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Description
、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。特に
、本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス
(EL:Electroluminescence)表示装置、発光装置、照明装置、記
憶装置、プロセッサに関する。または、半導体膜、半導体装置、表示装置、発光装置、照
明装置、蓄電装置、記憶装置、プロセッサの製造方法に関する。または、半導体装置、表
示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、プロセッサの駆動方法に関する。特
に、本発明の一態様は、トランジスタを有する半導体装置、表示装置、発光装置、記憶装
置、プロセッサ、またはそれらの駆動方法などに関する。または、本発明の一態様は、当
該半導体装置、当該表示装置、当該発光装置、当該記憶装置または当該プロセッサを有す
る電子機器などに関する。
全般をいう。表示装置、発光装置、電気光学装置、半導体回路および電子機器などは、半
導体装置を有する場合がある。
注目されている。当該トランジスタは集積回路や表示装置のような半導体装置に広く応用
されている。
膜などが用途によって使い分けられている。例えば、大型の表示装置を構成するトランジ
スタには、大面積基板への成膜技術が確立されている非晶質シリコン膜または酸化物半導
体膜を用いると好適である。一方、駆動回路を一体形成した高機能の表示装置を構成する
トランジスタには、高い電界効果移動度を有するトランジスタを作製可能な多結晶シリコ
ン膜または酸化物半導体膜を用いると好適である。
面積が縮小することで、画素に占める配線、トランジスタおよび容量素子の割合は増大す
ることになる。配線の面積低減のためには、例えば、低抵抗な銅配線を用いることが有効
である。また、トランジスタの面積低減のためには、例えば、高い電界効果移動度を有す
る多結晶シリコン膜または酸化物半導体膜を用いることが有効である。
素子と、を有する表示装置が開示されている。
容量素子を有する半導体装置を提供することを課題の一とする。または、集積度の高い半
導体装置を提供することを課題の一とする。または、新規な半導体装置を提供することを
課題の一とする。
を有する表示装置を提供することを課題の一とする。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
よび第2の導電膜上の第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜を介して第1の導電膜と重なる半導
体膜と、半導体膜と接する第3の導電膜と、半導体膜と接し、第1の絶縁膜を介して第2
の導電膜と重なる第4の導電膜と、半導体膜上、第3の導電膜上および第4の導電膜上に
あり、厚い領域および薄い領域を有する第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜を介して半導体膜
と重なる第5の導電膜と、第2の絶縁膜の薄い領域で第4の導電膜と重なる第6の導電膜
と、を有する半導体装置である。
よび第2の導電膜上にあり、厚い領域と薄い領域を有する第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜
を介して第1の導電膜と重なる半導体膜と、半導体膜と接する第3の導電膜と、半導体膜
と接し、第1の絶縁膜の薄い領域で第2の導電膜と重なる第4の導電膜と、半導体膜上、
第3の導電膜上および第4の導電膜上の第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜を介して半導体膜
と重なる第5の導電膜と、第2の絶縁膜を介して第4の導電膜と重なる第6の導電膜と、
を有する半導体装置である。
よび第2の導電膜上にあり、厚い領域と薄い領域を有する第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜
を介して第1の導電膜と重なる半導体膜と、半導体膜と接する第3の導電膜と、半導体膜
と接し、第1の絶縁膜の薄い領域で第2の導電膜と重なる第4の導電膜と、半導体膜上、
第3の導電膜上および第4の導電膜上にあり、厚い領域および薄い領域を有する第2の絶
縁膜と、第2の絶縁膜を介して半導体膜と重なる第5の導電膜と、第2の絶縁膜の薄い領
域で第4の導電膜と重なる第6の導電膜と、を有する半導体装置である。
置である。
装置である。
絶縁膜上にあり、第4の導電膜と電気的に接続される表示素子と、を有する(1)乃至(
5)のいずれか一に記載の半導体装置である。
を有する半導体装置を提供することができる。または、集積度の高い半導体装置を提供す
ることができる。または、新規な半導体装置を提供することができる。なお、本発明の一
態様はこれらの効果に限定されるものではない。例えば、本発明の一態様は、場合によっ
ては、または、状況に応じて、これらの効果以外の効果を有する場合もある。または、例
えば、本発明の一態様は、場合によっては、または、状況に応じて、これらの効果を有さ
ない場合もある。
表示装置を提供することができる。
明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に
理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるもの
ではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するに当たり、同じものを指す符号は異
なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じく
し、特に符号を付さない場合がある。
せ、または置き換えなどを行うことができる。
合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である
。
おいては、物理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。
を示すものではない。そのため、例えば、「第1の」を「第2の」または「第3の」など
と適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、
本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
「幅」などで規定する場合、物体が収まる最小の立方体における一辺の長さ、または物体
の一断面における円相当径と読み替えてもよい。物体の一断面における円相当径とは、物
体の一断面と等しい面積となる正円の直径をいう。
ての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「絶縁体」は境界が曖昧であり、厳密
に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「絶縁体」と
言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「絶縁体」は、「半導体
」と言い換えることができる場合がある。
ての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「導電体」は境界が曖昧であり、厳密
に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「導電体」と
言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「導電体」は、「半導体
」と言い換えることができる場合がある。
濃度が0.1atomic%未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、
例えば、半導体膜にキャリアトラップが形成されることや、キャリア移動度が低下するこ
とや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体膜が酸化物半導体膜である
場合、半導体膜の特性を変化させる不純物としては、例えば、第1族元素、第2族元素、
第14族元素、第15族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、水素(
水にも含まれる)、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などが
ある。酸化物半導体の場合、不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また
、半導体膜がシリコン膜である場合、半導体膜の特性を変化させる不純物としては、例え
ば、酸素、水素を除く第1族元素、第2族元素、第13族元素、第15族元素などがある
。
をいう。または、過剰酸素とは、例えば、加熱することで放出される酸素をいう。過剰酸
素は、例えば、膜や層の内部を移動することができる。過剰酸素の移動は、膜や層の原子
間を移動する場合と、膜や層を構成する酸素と置き換わりながら玉突き的に移動する場合
とがある。また、過剰酸素を含む絶縁膜は、例えば、加熱処理によって酸素を放出する機
能を有する絶縁膜である。
配置されている状態をいう。したがって、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、
「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう
。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。
ト、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、タンタ
ルまたはタングステンを含む導電膜を、単層で、または積層で用いればよい。または、透
過性を有する導電膜としては、例えば、In−Zn−W酸化物膜、In−Sn酸化物膜、
In−Zn酸化物膜、酸化インジウム膜、酸化亜鉛膜および酸化スズ膜などの酸化物膜を
用いればよい。また、前述の酸化物膜は、Al、Ga、Sb、Fなどが微量添加されても
よい。また、光を透過する程度の金属薄膜(好ましくは、5nm以上30nm以下程度)
を用いることもできる。例えば5nmの膜厚を有するAg膜、Mg膜またはAg−Mg合
金膜を用いてもよい。または、可視光を効率よく反射する膜としては、例えば、リチウム
、アルミニウム、チタン、マグネシウム、ランタン、銀、シリコンまたはニッケルを含む
膜を用いればよい。
酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム
、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム
または酸化タンタルを含む絶縁膜を、単層で、または積層で用いればよい。または、ポリ
イミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂膜を用いても構わ
ない。
以下では、本発明の一態様に係る容量素子について、図1を用いて説明する。
112と、絶縁膜112を介して導電膜104と重なる導電膜116と、導電膜116上
の厚い領域および薄い領域を有する絶縁膜118と、絶縁膜118の薄い領域を介して導
電膜116と重なる導電膜114と、を有する。なお、導電膜114は、絶縁膜112お
よび絶縁膜118の開口部を介して、導電膜104と電気的に接続する。
域および薄い領域を有する絶縁膜112と、絶縁膜112の薄い領域を介して導電膜10
4と重なる導電膜116と、導電膜116上の絶縁膜118と、絶縁膜118を介して導
電膜116と重なる導電膜114と、を有する。なお、導電膜114は、絶縁膜112お
よび絶縁膜118の開口部を介して、導電膜104と電気的に接続する。
域および薄い領域を有する絶縁膜112と、絶縁膜112の薄い領域を介して導電膜10
4と重なる導電膜116と、導電膜116上の厚い領域および薄い領域を有する絶縁膜1
18と、絶縁膜118の薄い領域を介して導電膜116と重なる導電膜114と、を有す
る。なお、導電膜114は、絶縁膜112および絶縁膜118の開口部を介して、導電膜
104と電気的に接続する。
種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板(例
えば単結晶基板またはシリコン基板)、SOI基板、ガラス基板、石英基板、プラスチッ
ク基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板
、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可とう性基板、貼り合わせフ
ィルム、繊維状の材料を含む紙、または基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例とし
ては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、またはソーダライムガラ
スなどがある。可とう性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、
ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表される
プラスチック、またはアクリル等の可とう性を有する合成樹脂などがある。貼り合わせフ
ィルムの一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、またはポリ
塩化ビニルなどがある。基材フィルムの一例としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリ
イミド、無機蒸着フィルム、または紙類などがある。特に、半導体基板、またはSOI基
板などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、または形状などの
ばらつきが小さく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができ
る。このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、または回
路の高集積化を図ることができる。
スタや容量素子を転置し、別の基板上にトランジスタや容量素子を配置してもよい。トラ
ンジスタや容量素子が転置される基板の一例としては、上述したトランジスタや容量素子
を作製することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布
基板(天然繊維(絹、綿、麻)、合成繊維(ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル)も
しくは再生繊維(アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル)などを含む)、
皮革基板、またはゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいト
ランジスタの作製、消費電力の小さいトランジスタの作製、壊れにくい装置の作製、耐熱
性の付与、軽量化、または薄型化を図ることができる。
可能である。こうして、部品点数の削減によるコストの低減、または回路部品との接続点
数の低減による信頼性の向上を図ることができる。
。つまり、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ある基板に作製され、所
定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部は、別の基板に作製してもよい。例え
ば、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ガラス基板に作製され、所定の
機能を実現させるために必要な回路の別の一部は、半導体基板(またはSOI基板)に作
製することができる。そして、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部が作
製される半導体基板(ICチップともいう。)を、COG(Chip On Glass
)によって、ガラス基板に接続して、ガラス基板にそのICチップを配置することが可能
である。または、ICチップを、TAB(Tape Automated Bondin
g)、COF(Chip On Film)、SMT(Surface Mount T
echnology)、またはプリント基板などを用いてガラス基板と接続することが可
能である。このように、回路の一部が画素部と同じ基板に作製されていることにより、部
品点数の削減によるコストの低減、または回路部品との接続点数の低減による信頼性の向
上を図ることができる。特に、駆動電圧が大きい部分の回路、または駆動周波数が高い部
分の回路などは、消費電力が大きくなってしまう場合が多い。そこで、このような回路を
、画素部とは別の基板に作製して、ICチップを構成する。このICチップを用いること
によって、消費電力の増加を防ぐことができる。
2および導電膜116を有する容量素子C1と、導電膜116、絶縁膜118および導電
膜114を有する容量素子C2と、を有する。したがって、図1(A)、図1(B)およ
び図1(C)に示す容量素子は、容量素子C1と容量素子C2とが並列に接続された回路
図で示すことができる(図1(D)参照。)。即ち、図1(A)、図1(B)および図1
(C)に示す容量素子の容量は、容量素子C1の容量と容量素子C2の容量の和となる。
ため、占有面積当たりの容量を大きくすることができる。また、図1(B)に示す容量素
子において、容量素子C1は絶縁膜112の薄い領域を利用するため、占有面積当たりの
容量を大きくすることができる。図1(C)に示す容量素子において、容量素子C1は絶
縁膜112の薄い領域を利用し、容量素子C2は絶縁膜118の薄い領域を利用するため
、占有面積当たりの容量を大きくすることができる。
りの容量が大きい容量素子である。
、半導体装置の集積度を高めることができる。また、小さい占有面積で大きな容量の容量
素子を有する半導体装置を提供することができる。
同一工程を経て作製することができる。例えば、導電膜104と同一工程を経て形成され
た導電膜をトランジスタのゲート電極として利用することができる。また、例えば、絶縁
膜112と同一工程を経て形成された絶縁膜をトランジスタのゲート絶縁膜として利用す
ることができる。また、例えば、導電膜116と同一工程を経て形成された導電膜をトラ
ンジスタのソース電極またはドレイン電極として利用することができる。また、例えば、
絶縁膜118と同一工程を経て形成された絶縁膜をトランジスタの保護絶縁膜として利用
することができる。また、例えば、導電膜114と同一工程を経て形成された導電膜をト
ランジスタの第2のゲート電極として利用することができる。なお、導電膜114と同一
工程を経て形成された導電膜をトランジスタの第2のゲート電極として利用する場合、絶
縁膜118と同一工程を経て形成された絶縁膜をトランジスタの第2のゲート絶縁膜とし
て機能させることができる。なお、容量素子を構成する絶縁膜の厚い領域および薄い領域
は、多諧調マスク(グレイトーンマスクともいう。)を用いたフォトリソグラフィ工程に
よって形成しても構わない。多諧調マスクを用いることよって、フォトマスク数を低減す
ることが可能となり、生産性を高めることができる場合がある。
ることができる。半導体装置の一例としては、表示装置、記憶装置、プロセッサなどが挙
げられる。図1(A)、図1(B)および図1(C)に示す容量素子は、占有面積当たり
の容量が大きい容量素子であるため、表示品位の高い表示装置、保持特性の優れた記憶装
置、消費電力の小さいプロセッサなどを実現することができる。また、高精細の表示装置
、集積度の高い記憶装置およびプロセッサを実現することができる。
も一部に、透光性を有する導電膜を用いてもよい。その場合、例えば、該容量素子を用い
た表示装置の開口率を高めることができる場合がある。または、該容量素子を用いた表示
装置の消費電力を低減することができる場合がある。
状況に応じて、容量素子は、容量素子が有する絶縁膜が薄くなくてもよい。
以下では、本発明の一態様に係る表示装置について、図2乃至図14を用いて説明する。
(発光表示素子ともいう。)などを用いることができる。発光素子は、電流または電圧に
よって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL、有機ELな
どを含む。また、電子インク、電気泳動素子など、電気的作用によりコントラストが変化
する表示媒体や、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイパネル
(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)、デジタルマイ
クロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マイクロ・シャッター)、IMOD
(インターフェアレンス・モジュレーション)素子、エレクトロウェッティング素子、圧
電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、も表示素子として適用するこ
とができる。以下では、表示装置の一例としてEL素子を用いた表示装置(EL表示装置
)および液晶素子を用いた表示装置(液晶表示装置)について説明する。
ントローラを含むICなどを実装した状態にあるモジュールとを含む。
た、コネクター、例えばFPC、TCPが取り付けられたモジュール、TCPの先にプリ
ント配線板を有するモジュールまたは表示素子にCOG方式によりIC(集積回路)が直
接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
