JP6915620B2 - 導電膜の製造方法、それを用いた電界効果型トランジスタの製造方法および無線通信装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の導電膜の製造方法によれば、高温かつ長時間の加熱処理を伴うことなく、短時間の光照射により、導電性の良好な導電膜を得ることができる。
基板は、少なくとも導電性ペーストが塗布される面が絶縁性であれば、いかなる材質のものでもよい。例えば、シリコンウエハ、ガラス、サファイア、アルミナ焼結体等の無機材料、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート(以下、PETという場合がある)、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサン、ポリビニルフェノール(以下、PVPという場合がある)、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン等の有機材料などが好適に用いられる。
本発明の導電膜の製造方法において、前記基板がアンダーコート層を有することが好ましい。また、前記アンダーコート層がアクリル系樹脂またはシロキサン系樹脂の少なくとも一方を含有することが好ましい。これにより、導電性ペーストを基板上にパターン状に形成した場合におけるパターン形状を制御しやすくし、基板への密着性を向上し、フラッシュ光を前記塗布膜に照射した際の塗布膜の剥離を抑制しやすくすることができる。
本発明で用いられる導電性ペーストが含有する導電性粒子としては、例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、錫(Sn)、ビスマス(Bi)、鉛(Pb)、亜鉛(Zn)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)又は炭素(C)等が挙げられる。中でも金、銀、銅、ニッケル、錫、ビスマス、鉛、亜鉛、パラジウム、白金、アルミニウム及び炭素からなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有する導電性粒子であることが好ましい。
本発明の導電膜の製造方法において、前記導電性粒子は炭素単体物で表面被覆されている。前記塗布膜において、前記炭素単体物の炭素重量比率が前記導電性粒子に対して重量比率0.5%〜20%であることが好ましい。前記重量比率をこの範囲とすることにより、フラッシュ光を照射した際のエネルギーの吸収効率を増加させ、さらにフラッシュ光により前記炭素単体物が分解及び気化し、導電性粒子同士が接触及び融着しやすくなる。導電性粒子に対する炭素単体物の炭素重量比率は、炭素単体物と導電性粒子の熱天秤による質量減少を測定し、減少値が全て炭素の燃焼によるものであり、減少後の質量が導電性粒子のものであると仮定し算出する。本発明における炭素重量比率は導電性ペーストの塗布膜における、導電性粒子に対する炭素単体物の比率であるが、導電性ペースト中においても同様の炭素重量比率となっていることが好ましい。炭素単体物が導電性粒子の表面を被覆することにより、低温での導電性粒子同士の融着を抑制することができ、さらにフラッシュ光を照射した際のエネルギーの吸収効率をより均一にすることができる。
W2=π/6×Dp3ρ×n
そして、以下の式から表面被覆層の平均厚みAを算出する。
W1−W2={4/3×π(Dp/2+A)3−π/6×Dp3}×2.0×n
導電性ペースト中の全固形分に対する導電性粒子の含有量としては、65〜95質量%であることが好ましく、70〜95質量%であることがより好ましく、70〜90質量%であることがさらに好ましい。その範囲内で含有することで、パターン加工性と導電性の発現とを両立させやすくなる。ここで全固形分とは、導電性ペーストが含有する成分の内、溶剤を除く全成分をいう。
本発明の導電膜の製造方法は、前記導電性ペーストがさらに感光性有機成分を含む。感光性有機成分を含有することで、露光、現像によりパターンを形成することが可能になる。
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、分散剤を含有しても構わない。分散剤を含有することで、導電性ペースト中に導電性粒子を安定的に存在させることができる。
