JP6422730B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 632
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 125
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 97
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 90
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 842
- 239000010408 film Substances 0.000 description 582
- 238000000034 method Methods 0.000 description 149
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 110
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 109
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 107
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 98
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 98
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 87
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 86
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 81
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 61
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 61
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 54
- 230000006870 function Effects 0.000 description 52
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 39
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 35
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 27
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 26
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 24
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 21
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 21
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 20
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 19
- -1 copper-magnesium-aluminum Chemical compound 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 17
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 17
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 17
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 2-[4-[4-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]butanoyloxy]ethyl (5z,8z,11z,14z)-icosa-5,8,11,14-tetraenoate Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(=O)OCCOC(=O)CCCC1=CC=C(N(CCCl)CCCl)C=C1 VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 14
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 14
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 14
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 10
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 4
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005264 electron capture Effects 0.000 description 3
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100040844 Dual specificity protein kinase CLK2 Human genes 0.000 description 2
- 101000749291 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK2 Proteins 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020944 Sn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009369 Zn Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007573 Zn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229940127554 medical product Drugs 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Description
[積層構造の構成例]
以下では、本発明の一態様の半導体装置に適用することのできる積層構造の例について説明する。図1は、以下で示す積層構造10の断面概略図である。
図2(A)は、本発明の一態様の半導体装置の回路図の一例である。図2(A)に示す半導体装置は、第1のトランジスタ110と、第2のトランジスタ100と、容量130と、配線BLと、配線WLと、配線CLと、配線BGとを有する。
第1のトランジスタ110は、半導体基板111上に設けられ、半導体基板111の一部からなる半導体層112、ゲート絶縁層114、ゲート電極115、及びソース領域またはドレイン領域として機能する低抵抗層113a及び低抵抗層113bを有する。
第1のトランジスタ110を覆って、絶縁層121、絶縁層122、及び絶縁層123が順に積層して設けられている。
絶縁層123の上部には、配線131、配線132、配線133及び配線134等が設けられている。
バリア層120は、絶縁層124、配線131、配線132、配線133及び配線134等の上面を覆って設けられている。バリア層120は、上記積層構造におけるバリア層41に相当する。バリア層120の材料としては、上記バリア層41についての記載を援用できる。
バリア層120上に、配線141、配線142等が設けられている。配線141、配線142等を含む構成が、上記積層構造における第2の配線層32に相当する。
バリア層120、配線141、配線142等を覆って、絶縁層125が設けられている。ここで絶縁層125を含む領域が上記積層構造における第2の絶縁層22に相当する。
絶縁層125の上部には、第2のトランジスタ100が設けられている。第2のトランジスタ100を含む構成が、上記積層構造における第2の層12に相当する。
以下では、上記構成例1とは構成の一部が異なる構成例について、図面を参照して説明する。なお以下では、上記と重複する部分については説明を省略する場合がある。
以下では、上記構成例1及び構成例2とは構成の一部の異なる半導体装置の構成例について、図面を参照して説明する。なお以下では、上記と重複する部分については説明を省略する場合がある。
