧を印加して“0”書き込みを行った後に、0Vから−2Vrの電圧を掃引印加し、強誘電体層の分極反転に由来する電流を測定し、その最小値を変位電流Bとした。
共重合比率(重量基準):エチルアクリレート(以下、「EA」)/メタクリル酸2−エチルヘキシル(以下、「2−EHMA」)/スチレン(以下、「St」)/グリシジルメタクリレート(以下、「GMA」)/アクリル酸(以下、「AA」)=20/40/20/5/15。
共重合比率(重量基準):2官能エポキシアクリレートモノマー(エポキシエステル3002A;共栄社化学(株)製)/2官能エポキシアクリレートモノマー(エポキシエステル70PA;共栄社化学(株)製)/GMA/St/AA=20/40/5/20/15。
化合物P2のウレタン変性化合物
窒素雰囲気の反応容器中に、100gのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(以下、「DMEA」)を仕込み、オイルバスを用いて80℃まで昇温した。これに、感光性成分P2を10g、3.5gのn−ヘキシルイソシアネート及び10gのDMEAからなる混合物を、1時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに3時間反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに24時間真空乾燥することで、ウレタン結合を有する化合物P3を得た。
共重合比率(重量基準):St/MMA/MA=50/35/15。
共重合比率(重量基準):St/MMA/MA/MAのGMA付加体(以下、「MA−GMA」)=31/26/8/35。
共重合比率(重量基準):St/MMA/MA/MA−GMA=25/22/13/40。
共重合比率(重量基準):St/MMA/MA/MA−GMA=27/22/22/29。
共重合比率(重量基準):St/MMA/MA/MA−GMA=25/19/33/23。
チタン酸バリウム(共立マテリアル株式会社製、平均粒子径:50nm)5g、及びカチオン性高分子分散剤(商品名:アジスパーPB−821、味の素ファインテクノ株式会社製)0.1gを、直径1mmのジルコニアビーズ10gと一緒に100mLの容器に入れ、イソプロパノール28gを加え、チタン酸バリウムの固形分濃度が15重量%になるように調整し、卓上型ボールミルにて分散処理を96時間行った。次いで、ポリビニルピロリドン樹脂1.25gを加えて、卓上型ボールミルにて2時間混合した後、ジルコニアビーズをろ過で取り除き、強誘電体ペーストを得た。得られた強誘電体ペーストを大気中、室温で保存したところ、1ヶ月たっても沈殿物は観察されず安定であった。
下記表1の平均粒子径のチタン酸バリウムを用いること以外は調製例1と同様の方法で強誘電体ペーストを調製した。
ポリビニルピロリドン樹脂の添加量を0.25gにしたこと以外は調製例2と同様の方法で強誘電体ペーストを調製した。
ポリビニルピロリドン樹脂の添加量を4.09gにしたこと以外は調製例2と同様の方法で強誘電体ペーストを調製した。
チタン酸バリウム(戸田工業株式会社製、平均粒子径:12nm)5g、及びカチオン性高分子分散剤(商品名:アジスパーPB−821、味の素ファインテクノ株式会社製)0.1gを、直径1mmのジルコニアビーズ10gと一緒に100mLの容器に入れ、イソプロパノール28gを加え、チタン酸バリウムの固形分濃度が15重量%になるように調整し、卓上型ボールミルにて分散処理を96時間行った。次いで、ポリビニルピロリドン樹脂1.25gを加えて、卓上型ボールミルにて2時間混合した後、ジルコニアビーズをろ過で取り除き、強誘電体ペーストを得た。得られた強誘電体ペーストを大気中、室温で保存したところ、1ヶ月たっても沈殿物は観察されず安定であった。
ポリビニルピロリドン樹脂の添加量を0.10gにしたこと以外は調製例2と同様の方法で強誘電体ペーストを調製した。
ポリビニルピロリドン樹脂の添加量を0.25gにしたこと以外は調製例4と同様の方法で強誘電体ペーストを調製した。
ポリビニルピロリドン樹脂の添加量を0.10gにしたこと以外は調製例4と同様の方法で強誘電体ペーストを調製した。
チタン酸バリウム(共立マテリアル株式会社製、平均粒子径:200nm)5g、及びカチオン性高分子分散剤(商品名:アジスパーPB−821、味の素ファインテクノ株式会社製)0.1gを、直径1mmのジルコニアビーズ10gと一緒に100mLの容器に入れ、イソプロパノール28gを加え、チタン酸バリウムの固形分濃度が15重量%になるように調整し、卓上型ボールミルにて分散処理を96時間行った。次いで、ポリビニルピロリドン樹脂0.16g、イミダゾール0.09gを加えて、卓上型ボールミルにて2時間混合した後、ジルコニアビーズをろ過で取り除き、強誘電体ペーストを得た。得られた強誘電体ペーストを大気中、室温で保存したところ、1ヶ月たっても沈殿物は観察されず安定であった。
イミダゾールの代わりに1,2,4−トリアゾ−ルを用いたこと以外は調整例13と同様の方法で強誘電体ペーストを調整した。
