JP3465598B2 - チップ型サージアブソーバ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電話機、モデムな
ど電子機器が通信線と接続する部分、或いはＣＲＴ駆動
回路など、雷サージや静電気等の異常電圧による電撃を
受けやすい部分に接続し、異常電圧によって電子機器が
破壊されるのを防ぐために使用されるチップ型サージア
ブソーバに関する。

【０００２】

【従来の技術及び先行技術】このようなチップ型サージ
アブソーバとしては、次のようなものがある。

【０００３】 図５に示す如く、放電間隙（マイクロ
ギャップ）をあけて１対の放電電極５１Ａ，５１Ｂを板
面に形成したアルミナ基板５１と、放電室形成用の開孔
５２Ａが板央部に形成されたアルミナ基板５２と開孔の
ないアルミナ基板５３とを（図５（ａ））、この順で、
ガラスペーストを用いて積層一体化すると共に放電室内
を封入ガス雰囲気としてサージアブソーバ素子５４と
し、その両端面に端子電極５５Ａ，５５Ｂを形成したチ
ップ型サージアブソーバ（図５（ｂ））。 図６に示す如く、板面に放電電極６１Ａを形成した
アルミナ基板６１と、板面に放電電極６３Ａを形成した
アルミナ基板６３とを、放電室形成用の開孔６２Ａが板
央部に形成されたアルミナ基板６２を介して（図６
（ａ））、ガラスペーストを用いて積層一体化すると共
に放電室内を封入ガス雰囲気としてサージアブソーバ素
体６４とし、その両端面に端子電極６５Ａ，６５Ｂを形
成したチップ型サージアブソーバ（図６（ｂ））。 図７に示す如く、アルミナ基板７１の一方の板面に
放電電極７１Ａ，７１Ｂと端子電極７２Ａ，７２Ｂを形
成し、大気中で放電させるチップ型サージアブソーバ。

【０００４】 図８に示す如く、放電間隙（マイクロ
ギャップ）を設けて１対の放電電極８１Ａ，８１Ｂを板
面に形成したアルミナ基板８１と、放電室形成用の溝８
２Ａが形成されたアルミナ基板８２とを、放電電極８１
Ａ，８１Ｂと溝８２Ａとが対面するように重ね合わせて
（図８（ａ））、ガラス層８３で接着し（図８
（ｂ））、両端面にキャップ電極８４Ａ，８４Ｂを接着
すると共に、溝８２Ａで形成される放電室内を封入ガス
雰囲気としたチップ型サージアブソーバ（図８
（ｃ））。なお、図８において、８５は導通用電極、８
６は接着用のガラス層、８７は接着層である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記〜のサージア
ブソーバでは、それぞれ次のような問題がある。

【０００６】のチップ型サージアブソーバでは、大気
中で放電するため、大気の湿度、圧力、塵埃の影響を受
けて放電開始電圧が安定しない。

【０００７】また、こののチップ型サージアブソーバ
も含め、，のチップ型サージアブソーバのようにマ
イクロギャップを形成するチップ型サージアブソーバで
は、アルミナ基板に導電性皮膜を着膜した後、レーザー
でその皮膜にマイクロギャップを形成する必要がある
が、このマイクロギャップ形成のために、多大なレーザ
ー加工費と加工時間を必要とし、高コスト化の要因とな
る。

【０００８】のチップ型サージアブソーバであれば、
マイクロギャップの形成は不要であるが、３枚の基板を
重ねるため、基板の重なり具合にずれが生じ易く、封止
が不可能になったり、外形寸法のバラツキが大きなもの
となったりする。この基板の重なり具合のずれの問題
は、のチップ型サージアブソーバでも、３枚の基板を
重ね合わせることから、同様に起こり得る。

【０００９】本発明はこのような問題点を解決し、封入
ガス雰囲気の放電室を有するチップ型サージアブソーバ
であって、基板の重なり具合のずれを防止して、容易に
封止を行うことができ、しかも、レーザーによるマイク
ロギャップ形成のための手間とコストを省くことで容易
かつ安価に製造することができるチップ型サージアブソ
ーバを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１のチップ型サー
ジアブソーバは、絶縁性基板の一方の板面に一端縁から
他端縁まで達する導電性皮膜を形成してなる第１の基板
と、絶縁性基板の一方の板面に一端縁から他端縁まで達
する溝が形成され、該溝と該導電性皮膜とが対面するよ
うにこの一方の板面が該第１の基板の前記一方の板面に
重ね合わされガラス層を介して結合された第２の基板
と、該第１の基板と第２の基板との結合体よりなるチッ
プ状素体の両端面にそれぞれガラス系接合層を介して装
着されたキャップ電極とを備えてなり、該ガラス系接合
層は該チップ状素体の端面において前記導電性皮膜を露
出させるように位置しており、該溝の内部が封入ガス雰
囲気となっていることを特徴とする。