以下では、上記構成例1で示した半導体装置の作製方法の一例について、図21乃至図23を用いて説明する。
以下では、上記構成例2で示した半導体装置の作製方法の一例について、図24乃至図26を用いて説明する。なお、上記作製方法例1と重複する部分については、説明を省略する場合がある。
以下では、上記構成例2で示した半導体装置の作製方法の一例について、図27乃至図29を用いて説明する。なお、上記作製方法例1及び作製方法例2と重複する部分については、説明を省略する場合がある。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置の半導体層に好適に用いることのできる酸化物半導体について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタを利用した回路の一例について図面を参照して説明する。
実施の形態1に示した構成において、トランジスタや配線、電極の接続構成を異ならせることにより、様々な回路を構成することができる。以下では、本発明の一態様の半導体装置を用いることにより実現できる回路構成の例を説明する。
図34(A)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトランジスタ2100を直列に接続し、且つそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOS回路の構成を示している。なお図中、第2の半導体材料が適用されたトランジスタには「OS」の記号を付して示している。
また図34(B)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるアナログスイッチとして機能させることができる。
本発明の一態様であるトランジスタを使用し、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、且つ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図34(C)に示す。
本実施の形態では、上記実施の形態で例示したトランジスタ、または記憶装置を含むRFIDタグについて、図35を用いて説明する。
本実施の形態では、少なくとも実施の形態で説明したトランジスタを用いることができ、先の実施の形態で説明した記憶装置を含むCPUについて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成例について説明する。
図38(A)は、本発明の一態様の表示パネルの上面図であり、図38(B)は、本発明の一態様の表示パネルの画素に液晶素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。また、図38(C)は、本発明の一態様の表示パネルの画素に有機EL素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。
また、画素の回路構成の一例を図38(B)に示す。ここでは、VA型液晶表示パネルの画素に適用することができる画素回路を示す。
画素の回路構成の他の一例を図38(C)に示す。ここでは、有機EL素子を用いた表示パネルの画素構造を示す。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図39に示す。
本実施の形態では、本発明の一態様に係るRFIDの使用例について図40を用いながら説明する。RFIDの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図40(A)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図40(C)参照)、記録媒体(DVDソフトやビデオテープ等、図40(B)参照)、乗り物類(自転車等、図40(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、薬品や薬剤を含む医療品、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、若しくは各物品に取り付ける荷札(図40(E)、図40(F)参照)等に設けて使用することができる。
以下に、試料の作製方法を説明する。
次に、作製した試料1および試料2に含まれる単結晶シリコンを用いたトランジスタ、および酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性を測定した。
以下に試料3および試料4の作製方法を示す。
次に、試料3および試料4のVg−Id特性を測定した。Vg−Id特性の測定は、実施例1に示した構造1に対して行った。また、Vg−Id特性の測定は、室温(25℃)または85℃において、ドレイン電圧(Vd)を1.8Vとし、ゲート電圧(Vg)を−3Vから3Vまで、0.1V間隔で掃引したときの、ドレイン電流(Id)を測定することで行った。この測定を、第2のゲート電極である導電膜220に印加する電圧(Vbgと表記する。)を0Vから−20Vの範囲で変化させて複数回行った。なお、トランジスタは、設計値がチャネル長0.8μm、チャネル幅0.8μmのものを用いた。また、126.6mm角の基板内に均等に配置した13個のトランジスタに対して測定を行った。
以下に評価に用いた試料5について説明する。
次に、上記で作製した試料5のオフ電流の測定方法及びその結果について、図48乃至図51を用いて説明する。
図48に示す測定系は、容量素子400、トランジスタ401、トランジスタ402、トランジスタ403、及びトランジスタ404を有する。ここで、トランジスタ403は電荷注入用のトランジスタであり、トランジスタ404はリーク電流の評価用のトランジスタである。トランジスタ401及びトランジスタ402で出力回路406を構成する。また、トランジスタ403のソース端子(またはドレイン端子)と、トランジスタ404のドレイン端子(またはソース端子)と、容量素子400の第1端子と、トランジスタ401のゲート端子との接続部をノードAとする。
次に、上記の測定系を用いた電流測定方法の一例について図49を参照して説明する。
参考例として、各デバイスの必要保持年数と85℃での目標の(要求される)リーク電流について付記する。
11 層
12 層
21 絶縁層
22 絶縁層
24 電子
31 配線層
32 配線層
41 バリア層
100 トランジスタ
101a 酸化物層
101b 酸化物層
102 半導体層
103a 電極
103b 電極
104 ゲート絶縁層
105 ゲート電極
107 絶縁層
108 絶縁層
110 トランジスタ
111 半導体基板
112 半導体層
113a 低抵抗層
113b 低抵抗層
114 ゲート絶縁層
115 ゲート電極
120 バリア層
121 絶縁層
122 絶縁層
123 絶縁層
124 絶縁層
125 絶縁層
126 絶縁層
130 容量
131 配線
132 配線
133 配線
134 配線
140 絶縁層
141 配線
142 配線
151 配線
152 配線
160 トランジスタ
161 プラグ
162 プラグ
163 プラグ
164 プラグ
165 プラグ
166 プラグ
167 プラグ
174 導電膜
180 トランジスタ
204 ゲート電極
206 酸化物半導体膜
216a 導電膜
216b 導電膜
220 導電膜
260 開口部
400 容量素子
401 トランジスタ
402 トランジスタ
403 トランジスタ
404 トランジスタ
406 出力回路
610 電子銃室
612 光学系
614 試料室
616 光学系
618 カメラ
620 観察室
622 フィルム室
624 電子
628 物質
632 蛍光板
700 基板
701 画素部
702 走査線駆動回路
703 走査線駆動回路
704 信号線駆動回路
710 容量配線
712 ゲート配線
713 ゲート配線
714 ドレイン電極層
716 トランジスタ
717 トランジスタ
718 液晶素子
719 液晶素子
720 画素
721 スイッチング用トランジスタ
722 駆動用トランジスタ
723 容量素子
724 発光素子
725 信号線
726 走査線
727 電源線
728 共通電極
800 RFIDタグ
801 通信器
802 アンテナ
803 無線信号
804 アンテナ
805 整流回路
806 定電圧回路
807 復調回路
808 変調回路
809 論理回路
810 記憶回路
811 ROM
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイクロフォン
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
911 筐体
912 筐体
913 表示部
914 表示部
915 接続部
916 操作キー
921 筐体