ポリビニルピロリドンの代わりにポリビニルイミダゾ−ルを用いたこと以外は調整例11と同様の方法で強誘電体ペーストを調整した。
チタン酸バリウム(共立マテリアル株式会社製、平均粒子径:50nm)5g、及びカチオン性高分子分散剤(商品名:アジスパーPB−821、味の素ファインテクノ株式会社製)0.1gを、直径1mmのジルコニアビーズ10gと一緒に100mLの容器に入れ、イソプロパノール18g、N,N−ジメチルホルムアミド10gを加え、チタン酸バリウムの固形分濃度が15重量%になるように調整し、卓上型ボールミルにて分散処理を96時間行った。次いで、ポリ(フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン)(PVDF−TrFE)(商品名:Solvene250、Solvay社製)樹脂1.25gを加えて、卓上型ボールミルにて2時間混合した後、ジルコニアビーズをろ過で取り除き、強誘電体ペーストを得た。得られた強誘電体ペーストを大気中、室温で保存したところ、1ヶ月たっても沈殿物は観察されず安定であった。
チタン酸バリウム(共立マテリアル株式会社製、平均粒子径:50nm)5g、及びカチオン性高分子分散剤(商品名:アジスパーPB−821、味の素ファインテクノ株式会社製)0.1gを、直径1mmのジルコニアビーズ10gと一緒に100mLの容器に入れ、イソプロパノール18g、N,N−ジメチルホルムアミド10gを加え、チタン酸バリウムの固形分濃度が15重量%になるように調整し、卓上型ボールミルにて分散処理を96時間行った。次いで、化合物P4を0.25g加えて、卓上型ボールミルにて2時間混合した後、ジルコニアビーズをろ過で取り除き、強誘電体ペーストを得た。得られた強誘電体ペーストを大気中、室温で保存したところ、1ヶ月たっても沈殿物は観察されず安定であった。
下記表1の樹脂を用いること以外は調製例17と同様の方法で強誘電体ペーストを調製した。
チタン酸バリウム(共立マテリアル株式会社製、平均粒子径:200nm)5g、及びカチオン性高分子分散剤(商品名:アジスパーPB−821、味の素ファインテクノ株式会社製)0.1gを、直径1mmのジルコニアビーズ10gと一緒に100mLの容器に入れ、イソプロパノール18g、N,N−ジメチルホルムアミド10gを加え、チタン酸バリウムの固形分濃度が15重量%になるように調整し、卓上型ボールミルにて分散処理を96時間行った。次いで、化合物P6を0.25g、光重合開始剤OXE−01(BASFジャパン株式会社製)を0.05g、酸発生剤SI−110(三新化学工業株式会社製)を0.01g加えて、卓上型ボールミルにて2時間混合した後、ジルコニアビーズをろ過で取り除き、強誘電体ペーストを得た。得られた強誘電体ペーストを大気中、室温で保存したところ、1ヶ月たっても沈殿物は観察されず安定であった。
N,N−ジメチルホルムアミド15g、及びポリ(フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン)(PVDF−TrFE)(商品名:Solvene250、Solvay社製)樹脂1.3gを100mLの容器に加え、自転−公転真空ミキサー“あわとり練太郎”(登録商標)(ARE−310;(株)シンキー製)で混合して、P(VDF−TrFE)溶液を得た。
チタン酸バリウム(共立マテリアル株式会社製、平均粒子径:100nm)5g、及びカチオン性高分子分散剤(商品名:アジスパーPB−821、味の素ファインテクノ株式会社製)0.1gを、直径1mmのジルコニアビーズ10gと一緒に100mLの容器に入れ、イソプロパノール28gを加え、チタン酸バリウムの固形分濃度が15重量%になるように調整し、卓上型ボールミルにて分散処理を96時間行った後、ジルコニアビーズをろ過で取り除き、強誘電体ペーストを得た。得られた強誘電体ペーストを大気中、室温で保存したところ、1ヶ月たっても沈殿物は観察されず安定であった。
チタン酸バリウム(TPL社製、平均粒子径:800nm)5g、及びカチオン性高分子分散剤(商品名:アジスパーPB−821、味の素ファインテクノ株式会社製)0.1gを、直径1mmのジルコニアビーズ10gと一緒に100mLの容器に入れ、イソプロパノール28gを加え、チタン酸バリウムの固形分濃度が15重量%になるように調整し、卓上型ボールミルにて分散処理を96時間行った。次いで、ポリビニルピロリドン樹脂1.25gを加えて、卓上型ボールミルにて2時間混合したが、チタン酸バリウム粒子を分散させることができなかった。
100mlクリーンボトルに化合物P1を1.6g、化合物P3を0.4g、光重合開始剤OXE−01(BASFジャパン株式会社製)0.4g、酸発生剤SI−110(三新化学工業株式会社製)を0.06g、ジアセトンアルコール(三協化学株式会社製)38gを入れ、自転−公転真空ミキサー“あわとり練太郎”(登録商標)(ARE−310;(株)シンキー製)で混合し、感光性樹脂溶液40.86g(固形分4.0重量%)を得た。得られた感光性樹脂溶液20.0gと体積平均粒子径0.05μmのAg粒子5.0gを混ぜ合わせ、3本ローラー“EXAKT M−50”(商品名、EXAKT社製)を用いて混練し、25gの導電ペーストを得た。
