JP6641145B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置の構成例について説明する。
図1(A)に、本発明の一態様にかかる半導体装置10の構成の一例を示す。半導体装置10は、記憶装置として用いることができる。半導体装置10は、回路20、回路30、回路40を有する。
次に、図2に示す回路20の動作例を説明する。
本実施の形態では、半導体装置10の具体的な構成例について説明する。
本実施の形態では、半導体装置10の構成の変形例について説明する。
図6に、回路21の構成例を示す。図6に示す回路21は、図5(A)と配線ELの配置が異なる。
図7に、回路21の別の構成例を示す。図1(A)においては、配線ELが配線SLと交差するように設けられているが、図7に示す半導体装置は、配線ELが配線SLに沿うように設けられている。具体的には、図7においては、配線ELが配線SLと平行、又は略平行となるように配置されている。
図10乃至14に、半導体装置10の他の構成例を示す。図10乃至14に示す回路21は、所定の配線が共有化された構成を有する。
図16に、図2に示す回路21の構成の変形例を示す。
本発明の一態様は、記憶装置の他、表示装置等にも用いることができる。本実施の形態では、実施の形態1乃至3に示す本発明の一態様の表示装置への応用例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に用いることができるOSトランジスタの構成例について説明する。
図18にOSトランジスタの構成の一例を示す。図18(A)はOSトランジスタの構成の一例を示す上面図である。図18(B)は、y1−y2線断面図であり、図18(C)はx1−x2線断面図であり、図18(D)はx3−x4線断面図である。ここでは、y1−y2線の方向をチャネル長方向と、x1−x2線方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。よって、図18(B)は、OSトランジスタのチャネル長方向の断面構造を示す図になり、図18(C)および図18(D)は、OSトランジスタのチャネル幅方向の断面構造を示す図になる。なお、デバイス構造を明確にするため、図18(A)では、一部の構成要素が省略されている。
図19に示すOSトランジスタ502は、OSトランジスタ501の変形例である。図19(A)はOSトランジスタ502の上面図である。図19(B)は、y1−y2線断面図であり、図19(C)は、x1−x2線断面図であり、図19(D)は、x3−x4線断面図である。なお、デバイス構造を明確にするため、図19(A)では、一部の構成要素が省略されている。
図20に示すOSトランジスタ503は、OSトランジスタ501の変形例であり、図21に示すOSトランジスタ504は、OSトランジスタ502の変形例である。OSトランジスタ503およびOSトランジスタ504では、導電層530をマスクに用いて、酸化物半導体層523および絶縁層513がエッチングされている。そのため、酸化物半導体層523および絶縁層513の端部は導電層530の端部とほぼ一致することになる。
図22に示すOSトランジスタ505は、OSトランジスタ501の変形例であり、図23に示すOSトランジスタ506は、OSトランジスタ502の変形例である。OSトランジスタ505およびOSトランジスタ506は、それぞれ、酸化物半導体層523と導電層541の間に層551を有し、酸化物半導体層523と導電層542の間に層552を有する。
酸化物半導体層521乃至523の半導体材料としては、代表的には、In−Ga酸化物、In−Zn酸化物、In−M−Zn酸化物(Mは、Ga、Y、Zr、La、Ce、またはNd)がある。また、酸化物半導体層521乃至523は、インジウムを含む酸化物層に限定されない。酸化物半導体層521乃至523は、例えば、Zn−Sn酸化物層、Ga−Sn酸化物層、Zn−Mg酸化物層等で形成することができる。また、酸化物半導体層522は、In−M−Zn酸化物で形成することが好ましい。また、酸化物半導体層521、酸化物半導体層523は、それぞれ、Ga酸化物で形成することができる。
次に、酸化物半導体層521乃至523の積層により構成される酸化物半導体層520の機能およびその効果について、図24(B)に示すエネルギーバンド構造図を用いて説明する。図24(A)は、OSトランジスタ502のチャネル領域を拡大した図であり、図19(B)の部分拡大図である。図24(B)に、図24(A)で点線z1−z2で示した部位(OSトランジスタ502のチャネル形成領域)のエネルギーバンド構造を示す。以下、OSトランジスタ502を例に説明するが、OSトランジスタ501、503乃至506でも同様である。
本明細書において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態(非導通状態、遮断状態、ともいう)にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、nチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも低い状態、pチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも高い状態をいう。例えば、nチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。
以下に、酸化物半導体層520を構成する酸化物半導体膜の構造について説明する。なお、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す。
CAAC−OS膜は、c軸配向した複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つである。