【００１１】請求項２のチップ型サージアブソーバは、
絶縁性基板の一方の板面に一端縁から他端縁まで達する
第１の導電性皮膜を形成してなる第１の基板と、絶縁性
基板の一方の板面に一端縁から他端縁まで達する溝が形
成され、該溝の底面に該一端縁から該他端縁に達する第
２の導電性皮膜が形成され、該溝と該第１の基板の該第
１の導電性皮膜とが対面するようにこの一方の板面が該
第１の基板の前記一方の板面に重ね合わされガラス層を
介して結合された第２の基板と、該第１の基板と第２の
基板との結合体よりなるチップ状素体の両端面にそれぞ
れ導電性ガラス系接合層を介して装着されたキャップ電
極とを備えてなり、該導電性ガラス系接合層は該チップ
状素体の一方の端面において前記第１の導電性皮膜に接
し且つ第２の導電性皮膜を露出させるように位置してお
り、該導電性ガラス系接合層は該チップ状素体の他方の
端面において前記第１の導電性皮膜を露出させ且つ第２
の導電性皮膜に接するように位置しており、該溝の内部
が封入ガス雰囲気となっていることを特徴とする。

【００１２】このような本発明のチップ型サージアブソ
ーバであれば、基板上の導電性皮膜の端縁とキャップ電
極との間に形成される間隙が放電間隙となるため、レー
ザーによるマイクロギャップの形成が不要である。

【００１３】特に、請求項１のチップ型サージアブソー
バであれば、放電電極としての基板上の導電性皮膜と、
端子電極としてのキャップ電極との導通を回りながらガ
ス封止するという、困難かつ注意を要する作業が不要に
なり、より一層容易に作製することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。

【００１５】図１は請求項１のチップ型サージアブソー
バの実施の形態を示す断面図、図２は請求項２のチップ
型サージアブソーバの実施の形態を示す断面図である。

【００１６】図１において、１は第１の絶縁性基板とな
るアルミナ基板であり、一方の板面に導電性皮膜２がア
ルミナ基板１の両端縁（１Ａ，１Ｂは端面を示す。）に
達するように形成されている。また、第２の絶縁性基板
となるアルミナ基板３の一方の板面には、放電室形成用
の溝４がアルミナ基板３の両端縁（３Ａ，３Ｂは端面を
示す。）に達するように形成されている。

【００１７】図１のチップ型サージアブソーバ１０は、
このようなアルミナ基板１とアルミナ基板３とを、アル
ミナ基板１の導電性皮膜２がアルミナ基板３の溝４と対
面するように積層、一体化してなるチップ状素体５の両
端面に、ガラス層６（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）により
キャップ電極７Ａ，７Ｂが接合されたものであり、この
ガラス層６のうち、アルミナ基板１の両端面のガラス層
６Ａ，６Ｂは、そのアルミナ基板１上に形成された導電
性皮膜２がチップ状素体５の両端面において露出するよ
うに設けられている。なお、溝４の内部は封入ガス雰囲
気とされている。

【００１８】このチップ型サージアブソーバ１０は、ア
ルミナ基板１の板面に形成された導電性皮膜２の両端部
２Ａ，２Ｂとキャップ電極７Ａ，７Ｂとの間隙（この間
隙は接合用ガラス層６（６Ａ，６Ｂ）の厚さｄに相当す
る。）が放電間隙として機能してサージを吸収する。

【００１９】次に、このチップ型サージアブソーバ１０
の作製手順を図３を参照して説明する。

【００２０】まず、第１の絶縁性基板となるアルミナ基
板１の一方の板面に導電性皮膜２を形成する（図３
（ａ））。別に、第２の絶縁性基板となるアルミナ基板
３の一方の板面に基板同士の接合のためのガラス層８を
形成した後、溝４を形成する（図３（ｂ））。そして、
これらアルミナ基板１，３を導電性皮膜２と溝４とが対
面するように重ね合せて加熱することにより、アルミナ
基板１とアルミナ基板３とを接合して一体化しチップ状
素体５を得る（図３（ｃ））。

