TWI806905B - 場效電晶體與其製造方法、以及使用上述的無線通訊裝置和商品標籤 - Google Patents

場效電晶體與其製造方法、以及使用上述的無線通訊裝置和商品標籤 Download PDF

Info

Publication number
TWI806905B
TWI806905B TW107134060A TW107134060A TWI806905B TW I806905 B TWI806905 B TW I806905B TW 107134060 A TW107134060 A TW 107134060A TW 107134060 A TW107134060 A TW 107134060A TW I806905 B TWI806905 B TW I806905B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
particles
insulating layer
effect transistor
group
item
Prior art date
Application number
TW107134060A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201925387A (zh
Inventor
崎井大輔
村瀬清一郎
脇田潤史
Original Assignee
日商東麗股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東麗股份有限公司 filed Critical 日商東麗股份有限公司
Publication of TW201925387A publication Critical patent/TW201925387A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI806905B publication Critical patent/TWI806905B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/478—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a layer of composite material comprising interpenetrating or embedded materials, e.g. TiO2 particles in a polymer matrix
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/18—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C08G77/28—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen sulfur-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/58—Metal-containing linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/80—Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C08K3/041—Carbon nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/08—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C09D183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C09D183/08—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen, and oxygen
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0723—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising an arrangement for non-contact communication, e.g. wireless communication circuits on transponder cards, non-contact smart cards or RFIDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C08K2003/0806—Silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

一種場效電晶體，其至少包括基板，源極電極、汲極電極及閘極電極，與所述源極電極及汲極電極相接的半導體層，以及將所述半導體層與所述閘極電極絕緣的閘極絕緣層，所述場效電晶體中，所述半導體層含有碳奈米管，所述閘極絕緣層含有鍵結有無機粒子的聚合物。本發明提供一種漏電流得到減少、進而可實現半導體溶液的均勻塗佈的場效電晶體與其製造方法。

Description

場效電晶體與其製造方法、以及使用上述的無 線通訊裝置和商品標籤
本發明是有關於一種場效電晶體與其製造方法、以及使用上述的無線通訊裝置和商品標籤。
近年來，正積極研究於半導體層使用碳奈米管(carbon nanotube，CNT)的場效電晶體(field effect transistor，FET)。CNT可溶於有機溶媒中，因此可藉由利用噴墨印刷等塗佈法形成低成本的薄膜來形成半導體層。此時，為了使所獲得的FET具有穩定的電性特性，需要形成平滑地進行了塗佈的均勻的半導體層。
另一方面，作為FET的重要的構件，有閘極絕緣層。閘極絕緣層為將半導體層與閘極電極隔開的構件，所使用的絕緣層的電性特性對漏電流值等FET的重要性能帶來大的影響。另外，通常與閘極絕緣層相接地形成有半導體層。於半導體層中在與閘極絕緣層的界面附近形成有作為電流的通路的通道，因此閘極絕緣層表面的性質對FET特性造成大的影響。
作為閘極絕緣層用的材料，亦正有活力地研究有機聚合物等可溶於有機溶媒中的有機材料。該些可藉由狹縫塗佈等塗佈法來形成低成本的薄膜，且可以低溫製程於可撓性基板上形成薄膜。進而，為了控制絕緣層中的電性特性，亦不斷推進將無機化 合物添加至絕緣層中的研究。
作為可溶於有機溶媒的塗佈型閘極絕緣層用材料中添加無機化合物的例子，已知有含有聚合物及無機氧化物微粒子的閘極絕緣層(例如，參照專利文獻1)，或含有與具有聚合性基的奈米粒子鍵結的聚合物的閘極絕緣層(例如，參照專利文獻2)。專利文獻1中揭示一種FET，其具有：含有在表面的至少一部分附著有共軛系聚合體的CNT(CNT複合體)的半導體層；以及含有聚合物及無機氧化物微粒子的閘極絕緣層。藉由半導體層含有CNT複合體，可獲得具有高遷移率、高開/關比的FET。另一方面，示出：藉由使用含有聚合物及無機氧化物微粒子的閘極絕緣層，可大幅改善導通電壓、遲滯高的課題。專利文獻2中示出：藉由含有與具有聚合性基的奈米粒子鍵結的聚矽氧烷的閘極絕緣層，可提高FET的遷移率、開/關比，並減少漏電流。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-115162號公報
[專利文獻2]美國專利公開第2016/0347969號
於專利文獻1的技術中，藉由利用一部分經凝聚的無機粒子形成導電路徑，除存在漏電流變大的課題以外，亦存在缺乏半導體溶液的均勻塗佈性、接通電流值不充分的課題。於專利文獻2 的技術中，存在接通電流值仍不充分的課題。另外，並未提及改善半導體溶液的塗佈性。
因此，本發明的目的在於提供一種漏電流得到減少、進而可實現半導體溶液的均勻塗佈的場效電晶體與其製造方法。
本發明為一種場效電晶體，其至少包括基板，源極電極、汲極電極及閘極電極，與所述源極電極及汲極電極相接的半導體層，以及將所述半導體層與所述閘極電極絕緣的閘極絕緣層，所述場效電晶體中，所述半導體層含有碳奈米管，所述閘極絕緣層含有鍵結有無機粒子的聚合物。
根據本發明的場效電晶體，可獲得一種漏電流得到減少、進而可實現半導體溶液的均勻塗佈的場效電晶體與其製造方法。
1:基板
2:閘極電極
3:閘極絕緣層
4:半導體層
5:源極電極
6:汲極電極
10:天線
11:解調電路
12:控制電路
13:調變電路
14:記憶電路
15:電源生成部
圖1為表示本發明的實施形態的場效電晶體的一例的示意剖面圖。
圖2為表示本發明的實施形態的場效電晶體的另一例的示意剖面圖。
圖3為表示使用本發明的實施形態的場效電晶體的無線通訊裝置的一例的框圖。
以下，對本發明的場效電晶體(FET)與其製造方法、以及使用上述的無線通訊裝置和商品標籤的較佳的實施形態進行詳細說明。其中，本發明並不限定於以下的實施形態，可根據目的或用途進行各種變更來實施。
本發明的FET為至少包括基板，源極電極、汲極電極及閘極電極，與所述源極電極及汲極電極相接的半導體層，以及將所述半導體層與所述閘極電極絕緣的閘極絕緣層的場效電晶體，所述半導體層含有碳奈米管(CNT)，所述閘極絕緣層含有鍵結有無機粒子的聚合物。此處，所謂閘極絕緣層將半導體層與閘極電極絕緣，是指藉由閘極絕緣層而將半導體層與閘極電極電性隔開。
<閘極絕緣層>
(鍵結有無機粒子的聚合物)
本發明的FET中的閘極絕緣層含有鍵結有無機粒子的聚合物。此處，所謂鍵結，是選自共價鍵結、離子鍵結、配位鍵結、金屬鍵結、氫鍵結、利用π-π相互作用的鍵結、利用離子-偶極相互作用的鍵結、利用偶極-偶極相互作用的鍵結、利用偶極-誘導偶極相互作用的鍵結、利用疏水性相互作用的鍵結、利用電荷遷移錯合物形成的鍵結、利用金屬-配位體錯合物形成的鍵結、利用倫敦分散力(London dispersion force)的鍵結、及利用凡得瓦爾力的鍵結中的鍵結。其中，就鍵結有無機粒子的聚合物的化學穩定性及FET的穩定動作的觀點而言，較佳為共價鍵結。
藉由使用鍵結有無機粒子的聚合物，可增大所獲得的FET的接通電流。推測其原因在於：藉由使用鍵結有無機粒子的聚合物，與將無機粒子與聚合物混合的情況相比，可抑制無機粒子的凝聚，所獲得的閘極絕緣層成為均質的狀態，藉此閘極絕緣層表面形狀於在其上塗佈形成半導體層時，成為對作為半導體層中的導電路徑的CNT網路的形成而言最佳的形狀。於半導體層中所含有的材料為CNT以外的、例如富勒烯等奈米碳材料的情況下，無法獲得所述效果。另外，於使無機粒子鍵結於聚合物的狀態下，無機粒子的鹼可溶性得到提高，因此可抑制由利用鹼性顯影液的殘渣產生引起的圖案加工性的下降。
無機粒子與聚合物的鍵結的有無可將13C-NMR、29Si-NMR及IR等分析方法加以組合而確認。例如，使用13C-NMR或29Si-NMR，對無機粒子的光譜、聚合物的光譜及鍵結有無機粒子的聚合物的光譜進行比較。源自鍵結有無機粒子的聚合物中的、無機粒子所鍵結的C原子或Si原子的峰值成為具有在聚合物的光譜中並不存在的化學位移的峰值，因此可確認無機粒子與聚合物的鍵結的有無。
同樣地，於IR中源自鍵結有無機粒子的聚合物中的C原子或Si原子的峰值成為具有與聚合物的光譜不同的波數的峰值，因此可確認無機粒子與聚合物的鍵結的有無。
無機粒子只要為包含無機物質的粒子，則並無特別限制，較佳為包含金屬化合物或半金屬化合物的粒子。無機粒子由 於熱硬化時的收縮率小，故可抑制收縮應力的產生。因此，可提高閘極絕緣層的耐龜裂性，並減少漏電流。此處，所謂漏電流，是電路上流向意料之外的部位的漏出的電流。為了以低消耗電力驅動FET，需要減小漏電流的值。漏電流值較佳為50pA以下，更佳為35pA以下，進而佳為20pA以下，特佳為10pA以下。
作為金屬或半金屬，例如可列舉選自由矽、鎂、鈣、鍶、鋇、鑭、鈰、錫、鈦、鋯、鉿、釔、鈮、鉭及鋁所組成的群組中的元素。作為金屬化合物或半金屬化合物，例如可列舉：所述金屬或半金屬的鹵化物、氧化物、氮化物、氫氧化物、碳酸鹽、硫酸鹽、硝酸鹽或偏矽酸鹽。該些中，就提高FET的接通電流的觀點而言，較佳為金屬氧化物。
無機粒子的形狀並無特別限制，但為了將閘極絕緣層的表面保持平滑，較佳為低縱橫比的形狀，更佳為球狀。
就閘極絕緣層的圖案加工性提高、以及耐龜裂性提高帶來的漏電流減少的觀點而言，無機粒子的數量平均粒徑較佳為1nm以上，更佳為5nm以上，進而佳為15nm以上，特佳為20nm以上。若無機粒子的數量平均粒徑為所述範圍內，則可提高閘極絕緣層的耐龜裂性，並減少漏電流。另一方面，數量平均粒徑較佳為100nm以下，更佳為70nm以下，進而佳為60nm以下，特佳為50nm以下。若數量平均粒徑為所述範圍內，則可提高圖案加工性。
此處，無機粒子的數量平均粒徑可藉由使用掃描式電子 顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)或穿透式電子顯微鏡(transmission electron microscope，TEM)，並如以下般進行測定來求出。將放大倍率設為50,000倍~200,000倍來觀測閘極絕緣層的剖面。於無機粒子為圓球的情況下，測定圓球的直徑而作為所述粒子的粒徑。於無機粒子並非圓球的情況下，測定最長直徑(以下為「長軸徑」)及與長軸徑正交的方向中最長的直徑(以下為「短軸徑」)，將長軸徑與短軸徑加以平均，並將所得的雙軸平均徑作為所述粒子的粒徑。對隨機選擇的20個以上的粒子進行所述粒徑測定，將其算術平均值作為數量平均粒徑。
另外，為了使與基質樹脂容易反應，無機粒子較佳為於其表面具有羥基等可與樹脂反應的官能基。若無機粒子與基質樹脂的反應性良好，則於熱硬化時於樹脂中組入無機粒子，可抑制熱硬化時的收縮應力的產生，故閘極絕緣層的耐龜裂性提高，且漏電流減少。
作為無機粒子，例如可列舉：二氧化矽粒子、氟化鎂粒子、氯化鎂粒子、溴化鎂粒子、氧化鎂粒子、碳酸鎂粒子、硫酸鎂粒子、硝酸鎂粒子、氫氧化鎂粒子、氟化鈣粒子、氯化鈣粒子、溴化鈣粒子、氧化鈣粒子、碳酸鈣粒子、硫酸鈣粒子、硝酸鈣粒子、氫氧化鈣粒子、氟化鍶粒子、氟化鋇粒子、氟化鑭粒子、氟化鈰粒子、氧化錫-氧化鈦複合粒子、氧化矽-氧化鈦複合粒子、氧化鈦粒子、氧化鋯粒子、氧化鉿粒子、氧化錫粒子、氧化釔粒子、氧化鈮粒子、氧化鉭粒子、氧化錫-氧化鋯複合粒子、氧化矽-氧化 鋯複合粒子、氧化鋁粒子、鈦酸鋇粒子、鈦酸鍶粒子、鈦酸鋇-鈦酸鍶複合粒子等。就與後述的聚合物的相容性的觀點而言，較佳為選自二氧化矽粒子、氧化錫-氧化鈦複合粒子、氧化矽-氧化鈦複合粒子、氧化鈦粒子、氧化鋯粒子、氧化鉿粒子、氧化錫粒子、氧化釔粒子、氧化鈮粒子、氧化鉭粒子、氧化錫-氧化鋯複合粒子、氧化矽-氧化鋯複合粒子、氧化鋁粒子、鈦酸鋇粒子、鈦酸鍶粒子及鈦酸鋇-鈦酸鍶複合粒子中的無機粒子。
進而，就提高FET的接通電流的觀點而言，更佳為選自氧化錫-氧化鈦複合粒子、氧化矽-氧化鈦複合粒子、氧化鈦粒子、氧化鋯粒子、氧化鉿粒子、氧化釔粒子、氧化鈮粒子、氧化鉭粒子、氧化錫-氧化鋯複合粒子、氧化矽-氧化鋯複合粒子、氧化鋁粒子、鈦酸鋇粒子、鈦酸鍶粒子及鈦酸鋇-鈦酸鍶複合粒子中的無機粒子。
所謂接通電流，是以某閘極電壓值進行FET驅動時(接通時)的電路上所流通的電流，為了提高FET的開關特性，需要增大接通電流的值。接通電流值較佳為5μA以上，更佳為20μA以上，進而佳為50μA以上，特佳為100μA以上。
