JP6861697B2 - セラミックス樹脂複合体 - Google Patents
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Description
本発明では、非酸化物セラミックス一次粒子同士が焼結により結合した状態で2個以上集合した状態を、3次元的に連続する一体構造の「非酸化物セラミックス焼結体」と定義する。さらに、本発明では、非酸化物セラミックス焼結体と熱硬化性樹脂組成物からなる複合体を「セラミックス樹脂複合体」と定義する。また、セラミックス樹脂複合体をシート状に加工したものを「熱伝導性絶縁接着シート」と定義する。熱伝導性絶縁接着シートを金属回路や金属板等の電子部材と加熱プレス等により接着し、熱硬化性樹脂組成物の硬化がほぼ終了してCステージ状態となった熱伝導性絶縁接着シートを「絶縁層」と定義する。
本発明では、熱伝導性絶縁接着シートと接着する材料、具体的には金属回路や金属板やアルミニウム製の冷却器等の金属又は金属基複合材料からなる部材を「電子部材」と定義する。
非酸化物セラミックス焼結体中の非酸化物セラミックス一次粒子の平均長径は3〜60μmである必要があり、さらに平均長径は5〜50μmの範囲のものが好ましく、10〜40μmの範囲のものがより好ましく、15〜35μmの範囲のものが更により好ましい。3μmより小さいと非酸化物セラミックス焼結体の弾性率が高くなるため、金属板や金属回路等の電子部材を熱伝導性絶縁接着シートに加熱加圧により接着する際に、金属板や金属回路等の電子部材表面の凹凸に熱伝導性絶縁接着シートに含有される非酸化物セラミックス焼結体が追従し難くなり、熱伝導率や引っ張りせん断接着強さが低下する可能性がある。60μmを超えると、非酸化物セラミックス焼結体の強度が低下し、結果として絶縁層が破壊され易くなる。そのため、金属板や金属回路等の電子部材と絶縁層との引っ張りせん断接着強さが低下する可能性がある。
平均長径の観察の前処理として、非酸化物セラミックス焼結体を樹脂で包埋後、CP(クロスセクションポリッシャー)法により加工し、試料台に固定した後にオスミウムコーティングを行う。その後、走査型電子顕微鏡、例えば「JSM−6010LA」(日本電子社製)にてSEM像を撮影し、得られた断面の粒子像を画像解析ソフトウェア、例えば「A像くん」(旭化成エンジニアリング社製)に取り込み、測定することができる。実施例では、この際の画像の倍率は100倍、画像解析の画素数は1510万画素であった。マニュアル測定で、得られた任意の粒子100個の長径を求めその平均値を平均長径とした。本明細書において、非酸化物セラミックス一次粒子の「長径」とは、観察対象の粒子を取り囲むことのできる最小円の直径を指す。
本発明の非酸化物セラミックス一次粒子は、アスペクト比が5〜30である必要があり、さらにアスペクト比は7.5〜20の範囲のものが好ましく、10〜15の範囲のものがより好ましい。アスペクト比が5より小さくなると非酸化物セラミックス焼結体の弾性率が高くなるため、金属板や金属回路等の電子部材を熱伝導性絶縁接着シートに加熱加圧により接着する際に、金属板や金属回路等の電子部材表面の凹凸に熱伝導性絶縁接着シートに含有される非酸化物セラミックス焼結体が追従し難くなり、熱伝導率や引っ張りせん断接着強さが低下する可能性がある。反対にアスペクト比が30より大きくなると非酸化物セラミックス焼結体の強度が低下し、結果として絶縁層が破壊され易くなる。そのため、金属板や金属回路等の電子部材と絶縁層との引っ張りせん断接着強さが低下する可能性がある。
アスペクト比の観察の前処理として、非酸化物セラミックス焼結体を樹脂で包埋後、CP(クロスセクションポリッシャー)法により加工し、試料台に固定した後にオスミウムコーティングを行う。その後、走査型電子顕微鏡、例えば「JSM−6010LA」(日本電子社製)にてSEM像を撮影し、得られた断面の粒子像を画像解析ソフトウェア、例えば「A像くん」(旭化成エンジニアリング社製)に取り込み、測定することができる。実施例では、この際の画像の倍率は100倍、画像解析の画素数は1510万画素であった。マニュアル測定で、得られた任意の粒子100個を観察し、各粒子の長径と短径の長さを測り、アスペクト比=長径/短径の計算式より各粒子の値を算出し、それらの平均値をアスペクト比とする。本明細書において、非酸化物セラミックス一次粒子の「短径」とは、観察対象の粒子に取り囲まれることのできる最大円の直径を指す。
セラミックス樹脂複合体中の非酸化物セラミックス焼結体は35〜70体積%(熱硬化性樹脂組成物は65〜30体積%)の範囲内であることが好ましく、40〜65体積%であることがより好ましい。35体積%より小さいと熱伝導率の低い熱硬化性樹脂組成物の割合が増えるため、熱伝導率が低下する。70体積%より大きいと、金属板や金属回路等の電子部材を熱伝導性絶縁接着シートに加熱加圧により接着する際に、電子部材表面の凹凸に熱硬化性樹脂組成物が浸入し難くなり、引っ張りせん断接着強さと熱伝導率が低下する可能性がある。セラミックス樹脂複合体中の非酸化物セラミックス焼結体の割合(体積%)は、以下に示す非酸化物セラミックス焼結体のかさ密度と真密度の測定より求めることができる。
非酸化物セラミックス焼結体かさ密度(D)=質量/体積 ・・・・・(1)
非酸化物セラミックス焼結体気孔率(%)=(1−(D/非酸化物セラミックス焼結体真密度))×100=熱硬化性樹脂組成物の割合(%) ・・・・・(2)
非酸化物セラミックス焼結体の割合(%)=100−熱硬化性樹脂組成物の割合
・・・・・(3)
本発明の非酸化物セラミックス焼結体の主成分は、高信頼性が求められるパワーモジュール等に使用されることを考えれば、少なくとも40W/(m・K)以上の熱伝導率を有する窒化ホウ素、窒化アルミニウム及び窒化ケイ素よりなる群から選択される1種又は2種類以上の組み合わせが好適に使用される