の画素の回路図を示す。図2(B)は、EL表示装置全体を示す上面図である。また、図
2(C)は、図2(B)の一点鎖線M−Nの一部に対応するM−N断面である。
容量素子、抵抗素子など)などが有するすべての端子について、その接続先を特定しなく
ても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接続
先を特定しなくても、発明の一態様が明確であるといえる。そして、接続先が特定された
内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明細
書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先として複
数の箇所が想定される場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定する必要はない。
したがって、能動素子(トランジスタ、ダイオードなど)、受動素子(容量素子、抵抗素
子など)などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発
明の一態様を構成することが可能な場合がある。
者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少な
くとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。つ
まり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であるといえる。そして、機能が特定され
た発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。し
たがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一態
様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。または
、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様として
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
素子742と、発光素子719と、を有する。
ことが可能である。逆に、図2(A)の各ノードにおいて、トランジスタ、スイッチ、受
動素子などを追加しないようにすることも可能である。
電極と電気的に接続される。トランジスタ741のソースは容量素子742の他方の電極
と電気的に接続され、発光素子719の一方の電極と電気的に接続される。トランジスタ
741のドレインは電源電位VDDが与えられる。スイッチ素子743の他端は信号線7
44と電気的に接続される。発光素子719の他方の電極は定電位が与えられる。なお、
定電位は接地電位GNDまたはそれより小さい電位とする。
ことで、画素の面積を小さくでき、解像度の高いEL表示装置とすることができる。また
、スイッチ素子743として、トランジスタ741と同一工程を経て作製されたトランジ
スタを用いると、EL表示装置の生産性を高めることができる。
0と、シール材734と、駆動回路735と、駆動回路736と、画素737と、FPC
732と、を有する。シール材734は、画素737、駆動回路735および駆動回路7
36を囲むように基板700と基板750との間に配置される。なお、駆動回路735ま
たは/および駆動回路736をシール材734の外側に配置しても構わない。
る。
704a上の絶縁膜712aと、絶縁膜712a上の絶縁膜712bと、絶縁膜712b
上にあり導電膜704aと重なる半導体膜706と、半導体膜706と接する導電膜71
6aおよび導電膜716bと、半導体膜706上、導電膜716a上および導電膜716
b上の絶縁膜718aと、絶縁膜718a上の絶縁膜718bと、絶縁膜718b上の絶
縁膜718cと、絶縁膜718c上にあり半導体膜706と重なる導電膜714aと、を
有する構造を示す。なお、トランジスタ741の構造は一例であり、図2(C)に示す構
造と異なる構造であっても構わない。
極として機能し、絶縁膜712aおよび絶縁膜712bはゲート絶縁膜として機能し、導
電膜716aはソース電極として機能し、導電膜716bはドレイン電極として機能し、
絶縁膜718a、絶縁膜718bおよび絶縁膜718cはゲート絶縁膜として機能し、導
電膜714aはゲート電極として機能する。なお、半導体膜706は、光が当たることで
電気特性が変動する場合がある。したがって、導電膜704a、導電膜716a、導電膜
716b、導電膜714aのいずれか一以上が遮光性を有すると好ましい。
が明確でない場合があることを示す。例えば、絶縁膜718aおよび絶縁膜718bとし
て、同種の絶縁膜を用いた場合、観察手法によっては両者の区別が付かない場合がある。
の絶縁膜712aと、絶縁膜712a上の絶縁膜712bと、絶縁膜712b上にあり導
電膜704bと重なる導電膜716aと、導電膜716a上の絶縁膜718aと、絶縁膜
718a上の絶縁膜718bと、絶縁膜718b上の絶縁膜718cと、絶縁膜718c
上にあり導電膜716aと重なる導電膜714bと、を有し、導電膜716aおよび導電
膜714bの重なる領域で、絶縁膜718aおよび絶縁膜718bの一部が除去されてい
る構造を示す。
し、導電膜716aは他方の電極として機能する。
ができる。また、導電膜704aおよび導電膜704bを同種の導電膜とすると好ましい
。その場合、導電膜704aおよび導電膜704bは、同一工程を経て形成することがで
きる。また、導電膜714aおよび導電膜714bを同種の導電膜とすると好ましい。そ
の場合、導電膜714aおよび導電膜714bは、同一工程を経て形成することができる
。
。図1(A)に示した容量素子と同様に、占有面積当たりの容量が大きい容量素子である
。したがって、図2(C)は表示品位の高いEL表示装置である。なお、図2(C)に示
す容量素子742は、導電膜716aおよび導電膜714bの重なる領域を薄くするため
、絶縁膜718aおよび絶縁膜718bの一部が除去された構造を有するが、本発明の一
態様に係る容量素子はこれに限定されるものではない。例えば、導電膜716aおよび導
電膜714bの重なる領域を薄くするため、絶縁膜718cの一部が除去された構造を有
しても構わない。
ても構わない。例えば、図3(A)は、容量素子742として、図1(B)に示した容量
素子と類似した構造を有するEL表示装置である。具体的には、図3(A)に示す容量素
子742は、導電膜704bおよび導電膜716aの重なる領域で、絶縁膜712bの一
部が除去された構造を有する。なお、図3(A)に示す容量素子742は、導電膜704
bおよび導電膜716aの重なる領域を薄くするため、絶縁膜712bの一部が除去され
た構造を有するが、本発明の一態様に係る容量素子はこれに限定されるものではない。例
えば、導電膜704bおよび導電膜716aの重なる領域を薄くするため、絶縁膜712
aの一部が除去された構造を有しても構わない。
異なる構造であっても構わない。例えば、図3(B)は、容量素子742として、図1(
C)に示した容量素子と類似した構造を有するEL表示装置である。具体的には、図3(
B)に示す容量素子742は、導電膜704bおよび導電膜716aの重なる領域で、絶
縁膜712bの一部が除去され、導電膜716aおよび導電膜714bの重なる領域で、
絶縁膜718aおよび絶縁膜718bの一部が除去された構造を有する。なお、図3(B
)に示す容量素子742は、導電膜716aおよび導電膜714bの重なる領域を薄くす
るため、絶縁膜718aおよび絶縁膜718bの一部が除去された構造を有するが、本発
明の一態様に係る容量素子はこれに限定されるものではない。例えば、導電膜716aお
よび導電膜714bの重なる領域を薄くするため、絶縁膜718cの一部が除去された構
造を有しても構わない。また、図3(B)に示す容量素子742は、導電膜704bおよ
び導電膜716aの重なる領域を薄くするため、絶縁膜712bの一部が除去された構造
を有するが、本発明の一態様に係る容量素子はこれに限定されるものではない。例えば、
導電膜704bおよび導電膜716aの重なる領域を薄くするため、絶縁膜712aの一
部が除去された構造を有しても構わない。
41のソース電極として機能する導電膜716aを有する構造を示した。図4には、容量
素子742の一部に半導体膜707を有する構造を示す。
の絶縁膜712aと、絶縁膜712a上の絶縁膜712bと、絶縁膜712b上にあり導
電膜704bと重なる半導体膜707と、半導体膜707上の絶縁膜718aと、絶縁膜
718a上の絶縁膜718bと、絶縁膜718b上の絶縁膜718cと、絶縁膜718c
上にあり半導体膜707と重なる導電膜714bと、を有し、半導体膜707および導電
膜714bの重なる領域で、絶縁膜718aおよび絶縁膜718bの一部が除去されてい
る構造を示す。
しい。したがって、半導体膜707が縮退半導体であると好ましい。ただし、半導体膜7
07のキャリア密度が低い場合でも、導電膜704bまたは/および導電膜714bから
の電界によって半導体膜707にキャリアを誘起させることができる。
合、半導体膜706および半導体膜707は、同一工程を経て形成することができる。
リア密度の低い半導体膜を用いると好ましい。一方、半導体膜707は、容量素子742
の電極として機能するため、キャリア密度の高い半導体膜を用いると好ましい。したがっ
て、半導体膜706および半導体膜707を、同一工程を経て形成する場合、後の工程に
よってそれぞれのキャリア密度が適切になるよう作り分けると好ましい。
成し、後の工程で半導体膜706のキャリア密度を低減させてもよい。半導体膜706の
キャリア密度を低減させる方法としては、例えば、半導体膜706がn型半導体である場
合はアクセプターを注入すればよいし、半導体膜706がp型半導体である場合はドナー
を注入すればよい。または、半導体膜706のキャリア発生源を低減すればよい。例えば
、半導体膜706が酸化物半導体膜である場合、酸化物半導体膜中の酸素欠損が水素を捕
獲することで電子を生成することがある。したがって、酸化物半導体膜の場合、酸素を供
給することで酸素欠損を低減させるか、熱などを加えることで水素を低減させることでも
半導体膜706のキャリア密度を低減させることができる。
体膜を形成し、後の工程で半導体膜707のキャリア密度を増大させてもよい。半導体膜
707のキャリア密度を増大させる方法としては、例えば、半導体膜707にドーパント
を注入すればよい。または、半導体膜707のキャリア発生源を形成すればよい。例えば
、半導体膜707が酸化物半導体膜である場合、酸化物半導体膜中の酸素欠損に水素を捕
獲させることで電子を生成させることができる。したがって、酸化物半導体膜の場合、還
元性の環境にて酸素を脱離させるか、水素を供給することでも半導体膜707のキャリア
密度を増大させることができる。