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、光重合開始剤を含有しても構わない。光重合開始剤を含有することで、導電性ペーストにネガ型感光性を付与することができる。
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、溶剤を含有しても構わない。
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、分散性向上や、導電性コントロールのため、炭素単体物で表面被覆された導電性粒子以外の他の粒子を含有しても構わない。他の粒子としては、例えば、表面被覆されていない金属粒子若しくは金属酸化物粒子、有機顔料又は無機顔料が挙げられる。
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、光酸発生剤及び/又は熱酸発生剤を含有しても構わない。前記導電性ペーストがさらに感光性有機成分を含み、前記感光性有機成分がアルカリ可溶性樹脂であって、アルカリ可溶性樹脂が酸解離性基を有するアルカリ可溶性樹脂である場合、発生した酸によって、酸解離性基の分解が促進され、空気下での熱処理温度を低下させることが可能となる。
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストが光酸発生剤を含有する場合、導電性ペーストはさらに増感剤を含有しても構わない。増感剤は、熱処理により気化するもの、又は、硬化膜に残存した場合においても、光照射によって退色するものが好ましく、パターン加工における高解像性の観点から、光照射によって退色するものがより好ましい。
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、可視光に吸収を有する顔料及び/又は染料を、導電性粒子同士の接触及び融着を阻害しない範囲で含有しても構わない。導電性ペースト組成物が可視光に吸収を有する顔料及び/又は染料を含有することより、フラッシュ光照射による反射をさらに抑制できる。
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、必要に応じて、密着改良剤、界面活性剤又は重合禁止剤等を含有しても構わない。
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、ボールミルや、サンドグラインダー、3本ロールミル、マイルド分散機、メディアレス分散機等の分散機を用いて調製される。導電性粒子を均一に分散したい場合は、分散剤を用いて、予め有機溶剤中に導電性粒子を分散させた分散液を調製し、この分散液を、モノマー、ポリマー、密着改良剤、界面活性剤及び重合禁止剤等を含有する溶液と混合する方法により調製しても良い。導電性粒子の分散液は、表面被覆層が損傷を受けるのを防ぐために、マイルド分散機又はメディアレス分散機を用いて分散させることが好ましく、メディアレス分散機を用いて分散させることがより好ましい。導電性粒子の分散液は、例えば、マイルド分散機ナノゲッター(登録商標)(アシザワファインテック(株))又は高圧湿式メディアレス微粒化装置ナノマイザー(ナノマイザー(株))等の分散機を用いて、有機溶剤中に導電性粒子を分散させて調製される。
本発明の導電膜は、基板上に形成された導電膜であって、前記導電膜が導電性粒子と炭素成分とを含有し、前記導電膜の表面または裏面のうち前記炭素成分が少ない方の面における前記炭素成分の元素濃度が、前記炭素成分が少ない面から前記導電膜中心部に向かって50nmの深部における前記炭素成分の元素濃度に比べ2倍以上低い導電膜である。すなわち、前記炭素成分が少ない方の面における前記炭素成分の元素濃度C1と、前記炭素成分が少ない面から前記導電膜中心部に向かって50nmの深部における前記炭素成分の元素濃度C2との比C2/C1が2以上の導電膜である。
以下では、導電性ペーストを用いた導電膜および導電パターンの形成方法について詳細に説明する。
導電性ペーストを基板に塗布する方法としてはスピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷、ブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター、バーコーター、インクジェットなどの方法を用いて、全面または部分的に塗布する。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるため、乾燥後の膜厚が所定の値になるように調整する。