非酸化物セラミックス焼結体は、例えば窒化ホウ素粉末に、炭酸カルシウム、炭酸ナトリウム、ホウ酸等の焼結助剤を0.01〜20質量%程度、典型的には0.1〜10質量%程度、より典型的には1〜5質量%程度の内割で配合し、金型や冷間等方圧加圧法(CIP)等の公知の方法にて成形した後、窒素、アルゴン等の非酸化性雰囲気中、温度1500〜2200℃で1〜30時間程度焼結することによって製造することができる。また、窒化アルミニウム、窒化ケイ素粉末を用いる場合も、イットリア、アルミナ、マグネシア、希土類元素酸化物等の焼結助剤を用いて、同様の方法にて製造することができる。焼結炉としては、マッフル炉、管状炉、雰囲気炉などのバッチ式炉や、ロータリーキルン、スクリューコンベヤ炉、トンネル炉、ベルト炉、プッシャー炉、竪形連続炉などの連続式炉があげられる。これらは目的に応じて使い分けられ、たとえば多くの品種の非酸化物セラミックス焼結体を少量ずつ製造するときはバッチ式炉を、一定の品種を多量製造するときは連続式炉が採用される。
本発明の非酸化物セラミックス焼結体と熱硬化性樹脂組成物は、例えば非酸化物セラミックス焼結体に熱硬化性樹脂組成物を含浸させることで、複合化することができる。熱硬化性樹脂組成物の含浸は、真空含浸、1〜300MPa(G)での加圧含浸、又はそれらの組み合わせの含浸で行うことができる。真空含浸時の圧力は、1000Pa(abs)以下が好ましく、100Pa(abs)以下が更に好ましい。加圧含浸では、圧力1MPa(G)未満では非酸化物セラミックス焼結体の内部まで熱硬化性樹脂組成物が十分含浸できない可能性があり、300MPa(G)超では設備が大規模になるためコスト的に不利である。非酸化物セラミックス焼結体の内部に熱硬化性樹脂組成物を容易に含浸させるために、真空含浸及び加圧含浸時に100〜180℃に加熱し、熱硬化性樹脂組成物の粘度を低下させると更に好ましい。
熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ基を有する物質及びシアネート基を有する物質の何れか一方又は両方と、水酸基を有する物質及びマレイミド基を有する物質の何れか一方又は両方との組み合わせであることが好ましい。エポキシ基を有する物質としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂(クレゾールのボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等)、フェノ−ルノボラック型エポキシ樹脂、環式脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が挙げられ、シアネート基を有する物質としては、2,2'−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、ビス(4−シアナト−3,5−ジメチルフェニル)メタン、2,2'−ビス(4−シアナトフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,1'−ビス(4−シアナトフェニル)エタン、1,3−ビス[2−(4−シアナトフェニル)イソプロピル)]ベンゼン等のシアネート樹脂が挙げられ、水酸基を有する物質としては、フェノールノボラック樹脂、4,4’−(ジメチルメチレン)ビス[2−(2−プロペニル)フェノール]等のフェノール類が挙げられ、マレイミド基を有する物質としては、4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、m−フェニレンビスマレイミド、ビスフェノールAジフェニルエーテルビスマレイミド、3,3’−ジメチル−5,5’−ジエチル−4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、4−メチル−1,3−フェニレンビスマレイミド、1,6’−ビスマレイミド−(2,2,4−トリメチル)ヘキサン、4,4’−ジフェニルエーテルビスマレイミド、4,4’−ジフェニルスルフォンビスマレイミド、1,3−ビス(3−マレイミドフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−マレイミドフェノキシ)ベンゼン、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン、2,2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン等のマレイミド樹脂が挙げられる。
非酸化物セラミックス焼結体の気孔表面には、非酸化物セラミックス焼結体と熱硬化性樹脂組成物間の密着性を向上させるための表面処理を行うことができる。表面処理方法としては、熱硬化性樹脂組成物との複合化前に、シランカップリング剤溶液を非酸化物セラミックス焼結体の気孔内に含浸させた後、溶剤を乾燥等で除去することで行うことができる。シランカップリング剤溶液の含浸は、真空含浸、1〜300MPa(G)での加圧含浸、又はそれらの組み合わせの含浸で行うことができる。また、溶剤は水、アルコール、トルエン等の公知のものを、単体又は組み合わせて用いることができる。シランカップリング剤の有する官能基については、熱硬化性樹脂組成物の有する官能基と反応性を持つものを適宜選択することができ、例えばエポキシ基、シアネート基、アミノ基等が挙げられる。
非酸化物セラミックス焼結体と複合化した熱硬化性樹脂組成物を半硬化(Bステージ化)することでセラミックス樹脂複合体を得ることができる。加熱方式としては、赤外線加熱、熱風循環、オイル加熱方式、ホットプレート加熱方式又はそれらの組み合わせで行うことができる。半硬化は、含浸終了後に含浸装置の加熱機能を利用してそのまま行っても良いし、含浸装置から取り出した後に、熱風循環式コンベア炉等の公知の装置を用いて別途行っても良い。
セラミックス樹脂複合体に含有される熱硬化性樹脂組成物の示差走査型熱量計で測定した発熱開始温度は180℃以上であることが好ましく、190℃以上であることがより好ましく、200℃以上であることが更により好ましい。180℃より小さいと、真空含浸及び加圧含浸時に熱硬化性樹脂組成物を加熱した際に、熱硬化性樹脂組成物の硬化反応が進み、熱硬化性樹脂組成物の粘度が上昇して、熱硬化性樹脂組成物が非酸化物セラミックス焼結体の気孔内に含浸することができなくなる。このため、回路基板の絶縁層中に欠陥(気孔)が存在することになり、絶縁破壊電圧が低下する。上限については特に制限は無いが、金属板や金属回路等の電子部材を熱伝導性絶縁接着シートに加熱加圧により接着する際の生産性や装置部品の耐熱性を考慮すると、300℃以下が実際的である。発熱開始温度は、硬化促進剤等により制御することができる。