体積平均粒子径0.2μmのAg粒子を用いたこと以外は、調整例23と同様の方法で、導電ペーストを得た。
体積平均粒子径1.5μmのAg粒子を用いたこと以外は、調整例23と同様の方法で、導電ペーストを得た。
体積平均粒子径3.0μmのAg粒子を用いたこと以外は、調整例23と同様の方法で、導電ペーストを得た。
100mlクリーンボトルに化合物P1を2.0g、光重合開始剤OXE−01(BASFジャパン株式会社製)0.4g、酸発生剤SI−110(三新化学工業株式会社製)を0.06g、ジアセトンアルコール(三協化学株式会社製)38gを入れ、自転−公転真空ミキサー“あわとり練太郎”(登録商標)(ARE−310;(株)シンキー製)で混合し、感光性樹脂溶液40.86g(固形分4.0重量%)を得た。得られた感光性樹脂溶液20.0gと体積平均粒子径0.05μmのAg粒子5.0gを混ぜ合わせ、3本ローラー“EXAKT M−50”(商品名、EXAKT社製)を用いて混練し、25gの導電ペーストを得た。
ポリ(3−ヘキシルチオフェン)(P3HT)(アルドリッチ(株)製)2.0mgのクロロホルム10ml溶液にCNT(CNI社製、単層CNT、純度95%)を1.0mg加え、氷冷しながら超音波ホモジナイザー(東京理化器械(株)製VCX−500)を用いて出力20%で4時間超音波撹拌し、CNT分散液A(溶媒に対するCNT複合体濃度0.96g/l)を得た。
メチルトリメトキシシラン61.29g(0.45モル)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン12.31g(0.05モル)、およびフェニルトリメトキシシラン99.15g(0.5モル)をプロピレングリコールモノブチルエーテル(沸点170℃)203.36gに溶解し、これに、水54.90g、リン酸0.864gを撹拌しながら加えた。得られた溶液をバス温105℃で2時間加熱し、内温を90℃まで上げて、主として副生するメタノールからなる成分を留出せしめた。次いでバス温130℃で2.0時間加熱し、内温を118℃まで上げて、主として水とプロピレングリコールモノブチルエーテルからなる成分を留出せしめた後、室温まで冷却し、固形分濃度26.0wt%のポリシロキサン溶液を得た。得られたポリシロキサンの重量平均分子量は6000であった。
図19に示すキャパシタ型強誘電体記憶素子を作製した。膜厚50μmのPETフィルム400上に、調製例26の導電ペーストをスピンコートで塗布し、乾燥オーブンで100℃、10分間プリベークを行った。その後、露光装置“PEM−8M”(商品名、ユニオン光学(株)製)を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で30秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで200℃、30分間キュアを行い、導電膜41(下部電極)を形成した。調製例1の強誘電体ペーストを導電膜41が形成されたPETフィルム上にスピンコート塗布し、90℃で10分間熱処理し、大気雰囲気下135℃で120分間熱処理することによって、膜厚0.46μmの強誘電体層42を形成した。次に、調製例26の導電ペーストをスピンコートで塗布し、乾燥オーブンで100℃、10分間プリベークを行った。その後、露光装置“PEM−8M”を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で30秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで200℃、30分間キュアを行い、導電膜43(上部電極)を形成した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表3に示す。
表3に示す作製条件で実施例1と同様の方法で強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表3に示す。
膜厚50μmのPETフィルム400上に、抵抗加熱法により、マスクを通して銀を150nm真空蒸着し、導電膜41(下部電極)を形成した。調製例2の強誘電体ペーストを導電膜41が形成されたPETフィルム上にスピンコート塗布し、90℃で10分間熱処理し、大気雰囲気下135℃で120分間熱処理することによって、膜厚0.5μmの強誘電体層42を形成した。その後、再度抵抗加熱法により、マスクを通して銀を150nm真空蒸着して導電膜43(上部電極)を形成し、強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表3に示す。
導電膜41、43の形成に、調製例30の導電ペーストを用いたこと以外は、実施例2と同様の方法で強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表3に示す。