(塗布膜を、フォトリソグラフィにより塗布膜のパターンに加工する工程)
溶剤除去後の塗布膜を、フォトリソグラフィによりパターン加工する。露光に用いられる光源としては水銀灯のi線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)を用いるのが好ましい。
次に導電性を発現させるために塗布膜または塗布膜のパターンにフラッシュ光を照射する。フラッシュ光を照射する前後又は照射と同時に、熱処理を行っても構わない。この熱処理方法としては、例えば、オーブン、イナートオーブン、ホットプレート、赤外線などによる加熱処理や真空処理などが挙げられる。また、光吸収により発生する熱を放熱させるため、基板を冷却しながらフラッシュ光を照射しても構わない。
本発明の電界効果型トランジスタ(以下、FETという)の製造方法は、以下の工程(1)〜(4)を含む電界効果型トランジスタの製造方法であって、
(1)第一の電極を形成する工程、
(2)絶縁層を形成する工程、
(3)前記絶縁層により前記第一の電極と電気的に絶縁された第二の電極および第三の電極を形成する工程、
(4)前記第二の電極と前記第三の電極の間に半導体層を形成する工程、
前記第一の電極、前記第二の電極、および前記第三の電極の少なくとも一つが導電膜からなり、前記導電膜を本発明の導電膜の製造方法を用いて製造する。
本発明の導電膜の製造方法で得られた導電膜を用いて強誘電体メモリ素子を製造する方法の一態様は、以下の工程(a)〜(c)を含む強誘電体メモリ素子の製造方法であって、
(a)強誘電体メモリ素子の第一の電極を形成する工程、
(b)前記強誘電体メモリ素子の前記第一の電極上に強誘電体層を形成する工程、
(c)前記強誘電体層上に強誘電体メモリ素子の第二の電極を形成する工程、
前記強誘電体メモリ素子の前記第一の電極または前記強誘電体メモリ素子の前記第二の電極の少なくとも一つが導電膜からなり、前記導電膜を、本発明の導電膜の製造方法を用いて製造する。
本発明の導電膜の製造方法で得られた導電膜を用いてコンデンサを製造する方法の一態様は、以下の工程(A)〜(C)を含むコンデンサの製造方法であって、
(A)コンデンサの第一の電極を形成する工程、
(B)前記導電膜上に、誘電体層を形成する工程、
(C)前記誘電体層上にコンデンサの第二の電極を形成する工程、
前記コンデンサの前記第一の電極または前記コンデンサの前記第二の電極の少なくとも一つが導電膜からなり、前記導電膜を、本発明の導電膜の製造方法を用いて製造する。
本発明の無線通信装置の製造方法の一態様は、基板上に電界効果型トランジスタを形成する工程と、前記基板上にアンテナを形成する工程と、を含む無線通信装置の製造方法であって、前記電界効果型トランジスタを本発明の電界効果型トランジスタの製造方法を用いて形成する。
(その他の用途)
ここまで、本発明の導電膜の製造方法を用いた用途を説明してきたが、本発明は上述した用途によってのみ限定されるべきものではない。例えば、本発明の導電膜の製造方法は、タッチパネル、ディスプレイ、イメージセンサ、有機エレクトロルミネッセンス照明、太陽電池等に用いられる導電性パターンの形成にも好適に利用できる。
表面抵抗測定機(ロレスタ(登録商標)−FP;三菱油化株式会社製)を用いて表面抵抗値(Ω/□)を測定した。また、表面粗さ形状測定機(サーフコム(登録商標)1400D;株式会社東京精密製)を用いて膜厚(cm)を測定した。表面抵抗値と膜厚の両値を乗算することで、体積抵抗率(μΩ・cm)を算出した。
FETのゲート電圧(Vg)を変えたときのソース・ドレイン間電流(Id)−ソース・ドレイン間電圧(Vsd)特性を測定した。測定には半導体特性評価システム4200−SCS型(ケースレーインスツルメンツ(株)製)を用い、大気下で測定した。Vg=+20V〜−20Vに変化させたときのVsd=−5VにおけるIdの値の変化から移動度を求めた。