発熱開始温度とは、熱硬化性樹脂組成物を示差走査型熱量計にて加熱硬化した場合に得られる、横軸に温度(℃)、縦軸に熱流(mW)をとった発熱曲線において、最大発熱ピークから発熱曲線の立ち上がりへ引いた接線とベースラインとの交点における温度である。
セラミックス樹脂複合体に含有される熱硬化性樹脂組成物の硬化状態を示す用語である「半硬化(Bステージ)状態」とは、示差走査熱量測定を用いて下記計算式から求められる硬化率が5〜60%の状態をいう。5%より小さいと、セラミックス樹脂複合体を板状の熱伝導性絶縁接着シートに切断する際の熱で、未硬化の状態の熱硬化性樹脂組成物が溶融し厚みのバラツキが発生する。また、セラミックス樹脂複合体が切断の際の衝撃に耐えることができず割れが発生し、回路基板の絶縁破壊電圧が低下する。さらには、熱伝導性絶縁接着シートに金属板や金属回路等の電子部材を加熱加圧により接着する際に、金属板や金属回路等の電子部材表面の凹凸に熱伝導率の低い接着(熱硬化性樹脂組成物)層が形成され、熱伝導率が低下する。60%より大きいと、熱伝導性絶縁接着シートに金属板や金属回路等の電子部材を加熱加圧により接着する際に熱硬化性樹脂組成物が溶融しないため、熱伝導性絶縁接着シートに金属板や金属回路等の電子部材を接着することができず回路基板等を作製することができない。そのため、回路基板等を作製する場合は、金属板や金属回路等の電子部材と熱伝導性絶縁接着シートを加熱加圧により接着する際に、熱伝導率の低い接着層(熱硬化性樹脂組成物又は熱硬化性樹脂組成物中にセラミックス粉末を分散させたもの)が必要となるため、回路基板等の放熱性が低下する。セラミックス樹脂複合体中の熱硬化性樹脂組成物の硬化率は好ましくは10〜50%であり、より好ましくは12〜40%であり、更により好ましくは15〜30%である。
硬化率(%)=(X−Y)/X×100
X:加熱により硬化を進める前の状態の熱硬化性樹脂組成物を、示差走査型熱量計を用いて硬化させた際に生じた熱量。
Y:加熱により、半硬化状態(Bステージ)とした熱硬化性樹脂組成物(硬化率を評価する対象となる熱硬化性樹脂組成物)について、示差走査型熱量計を用いて硬化させた際に生じた熱量。
尚、上述のX及びYにおいて「硬化させた」状態は、得られた発熱曲線のピークから特定できる。また、「Cステージ状態」とは、熱硬化性樹脂組成物の硬化がほぼ終了しており、高温に加熱しても再度溶融することはない状態をいう。具体的には、「Bステージ状態」の欄で述べた硬化率が60%を超えている状態をいう。さらに、「Aステージ状態」とは、加熱による硬化が全く進んでいないか又は僅かしか進んでおらず、常温の20℃で液体の状態をいう。具体的には、「Bステージ状態」の欄で述べた硬化率が5.0%より小さい状態をいう。
本発明におけるセラミックス樹脂複合体に含有される熱硬化性樹脂組成物の数平均分子量とは、サイズ排除クロマトグラフィー(以下、SECと略記する)によって測定されるポリスチレン換算で示される平均分子量である(JIS K 7252−1:2016 3.4.1項 式(1)に準拠)。数平均分子量は、450〜4800の範囲のものが好ましく、500〜4000の範囲のものがより好ましく、550〜3500の範囲のものが更により好ましい。450より小さいと、セラミックス樹脂複合体を板状の熱伝導性絶縁接着シートに切断する際の熱で、熱硬化性樹脂組成物が溶融し厚みのバラツキが発生する。また、セラミックス樹脂複合体が切断の際の衝撃に耐えることができず割れが発生する。さらには、熱伝導性絶縁接着シートに金属板や金属回路等の電子部材を加熱加圧により接着する際に、金属板や金属回路等の電子部材表面の凹凸に熱伝導率の低い接着(熱硬化性樹脂組成物)層が形成され、熱伝導率が低下する。4800より大きいと、熱伝導性絶縁接着シートに金属板や金属回路等の電子部材を加熱加圧により接着する際の熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度が高いため、電子部材との接着強さが低下する。また、熱伝導性絶縁接着シートに金属板や金属回路等の電子部材を加熱加圧により接着する際に、金属板や金属回路等の電子部材表面の凹凸に非酸化物セラミックス焼結体と熱硬化性樹脂組成物が浸入しづらくなるため熱伝導率が低下する。
本発明におけるセラミックス樹脂複合体に含有される熱硬化性樹脂組成物の溶融温度は、70℃以上であることが好ましく、80℃以上であることがより好ましく、95℃以上であることが更により好ましい。70℃より小さいと、セラミックス樹脂複合体を板状の熱伝導性絶縁接着シートに切断する際の熱で、熱硬化性樹脂組成物が溶融し厚みのバラツキが発生する。上限については、特に制限は無いが、金属板や金属回路等の電子部材を熱伝導性絶縁接着シートに加熱加圧により接着する際に、熱硬化性樹脂組成物の硬化反応の進行による粘度上昇を抑制する必要があることを考えると、溶融温度は180℃以下が実際的であり、典型的には150℃以下であり、より典型的には120℃以下である。本発明の溶融温度は、示差走査熱量測定により熱硬化性樹脂組成物を加熱した際の最大吸熱ピークの温度である。
熱伝導性絶縁接着シートの厚みは、要求特性によって変えることができる。例えば、耐電圧があまり重要でなく熱抵抗が重要である場合は、0.1〜0.35mmの薄いものを用いることができ、逆に耐電圧や部分放電特性が重要である場合には、0.35〜1.0mmの厚いものが用いられる。
熱伝導性絶縁接着シート表面には、絶縁層(熱伝導性絶縁接着シート)と金属板や金属回路等の電子部材の密着性を向上させるための表面処理を行うことができる。表面処理方法としては、金属板や金属回路等の電子部材と熱伝導性絶縁接着シートの接着前に、シランカップリング剤溶液を熱伝導性絶縁接着シート表面に塗布した後、溶剤を乾燥等で除去することで行うことができる。また、溶剤は水、アルコール、トルエン等の公知のものを、単体又は組み合わせて用いることができる。シランカップリング剤の有する官能基については、熱硬化性樹脂組成物の有する官能基と反応性を持つものを適宜選択することができ、例えばエポキシ基、シアネート基、アミノ基等が挙げられる。