導電膜41、43の形成に、調製例27の導電ペーストを用いたこと以外は、実施例2と同様の方法で強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表3に示す。
導電膜41、43の形成に、調製例28の導電ペーストを用いたこと以外は、実施例2と同様の方法で強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表3に示す。
導電膜41、43の形成に、調製例29の導電ペーストを用いたこと以外は、実施例2と同様の方法で強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表3に示す。
表4に示す作製条件で実施例1と同様の方法で強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表3に示す。
表3に示す作製条件で実施例1と同様の方法で強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表4に示す。
膜厚50μmのPETフィルム400上に、調製例26の導電ペーストをスピンコートで塗布し、乾燥オーブンで100℃、10分間プリベークを行った。その後、露光装置“PEM−8M”(商品名、ユニオン光学(株)製)を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で30秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで200℃、30分間キュアを行い、導電膜41(下部電極)を形成した。調製例22の強誘電体ペーストを導電膜41が形成されたPETフィルム上にスピンコート塗布し、90℃で10分間熱処理した。その後、露光装置“PEM−8M”を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で15秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、大気雰囲気下135℃で120分間熱処理することによって、膜厚0.49μmの強誘電体層42を形成した。次に、調製例26の導電ペーストをスピンコートで塗布し、乾燥オーブンで100℃、10分間プリベークを行った。その後、露光装置“PEM−8M”を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で30秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで200℃、30分間キュアを行い、導電膜43(上部電極)を形成した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表4に示す。
表4に示す作製条件で実施例1と同様の方法で強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表4に示す。
表4に示す作製条件で実施例11と同様の方法で強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表4に示す。
表4に示す作製条件で実施例1と同様の方法で強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さ測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)に記載の方法で行った。その結果を表4に示す。
図20に示す薄膜トランジスタ型強誘電体記憶素子を作製した。膜厚50μmのPETフィルム500上に、調製例26の導電ペーストをスピンコートで塗布し、乾燥オーブンで100℃、10分間プリベークを行った。その後、露光装置“PEM−8M”(商品名、ユニオン光学(株)製)を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で30秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで200℃、30分間キュアを行い、ゲート電極51を形成した。その後、調製例2の強誘電体ペーストを導電膜51が形成されたPETフィルム上にスピンコート塗布し、90℃で10分間熱処理し、大気雰囲気下135℃で120分間熱処理することによって、膜厚0.48μmの強誘電体層52を形成した。その後、抵抗加熱法により、マスクを通して金を真空蒸着して、ソース電極53、ドレイン電極55を形成した。最後に、調製例31の半導体溶液を、ソース電極とドレイン電極の間にインクジェット塗布し、大気下150℃で30分間熱処理することによって半導体層54を形成し、強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さの測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(5)、(7)、(8)、(9)、(10)、(11)、(13)に記載の方法で行った。その結果を表5に示す。