【００２１】次に、このチップ状素体５の両端面にキャ
ップ電極接合用のガラス層６を形成する。このガラス層
６の形成に際しては、アルミナ基板１の導電性皮膜２が
チップ状素体５の端面において露出するようにガラスペ
ーストを印刷する。その後、チップ状素体５の両端面に
キャップ電極を装着すると共に、アルミナ基板３の溝４
で形成される放電室内を封止ガスに置換して焼成するこ
とにより、キャップ電極をチップ状素体５に接合すると
共に封止して図１に示すチップ型サージアブソーバ１０
を得る。

【００２２】図２において、１は第１の絶縁性基板とな
るアルミナ基板であり、一方の板面に導電性皮膜２がア
ルミナ基板１の両端縁（１Ａ，１Ｂは端面を示す。）に
達するように形成されている。また、第２の絶縁性基板
となるアルミナ基板３の一方の板面には、放電室形成用
の溝４がアルミナ基板３の両端縁（３Ａ，３Ｂは端面を
示す。）に達するように形成され、この溝４の底面４Ａ
にも導電性皮膜２’が形成されている。

【００２３】図２のチップ型サージアブソーバ１０Ａ
は、このようなアルミナ基板１とアルミナ基板３とを、
アルミナ基板１の導電性皮膜２がアルミナ基板３の溝４
と対面するように積層してなるチップ状素体５’の両端
面に、導電性ガラス層９（９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄ）に
よりキャップ電極７Ａ，７Ｂが接合されたものであり、
この導電性ガラス層９のうち、アルミナ基板１の一方の
端面１Ａ及びアルミナ基板３の他方の端面３Ｂの導電性
ガラス層９Ａ，９Ｄは各基板１，３上に形成された導電
性皮膜２，２’の端部２Ａ，２Ａ’と導通するように形
成され、また、アルミナ基板１の他方の端面１Ｂ及びア
ルミナ基板３の一方の端面３Ａの導電性ガラス層９Ｂ，
９Ｃは、各基板１，３上に形成された導電性皮膜２，
２’の端部２Ｂ，２Ｂ’がチップ状素体５’の端面にお
いて露出するように設けられている。なお、溝４の内部
は封入ガス雰囲気とされている。

【００２４】このチップ型サージアブソーバ１０Ａは、
アルミナ基板１の板面に形成された導電性皮膜２の他方
の端部２Ｂとキャップ電極７Ｂとの間隙及びアルミナ基
板３の溝４の底面に形成された導電性皮膜２’の一方の
端部２Ａ’とキャップ電極７Ａとの間隙（この間隙は接
合用導電性ガラス層９の厚さｄに相当する。）が放電間
隙として機能してサージを吸収する。

【００２５】次に、このチップ型サージアブソーバ１０
Ａの作製手順を図４を参照して説明する。

【００２６】まず、第１の絶縁性基板となるアルミナ基
板１の一方の板面に導電性皮膜２を形成する（図４
（ａ））。別に、第２の絶縁性基板となるアルミナ基板
３の一方の板面に基板同士の接合のためのガラス層８を
形成した後、溝４を形成し、この溝４の底面に導電性皮
膜２’を形成する（図４（ｂ））。そして、これらアル
ミナ基板１，３を導電性皮膜２と溝４とが対面するよう
に重ね合せて加熱することにより、アルミナ基板１とア
ルミナ基板３とを接合して一体化しチップ状素体５’を
得る（図４（ｃ））。

【００２７】次に、このチップ状素体５’の両端面にキ
ャップ電極導通用の導電性皮膜９ａと接合用のガラス層
９ｂを形成する。この導通用の導電性皮膜９ａとガラス
層９ｂの形成に際しては、アルミナ基板１の導電性皮膜
２の他方の端面とアルミナ基板３の導電性皮膜２’の一
方の端面がチップ状素体５’の端面において露出するよ
うに導電性ペースト及びガラスペーストを印刷する。そ
の後、チップ状素体５’の両端面にキャップ電極を装着
すると共に、アルミナ基板３の溝４で形成される放電室
内を封止ガスに置換して焼成することにより（この焼成
によりガラス層９ｂが導電性皮膜９ａに吸収されて導電
性ガラス層９が形成される。）、キャップ電極をチップ
状素体５’に接合すると共に封止して図２に示すチップ
型サージアブソーバ１０Ａを得る。