本発明の回路基板は、金属板上に絶縁層を介して電子部品を搭載するための所定の回路パターンの金属回路を積層することで製造することができる。
本発明の多層回路基板は、金属板上に絶縁層と金属回路を交互に2層以上積層することで製造することができる。金属回路間の電気的接続は、レーザーやドリルによる穴開け加工と銅めっきの組み合わせ等の公知の方法で行うことができる。
本発明の車載用パワーモジュール構造体は、二つ以上の電子部材の接着に、熱伝導性絶縁接着シートを用いることで製造することができる。二つ以上の電子部材とは、例えば一方の電子部材がアルミニウム製の冷却器、他方の電子部材がパワーモジュール底面の銅板(放熱板)である。通常は、放熱シート等のTIMをネジ止めで固定することでパワーモジュールの発熱性電子部品の熱を銅製の放熱板から放熱シートを介してアルミニウム製の冷却器に逃がしているが、熱伝導性絶縁接着シートは高熱伝導率及び高絶縁性と共に、接着機能を併せ持つことからネジ止めが不要であり、車載用パワーモジュール構造体の構成部材として好適である。
本発明のLEDを有する発光装置は、前記の絶縁層として熱伝導性絶縁接着シートを用いた回路基板又は多層回路基板の金属回路上に半田等によりLED素子を接合・搭載することで製造することができる。これにより、LED素子で発生した熱を放熱することができることからLED素子の温度上昇を抑制し、特性の低下を防ぐことができる。
本発明の回路基板乃至は多層回路基板は、金属回路上に半田等によりパワー半導体素子を接合・搭載することでパワーモジュールに組み込むことができる。本発明の非酸化物セラミックス焼結体の弾性率はアルミナ基板等の他のセラミックス焼結体と比較し、一桁以上低い。絶縁層の弾性率は非酸化物セラミックス焼結体の弾性率で決まるため、絶縁層の弾性率もアルミナ基板と比較し低くなる。このため、半田リフローやヒートサイクル試験で発生する熱応力がアルミナ基板と比較して小さくなり、半田等に発生するクラックを抑制することができる。
また、前記の弾性率の低さから、金属回路と金属板の厚みが異なる場合や、材質が異なる場合(例えば金属板がアルミニウムで金属回路が銅の場合)でも反りが極めて小さい。そのため、本発明の回路基板又は多層回路基板は、アルミナ回路基板等の他のセラミックス回路基板と異なり、金属板を半田や放熱グリース等のTIM(Thermal Interface Material)を介さずに直接パワーモジュール底面の銅板(放熱板)やアルミニウム製の冷却器と接合したり、金属板の替わりとしてパワーモジュール底面の銅板(放熱板)やアルミニウム製の冷却器を用いたりすることができるため、パワーモジュールの構成部材として好適である。
金属回路の材料としては、電気伝導性及び熱伝導率の点から、銅又はアルミニウムが好ましい。特性面だけを考えると銀、金等も使用可能であるが、価格面及びその後の回路形成等に問題がある。金属回路の板厚は0.010〜5.0mmが好ましく、0.035〜4.0mmがより好ましく、0.105〜2.0mmが更により好ましい。板厚0.010mm未満では、回路基板乃至は多層回路基板として用いる場合に、十分な電気伝導性を確保することができず、金属回路部分が発熱する等の問題があり好ましくない。5.0mmを超えると金属回路自体の熱抵抗が大きくなり、回路基板乃至は多層回路基板の放熱特性が低下するため好ましくない。
金属板の材料としては、熱伝導率及び価格の点から、銅又はアルミニウムが好ましい。特性面だけを考えると銀、金等も使用可能であるが、価格面に問題がある。金属板の板厚は0.070〜5.0mmが好ましく、0.3〜4.0mmがより好ましく、0.5〜3.0mmが更により好ましい。板厚0.070mm未満では、回路基板としての強度が低下し、電子部品の実装工程にて割れ、欠け、反り等が発生し易くなるため好ましくない。5.0mmを超えると金属板自体の熱抵抗が大きくなり、回路基板の放熱特性が低下するため好ましくない。
絶縁層(熱伝導性絶縁接着シート)と金属板及び金属回路の密着性を向上させるために、金属板及び金属回路の絶縁層(熱伝導性絶縁接着シート)との接着面に、脱脂処理、サンドブラスト、エッチング、各種めっき処理、シランカップリング剤等のプライマー処理、等の表面処理を行うことが望ましい。また、金属板及び金属回路の熱伝導性絶縁接着シートとの接着面の表面粗さは、十点平均粗さ(Rz、JIS B0601:1994)で0.1〜15μmが好ましく、0.5〜12μmがより好ましく、1.0〜10μmが更により好ましい。0.1μm未満であると熱伝導性絶縁接着シートと十分な密着性を確保することが困難であり、15μm超であると接着界面で欠陥が発生し易くなり、耐電圧が低下したり、密着性が低下する可能性がある。十点平均粗さRzは、接触式の表面粗さ測定器、例えば「SEF 580−G18」(小坂研究所社製)を用いて測定することができる。
金属板及び金属回路と絶縁層(熱伝導性絶縁接着シート)の接着には、各材料を積層後に加熱プレスや真空積層プレスする等の公知の方法が用いられる。
金属回路の所定の回路パターンを形成する方法としては、(1)金属板を熱伝導性絶縁接着シートに接着した後に、その金属板の表面に回路パターン形状のエッチングレジストを形成し、塩化第二銅水溶液等を用いたエッチングにより不要な金属部分を除去した後にエッチングレジストをアルカリ水溶液等で剥離し、金属回路を形成する方法、(2)予め金属板を、プレスやエッチングにより、所定の回路パターンの金属回路に形成した後に熱伝導性絶縁接着シートに接着する方法、などがある。回路パターンを形成した後に必要に応じて金属回路上にNiめっきやNi合金めっきを施してもよい。また、必要に応じて、金属回路及び絶縁層上にソルダーレジストを形成する場合もある。
<非酸化物セラミックス焼結体の作製>