922 表示部
923 キーボード
924 ポインティングデバイス
931 筐体
932 冷蔵室用扉
933 冷凍室用扉
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 車体
952 車輪
953 ダッシュボード
954 ライト
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
4000 RFID
Claims (6)
- 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記容量素子の一方の電極は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、第2の配線と電気的に接続された半導体装置であって、
前記第1のトランジスタは、単結晶半導体を含む第1の半導体層を有し、
前記第2のトランジスタは、第1の酸化物層と、前記第1の酸化物層上の酸化物半導体を含む第2の半導体層と、前記第2の半導体層上の第1の電極及び第2の電極と、前記第1の電極上及び前記第2の電極上の第2の酸化物層と、前記第2の酸化物層上の絶縁膜と、前記絶縁膜上の第3の電極と、を有し、
前記第1の電極は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方として機能する領域を有し、
前記第2の電極は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方として機能する領域を有し、
前記絶縁膜は、前記第2のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第3の電極は、前記第2のトランジスタの第1のゲートとして機能する領域を有し、
前記第2のトランジスタのチャネル幅方向において、前記第3の電極は、前記第2の半導体層の上面と面する領域と、前記第2の半導体層の側面と面する領域と、を有し、
前記第1の半導体層上に、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続された、第1の導電層を有し、
前記第1の導電層上に、バリア層を有し、
前記バリア層上に、第2の導電層を有し、
前記第2の導電層上に、前記第2の半導体層を有し、
前記第1の導電層は、前記バリア層を介して、前記第2の導電層と重なる第1の領域を有し、
前記第1の領域は、前記容量素子の一方の電極として機能する領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記容量素子の一方の電極は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、第2の配線と電気的に接続された半導体装置であって、
前記第1のトランジスタは、単結晶半導体を含む第1の半導体層を有し、
前記第2のトランジスタは、第1の酸化物層と、前記第1の酸化物層上の酸化物半導体を含む第2の半導体層と、前記第2の半導体層上の第1の電極及び第2の電極と、前記第1の電極上及び前記第2の電極上の第2の酸化物層と、前記第2の酸化物層上の絶縁膜と、前記絶縁膜上の第3の電極と、を有し、
前記第1の電極は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方として機能する領域を有し、
前記第2の電極は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方として機能する領域を有し、
前記絶縁膜は、前記第2のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第3の電極は、前記第2のトランジスタの第1のゲートとして機能する領域を有し、
前記第2のトランジスタのチャネル方向において、前記第3の電極は、前記第2の半導体層の上面と面する領域と、前記第2の半導体層の側面と面する領域と、を有し、
前記第1の半導体層上に、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続された、第1の導電層を有し、
前記第1の導電層上に、バリア層を有し、
前記バリア層上に、第2の導電層を有し、
前記第2の導電層上に、前記第2の半導体層を有し、
前記第1の導電層は、前記バリア層を介して、前記第2の導電層と重なる第1の領域を有し、
前記第1の領域は、前記容量素子の一方の電極として機能する領域を有し、
前記第2の電極は、前記バリア層のコンタクトホールを介して、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続されたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第2のトランジスタは、前記第2の導電層と同一層上に設けられ、且つ前記第2の導電層と同一材料を有する第4の電極を有し、
前記第4の電極は、前記第2のトランジスタの第2のゲートとして機能する領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記バリア層は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、又は酸化窒化ハフニウムを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記絶縁膜の上面形状及び前記第2の酸化物層の上面形状の各々は、前記第3の電極の上面形状と概略一致することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記第2の半導体層と、第1の酸化物膜と、前記第2の酸化物膜の各々は、In−M−Zn酸化物(MはAl、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、NdまたはHf)であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014215159A JP6422730B2 (ja) | 2013-10-22 | 2014-10-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013219683 | 2013-10-22 | ||
JP2013219679 | 2013-10-22 | ||
JP2013219680 | 2013-10-22 | ||
JP2013219680 | 2013-10-22 | ||
JP2013219679 | 2013-10-22 | ||
JP2013219683 | 2013-10-22 | ||
JP2014215159A JP6422730B2 (ja) | 2013-10-22 | 2014-10-22 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018195770A Division JP6592163B2 (ja) | 2013-10-22 | 2018-10-17 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015109433A JP2015109433A (ja) | 2015-06-11 |
JP2015109433A5 JP2015109433A5 (ja) | 2017-11-30 |
JP6422730B2 true JP6422730B2 (ja) | 2018-11-14 |
Family
ID=52825399
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014215159A Expired - Fee Related JP6422730B2 (ja) | 2013-10-22 | 2014-10-22 | 半導体装置 |
JP2018195770A Active JP6592163B2 (ja) | 2013-10-22 | 2018-10-17 | 半導体装置 |
JP2019169944A Active JP6870048B2 (ja) | 2013-10-22 | 2019-09-19 | 半導体装置 |
JP2021068148A Active JP7066894B2 (ja) | 2013-10-22 | 2021-04-14 | 半導体装置 |
JP2022073219A Active JP7305004B2 (ja) | 2013-10-22 | 2022-04-27 | 半導体装置 |
JP2023105210A Active JP7562773B2 (ja) | 2013-10-22 | 2023-06-27 | 半導体装置 |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018195770A Active JP6592163B2 (ja) | 2013-10-22 | 2018-10-17 | 半導体装置 |