【００２８】なお、本発明において、絶縁性基板として
は、絶縁性で気密性の高いものであれば良く、アルミナ
基板の他、コランダム、ムライト、コランダムムライ
ト、アクリル、ベークライト等のセラミック、プラスチ
ック又は樹脂基板を用いることができる。通常の場合、
この基板としては厚さ０．３〜１．０ｍｍ程度のものが
用いられる。

【００２９】第１の絶縁性基板上の導電性皮膜及び第２
の絶縁性基板の溝底面の導電性皮膜は、Ｔｉ，ＴｉＮ，
ＴｉＯ，Ｔａ，Ｗ，ＳｉＣ，ＳｎＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｃｒ₂
Ｏ₃，ＲｕＯ₂，ＩＴＯ，ＢａＡｌ，Ｎｂ，Ｓｉ，Ｃ、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｌａ或いはこれらの２種以上の
混合物等で、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティン
グ法、印刷法、焼付法等により、膜厚０．１〜２０μｍ
程度に形成するのが好ましい。また、第１の絶縁性基板
上の導電性皮膜の幅は第２の絶縁性基板の溝の幅と同程
度とするのが好ましい。第２の絶縁性基板の溝の深さ
は、絶縁性基板の厚さの１／３〜２／３程度とするのが
好ましく、その幅は、絶縁性基板の幅の１／３〜１／２
程度とするのが好ましい。具体的には、溝の深さは０．
２〜０．４ｍｍ、溝の幅は０．５〜１ｍｍ程度が好適で
ある。

【００３０】また、本発明において、放電間隙となるチ
ップ状素体とキャップ電極との間隙、即ち、図１におけ
るガラス層６又は図２における導電性ガラス層９の膜厚
ｄは１〜１００μｍ程度とするのが好ましい。

【００３１】ところで、一般に、マイクロギャップ式サ
ージアブソーバの特性として、Ｐ・ｄ値（ガス圧×ギャ
ップ幅）とＶｓ（直流放電開始電圧）との間には、図９
に示すような関係があり、Ｐ・ｄ値を下げるとＶｓが下
がる。そして、Ｐ・ｄ値を更に下げてもＶｓはある時点
で下げ止まり、一定となる。このことから明らかなよう
に、Ｖｓの最小値を示すＰ・ｄ値を下回る条件でアブソ
ーバを作製すれば、ガス圧一定でマイクロギャップ、即
ち、接合用のガラス層６や導電性ガラス層９の膜厚に多
少のバラツキがあってもＶｓは安定する。従って、放電
間隙は、このＶｓの安定化を考慮して決定するのが好ま
しい。

【００３２】例えば、封入ガスとしてＡｒを選択した場
合、Ｐ・ｄ値の最小値はおよそ７．６〜１５ｔｏｒｒ・
ｍｍである。そこで、Ａｒを大気圧と同じ７６０ｔｏｒ
ｒで封入した場合において放電間隙ｄ（ガラス層６又は
導電性ガラス層９の膜厚）を約２０μｍ以下で形成でき
ればＶｓのバラツキは防止される。

【００３３】なお、封入ガスとしては、Ｈｅ，Ｎ₂，Ａ
ｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，ＳＦ₆，ＣＯ₂，Ｈ₂等の１種を単独
で、或いは２種以上を混合して使用することができる。
また、この封入ガスの圧力は、通常の場合、１００〜１
０００Ｔｏｒｒ程度とされる。

【００３４】

【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。

【００３５】実施例１ 図１に示すチップ型サージアブソーバ１０を製造した。

【００３６】３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．５ｍｍ厚さ
のアルミナ基板１，３を２枚用意し、一方のアルミナ基
板１に幅０．５ｍｍ、長さ３．２ｍｍのＡｇ膜よりなる
導電性皮膜２を形成した。また、他方のアルミナ基板３
の板面にガラスペーストを印刷して脱脂、仮焼してガラ
ス層８を形成した後、幅０．５ｍｍ、深さ０．２５ｍｍ
の溝４を形成した。そして、導電性皮膜２と溝４とが対
面するようにアルミナ基板１，３を重ね合わせて加熱す
ることにより、接合一体化してチップ状素体５を得た。
このチップ状素体５の両端面に導電性皮膜２の露出部を
覆わないようにガラスペーストを印刷して脱脂、仮焼し
て厚さｄ＝２０μｍ（放電間隙２０μｍ）のガラス層６
を形成した。次いで、キャップ電極７Ａ，７Ｂをガラス
層６を形成したチップ状素体５の両端に装着し、溝４内
をＡｒ（７６０ｔｏｒｒ）で置換して高温焼成すること
により、キャップ電極７Ａ，７Ｂを接合すると共に封止
して、チップ型サージアブソーバ１０を得た。

