JP6711904B2 - 過電圧保護デバイスおよび過電圧保護デバイスを製造するための方法 - Google Patents
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Description
−1つの基体を作製するステップであって、この基体は、2つのセラミック層の間に配設されている少なくとも1つの内部電極を備え、ここでこの少なくとも1つの内部電極が、この基体の側面(複数)に達しているステップ。
−上記の基体の少なくとも1つの側面上で上記の少なくとも1つの内部電極をエッチングするステップであって、こうして上記の基体のこの少なくとも1つの側面と上記の内部電極との間に1つの空洞が形成されるステップ。
−上記の基体の互いに反対側にある2つの側面上に、2つの外部電極を取り付けるステップ。
2 : 基体
3 : セラミック層
4 : 内部電極
5 : 第1の側面
6 : 第2の側面
7 : 第1の外部電極
8 : 上面
9 : 下面
10 : 第2の外部電極
11 : 空洞
12 : グリーンシート
13 : 導電性材料
14 : 分離線
S : 積層方向
Claims (5)
- 過電圧保護デバイス(1)を製造するための方法であって、
1つの基体(2)を作製するステップであって、当該基体が、2つのセラミック層(3)の間に配設されている少なくとも1つの内部電極(4)を備え、当該少なくとも1つの内部電極(4)が、当該基体(2)の側面(5,6)に達しているステップと、
前記基体(2)の少なくとも1つの側面(5,6)上で前記少なくとも1つの内部電極(4)をエッチングするステップであって、これにより前記基体(2)の当該少なくとも1つの側面(5,6)と前記内部電極(4)との間に1つの空洞(11)が形成されるステップと、
前記基体(2)の互いに反対側にある2つの側面(5,6)上に、2つの外部電極(7,10)を取り付けるステップと、
を備えることを特徴とする方法。 - 前記空洞(11)を1つのガスで充填するステップをさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの内部電極(4)は、前記基体(2)の2つの互いに反対側にある側面(5、6)上でエッチングされることを特徴とする、請求項1または2に記載に方法。
- 前記方法は、前記基体(2)を焼結するステップをさらに備え、当該ステップは前記内部電極(4)のエッチングの前に実施されることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの内部電極(4)をエッチングするステップ用に、過硫酸ナトリウム,硫酸,または塩化鉄(iii)をベースにしたエッチング溶液が用いられることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法。
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