707中でキャリア発生源となる不純物を含む絶縁膜を用いることで、半導体膜707の
キャリア密度を増大させてもよい。具体的には、半導体膜707が酸化物半導体膜である
場合、絶縁膜718cとして水素を含む絶縁膜を用いることで、半導体膜707のキャリ
ア密度を増大させることができる。水素を含む絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸
化シリコン膜などを用いると好ましい。したがって、絶縁膜718cと半導体膜707が
接する構造とすることで、容量素子742の容量を大きくすることと同時に、半導体膜7
07のキャリア密度を増大させることができる。そのため、表示装置を作製するための工
程数が少なくなり、表示装置の生産性を高めることができる。
る領域を薄くするため、絶縁膜718aおよび絶縁膜718bの一部が除去された構造を
有するが、本発明の一態様に係る容量素子はこれに限定されるものではない。例えば、半
導体膜707および導電膜714bの重なる領域を薄くするため、絶縁膜718cの一部
が除去された構造を有しても構わない。
2と異なる例を示す。図4(B)に示す容量素子742は、導電膜704bおよび半導体
膜707の重なる領域で、絶縁膜712bの一部が除去された構造を有する。なお、図4
(B)に示す容量素子742は、導電膜704bおよび半導体膜707の重なる領域を薄
くするため、絶縁膜712bの一部が除去された構造を有するが、本発明の一態様に係る
容量素子はこれに限定されるものではない。例えば、導電膜704bおよび半導体膜70
7の重なる領域を薄くするため、絶縁膜712aの一部が除去された構造を有しても構わ
ない。
32は、端子731を介して配線733aと接続される。なお、配線733aは、トラン
ジスタ741を構成する導電膜または半導体膜のいずれかと同種の導電膜または半導体膜
を用いても構わない。
絶縁膜720は、トランジスタ741のソース電極として機能する導電膜716aに達す
る開口部を有してもよい。絶縁膜720上には、導電膜781が配置される。導電膜78
1は、絶縁膜720の開口部を介してトランジスタ741と電気的に接続してもよい。
壁784上には、隔壁784の開口部で導電膜781と接する発光層782が配置される
。発光層782上には、導電膜783が配置される。導電膜781、発光層782および
導電膜783の重なる領域が、発光素子719となる。
する。
ランジスタ751と、容量素子752と、一対の電極間に液晶の充填された素子(液晶素
子)753とを有する。
ゲートが走査線754に電気的に接続されている。
的に接続され、他方の電極が共通電位を供給する配線に電気的に接続されている。
的に接続され、他方の電極が共通電位を供給する配線に電気的に接続されている。なお、
上述した容量素子752の他方の電極が電気的に接続する配線に与えられる共通電位と、
液晶素子753の他方の電極に与えられる共通電位とが異なる電位であってもよい。
鎖線M−Nに対応する液晶表示装置の断面図を図5(B)に示す。図5(B)において、
FPC732は、端子731を介して配線733aと接続される。なお、配線733aは
、トランジスタ751を構成する導電膜または半導体膜のいずれかと同種の導電膜または
半導体膜を用いてもよい。
752は、容量素子742についての記載を参照する。なお、図5(B)には、図2(C
)の容量素子742に対応した容量素子752の構造を示したが、これに限定されない。
例えば、容量素子752を、図3(A)、図3(B)、図4(A)または図4(B)に表
記の容量素子742に対応した構造としても構わない。
小さいトランジスタとすることができる。したがって、容量素子752に保持された電荷
がリークしにくく、長期間に渡って液晶素子753に印加される電圧を維持することがで
きる。そのため、動きの少ない動画や静止画の表示の際に、トランジスタ751をオフ状
態とすることで、トランジスタ751の動作のための電力が不要となり、消費電力の小さ
い液晶表示装置とすることができる。また、容量素子752の占有面積を小さくできるた
め、開口率の高い液晶表示装置、または高精細化した液晶表示装置を提供することができ
る。
絶縁膜721は、トランジスタ751に達する開口部を有する。絶縁膜721上には、導
電膜791が配置される。導電膜791は、絶縁膜721の開口部を介してトランジスタ
751と電気的に接続する。
には、液晶層793が配置される。液晶層793上には、配向膜として機能する絶縁膜7
94が配置される。絶縁膜794上には、スペーサ795が配置される。スペーサ795
および絶縁膜794上には、導電膜796が配置される。導電膜796上には、基板79
7が配置される。
とができる、または、表示品位の高い表示装置を提供することができる。または、高精細
の表示装置を提供することができる。
以下では、高精細のEL表示装置を構成する画素の一例を示す。
、トランジスタ972と、トランジスタ973と、トランジスタ974と、トランジスタ
975と、容量素子976と、発光素子919と、信号線SLと、電源線PL1と、電源
線PL2と、走査線GL1と、走査線GL2と、走査線GL3と、を有する。
。または、発光素子919の輝度は、画素電極および共通電極間の電位差によって決定す
る。ここでは、発光素子919の陽極が画素電極として機能し、陰極が共通電極として機
能する。
制御する機能を有する。容量素子976の他方の電極は、トランジスタ972のソース、
ドレインの一方と電気的に接続する。トランジスタ973は、電源線PL2と、トランジ
スタ972のゲートとの間の導通状態を制御する機能を有する。トランジスタ974は、
容量素子976の一方の電極と、トランジスタ972のゲートとの間の導通状態を制御す
る機能を有する。トランジスタ975は、トランジスタ972のソース、ドレインの一方
と、発光素子919の陽極との間の導通状態を制御する機能を有する。トランジスタ97
2は、電源線PL1と、容量素子976の他方の電極との導通状態を制御する機能を有す
る。
る走査線GL1の電位によって制御される。トランジスタ973の導通状態は、トランジ
スタ973のゲートと電気的に接続する走査線GL1の電位によって制御される。トラン
ジスタ974の導通状態は、トランジスタ974のゲートと電気的に接続する走査線GL
2の電位によって制御される。トランジスタ975の導通状態は、トランジスタ975の
ゲートと電気的に接続する走査線GL3の電位によって制御される。
よびトランジスタ975には、酸化物半導体またはシリコンを用いると好ましい。トラン
ジスタ971、トランジスタ973およびトランジスタ974に酸化物半導体を用いると
、トランジスタ971、トランジスタ973およびトランジスタ974のオフ電流を極め
て小さくすることができるため、特に好ましい。そして、上記構成を有するトランジスタ
971、トランジスタ973およびトランジスタ974を画素に用いることで、シリコン
やゲルマニウムなどの半導体で形成されたトランジスタを用いる場合に比べて、トランジ
スタ972のゲートに蓄積された電荷のリークを防ぐことができる。
報を有する画像信号が書き込まれる場合などは、駆動周波数を低くすることができる。言
い換えると一定期間内における画素部への画像信号の書き込み回数を少なくしても、画像
の表示を維持することができる。例えば、高純度化された酸化物半導体をトランジスタ9
71、トランジスタ973およびトランジスタ974に用いることで、画像信号の書き込
みの間隔を10秒以上、30秒以上、または1分以上にすることができる。画像信号が書
き込まれる間隔を長くすればするほど、消費電力をより低減することができる。
ンジスタ972のゲートの電位を保持するための容量素子976の容量を小さくしても、
表示される画質が低下するのを防ぐことができる。即ち、容量素子976の占有面積を縮
小することが可能となるため、画素の開口率を高めることができる。そのため、発光素子
919の長寿命化を実現し、EL表示装置の信頼性を高めることができる。
子、容量素子、インダクタなどのその他の素子を、さらに有していてもよい。
73およびトランジスタ975は、第2のゲート(バックゲートともいう。)を有する。
トランジスタ971、トランジスタ972、トランジスタ973およびトランジスタ97
5において、第2のゲートはゲートと電気的に接続されている。したがって、第2のゲー
トから印加される電界の分だけ、ドレイン電流を増加させることができる。また、第2の
ゲートを有することで、トランジスタのドレイン電流を飽和させるためのドレイン電圧が
小さくできる。即ち、ドレイン電流を一定にすることが容易となるため、発光素子919
に電流を安定して流すことができる。そのため、発光素子919における諧調の制御が容
易となり、表示品位の高い表示装置を実現することができる。
トランジスタ974のゲートに係る寄生容量を小さくすることによって、画素内における
しきい値電圧補正の能力を向上させることができるためである。
トランジスタ975は第2のゲートを有し、トランジスタ974は第2のゲートを有さな
い場合について例示しているが、これに限定されるものではない。第2のゲートの有無は
、トランジスタの構造などによって適宜変更することができる。
素内のトランジスタが全て同じチャネル型である場合、画素内に異なるチャネル型のトラ
ンジスタを有する場合と比べてトランジスタの作製工程を簡略化することができる。ただ
し、本発明の一態様に係るEL表示装置は、画素内のトランジスタの全てがnチャネル型
である場合に限定されない。
グチャートである。図7(B)には、図7(A)における初期化動作を行う期間T1に対
応した、走査線GL1乃至走査線GL3の電位、およびトランジスタ971乃至トランジ
スタ975の導通状態を示す。なお、走査線GL1乃至走査線GL3の電位がローレベル
である場合Lを、ハイレベルである場合Hを表記する。
の電位が与えられ、走査線GL3にハイレベルの電位が与えられる。したがって、トラン
ジスタ975が導通状態となり、トランジスタ971、トランジスタ973およびトラン
ジスタ974が非導通状態となる。なお、期間T1では、一つ前の発光動作の影響により
トランジスタ972が導通状態から始まる。
atが与えられる。また、電源線PL2には、電位V0が与えられ、信号線SLには画像
信号の電位Vdataが与えられる。なお、電位V0は、トランジスタ972のしきい値
電圧Vthおよび発光素子919のしきい値電圧Vtheに電位Vcatを加えた電位よ
りも高く、トランジスタ972のしきい値電圧Vthに電位Vanoを加えた電位よりも
低いことが好ましい。
ードAにおける電位を、発光素子919のしきい値電圧Vtheの近傍の電位に初期化す
ることができる。
2のしきい値電圧Vthを取得する期間T2に対応した、走査線GL1乃至走査線GL3
の電位、およびトランジスタ971乃至トランジスタ975の導通状態を示す。
の電位が与えられ、走査線GL3にローレベルの電位が与えられる。期間T2では、トラ
ンジスタ972のゲートに電位V0が与えられる。したがって、トランジスタ972を介