就利用鹼性顯影液的圖案加工性的觀點而言，作為二氧化矽粒子，可較佳地例示例如將甲醇(methanol，MA)設為分散媒的甲醇二氧化矽溶膠、將異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)設為分散媒的IPA-ST、將乙二醇(ethylene glycol，EG)設為分散媒的EG-ST、將甲基乙基酮(methyl ethyl ketone，MEK)設為分散 媒的MEK-ST、將丙二醇單甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA)設為分散媒的PMA-ST、將丙二醇單甲醚(propylene glycol monomethyl ether，PGME)設為分散媒的PGM-ST、分散溶液為水的斯諾泰庫(snowtex)(註冊商標)OXS、分散溶液為水的斯諾泰庫(snowtex)(註冊商標)OS、分散溶液為水的斯諾泰庫(snowtex)(註冊商標)O、分散溶液為水的斯諾泰庫(snowtex)(註冊商標)O-50(以上均為日產化學工業(股)製造)、將IPA設為分散媒的奧斯卡璐(OSCAL)(註冊商標)-1421、將IPA設為分散媒的奧斯卡璐(OSCAL)(註冊商標)-1432、將MA設為分散媒的奧斯卡璐(OSCAL)(註冊商標)-1132、將乙二醇單甲醚(ethylene glycol monomethyl ether，EGME)設為分散媒的奧斯卡璐(OSCAL)(註冊商標)-1632、將EG設為分散媒的奧斯卡璐(OSCAL)(註冊商標)-1727BM(以上均為日揮觸媒化成工業(股)製造)、分散溶液為水的庫特隆(Quartron)(註冊商標)PL-06L、分散溶液為水的庫特隆(Quartron)(註冊商標)PL-1、分散溶液為水的庫特隆(Quartron)(註冊商標)PL-2L、分散溶液為水的庫特隆(Quartron)(註冊商標)PL-3、將IPA設為分散媒的庫特隆(Quartron)(註冊商標)PL-1-IPA、將IPA設為分散媒的庫特隆(Quartron)(註冊商標)PL-2L-IPA、將MA設為分散媒的庫特隆(Quartron)(註冊商標)PL-2L-MA、將PGME設為分散媒的庫特隆(Quartron)(註冊商標)PL-2L-PGME、將二丙酮醇(diacetone alcohol，DAA)設為分散媒的庫特隆(Quartron) (註冊商標)PL-2L-DAA(以上均為扶桑化學工業(股)製造)等，亦可利用其他公知的材料。
作為氧化錫-氧化鈦複合粒子，例如可列舉奧普托萊克(Optolake)(註冊商標)TR-502或TR-504(以上均為日揮觸媒化成工業(股)製造)。
作為氧化矽-氧化鈦複合粒子，例如可列舉：奧普托萊克(Optolake)(註冊商標)TR-503、TR-513、TR-520、TR-521、TR-527、TR-528、TR-529、TR-543、TR-544或TR-550(以上均為日揮觸媒化成工業(股)製造)。
作為氧化鈦粒子，例如可列舉：奧普托萊克(Optolake)(註冊商標)TR-505(日揮觸媒化成工業(股)製造)、塔依諾庫(Tynoc)(註冊商標)A-6、M-6或AM-15(以上均為多木化學(股)製造)、nSol(註冊商標)101-20I、101-20L、101-20BL或107-20I(以上均為納諾克萊姆(NanoGram)(股)製造)、TTO-51(A)、TTO-51(B)、TTO-55(A)、TTO-55(B)、TTO-55(C)、TTO-55(D)、TTO-V-4或TTO-W-5(以上均為石原產業(股)製造)、RTTAP15WT%-E10、RTTDNB15WT%-E11、RTTDNB15WT%-E12、RTTDNB15WT%-E13、RTTIBA15WT%-E6、RTIPA15WT%-NO8、RTIPA15WT%-NO9、RTIPA20WT%-N11、RTIPA20WT%-N13、RTIPA20WT%-N14或RTIPA20WT%-N16(以上均為希愛化成(股)製造)或HT331B、HT431B、HT631B、HT731B或HT830X(以上均為東邦鈦(Toho Titanium)(股)製造)。
作為氧化鋯粒子，可列舉：納諾優思(NanoUse)(註冊商標)ZR-30BL、ZR-30BS、ZR-30BH、ZR-30AL、ZR-30AH或OZ-30M(以上均為日產化學工業(股)製造)或ZSL-M20、ZSL-10T、ZSL-10A或ZSL-20N(以上均為第一稀元素化學工業(股)製造)。
作為氧化錫粒子，可列舉塞拉麥斯(Ceramace)(註冊商標)S-8或S-10(以上均為多木化學(股)製造)。
作為氧化鈮粒子，可列舉拜拉璐(Bailar)(註冊商標)Nb-X10(多木化學(股)製造)。
作為其他無機粒子，可列舉氧化錫-氧化鋯複合粒子(觸媒化成工業(股)製造)、氧化錫粒子或氧化鋯粒子(以上均為高純度化學研究所(股)製造)。
無機粒子於閘極絕緣層中所佔的含量以體積分率計較佳為10vol%以上，更佳為15vol%以上，特佳為20vol%以上。另外，同樣地，含量較佳為60vol%以下，更佳為50vol%以下，特佳為40vol%以下。若無機粒子的含量為所述範圍內，則於不損及閘極絕緣層的圖案加工性的情況下，可藉由耐龜裂性的提高而減少漏電流。
鍵結有無機粒子的聚合物中，聚合物較佳為可溶於溶媒中者。聚合物的骨架亦可使用直鏈狀、環狀、分支狀的任一種。另外，亦較佳為於側鏈導入交聯性的官能基、具有極性的官能基、控制聚合物的各種特性的官能基。藉由使用控制了該些特性的聚 合物，於FET元件的製作步驟中可獲得例如塗佈性、表面的平坦性、耐溶劑性、透明性、其他油墨的良好的潤濕性等。進而，可獲得FET元件形成後的耐久性或穩定性等優異、良好的FET元件。
本發明中所使用的聚合物只要為顯示出使FET正常地發揮功能的程度的絕緣性者，則並無特別限制，例如可使用：聚矽氧烷、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞胺、聚苯并咪唑、聚乙烯醇、聚乙烯酚、聚縮醛、聚碳酸酯、聚芳酯、聚苯硫醚、聚醚碸、聚醚酮、聚鄰苯二甲醯胺、聚醚腈、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯醯胺、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯、聚苯乙烯、聚酯、芳香族聚醚、酚醛清漆樹脂、酚樹脂、丙烯酸樹脂、烯烴樹脂、脂環式烯烴樹脂、氯乙烯樹脂、環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂等。另外，亦可使用對該些聚合物共聚或混合有其他聚合物而成者。該些中，就FET的接通電流的提高及漏電流的減少的觀點而言，可較佳地使用聚矽氧烷。
聚矽氧烷較佳為具有通式(1)所表示的結構單元。
Figure 107134060-A0305-02-0013-1
通式(1)中，R1表示氫原子、烷基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基或烯基。R2表示氫原子、烷基、環烷基或矽烷基。m表示0或1。A1表示包含至少兩個羧基、磺基、硫醇基、酚性羥基或該些的衍生物的有機基。其中，於所述衍生物為由所述羧基、磺基、硫醇基及酚性羥基中的兩個形成的環狀縮合結構的情況下，A1表示具有至少一個該環狀縮合結構的有機基。
所謂烷基，例如表示甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基等飽和脂肪族烴基，可具有取代基，亦可不具有取代基。作為取代基，並無特別限制，例如可列舉：烷氧基、芳基、雜芳基等。該些取代基可進一步具有取代基。另外，烷基的碳數並無特別限定，但就獲取的容易性或成本的方面而言，較佳為1以上且20以下，更佳為1以上且8以下。
所謂環烷基，例如表示環丙基、環己基、降冰片基、金剛烷基等飽和脂環式烴基，可具有取代基，亦可不具有取代基。作為取代基，並無特別限制，例如可列舉：烷基、烷氧基、芳基、雜芳基等。該些取代基可進一步具有取代基。與該些取代基相關的說明於以下的記載中亦共通。環烷基的碳數並無特別限定，較佳為3以上且20以下的範圍。
所謂雜環基，例如表示自吡喃環、哌啶環、醯胺環等在環內具有碳以外的原子的脂肪族環所衍生出的基，可具有取代基，亦可不具有取代基。雜環基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且20以下的範圍。
所謂芳基，例如表示苯基、萘基、聯苯基、蒽基、菲基、三聯苯基、芘基等芳香族烴基，可具有取代基，亦可不具有取代基。芳基的碳數並無特別限定，較佳為6~40的範圍。
所謂雜芳基，例如表示呋喃基、硫苯基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基等在一個或多個環內具有碳以外的原子的芳香族基，可具有取代基，亦可不具有取代基。雜芳基的碳數並無特別限定，較佳為2~30的範圍。
所謂烯基，例如表示乙烯基、烯丙基、丁二烯基等包含雙鍵的不飽和脂肪族烴基，可具有取代基，亦可不具有取代基。烯基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且20以下的範圍。
另外，所謂所述作為取代基而列舉的烷氧基，例如表示甲氧基、乙氧基、丙氧基等醚鍵的一個經脂肪族烴基取代而成的官能基，該脂肪族烴基可具有取代基，亦可不具有取代基。烷氧基的碳數並無特別限定，較佳為1以上且20以下的範圍。
所謂A1中的有機基，表示先前列舉的烷基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基或烯基。該些中，就低遲滯的觀點而言，較佳為烷基、環烷基、芳基及烯基，更佳為烷基及芳基，進而佳為烷基。
藉由具有通式(1)所表示的結構單元的聚矽氧烷含有作為A1的包含至少兩個羧基、磺基、硫醇基、酚性羥基或該些的衍生物的有機基，可於所獲得的閘極絕緣層上形成平滑地塗佈有CNT的均勻的半導體層。推測其原因在於：存在於絕緣層表面的 該些極性官能基控制半導體溶液的潤濕性，從而可進行無凹陷的塗佈。
另外，於所述衍生物為由所述羧基、磺基、硫醇基及酚性羥基中的兩個形成的環狀縮合結構的情況下，藉由含有作為A1的具有至少一個該環狀縮合結構的有機基，可獲得相同的效果。
半導體溶液於閘極絕緣層上的塗佈性可藉由利用液滴法測定半導體溶液相對於閘極絕緣層的接觸角來評價。就無凹陷而均勻地塗佈的觀點而言，接觸角較佳為未滿15°，更佳為未滿12°，進而佳為未滿10°，特佳為未滿9°。另一方面，就為了FET的穩定動作而需要固定膜厚而言，接觸角較佳為4°以上，更佳為5°以上，進而佳為6°以上，特佳為7°以上。
另外，藉由具有通式(1)所表示的結構單元的聚矽氧烷具有A1，所獲得的閘極絕緣層的耐龜裂性增大，並實現漏電流的減少。
進而，藉由具有通式(1)所表示的結構單元的聚矽氧烷具有A1，於閘極絕緣層的微影時顯現出相對於鹼性顯影液的優異的溶解性。藉此，可與設計尺寸一致地精度良好地對圖案進行加工，故解析度變良好。解析度較佳為30μm以下，更佳為15μm以下，進而佳為5μm以下。
作為羧基、磺基、硫醇基或酚性羥基的各衍生物中的非環狀的縮合結構，可列舉與烴基或矽烷基的羧酸酯、磺酸酯、硫酯、硫醚及苯醚等。此外可列舉羧酸酐及藉由羧酸酐與胺化合物 的反應而生成的醯胺化合物或醯亞胺化合物等。
此處，所謂矽烷基，只要為將Si原子設為鍵結點的官能基，則並無特別限制，可進而具有氫原子、有機基及矽烷基，亦可經由氧原子。另外，亦可為聚矽氧烷。
作為由羧基、磺基、硫醇基及酚性羥基中的兩個形成的環狀縮合結構，可列舉：環狀酸酐結構、環狀酯結構、環狀硫酯結構、環狀醚結構及環狀硫醚結構等。
縮合包含自分子內的縮合及其他分子間的縮合兩者。於其他分子間的縮合的情況下，包含聚矽氧烷彼此及與源自其他構成材料的縮合兩者。
就半導體溶液的塗佈性提高、以及閘極絕緣層的耐龜裂性提高帶來的漏電流減少的觀點而言，通式(1)中的A1較佳為具有至少兩個羧基或其衍生物、或者具有至少一個環狀酸酐基的有機基。A1進而佳為通式(2)或通式(3)所表示的基。
Figure 107134060-A0305-02-0017-2
通式(2)中，X1表示單鍵、碳數1~10的伸烷基或碳數6~15的伸芳基。R3及R4分別獨立地表示氫原子、有機基或矽烷基。通式(3)中，X2表示單鍵、碳數1~10的伸烷基或碳數6~15的伸芳基。
聚矽氧烷中，就半導體溶液的塗佈性提高、及閘極絕緣層的耐龜裂性提高帶來的漏電流減少、以及閘極絕緣層的微影時的解析度提高的觀點而言，所述通式(1)所表示的結構單元於總矽烷結構單元中所佔的含有比率較佳為0.5mol%以上，更佳為1.0mol%以上，進而佳為1.5mol%以上。另外，就防止由吸濕引起的漏電流增加的觀點而言，較佳為25mol%以下，更佳為20mol%以下，進而佳為15mol%以下。
聚矽氧烷中所述通式(1)所表示的結構單元於總矽烷結構單元中所佔的含有比率可藉由13C-NMR來求出。於羧基及其衍生物中羰基的碳原子於化學位移170ppm-180ppm附近特徵性地出現，於磺基及其衍生物中與S原子鍵結的碳原子於化學位移30ppm-40ppm附近特徵性地出現，於硫醇基及其衍生物中與S原子鍵結的碳原子於化學位移10ppm-20ppm附近特徵性地出現，於酚性羥基及其衍生物中與源自酚性羥基的O原子鍵結的芳香環內的碳原子於化學位移140ppm-170ppm附近特徵性地出現。可由該些及與其他結構單元中的碳原子的峰值面積比來求出結構單元的含有比率。
作為通式(1)所表示的結構單元，可例示源自以下矽 烷化合物的結構單元。
作為具有羧基或該些的衍生物者，可列舉：源自二甲氧基甲基矽烷基甲基丁二酸、二乙氧基甲基矽烷基甲基丁二酸、二甲氧基苯基矽烷基甲基丁二酸、二乙氧基苯基矽烷基甲基丁二酸、三甲氧基矽烷基甲基丁二酸、三乙氧基矽烷基甲基丁二酸、2-二甲氧基甲基矽烷基乙基丁二酸、2-二乙氧基甲基矽烷基乙基丁二酸、2-二甲氧基苯基矽烷基乙基丁二酸、2-二乙氧基苯基矽烷基乙基丁二酸、2-三甲氧基矽烷基乙基丁二酸、2-三乙氧基矽烷基乙基丁二酸、3-二甲氧基甲基矽烷基丙基丁二酸、3-二乙氧基甲基矽烷基丙基丁二酸、3-二甲氧基苯基矽烷基丙基丁二酸、3-二乙氧基苯基矽烷基丙基丁二酸、3-三甲氧基矽烷基丙基丁二酸、3-三乙氧基矽烷基丙基丁二酸、4-二甲氧基甲基矽烷基丁基丁二酸、4-二乙氧基甲基矽烷基丁基丁二酸、4-二甲氧基苯基矽烷基丁基丁二酸、4-二乙氧基苯基矽烷基丁基丁二酸、4-三甲氧基矽烷基丁基丁二酸、4-三乙氧基矽烷基丁基丁二酸、5-二甲氧基甲基矽烷基戊基丁二酸、5-二乙氧基甲基矽烷基戊基丁二酸、5-二甲氧基苯基矽烷基戊基丁二酸、5-二乙氧基苯基矽烷基戊基丁二酸、5-三甲氧基矽烷基戊基丁二酸、5-三乙氧基矽烷基戊基丁二酸、6-二甲氧基甲基矽烷基己基丁二酸、6-二乙氧基甲基矽烷基己基丁二酸、6-二甲氧基苯基矽烷基己基丁二酸、6-二乙氧基苯基矽烷基己基丁二酸、6-三甲氧基矽烷基己基丁二酸、6-三乙氧基矽烷基己基丁二酸、具有該些丁二酸結構的化合物的酐、及該些丁二酸成為戊二酸而成 的化合物的結構單元。
作為具有磺基或該些的衍生物者，可列舉：源自5-二甲氧基甲基矽烷基戊烷-1,2-二磺酸、5-二乙氧基甲基矽烷基戊烷-1,2-二磺酸、5-二甲氧基苯基矽烷基戊烷-1,2-二磺酸、5-二乙氧基苯基矽烷基戊烷-1,2-二磺酸、5-三甲氧基矽烷基戊烷-1,2-二磺酸、5-三乙氧基矽烷基戊烷-1,2-二磺酸及該些的甲酯、乙酯、正丙酯、異丙酯、正丁酯、第二丁酯以及第三丁酯的結構單元。
作為具有硫醇基或該些的衍生物者，可列舉：源自3-(3-二甲氧基甲基矽烷基丙氧基)丙烷-1,2-二硫醇、3-(3-二乙氧基甲基矽烷基丙氧基)丙烷-1,2-二硫醇、3-(3-二甲氧基苯基矽烷基丙氧基)丙烷-1,2-二硫醇、3-(3-二乙氧基苯基矽烷基丙氧基)丙烷-1,2-二硫醇、3-(3-三甲氧基矽烷基丙氧基)丙烷-1,2-二硫醇、3-(3-三乙氧基矽烷基丙氧基)丙烷-1,2-二硫醇及該些的甲基硫醚、乙基硫醚、正丙基硫醚、異丙基硫醚、正丁基硫醚、第二丁基硫醚以及第三丁基硫醚的結構單元。