JP2019169944A Active JP6870048B2 (ja) | 2013-10-22 | 2019-09-19 | 半導体装置 |
JP2021068148A Active JP7066894B2 (ja) | 2013-10-22 | 2021-04-14 | 半導体装置 |
JP2022073219A Active JP7305004B2 (ja) | 2013-10-22 | 2022-04-27 | 半導体装置 |
JP2023105210A Active JP7562773B2 (ja) | 2013-10-22 | 2023-06-27 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9673224B2 (ja) |
JP (6) | JP6422730B2 (ja) |
KR (1) | KR102244460B1 (ja) |
TW (1) | TWI654761B (ja) |
WO (1) | WO2015060133A1 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220163502A (ko) | 2013-12-26 | 2022-12-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6402017B2 (ja) | 2013-12-26 | 2018-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20230065379A (ko) | 2013-12-27 | 2023-05-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US10074576B2 (en) * | 2014-02-28 | 2018-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
WO2015182000A1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device |
US10204898B2 (en) | 2014-08-08 | 2019-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
WO2016125044A1 (en) | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device, manufacturing method thereof, and electronic device |
JP6705663B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2020-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
KR102582523B1 (ko) | 2015-03-19 | 2023-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
JP6802656B2 (ja) * | 2015-07-30 | 2020-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | メモリセルの作製方法及び半導体装置の作製方法 |
WO2017037564A1 (en) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device |
WO2021035416A1 (zh) | 2019-08-23 | 2021-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
WO2021035414A1 (zh) | 2019-08-23 | 2021-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及驱动方法、显示基板及驱动方法、显示装置 |
US11600234B2 (en) * | 2015-10-15 | 2023-03-07 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Display substrate and driving method thereof |
CN105185816A (zh) * | 2015-10-15 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN108292672B (zh) * | 2015-12-23 | 2022-04-12 | 英特尔公司 | 用于igzo非平面器件的环绕式导电金属氧化物接触部的制作 |
JP6692645B2 (ja) | 2016-01-15 | 2020-05-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
JP6845692B2 (ja) * | 2016-01-15 | 2021-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN116782639A (zh) * | 2016-02-12 | 2023-09-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
US9882064B2 (en) * | 2016-03-10 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and electronic device |
JP6758884B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2020-09-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US10008502B2 (en) * | 2016-05-04 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
KR102330605B1 (ko) * | 2016-06-22 | 2021-11-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6751613B2 (ja) | 2016-07-15 | 2020-09-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN115799342A (zh) * | 2016-07-26 | 2023-03-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
JP6756560B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2020-09-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
TWI794340B (zh) * | 2017-12-07 | 2023-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 |
US11205664B2 (en) * | 2017-12-27 | 2021-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US20210242207A1 (en) * | 2018-05-18 | 2021-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
US11495691B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN112368846A (zh) * | 2018-06-29 | 2021-02-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
US20200091156A1 (en) * | 2018-09-17 | 2020-03-19 | Intel Corporation | Two transistor memory cell using stacked thin-film transistors |
US11018177B2 (en) * | 2019-05-29 | 2021-05-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Backside illuminated global shutter image sensor |