表5に示す作製条件で実施例29と同様の方法で強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さの測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(5)、(7)、(8)、(9)、(10)、(11)、(13)に記載の方法で行った。その結果を表5に示す。
膜厚50μmのPETフィルム500上に、調製例26の導電ペーストをスピンコートで塗布し、乾燥オーブンで100℃、10分間プリベークを行った。その後、露光装置“PEM−8M”(商品名、ユニオン光学(株)製)を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で30秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで200℃、30分間キュアを行い、ゲート電極51を形成した。その後、調製例17の強誘電体ペーストを導電膜51が形成されたPETフィルム上にスピンコート塗布し、90℃で10分間熱処理し、大気雰囲気下135℃で120分間熱処理することによって、膜厚0.5μmの強誘電体層52を形成した。次に、調製例26の導電ペーストをスピンコートで塗布し、乾燥オーブンで100℃、10分間プリベークを行った。その後、露光装置“PEM−8M”を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で30秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで200℃、30分間キュアを行い、ソース電極53、ドレイン電極55を形成した。最後に、調製例31の半導体溶液を、ソース電極とドレイン電極の間にインクジェット塗布し、大気下150℃で30分間熱処理することによって半導体層54を形成し、強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さの測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(1)、(2)、(5)、(7)、(8)、(9)、(10)、(11)、(13)に記載の方法で行った。その結果を表5に示す。
膜厚50μmのPETフィルム500上に、抵抗加熱法により、マスクを通してアルミニウムを150nm真空蒸着し、ゲート電極51を形成した。その後、調製例23の強誘電体ペーストを導電膜51が形成されたPETフィルム上にスピンコート塗布し、90℃で10分間熱処理し、大気雰囲気下135℃で120分間熱処理することによって、膜厚0.5μmの強誘電体層52を形成した。その後、抵抗加熱法により、マスクを通して金を真空蒸着して、ソース電極53、ドレイン電極55を形成した。最後に、調製例31の半導体溶液を、ソース電極とドレイン電極の間にインクジェット塗布し、大気下150℃で30分間熱処理することによって半導体層54を形成し、強誘電体記憶素子を作製した。得られた強誘電体記憶素子について、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さの測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価を(2)、(5)、(7)、(8)、(9)、(10)、(11)、(13)に記載の方法で行った。その結果を表5に示す。
図21に示す薄膜トランジスタ素子とキャパシタ型強誘電体記憶素子からなるメモリセルを作製した。膜厚50μmのPETフィルム600上に、調製例26の導電ペーストをスピンコートで塗布し、乾燥オーブンで100℃、10分間プリベークを行った。その後、露光装置“PEM−8M”(商品名、ユニオン光学(株)製)を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で30秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで200℃、30分間キュアを行い、キャパシタ素子の下部電極61(1mm2)と薄膜トランジスタ素子のゲート電極64を形成した。次に、調製例32の誘電体溶液を下部電極61とゲート電極64が形成されたPETフィルム上にディスペンス塗布し、大気雰囲気下120℃で3分間熱処理し、窒素雰囲気下150℃で120分間熱処理することによって、膜厚0.5μmのゲート絶縁層65を形成した。続いて、調製例2の強誘電体ペーストを導電膜61上にディスペンス塗布し、90℃で10分間熱処理し、大気雰囲気下135℃で120分間熱処理することによって、膜厚0.49μmの強誘電体層62を形成した。その後、抵抗加熱法により、マスクを通して金を真空蒸着して、ビア70、キャパシタ素子の上部電極63(1mm2)と薄膜トランジスタ素子のソース電極66とドレイン電極68、配線69を形成した。最後に、調製例31の半導体溶液を、ソース電極とドレイン電極の間にインクジェット塗布し、大気下150℃で30分間熱処理することによって半導体層67を形成し、メモリセルを作製した。得られたメモリセルについて、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さの測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価、変位電流の測定を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)、(14)に記載の方法で行った。その結果を表6に示す。“1”書き込みと“0”書き込みを行った素子で変位電流に明確な差異が見られたことから、メモリセルとして書き込み動作と読み出し動作が可能である。