作為具有酚性羥基或該些的衍生物者，可列舉：源自具有3-二甲氧基甲基矽烷基丙基、3-二乙氧基甲基矽烷基丙基、3-二甲氧基苯基矽烷基丙基、3-二乙氧基苯基矽烷基丙基、3-三甲氧基矽烷基丙基或3-三乙氧基矽烷基丙基的鄰苯二酚、間苯二酚、對苯二酚或間苯三酚、及該些的甲醚、乙醚、正丙醚、異丙醚、正丁醚、第二丁醚以及第三丁醚的結構單元。
作為具有羧基、磺基、硫醇基、酚性羥基或該些的衍生 物內分別包含各一個不同種類的基者，可列舉：源自1-羧基-2-磺基-5-三甲氧基矽烷基戊烷、1-羧基-2-巰基-5-三甲氧基矽烷基戊烷、1-磺基-2-巰基-5-三甲氧基矽烷基戊烷、1-羧基-2-羥基-4-三甲氧基矽烷基苯、1-磺基-2-羥基-4-三甲氧基矽烷基苯、1-巰基-2-羥基-4-三甲氧基矽烷基苯及該些取代基的位置不同的位置異構體，以及該些的甲基(硫)酯、乙基(硫)酯、正丙基(硫)酯、異丙基(硫)酯、正丁基(硫)酯、第二丁基(硫)酯、第三丁基(硫)酯、甲基(硫)醚、乙基(硫)醚、正丙基(硫)醚、異丙基(硫)醚、正丁基(硫)醚、第二丁基(硫)醚、第三丁基(硫)醚、環狀(硫)酯及環狀(硫)醚的結構單元。
其中，就半導體溶液的塗佈性提高、以及閘極絕緣層的耐龜裂性提高帶來的漏電流減少的觀點而言，較佳為源自具有至少兩個羧基或其衍生物、或者具有至少一個環狀酸酐基的矽烷化合物的結構單元，更佳為源自具有丁二酸、丁二酸酐結構或該些的衍生物的矽烷化合物的結構單元，進而佳為源自具有丁二酸或丁二酸酐結構的矽烷化合物的結構單元。具體而言，進而佳為源自3-二甲氧基甲基矽烷基丙基丁二酸、3-二乙氧基甲基矽烷基丙基丁二酸、3-二甲氧基苯基矽烷基丙基丁二酸、3-二乙氧基苯基矽烷基丙基丁二酸、3-三甲氧基矽烷基丙基丁二酸、3-三乙氧基矽烷基丙基丁二酸及該些的酐的結構單元，特佳為源自3-三甲氧基矽烷基丙基丁二酸、3-三乙氧基矽烷基丙基丁二酸及該些的酐的結構單元。
就由交聯結構的導入引起的耐龜裂性提高與漏電流減少的觀點而言，本發明的閘極絕緣層中的聚矽氧烷較佳為進而具有通式(4)所表示的結構單元。
Figure 107134060-A0305-02-0022-3
通式(4)中，R5表示氫原子、烷基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基或烯基。R6表示氫原子、烷基、環烷基或矽烷基。n表示0或1。B1表示包含丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基的加成反應結構的有機基。
所謂包含丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基的加成反應結構的有機基，是具有丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基的矽烷化合物中所含的丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基彼此及/或與後述的自由基聚合性化合物中所含的丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基進行加成反應而成者。加成反應為伴隨藉由光或熱的自由基聚合的交聯反應。
所述聚矽氧烷中，就耐龜裂性提高的觀點而言，所述通式(4)所表示的結構單元於總矽烷結構單元中所佔的含有比率較 佳為5mol%以上，更佳為15mol%以上，進而佳為25mol%以上。另外，於交聯密度過度高的情況下，於光微影步驟中的顯影等濕式製程中膜膨潤，從而圖案的解析度降低。就防止所述情況的觀點而言，較佳為50mol%以下，更佳為45mol%以下，進而佳為40mol%以下。
作為通式(4)所表示的結構單元，可例示源自以下矽烷化合物的結構單元。就加成反應的反應性的觀點而言，較佳為源自3-丙烯醯氧基丙基二甲氧基甲基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基二甲氧基甲基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基二乙氧基甲基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基二乙氧基甲基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基二甲氧基苯基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基二甲氧基苯基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基二乙氧基苯基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基二乙氧基苯基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷的結構進行加成反應而成的結構單元，可更佳地例示源自3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷的結構進行加成反應而成的結構單元，亦可利用其他公知的材料。
就兼顧高的絕緣性與耐龜裂性的觀點而言，本發明的閘極絕緣層中的聚矽氧烷較佳為進而包含一種以上的通式(1)及通式(4)以外的結構單元。此處，本發明中所謂的絕緣性，為難以 通電的指標，且是指體積電阻率為108Ω．cm以上。
作為通式(1)及通式(4)以外的結構單元，可例示源自以下矽烷化合物的結構單元。可列舉：源自乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、十八基三甲氧基矽烷、十八基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、對甲苯基三甲氧基矽烷、苄基三甲氧基矽烷、α-萘基三甲氧基矽烷、β-萘基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、甲基苯基二甲氧基矽烷、甲基乙烯基二甲氧基矽烷、甲基乙烯基二乙氧基矽烷、3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-氯丙基甲基二甲氧基矽烷、3-氯丙基甲基二乙氧基矽烷、環己基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基二甲氧基矽烷、十八基甲基二甲氧基矽烷、三甲氧基矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、三氟乙基三甲氧基矽烷、三氟乙基三乙氧基矽烷、三氟乙基三異丙氧基矽烷、三氟丙基三甲氧基矽烷、三氟丙基三乙氧基矽烷、三氟丙基三異丙氧基矽烷、十七氟癸基三甲氧基矽烷、十七氟癸基三乙氧基矽烷、十七氟癸基三異丙氧基矽烷、十三氟辛基三乙氧基矽烷、十三氟辛基三甲氧基矽烷、十三氟辛基三異丙氧基矽烷、 三氟乙基甲基二甲氧基矽烷、三氟乙基甲基二乙氧基矽烷、三氟乙基甲基二異丙氧基矽烷、三氟丙基甲基二甲氧基矽烷、三氟丙基甲基二乙氧基矽烷、三氟丙基甲基二異丙氧基矽烷、十七氟癸基甲基二甲氧基矽烷、十七氟癸基甲基二乙氧基矽烷、十七氟癸基甲基二異丙氧基矽烷、十三氟辛基甲基二甲氧基矽烷、十三氟辛基甲基二乙氧基矽烷、十三氟辛基甲基二異丙氧基矽烷、三氟乙基乙基二甲氧基矽烷、三氟乙基乙基二乙氧基矽烷、三氟乙基乙基二異丙氧基矽烷、三氟丙基乙基二甲氧基矽烷、三氟丙基乙基二乙氧基矽烷、三氟丙基乙基二異丙氧基矽烷、十七氟癸基乙基二甲氧基矽烷、十七氟癸基乙基二乙氧基矽烷、十七氟癸基乙基二異丙氧基矽烷、十三氟辛基乙基二乙氧基矽烷、十三氟辛基乙基二甲氧基矽烷、十三氟辛基乙基二異丙氧基矽烷、對三氟苯基三乙氧基矽烷等的結構單元。
(鍵結有無機粒子的聚合物的製造方法)
本發明中所使用的鍵結有無機粒子的聚合物例如可藉由如下的方法而獲得。此處，以聚矽氧烷的情況為例。將總矽烷化合物及無機粒子投入至溶媒中後進行攪拌，花1分鐘~180分鐘向其中添加酸觸媒及水後，於15℃~80℃下進行1分鐘~180分鐘的水解反應。水解反應時的溫度更佳為15℃~55℃。進而於50℃以上且溶媒的沸點以下將所獲得的反應液加熱1小時~100小時，並進行縮合反應，藉此可獲得鍵結有無機粒子的聚矽氧烷。如此，可列舉於無機粒子的存在下將矽烷化合物水解並進行脫水縮合的方 法。
水解反應中的各種條件考慮反應規模、反應容器的大小、形狀等，設定例如酸濃度、反應溫度、反應時間等，藉此可獲得適合於目標用途的物性。
作為用於矽烷化合物的水解反應的酸觸媒，可列舉：甲酸、草酸、鹽酸、硫酸、乙酸、三氟乙酸、磷酸、多磷酸、多元羧酸或其酐、離子交換樹脂等酸觸媒。相對於作為聚矽氧烷的原料的總矽烷化合物100質量份，酸觸媒的含量較佳為0.05質量份以上，更佳為0.1質量份以上。另外，酸觸媒的含量較佳為10質量份以下，更佳為5質量份以下。若酸觸媒的含量為0.05質量份以上，則水解反應充分地進行，且若為10質量份以下，則可抑制急遽的反應。
就保存穩定性的觀點而言，聚矽氧烷較佳為不含有所述酸觸媒，因此亦可於水解反應後將觸媒去除。就操作的簡便性及去除性的觀點而言，去除觸媒的方法較佳為水清洗或利用離子交換樹脂的處理。此處所謂水清洗，是指以適當的疏水性溶劑將聚矽氧烷的溶液稀釋後，以水清洗幾次，利用蒸發器等將所獲得的有機層濃縮的方法。另外，所謂利用離子交換樹脂的處理，是指使所獲得的聚矽氧烷的溶液與離子交換樹脂接觸的方法。
作為水解反應中所使用的溶媒，較佳為有機溶媒，除乙醇、丙醇、丁醇、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇等醇類；乙二醇、丙二醇等二醇類；乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單丁醚、二 乙醚等醚類；甲基異丁基酮、二異丁基酮等酮類；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等醯胺類；乙酸乙酯、乙基賽璐蘇乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇乙酸酯等乙酸酯類；甲苯、二甲苯、己烷、環己烷等芳香族或脂肪族烴以外，可列舉γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基亞碸等。相對於作為聚矽氧烷的原料的總矽烷化合物100質量份，溶媒的量較佳為50質量份以上且500質量份以下的範圍。若為50質量份以上，則可抑制急遽的反應，若為500質量份以下，則可充分地進行水解。
另外，作為水解中所使用的水，較佳為離子交換水。水的量可任意地選擇，但於使用與矽烷化合物中的烷氧基為當量莫耳的水以及具有酸酐基或環氧基等進行水解的結構的矽烷化合物的情況下，可進而添加與進行水解的官能基為當量莫耳以上的水。為了提昇聚矽氧烷的聚合度，亦可進行再加熱或鹼觸媒的添加。
聚矽氧烷包含通式(1)及/或通式(4)所表示的結構單元的情況可藉由單獨或者組合多種的元素分析、核磁共振分析、紅外分光分析等各種有機分析方法而判定。
本發明中的閘極絕緣層可包含一種或兩種以上的聚矽氧烷。另外，亦可將一種以上的聚矽氧烷與一種以上的所述矽烷化合物混合而使用。
(其他成分)
本發明中的閘極絕緣層可進而包含自由基聚合性化合物的加 成反應體作為感光性有機成分。
所謂自由基聚合性化合物，是指於分子中具有多個乙烯性不飽和雙鍵基的化合物。可利用藉由UV光的照射而由後述的光聚合起始劑產生的自由基來進行自由基聚合性化合物的自由基聚合，提高閘極絕緣層的交聯密度，並提高硬度。
自由基聚合性化合物較佳為容易進行自由基聚合的具有(甲基)丙烯醯基的化合物。就UV光照射時的感度提高及閘極絕緣層的硬度提高的觀點而言，更佳為於分子內具有兩個以上的(甲基)丙烯醯基的化合物。
就UV光照射時的感度提高及硬化膜的耐龜裂性提高的觀點而言，作為自由基聚合性化合物，可較佳地例示三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇八(甲基)丙烯酸酯、1,3,5-三((甲基)丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸或9,9-雙[4-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀或者該些的酸改質體、環氧乙烷改質體或環氧丙烷改質體。
本發明中的閘極絕緣層可進而包含藉由UV光的照射而鍵結分裂及/或進行反應從而產生自由基的化合物(以下為「光聚合起始劑」)作為感光性有機成分。
藉由包含光聚合起始劑，可進行所述自由基聚合性化合物的自由基聚合，從而促進UV光照射時的加成反應。
光聚合起始劑例如較佳為苄基縮酮系光聚合起始劑、α-羥基酮系光聚合起始劑、α-胺基酮系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、肟酯系光聚合起始劑、吖啶系光聚合起始劑、二茂鈦(titanocene)系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、苯乙酮系光聚合起始劑、芳香族酮酯系光聚合起始劑或苯甲酸酯系光聚合起始劑。就UV光照射時的感度提高的觀點而言，更佳為α-羥基酮系光聚合起始劑、α-胺基酮系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、肟酯系光聚合起始劑、吖啶系光聚合起始劑或二苯甲酮系光聚合起始劑，進而佳為α-胺基酮系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、肟酯系光聚合起始劑。
關於光聚合起始劑的具體例，作為肟酯系光聚合起始劑，可列舉1-[4-(苯硫基)苯基]辛烷-1,2-二酮-2-(O-苯甲醯基)肟及1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]乙酮-1-(O-乙醯基)肟，亦可利用其他公知的光聚合起始劑。
本發明中的閘極絕緣層亦可進而含有藉由光而產生酸的化合物(以下為「光酸產生劑」)作為感光性有機成分。作為光酸產生劑，可列舉鎓鹽化合物、含有鹵素的化合物、重氮酮化合物、重氮甲烷化合物、碸化合物、磺酸酯化合物、磺醯亞胺化合物等作為例子。
作為重氮酮化合物的具體例，可列舉：1,3-二酮-2-重氮化合物、重氮苯醌化合物、重氮萘醌化合物等。其中，就圖案加工精度或所獲得的閘極絕緣層的耐龜裂性的觀點而言，較佳為重 氮萘醌化合物。較佳的重氮酮化合物可列舉：1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸與2,2,3,4,4'-五羥基二苯甲酮的酯、1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸與1,1,1-三(4-羥基苯基)乙烷的酯等。
進而，光聚合起始劑及光酸產生劑較佳為與作為感光性有機成分的增感劑組合而使用。增感劑於光褪色反應中並不產生著色，因此於閘極絕緣層中亦可維持高的透明性，且達成高感度化。增感劑可無特別限制地使用公知的增感劑，特佳為9,10-二取代蒽系化合物。
本發明中的閘極絕緣層可進而包含鏈轉移劑的加成反應體作為感光性有機成分。
所謂鏈轉移劑，是指可自藉由UV光照射時的自由基聚合而獲得的聚合物鏈的聚合物生長末端接收自由基，並經過朝向其他聚合物鏈的自由基移動的化合物。
藉由包含鏈轉移劑，可提高UV光照射時的感度。推測其原因在於：藉由UV光的照射而產生的自由基利用鏈轉移劑而朝其他聚合物鏈進行自由基移動，藉此進行自由基交聯直至膜的深部。鏈轉移劑較佳為硫醇系鏈轉移劑。
本發明中的閘極絕緣層可進而包含聚合抑制劑作為感光性有機成分。
所謂聚合抑制劑，是指捕捉於UV光照射時產生的自由基、或藉由UV光照射時的自由基聚合而獲得的聚合物鏈的聚合物生長末端的自由基，並保持為穩定自由基，藉此可使自由基聚 合停止的化合物。