微結晶酸化物半導体膜は、高分解能TEM像において、結晶部を確認することのできる領域と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。微結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部は、1nm以上100nm以下、または1nm以上10nm以下の大きさであることが多い。特に、1nm以上10nm以下、または1nm以上3nm以下の微結晶であるナノ結晶(nc:nanocrystal)を有する酸化物半導体膜を、nc−OS(nanocrystalline Oxide Semiconductor)膜と呼ぶ。また、nc−OS膜は、例えば、高分解能TEM像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。
非晶質酸化物半導体膜は、膜中における原子配列が不規則であり、結晶部を有さない酸化物半導体膜である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体膜が一例である。
基板510は、単なる支持材料に限らず、他のトランジスタなどのデバイスが形成された基板であってもよい。この場合、OSトランジスタ501の導電層530、導電層541、および導電層542の一つは、上記の他のデバイスと電気的に接続されていてもよい。
絶縁層511は、基板510からの不純物の拡散を防止する役割を有する。絶縁層512は酸化物半導体層520に酸素を供給する役割を有することが好ましい。したがって、絶縁層512は酸素を含む絶縁膜であることが好ましく、化学量論組成よりも多い酸素を含む絶縁膜であることがより好ましい。例えば、TDS(Thermal Desorption Spectroscopy:昇温脱離ガス分光法)において、膜の表面温度が100℃以上700℃以下、または100℃以上500℃以下の範囲における酸素分子の放出量が1.0×1018[分子/cm3]以上である膜とする。基板510が他のデバイスが形成された基板である場合、絶縁層511は、表面が平坦になるようにCMP(Chemical Mechanical Polishing)法等で平坦化処理を行うことが好ましい。
導電層530は、銅(Cu)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、金(Au)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、鉛(Pb)、錫(Sn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、ストロンチウム(Sr)、白金(Pt)の低抵抗材料からなる単体、もしくは合金、またはこれらを主成分とする化合物で形成することが好ましい。
絶縁層513は、単層構造または積層構造の絶縁膜で形成される。絶縁層513には、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層513は上記材料の積層であってもよい。なお、絶縁層513に、ランタン(La)、窒素、ジルコニウム(Zr)などを、不純物として含んでいてもよい。また、絶縁層511も絶縁層513と同様に形成することができる。絶縁層513は、例えば、酸素、窒素、シリコン、ハフニウムなどを有する。具体的には、酸化ハフニウム、および酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含むと好ましい。
導電層541、導電層542および導電層531は、導電層530と同様に作製することができる。Cu−Mn合金膜は、電気抵抗が低く、且つ、酸化物半導体層520との界面に酸化マンガンを形成し、Cuの拡散を防ぐことができるため、導電層541、導電層542に用いることが好ましい。
絶縁層514は、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキングできる機能を有することが好ましい。このような絶縁層514を設けることで、酸化物半導体層520からの酸素の外部への拡散と、外部から酸化物半導体層520への水素、水等の入り込みを防ぐことができる。絶縁層514としては、例えば、窒化物絶縁膜を用いることができる。該窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等がある。なお、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキング効果を有する窒化物絶縁膜の代わりに、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜を設けてもよい。酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等がある。
また、絶縁層514上には絶縁層515が形成されていることが好ましい。絶縁層515は単層構造または積層構造の絶縁膜で形成することができる。当該絶縁膜には、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜を用いることができる。
半導体装置を構成する絶縁膜、導電膜、半導体膜等の成膜方法としては、スパッタ法や、プラズマCVD法が代表的である。その他の方法、例えば、熱CVD法により形成すること可能である。熱CVD法として、例えば、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法やALD(Atomic Layer Deposition)法を使用することができる。
本実施の形態では、図5(B)とは異なる半導体装置の構造例について説明する。具体的には、トランジスタ101とトランジスタ102が積層された構造の一例を、図25に示す。
図25に示すトランジスタ101は、バックゲートが設けられたOSトランジスタである。
ここでは、トランジスタ102は、プレーナ型の電界効果トランジスタとしている。トランジスタ102は、単結晶シリコン層を有するSOI型半導体基板から作製されている。以下、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタを、Siトランジスタともいう。基板600は、単結晶シリコン層を支持する基板(例えば、単結晶シリコン基板)である。絶縁層601は、単結晶シリコン層と基板600を絶縁分離するための埋め込み酸化物層(BOX層)である。もちろん、トランジスタ102等のSiトランジスタを、バルク型の単結晶シリコン基板から作製することも可能である。また、トランジスタ102の構造は図25の例に限定されるものではない。例えば、半導体基板の凸部を利用して作成される3Dトランジスタ(フィン型、トライゲート型など)とすることが可能である。
