JP6874467B2 - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents

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    • H01L2224/32258Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
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Description

本明細書に開示の技術は、半導体装置とその製造方法に関する。
特許文献1に、リードフレームが接合用凸部を有し、接合用凸部が半導体チップの主電極に接続された半導体装置が開示されている。リードフレームの接合用凸部によって、信号配線を設けるためのスペースが確保されている。リードフレームに位置決め用のピンを挿すことで、半導体チップとリードフレームの間の位置ずれを抑制している。
特開2009−146950号公報
特許文献1のように接合用凸部を有するリードフレームを採用する場合において、主電極に接合用凸部をはんだ付けするときに、位置ずれが生じる場合がある。半導体チップの主電極に対してリードフレームの接合用凸部の位置がずれると、半導体チップからリードフレームに熱が伝わり難くなる。したがって、半導体装置の放熱性が低下する。特許文献1の方法では、リードフレームにピンを挿すための孔が必要となり、孔の位置で放熱が阻害される。したがって、本明細書では、放熱を阻害することなく、リードフレームと半導体チップの位置決めを行うことが可能な技術を提供する。
本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、治具を用いて半導体チップをリードフレームに接続する。前記半導体チップが、一つの面に主電極を有する。前記リードフレームが、接合用凸部と、前記接合用凸部の周囲に配置された凸形状または凹形状によって構成された位置決め部を有する。前記製造方法が、前記接合用凸部と前記治具の間に間隔を開けた状態で前記治具を前記位置決め部に係合させる工程と、前記治具を前記半導体チップに係合させる工程と、前記治具が前記位置決め部と前記半導体チップに係合された状態で、前記接合用凸部を前記半導体チップの前記主電極にはんだを介して接続する工程を有する。
この製造方法では、治具がリードフレームの位置決め部に係合されるので、リードフレームと治具との位置ずれが抑制される。また、治具が半導体チップに係合されるので、半導体チップと治具の位置ずれが抑制される。このため、治具を介して、リードフレームと半導体チップが位置決めされる。したがって、リードフレームと半導体チップの間の位置ずれが抑制される。このように治具を介して位置決めされた状態で半導体チップの主電極がリードフレームの接合用凸部にはんだを介して接合される。したがって、接合用凸部が主電極に対して位置ずれすることが抑制され、半導体装置の放熱性の低下を防止することができる。また、この方法では、位置決め部が凸形状または凹形状により構成されているので、位置決め部で放熱が阻害されることがない。このため、この製造方法によれば、放熱性が高い半導体装置を安定して製造することができる。
また、本明細書は、放熱性が高い半導体装置を提供する。この半導体装置は、一つの面に主電極を有する半導体チップと、リードフレームを有する。前記リードフレームは、接合用凸部と、前記接合用凸部の周囲に配置された凸形状または凹形状によって構成された位置決め部を有する。前記接合用凸部が、前記主電極にはんだを介して接続されている。
この半導体装置は、上述した本明細書が開示する製造方法により製造することができる。この半導体装置は、位置決め部が凸形状または凹形状により構成されているので、位置決め部で放熱が阻害されることがなく放熱性が高い。
リードフレームの斜視図。 リードフレームの主端子の拡大平面図。 図1、2のIII−III線における断面図。 図1、2のIV−IV線における断面図。 治具を取り付けた状態のリードフレームの斜視図。 治具を取り付けた状態の主端子の図2に対応する拡大平面図。 治具を取り付けた状態のリードフレームの図3に対応する断面図。 治具を取り付けた状態のリードフレームの図4に対応する断面図。 位置決め後の半導体チップとリードフレームの図2に対応する拡大平面図。 位置決め後の半導体チップとリードフレームの図3に対応する断面図。 位置決め後の半導体チップとリードフレームの図4に対応する断面図。 リフロー後の半導体チップとリードフレームの図3に対応する断面図。 リフロー後の半導体チップとリードフレームの図4に対応する断面図。 