500mLのフラスコに2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)を2g、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート(以下、PGMEAという)を50g仕込んだ。その後、メタクリル酸を15.69g、スチレンを37.45g、ジシクロペンタニルメタクリレートを46.86g仕込み、室温でしばらく撹拌し、フラスコ内をバブリングによって十分に窒素置換した後、70℃で5時間加熱撹拌した。次に、得られた溶液にメタクリル酸グリシジルを10.46g、ジメチルベンジルアミンを1g、p−メトキシフェノールを0.2g、PGMEAを100g添加し、90℃で4時間加熱撹拌し、アルカリ可溶性樹脂1の溶液を得た。得られたアルカリ可溶性樹脂1の溶液に固形分濃度が40質量%になるようにPGMEAを加えた。アクリル樹脂の重量平均分子量(Mw)は25,000であった。
クリーンボトルに、25.0gのアルカリ可溶性樹脂1の溶液(40質量%)、光重合開始剤として1.5gのイルガキュア(登録商標)OXE02(オキシムエステル系化合物;BASF社製)、5.5gのライトアクリレート(登録商標)PE−4A(共栄社化学社製)及び分散剤として2.0gのDISPERBYK(登録商標)140(ビックケミー・ジャパン株式会社製)(アミン価:146mgKOH/g)を入れ、自転公転ミキサー“あわとり練太郎”(登録商標)(ARE−310;(株)シンキー製)で混合して、感光性樹脂溶液1を得た。
得られた感光性樹脂溶液1に、導電性粒子として表面炭素被覆層の平均厚みが1nmで、平均粒子径が40nmの銀粒子(日清エンジニアリング株式会社製)を加え、さらにPGMEAを固形分比率が80質量%になるように加えた後に混ぜ合わせ、3本ローラー(EXAKT M−50;EXAKT社製)を用いて混練することで、導電性ペーストAを得た。
上記と同様の方法で得られた感光性樹脂溶液1に、表面炭素被覆層の平均厚みが5nmで粒子径が40nmの銀微粒子(日清エンジニアリング株式会社製)を加え、さらにPGMEAを固形分比率が80質量%になるように加えた後に混ぜ合わせ、3本ローラー(EXAKT M−50;EXAKT社製)を用いて混練することで、導電性ペーストBを得た。
上記と同様の方法で得られた感光性樹脂溶液1に、表面炭素被覆層の平均厚みが5nmで粒子径が60nmの銀微粒子(日清エンジニアリング株式会社製)を加え、さらにPGMEAを固形分比率が80質量%になるように加えた後に混ぜ合わせ、3本ローラー(EXAKT M−50;EXAKT社製)を用いて混練することで、導電性ペーストCを得た。
上記と同様の方法で得られた感光性樹脂溶液1に、表面炭素被覆層の平均厚みが3nmで平均粒子径が200nmの銀微粒子(日清エンジニアリング株式会社製)を加え、さらにPGMEAを固形分比率が80質量%になるように加えた後に混ぜ合わせ、3本ローラー(EXAKT M−50;EXAKT社製)を用いて混練することで、導電性ペーストDを得た。
上記と同様の方法で得られた感光性樹脂溶液1に、表面炭素被覆層の平均厚みが1nmで平均粒子径が200nmの銀微粒子(日清エンジニアリング株式会社製)を加え、さらにPGMEAを固形分比率が80質量%になるように加えた後に混ぜ合わせ、3本ローラー(EXAKT M−50;EXAKT社製)を用いて混練することで、導電性ペーストEを得た。
80.00gの平均粒子径が200nmの銀粒子(三井金属(株)製)、分散剤として4.06gのDISPERBYK(登録商標)140(ビックケミー・ジャパン株式会社製)(アミン価:146mgKOH/g)、196.14gのPGMEAに対し、ホモジナイザーにて、1200rpm、30分の混合処理を施し、さらに、その混合液を、ジルコニアビーズが充填されたミル型分散機を用いて分散し、導電性ペーストFを得た。
感光性樹脂溶液1に、導電性粒子として80.0gの平均粒子径が200nmの銀粒子(三井金属(株)製)を加え、さらにPGMEAを固形分比率が80質量%になるように加えた後に混ぜ合わせ、3本ローラー(EXAKT M−50;EXAKT社製)を用いて混練することで、導電性ペーストGを得た。