【００３７】得られたチップ型サージアブソーバについ
て、直流放電開始電圧（Ｖｓ）（ＤＣ電圧を印加し放電
電流が１ｍＡになった時点の電圧）を調べ、結果を表２
に示した。

【００３８】このチップ型サージアブソーバは、マイク
ロギャップのためのレーザー加工が不要で、容易かつ低
コストに製造することができた。

【００３９】実施例２ 図２に示すチップ型サージアブソーバ１０Ａを製造し
た。

【００４０】３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．５ｍｍ厚さ
のアルミナ基板１，３を２枚用意し、一方のアルミナ基
板１に幅０．５ｍｍ、長さ３．２ｍｍのＡｇ膜よりなる
導電性皮膜２を形成した。また、他方のアルミナ基板３
の板面にガラスペーストを印刷して脱脂、仮焼してガラ
ス層８を形成した後、幅０．５ｍｍ、深さ０．２５ｍｍ
の溝４を形成し、この溝４の底面にＡｇ膜よりなる導電
性皮膜２’を形成した。そして、導電性皮膜２と溝４と
が対面するようにアルミナ基板１，３を重ね合わせて加
熱することにより、接合一体化してチップ状素体５’を
得た。このチップ状素体５’の両端面に導電性皮膜２，
２’の一方の露出部を覆わないようにＡｇ−Ｐｔ導電性
皮膜９ａを形成した後、この上にガラスペーストを印刷
して脱脂、仮焼して合計厚さｄ＝２０μｍ（放電間隙２
０μｍ）の接合層を形成した。次いで、キャップ電極７
Ａ，７Ｂを接合層を形成したチップ状素体５の両端に装
着し、溝４内をＡｒ（７６０ｔｏｒｒ）で置換して高温
焼成することにより、キャップ電極７Ａ，７Ｂを接合す
ると共に封止して、チップ型サージアブソーバ１０Ａを
得た。

【００４１】得られたチップ型サージアブソーバについ
て、実施例１と同様にして直流放電開始電圧（Ｖｓ）を
調べ、結果を表２に示した。

【００４２】このチップ型サージアブソーバは、マイク
ロギャップのためのレーザー加工が不要で、容易かつ低
コストに製造することができた。

【００４３】なお、このチップ型サージアブソーバにつ
いて、放電開始電圧Ｖｓの安定する時のガス圧Ｐと放電
間隙（接合層の厚さ）との関係を調べたところ、表１に
示す結果が得られた。

【００４４】

【表１】

【００４５】比較例１ 図８に示すチップ型サージアブソーバを製造した。

【００４６】３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．５ｍｍ厚さ
のアルミナ基板８１，８２を２枚用意し、一方のアルミ
ナ基板８１の板面に、Ａｇ膜よりなる幅０・５ｍｍの放
電電極８１Ａ，８１Ｂを幅２０μｍの放電間隙を設けて
形成した。また、他方のアルミナ基板８２の板面に幅
０．５ｍｍ、深さ０．２５ｍｍの溝８２Ａを形成し、両
アルミナ基板８１，８２を接合した。その後、導電層８
５を形成した後ガラス層８６を形成し、キャップ電極８
４Ａ，８４Ｂを装着し、溝８２Ａ内をＡｒ（７６０ｔｏ
ｒｒ）で置換して焼成することによりキャップ電極８４
Ａ，８４Ｂを接合すると共に封止した。

【００４７】得られたサージアブソーバについて実施例
１と同様に評価を行い、結果を表２に示した。

【００４８】このチップ型サージアブソーバは、マイク
ロギャップ形成のためのレーザー加工のために手間とコ
ストが嵩むものであった。

【００４９】比較例２ 図５に示すチップ型サージアブソーバを製造した。

【００５０】３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．５ｍｍ厚さ
のアルミナ基板５１，５２，５３を３枚用意し、アルミ
ナ基板５１には、幅２０μｍの放電間隙を設けて１対の
Ａｇ膜よりなる放電電極５１Ａ，５１Ｂを形成した。ま
た、アルミナ基板５２には直径１ｍｍの開孔５２Ａを形
成した。そして、３枚のアルミナ基板５１，５２，５３
をガラスペーストで加熱接着すると共にＡｒ（７６０Ｔ
ｏｒｒ）を封入し、更に端子電極５５Ａ，５５Ｂを形成
した。