藉由含有適量的聚合抑制劑，可抑制於UV光照射時產生的過量的自由基，從而控制自由基聚合。聚合抑制劑較佳為酚系聚合抑制劑。
本發明中的閘極絕緣層除鍵結有無機粒子的聚合物以外，亦可進而含有聚合物所未鍵結的無機粒子。聚合物所未鍵結的無機粒子的較佳材質或形狀與所述聚合物所鍵結的無機粒子相同。
本發明中的閘極絕緣層視需要可含有黏度調整劑、界面活性劑、穩定劑等。另外，亦可含有殘留溶媒。
作為界面活性劑，例如可列舉：氟系界面活性劑、矽酮系界面活性劑、聚環氧烷系界面活性劑、丙烯酸系界面活性劑等。
作為氟系界面活性劑的具體例，可列舉：美佳法(Megafac)F142D、美佳法(Megafac)F172、美佳法(Megafac)F173、美佳法(Megafac)F183(以上為大日本油墨化學工業(股)製造)、NBX-15、FTX-218、DFX-18(尼歐斯(Neos)(股)製造)等。另外，作為矽酮系界面活性劑，可列舉BYK-333(日本畢克化學(BYK-Chemie Japan)(股)製造)等。
本發明中的閘極絕緣層的相對介電常數較佳為5以上，更佳為7以上，進而佳為8.5以上，特佳為10以上。藉由相對介電常數為所述範圍，可使FET的接通電流變大。另外，相對介電常數較佳為20以下，更佳為15以下，進而佳為13.5以下，特佳 為12以下。藉由相對介電常數為所述範圍，可防止閘極絕緣層的過剩的介電損失，特別是於藉由100MHz以上的高頻範圍的電波進行驅動的FET中可進行準確的動作。閘極絕緣層的相對介電常數εr可使用下述(a)式而算出。
εr=C．D/(S．ε0) (a)
其中，C(F)是閘極絕緣層的靜電電容，D(m)是閘極絕緣層的厚度，S(m2)是夾持閘極絕緣層的電極的面積，ε0是真空的介電常數(8.85×10-12F/m)。
本發明中的閘極絕緣層的厚度較佳為10nm以上，更佳為25nm以上，特佳為50nm以上。另外，閘極絕緣層的厚度較佳為1000nm以下，更佳為750nm以下，特佳為500nm以下。藉由設為該範圍的厚度，容易形成均勻的薄膜，並減少漏電流。進而可抑制無法藉由閘極電壓而控制的源極．汲極間電流，可進一步提高FET的開/關比。閘極絕緣層的厚度可利用光干涉式膜厚測定裝置測定基板上的面內10點以上，並根據其算術平均而求出。
本發明中的閘極絕緣層較佳為鹼金屬或鹵素離子的濃度少。具體而言，鹼金屬或鹵素離子較佳為均為閘極絕緣層整體的100ppm以下，更佳為1ppm以下，進而佳為0.1ppm以下。
本發明中的閘極絕緣層為單層或包括多層。於多層的情況下，可將所述較佳的閘極絕緣層積層多層，亦可積層該較佳的閘極絕緣層與公知的閘極絕緣層。
另外，亦可於閘極絕緣層與後述的半導體層之間設置配 向性層。作為配向性層的材料，可使用矽烷化合物、鈦化合物、有機酸、雜有機酸等公知的材料，特佳為有機矽烷化合物。
<第2絕緣層>
本發明的FET亦可於相對於後述的半導體層而言的閘極絕緣層的相反側具有第2絕緣層。此處，所謂相對於半導體層而言的閘極絕緣層的相反側，例如於半導體層的上側具有閘極絕緣層的情況下是指半導體層的下側。藉此可減低臨限電壓或遲滯，獲得高性能的FET。第2絕緣層中所使用的材料並無特別限定，具體可列舉：氧化矽、氧化鋁等無機材料；聚醯亞胺或其衍生物、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚偏二氟乙烯、聚矽氧烷或其衍生物、聚乙烯酚或其衍生物等聚合物材料；或者無機材料粉末與聚合物材料的混合物或有機低分子材料與聚合物材料的混合物。作為包含聚矽氧烷的絕緣層的材料，亦包含與所述較佳的絕緣層相同者。該些中較佳為使用可藉由噴墨等塗佈法而製作的聚合物材料。特別是若使用聚氟乙烯、聚降冰片烯、聚矽氧烷、聚醯亞胺、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、或該些的衍生物或者包含該些的共聚物，則臨限電壓及遲滯減少效果進一步變大，因此較佳。特佳為聚丙烯酸衍生物、聚甲基丙烯酸衍生物、或者包含該些的共聚物。
第2絕緣層的膜厚一般為50nm~10μm，較佳為100nm~3μm。第2絕緣層可為單層，亦可為多層。另外，可由多種絕緣性材料來形成一層，亦可將多種絕緣性材料積層而形成。
所述第2絕緣層的形成方法並無特別限定，亦可使用電阻加熱蒸鍍、電子束蒸鍍、濺鍍、化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)等乾式方法，但就製造成本或適合大面積的觀點而言，較佳為使用塗佈法。作為塗佈法，可列舉：旋塗法、刀片塗佈法、縫模塗佈法、網版印刷法、棒塗法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法、噴墨法等公知的塗佈方法。
<半導體層>
本發明的半導體層含有CNT。CNT就載體遷移率高且可以低成本應用簡便的塗佈製程的方面而言優異。
CNT可使用一片碳膜(石墨烯片材)捲為圓筒狀的單層CNT、兩片石墨烯片材捲為同心圓狀的兩層CNT、多個石墨烯片材捲為同心圓狀的多層CNT的任一者，可使用該些中的兩種以上。就表現半導體的特性的觀點而言，較佳為使用單層CNT。更佳為單層CNT包含90質量%以上的半導體型單層CNT。進而佳為單層CNT包含95質量%以上的半導體型單層CNT。
半導體型單層CNT的含有比率可藉由可見-近紅外吸收光譜的吸收面積比而算出。CNT可藉由電弧放電法、化學氣相沈積法(chemical vapor deposition method，CVD法)、雷射剝蝕法等方法而獲得。
進而，於CNT表面的至少一部分附著有共軛系聚合體的CNT複合體於溶液中的分散穩定性優異，可獲得低遲滯，因此特佳。
所謂共軛系聚合體附著於CNT表面的至少一部分的狀態，是指CNT表面的一部分或全部被共軛系聚合體包覆的狀態。推測共軛系聚合體可包覆CNT的原因在於：由於源自各個共軛系結構的π電子雲重疊而產生相互作用。CNT是否被共軛系聚合體包覆可藉由被包覆的CNT的反射色自未被包覆的CNT的顏色接近共軛系聚合體的顏色而判別。可定量地藉由元素分析或X射線光電子分光法等而鑒定附著物的存在與附著物相對於CNT的質量比。另外，附著於CNT上的共軛系聚合體可不拘於分子量、分子量分佈或結構地使用。
使共軛系聚合體附著於CNT上的方法可列舉：(I)於熔融的共軛系聚合體中添加CNT而進行混合的方法，(II)使共軛系聚合體溶解於溶媒中，於其中添加CNT而進行混合的方法，(III)預先藉由超音波等使CNT預分散於溶媒中，然後添加共軛系聚合體而進行混合的方法，(IV)於溶媒中放入共軛系聚合體與CNT，對該混合系統照射超音波而進行混合的方法等。亦可組合多種方法。
較佳為CNT的長度較源極電極與汲極電極間的距離(通道長)短。CNT的平均長度取決於通道長，較佳為2μm以下，更佳為0.5μm以下。一般情況下所市售的CNT於長度上存在分佈，且包含較通道長更長的CNT，因此較佳為增加使CNT較通道長而言變短的步驟。例如，有效的是藉由硝酸、硫酸等的酸處理、超音波處理、或冷凍粉碎法等而切為短纖維狀的方法。另外，就使 純度提高的方面而言，進而佳為併用利用過濾器的分離。
另外，CNT的直徑並無特別限定，較佳為1nm以上且100nm以下，更佳為50nm以下。
較佳為設置使CNT均勻分散於溶媒中，並利用過濾器對分散液進行過濾的步驟。藉由自濾液中獲得較過濾器孔徑更小的CNT，可效率良好地獲得較通道長更短的CNT。該情況下，過濾器可較佳地使用薄膜過濾器。用於過濾的過濾器的孔徑只要較通道長更小即可，較佳為0.5μm~10μm。
作為包覆所述CNT的共軛系聚合體，可列舉：聚噻吩系聚合體、聚吡咯系聚合體、聚苯胺系聚合體、聚乙炔系聚合體、聚對苯系聚合體、聚對苯乙炔系聚合體、於重複單元中具有噻吩單元與雜芳基單元的噻吩-伸雜芳基系聚合體等，亦可使用該些中的兩種以上。所述聚合體可使用單一的單體單元排列而成者、不同的單體單元進行嵌段共聚而成者、無規共聚而成者，而且可使用進行接枝聚合而成者等。
另外，半導體層亦可混合使用CNT複合體與有機半導體。藉由於有機半導體中均勻地分散CNT複合體，可維持有機半導體其自身的特性，且可實現低遲滯。
相對於有機半導體100質量份，包含CNT複合體與有機半導體的半導體層中的CNT複合體的含量較佳為0.01質量份以上且3質量份以下，更佳為1質量份以下。
作為有機半導體，具體可列舉：聚-3-己基噻吩、聚苯并 噻吩等聚噻吩類；聚(2,5-雙(2-噻吩基)-3,6-二-十五烷基噻吩并[3,2-b]噻吩)、聚(4,8-二己基-2,6-雙(3-己基噻吩-2-基)苯并[1,2-b：4,5-b']二噻吩)、聚(4-辛基-2-(3-辛基噻吩-2-基)噻唑)、聚(5,5'-雙(4-辛基噻唑-2-基)-2,2'-聯噻吩)等於主鏈中包含噻吩單元的化合物；聚吡咯類；聚(對苯乙炔)等聚(對苯乙炔)類；聚苯胺類；聚乙炔類；聚丁二炔類；聚咔唑類；聚呋喃、聚苯并呋喃等聚呋喃類；以吡啶、喹啉、啡啉、噁唑、噁二唑等含氮芳香環為構成單元的聚雜芳基類；蒽、芘、稠四苯、稠五苯、稠六苯、紅螢烯等縮合多環芳香族化合物；呋喃、噻吩、苯并噻吩、二苯并呋喃、吡啶、喹啉、啡啉、噁唑、噁二唑等雜芳香族化合物；4,4'-雙(N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基)聯苯為代表的芳香族胺衍生物；雙(N-烯丙基咔唑)或雙(N-烷基咔唑)等雙咔唑衍生物；吡唑啉衍生物；二苯乙烯系化合物；腙系化合物；銅酞菁等金屬酞菁類；銅卟啉等金屬卟啉類；二苯乙烯基苯衍生物；胺基苯乙烯基衍生物；芳香族乙炔衍生物；萘-1,4,5,8-四羧酸二醯亞胺、苝-3,4,9,10-四羧酸二醯亞胺等縮合環四羧酸二醯亞胺類；部花青、啡噁嗪、若丹明等有機色素等。亦可含有該些中的兩種以上。
半導體層亦可包含其他碳材料。作為此處所使用的其他碳材料，可列舉石墨烯、富勒烯等。
半導體層亦可進而包含絕緣性材料。作為此處所使用的絕緣性材料，可列舉：聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯等聚合物材料，但並不特別地限定於該些。
半導體層可為單層，亦可為多層。半導體層的膜厚較佳為1nm以上且200nm以下，進而佳為100nm以下。藉由設為該範圍的膜厚，容易形成均勻的薄膜，進而可抑制無法藉由閘極電壓而控制的源極．汲極間電流，可進一步提高FET的開/關比。膜厚可藉由原子力顯微鏡或橢圓偏光法等而測定。
<基板>
作為用於基板的材料，只要至少配置電極系統的面為絕緣性，則可為任何材質。例如可較佳地使用：矽晶圓、玻璃、藍寶石、氧化鋁燒結體等無機材料；聚醯亞胺、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚偏二氟乙烯、聚矽氧烷、聚乙烯酚(polyvinyl phenol，PVP)、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚乙烯、聚苯硫醚、聚對二甲苯等有機材料等。
另外，例如亦可為於矽晶圓上形成有PVP膜者、或於聚對苯二甲酸乙二酯上形成有聚矽氧烷膜者等積層有多種材料而成者。
<電極>
作為用於閘極電極、源極電極及汲極電極的材料，例如可列舉：氧化錫、氧化銦、氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)等導電性金屬氧化物；鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋅、鋁、銦、鉻、鋰、鈉、鉀、銫、鈣、鎂、鈀、鉬、非晶矽或多晶矽等金屬或該些的合金；碘化銅、硫化銅等無機導電性物質；聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺；聚乙烯二氧噻吩與聚苯乙烯磺酸的錯合物；藉由碘等的摻 雜等而使導電率提高的導電性聚合物等；碳材料等導電體。該些材料可單獨使用，亦可將多種材料積層或混合而使用。
導電體較佳為包含選自銀、銅、金、鉑、鉛、錫、鎳、鋁、鎢、鉬、氧化釕、鉻、鈦、碳及銦中的至少一種的導電體，其中較佳為導電性粉末。導電性粉末可單獨使用，作為合金、或者混合粉末來使用。
該些中，就導電性的觀點而言，較佳為銀、銅及金，就成本、穩定性的觀點而言，更佳為銀。此外，就塗佈膜的低溫固化時的電阻率減小的觀點而言，進而佳為將銀與碳黑併用。
導電性粉末的體積平均粒徑較佳為0.02μm以上且10μm以下，更佳為0.02μm以上且5μm以下，進而佳為0.02μm以上且2μm以下。
若體積平均粒徑為0.02μm以上，則導電性粉末彼此的接觸概率提昇，並可降低所製作的導電圖案的比電阻值、及斷線概率。進而，曝光時的光化射線可於膜中順利地透過，因此微細的圖案化變得容易。
另外，若體積平均粒徑為10μm以下，則印刷後的電路圖案的表面平滑度、圖案精度、尺寸精度提高。另外，對於圖案的薄膜化而言需要粒徑的減小。例如，於形成膜厚2μm的天線的情況下，導電性粉末的粒徑亦必須為2μm以下。
再者，體積平均粒徑可根據電極剖面的3D-掃描式電子顯微鏡(SEM)或3D-穿透式電子顯微鏡(TEM)像而算出。
進而，各電極較佳為包含導電性粉末及有機黏合劑。有機黏合劑進而佳為包含感光性有機成分。
藉由具有有機黏合劑，可提高電極上的半導體溶液的塗佈性，且可形成將有機半導體及碳材料平滑地塗佈而成的更均勻的半導體層。另外，藉由有機黏合劑包含感光性有機成分，可於不使用抗蝕劑的情況下進行藉由光微影的電極的圖案加工，從而可進一步提高生產性。
於電極具有有機黏合劑的情況下，相對於電極材料的總質量，導電性粉末的含量較佳為70質量%以上且95質量%以下的範圍內，更佳為80質量%以上且90質量%以下。藉由含量為70質量%以上，可增大導電性粉末彼此的接觸面積，且使所製作的導電圖案的比電阻值及斷線概率降低。另外，藉由含量為95質量%以下，特別是可使曝光時的光化射線於膜中順利地透過，微細的圖案化變得容易。
感光性有機成分為包含分子內具有聚合性不飽和基的單體、寡聚物、聚合物及/或該些的加成反應體的成分。
作為分子內具有聚合性不飽和基的單體，可使用具有活性的碳-碳不飽和雙鍵的化合物。可應用具有選自乙烯基、烯丙基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基及丙烯醯胺基中的基作為官能基的單官能化合物及多官能化合物。可使用該些中的一種或兩種以上。
相對於電極材料的總質量份，所述單體較佳為以1質量 %~15質量%的範圍包含，更佳為2質量%~10質量%的範圍內。於所述單體未滿1質量%的情況下，感度下降，難以形成良好的圖案。另一方面，若所述單體超過15質量%，則產生如下問題：乾燥膜中產生黏性(tack)，並於曝光時接觸光罩而污染光罩的問題或塗膜表面混亂的問題。
針對寡聚物或聚合物，使聚合性不飽和基加成於側鏈或分子末端，藉此可獲得分子內具有聚合性不飽和基的寡聚物或聚合物。
較佳的聚合性不飽和基為具有乙烯性不飽和基者。作為乙烯性不飽和基，可列舉：乙烯基、烯丙基、丙烯酸基、甲基丙烯酸基等。
此種使側鏈加成於寡聚物或聚合物的方法有如下方法：相對於寡聚物或聚合物中的巰基、胺基、羥基或羧基，使具有縮水甘油基或異氰酸酯基的乙烯性不飽和化合物或丙烯醯氯、甲基丙烯醯氯或者烯丙氯進行加成反應而製作。具有縮水甘油基或異氰酸酯基的乙烯性不飽和化合物或丙烯醯氯、甲基丙烯醯氯或者烯丙氯較佳為相對於寡聚物或聚合物中的巰基、胺基、羥基或羧基加成0.05莫耳當量~1莫耳當量。
就進一步提高抑制將帶有電極的基板彎折時的圖案剝離的效果的觀點而言，所述寡聚物或聚合物較佳為包含使具有異氰酸酯基的化合物與側鏈具有羥基的寡聚物或聚合物反應而得的胺基甲酸酯改質化合物。
分子內具有聚合性不飽和基的寡聚物或聚合物較佳為質量平均分子量(Mw)為2000~200000的範圍內，數量平均分子量(Mn)為1000~50000的範圍內，更佳為Mw為5000~100000的範圍內，Mn為1000~30000的範圍內。藉由Mw及Mn為所述範圍內，處理性良好，於光硬化時可獲得均勻的硬化性。