表1に記載の非酸化物セラミックス粉末と焼結助剤を、表1に示す所定の割合にて混合した。表1中、非酸化物セラミックス粉末の粒子径は平均粒子径のことを指す。混合は、エタノール、窒化ケイ素ボ−ルを用い、ボ−ルミルにて湿式で2時間混合した後、乾燥、解砕し、混合粉末を得た。そして、この成形用の混合粉末を、金型を用いて5MPaの圧力でブロック状にプレス成形した。得られたブロック成形体をCIP(冷間等方圧加圧法)装置(「ADW800」 神戸製鋼所社製)により10〜120MPa(G)の間で処理を行った後、バッチ式高周波炉(「FTH−300−1H」 富士電波工業社製)にて表1に示す条件で焼結させることでA〜Oの15種類の非酸化物セラミックス焼結体を得た。
得られた非酸化物セラミックス焼結体の平均気孔直径を先述した方法に従って、水銀ポロシメーター(「PASCAL 140−440」 FISONS INSTRUMENTS社製)により累積気孔分布曲線を作成することにより求めた。結果を表4及び5に示す。
得られた非酸化物セラミックス焼結体中の非酸化物セラミックス一次粒子の平均長径及びアスペクト比を先述した方法に従って、走査型電子顕微鏡(「JSM−6010LA」 日本電子社製)にてSEM像を撮影し、得られた断面の粒子像を画像解析ソフトウェア(「A像くん」 旭化成エンジニアリング社製)に取り込み、測定した。結果を表4及び5に示す。
得られた非酸化物セラミックス焼結体A〜Oへ熱硬化性樹脂組成物の含浸を行った。熱硬化性樹脂組成物は表2に示したAA〜AHの8種類を用いた。各熱硬化性樹脂組成物は表2に記載の成分を90℃で撹拌混合することで調製した。非酸化物セラミックス焼結体と熱硬化性樹脂組成物の組み合わせは、表3に示す26種類とした。非酸化物セラミックス焼結体及び熱硬化性樹脂組成物を、真空加温含浸装置(「G−555AT−R」 協真エンジニアリング社製)を用いて、温度145℃、圧力15Pa(abs)の真空中で各々10分間脱気した後、引き続き同装置内で前記の加温真空下で非酸化物セラミックス焼結体を熱硬化性樹脂組成物中に10分間浸漬した。さらに、加圧加温含浸装置(「HP−4030AA−H45」 協真エンジニアリング社製)を用いて、温度145℃、圧力3.5MPaの加圧下にて120分間含浸し、非酸化物セラミックス焼結体と熱硬化性樹脂組成物を複合化した。その後、大気圧下、160℃で、表3に示す時間条件で加熱し、熱硬化性樹脂組成物を半硬化(Bステージ化)させ、セラミックス樹脂複合体とした。
セラミックス樹脂複合体中の非酸化物セラミックス焼結体の割合は、先述した方法に従い、非酸化物セラミックス焼結体のかさ密度及び真密度から求めた。かさ密度は、先述した方法に従い、ノギス(「CD67−SPS」 ミツトヨ社製)及び電子天秤(「MC−1000」 エー・アンド・デイ社製)で測定した非酸化物セラミックス焼結体の体積(各辺の長さから算出)及び質量から求めた。真密度は、先述した方法に従い、乾式自動密度計(「AccuPyc II 1340」 マイクロメリティックス社製)で求めた非酸化物セラミックス焼結体の体積と質量より求めた。結果を表4及び表5に示す。
セラミックス樹脂複合体中の熱硬化性樹脂組成物の発熱開始温度及び硬化率を先述した方法に従い、示差走査型熱量計(「型式DSC−6100」 セイコーインスツルメンツ社製)で測定した。結果を表4及び表5に示す。
セラミックス樹脂複合体中の熱硬化性樹脂組成物の数平均分子量を先述した方法に従って、SECによって以下の条件にて測定した。
溶解条件:測定試料0.03gをTHF10mlにて溶解、
濾過条件:メンブレンフィルター 孔径0.45μmで濾過、
脱気装置:イーアールシー社製ERC−3315、
ポンプ:日本分光社製PU−980、
流速1.0ml/min、
オートサンプラ:東ソー社製AS−8020、
カラムオーブン:日立製作所製L−5030、
設定温度40℃、
カラム構成:東ソー社製TSKguardcolumnMP(×L)6.0mmID×4.0cm 2本、及び東ソー社製TSK−GELMULTIPORE HXL−M 7.8mmID×30.0cm 2本、計4本、
検出器:RI 日立製作所製L−3350、
データ処理:SIC480データステーション。
結果を表4及び表5に示す。
熱伝導性絶縁接着シートの厚みをJIS K 7130:1999のA法に準拠して測定した。測定した熱伝導性絶縁接着シートの幅×長さ=150mm×150mmであり、1種類毎に、1枚当たり10箇所、合計10枚測定した。得られた熱伝導性絶縁接着シートの厚みと厚みの標準偏差の評価結果を表4及び表5に示す。
非酸化物セラミックス焼結体の弾性率をJIS R 1602:1995の静的弾性率試験方法に準拠し、オートグラフ(「AG−300kNX」 島津製作所社製)を用いて測定した荷重―ひずみ線図(JIS R 1602:1995 付図5参照)より求めた。結果を表4及び表5に示す。
非酸化物セラミックス焼結体の強度をJIS R 1601:2008の3点曲げ方式に準拠し、オートグラフ(「AG−300kNX」 島津製作所社製)を用いて測定した試験片が破壊したときの最大荷重より求めた(JIS R 1601:2008 7.1項参照)。結果を表4及び表5に示す。
熱伝導性絶縁接着シートの両面に、熱伝導性絶縁接着シートと同一の外形サイズの厚み1.0mm銅板を、圧力5MPa(G)、加熱温度240℃、加熱時間5時間の条件で、真空加熱プレス機(「MHPC−VF−350−350−1−45」 名機製作所社製)を用いてプレス接着し、熱伝導性絶縁接着シートの両面に表4及び表5に記載の表面粗さをもつ金属板(銅)を接着した積層体を得た。なお、金属板の表面粗さ(十点平均粗さRz)は、先述した方法に従い、接触式の表面粗さ測定器(「SEF 580−G18」 小坂研究所社製)を用いて測定した。
積層体の一方の面にエッチングレジストを直径20mmの円形(円内塗りつぶしのベタパターン)の回路パターン形状に、他方の面にエッチングレジストをベタパターン形状にスクリーン印刷した。エッチングレジストを紫外線硬化後に、金属板を塩化第二銅溶液でエッチングし、積層体の一方の面に直径20mmの円形の銅回路を形成した。次いで、レジストをアルカリ溶液にて剥離した後、無電解Ni−Pめっきを厚み2μm施して評価用の回路基板を製造した。回路基板を絶縁油中に浸漬し、室温で交流電圧と銅回路と銅板間に印加させ、絶縁破壊強さをJIS C 2110−1:2010に準拠して測定した。測定器には、「TOS−8700」(菊水電子工業社製)を用いた。得られた回路基板の絶縁破壊強さの評価結果を表4及び表5に示す。