して容量素子976の電荷が放出され、電位VcatだったノードAの電位が上昇し始め
る。最終的には、ノードAの電位がV0−Vthとなると、トランジスタ972のゲート
電圧がしきい値電圧Vthまで小さくなり、トランジスタ972が非導通状態となる。ま
た、容量素子976の一方の電極(ノードBとして表記する。)には、電位Vdataが
与えられる。
査線GL3の電位、およびトランジスタ971乃至トランジスタ975の導通状態を示す
。
の電位が与えられ、走査線GL3にハイレベルの電位が与えられる。期間T3では、トラ
ンジスタ974およびトランジスタ975が導通状態となる。また、トランジスタ971
およびトランジスタ973が非導通状態となる。なお、期間T2から期間T3に移行する
際、走査線GL1に与える電位をハイレベルからローレベルに切り替えてから、走査線G
L2および走査線GL3に与える電位をローレベルからハイレベルに切り替えることが好
ましい。こうすることで、走査線GL1に与える電位の切り替えに伴う、ノードAにおけ
る電位の変動を抑制することができる。
れるため、トランジスタ972のゲート電圧VgsがVdata−V0+Vthとなる。
したがって、トランジスタ972のゲート電圧Vgsを、しきい値電圧Vthが加えられ
た値とすることができる。
.5β(Vgs−Vth)2と表される。ここで、βは、トランジスタに固有のパラメー
タであり、具体的にはβ=(W/L)・μFE・Coxで表される。なお、Wはトランジ
スタのチャネル幅を示し、Lはトランジスタのチャネル長を示し、μFEはトランジスタ
の電界効果移動度を示し、Coxはトランジスタのゲート容量を示す。ここで、ゲート電
圧Vgs=Vdata−V0+Vthを代入すると、IOLED=0.5β(Vdata
−V0)2と表される。
hのばらつきが、発光素子919に供給される電流値IOLEDに及ぼす影響を低減する
ことができる回路構成を有することがわかる。また、トランジスタ972が劣化すること
でしきい値電圧Vthが変動した場合でも、発光素子919に供給される電流値IOLE
Dに及ぼす影響を低減することができる。そのため、表示ムラの小さい表示装置を提供す
ることができる。
いて、図6(B)および図6(C)を用いて説明する。ただし、図6(B)および図6(
C)では、理解を容易にするため、発光素子919など一部の構成を省略して示す。
示装置の画素一つの大きさはxμm×yμmとして表される。デザインルールにもよるが
、例えば、EL表示装置の画素一つの大きさは38.25μm×12.75μm(664
ppi相当)とすることができる。
れないことが問題となる場合がある。図6(A)に示す回路構成であれば、容量素子97
6は、トランジスタ972のゲートに係る寄生容量の好ましくは2倍、さらに好ましくは
5倍、より好ましくは10倍の容量とすればよい。
である。
膜904aおよび導電膜904b上の絶縁膜912aと、絶縁膜912a上の絶縁膜91
2bと、絶縁膜912b上にあり導電膜904aと重なる半導体膜906と、半導体膜9
06と接する導電膜916aおよび導電膜916bと、半導体膜906上、導電膜916
a上および導電膜916b上の絶縁膜918aと、絶縁膜918a上の絶縁膜918bと
、絶縁膜918b上の絶縁膜918cと、絶縁膜918c上にあり半導体膜906と重な
る導電膜914aと、絶縁膜918c上にあり導電膜916bと重なる導電膜914bと
、絶縁膜918c上、導電膜914a上および導電膜914b上の絶縁膜908と、絶縁
膜908上の導電膜926a、導電膜926bおよび導電膜926cと、を有する。
膜908の開口部を介して、導電膜916bと電気的に接続する。また、導電膜914a
は、絶縁膜912a、絶縁膜912b、絶縁膜918a、絶縁膜918bおよび絶縁膜9
18cの開口部を介して導電膜904aと電気的に接続する。また、絶縁膜918aおよ
び絶縁膜918bは、導電膜916a上の一部に開口部を有し、該開口部において導電膜
916aと絶縁膜918cとが接する。
aおよび絶縁膜912bはゲート絶縁膜として機能し、導電膜916aはソース電極とし
て機能し、導電膜916bはドレイン電極として機能し、絶縁膜918a、絶縁膜918
bおよび絶縁膜918cはゲート絶縁膜として機能し、導電膜914aはゲート電極とし
て機能する。
て機能し、導電膜916aは他方の電極として機能する。
トランジスタ975については、トランジスタ741についての記載を参酌する。同様に
、トランジスタ971、トランジスタ972、トランジスタ973およびトランジスタ9
74についても、トランジスタ741についての記載を参酌する。また、容量素子976
は、容量素子742と類似の構造を有する。したがって、容量素子976については、容
量素子742についての記載を参酌する。
め、高精細なEL表示装置に適した構造といえる。
16を用いて説明する。なお、上面図を図9(A)、図10(A)、図11(A)、図1
2(A)、図13(A)、図14(A)、図15(A)および図16(A)に示し、それ
ぞれに対応する断面図を図9(B)、図10(B)、図11(B)、図12(B)、図1
3(B)、図14(B)、図15(B)および図16(B)に示す。
d、導電膜904eおよび導電膜904fを形成する(図9(A)および図9(B)参照
。)。なお、導電膜904aは、走査線GL3、およびトランジスタ975のゲート電極
として機能する。また、導電膜904bは、容量素子976の一方の電極として機能する
。また、導電膜904cは、電源線PL2として機能する。また、導電膜904dは、走
査線GL1、ならびにトランジスタ971およびトランジスタ973のゲート電極として
機能する。導電膜904eは、走査線GL2、およびトランジスタ974のゲート電極と
して機能する。導電膜904fは、トランジスタ972のゲート電極として機能する。
。なお、絶縁膜912aおよび絶縁膜912bは、トランジスタ971、トランジスタ9
72、トランジスタ973、トランジスタ974およびトランジスタ975のゲート絶縁
膜として機能する。
906b、半導体膜906cおよび半導体膜906dを形成する(図10(A)および図
10(B)参照。)。なお、半導体膜906は、トランジスタ975の半導体膜として機
能する。また、半導体膜906aは、トランジスタ971の半導体膜として機能する。ま
た、半導体膜906bは、トランジスタ974の半導体膜として機能する。また、半導体
膜906cは、トランジスタ973の半導体膜として機能する。また、半導体膜906d
は、トランジスタ972の半導体膜として機能する。
、導電膜904cに達する開口部928b、および導電膜904fに達する開口部928
cを形成する(図11(A)および図11(B)参照。)。
916e、導電膜916fおよび導電膜916gを形成する。導電膜916dは、開口部
928aを介して導電膜904bと電気的に接続する。また、導電膜916fは、開口部
928bを介して導電膜904c電気的に接続する。また、導電膜916gは、開口部9
28cを介して導電膜904fと電気的に接続する(図11(A)および図11(B)参
照。)。なお、導電膜916aは、トランジスタ972のソース電極、トランジスタ97
5のドレイン電極、および容量素子976の他方の電極として機能する。また、導電膜9
16bは、トランジスタ975のソース電極として機能する。また、導電膜916cは、
トランジスタ971のソース電極またはドレイン電極として機能する。また、導電膜91
6dは、トランジスタ971のソース電極またはドレイン電極、およびトランジスタ97
4のソース電極またはドレイン電極として機能する。また、導電膜916eは、トランジ
スタ972のドレイン電極として機能する。また、導電膜916fは、トランジスタ97
3のソース電極またはドレイン電極として機能する。また、導電膜916gは、トランジ
スタ973のソース電極またはドレイン電極、およびトランジスタ974のソース電極ま
たはドレイン電極として機能する。
8aおよび絶縁膜918bに、導電膜916aに達する開口部938を形成する。次に、
絶縁膜918cを形成する(図12(A)および図12(B)参照。)。なお、絶縁膜9
18a、絶縁膜918bおよび絶縁膜918cは、トランジスタ971、トランジスタ9
72、トランジスタ973、トランジスタ974およびトランジスタ975のゲート絶縁
膜として機能する。
る開口部938b、導電膜916dに達する開口部938c、導電膜916cに達する開
口部938d、導電膜916gに達する開口部938f、および導電膜916eに達する
開口部938gを形成する。また、絶縁膜912a、絶縁膜912b、絶縁膜918a、
絶縁膜918bおよび絶縁膜918cに、導電膜904aに達する開口部938aを形成
する(図13(A)および図13(B)参照。)。
成する。導電膜914aは、開口部938aを介して導電膜904aと電気的に接続する
。また、導電膜914bは、開口部938cを介して導電膜916dと電気的に接続する
。ここで、前述のとおり、導電膜916dは導電膜904bと電気的に接続する。即ち、
導電膜914bは導電膜904bと電気的に接続する。また、導電膜914cは、開口部
938eを介して導電膜904dと電気的に接続する。また、導電膜914dは、開口部
938fを介して導電膜916gと電気的に接続する。ここで、前述のとおり、導電膜9
16gは導電膜904fと電気的に接続する。即ち、導電膜914dは導電膜904fと
電気的に接続する。なお、導電膜914aは、トランジスタ975のゲート電極として機
能する。また、導電膜914bは、容量素子976の一方の電極として機能する。また、
導電膜914cは、トランジスタ971およびトランジスタ973のゲート電極として機
能する。また、導電膜914dは、トランジスタ972のゲート電極として機能する。
948a、開口部938gと重なる開口部948bおよび開口部938dと重なる開口部
948cを形成する(図14(A)および図14(B)参照。)。
aは、開口部948cを介して導電膜916cと電気的に接続する。また、導電膜926
bは、開口部948aを介して導電膜916bと電気的に接続する。また、導電膜926
cは、開口部948bを介して導電膜916eと電気的に接続する。なお、導電膜926
aは信号線として機能する。また、導電膜926cは電源線PL1として機能する。
後の、EL表示装置の作製方法について、図15および図16に示す。
膜928を形成する。次に、絶縁膜928に、導電膜926bに達する開口部958を形
成する(図15(A)および図15(B)参照。)。
と電気的に接続する(図15(A)および図15(B)参照。)。なお、導電膜934は
、発光素子919の一方の電極として機能する。
A)および図16(B)参照。)。透明膜932を形成することで、光の共振効果を利用
した微小光共振器(マイクロキャビティー)構造を形成でき、発光素子919から取り出
される発光スペクトルのピークを急峻かつ高強度にすることができる。したがって、透明
膜932を有することによって、EL表示装置の輝度および色純度を高めることができる