コレクタ端子を接続した後の半製品の図3に対応する断面図。 絶縁樹脂層を形成した後の半製品の図3に対応する断面図。 絶縁樹脂層を形成した後の半製品の平面図。 実施形態の製造方法で製造される半導体装置の平面図。 従来の製造方法の説明図。 従来の製造方法の説明図。 従来の製造方法で製造される半導体装置の平面図。 位置ずれが大きいときのはんだ層を示す断面図。 変形例の位置決め用凸部を示す平面図。 変形例の位置決め用凸部を示す断面図。 変形例の位置決め用凸部を示す断面図。 変形例の位置決め用凸部を示す断面図。 変形例の位置決め用凸部を示す平面図。 変形例の位置決め用凸部を示す平面図。 変形例の位置決め用凸部を示す平面図。 変形例の位置決め用凸部を示す平面図。 変形例の位置決め用凸部を示す平面図。 変形例の位置決め用凸部を示す平面図。 変形例の位置決め用凸部を示す平面図。 変形例の位置決め用凸部を示す平面図。 変形例の位置決め用凸部を示す平面図。 変形例の位置決め用凹部を示す断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図1〜4は、実施形態の製造方法で使用するリードフレーム12を示している。リードフレーム12は、半導体チップに接続するための複数の端子が互いに接続された部品である。リードフレーム12は、2つのダイパッド14と、主端子28a〜28cと、複数の信号端子26を備えている。各ダイパッド14に対して、1つの半導体チップが接続される。主端子28a、28cは、対応するダイパッド14に接続されている。主端子28bは、後述するコレクタ端子60に接続される端子である。なお、2つのダイパッド14の構造及び使用方法は略等しいので、以下では、一方のダイパッド14(図1の右側のダイパッド14)を中心に説明する。
ダイパッド14は、放熱板16と、位置決め用凸部18と、接合用凸部20を有している。なお、図2及びそれ以降の拡大平面図では、位置決め用凸部18を斜線ハッチングにより示し、接合用凸部20をドットハッチングにより示している。放熱板16は、リードフレーム12の他部よりも厚みが厚い板状の部分である。以下では、放熱板16の厚み方向をz方向といい、z方向に直交する一方向をx方向といい、x方向とz方向に直交する方向をy方向という。位置決め用凸部18は、放熱板16の上面から上側に突出する部分である。図2に示すように、位置決め用凸部18は、z方向に沿って見たときに、略四角形の形状を有している。接合用凸部20は、位置決め用凸部18の上面からさらに上側に突出する部分である。図2に示すように、接合用凸部20は、z方向に沿って見たときに、四角形の形状を有している。図2、3に示すように、接合用凸部20の側方に、複数の信号端子26が配置されている。各信号端子26は、x方向に長く伸びるとともに、y方向に間隔を開けて配列されている。各信号端子26の一方の端部は、放熱板16の上部に配置されている。信号端子26とダイパッド14の間には間隔が設けられている。図1に示すように、各信号端子26は、タイバー22によって互いに接続されている。また、各信号端子26は、タイバー22及び吊りリード23によってダイパッド14に接続されている。図2に示すように、位置決め用凸部18は、信号端子26に対向する位置には配置されていない。位置決め用凸部18は、信号端子26に対向する位置を除いて、接合用凸部20の周囲を囲むように配置されている。
本実施形態の製造方法では、まず、治具取り付け工程を実施する。治具取り付け工程では、図5〜8に示すように、リードフレーム12に治具30を取り付ける。治具30は、断面が四角形の筒形状を有している。図6に示すように、治具30の内周面30aが位置決め用凸部18の外周面18aに密着するように、治具30が位置決め用凸部18に係合される。これによって、治具30がリードフレーム12に対して正確に位置決めされる。なお、図5、7に示すように、治具30の下面の一部には、切り欠き部30bが設けられている。治具30をリードフレーム12に取り付けるときに、切り欠き部30bは複数の信号端子26に対応する位置に配置される。切り欠き部30bが設けられているため、治具30は各信号端子26に接触しない。図6に示すように、治具30と接合用凸部20の間には、間隔が設けられる。図7、8に示すように、治具30の高さは、接合用凸部20の高さよりも高い。