電極材料為了進行光硬化，較佳為包含光聚合起始劑。光聚合起始劑根據光硬化中所使用的光源而選擇，可使用光自由基聚合起始劑或光陽離子聚合起始劑等。
相對於電極材料的總質量份，光聚合起始劑較佳為於0.05質量%~10質量%的範圍內包含，更佳為0.1質量%~10質量%。若光聚合起始劑的量過少，則光硬化變得不足，於光聚合起始劑的量過多的情況下，存在相容性變得不良之虞。
藉由與光聚合起始劑一起使用增感劑，可使感度提高，且可擴大對反應有效的波長範圍。於電極材料包含增感劑的情況下，相對於感光性有機成分，其含量較佳為0.05質量%~10質量%，更佳為0.1質量%~10質量%。若增感劑的量過少，則無法發揮提昇光硬化的效果，若增感劑的量過多，則存在相容性變得不良之虞。
電極材料亦可於不損及所述所期望的特性的範圍內包含作為有機黏合劑的分子內不具有不飽和雙鍵的非感光性聚合物、塑化劑、調平劑、界面活性劑、矽烷偶合劑、消泡劑、顏料等添加劑。作為非感光性聚合物的具體例，可列舉：環氧樹脂、 酚醛清漆樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺前驅體、聚醯亞胺等。
作為電極的形成方法，可列舉使用電阻加熱蒸鍍、電子束光束、濺鍍、鍍敷、CVD、離子鍍塗佈、噴墨、印刷等公知技術的方法，或者利用旋塗法、刀片塗佈法、縫模塗佈法、網版印刷法、棒塗機法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法等公知的技術將包含所述有機成分及導電體的膏塗佈於絕緣基板上，並使用烘箱、加熱板、紅外線等進行乾燥而形成的方法等。只要可取得導通，則並無特別限制。
於藉由膏的塗佈來形成電極的情況下，為了形成膏，亦可含有有機溶劑。藉由使用有機溶劑，可進行膏的黏度調整，並可提昇塗佈膜的表面平滑性。
電極的寬度、厚度、間隔任意。較佳為電極寬度為5μm~1mm，厚度為0.01μm~100μm，電極的間隔為1μm~500μm，但並不限於該些。
作為以圖案狀形成電極的方法，可藉由公知的光微影法等將利用所述方法製作的電極薄膜形成為所期望的形狀的圖案，或者亦可於電極、配線及連接部物質的蒸鍍或濺鍍時介隔所期望的形狀的遮罩來形成圖案。另外，亦可使用噴墨或印刷法來直接形成圖案。
電極圖案可分別獨立地加工而形成，亦可對該些中的至少兩個進行統一加工而形成。就加工步驟的減少、及圖案的連接的觀點而言，較佳為對電極圖案進行統一加工。
<場效電晶體>
圖1及圖2為表示本發明的實施形態的FET的例子的示意剖面圖。於圖1中，於具有藉由閘極絕緣層3而覆蓋的閘極電極2的基板1上形成源極電極5及汲極電極6，進一步於其上形成半導體層4。於圖2中，於具有藉由閘極絕緣層3而覆蓋的閘極電極2的基板1上形成半導體層4，進一步於其上形成源極電極5及汲極電極6。
FET可藉由改變閘極電壓而控制源極電極與汲極電極之間所流動的電流。FET的遷移率可使用下述(b)式而算出。
μ=(δId/δVg)L．D/(W．εr．ε0．Vsd) (b)
其中，Id(A)為源極．汲極間的電流，Vsd(V)為源極．汲極間的電壓，Vg(V)為閘極電壓，D(m)為絕緣層的厚度，L(m)為通道長，W(m)為通道寬度，εr為閘極絕緣層的相對介電常數，ε0為真空的介電常數(8.85×10-12F/m)。
將Vg=-20V時的Id的值作為接通電流。
另外，可由某負的閘極電壓下的Id的值與某正的閘極電壓下的Id的值之比來求出開/關比。
遲滯可根據自正向負施加Vg時的Id=10-8A下的閘極電壓Vg1、與自負向正施加Vg時的Id=10-8A下的閘極電壓Vg2的差的絕對值｜Vg1-Vg2｜來求出。
臨限電壓可自Id-Vg圖表的線形部分的延長線與Vg軸的交點來求出。另外，將Vg=-20V的閘極電流值作為漏電流。
<FET的製造方法>
本發明的FET的製造方法包括：(1)於基板上形成成為閘極電極的導電性圖案的步驟；(2)將至少包含鍵結有無機粒子的聚合物的溶液塗佈於所述形成有導電性圖案的基板上及加以乾燥，從而獲得塗佈膜的步驟；以及(3)將包含碳奈米管的半導體層、以及成為源極電極及汲極電極的導電性圖案以彼此相接的方式形成於該塗佈膜或將其硬化而成的閘極絕緣層上的步驟。
另外，本發明的FET的製造方法中較佳為包含鍵結有所述無機粒子的聚合物的溶液進而含有感光性有機成分，且本發明的FET的製造方法包括：(4)將包含鍵結有所述無機粒子的聚合物及感光性有機成分的溶液塗佈於所述形成有導電性圖案的基板上及加以乾燥，對所獲得的膜介隔光罩來照射活性化學線後，使用鹼性溶液於所述導電性圖案上形成具有開口部的絕緣性圖案的步驟；以及(5)對所述絕緣性圖案進行加熱而形成具有開口部的閘極絕緣層的步驟。
以下，對圖1的構成中所示的FET的製造方法進行說明。再者，製造方法並不限定於下述。
首先，於基板1上形成成為閘極電極2的導電性圖案。形成方法例如可列舉：金屬蒸鍍或旋塗法、刀片塗佈法、縫模塗 佈法、網版印刷法、棒塗法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法、噴墨法等公知的方法。再者，於形成導電性圖案時，可使用遮罩等而直接形成圖案，亦可於所形成的閘極電極上塗佈抗蝕劑，將抗蝕劑膜曝光及顯影為所期望的圖案後，藉由進行蝕刻而對閘極電極進行圖案化。進而，於使用具有感光性有機成分的導電性膏的情況下，即便不使用抗蝕劑，亦可藉由光微影來對閘極電極進行圖案化。
其次，於所述形成有導電性圖案的基板上形成閘極絕緣層3。作為閘極絕緣層3的形成方法，將至少包含鍵結有無機粒子的聚合物的溶液塗佈於基板上，並進行乾燥而獲得塗佈膜後，對該塗佈膜進行加熱並使其硬化，藉此可形成閘極絕緣層3。
作為塗佈包含鍵結有無機粒子的聚合物的溶液的方法，可列舉：旋塗法、刀片塗佈法、縫模塗佈法、網版印刷法、棒塗法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法、噴墨法等公知的塗佈方法。
包含鍵結有無機粒子的聚合物的溶液於供於塗佈步驟時，可包含溶媒。溶媒並無特別限定，可列舉：丙二醇單甲醚、丙二醇單正丁醚、丙二醇單第三丁醚、乙二醇二乙醚、二乙二醇乙基甲醚等醚類；丙二醇單甲醚乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、乳酸乙酯等乙酸酯類；乙醯丙酮、甲基異丁基酮、環戊酮等酮類；3-甲基-3-甲氧基丁醇、二丙酮醇等醇類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類。該些溶媒可單獨包含或包 含兩種以上。
獲得塗佈膜時的乾燥溫度較佳為50℃~150℃，更佳為60℃~140℃，進而佳為70℃~130℃，特佳為80℃~120℃。藉由乾燥溫度為該範圍，就自塗佈膜的溶媒的去除、以及於後述的圖案化時加工成所期望的形狀變得更容易的觀點而言較佳。乾燥時間較佳為0.5分鐘~5分鐘，更佳為1分鐘~3分鐘。藉由乾燥時間為該範圍，就自塗佈膜的溶媒的去除、以及於後述的圖案化時加工成所期望的形狀變得更容易的觀點而言較佳。
進而，用以使塗佈膜硬化而獲得閘極絕緣層的、塗佈膜的熱處理的溫度較佳為100℃~300℃的範圍，更佳為120℃~250℃，進而佳為140℃~200℃，特佳為150℃~180℃。藉由熱處理溫度為該範圍，可獲得進行了充分硬化的閘極絕緣層，且就於塑膠基板上的絕緣層的形成的觀點而言，可進一步抑制於進而佳為200℃以下使用時的基板的收縮。塗佈膜的熱處理的時間較佳為0.5分鐘~60分鐘，更佳為5分鐘~30分鐘。藉由熱處理時間為該範圍，可獲得進行了充分硬化的閘極絕緣層，且就於塑膠基板上的絕緣層的形成的觀點而言，可進一步抑制以進而佳為短時間的熱處理使用時的基板的收縮。
於以所述方式獲得閘極絕緣層的過程中，視需要可對塗佈膜或絕緣層實施圖案化。於形成將本發明的FET組合而成的電路時，為了自存在於絕緣層下部的導電性圖案取得導通，有時需要於導電性圖案上形成具有開口部(接觸孔)的圖案。
對使用含有感光性有機成分的組成物的塗佈膜的圖案形成方法進行說明。自塗佈膜的上方，通過具有所期望的圖案的遮罩照射(曝光)化學線。作為用於曝光的化學線，有紫外線、可見光線、電子束、X射線等，但較佳為利用水銀燈的i射線(365nm)、h射線(405nm)、g射線(436nm)。其次，對經曝光的塗佈膜進行顯影。顯影液較佳為氫氧化四甲基銨、二乙醇胺、二乙基胺基乙醇、三乙胺、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀等顯示鹼性的化合物的水溶液。可含有一種或兩種以上的該些鹼性化合物。另外，於該些鹼性水溶液中亦可混合使用N-甲基-2-吡咯啶酮、γ-丁內酯等極性溶媒，異丙醇等醇類，乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯等酯類，環戊酮、甲基異丁基酮等酮類等。顯影後通常藉由水進行淋洗處理，但亦可將乙醇、異丙醇等醇類；乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯等酯類等加入至水中而進行淋洗處理。
另外，於閘極絕緣層上塗佈抗蝕劑，將抗蝕劑膜曝光及顯影為所期望的圖案後，藉由氫氟酸等蝕刻液進行處理，藉此亦可對閘極絕緣層進行圖案化。若為該方法，則即便於閘極絕緣層包含不含感光性有機成分的組成物的情況下，亦可進行圖案化。但是，步驟數增加，因此就生產性優異的觀點而言，較佳為使用具有感光性有機成分的絕緣層材料來對閘極絕緣層進行圖案化。進而，就所獲得的閘極絕緣層的耐龜裂性提高的觀點而言，感光性有機成分較佳為包含重氮萘醌化合物作為藉由光而產生自由基的化合物及自由基聚合性化合物、或藉由光而產生酸的化合物。
其次，於閘極絕緣層上形成成為源極電極5及汲極電極6的導電性圖案。作為形成源極電極5及汲極電極6的方法，與閘極電極2同樣地，例如可列舉：金屬蒸鍍、旋塗法、刀片塗佈法、縫模塗佈法、網版印刷法、棒塗法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法、噴墨法等公知的方法。再者，於形成導電性圖案時，可使用遮罩等而直接形成圖案，亦可於所形成的電極上塗佈抗蝕劑，將抗蝕劑膜曝光及顯影為所期望的圖案後，藉由進行蝕刻而對源極電極及汲極電極進行圖案化。進而，於使用具有感光性有機成分的導電性膏的情況下，另外亦可不使用抗蝕劑而僅由導電性膏，並藉由光微影來對閘極電極進行圖案化。
其次，於形成源極電極及汲極電極的閘極絕緣層上形成半導體層4，藉此可獲得FET。作為半導體層4的形成方法，亦可使用電阻加熱蒸鍍、電子束、濺鍍、CVD等乾式方法，但就製造成本或適合大面積的觀點而言，較佳為使用塗佈法。作為塗佈法，可列舉：旋塗法、刀片塗佈法、縫模塗佈法、網版印刷法、棒塗法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法、噴墨法等公知的塗佈方法。可根據塗膜厚度控制或配向控制等所欲獲得的塗膜特性而選擇塗佈方法。利用該些方法，以半導體層與成為源極電極5及汲極電極6的導電性圖案彼此相接的方式形成半導體層。
特別是於形成含有CNT的半導體層的情況下，較佳為使用塗佈法而將包含CNT的溶液塗佈於閘極絕緣層上。該情況下，塗佈法中使用噴墨法就可削減溶液的使用量並提高生產性的 方面而言優異。包含CNT的溶液可藉由使用超音波均質機等公知的分散裝置的攪拌處理，於溶媒中對CNT進行攪拌來製作。
於使用塗佈法形成半導體層的情況下，對所形成的塗膜於大氣下、減壓下或惰性氣體(氮氣或氬氣)環境下進行乾燥處理。乾燥溫度較佳為50℃~150℃。
亦可追加利用與形成所述閘極絕緣層材料的塗佈膜的方法相同的方法而於閘極絕緣層3與半導體層4之間形成配向性層的步驟。另外，亦可追加利用與所述半導體層4相同的方法，於相對於半導體層4而言的閘極絕緣層3的相反側形成第2絕緣層的步驟。
本發明的FET可有利地用於薄膜FET、光伏打元件、開關元件、使用該些的顯示器、無線通訊裝置、商品標籤等各種設備中。
<無線通訊裝置>
對具有本發明的FET的無線通訊裝置進行說明。該無線通訊裝置例如是如作為非接觸型標籤的無線射頻辨識系統(Radio Frequency IDentification，RFID)般，藉由接收自搭載於讀寫器(reader/writer)中的天線發送的載波，從而進行電性通訊的裝置。具體的動作為例如RFID標籤的天線接收由搭載於讀寫器中的天線所發送的無線信號，藉由整流電路而轉變為直流電流，RFID標籤發電。其次，發電的RFID標籤自無線信號接收指令，進行與指令相符的動作。之後，將與指令相符的結果的回答，由RFID標籤 的天線向讀寫器的天線以無線信號的形式進行發送。再者，與指令相符的動作由解調電路、控制電路、調變電路等來執行。
本發明的無線通訊裝置至少具有所述FET與天線。作為更具體的構成，例如如圖3所示，可列舉如下的無線通訊裝置，其包括：電源生成部15，進行天線10所接收的來自外部的調變波信號的整流，對各部供給電源；解調電路11，將所述調變波信號進行解調而向控制電路輸送；調變電路13，將由控制電路輸送的資料進行調變而送出至天線；以及控制電路12，將由解調電路11所解調的資料向記憶電路14寫入以及自記憶電路14中讀出資料，對調變電路13進行發送；並且各電路部電性連接。所述解調電路、控制電路、調變電路、記憶電路包括所述FET，亦可進而包含電容器、電阻元件、二極體等。再者，所述記憶電路亦可進而具有：電子可抹除可程式化唯讀記憶體(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)、鐵電式隨機存取記憶體(Ferroelectric Randam Access Memory，FeRAM)等不揮發性的可重寫的記憶部。再者，所述電源生成部包括電容器及二極體。
天線、電容器、電阻元件、二極體及不揮發性的可重寫的記憶部只要為一般所使用者即可，所使用的材料及形狀並無特別限定。另外，將各個電性連接的材料亦只要為一般可使用的導電材料，則亦可為任何材料。連接方法亦只要可取得電性導通，則亦可為任何方法，連接部的寬度及厚度任意。
<商品標籤>
對使用本發明的無線通訊裝置的商品標籤進行說明。該商品標籤例如具有基體、以及由該基體所包覆的所述無線通訊裝置。
基體例如由形成為平板狀的紙等非金屬材料形成。例如，基體形成將兩片平板狀的紙貼合而成的結構，於該兩片紙之間配置有所述無線通訊裝置。於所述無線通訊裝置的記憶電路預先儲存有例如對商品進行個體識別的個體識別資訊。
於該商品標籤與讀寫器之間進行無線通訊。所謂讀寫器，是藉由無線進行相對於商品標籤的資料的讀取及寫入的裝置，且為於商品的流通過程或結算時進行商品標籤與資料的互換的裝置。讀寫器可利用公知者，例如有攜帶型的讀寫器或設置於暫存器的固定型的讀寫器。
具體而言，商品標籤具備根據要求發送個體識別資訊的來自規定的讀寫器的指令，藉由無線來回復所記憶的個體識別資訊的識別資訊回復功能。藉此例如於商品的精算暫存器中，可以非接觸的方式同時識別多數商品，若與利用條碼的識別進行比較，則可實現結算處理的容易化或迅速化。
例如，於商品的結帳時，若讀寫器將自商品標籤讀取的商品資訊發送至銷售時點資訊管理(Point of sale system，POS)終端機，則可於POS終端機中進行由所述商品資訊而確定的商品的銷售登錄。
[實施例]
以下，列舉實施例對本發明進行說明，但本發明並不受 該些實施例的限定。再者，藉由以下的(1)~(9)來說明實施例中的各評價法。
(1)塗佈膜的製作
使用旋塗機，將閘極絕緣材料以乾燥後的膜厚只要無特別說明則成為400nm的方式塗佈於6吋矽晶圓、5cm玻璃基板及5cm鋁基板上，繼而使用加熱板，於110℃下乾燥2分鐘，從而獲得塗佈膜。
(2)-1閘極絕緣層的製作(a)