KR20210009000A (ko) * | 2019-07-16 | 2021-01-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
CN112840461A (zh) | 2019-08-23 | 2021-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN116994527A (zh) | 2019-08-23 | 2023-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
EP4020575A4 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-14 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING IT |
US12029065B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-07-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof and driving substrate |
CN112771674B (zh) | 2019-08-27 | 2022-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子装置基板及其制作方法、电子装置 |
US11527701B2 (en) * | 2019-10-28 | 2022-12-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Piezoelectric device and method of forming the same |
WO2024194726A1 (ja) * | 2023-03-17 | 2024-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び、半導体装置の作製方法 |
Family Cites Families (149)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
KR950008385B1 (ko) | 1990-05-24 | 1995-07-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 워드라인 형성방법 |
JP2678094B2 (ja) | 1991-03-01 | 1997-11-17 | シャープ株式会社 | ダイナミックランダムアクセスメモリ |
US5521859A (en) | 1991-03-20 | 1996-05-28 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device having thin film transistor and method of producing the same |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH05275613A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 積層型半導体装置 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
WO1997006554A2 (en) | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP4403329B2 (ja) * | 1999-08-30 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2003066487A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Sony Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP2004151546A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
JP4173374B2 (ja) * | 2003-01-08 | 2008-10-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP4620046B2 (ja) | 2004-03-12 | 2011-01-26 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
WO2006051995A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
AU2005302963B2 (en) | 2004-11-10 | 2009-07-02 | Cannon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
CA2708335A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
EP3614442A3 (en) | 2005-09-29 | 2020-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101117948B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 제조 방법 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5781720B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2015-09-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR101811999B1 (ko) * | 2009-11-20 | 2017-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102046308B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2019-11-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8415731B2 (en) | 2010-01-20 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections |
CN102742002B (zh) * | 2010-02-12 | 2015-01-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其驱动方法 |
CN104617105B (zh) * | 2010-02-19 | 2018-01-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
KR101647384B1 (ko) | 2010-03-16 | 2016-08-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
WO2011125806A1 (en) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2011222767A (ja) | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Sony Corp | 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器 |
KR101904445B1 (ko) | 2010-04-16 | 2018-10-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011145468A1 (en) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
JP2012256821A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置 |
KR101924231B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2018-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
TWI525614B (zh) | 2011-01-05 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路 |