次に、半導体チップ配置工程を実施する。半導体チップ配置工程では、図9〜11に示すように、治具30の内部に半導体チップ40を配置する。すなわち、治具30を半導体チップ40に係合させる。まず、半導体チップ40について説明する。図10、11に示すように、半導体チップ40は、半導体基板42と、エミッタ電極44と、信号電極46と、コレクタ電極48を有している。半導体基板42の内部には、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)が形成されている。エミッタ電極44と信号電極46は、半導体基板42の第1表面(図10、11において下側の面)に設けられている。なお、図10では単一の信号電極46が図示されているが、半導体チップ40は信号端子26に対応する数(例えば、5個)の信号電極46を有している。信号電極46は、エミッタ電極44に隣接する位置に配置されている。エミッタ電極44は、各信号電極46よりも遥かに大きい。信号電極46は、IGBTのゲート電極、温度検出用の電極、電流検出用の電極、電圧検出用の電極等である。信号電極46には、エミッタ電極44の電位を基準電位とする信号が印加される。したがって、信号電極46とエミッタ電極44の間の電位差は小さい。コレクタ電極48は、半導体基板42の第2表面(第1表面の反対側の表面であり、図10、11において上側の面)の全体を覆っている。
半導体チップ配置工程では、エミッタ電極44が下側を向く向きで、半導体チップ40を治具30に上側から挿入する。これによって、半導体チップ40を治具30の内部に配置する。ここでは、図10に示すように、エミッタ電極44が接合用凸部20上に配置され、各信号電極46が対応する信号端子26の端部上に配置されるように、半導体チップ40をセットする。このとき、エミッタ電極44と接合用凸部20の間、及び、各信号電極46と対応する信号端子26の間に、はんだ層50を介在させる。図9に示すように、z方向に沿って見たときに、半導体チップ40の輪郭は、位置決め用凸部18の輪郭(すなわち、外周面18a)よりも僅かに小さい。したがって、半導体チップ40は、治具30の内周面30aよりも僅かに小さい。このため、治具30の内部に半導体チップ40を配置するときに、治具30から半導体チップ40に高い荷重が加わることが抑制される。これによって、半導体基板42に割れ、欠けが生じることが抑制される。半導体チップ配置工程では、半導体チップ40の外周面が治具30の内周面30aによってガイドされるので、半導体チップ40が治具30に対して位置決めされる。すなわち、治具30を介して、半導体チップ40がリードフレーム12に対して位置決めされる。図9には、接合用凸部20とエミッタ電極44が破線により示されている。図9に示すように、z方向に沿って見たときに、接合用凸部20の上面全体が、エミッタ電極44の輪郭の内側に配置される。治具30を用いることで、図9に示すようにエミッタ電極44と接合用凸部20を正確に位置決めすることができる。
次に、リフロー工程を実施する。リフロー工程では、図9〜11に示すように組み立てた積層体を、リフロー炉に通す。これによって、積層体が一旦加熱され、その後、積層体が常温まで冷却される。積層体が加熱されると、はんだ層50が溶融する。その後、積層体が冷却されると、はんだ層50が凝固する。すると、図12、13に示すように、はんだ層50によって、エミッタ電極44が接合用凸部20に接続されるとともに、信号電極46が対応する信号端子26に接続される。リフロー工程を実施したら、治具30をリードフレーム12及び半導体チップ40から取り外す。
次に、図14に示すように、半導体チップ40上にコレクタ端子60を配置し、はんだ層52によってコレクタ電極48をコレクタ端子60に接続する。コレクタ端子60は、コレクタ電極48に接続される配線であるとともに、コレクタ電極48から放熱するための放熱板でもある。また、このとき、図1の主端子28bがコレクタ端子60に接続される。
次に、図15、16に示すように、射出成型によって半導体チップ40を覆う絶縁樹脂層70を形成する。各端子の半導体チップ40に接続されている部分も絶縁樹脂層70に覆われる。各信号端子26、及び、各主端子28a〜28cは、絶縁樹脂層70から外側に突出している。
次に、絶縁樹脂層70の外部でリードフレーム12を切断することで、図16において斜線でハッチングされている部分(タイバー22、吊りリード23等)を除去する。これによって、信号端子26が互いから分離されるとともに、信号端子26がダイパッド14から分離される。また、主端子28a〜28cが互いから分離される。その結果、図17に示す半導体装置が完成する。