。なお、透明膜932の厚さ(層数)や種類は、画素の発光色ごとに変更することが好ま
しい。ただし、透明膜932を形成しなくても構わない。
有する(図16(A)および図16(B)参照。)。絶縁膜936は隔壁として機能する
。
で、EL表示装置を作製することができる。該EL表示装置は、高精細かつ表示品位の高
いEL表示装置である。
Vgsの値を計算により求めた。なお、計算には、SILVACO社製アナログ回路シミ
ュレータSmartSpice、および高精度3次元寄生素子抽出ツールCleverを
用いた。
た各膜の厚さを下記の表1に示す。
D構造は、GEOMETRICAL MODEのMANHATTAN−TYPEとした。
また、回路規模は、縦3画素×横3画素のマトリックスとした。
の計算は、信号線SLの電位Vdataと電源線PL2における電位V0の差Vdata
−V0を、−1V(条件1)、−0.5V(条件2)、0V(条件3)、0.5V(条件
4)、1V(条件5)、1.5V(条件6)とした。条件1乃至条件6における各配線の
電位の値は、電源線PL1の電位Vanoを10V、発光素子919の他方の電極の電位
Vcatを−4V、電位GVDDを15V、電位GVSSを−5Vとした。なお、電位G
VDDは、走査線GL1、走査線GL2および走査線GL3にそれぞれ与えられるハイレ
ベルの電位に相当する。また、電位GVSSは、走査線GL1、走査線GL2および走査
線GL3にそれぞれ与えられるローレベルの電位に相当する。
1ではチャネル長Lが2μm、チャネル幅Wが1.5μm、トランジスタ972ではチャ
ネル長Lが6μm、チャネル幅Wが2μm、トランジスタ973ではチャネル長Lが2μ
m、チャネル幅Wが1.5μm、トランジスタ974ではチャネル長Lが3μm、チャネ
ル幅Wが1.5μm、トランジスタ975ではチャネル長Lが2μm、チャネル幅Wが2
μmとした。そして、図6に示した画素が有する全てのトランジスタにおいて、ソース電
極またはドレイン電極として機能する導電膜および半導体膜が接している領域と、ゲート
電極が形成されている領域と、が重なる領域におけるチャネル長方向の長さを0.75μ
mとした。
る。よって、図6に示した画素において、Vgs−Vth=Vdata−V0となるため
、Vgs−Vthは、理想的には、しきい値電圧Vthの値に関わらず一定の値を有する
ことを説明した。
圧Vthとの関係を示す。図17では、横軸をしきい値電圧Vth(V)、縦軸をVgs
−Vth(V)とした。図17より、しきい値電圧Vthの値が変化した場合においても
、しきい値電圧補正を行わない場合(図17破線参照。)と比べてVgs−Vthのばら
つきは45%程度に抑えられていることが分かる。
きい値電圧Vthにばらつき、または変動が生じても、その影響が低減されたトランジス
タ972のゲート電圧Vgsに補正できることがわかる。
図22は、本発明の一態様に係る表示装置に適用可能な走査線駆動回路の一例である。ま
た、該走査線駆動回路の構成要素であるシフトレジスタ(G_SRとも表記する。)、配
線G2に接続するインバータ(G2_INVとも表記する。)の端子、および配線G3に
接続するインバータ(G3_INVとも表記する。)の端子の位置を、図23(A)、図
23(B)および図23(C)にそれぞれ模式的に示す。
路の図である。また、当該回路は、図26および図27に示すように、一部のトランジス
タに第2のゲート電極を有する構成であってもよい。なお、図26および図27において
、第2のゲート電極は、第1のゲート電極と電気的に接続されている。そのようなトラン
ジスタは、第2のゲート電極を有さない同じ大きさのトランジスタと比べて高いオン電流
を有する。したがって、出力信号の電圧振幅を高くした場合でも、走査線駆動回路の占有
面積を小さくすることができる。また、図28(A)および図28(B)は、それぞれ配
線G2に接続するインバータおよび配線G3に接続するインバータとして用いることので
きる回路の図である。なお、G_VDD、G_VCC1およびG_VCC2は、高電源電
位を示す。また、G_VSS、G_VEE1、G_VEE2およびG_VEE3は低電源
電位を示す。
、動作させることができる。
以下では、本発明の一態様に用いることのできる半導体膜のうち、酸化物半導体膜につい
て説明する。
むと、キャリア移動度(電子移動度)が高くなる。また、酸化物半導体膜は、元素Mを含
むと好ましい。元素Mとして、例えば、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはス
ズなどがある。元素Mは、例えば、酸素との結合エネルギーが高い元素である。元素Mは
、例えば、酸化物のエネルギーギャップを大きくする機能を有する元素である。また、酸
化物半導体膜は、亜鉛を含むと好ましい。酸化物が亜鉛を含むと、例えば、酸化物を結晶
化しやすくなる。酸化物の価電子帯上端のエネルギーは、例えば、亜鉛の原子数比によっ
て制御できる。
、例えば、Zn−Sn酸化物、Ga−Sn酸化物であっても構わない。
エネルギーギャップは、例えば、2.5eV以上4.2eV以下、好ましくは2.8eV
以上3.8eV以下、さらに好ましくは3eV以上3.5eV以下とする。
インジウムを含むターゲットを用いると好ましい。また、元素Mの原子数比が高い酸化物
ターゲットを用いた場合、ターゲットの導電性が低くなる場合がある。インジウムを含む
ターゲットを用いる場合、ターゲットの導電率を高めることができ、DC放電、AC放電
が容易となるため、大面積の基板へ対応しやすくなる。したがって、半導体装置の生産性
を高めることができる。
:Znが3:1:1、3:1:2、3:1:4、1:1:0.5、1:1:1、1:1:
2、などとすればよい。
子数比の膜が形成される場合がある。特に、亜鉛は、ターゲットの原子数比よりも膜の原
子数比が小さくなる場合がある。具体的には、ターゲットに含まれる亜鉛の原子数比の4
0atomic%以上90atomic%程度以下となる場合がある。
タの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低減し、低キャリ
ア密度化および高純度化することが有効である。なお、酸化物半導体膜のキャリア密度は
、1×1017個/cm3未満、1×1015個/cm3未満、または1×1013個/
cm3未満とする。酸化物半導体膜中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の
不純物濃度も低減することが好ましい。
がある。そのため、酸化物半導体膜と隣接する絶縁膜との間におけるシリコン濃度を、二
次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectr
ometry)において、1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×101
8atoms/cm3未満、さらに好ましくは2×1018atoms/cm3未満とす
る。
る。酸化物半導体膜の水素濃度はSIMSにおいて、2×1020atoms/cm3以
下、好ましくは5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1019at
oms/cm3以下、さらに好ましくは5×1018atoms/cm3以下とする。ま
た、酸化物半導体膜中に窒素が含まれると、キャリア密度を増大させてしまう場合がある
。酸化物半導体膜の窒素濃度は、SIMSにおいて、5×1019atoms/cm3未
満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは1×1018at
oms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/cm3以下とする。
ると好ましい。隣接する絶縁膜の水素濃度はSIMSにおいて、2×1020atoms
/cm3以下、好ましくは5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1
019atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1018atoms/cm3以下
とする。また、酸化物半導体膜の窒素濃度を低減するために、隣接する絶縁膜の窒素濃度
を低減すると好ましい。隣接する絶縁膜の窒素濃度は、SIMSにおいて、5×1019
atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好まし
くは1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/
cm3以下とする。
単結晶酸化物半導体膜とは、CAAC−OS(C Axis Aligned Crys
talline Oxide Semiconductor)膜、多結晶酸化物半導体膜
、微結晶酸化物半導体膜、非晶質酸化物半導体膜などをいう。
晶部は、一辺が100nm未満の立方体内に収まる大きさである。したがって、CAAC
−OS膜に含まれる結晶部は、一辺が10nm未満、5nm未満または3nm未満の立方
体内に収まる大きさの場合も含まれる。
ron Microscope)によって観察すると、明確な結晶部同士の境界、即ち結
晶粒界(グレインバウンダリーともいう。)を確認することができない。そのため、CA
AC−OS膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の
各層は、CAAC−OS膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹凸を反映
した形状であり、CAAC−OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。
観察)すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していること
を確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない
。
いることがわかる。
置を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有するCAAC−OS膜
のout−of−plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属される
ことから、CAAC−OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に略
垂直な方向を向いていることが確認できる。
。
ne法による解析では、2θが56°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、
InGaZnO4の結晶の(110)面に帰属される。InGaZnO4の単結晶酸化物
半導体膜であれば、2θを56°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸(φ軸)とし