メチルトリメトキシシラン61.29g(0.45モル)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン12.31g(0.05モル)、およびフェニルトリメトキシシラン99.15g(0.5モル)をプロピレングリコールモノブチルエーテル(沸点170℃)203.36gに溶解し、これに、水54.90g、リン酸0.864gを撹拌しながら加えた。得られた溶液をバス温105℃で2時間加熱し、内温を90℃まで上げて、主として副生するメタノールからなる成分を留出せしめた。次いでバス温130℃で2.0時間加熱し、内温を118℃まで上げて、主として水とプロピレングリコールモノブチルエーテルからなる成分を留出せしめた後、室温まで冷却し、固形分濃度26.0重量%のポリシロキサン溶液Aを得た。得られたポリシロキサンの重量平均分子量は6000であった。
アクリル樹脂SPCR−10X(商品名、昭和電工(株)製)の36重量%PGMEA溶液を8gはかり取り、PGMEA40gを混合して、室温にて撹拌し、アンダーコート層溶液Bを得た。
アクリル樹脂V−6841(商品名、DIC(株)製)の58重量%メチルイソブチルケトン溶液を8gはかり取り、PGMEA15gを混合して、室温にて撹拌し、アンダーコート層溶液Cを得た。
PET基板(膜厚50μm)上に、導電性ペーストAを乾燥膜の膜厚が1μmになるようにスクリーン印刷し、得られた塗布膜を100℃の熱風オーブン内で1分間プリベークした。得られたプリベーク膜にフラッシュランプアニール装置(PulseForge1200(NOVACENTRIX製))を用いて、フラッシュ光を照射した(エネルギー量:2Jcm−2)。フラッシュ光照射後の導電膜の表面抵抗値から以下の基準に従って導電性の評価を行った。結果を、表1に示す。
表面抵抗値が
「A」:100Ω/□未満
「B」:100Ω/□以上1kΩ/□未満
「C」:1kΩ/□以上1MΩ/□未満
「D」:1MΩ/□以上または測定不可。
PET基板(膜厚50μm)上に、アンダーコート層溶液Aを800rpm×20秒の条件でスピンコートした後、120℃で5分間熱処理後、再度アンダーコート層溶液Aを800rpm×20秒の条件でスピンコートし、150℃で30分間熱処理することによって、膜厚500nmのアンダーコート層Aを形成した。
実施例2と同様の方法で、表1記載のアンダーコート層および導電性ペーストの導電膜を得て、それぞれの導電膜について実施例1と同様の評価をした。評価結果を、表1に示す。
PET基板(膜厚50μm)上に、アンダーコート層溶液Aを800rpm×20秒の条件でスピンコートした後、120℃で5分間熱処理した。再度アンダーコート層溶液Aを800rpm×20秒の条件でスピンコートし、150℃で30分間熱処理することによって、膜厚500nmのアンダーコート層Aを形成した。
比較例1と同様の方法で、導電性ペーストGの導電膜を得て、実施例1と同様の評価をした。評価結果を、表1に示す。
PET基板(膜厚50μm)上に、アンダーコート層溶液Aを800rpm×20秒の条件でスピンコートした後、120℃で5分間熱処理した。再度アンダーコート層溶液Aを800rpm×20秒の条件でスピンコートし、150℃で30分間熱処理することによって、膜厚500nmのアンダーコート層Aを形成した。
「A」:100μΩ・cm未満
「B」:100μΩ・cm以上1mΩ・cm未満
「C」:1mΩ・cm以上または測定不可
また、ストライプ状の導電パターンの線幅を顕微鏡で測定し、解像性を評価した。結果を、表2に示す。
「A」:10μm×20mmのストライプ状の導電パターンが形成できる。
「B」:10μm×20mmのストライプ状の導電パターンが形成できない。
実施例8と同様の方法で、表2記載の導電性ペーストの導電パターンを得て、それぞれの導電パターンについて実施例1と同様の評価をした。評価結果を、表2に示す。
実施例8と同様の方法で、導電性ペーストGの導電パターンを得て、実施例1と同様の評価をした。評価結果を、表2に示す。
PET基板(膜厚50μm)上に、800rpm×20秒の条件でスピンコートした後、120℃で5分間熱処理した。再度アンダーコート層溶液Aを800rpm×20秒の条件でスピンコートし、150℃で30分間熱処理することによって、膜厚500nmのアンダーコート層Aを形成した。
「A」:100μΩ・cm未満
「B」:100μΩ・cm以上1mΩ・cm未満
「C」:1mΩ・cm以上または測定不可
また、電極パターンを顕微鏡で測定し、解像性及びパターン剥離を評価した。結果を、表3に示す。
「A」:パターン幅の誤差2μmの範囲で非開口部パターンおよび開口部パターンが形成できる。
「B」:パターン幅の誤差2μmの範囲で非開口部パターンおよび開口部パターンが形成できない。