表6に示す作製条件で実施例32と同様の方法でメモリセルを作製した。得られたメモリセルについて、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さの測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価、変位電流の測定を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)、(14)に記載の方法で行った。その結果を表6に示す。“1”書き込みと“0”書き込みを行った素子で変位電流に明確な差異が見られたことから、メモリセルとして書き込み動作と読み出し動作が可能である。
膜厚50μmのPETフィルム600上に、調製例26の導電ペーストをスピンコートで塗布し、乾燥オーブンで100℃、10分間プリベークを行った。その後、露光装置“PEM−8M”(商品名、ユニオン光学(株)製)を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で30秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで200℃、30分間キュアを行い、キャパシタ素子の下部電極61(1mm2)と薄膜トランジスタ素子のゲート電極64を形成した。次に、調製例31の誘電体溶液を下部電極61とゲート電極64が形成されたPETフィルム上にディスペンス塗布し、大気雰囲気下120℃で3分間熱処理し、窒素雰囲気下150℃で120分間熱処理することによって、膜厚0.5μmのゲート絶縁層65を形成した。続いて、調製例17の強誘電体ペーストを導電膜61上にディスペンス塗布し、90℃で10分間熱処理し、大気雰囲気下135℃で120分間熱処理することによって、膜厚0.51μmの強誘電体層62を形成した。次に、調製例26の導電ペーストをスピンコートで塗布し、乾燥オーブンで100℃、10分間プリベークを行った。その後、露光装置“PEM−8M”を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で30秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで200℃、30分間キュアを行い、ビア70、キャパシタ素子の上部電極63(1mm2)と薄膜トランジスタ素子のソース電極66とドレイン電極68、配線69を形成した。最後に、調製例31の半導体溶液を、ソース電極とドレイン電極の間にインクジェット塗布し、大気下150℃で30分間熱処理することによって半導体層67を形成し、メモリセルを作製した。得られたメモリセルについて、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さの測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価、変位電流の測定を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)、(14)に記載の方法で行った。その結果を表6に示す。“1”書き込みと“0”書き込みを行った素子で変位電流に明確な差異が見られたことから、メモリセルとして書き込み動作と読み出し動作が可能である。
膜厚50μmのPETフィルム600上に、調製例26の導電ペーストをスピンコートで塗布し、乾燥オーブンで100℃、10分間プリベークを行った。その後、露光装置“PEM−8M”(商品名、ユニオン光学(株)製)を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で30秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで200℃、30分間キュアを行い、キャパシタ素子の下部電極61(1mm2)と薄膜トランジスタ素子のゲート電極64を形成した。次に、調製例31の誘電体溶液を下部電極61とゲート電極64が形成されたPETフィルム上にディスペンス塗布し、大気雰囲気下120℃で3分間熱処理し、窒素雰囲気下150℃で120分間熱処理することによって、膜厚0.5μmのゲート絶縁層65を形成した。次に、調製例22の強誘電体ペーストをスピンコート塗布し、90℃で10分間熱処理した。