次に、従来の半導体装置の製造方法について説明する。従来の製造方法では、図18に示すように、コレクタ用のダイパッド160と信号端子126が一体化されたリードフレーム112を使用する。まず、図18に示すように、第1治具191上にリードフレーム112を取り付ける。リードフレーム112に設けられた孔112aに第1治具191のピン191aを挿入することで、リードフレーム112を第1治具191に対して位置決めする。次に、リードフレーム112上に第2治具192を取り付ける。第2治具192の孔192aに第1治具191のピン191aを挿入することで、第2治具192が第1治具191に対して位置決めされる。次に、第2治具192の筒状部192bの内部に半導体チップ140を配置する。半導体チップ140は、半導体基板142、エミッタ電極144、信号電極146、コレクタ電極148を有している。ここでは、コレクタ電極148が下側を向くように半導体チップ140を配置する。その後、はんだ層150を介してコレクタ電極148をダイパッド160に接合する。コレクタ電極148をダイパッド160に接合したら、第1治具191と第2治具192を取り外す。
次に、ワイヤーボンディングによって、半導体チップ140の各信号電極146を、リードフレーム112の対応する信号端子126に接続する。
次に、図19に示すように、第3治具193にエミッタ端子114をセットする。第3治具193は凹部193aを有しており、その凹部193a内にエミッタ端子114を配置する。凹部193aによって、エミッタ端子114が第3治具193に対して位置決めされる。次に、半導体チップ140とリードフレーム112とが接続された部品を、第3治具193に取り付ける。ここでは、半導体チップ140のエミッタ電極144を、エミッタ端子114の接合用凸部114a上に配置する。ここでは、第3治具193のピン193bをリードフレーム112の孔112aに挿入することで、リードフレーム112を第3治具193に対して位置決めする。その後、はんだ層152を介してエミッタ電極144を接合用凸部116aに接合する。その後、図20に示すように、半導体チップ140を絶縁樹脂層170で封止する。絶縁樹脂層170の形成後に、絶縁樹脂層170の外部でリードフレーム112を切断することで、図20において斜線でハッチングされている部分(タイバー、吊りリード等)を除去する。これによって、各端子を互いから分離させる。以上の工程によって、従来の方法による半導体装置の製造が完了する。
従来の方法では、第1治具191とリードフレーム112の位置ずれ、第1治具191と第2治具192の位置ずれ、第2治具192と半導体チップ140の位置ずれ、第3治具193とエミッタ端子114の位置ずれ、及び、第3治具193とリードフレーム112の位置ずれを累積した位置ずれが、エミッタ電極144と接合用凸部116aの間に生じる。位置ずれ要因が多いので、エミッタ電極144と接合用凸部116aとの位置ずれが大きくなり易い。エミッタ電極144と接合用凸部116aとの位置ずれが大きいと、半導体チップ140の一部でエミッタ端子114に熱が伝わり難くなり、半導体チップ140の一部が局所的に高温となる場合がある。さらに、エミッタ電極144と接合用凸部114aの位置ずれが極めて大きい場合には、図21に示すように、接合用凸部114aがエミッタ電極144の外側まではみ出す場合がある。この場合、はんだ層152がエミッタ電極144よりも外側まで広がり、はんだ層152がオーバーハング状となる。この構成では、はんだ層152と半導体基板142の間の隙間に絶縁樹脂層170が入り込む。この構造では、はんだ層152と半導体基板142の間の絶縁樹脂層170の熱膨張によってはんだ層152に極めて高い応力が加わるので、はんだ層152の信頼性が極端に低下する。
これに対し、実施形態の方法では、治具30とリードフレーム12の位置ずれ、及び、治具30と半導体チップ40の位置ずれが、エミッタ電極44と接合用凸部20の位置ずれに影響する。位置ずれ要因が少ないので、エミッタ電極44と接合用凸部20の位置ずれを抑制することができる。このため、半導体装置の量産時に、放熱性を安定させることができる。放熱性が悪い半導体装置が製造されることを防止することができる。特に、実施形態の方法では、図9に示すように、エミッタ電極44が接合用凸部20よりも大きいので、図21に示すような事態をより確実に防止することができる。このため、はんだ層50の信頼性を確保することができる。
また、従来の方法では、コレクタ用のダイパッド160と信号端子126が一体化されたリードフレーム112を用いる。リードフレーム112(すなわち、図20の斜線部)を切断した後に、図20に示すように、絶縁樹脂層170から露出する位置に吊りリードの残存部160aが残存する。吊りリードの残存部160aはコレクタ用のダイパッド160に接続されているので、信号端子126(エミッタと略同電位)と残存部160a(コレクタと同電位)の間には、極めて大きい電位差が生じる。このため、信号端子126と残存部160aの間で沿面放電が生じ易い。このため、従来の方法では、沿面放電を防止するために、残存部160aと信号端子126の間の絶縁樹脂層170の側面に、切り欠き部180(残存部160aと信号端子126の間の沿面距離を長くするための凹部)を設ける必要があった。しかしながら、切り欠き部180を設けると、絶縁樹脂層170の内部応力が大きくなり、絶縁樹脂層170のクラック等に対する耐性が低下するという問題があった。