「A」:フラッシュ光照射後のパターンに対し、パターン幅の誤差2μmの範囲で非開口部パターンおよび開口部パターンが維持されており、パターンの浮きまたはめくれがない。
「B」:フラッシュ光照射後のパターンに対し、パターン幅の誤差2μmの範囲で非開口部パターンおよび開口部パターンが維持できず、パターンの浮きまたはめくれがある。
実施例11と同様の方法で、配線部の幅および長さを実施例11と同様とし、表3記載の導電性ペースト、電極部のサイズ、開口部および非開口部の幅を有する導電パターンを得て、それぞれの導電パターンについて実施例11と同様の評価をした。評価結果を、表3に示す。
ガラス基板(膜厚0.5mm)上に、アンダーコート層溶液Aを800rpm×20秒の条件でスピンコートした後、120℃で5分間熱処理した。再度アンダーコート層溶液Aを800rpm×20秒の条件でスピンコートし、150℃で30分間熱処理することによって、膜厚500nmのアンダーコート層Aを形成した。
「A」:100μΩ・cm未満
「B」:100μΩ・cm以上1mΩ・cm未満
「C」:1mΩ・cm以上または測定不可
また、得られた導電膜パターン中の炭素成分の強度比を、 二次イオン質量分析装置(AEDEPT−1010(PHI社製))を用いて導電膜パターンの表面または裏面のうち前記炭素成分が少ない方の面における前記炭素成分の元素濃度C1と、前記炭素成分が少ない面から前記導電膜中心部に向かって50nmの深部における前記炭素成分の元素濃度C2との比C2/C1を算出した。結果を、表4に示す。
実施例20と同様の方法で、得られたパターンをフラッシュランプアニール装置(PulseForge1200(NOVACENTRIX製))を用いて、フラッシュ光を照射した(エネルギー量:1.5Jcm−2)。得られた導電パターンについて実施例20と同様の評価をした。評価結果を、表4に示す。
ガラス基板(膜厚0.5mm)上に、アンダーコート層溶液Aを800rpm×20秒の条件でスピンコートした後、120℃で5分間熱処理した。再度アンダーコート層溶液Aを800rpm×20秒の条件でスピンコートし、150℃で30分間熱処理することによって、膜厚500nmのアンダーコート層Aを形成した。
(1)半導体溶液の作製
ポリ−3−ヘキシルチオフェン(アルドリッチ社製、レジオレギュラー、数平均分子量(Mn):13000、以下P3HTという)0.10gをクロロホルム5mlの入ったフラスコの中に加え、超音波洗浄機(井内盛栄堂(株)製US−2、出力120W)中で超音波撹拌することによりP3HTのクロロホルム溶液を得た。次いでこの溶液をスポイトにとり、メタノール20mlと0.1規定塩酸10mlの混合溶液の中に0.5mlずつ滴下して、再沈殿を行った。固体になったP3HTを0.1μm孔径のメンブレンフィルター(PTFE社製:4フッ化エチレン)によって濾別捕集し、メタノールでよくすすいだ後、真空乾燥により溶媒を除去した。さらにもう一度溶解と再沈殿を行い、90mgの再沈殿P3HTを得た。
メチルトリメトキシシラン(以下、MTMSiという)61.29g(0.45モル)、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(以下、β−EpETMSiという)12.31g(0.05モル)、およびフェニルトリメトキシシラン(以下、PhTMSiという)99.15g(0.5モル)をプロピレングリコールモノブチルエーテル(沸点170℃)203.36gに溶解し、これに、水54.90g、リン酸0.864gを撹拌しながら加えた。得られた溶液をバス温105℃で2時間加熱し、内温を90℃まで上げて、主として副生するメタノールからなる成分を留出せしめた。次いでバス温130℃で2.0時間加熱し、内温を118℃まで上げて、主として水とプロピレングリコールモノブチルエーテルからなる成分を留出せしめた後、室温まで冷却し、固形分濃度26.0質量%の絶縁層材料Aを得た。
図1に示すようにFETの作製を行った。PET基板(膜厚50μm)上に、アンダーコート層溶液Cを600rpm×10秒の条件でスピンコートした後、120℃で5分間熱処理した。150℃で30分間熱処理することによって、膜厚1μmのアンダーコート層Cを形成した。
アンダーコート層溶液Bを用いて絶縁層を形成したこと以外は、実施例22と同様にしてFETを作製し、特性を測定した。FETの移動度の評価を行った結果、移動度は0.4cm2/V・secであった。