對於絕緣材料中不具有自由基聚合性化合物的材料，利用以下的方法來製作閘極絕緣層。利用2.38質量%的氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液(三菱瓦斯化學(Mitsubishi Gas Chemical)(股)製造，ELM-D)，對利用所述(1)記載的方法而製作的形成於各基板上的塗佈膜進行60秒顯影，繼而利用純水進行淋洗。藉由使用加熱板並於180℃下進行60分鐘加熱處理來獲得閘極絕緣層。
(2)-2閘極絕緣層的製作(b)
於使用絕緣材料中具有自由基聚合性化合物的材料的情況下，利用以下的方法來製作閘極絕緣層。將利用所述(1)記載的方法而製作的形成於各基板上的塗佈膜設置於i射線步進機(GCA製造的DSW-8000)，以100mJ/cm2~800mJ/cm2的曝光量對塗佈膜整個面進行曝光。於曝光後利用2.38質量%的TMAH水溶液(三菱瓦斯化學(股)製造，ELM-D)進行60秒顯影，繼而利用純水進行淋洗。藉由使用加熱板並於180℃下對該膜進行60分鐘加熱 處理來獲得閘極絕緣層。
(3)元素分析
於超高真空中對要測定的膜照射軟X射線，藉由檢測自表面放出的光電子的X射線光電子分光(PHI公司製造的Quantera SXM)對膜中的元素資訊及元素量進行分析。
(4)閘極絕緣層的相對介電常數的測定
於利用所述(2)記載的方法而製作的鋁基板上的絕緣層上進而蒸鍍形成直徑5mm的圓形的鋁電極。對於該膜使用精密阻抗分析儀(安捷倫(Agilent)製造，4294A型)，於25℃、1MHz下測定靜電電容。根據以上的條件與測定值並依據(a)式來求出閘極絕緣層的相對介電常數εr。
(5)無機粒子的數量平均粒徑的測定
對於利用所述(2)記載的方法而製作的矽晶圓上的絕緣層，切割基板而使絕緣層的剖面露出，使用掃描式電子顯微鏡(SEM，日立先端科技(Hitachi High-technologies)(股)製造的S-4800)，並將放大倍率設為200,000倍來直接觀察絕緣層剖面，藉此如以下般進行測定。測定粒子的最長直徑(以下為「長軸徑」)及與長軸徑正交的方向上的最長直徑(以下為「短軸徑」)，將長軸徑與短軸徑加以平均，將所得的雙軸平均徑作為所述粒子的粒徑。對隨機選擇的20個粒子進行所述粒徑測定，求出其算術平均值作為數量平均粒徑。
(6)無機粒子的體積分率的測定
基於利用精密電子天平的密度測定，如以下般測定體積分率。首先，於鍵結有無機粒子的聚合物的合成時，亦合成未添加無機粒子的聚合物，分別使用各個聚合物並利用所述(2)記載的方法來製作絕緣層。此時，根據塗佈前後的基板的質量變化差與塗佈面積/絕緣層的厚度來求出膜的密度。之後，根據使用未鍵結有無機粒子的聚合物的絕緣層的密度、無機粒子自身的密度、以及使用鍵結有無機粒子的聚合物的絕緣層的密度來計算無機粒子的體積分率。
(7)閘極絕緣層的厚度的測定
使用作為光干涉式膜厚測定裝置的Lambda Ace STM-602(大日本網屏製造(股)製造)，以折射率1.70測定基板上的面內10點，求出其算術平均值作為閘極絕緣層的厚度。
(8)半導體溶液塗佈性的評價
使用接觸角計(協和界面科學(股)製造，CA-D型)，於室溫下在針尖製作直徑1.5mm的半導體溶液的液滴，使其與利用所述(2)記載的方法而製作的6吋矽晶圓上的閘極絕緣層接觸，從而製作液滴。測定此時生成的液滴與面的角度來設為接觸角。如下述般判定所述情況，針對半導體溶液的塗佈性良好情況而將A+、A、B及C設為合格。
A+：接觸角為7°以上且未滿9°
A：接觸角為6°以上且未滿7°或者為9°以上且未滿10°
B：接觸角為5°以上且未滿6°或者為10°以上且未滿12°
C：接觸角為4°以上且未滿5°或者為12°以上且未滿15°
D：接觸角為3°以上且未滿4°或者為15°以上且未滿20°
E：接觸角未滿3°或者為20°以上。
(9)FET特性的評價
對於所製作的FET，測定改變閘極電壓(Vg)時的源極．汲極間電流(Id)-源極．汲極間電壓(Vsd)特性。測定時使用半導體特性評價系統4200-SCS型(吉時利儀器(Keithley Instruments)(股)製造)，於大氣中(氣溫為20℃、濕度為35%)測定。根據Vg=-20V下的汲極電流值來求出接通電流。如下述般判定所述情況，針對高接通電流而將A+、A、B及C設為合格。
A+：接通電流為100μA以上
A：接通電流小於100μA且為50μA以上
B：接通電流小於50μA且為20μA以上
C：接通電流小於20μA且為5μA以上
D：接通電流小於5μA且為1μA以上
E：接通電流小於1μA。
另外，根據Vg=-20V下的閘極電流值來求出漏電流。如下述般判定所述情況，針對低漏電流而將A+、A、B及C設為合格。
A+：漏電流為10pA以下
A：漏電流大於10pA且為20pA以下
B：漏電流大於20pA且為35pA以下
C：漏電流大於35pA且為50pA以下
D：漏電流大於50pA且為100pA以下
E：漏電流大於100pA。
實施例1
(1)半導體溶液的製作
將聚-3-己基噻吩(P3HT，奧德里奇(Aldrich)公司製造，Regioregular，數量平均分子量(Mn)：13000)0.10g加入至放入有氯仿5ml的燒瓶中，於超音波清洗機(井內盛榮堂(股)製造的US-2，輸出功率為120W)中進行超音波攪拌，藉此獲得P3HT的氯仿溶液。繼而，將該溶液取至滴管中，每次0.5ml地滴加至甲醇20ml與0.1當量鹽酸10ml的混合溶液中，進行再沈澱。對成為固體的P3HT藉由孔徑為0.1μm的薄膜過濾器(PTFE公司製造：四氟乙烯)進行過濾分離捕獲，藉由甲醇充分洗滌後，藉由真空乾燥將溶媒去除。進一步再進行一次溶解與再沈澱，獲得90mg的再沈澱P3HT。
其次，將CNT(CNI公司製造，單層CNT，純度為95%)1.5mg、所述P3HT 1.5mg加入至15ml的氯仿中，一面進行冰浴冷卻一面使用超音波均質機(東京理化器械(股)製造的VCX-500)，於輸出功率為250W下進行30分鐘超音波攪拌。於進行30分鐘超音波照射的時間點暫時停止照射，追加1.5mg的P3HT，進一步進行1分鐘超音波照射，藉此獲得包含於CNT的表面附著有P3HT的CNT複合體的CNT分散液A(CNT複合體相對於溶媒的濃度為0.1g/l)。
其次，進行用以形成半導體層4的半導體溶液的製作。使用薄膜過濾器(孔徑為10μm，直徑為25mm，密理博(Millipore)公司製造的歐姆尼博薄膜(Omnipore Membrane))對所述CNT分散液A進行過濾，去除長度為10μm以上的CNT複合體。於所獲得的濾液5ml中加入二氯苯45ml，製成半導體溶液A(CNT複合體相對於溶媒的濃度為0.01g/l)。
(2)鍵結有無機粒子的聚矽氧烷(PS-01)的合成
於三口燒瓶中裝入10.90g(0.08mol)的甲基三甲氧基矽烷(MeSi)、5.25g(0.02mol)的3-三甲氧基矽烷基丙基丁二酸酐(SucSi)、24.84g(0.10mol)的1-萘基三甲氧基矽烷(NapSi)、133.68g(相對於有機矽烷完全縮合的情況下的質量(27.54g)100質量份，粒子含量為100質量份)的作為20.6質量%的氧化鈦-氧化矽複合粒子甲醇分散液的「奧普托萊克(Optolake)(註冊商標)」TR-550(日揮觸媒化成(股)製造)、102.28g的二丙酮醇(DAA，沸點168℃)，一面於室溫下攪拌一面花10分鐘添加於水11.16g中溶解有磷酸0.205g(相對於裝入單體而為0.50質量%)的磷酸水溶液。之後，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌60分鐘後，花30分鐘將油浴昇溫至115℃為止。昇溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，之後加熱攪拌2小時(內溫為100℃~110℃)。利用冰浴將加熱攪拌而獲得的樹脂溶液冷卻後，分別對樹脂溶液加入2重量%的陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂，並攪拌12小時。於攪拌後，將陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂過濾並去除，獲 得鍵結有無機粒子的聚矽氧烷(PS-01)的溶液。再者，於昇溫及加熱攪拌中，以0.05 l(升)/分鐘來流通氮氣。反應中餾出作為副產物的甲醇、水合計121.19g。所獲得的鍵結有無機粒子的聚矽氧烷的溶液PS-01的固體成分濃度為33質量%。
(3)醌二疊氮化合物(QD-01)的合成
於乾燥氮氣流下，使Ph-cc-AP-MF(商品名，本州化學工業(股)製造)15.32g(0.05mol)與5-萘醌二疊氮磺醯氯37.62g(0.14mol)溶解於1,4-二噁烷450g中，調整為室溫。於其中以系統內不成為35℃以上的方式滴加已與1,4-二噁烷50g混合的三乙胺15.58g(0.154mol)。滴加後於30℃下攪拌2小時。過濾三乙胺鹽，將濾液投入至水中。之後，藉由過濾來收集所析出的沈澱。利用真空乾燥機使該沈澱乾燥，獲得下述結構的醌二疊氮化合物(QD-01)。
(4)絕緣材料溶液的製作
於黃色燈下將鍵結有無機粒子的聚矽氧烷溶液(PS-01)69.49g、醌二疊氮化合物(QD-01)2.06g、100ppm的DFX-18(氟系界面活性劑，尼歐斯(Neos)(股)製造)、DAA 100.06g、PGMEA 36.65g混合、攪拌而製成均勻溶液後，利用0.20μm的過濾器進行過濾而獲得絕緣材料溶液(固體成分濃度為12質量%)。
[化4]
Figure 107134060-A0305-02-0060-4
(5)FET的製作
製作圖1所示的FET。於玻璃製基板1(膜厚為0.7mm)上，藉由電阻加熱法通過遮罩而真空蒸鍍金50nm，形成閘極電極2。其次，將利用所述(4)中記載的方法而製作的絕緣材料溶液旋塗(800rpm×20秒)於形成有所述閘極電極2的玻璃基板上，於110℃下進行2分鐘熱處理後，利用2.38質量%的TMAH水溶液(三菱瓦斯化學(股)製造，ELM-D)進行60秒顯影。繼而，利用純水進行淋洗，使用加熱板並於180℃下進行60分鐘加熱處理，藉此形成膜厚400nm的閘極絕緣層3。其次，於閘極絕緣層3上，藉由電阻加熱法以膜厚成為50nm的方式真空蒸鍍金，於其上旋塗(1000rpm×20秒)光阻劑(商品名「LC140-10cP」，羅門哈斯(Rohm and Haas)(股)製造)，並以100℃進行10分鐘加熱乾燥。使用平行光遮罩對準機(Parallel Light Mask Aligner)(佳能(Canon)(股)製造的PLA-501F)並介隔遮罩對所製作的光阻劑膜進行圖案曝光後，使用自動顯影裝置(瀧澤產業(股)製造的AD-2000)並利用作為2.38質量%TMAH水溶液的ELM-D(商品 名，三菱瓦斯化學(股)製造)進行60秒鐘噴淋顯影，繼而利用水進行30秒鐘清洗。之後，利用AURUM-302(商品名，關東化學(股)製造)進行5分鐘蝕刻處理後，利用水進行30秒鐘清洗。於AZ REMOVER 100(商品名，默克先進科技材料(Merck Performance Materials)(股)製造)中浸漬5分鐘而將抗蝕劑剝離，利用水進行30秒鐘清洗後，於120℃下進行20分鐘加熱乾燥，藉此形成源極電極5及汲極電極6。
該些兩電極的寬度(通道寬度)設為100μm，兩電極的間隔(通道長)設為10μm。於形成有電極的基板上，使用噴墨裝置(群集科技(Cluster Technology)(股)製造)而滴加400pl的利用所述(1)中記載的方法而製作的半導體溶液A，於加熱板上、氮氣流下、150℃下進行30分鐘的熱處理，形成半導體層4，從而獲得FET。使用所獲得的FET並依據所述評價法(1)~(9)來進行評價。
實施例2
利用以下所示的程序合成鍵結有無機粒子的聚矽氧烷而加以使用，除此以外與實施例1同樣地製作FET，並進行評價。
於三口燒瓶中裝入10.90g(0.08mol)的MeSi、5.25g(0.02mol)的SucSi、24.84g(0.10mol)的NapSi、33.42g(相對於有機矽烷完全縮合的情況下的質量(27.54g)100質量份，粒子含量為25質量份)的20.6質量%的TR-550、63.93g的DAA，一面於室溫下攪拌一面花10分鐘添加於水11.16g中溶解有磷酸 0.205g(相對於裝入單體而為0.50質量%)的磷酸水溶液。之後，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌60分鐘後，花30分鐘將油浴昇溫至115℃為止。昇溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，之後加熱攪拌2小時(內溫為100℃~110℃)。利用冰浴將加熱攪拌而獲得的樹脂溶液冷卻後，分別對樹脂溶液加入2重量%的陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂，並攪拌12小時。於攪拌後，將陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂過濾並去除，獲得鍵結有無機粒子的聚矽氧烷(PS-02)的溶液。再者，於昇溫及加熱攪拌中，以0.05 l(升)/分鐘來流通氮氣。反應中餾出作為副產物的甲醇、水合計45.16g。所獲得的鍵結有無機粒子的聚矽氧烷的溶液PS-02的固體成分濃度為33質量%。
實施例3
利用以下所示的程序合成鍵結有無機粒子的聚矽氧烷而加以使用，除此以外與實施例1同樣地製作FET，並進行評價。
於三口燒瓶中裝入10.90g(0.08mol)的MeSi、5.25g(0.02mol)的SucSi、24.84g(0.10mol)的NapSi、200.52g(相對於有機矽烷完全縮合的情況下的質量(27.54g)100質量份，粒子含量為150質量份)的20.6質量%的TR-550、127.85g的DAA，一面於室溫下攪拌一面花10分鐘添加於水11.16g中溶解有磷酸0.205g(相對於裝入單體而為0.50質量%)的磷酸水溶液。之後，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌60分鐘後，花30分鐘將油浴昇溫至115℃為止。昇溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，之 後加熱攪拌2小時(內溫為100℃~110℃)。利用冰浴將加熱攪拌而獲得的樹脂溶液冷卻後，分別對樹脂溶液加入2重量%的陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂，並攪拌12小時。於攪拌後，將陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂過濾並去除，獲得鍵結有無機粒子的聚矽氧烷(PS-03)的溶液。再者，於昇溫及加熱攪拌中，以0.05 l(升)/分鐘來流通氮氣。反應中餾出作為副產物的甲醇、水合計171.88g。所獲得的鍵結有無機粒子的聚矽氧烷的溶液PS-03的固體成分濃度為33質量%。
實施例4
利用以下所示的程序合成鍵結有無機粒子的聚矽氧烷而加以使用，除此以外與實施例1同樣地製作FET，並進行評價。