その後、露光装置“PEM−8M”を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で15秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、大気雰囲気下135℃で120分間熱処理することによって、膜厚0.46μmの強誘電体層62を形成した。次に、調製例26の導電ペーストをスピンコートで塗布し、乾燥オーブンで100℃、10分間プリベークを行った。その後、露光装置“PEM−8M”を用いて露光した後、0.5%KOH溶液で30秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで200℃、30分間キュアを行い、ビア70、キャパシタ素子の上部電極63(1mm2)と薄膜トランジスタ素子のソース電極66とドレイン電極68、配線69を形成した。最後に、調製例31の半導体溶液を、ソース電極とドレイン電極の間にインクジェット塗布し、大気下150℃で30分間熱処理することによって半導体層67を形成し、メモリセルを作製した。得られたメモリセルについて、強誘電体粒子の平均粒子径の測定、強誘電体層の膜厚測定、強誘電特性評価、繰り返し電圧印加試験前後の強誘電特性評価、歩留まり評価、強誘電体層中の強誘電体粒子の重量分率の測定、導電膜中の金属粒子の平均粒子径の測定、導電膜の表面粗さの測定、屈曲試験前後の強誘電特性評価、変位電流の測定を(1)、(2)、(4)、(6)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)、(14)に記載の方法で行った。その結果を表6に示す。“1”書き込みと“0”書き込みを行った素子で変位電流に明確な差異が見られたことから、メモリセルとして書き込み動作と読み出し動作が可能である。
12 強誘電体層
13 上部電極
100 絶縁性基材
21 下部電極
22 強誘電体層
23 上部電極
24 ゲート電極
25 ゲート絶縁層
26 ソース電極
27 半導体層
28 ドレイン電極
29 配線
30 ビア
200 絶縁性基材
201 キャパシタ型強誘電体素子
202 薄膜トランジスタ
291 ワード線
292 ビット線
293 プレート線
31 ゲート電極
32 強誘電体層
33 ソース電極
34 半導体層
35 ドレイン電極
300 絶縁性基材
301 薄膜トランジスタ型強誘電体素子
391 ワード線
392 ビット線
393 プレート線
41 下部電極
42 強誘電体層
43 上部電極
400 PETフィルム
51 ゲート電極
52 強誘電体層
53 ソース電極
54 半導体層
55 ドレイン電極
500 PETフィルム
61 下部電極
62 強誘電体層
63 上部電極
64 ゲート電極
65 ゲート絶縁層
66 ソース電極
67 半導体層
68 ドレイン電極
69 配線
70 ビア
600 PETフィルム
700 金属円柱
701 強誘電体記憶素子付きPETフィルム
800 無線通信センサデバイス
801 演算処理回路部
802 通信回路部
803 電源回路部
804 記憶回路部
805 センサ部
806 アンテナ
807 センサ
808 センサ回路
809 第1の記憶回路部
810 第2の記憶回路部
811 復調回路
812 変調回路
Claims (16)
- 少なくとも、第一の導電膜と、第二の導電膜と、前記第一の導電膜および前記第二の導電膜の間に設けられた強誘電体層を備える強誘電体記憶素子であって、前記強誘電体層が強誘電体粒子および有機成分を含有し、前記有機成分が、少なくとも化学式(1)で表される単位構造と、化学式(2)で表される単位構造と、化学式(3)で表される単位構造を有する樹脂であり、さらに前記強誘電体粒子の平均粒子径が30〜500nmである強誘電体記憶素子。
- 少なくとも、第一の導電膜と、第二の導電膜と、前記第一の導電膜および前記第二の導電膜の間に設けられた強誘電体層を備える強誘電体記憶素子であって、前記強誘電体層が強誘電体粒子および有機成分を含有し、前記有機成分が、炭素原子と窒素原子を含む複素5員環構造を有する化合物を含み、さらに前記強誘電体粒子の平均粒子径が30〜500nmである強誘電体記憶素子。
- 前記強誘電体粒子の平均粒子径が100〜300nmである請求項1〜3のいずれかに記載の強誘電体記憶素子。
- 前記強誘電体層の膜厚が0.2〜2μmである請求項1〜4のいずれかに記載の強誘電体記憶素子。
- 前記有機成分が、カルボキシル基、スルホ基、リン酸基、アミド基、メルカプト基、アミノ基および水酸基から選ばれる少なくとも1種類以上を有する樹脂である請求項1〜5のいずれかに記載の強誘電体記憶素子。
- 前記有機成分が、カルボキシル基および水酸基を含む樹脂である請求項1〜6のいずれかに記載の強誘電体記憶素子。
- 前記第一の導電膜および前記第二の導電膜のうち少なくとも一方の導電膜が金属粒子を含む請求項1〜7のいずれかに記載の強誘電体記憶素子。
- 前記金属粒子の平均粒子径が0.01μm〜5μmである請求項8に記載の強誘電体記憶素子。
- 前記第一の導電膜および第二の導電膜のうち少なくとも一方の導電膜が有機成分を含有する請求項1〜9のいずれかに記載の強誘電体記憶素子。