(1)RFIDの作製
PET基板(膜厚50μm)上に、アンダーコート層溶液Cを600rpm×10秒の条件でスピンコートした後、120℃で5分間熱処理後、150℃で30分間熱処理することによって、膜厚1μmのアンダーコート層Cを形成した。
2 非開口部
3 電極
4 配線
5 電極の幅
6 配線の幅
7 非開口部における導電膜の幅
11 基板
12 第一の電極
13 アンダーコート層
14 絶縁層
15 第二の電極
16 第三の電極
17 半導体層
21 基板
22 第一の電極
23 アンダーコート層
24 強誘電体層
25 第二の電極
31 基板
33 アンダーコート層
34 誘電体層
35 第一の電極
36 第二の電極
100 基板
101 アンテナパターン
102 回路
103 接続配線
Claims (12)
- 基板上に、炭素単体物で表面被覆された導電性粒子と、感光性有機成分とを含有する導電性ペーストを塗布し塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜にフラッシュ光を照射する工程と、さらに露光及び現像する工程と、を含む導電膜の製造方法。
- 前記塗布膜において、前記炭素単体物の炭素重量比率が前記導電性粒子に対して重量比率0.5%〜20%である請求項1に記載の導電膜の製造方法。
- 前記導電膜は、パターニングされた配線と電極とを有し、前記配線は、その少なくとも一部において幅が200μm以下であり、前記配線と前記電極との少なくとも一方は、幅200μmを超える広幅部を有し、前記広幅部は、開口部と非開口部とを有し、前記非開口部における導電膜の幅が200μm以下である請求項1または2に記載の導電膜の製造方法。
- 前記炭素単体物で表面被覆された前記導電性粒子の表面被覆層の平均厚みが、0.1〜10nmである請求項1〜3のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
- 前記導電性粒子が銀粒子である請求項1〜4のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
- 前記導電性粒子の平均粒子径が、10〜200nmである請求項1〜5のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
- 前記基板がアンダーコート層を有する請求項1〜6のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
- 前記アンダーコート層がアクリル系樹脂またはシロキサン系樹脂の少なくとも一方を含有する請求項7に記載の導電膜の製造方法。
- 以下の工程(1)〜(4)を含む電界効果型トランジスタの製造方法であって、
(1)第一の電極を形成する工程、
(2)絶縁層を形成する工程、
(3)前記絶縁層により前記第一の電極と電気的に絶縁された第二の電極および第三の電極を形成する工程、
(4)前記第二の電極と前記第三の電極の間に半導体層を形成する工程、
前記第一の電極、前記第二の電極、および前記第三の電極の少なくとも一つが導電膜からなり、前記導電膜を請求項1〜8のいずれかに記載の導電膜の製造方法を用いて製造する、電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記半導体層を形成する工程に、カーボンナノチューブを含む溶液を塗布する手順を含む請求項9に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
- 基板上に電界効果型トランジスタを形成する工程と、前記基板上にアンテナを形成する工程と、を含む無線通信装置の製造方法であって、前記電界効果型トランジスタを請求項9または10に記載の電界効果型トランジスタの製造方法を用いて形成する無線通信装置の製造方法。
- 基板上に電界効果型トランジスタを形成する工程と、前記基板上にアンテナを形成する工程と、を含む無線通信装置の製造方法であって、前記アンテナが導電膜からなり、前記導電膜を請求項1〜8のいずれかに記載の導電膜の製造方法を用いて形成する無線通信装置の製造方法。
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