これに対し、実施形態の方法では、エミッタ用のダイパッド14と信号端子26が一体化されたリードフレーム12を用いる。リードフレーム12(すなわち、図16の斜線部)を切断した後に、図17に示すように、絶縁樹脂層70から露出する位置に、吊りリード23の残存部23aが残存する。残存部23aはエミッタ用のダイパッド14に接続されているので、信号端子26(エミッタと略同電位)と残存部23a(エミッタと同電位)の間の電位差は極めて小さい。したがって、残存部23aと信号端子26の間で沿面放電が生じにくい。このため、これらの間の絶縁樹脂層70の側面に切り欠き部が不要である。したがって、絶縁樹脂層70のクラックに対する耐性が向上する。また、切り欠き部が不要となることにより、信号端子26と信号電極46のy方向のオフセットが不要となる。これにより、信号端子26の両側に吊りリード23を設けることが可能となり、信号端子26と半導体チップ40の位置精度が向上する。
また、実施形態の製造方法では、図10に示すように、接合用凸部20が放熱板16の上面から上側に突出しており、かつ、接合用凸部20と治具30の間に間隔が設けられるので、信号電極46と放熱板16の間にスペースを確保することができる。したがって、このスペースに、信号電極46に対する配線(すなわち、信号端子26)を配置することができる。このため、好適に信号電極46に対する配線を設けることができる。
なお、上述した実施形態では、治具30をリードフレーム12に取り付けた後に、治具30の内部に半導体チップ40を配置した。しかしながら、治具30の内部に半導体チップ40を配置した後に、治具30をリードフレーム12に取り付けてもよい。但し、実施形態の順序の方が、各工程を安定して実施し易い場合が多い。
また、上述した実施形態では、接合用凸部20と位置決め用凸部18が繋がっていた。しかしながら、図22、23に示すように、位置決め用凸部18が接合用凸部20から離れた位置に配置されていてもよい。
また、上述した実施形態では、接合用凸部20が位置決め用凸部18よりも高かったが、図24、図25に示すように、接合用凸部20と位置決め用凸部18が同じ高さであってもよい。
また、上述した実施形態では、位置決め用凸部18が接合用凸部20の周囲に沿って配置されていた。しかしながら、図26〜29に示すように、位置決め用凸部18が接合用凸部20の周囲に離散的に設けられていてもよい。治具30を位置決めできれば、位置決め用凸部18はどのように配置されていてもよい。
また、上述した実施形態では、治具30が筒形状を有していた。しかしながら、図30〜33に示すように、治具30が筒形状以外の形状を有していてもよい。なお、図33は、2つの半導体チップ20を治具30で位置決めする構成を示している。これらの構成でも、治具30がリードフレーム12の位置決め部と半導体チップ40の両方に係合することで、リードフレーム12と半導体チップ40とを位置決めすることができる。また、図34に示すように、治具30が、板状の部材に四角形の孔が設けられたものであってもよい。
また、上述した実施形態では、位置決め用凸部18の上面全体がはんだ層50に接合された。しかしながら、位置決め用凸部18の上面の外周部に、はんだ濡れ性を有さない表面処理(例えば、粗面化処理等)が施されていてもよい。この構成では、位置決め用凸部18の上面の一部(中央部)がはんだ層50に接合される。この場合、位置決め用凸部18の上面のはんだ濡れ性を有する部分(すなわち、はんだに接続される領域)が、エミッタ電極44よりも小さいことが好ましい。
また、上述した実施形態では、位置決め用凸部18によって治具30を位置決めした。しかしながら、図35に示すように、位置決め用凸部18に代えて位置決め用凹部19を設けてもよい。治具30の外周面30cを位置決め用凹部19の側面に接触させることで、治具30を位置決めすることができる。
本明細書が開示する技術要素について、以下に列記する。なお、以下の各技術要素は、それぞれ独立して有用なものである。
本明細書が開示する一例の製造方法では、位置決め部が凸形状であってもよい。また、治具を位置決め部に係合させる工程では、治具の内周面を凸形状の側面に接触させてもよい。
本明細書が開示する別の一例の製造方法では、位置決め部が凹形状であってもよい。また、治具を位置決め部に係合させる工程では、治具の外周面を凹形状の側面に接触させてもよい。