て試料を回転させながら分析(φスキャン)を行うと、(110)面と等価な結晶面に帰
属されるピークが6本観察される。これに対し、CAAC−OS膜の場合は、2θを56
°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
規則であるが、c軸配向性を有し、かつc軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行
な方向を向いていることがわかる。したがって、前述の断面TEM観察で確認された層状
に配列した金属原子の各層は、結晶のab面に平行な面である。
った際に形成される。上述したように、結晶のc軸は、CAAC−OS膜の被形成面また
は上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。したがって、例えば、CAAC−OS膜
の形状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のc軸がCAAC−OS膜の被形
成面または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
の結晶部が、CAAC−OS膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面
近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、CAA
C−OS膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分
的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
による解析では、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れ
る場合がある。2θが36°近傍のピークは、CAAC−OS膜中の一部に、c軸配向性
を有さない結晶が含まれることを示している。CAAC−OS膜は、2θが31°近傍に
ピークを示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコ
ンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化
物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる
要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径
(または分子半径)が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の
原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純
物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによって
キャリア発生源となることがある。
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜
は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、
当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性(
ノーマリーオンともいう。)になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純
度真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導
体膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとな
る。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要す
る時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が
高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定と
なる場合がある。
の変動が小さい。
ない場合がある。微結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部は、1nm以上100nm以下
、または1nm以上10nm以下の大きさであることが多い。特に、1nm以上10nm
以下、または1nm以上3nm以下の微結晶であるナノ結晶(nc:nanocryst
al)を有する酸化物半導体膜を、nc−OS(nanocrystalline Ox
ide Semiconductor)膜と呼ぶ。また、nc−OS膜は、例えば、TE
Mによる観察像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。
3nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。また、nc−OS膜は、異なる
結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、全体で配向性が見られない。した
がって、nc−OS膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かない
場合がある。例えば、nc−OS膜に対し、結晶部よりも大きい径のX線を用いるXRD
装置を用いて構造解析を行うと、out−of−plane法による解析では、結晶面を
示すピークが検出されない。また、nc−OS膜は、結晶部よりも大きいプローブ径(例
えば50nm以上)の電子線を用いる電子線回折(制限視野電子線回折ともいう。)を行
うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、nc−OS膜に対し、
結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径(例えば1nm以上30nm以下)
の電子線を用いる電子線回折(ナノビーム電子線回折ともいう。)を行うと、スポットが
観測される。また、nc−OS膜に対しナノビーム電子線回折を行うと、円を描くように
(リング状に)輝度の高い領域が観測される場合がある。また、nc−OS膜に対しナノ
ビーム電子線回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが観測される場合がある
。
ため、nc−OS膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、
nc−OS膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、nc−O
S膜は、CAAC−OS膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
AC−OS膜のうち、二種以上を有してもよい。
、2層構造、3層構造であってもよい。
よび3層目(上層)は、2層目を構成する酸素以外の元素一種以上、または二種以上から
構成される酸化物半導体膜である。2層目を構成する酸素以外の元素一種以上、または二
種以上から1層目および3層目が構成されるため、1層目と2層目との界面、および2層
目と3層目との界面において、界面準位が形成されにくい。
とするとき、好ましくはInが50atomic%未満、Mが50atomic%より高
く、さらに好ましくはInが25atomic%未満、Mが75atomic%より高く
する。また、2層目がIn−M−Zn酸化物のとき、InおよびMの和を100atom
ic%とするとき、好ましくはInが25atomic%より高く、Mが75atomi
c%未満、さらに好ましくはInが34atomic%より高く、Mが66atomic
%未満とする。また、3層目がIn−M−Zn酸化物のとき、InおよびMの和を100
atomic%とするとき、Inが50atomic%未満、Mが50atomic%よ
り高く、さらに好ましくはInが25atomic%未満、Mが75atomic%より
高くする。なお、3層目は、1層目と同種の酸化物を用いても構わない。
また、2層目と3層目との間には、2層目と3層目との混合領域を有する場合がある。混
合領域は、界面準位密度が低くなる。そのため、1層目、2層目および3層目の積層体は
、それぞれの界面近傍において、エネルギーが連続的に変化する(連続接合ともいう。)
バンド構造となる。
目として、1層目および3層目よりも電子親和力の0.07eV以上1.3eV以下、好
ましくは0.1eV以上0.7eV以下、さらに好ましくは0.15eV以上0.4eV
以下大きい酸化物を用いる。なお、電子親和力は、真空準位と伝導帯下端のエネルギーと
の差である。
の大きい2層目にチャネルが形成される。
い。例えば、3層目は、10nm未満、好ましくは5nm以下、さらに好ましくは3nm
以下とする。一方、3層目は、チャネルの形成される2層目へ、隣接する絶縁膜を構成す
る酸素以外の元素(シリコンなど)が入り込まないようブロックする機能を有する。その
ため、3層目は、ある程度の厚さを有することが好ましい。例えば、3層目の厚さは、0
.3nm以上、好ましくは1nm以上、さらに好ましくは2nm以上とする。
は、1層目の厚さは、20nm以上、好ましくは30nm以上、さらに好ましくは40n
m以上、より好ましくは60nm以上とする。1層目の厚さを、20nm以上、好ましく
は30nm以上、さらに好ましくは40nm以上、より好ましくは60nm以上とするこ
とで、隣接する絶縁膜と1層目との界面からチャネルの形成される2層目までを20nm
以上、好ましくは30nm以上、さらに好ましくは40nm以上、より好ましくは60n
m以上離すことができる。ただし、半導体装置の生産性が低下する場合があるため、1層
目の厚さは、200nm以下、好ましくは120nm以下、さらに好ましくは80nm以
下とする。
9atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3未満、さらに好
ましくは2×1018atoms/cm3未満とする。また、2層目と3層目との間にお
けるシリコン濃度を、SIMSにおいて、1×1019atoms/cm3未満、好まし
くは5×1018atoms/cm3未満、さらに好ましくは2×1018atoms/
cm3未満とする。
好ましい。1層目および3層目の水素濃度はSIMSにおいて、2×1020atoms
/cm3以下、好ましくは5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1
019atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1018atoms/cm3以下
とする。また、2層目の窒素濃度を低減するために、1層目および3層目の窒素濃度を低
減すると好ましい。1層目および3層目の窒素濃度は、SIMSにおいて、5×1019
atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好まし
くは1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/
cm3以下とする。
ない。
以下では、本発明の一態様の半導体装置を適用した表示モジュールについて、図18を用
いて説明を行う。
間に、FPC8003に接続されたタッチパネル8004、FPC8005に接続された
表示パネル8006、バックライトユニット8007、フレーム8009、プリント基板
8010、バッテリー8011を有する。なお、バックライトユニット8007、バッテ
リー8011、タッチパネル8004などを有さない場合もある。
ル8006のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
006に重畳して用いることができる。また、表示パネル8006の対向基板(封止基板
)に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。または、表示パネル8
006の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。ま
たは、表示パネル8006の各画素内にタッチセンサ用電極を設け、静電容量方式のタッ
チパネルとすることも可能である。
ユニット8007の端部に設け、光拡散板を用いる構成としてもよい。
により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有してもよい。また
フレーム8009は、放熱板としての機能を有していてもよい。
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
もよいし、別途設けたバッテリー8011による電源であってもよい。商用電源を用いる
場合には、バッテリー8011を有さなくてもよい。
加して設けてもよい。
以下では、本発明の一態様の表示装置が適用された電子機器や照明装置の例について、図
面を参照して説明する。
装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デ
ジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯情報端末(携帯電
話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ
機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
の曲面に沿って組み込むことも可能である。
01に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404
、スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯情報端末7400は
、表示装置を表示部7402に用いることにより作製される。
情報を入力することができる。また、電話を掛ける、または文字を入力するなどのあらゆ
る操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
れる画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュ
ー画面に切り替えることができる。
て、湾曲した表示部を備え、かつ信頼性の高い携帯情報端末とすることができる。
は、筐体7101、表示部7102、操作ボタン7103、および送受信装置7104を
備える。
映像を表示部7102に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信す
ることもできる。
、または音声のボリュームの調整などを行うことができる。
て、湾曲した表示部を備え、かつ信頼性の高い携帯表示装置とすることができる。
明装置7220はそれぞれ、操作スイッチ7203を備える台部7201と、台部720
1に支持される発光部を有する。
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置7210を中心に全
方位を照らすことができる。
がって、発光部7222からの発光を、照明装置7220の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。
を有しているため、当該発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材で固定し、用
途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、湾曲した表示部を備え、かつ信頼性
の高い照明装置とすることができる。
表示部7302、操作ボタン7303、引き出し部材7304、制御部7305を備える
。
7302を備える。表示部7302は、遮光層などが形成された第1の基板と、トランジ
スタなどが形成された第2の基板を有する。表示部7302は、筐体7301内において
常に第2の基板が外側になるように巻かれている。
を表示部7302に表示することができる。また、制御部7305にはバッテリーを備え
る。また、制御部7305にコネクターを備え、映像信号や電力を直接供給する構成とし
てもよい。
等を行うことができる。
この状態で表示部7302に映像を表示することができる。また、筐体7301の表面に
配置された操作ボタン7303によって、片手で容易に操作することができる。
2の端部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
って音声を出力する構成としてもよい。
部7302はフレキシブルでかつ信頼性の高い表示装置であるため、表示装置7300は
軽量でかつ信頼性の高い表示装置とすることができる。
特に限定されないことは言うまでもない。
宜組み合わせて用いることができる。
数のトランジスタを有する。また、40%を超える高い開口率を有する。
するインバータの端子、および配線G3に接続するインバータの端子の位置は、図23(
A)、図23(B)および図23(C)にそれぞれ示した通りである。なお、該走査線駆
動回路の構成要素であるシフトレジスタには、図26に示したシフトレジスタを用いた。
8kHzである。このとき、配線G1の出力信号の振幅電圧は、およそ20Vであった。
即ち、本実施例で作製したEL表示装置は、短い選択期間においても、配線G1を十分に
充電できていることがわかる。
標を示す。図31より、NTSC比は84%より高いことがわかる。よって、図21およ
び図31より、本実施例で作製したEL表示装置は、素子の密度が高いにも関わらず、高
い表示品位を有することがわかる。
104 導電膜
112 絶縁膜
114 導電膜
116 導電膜
118 絶縁膜
700 基板
704a 導電膜
704b 導電膜
706 半導体膜
707 半導体膜
712a 絶縁膜
712b 絶縁膜
714a 導電膜
714b 導電膜
716a 導電膜
716b 導電膜
718a 絶縁膜
718b 絶縁膜
718c 絶縁膜
719 発光素子
720 絶縁膜
721 絶縁膜
731 端子
732 FPC
733a 配線
734 シール材
735 駆動回路
736 駆動回路
737 画素
741 トランジスタ
742 容量素子
743 スイッチ素子
744 信号線
750 基板
751 トランジスタ
752 容量素子
753 液晶素子
754 走査線
755 信号線
781 導電膜
782 発光層
783 導電膜
784 隔壁
791 導電膜
792 絶縁膜
793 液晶層
794 絶縁膜
795 スペーサ
796 導電膜
797 基板
900 基板
904a 導電膜
904b 導電膜
904c 導電膜
904d 導電膜
904e 導電膜
904f 導電膜
906 半導体膜
906a 半導体膜
906b 半導体膜
906c 半導体膜
906d 半導体膜
908 絶縁膜
912a 絶縁膜
912b 絶縁膜
914a 導電膜
914b 導電膜
914c 導電膜
914d 導電膜
916a 導電膜
916b 導電膜
916c 導電膜
916d 導電膜
916e 導電膜
916f 導電膜
916g 導電膜
918a 絶縁膜
918b 絶縁膜
918c 絶縁膜
919 発光素子
926a 導電膜
926b 導電膜
926c 導電膜
928 絶縁膜
928a 開口部
928b 開口部
928c 開口部
932 透明膜
934 導電膜
936 絶縁膜
938 開口部
938a 開口部
938b 開口部
938c 開口部
938d 開口部
938e 開口部
938f 開口部
938g 開口部
940 スペーサ
948a 開口部
948b 開口部
948c 開口部
958 開口部
968 開口部
971 トランジスタ
972 トランジスタ
973 トランジスタ
974 トランジスタ
975 トランジスタ
976 容量素子
7100 携帯表示装置
7101 筐体
7102 表示部
7103 操作ボタン
7104 送受信装置
7201 台部
7203 操作スイッチ
7210 照明装置
7212 発光部
7220 照明装置
7222 発光部
7300 表示装置
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
7400 携帯情報端末
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8007 バックライトユニット
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリー
Claims (1)
- 基板上の第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の第1の半導体膜及び第2の半導体膜と、
前記第1の半導体膜上及び前記第2の半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第2の導電膜と、
前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜と電気的に接続された第3の導電膜と、
前記第3の導電膜と電気的に接続された画素電極と、を有し、
前記第1の半導体膜は、第1の領域を有し、
前記第2の半導体膜は、第2の領域を有し、
前記第1の領域は、前記第1の導電膜、前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜、及び前記第3の絶縁膜の各々と重なる領域を有し、
前記第2の領域は、前記第1の導電膜、前記第1の絶縁膜、前記第3の絶縁膜、及び前記第2の導電膜の各々と重なる領域を有し、
前記第2の領域は、容量素子の一方の電極として機能し、
前記第1の半導体膜の幅は、チャネル長方向において、前記第1の導電膜の幅よりも広い表示装置。
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