本発明において評価対象となる熱伝導率は、絶縁層(熱硬化性樹脂組成物の硬化がほぼ終了してCステージ状態となった熱伝導性絶縁接着シート)の熱伝導率である。この場合の熱伝導率は、単なる絶縁層単体の熱伝導率ではなく、絶縁層と銅板(銅回路)との界面熱抵抗も含んだ熱伝導率である。測定試料は熱伝導性絶縁接着シートの両面に金属板(銅)を接着した上記の積層体を用い、JIS H 8453:2010に準拠して測定した。測定器には、「TC−1200RH」(アドバンス理工社製)を用いた。得られた熱伝導率の評価結果を表4及び表5に示す。
幅×長さ×厚み=25mm×12.5mm×320μmの熱伝導性絶縁接着シートの両面に、幅×長さ×厚み=25mm×100mm×1.0mmの銅板を積層(サンプルサイズ及び積層方法はJIS K 6850:1999 付図.1参照)し、圧力5MPa、加熱温度240℃、加熱時間5時間の条件で、真空加熱プレス機を用いてプレス接着し、せん断接着強さ測定用サンプルを得た。測定装置は、オートグラフ(「AG−100kN」島津製作所社製)を用い、測定条件は、測定温度25℃、クロスヘッドスピード5.0mm/minにて、JIS K 6850:1999に準拠して測定を実施した。得られた引っ張りせん断接着強さの評価結果を表4及び表5に示す。
比較例1では、非酸化物セラミックス一次粒子の平均長径が短すぎたことで非酸化物セラミックス焼結体の弾性率が高くなり、熱伝導率及び引っ張りせん断接着強さが実施例に比べて低下した。
比較例2では、非酸化物セラミックス一次粒子の平均長径が長すぎたことで非酸化物セラミックス焼結体の強度が低下し、引っ張りせん断接着強さが実施例に比べて低下した。
比較例3では、非酸化物セラミックス一次粒子のアスペクト比が小さすぎたことで非酸化物セラミックス焼結体の弾性率が高くなり、熱伝導率が実施例に比べて低下した。
比較例4では、非酸化物セラミックス一次粒子のアスペクト比が大きすぎたことで非酸化物セラミックス焼結体の強度が低下し、引っ張りせん断接着強さが実施例に比べて低下した。
比較例5では、非酸化物セラミックス焼結体の割合が小さすぎ、逆に熱伝導率の低い熱硬化性樹脂組成物の割合が増えたことで熱伝導率が実施例に比べて低下した。
比較例6では、非酸化物セラミックス焼結体の割合が大きすぎ、銅板を熱伝導性絶縁接着シートに加熱加圧により接着する際に、銅板表面の凹凸に熱硬化性樹脂組成物が浸入し難くなり、実施例に比べて引っ張りせん断接着強さと熱伝導率が低下した。
比較例7では、熱硬化性樹脂組成物の発熱開始温度が低すぎた。これにより真空含浸及び加圧含浸時に、熱硬化性樹脂組成物の粘度を低下させるために加熱した際に、熱硬化性樹脂組成物の硬化反応が進み、熱硬化性樹脂組成物の粘度が上昇して、熱硬化性樹脂組成物を非酸化物セラミックス焼結体の気孔内に含浸させることができなくなる。このため、回路基板の絶縁層中に欠陥(気孔)が存在することになり、絶縁破壊強さが低下した。
比較例8では、熱硬化性樹脂組成物の硬化率が低すぎた。このため、セラミックス樹脂複合体を板状の熱伝導性絶縁接着シートに切断する際の熱で、未硬化の状態の熱硬化性樹脂組成物が溶融し厚みのバラツキが発生した。また、セラミックス樹脂複合体が切断の際の衝撃に耐えることができず割れが発生し、回路基板の絶縁破壊強さが実施例に比べて低下した。さらには、銅板表面の凹凸に熱伝導率の低い接着(樹脂)層が形成され、実施例に比べて熱伝導率が低下した。
比較例9では、熱硬化性樹脂組成物の硬化率が高すぎた。銅板を熱伝導性絶縁接着シートに加熱加圧により接着する際に熱硬化性樹脂組成物が溶融しないため銅板と接着することができず回路基板を作製することができなかった。そこで、銅板と熱伝導性絶縁接着シートを接着する際に、熱伝導率の低い接着層(熱硬化性樹脂組成物又は熱硬化性樹脂組成物中にセラミックス粉末を分散させたもの)を使用して回路基板を作製したため、回路基板の放熱性が低下した。
比較例10では、熱硬化性樹脂組成物の数平均分子量が小さすぎた。このため、セラミックス樹脂複合体を板状の熱伝導性絶縁接着シートに切断する際の熱で、熱硬化性樹脂組成物が溶融し厚みのバラツキが発生した。また、セラミックス樹脂複合体が切断の際の衝撃に耐えることができず割れが発生した。更に、銅板表面の凹凸に熱伝導率の低い熱硬化性樹脂組成物層が形成され、熱伝導率が低下した。
比較例11では、熱硬化性樹脂組成物の数平均分子量が大きすぎた。このため、銅板を熱伝導性絶縁接着シートに加熱加圧により接着する際の熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度が高いため、銅板との接着強さが低下した。また、銅板を熱伝導性絶縁接着シートに加熱加圧により接着する際に、銅板表面の凹凸が浸入しづらくなるため熱伝導率が低下した。
Claims (9)
- 平均長径が3〜60μm、アスペクト比5〜30の非酸化物セラミックス一次粒子が3次元的に連続する一体構造をなしている焼結体35〜70体積%に、示差走査型熱量計で測定される発熱開始温度が180℃以上且つ硬化率が5〜60%であり、数平均分子量が450〜4800の熱硬化性樹脂組成物65〜30体積%を含浸しているセラミックス樹脂複合体。
- 前記非酸化物セラミックス焼結体が窒化ホウ素、窒化アルミニウム及び窒化ケイ素よりなる群から選択される1種又は2種類以上の組み合わせである請求項1に記載のセラミックス樹脂複合体。
- 前記熱硬化性樹脂組成物の溶融温度が70℃以上である請求項1又は2に記載のセラミックス樹脂複合体。
- 前記熱硬化性樹脂組成物がエポキシ基を有する物質及びシアネート基を有する物質の何れか一方又は両方と、水酸基を有する物質及びマレイミド基を有する物質の何れか一方又は両方との組み合わせである請求項1〜3の何れか一項に記載のセラミックス樹脂複合体。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載のセラミックス樹脂複合体を加工してなる熱伝導性絶縁接着シート。