於三口燒瓶中裝入10.90g(0.08mol)的MeSi、5.25g(0.02mol)的SucSi、24.84g(0.10mol)的NapSi、267.36g(相對於有機矽烷完全縮合的情況下的質量(27.54g)100質量份，粒子含量為200質量份)的20.6質量%的TR-550、153.42g的DAA，一面於室溫下攪拌一面花10分鐘添加於水11.16g中溶解有磷酸0.205g(相對於裝入單體而為0.50質量%)的磷酸水溶液。之後，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌60分鐘後，花30分鐘將油浴昇溫至115℃為止。昇溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，之後加熱攪拌2小時(內溫為100℃~110℃)。利用冰浴將加熱攪拌而獲得的樹脂溶液冷卻後，分別對樹脂溶液加入2重量%的陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂，並攪拌12小時。於攪拌後，將陰離 子交換樹脂及陽離子交換樹脂過濾並去除，獲得鍵結有無機粒子的聚矽氧烷(PS-04)的溶液。再者，於昇溫及加熱攪拌中，以0.05 l(升)/分鐘來流通氮氣。反應中餾出作為副產物的甲醇、水合計222.56g。所獲得的鍵結有無機粒子的聚矽氧烷的溶液PS-04的固體成分濃度為33質量%。
實施例5
利用以下所示的程序合成鍵結有無機粒子的聚矽氧烷而加以使用，除此以外與實施例1同樣地製作FET，並進行評價。
於三口燒瓶中裝入10.90g(0.08mol)的MeSi、5.25g(0.02mol)的SucSi、24.84g(0.10mol)的NapSi、401.03g(相對於有機矽烷完全縮合的情況下的質量(27.54g)100質量份，粒子含量為300質量份)的20.6質量%的TR-550、204.57g的DAA，一面於室溫下攪拌一面花10分鐘添加於水11.16g中溶解有磷酸0.205g(相對於裝入單體而為0.50質量%)的磷酸水溶液。之後，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌60分鐘後，花30分鐘將油浴昇溫至115℃為止。昇溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，之後加熱攪拌2小時(內溫為100℃~110℃)。利用冰浴將加熱攪拌而獲得的樹脂溶液冷卻後，分別對樹脂溶液加入2重量%的陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂，並攪拌12小時。於攪拌後，將陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂過濾並去除，獲得鍵結有無機粒子的聚矽氧烷(PS-05)的溶液。再者，於昇溫及加熱攪拌中，以0.05 l(升)/分鐘來流通氮氣。反應中餾出作為副產物的甲醇、水合計 323.93g。所獲得的鍵結有無機粒子的聚矽氧烷的溶液PS-05的固體成分濃度為33質量%。
實施例6
利用以下所示的程序合成鍵結有無機粒子的聚矽氧烷而加以使用，除此以外與實施例1同樣地製作FET，並進行評價。
於三口燒瓶中裝入16.34g(0.12mol)的MeSi、19.87g(0.08mol)的NapSi、108.80g(相對於有機矽烷完全縮合的情況下的質量(22.41g)100質量份，粒子含量為100質量份)的20.6質量%的TR-550、83.24g的DAA，一面於室溫下攪拌一面花10分鐘添加於水10.80g中溶解有磷酸0.181g(相對於裝入單體而為0.50質量%)的磷酸水溶液。之後，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌60分鐘後，花30分鐘將油浴昇溫至115℃為止。昇溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，之後加熱攪拌2小時(內溫為100℃~110℃)。利用冰浴將加熱攪拌而獲得的樹脂溶液冷卻後，分別對樹脂溶液加入2重量%的陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂，並攪拌12小時。於攪拌後，將陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂過濾並去除，獲得鍵結有無機粒子的聚矽氧烷(PS-06)的溶液。再者，於昇溫及加熱攪拌中，以0.05 l(升)/分鐘來流通氮氣。反應中餾出作為副產物的甲醇、水合計103.21g。所獲得的鍵結有無機粒子的聚矽氧烷的溶液PS-06的固體成分濃度為33質量%。
實施例7
利用以下所示的程序合成鍵結有無機粒子的聚矽氧烷而加以使用，除此以外與實施例1同樣地製作FET，並進行評價。
於三口燒瓶中裝入8.17g(0.06mol)的MeSi、10.49g(0.04mol)的SucSi、24.84g(0.10mol)的NapSi、147.67g(相對於有機矽烷完全縮合的情況下的質量(30.42g)100質量份，粒子含量為100質量份)的20.6質量%的TR-550、112.99g的DAA，一面於室溫下攪拌一面花10分鐘添加於水11.52g中溶解有磷酸0.218g(相對於裝入單體而為0.50質量%)的磷酸水溶液。之後，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌60分鐘後，花30分鐘將油浴昇溫至115℃為止。昇溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，之後加熱攪拌2小時(內溫為100℃~110℃)。利用冰浴將加熱攪拌而獲得的樹脂溶液冷卻後，分別對樹脂溶液加入2重量%的陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂，並攪拌12小時。於攪拌後，將陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂過濾並去除，獲得鍵結有無機粒子的聚矽氧烷(PS-07)的溶液。再者，於昇溫及加熱攪拌中，以0.05 l(升)/分鐘來流通氮氣。反應中餾出作為副產物的甲醇、水合計131.30g。所獲得的鍵結有無機粒子的聚矽氧烷的溶液PS-07的固體成分濃度為33質量%。
實施例8
於四口燒瓶中裝入54.68g的水、2.77g的乙醇、332.84g(相對於後述的丙烯酸單體合計100質量份，無機粒子固體成分為100質量份)的25.0質量%的TR-550(其中，使用蒸發器自甲醇向乙 醇進行溶媒置換而成者)、11.89g的25質量%氨水溶液、3.72g(3mol%)的3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷，將燒瓶浸漬於55℃的油浴中並於加熱回流下攪拌2小時。其次，冷卻至室溫後，於燒瓶中裝入8.51g(17mol%)的甲基丙烯酸甲酯、12.91g(30mol%)的甲基丙烯酸、58.07g(50mol%)的甲基丙烯酸2-[2-(2-甲氧基)乙氧基]乙氧基乙酯、2.46g的乙醇，攪拌片刻，藉由起泡將燒瓶內充分進行氮氣置換後，浸漬於油浴中並昇溫，於內溫達到70℃的時間點添加11.41g的10質量%的過硫酸銨水溶液，於氮氣環境下、加熱回流下攪拌5小時。之後，使用蒸發器而自聚合時的混合溶媒溶媒置換為DAA，從而獲得丙烯酸樹脂溶液(AC-TR550)。於所獲得的丙烯酸樹脂溶液(AC-TR550)中以固體成分濃度成為33質量%的方式添加DAA。使用AC-TR550來作為鍵結有無機粒子的聚合物，除此以外與實施例1同樣地製作FET，並進行評價。
實施例9
使用作為22.5質量%的氧化矽粒子甲醇分散液的「庫特隆(Quartron)(註冊商標)」PL-2L-MA(扶桑化學工業(股)製造)代替TR-550來獲得鍵結有無機粒子的聚矽氧烷(PS-8)的溶液，除此以外與實施例1同樣地製作FET，並進行評價。
實施例10
使用作為氧化矽粒子甲醇分散液的「奧斯卡璐(OSCAL)(註冊商標)」1727BM(日揮觸媒化成工業(股)製造)代替TR-550 來獲得鍵結有無機粒子的聚矽氧烷(PS-9)的溶液，除此以外與實施例1同樣地製作FET，並進行評價。
實施例11
利用以下所示的程序合成鍵結有無機粒子的聚矽氧烷。
於三口燒瓶中裝入18.75g(0.08mol)的3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(AcrSi)、5.25g(0.02mol)的SucSi、24.84g(0.10mol)的NapSi、171.78g(相對於有機矽烷完全縮合的情況下的質量(35.39g)100質量份，粒子含量為100質量份)的20.6質量%的TR-550、131.44g的DAA，一面於室溫下攪拌一面花10分鐘添加於水11.16g中溶解有磷酸0.244g(相對於裝入單體而為0.50質量%)的磷酸水溶液。之後，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌60分鐘後，花30分鐘將油浴昇溫至115℃為止。昇溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，之後加熱攪拌2小時(內溫為100℃~110℃)。利用冰浴將加熱攪拌而獲得的樹脂溶液冷卻後，分別對樹脂溶液加入2重量%的陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂，並攪拌12小時。於攪拌後，將陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂過濾並去除，獲得鍵結有無機粒子的聚矽氧烷(PS-10)的溶液。再者，於昇溫及加熱攪拌中，以0.05 l(升)/分鐘來流通氮氣。反應中餾出作為副產物的甲醇、水合計148.73g。所獲得的鍵結有無機粒子的聚矽氧烷的溶液PS-10的固體成分濃度為33質量%。
之後，代替QD-01而使用2.29g的DPHA(「卡亞拉得 (KAYARAD)(註冊商標)」，日本化藥(股)製造；二季戊四醇六丙烯酸酯)、0.34g的OXE-01(「豔佳固(Irgacure)(註冊商標)」，巴斯夫(BASF)(股)製造)，從而獲得絕緣材料溶液。相對於聚矽氧烷100質量份，本溶液中的所述DPHA的含量為10質量份。另外，相對於聚矽氧烷100質量份，本溶液中的所述OXE-01的含量為1.5質量份。使用所獲得的絕緣材料溶液，包含自由基聚合性化合物，故依據所述「(2)-2閘極絕緣層的製作(b)」，除此以外與實施例1同樣地製作閘極絕緣層及FET，並進行評價。
實施例12
於製備半導體溶液時，不使用P3HT而準備僅CNT的溶液，將其設為半導體溶液B而用於形成半導體層，除此以外與實施例1同樣地製作閘極絕緣層及FET，並進行評價。
實施例13
利用包含感光性有機成分的導電性膏並如以下般進行電極的製作。於100ml的潔淨瓶中放入20g的丙烯酸聚合物SPCR-69X(商品名，昭和電工(股)製造，質量平均分子量為15000)、光聚合起始劑OXE-01(日本巴斯夫(BASF Japan)股份有限公司製造)4g、0.6g的酸產生劑SI-110(三新化學工業股份有限公司製造)、10g的γ-丁內酯(三菱瓦斯化學股份有限公司製造)，利用自轉-公轉真空混合機「去泡攪拌太郎」(註冊商標)(ARE-310；新基(Thinky)(股)製造)進行混合而獲得感光性樹脂溶液46.6g(固體成分為78.5質量%)。將所獲得的感光性樹脂溶液8.0g與 平均粒徑2μm的Ag粒子42.0g混合，使用三根輥「EXAKT M-50」(商品名，艾卡特(EXAKT)公司製造)進行混煉而獲得50g的感光性Ag膏A。
藉由網版印刷將感光性Ag膏A塗佈於玻璃基板上，並利用乾燥烘箱於100℃下進行10分鐘預烘烤。之後，使用曝光裝置「PEM-8M」(商品名，國際光學(股)製造)，並介隔具有與電極相對應的遮罩圖案的光罩以曝光量70mJ/cm2(波長365nm換算)進行全線曝光，以0.5%Na2CO3溶液進行30秒鐘浸漬顯影，於利用超純水進行淋洗後，利用乾燥烘箱於140℃下進行30分鐘固化，從而製作閘極電極。亦利用相同的程序來製作源極電極及汲極電極。除該些以外與實施例1同樣地製作閘極絕緣層及FET，並進行評價。
實施例14
使用PS-03來作為鍵結有無機粒子的聚矽氧烷，除此以外與實施例13同樣地製作FET，並進行評價。
實施例15
於絕緣材料溶液的旋塗時，將塗佈條件設為200rpm×15秒並厚厚地進行塗佈，除此以外與實施例1同樣地製作閘極絕緣層及FET，並進行評價。
比較例1
利用以下所示的程序獲得未鍵結有無機粒子的聚合物，並使用其來獲得絕緣材料溶液，除此以外與實施例1同樣地製作FET， 並進行評價。
於三口燒瓶中裝入10.90g(0.08mol)的MeSi、5.25g(0.02mol)的SucSi、24.84g(0.10mol)的NapSi、51.14g的DAA，一面於室溫下攪拌一面花10分鐘添加於水11.16g中溶解有磷酸0.205g(相對於裝入單體而為0.50質量%)的磷酸水溶液。之後，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌60分鐘後，花30分鐘將油浴昇溫至115℃為止。昇溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，之後加熱攪拌2小時(內溫為100℃~110℃)。利用冰浴將加熱攪拌而獲得的樹脂溶液冷卻後，分別對樹脂溶液加入2重量%的陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂，並攪拌12小時。於攪拌後，將陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂過濾並去除，獲得聚矽氧烷(PS-11)的溶液。再者，於昇溫及加熱攪拌中，以0.05 l(升)/分鐘來流通氮氣。反應中餾出作為副產物的甲醇、水合計19.82g。所獲得的未鍵結有無機粒子的聚矽氧烷的溶液PS-11的固體成分濃度為33質量%。
比較例2
相對於未鍵結有無機粒子的聚矽氧烷(PS-11)100質量份，同樣地添加100質量份的TR-550(其中，使用蒸發器自甲醇向DAA進行溶媒置換而成者)來獲得絕緣材料溶液，除此以外與比較例1同樣地製作FET，並進行評價。
比較例3
將比較例2中使用的TR-550的DAA分散液直接旋塗於形成 有閘極電極2的玻璃基板上，藉此形成閘極絕緣層。其中，由於膜非常脆，故無法於閘極絕緣層上形成電極，無法實施相對介電常數的評價及FET特性的評價。
比較例4
於製備半導體溶液時，不使用CNT而準備僅P3HT的溶液，將其設為半導體溶液C而用於形成半導體層，除此以外與實施例1同樣地製作閘極絕緣層及FET，並進行評價。
比較例5
於製備半導體溶液時，不使用CNT而準備僅富勒烯(富士薄膜和光純藥(股)製造，C60，純度99.95%)的溶液，將其設為半導體溶液D而用於形成半導體層，除此以外與實施例1同樣地製作閘極絕緣層及FET，並進行評價。
將實施例1~實施例15及比較例1~比較例5的FET製作時使用的材料及各種評價結果示於表1~表4中。
[表1]
Figure 107134060-A0305-02-0073-6
Figure 107134060-A0305-02-0074-8
[表3]
Figure 107134060-A0305-02-0075-9
Figure 107134060-A0305-02-0075-10

Claims (16)

  1. 一種場效電晶體，其至少包括基板，源極電極、汲極電極及閘極電極，與所述源極電極及汲極電極相接的半導體層，以及將所述半導體層與所述閘極電極絕緣的閘極絕緣層，所述場效電晶體中，所述半導體層含有碳奈米管，所述閘極絕緣層含有鍵結有無機粒子的聚合物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的場效電晶體，其中所述閘極絕緣層的相對介電常數為5以上且20以下的範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的場效電晶體，其中所述聚合物包含聚矽氧烷。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的場效電晶體，其中所述聚矽氧烷至少具有通式(1)所表示的結構單元：