本明細書が開示する一例の製造方法では、治具が位置決め部と半導体チップに係合された状態において、半導体チップとリードフレームの積層方向に沿って見たときに、接合用凸部のはんだに接続される領域全体が、主電極の輪郭の内側に配置されてもよい。
この構成によれば、主電極と接合用凸部を接続するはんだがオーバーハング状となることを防止することができる。
本明細書が開示する一例の製造方法では、治具を位置決め部に係合させる工程の後に、治具を半導体チップに係合させる工程を実施してもよい。
本明細書が開示する一例の製造方法では、主電極がエミッタ電極であってもよい。また、半導体チップが、エミッタ電極と同一の面に設けられた信号電極と、前記エミッタ電極の反対側に位置する裏面に設けられたコレクタ電極を有していてもよい。また、リードフレームが、接合用凸部と位置決め部を有する本体部と、本体部から伸びる信号端子を有していてもよい。この製造方法は、コレクタ電極にコレクタ端子を接続する工程と、信号端子を信号電極に接続する工程と、半導体チップを覆う絶縁樹脂を形成する工程と、絶縁樹脂の形成後に信号端子を本体部から切り離す工程をさらに有してもよい。
この製造方法では、信号端子と本体部とを切り離した後に、絶縁樹脂の外部に信号端子と本体部が露出する。しかしながら、信号端子(すなわち、信号電極)と本体部(すなわち、エミッタ電極)の間の電位差が小さいので、これらの間で沿面放電が生じ難い。
以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの1つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
12 :リードフレーム
14 :ダイパッド
16 :放熱板
18 :位置決め用凸部
20 :接合用凸部
22 :タイバー
23 :吊りリード
26 :信号端子
28a〜28c:主端子
30 :治具
40 :半導体チップ
42 :半導体基板
44 :エミッタ電極
46 :信号電極
48 :コレクタ電極
50 :はんだ層
60 :コレクタ端子
70 :絶縁樹脂層

Claims (6)

  1. 治具を用いて半導体チップをリードフレームに接続することによって半導体装置を製造する方法であって、
    前記半導体チップが、一つの面に主電極を有し、
    前記リードフレームが、接合用凸部と、前記接合用凸部の周囲に配置された凸形状または凹形状によって構成された位置決め部を有し、
    前記方法が、
    前記接合用凸部と前記治具の間に間隔を開けた状態で前記治具を前記位置決め部に係合させる工程と、
    前記治具を前記半導体チップに係合させる工程と、
    前記治具が前記位置決め部と前記半導体チップに係合された状態で、前記接合用凸部を前記半導体チップの前記主電極にはんだを介して接続する工程、
    を有する方法
  2. 前記位置決め部が前記凸形状であり、
    前記治具を前記位置決め部に係合させる前記工程では、前記治具の側面を前記凸形状の側面に接触させる、請求項1の方法
  3. 前記位置決め部が前記凹形状であり、
    前記治具を前記位置決め部に係合させる前記工程では、前記治具の側面を前記凹形状の側面に接触させる、請求項1の方法
  4. 前記治具が前記位置決め部と前記半導体チップに係合された状態において、前記半導体チップと前記リードフレームの積層方向に沿って見たときに、前記接合用凸部の前記はんだに接続される領域全体が、前記主電極の輪郭の内側に配置される、請求項1〜3のいずれか一項の方法
  5. 前記治具を前記位置決め部に係合させる前記工程の後に、前記治具を前記半導体チップに係合させる前記工程を実施する請求項1〜4のいずれか一項の方法
  6. 前記主電極が、エミッタ電極であり、
    前記半導体チップが、前記エミッタ電極と同一の面に設けられた信号電極と、前記エミッタ電極の反対側に位置する裏面に設けられたコレクタ電極を有し、
    前記リードフレームが、前記接合用凸部と前記位置決め部を有する本体部と、前記本体部から伸びる信号端子を有しており、
    前記方法が、
    前記信号端子を前記信号電極に接続する工程と、
    前記コレクタ電極にコレクタ端子を接続する工程と、
    前記接合用凸部、前記信号端子及び前記コレクタ端子を前記半導体チップに接続した後に、前記半導体チップを覆う絶縁樹脂層を形成する工程と、
    前記絶縁樹脂層を形成した後に、前記信号端子を前記本体部から切り離す工程、
    をさらに有する請求項1〜5のいずれか一項の方法
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