- 前記強誘電体記憶素子がキャパシタ型である請求項1〜10のいずれかに記載の強誘電体記憶素子。
- さらに第三の導電膜と、前記第二の導電膜および前記第三の導電膜の間に設けられた半導体層とを有し、かつ前記第一の導電膜と前記第二の導電膜、前記第三の導電膜および前記半導体層との間を絶縁する前記強誘電体層を有し、前記強誘電体記憶素子がトランジスタ型記憶素子である請求項1〜10のいずれかに記載の強誘電体記憶素子。
- 前記半導体層にカーボンナノチューブを含む請求項12に記載の強誘電体記憶素子。
- 請求項11に記載の強誘電体記憶素子と、前記強誘電体記憶素子の読み込みおよび書き込みを制御する薄膜トランジスタと、を備えるメモリセル。
- 以下の工程を含む、強誘電体記憶素子の製造方法であり;
(1)絶縁性基材上に、強誘電体記憶素子の導電膜を形成する工程;
(2)前記導電膜上に、少なくとも平均粒子径が30〜500nmである強誘電体粒子、有機成分、及び溶剤を含有する組成物を塗布および乾燥して、強誘電体層を形成する工程;
(3)前記強誘電体層上に強誘電体記憶素子の導電膜を形成する工程;
を含み、
前記有機成分が感光性有機成分を含み、
前記感光性有機成分が、エチレン性不飽和基および親水性基を有する樹脂を含み、
前記エチレン性不飽和基および親水性基を有する樹脂の酸価が、30mgKOH/g以上250mgKOH/g以下であり、
前記強誘電体層を形成する工程が、
(4)前記導電膜上に、少なくとも前記強誘電体粒子、感光性有機成分、及び溶剤を含有する組成物を塗布および乾燥して塗布膜を形成する工程;
(5)前記塗布膜を、フォトリソグラフィーにより強誘電体記憶素子の強誘電体層に対応するパターンに加工する工程;
(6)前記パターン加工した塗布膜を硬化させ、強誘電体記憶素子の強誘電体層を形成する工程;
を含む、強誘電体記憶素子の製造方法。 - 少なくとも、請求項1〜13のいずれかに記載の強誘電体記憶素子または請求項14に記載のメモリセルと、アンテナを有する無線通信装置。
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DE10125370C1 (de) * | 2001-05-23 | 2002-11-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem stark polarisierbaren Dielektrikum oder Ferroelektrikum |
NO20015735D0 (no) * | 2001-11-23 | 2001-11-23 | Thin Film Electronics Asa | Barrierelag |
JP2003318369A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Furuya Kinzoku:Kk | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4313797B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2009-08-12 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7391706B2 (en) * | 2003-10-31 | 2008-06-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Data storage device including conductive probe and ferroelectric storage medium |
JP2007525829A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-09-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 不揮発性強誘電体メモリ装置の製造方法及びその方法によって得られるメモリ装置 |
US20050184328A1 (en) * | 2004-02-19 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
JP2006108291A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Seiko Epson Corp | 強誘電体キャパシタ及びその製造方法、並びに強誘電体メモリ装置 |
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DE102005009511B3 (de) * | 2005-02-24 | 2006-12-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung |
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