    Figure 107134060-A0305-02-0077-11
     通式(1)中，R1表示氫原子、烷基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基或烯基；R2表示氫原子、烷基、環烷基或矽烷基；m 表示0或1；A1表示包含至少兩個羧基、磺基、硫醇基、酚性羥基或該些的衍生物的有機基；其中，於所述衍生物為由所述羧基、磺基、硫醇基及酚性羥基中的兩個形成的環狀縮合結構的情況下，A1表示具有至少一個所述環狀縮合結構的有機基。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的場效電晶體，其中所述碳奈米管包含於碳奈米管表面的至少一部分附著有共軛系聚合體的碳奈米管複合體。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的場效電晶體，其中所述無機粒子包含金屬氧化物。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的場效電晶體，其中所述無機粒子的數量平均粒徑為1nm以上且100nm以下的範圍內。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的場效電晶體，其中所述閘極絕緣層中的所述無機粒子以體積分率計為10vol%以上且60vol%以下的範圍內。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的場效電晶體，其中所述無機粒子為選自氧化錫-氧化鈦複合粒子、氧化矽-氧化鈦複合粒子、氧化鈦粒子、氧化鋯粒子、氧化鉿粒子、氧化釔粒子、氧化鈮粒子、氧化鉭粒子、氧化錫-氧化鋯複合粒子、氧化矽-氧化鋯複合粒子、氧化鋁粒子、鈦酸鋇粒子、鈦酸鍶粒子及鈦酸鋇-鈦酸鍶複合粒子中的粒子。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的場效電晶體， 其中所述閘極絕緣層的厚度為10nm以上且1000nm以下的範圍內。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的場效電晶體，其中所述源極電極及/或汲極電極包含有機黏合劑及導電性粉末。
  12. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的場效電晶體，其中接通電流為5μA以上且漏電流為50pA以下。
  13. 一種場效電晶體的製造方法，其製造如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述的場效電晶體，所述場效電晶體的製造方法包括：(1)於基板上形成成為閘極電極的導電性圖案的步驟；(2)將至少包含鍵結有無機粒子的聚合物的溶液塗佈於形成有所述導電性圖案的基板上及加以乾燥，從而獲得塗佈膜的步驟；以及(3)將包含碳奈米管的半導體層、以及成為源極電極及汲極電極的導電性圖案以彼此相接的方式形成於所述塗佈膜或將其硬化而成的閘極絕緣層上的步驟。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的場效電晶體的製造方法，其中包含鍵結有所述無機粒子的聚合物的溶液進而包含感光性有機成分，所述場效電晶體的製造方法包括：(4)將包含鍵結有所述無機粒子的聚合物及感光性有機成分的溶液塗佈於形成有所述導電性圖案的基板上及加以乾燥，對所獲得的膜介隔光罩來照射活性化學線後，使用鹼性溶液於所述導 電性圖案上形成具有開口部的絕緣性圖案的步驟；以及(5)對所述絕緣性圖案進行加熱而形成具有開口部的閘極絕緣層的步驟。
  15. 一種無線通訊裝置，其具有如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述的場效電晶體。
  16. 一種商品標籤，其使用如申請專利範圍第15項所述的無線通訊裝置。
TW107134060A 2017-09-29 2018-09-27 場效電晶體與其製造方法、以及使用上述的無線通訊裝置和商品標籤 TWI806905B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017189900 2017-09-29
JP2017-189900 2017-09-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201925387A TW201925387A (zh) 2019-07-01
TWI806905B true TWI806905B (zh) 2023-07-01

Family

ID=65902146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107134060A TWI806905B (zh) 2017-09-29 2018-09-27 場效電晶體與其製造方法、以及使用上述的無線通訊裝置和商品標籤

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11690237B2 (zh)
EP (1) EP3690956A4 (zh)
JP (1) JP7206912B2 (zh)
KR (1) KR102566164B1 (zh)
CN (1) CN111095566B (zh)
TW (1) TWI806905B (zh)
WO (1) WO2019065561A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11066296B1 (en) 2018-08-21 2021-07-20 Iowa State University Research Foundation, Inc. Methods, apparatus, and systems for fabricating solution-based conductive 2D and 3D electronic circuits
US11465397B1 (en) * 2018-08-21 2022-10-11 Iowa State University Research Foundation, Inc. Fabrication of high-resolution graphene-based flexible electronics via polymer casting
JP2021005625A (ja) 2019-06-26 2021-01-14 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ ゲート絶縁膜形成組成物
CN112636004B (zh) * 2019-10-09 2022-09-13 安徽工业大学 测定流注电子密度时空演化的超材料聚焦天线
US11908893B2 (en) * 2021-08-30 2024-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of forming the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102089870A (zh) * 2008-03-18 2011-06-08 东丽株式会社 栅极绝缘材料、栅极绝缘膜及有机场效应型晶体管
CN105190901A (zh) * 2013-03-14 2015-12-23 东丽株式会社 场效应晶体管
TW201727922A (zh) * 2016-01-25 2017-08-01 Toray Industries ｎ型半導體元件和互補型半導體裝置、其製造方法以及使用上述的無線通訊裝置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100995451B1 (ko) * 2003-07-03 2010-11-18 삼성전자주식회사 다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
JP5025124B2 (ja) * 2005-11-24 2012-09-12 株式会社リコー 有機半導体装置及びその製造方法並びに表示装置
JP2007256782A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Sekisui Chem Co Ltd シリコン含有感光性組成物、これを用いた薄膜パターンの製造方法、電子機器用保護膜、トランジスタ、カラーフィルタ、有機ｅｌ素子、ゲート絶縁膜及び薄膜トランジスタ
KR100820077B1 (ko) * 2006-06-23 2008-04-08 홍익대학교부설과학기술연구소 유-무기 혼합 절연체를 사용한 유기 박막 트랜지스터
WO2008060534A1 (en) * 2006-11-10 2008-05-22 Georgia Tech Research Corporation Printable thin-film transistors with high dielectric constant gate insulators and methods for producing same
JP2008130910A (ja) 2006-11-22 2008-06-05 Nippon Zeon Co Ltd 有機薄膜トランジスタ
JP5491197B2 (ja) * 2007-12-10 2014-05-14 株式会社カネカ アルカリ現像性を有する硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ
JP2011186069A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Adeka Corp 感光性樹脂組成物
JP2013115162A (ja) 2011-11-28 2013-06-10 Toray Ind Inc 電界効果型トランジスタ。
JP6099350B2 (ja) * 2012-10-11 2017-03-22 日油株式会社 高誘電率膜形成用インク組成物、高誘電率膜及びその製造方法
JP6140626B2 (ja) * 2014-03-03 2017-05-31 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP6106114B2 (ja) * 2014-03-03 2017-03-29 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2015176919A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 出光興産株式会社 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
US10409163B2 (en) 2014-09-30 2019-09-10 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition, cured film, element provided with cured film, and method for manufacturing semiconductor device
US10522771B2 (en) * 2014-12-01 2019-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition, electronic device, and thin film transistor
KR102407114B1 (ko) * 2015-05-29 2022-06-08 삼성전자주식회사 절연액, 절연체, 박막 트랜지스터 및 전자 소자
WO2017090559A1 (ja) * 2015-11-25 2017-06-01 東レ株式会社 強誘電体記憶素子、その製造方法、ならびにそれを用いたメモリセルおよびそれを用いた無線通信装置
JP6332573B1 (ja) 2016-11-22 2018-05-30 東レ株式会社 電界効果型トランジスタ、その製造方法、それを用いた無線通信装置および商品タグ
CN112636004B (zh) * 2019-10-09 2022-09-13 安徽工业大学 测定流注电子密度时空演化的超材料聚焦天线

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102089870A (zh) * 2008-03-18 2011-06-08 东丽株式会社 栅极绝缘材料、栅极绝缘膜及有机场效应型晶体管
CN105190901A (zh) * 2013-03-14 2015-12-23 东丽株式会社 场效应晶体管
TW201727922A (zh) * 2016-01-25 2017-08-01 Toray Industries ｎ型半導體元件和互補型半導體裝置、其製造方法以及使用上述的無線通訊裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210083214A1 (en) 2021-03-18
WO2019065561A1 (ja) 2019-04-04
JPWO2019065561A1 (ja) 2020-09-03
TW201925387A (zh) 2019-07-01
EP3690956A4 (en) 2021-06-30
JP7206912B2 (ja) 2023-01-18
KR102566164B1 (ko) 2023-08-14
CN111095566B (zh) 2023-05-23
EP3690956A1 (en) 2020-08-05
CN111095566A (zh) 2020-05-01
US11690237B2 (en) 2023-06-27
KR20200060347A (ko) 2020-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI806905B (zh) 場效電晶體與其製造方法、以及使用上述的無線通訊裝置和商品標籤
TWI698035B (zh) 場效型電晶體、其製造方法以及使用上述的無線通訊裝置和商品標籤
JP6962189B2 (ja) ｎ型半導体素子と相補型半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置
TWI692036B (zh) 場效型電晶體的製造方法及無線通信裝置的製造方法
WO2017090559A1 (ja) 強誘電体記憶素子、その製造方法、ならびにそれを用いたメモリセルおよびそれを用いた無線通信装置
TWI690982B (zh) 半導體元件、互補型半導體裝置、半導體元件的製造方法、無線通信裝置及商品標籤
JP2021117994A (ja) 無線通信デバイス、およびその製造方法
JP2021055049A (ja) 樹脂組成物、それを用いた素子の製造方法
JP6841381B1 (ja) ｎ型半導体素子、ｎ型半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
JP2021136444A (ja) 素子およびその製造方法
JP2022027623A (ja) 素子およびその製造方法、無線通信装置および薄膜トランジスタアレイ