- 金属板上に絶縁層を介して金属回路が積層される回路基板であって、前記絶縁層に、請求項5に記載の熱伝導性絶縁接着シートを用いる回路基板。
- 金属板上に絶縁層と金属回路が交互に2層以上積層される多層回路基板であり、前記絶縁層に、請求項5に記載の熱伝導性絶縁接着シートを用いる多層回路基板。
- 請求項5に記載の熱伝導性絶縁接着シートを介して接着された二つ以上の電子部材を備えた車載用パワーモジュール構造体。
- 請求項6に記載の回路基板又は請求項7に記載の多層回路基板と、金属回路上に設けられるLEDとを有する発光装置。
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WO2021200966A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | デンカ株式会社 | 窒化ホウ素焼結体及び複合体、並びに放熱部材 |
CN115315470A (zh) * | 2020-03-31 | 2022-11-08 | 电化株式会社 | 半固化物复合体及其制造方法、固化物复合体及其制造方法、以及含浸于多孔质体来进行使用的热固性组合物 |
US20230106510A1 (en) * | 2020-03-31 | 2023-04-06 | Denka Company Limited | Boron nitride sintered body, composite, methods for producing same, and heat dissipation member |
CN115335348B (zh) * | 2020-03-31 | 2023-12-19 | 电化株式会社 | 氮化硼烧结体、复合体及它们的制造方法、以及散热构件 |
JPWO2021200965A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | ||
CN115066406A (zh) * | 2020-03-31 | 2022-09-16 | 电化株式会社 | 氮化硼烧结体、复合体及它们的制造方法、以及散热构件 |
CN115103824A (zh) * | 2020-03-31 | 2022-09-23 | 电化株式会社 | 氮化硼烧结体、复合体及它们的制造方法、以及散热构件 |
WO2021200973A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | デンカ株式会社 | 複合体の製造方法 |
JP7458479B2 (ja) * | 2020-05-15 | 2024-03-29 | デンカ株式会社 | 複合体及び複合体の製造方法 |
JP7248867B2 (ja) * | 2020-05-15 | 2023-03-29 | デンカ株式会社 | 複合体シート及び積層体 |
US20230348335A1 (en) * | 2020-09-29 | 2023-11-02 | Denka Company Limited | Composite sheet and method for manufacturing same, and layered body and method for manufacturing same |
JP7196367B2 (ja) * | 2020-09-29 | 2022-12-26 | デンカ株式会社 | 複合シート及びその製造方法、積層体及びその製造方法、並びに、パワーデバイス |
JP7176159B2 (ja) * | 2020-09-29 | 2022-11-21 | デンカ株式会社 | 複合シート及びその製造方法、並びに、積層体及びその製造方法 |
WO2022191815A1 (en) * | 2021-03-08 | 2022-09-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multi-layered thermal insulating films for electronic devices |
KR20230156791A (ko) * | 2021-03-25 | 2023-11-14 | 덴카 주식회사 | 질화붕소 분말 및 수지 조성물 |
WO2022210089A1 (ja) | 2021-03-30 | 2022-10-06 | デンカ株式会社 | 回路基板及びその製造方法 |
JP7148758B1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-05 | デンカ株式会社 | 複合シート及びその製造方法、並びに、積層体及びその製造方法 |
JP7217391B1 (ja) * | 2021-03-31 | 2023-02-02 | デンカ株式会社 | 複合体及びその製造方法、並びに、積層体及びその製造方法 |
WO2023027123A1 (ja) * | 2021-08-26 | 2023-03-02 | デンカ株式会社 | 複合シート、及び複合シートの製造方法、並びに、積層基板 |
CN114950919B (zh) * | 2022-04-12 | 2023-07-04 | 中国人民解放军陆军装甲兵学院 | 一种用于树脂基复合材料的复合涂层的制备方法和装置 |
CN115124351B (zh) * | 2022-07-18 | 2023-10-20 | 合肥圣达电子科技实业有限公司 | 氮化铝多层用高温阻焊浆料及其制备方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61132575A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | イビデン株式会社 | 炭化ケイ素質複合体 |
JPH0634435B2 (ja) | 1985-11-27 | 1994-05-02 | イビデン株式会社 | 電子回路用多層基板 |