JP5946683B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2016-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8848464B2 (en) * | 2011-04-29 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
US9111795B2 (en) | 2011-04-29 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film |
US8748886B2 (en) * | 2011-07-08 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US8772130B2 (en) * | 2011-08-23 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
US9252279B2 (en) | 2011-08-31 | 2016-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9082663B2 (en) * | 2011-09-16 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN103022012B (zh) | 2011-09-21 | 2017-03-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体存储装置 |
US9431545B2 (en) * | 2011-09-23 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5794879B2 (ja) | 2011-09-29 | 2015-10-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びそれを用いたSiPデバイス |
TWI580189B (zh) | 2011-12-23 | 2017-04-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 位準位移電路及半導體積體電路 |
TWI569446B (zh) | 2011-12-23 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置 |
JP6091905B2 (ja) | 2012-01-26 | 2017-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5981157B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2016-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8981370B2 (en) | 2012-03-08 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9349849B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device |
US9372694B2 (en) * | 2012-03-29 | 2016-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reducing data backup and recovery periods in processors |
JP2013236068A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
KR102254731B1 (ko) | 2012-04-13 | 2021-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9571103B2 (en) | 2012-05-25 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lookup table and programmable logic device including lookup table |
WO2013179922A1 (en) | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9059219B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
TWI709244B (zh) | 2012-09-24 | 2020-11-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR20230065379A (ko) * | 2013-12-27 | 2023-05-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102325158B1 (ko) * | 2014-01-30 | 2021-11-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 전자 기기, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
-
2014
- 2014-10-02 KR KR1020167009467A patent/KR102244460B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-02 WO PCT/JP2014/077029 patent/WO2015060133A1/en active Application Filing
- 2014-10-06 TW TW103134744A patent/TWI654761B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-10-16 US US14/515,993 patent/US9673224B2/en active Active
- 2014-10-22 JP JP2014215159A patent/JP6422730B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-10-17 JP JP2018195770A patent/JP6592163B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-19 JP JP2019169944A patent/JP6870048B2/ja active Active
-
2021
- 2021-04-14 JP JP2021068148A patent/JP7066894B2/ja active Active
-
2022
- 2022-04-27 JP JP2022073219A patent/JP7305004B2/ja active Active
-
2023
- 2023-06-27 JP JP2023105210A patent/JP7562773B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019012855A (ja) | 2019-01-24 |
KR102244460B1 (ko) | 2021-04-23 |
JP7562773B2 (ja) | 2024-10-07 |
JP6592163B2 (ja) | 2019-10-16 |
JP2023120413A (ja) | 2023-08-29 |
JP7305004B2 (ja) | 2023-07-07 |
TWI654761B (zh) | 2019-03-21 |
TW201517276A (zh) | 2015-05-01 |
KR20160072110A (ko) | 2016-06-22 |
JP7066894B2 (ja) | 2022-05-13 |
JP2021103798A (ja) | 2021-07-15 |
JP2015109433A (ja) | 2015-06-11 |
JP2019216277A (ja) | 2019-12-19 |
WO2015060133A1 (en) | 2015-04-30 |
JP6870048B2 (ja) | 2021-05-12 |
US9673224B2 (en) | 2017-06-06 |
JP2022105534A (ja) | 2022-07-14 |
US20150108470A1 (en) | 2015-04-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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