導電層661および導電層662が誘電体を介して重なっている領域が容量103として機能する。また、導電層661は、配線RWLとして機能する領域を有する。導電層662は、導電体663乃至666を介して、トランジスタ101のゲート電極(導電層620)と接続されている。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯情報端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機、医療機器などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図26に示す。
20 回路
21 回路
30 回路
31 回路
40 回路
51 端子
52 端子
101 トランジスタ
102 トランジスタ
103 容量
110 接続回路
111 トランジスタ
112 トランジスタ
113 抵抗
114 トランジスタ
115 トランジスタ
116 トランジスタ
117 トランジスタ
118 トランジスタ
119 容量
120 トランジスタ
121 トランジスタ
122 トランジスタ
123 トランジスタ
124 容量
200 基板
201 絶縁層
210 半導体層
211 チャネル形成領域
212a 高濃度不純物領域
212b 高濃度不純物領域
213a 低濃度不純物領域
213b 低濃度不純物領域
214 絶縁層
215 導電層
216a 絶縁層
216b 絶縁層
220 絶縁層
221 絶縁層
230 導電層
231 絶縁層
240 酸化物半導体層
241 導電層
242 絶縁層
243 導電層
244 絶縁層
245 絶縁層
246 導電層
247 導電層
250 接続部
301 配線
302 インバータ
303 インバータ
304 トランジスタ
305 配線
401 画素回路
402 画素部
404 駆動回路部
404a ゲートドライバ
404b ソースドライバ
406 保護回路
407 端子部
450 トランジスタ
452 トランジスタ
454 トランジスタ
460 容量
462 容量
470 液晶素子
472 発光素子
501 トランジスタ
502 トランジスタ
503 トランジスタ
504 トランジスタ
505 トランジスタ
506 トランジスタ
510 基板
511 絶縁層
512 絶縁層
513 絶縁層
514 絶縁層
515 絶縁層
516a 導電体
516b 導電体
520 酸化物半導体層
521 酸化物半導体層
522 酸化物半導体層
523 酸化物半導体層
530 導電層
531 導電層
541 導電層
542 導電層
551 層
552 層
600 基板
601 絶縁層
602 絶縁層
603 絶縁層
604 絶縁層
605 絶縁層
610 Si層
611 不純物領域
612 不純物領域
613 不純物領域
614 不純物領域
615 チャネル形成領域
616 ゲート絶縁層
618 絶縁層
619 絶縁層
620 導電層
630 酸化物半導体層
631 酸化物半導体層
633 酸化物半導体層
635 導電層
636 導電層
637 導電層
638 導電層
639 ゲート絶縁層
650 導電層
651 導電層
653 導電層
656 導電層
661 導電層
662 導電層
663 導電体
666 導電体
5001 筐体
5002 筐体
5003 表示部
5004 表示部
5005 マイクロホン
5006 スピーカー
5007 操作キー
5008 スタイラス
5101 車体
5102 車輪
5103 ダッシュボード
5104 ライト
5301 筐体
5302 冷蔵室用扉
5303 冷凍室用扉
5401 筐体
5402 表示部
5403 キーボード
5404 ポインティングデバイス
5601 筐体
5602 筐体
5603 表示部
5604 表示部
5605 接続部
5606 操作キー
5801 筐体
5802 筐体
5803 表示部
5804 操作キー
5805 レンズ
5806 接続部
Claims (5)
- データを記憶する機能を有する複数の回路と、第1の配線と、第2の配線と、インバータと、抵抗と、を有し、
前記複数の回路はそれぞれ、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量と、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲート及び前記容量と電気的に接続され、
前記第2の配線は、前記インバータと電気的に接続され、
前記抵抗は、前記インバータの低電位電源線と、出力端子との間に電気的に接続され、
前記抵抗は、酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第1の配線は、前記第1のトランジスタのゲートとしての機能を有し、
前記第2の配線は、前記第1のトランジスタのバックゲートとしての機能を有し、
前記第1の配線にローレベルの電位を供給し、且つ、前記第2の配線にハイレベルの電位を供給し、前記第1のトランジスタを導通状態にし、前記複数の回路に記憶されたデータの消去を行う機能を有する半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方がハイレベル又はローレベルである期間に、前記データの消去を行う半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第2の配線は、前記第1の配線と重なる領域を有する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記複数の回路は、補助記憶装置のメモリセルである半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記複数の回路は、表示装置の画素回路である半導体装置。
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