JP6416553B2 - 半導体素子及び半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子及び半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
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Description
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本願発明の一実施形態は、半導体積層体上に酸化シリコンからなる第1絶縁膜を形成する工程と、第1絶縁膜上に窒化シリコンからなる第2絶縁膜を形成する工程と、第2絶縁膜上にヒータを形成する工程と、ヒータ上に窒化シリコンからなる第3絶縁膜を形成する工程と、を含む、半導体素子の製造方法である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
Claims (3)
- 半導体積層体上に酸化シリコンからなる第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜上に窒化シリコンからなる第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜上にチタンおよびタングステンの合金またはニッケルおよびクロムの合金を含む材料からなるヒータを形成する工程と、
前記ヒータ上に窒化シリコンからなる第3絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体積層体、前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜、及び前記第3絶縁膜をエッチングすることで、前記半導体積層体内に設けられる光導波路層を挟むように、光伝播方向に延在する一対の溝を前記半導体積層体に形成する工程と、
前記第3絶縁膜上および前記一対の溝の側面に第4絶縁膜を形成する工程と、
を含む半導体素子の製造方法。 - 前記第1絶縁膜は、熱CVD法によって形成され、
前記第2絶縁膜は、スパッタリング、プラズマCVD法、又は光CVD法によって形成される、請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第4絶縁膜は、窒化シリコンからなる、請求項1又は2に記載の半導体素子の製造方法。
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