【００５１】得られたチップ型サージアブソーバについ
て実施例１と同様にして評価を行って結果を表２に示し
た。

【００５２】このチップ型サージアブソーバは、マイク
ロギャップ形成のためのレーザー加工のために手間とコ
ストが嵩むものであった。

【００５３】

【表２】

【００５４】表２より明らかなように、本発明によれ
ば、レーザー加工によりマイクロギャップを形成するこ
となく、従って、低コストで容易に、通常のマイクロギ
ャップ式サージアブソーバと同等の性能を有するチップ
型サージアブソーバを実現することができる。

【００５５】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型サ
ージアブソーバは、封入ガス雰囲気の放電室を有するチ
ップ型サージアブソーバであって、基板の重なり具合の
ずれを防止して、容易に封止を行うことができ、しか
も、レーザーによるマイクロギャップ形成のための手間
とコストを省くことで容易かつ安価に製造することがで
きる。

【００５６】特に、請求項１のチップ型サージアブソー
バであれば、放電電極としての基板上の導電性皮膜と、
端子電極としてのキャップ電極との導通を回りながら、
ガス封止するという、困難かつ注意を要する作業が不要
になり、より一層容易に作製することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１のチップ型サージアブソーバの実施の
形態を示す断面図である。

【図２】請求項２のチップ型サージアブソーバの実施の
形態を示す断面図である。

【図３】図１のチップ型サージアブソーバの作製手順を
説明する図であって、（ａ），（ｂ），（ｃ）図は斜視
図、（ｄ）図は断面図である。

【図４】図２のチップ型サージアブソーバの作製手順を
説明する図であって、（ａ），（ｂ），（ｃ）図は斜視
図、（ｄ）図は断面図である。

【図５】比較例に係るサージアブソーバを示す斜視図で
ある。

【図６】従来のサージアブソーバを示す斜視図である。

【図７】従来のサージアブソーバを示す斜視図である。

【図８】比較例に係るサージアブソーバを示す図であっ
て、（ａ）図は斜視図、（ｂ），（ｃ）図は断面図であ
る。

【図９】Ｖｓ−Ｐ・ｄ曲線を示すグラフである。

【符号の説明】

１，３ アルミナ基板 ２，２’，９ａ 導電性皮膜 ４ 溝 ５ チップ状素体 ６，８，９ｂ ガラス層 ７Ａ，７Ｂ キャップ電極 ９ 導電性ガラス層 １０，１０Ａ チップ型サージアブソーバ

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板の一方の板面に一端縁から他
   端縁まで達する導電性皮膜を形成してなる第１の基板
   と、 絶縁性基板の一方の板面に一端縁から他端縁まで達する
   溝が形成され、該溝と該導電性皮膜とが対面するように
   この一方の板面が該第１の基板の前記一方の板面に重ね
   合わされガラス層を介して結合された第２の基板と、 該第１の基板と第２の基板との結合体よりなるチップ状
   素体の両端面にそれぞれガラス系接合層を介して装着さ
   れたキャップ電極と、を備えてなり、該ガラス系接合層
   は該チップ状素体の端面において前記導電性皮膜を露出
   させるように位置しており、該溝の内部が封入ガス雰囲
   気となっているチップ型サージアブソーバ。
2. 【請求項２】 絶縁性基板の一方の板面に一端縁から他
   端縁まで達する第１の導電性皮膜を形成してなる第１の
   基板と、 絶縁性基板の一方の板面に一端縁から他端縁まで達する
   溝が形成され、該溝の底面に該一端縁から該他端縁に達
   する第２の導電性皮膜が形成され、該溝と該第１の基板
   の該第１の導電性皮膜とが対面するようにこの一方の板
   面が該第１の基板の前記一方の板面に重ね合わされガラ
   ス層を介して結合された第２の基板と、 該第１の基板と第２の基板との結合体よりなるチップ状
   素体の両端面にそれぞれ導電性ガラス系接合層を介して
   装着されたキャップ電極と、を備えてなり、該導電性ガ
   ラス系接合層は該チップ状素体の一方の端面において前
   記第１の導電性皮膜に接し且つ第２の導電性皮膜を露出
   させるように位置しており、 該導電性ガラス系接合層は該チップ状素体の他方の端面
   において前記第１の導電性皮膜を露出させ且つ第２の導
   電性皮膜に接するように位置しており、該溝の内部が封
   入ガス雰囲気となっているチップ型サージアブソーバ。