JPH07336001A (ja) * | 1994-06-09 | 1995-12-22 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | プリント配線用基板の製造法 |
JP3518109B2 (ja) | 1994-11-30 | 2004-04-12 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 金属箔張複合セラミックス板及びその製造法 |
JPH10100320A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 複合セラミックス板およびその製造法 |
JPH10308565A (ja) | 1997-05-02 | 1998-11-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板 |
JP2001196512A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP5010112B2 (ja) | 2004-07-26 | 2012-08-29 | 新神戸電機株式会社 | プリプレグの製造法、積層板およびプリント配線板の製造法 |
JP2009049062A (ja) | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース回路用基板の製造方法及び金属ベース回路用基板 |
CN102113065A (zh) * | 2008-08-07 | 2011-06-29 | 积水化学工业株式会社 | 绝缘片以及叠层结构体 |
KR101033045B1 (ko) * | 2009-12-30 | 2011-05-09 | 제일모직주식회사 | 반도체 조립용 접착필름 조성물 및 이를 이용한 접착필름 |
JP5430449B2 (ja) | 2010-03-05 | 2014-02-26 | 電気化学工業株式会社 | 高熱伝導性フィラー |
CN102260413B (zh) * | 2010-05-28 | 2015-04-22 | 上海合复新材料科技有限公司 | 一种高阻燃高导热复合材料组份及其制造方法 |
WO2012106182A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | Shocking Technologies, Inc. | Light-emitting devices comprising non-linear electrically protective material |
CN102675857A (zh) * | 2012-06-11 | 2012-09-19 | 佛山市南海区研益机电有限公司 | 导热绝缘热固性组合物及其制备方法和应用 |
WO2014083874A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用組成物、保護膜形成用シート、及び硬化保護膜付きチップ |
JP2014189701A (ja) | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | 高熱伝導性樹脂硬化物、高熱伝導性半硬化樹脂フィルム及び高熱伝導性樹脂組成物 |
JP5855042B2 (ja) | 2013-03-29 | 2016-02-09 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールの製造方法 |
WO2014196496A1 (ja) | 2013-06-03 | 2014-12-11 | 電気化学工業株式会社 | 樹脂含浸窒化ホウ素焼結体およびその用途 |
CN105308125B (zh) * | 2013-06-14 | 2017-12-19 | 三菱电机株式会社 | 热固性树脂组合物、导热性片材的制造方法及电源模块 |
EP3035778B1 (en) * | 2013-08-14 | 2018-10-03 | Denka Company Limited | Boron nitride/resin composite circuit board, and circuit board including boron nitride/resin composite integrated with heat radiation plate |
JP6262522B2 (ja) | 2013-12-26 | 2018-01-17 | デンカ株式会社 | 樹脂含浸窒化ホウ素焼結体およびその用途 |
JP6170486B2 (ja) * | 2014-12-05 | 2017-07-26 | デンカ株式会社 | セラミックス樹脂複合体回路基板及びそれを用いたパワー半導体モジュール |
KR101770546B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2017-08-22 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 프린트 배선판용 수지 조성물, 프리프레그, 수지 복합 시트 및 금속박 피복 적층판 |
US10584228B2 (en) * | 2015-05-22 | 2020-03-10 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Epoxy resin composition, thermally-conductive material precursor, B-stage sheet, prepreg, heat dissipation material, laminate, metal substrate, and printed circuit board |
KR102382407B1 (ko) * | 2016-08-02 | 2022-04-01 | 덴카 주식회사 | 전기 회로 장치의 방열 구조 |
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