JPH07240564A - 温度制御型ｓｈｇレーザ - Google Patents
温度制御型ｓｈｇレーザInfo
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- JPH07240564A JPH07240564A JP3126094A JP3126094A JPH07240564A JP H07240564 A JPH07240564 A JP H07240564A JP 3126094 A JP3126094 A JP 3126094A JP 3126094 A JP3126094 A JP 3126094A JP H07240564 A JPH07240564 A JP H07240564A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0612—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by temperature
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザチップに加熱用薄膜抵抗体を取
り付け、半導体レーザチップの制御温度を変化させるこ
とにより、出射されるレーザ光の波長を任意に変える。 【構成】 基本構造としては、ＶＳＩＳ構造の半導体レ
ーザチップ３の上端電極上に絶縁膜２を挟んで薄膜抵抗
体１を取り付けている。本実施例では、ＧaＡlＡs系Ｖ
ＳＩＳ構造の半導体レーザチップ３は、ＭＯＣＶＤ（Me
tal Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いて
作製した。次いで、その上端Ｐ電極上部にＳiＯ2絶縁膜
２を反応性蒸着法により形成した。このような構成によ
り、従来の素子に比べてある一定の温度あるいは任意の
温度に調節して用いることができるため、出力波長及び
強度の安定性に優れ、また逆に、制御温度を変化させる
ことにより、任意の波長が必要なシステムにも用いるこ
とができる効果を有する。
り付け、半導体レーザチップの制御温度を変化させるこ
とにより、出射されるレーザ光の波長を任意に変える。 【構成】 基本構造としては、ＶＳＩＳ構造の半導体レ
ーザチップ３の上端電極上に絶縁膜２を挟んで薄膜抵抗
体１を取り付けている。本実施例では、ＧaＡlＡs系Ｖ
ＳＩＳ構造の半導体レーザチップ３は、ＭＯＣＶＤ（Me
tal Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いて
作製した。次いで、その上端Ｐ電極上部にＳiＯ2絶縁膜
２を反応性蒸着法により形成した。このような構成によ
り、従来の素子に比べてある一定の温度あるいは任意の
温度に調節して用いることができるため、出力波長及び
強度の安定性に優れ、また逆に、制御温度を変化させる
ことにより、任意の波長が必要なシステムにも用いるこ
とができる効果を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、温度制御型ＳＨＧ（Se
cond Harmonic Generation：第２高調波発生）レーザに
関し、より詳細には、光ディスクやレーザプリンタ等の
光記録情報関連システムに用いることのできる温度制御
型ＳＨＧレーザに関する。
cond Harmonic Generation：第２高調波発生）レーザに
関し、より詳細には、光ディスクやレーザプリンタ等の
光記録情報関連システムに用いることのできる温度制御
型ＳＨＧレーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク，コンパクトディスク，レー
ザディスク，あるいは光磁気ディスク等のピックアップ
用光源として、従来、主に赤から赤外（650nm〜830nm）
の波長の半導体レーザを使用しているが、記録容量の向
上を図るため、さらに短波長のレーザを光源として用い
るための検討が現在進められている。一つは、直接青色
発振が可能なII-VI族化合物半導体レーザであり、ま
た、一方では、既存の半導体レーザを用いてＳＨＧ素子
により、その半分の波長のレーザ光を得ようとするもの
である。
ザディスク，あるいは光磁気ディスク等のピックアップ
用光源として、従来、主に赤から赤外（650nm〜830nm）
の波長の半導体レーザを使用しているが、記録容量の向
上を図るため、さらに短波長のレーザを光源として用い
るための検討が現在進められている。一つは、直接青色
発振が可能なII-VI族化合物半導体レーザであり、ま
た、一方では、既存の半導体レーザを用いてＳＨＧ素子
により、その半分の波長のレーザ光を得ようとするもの
である。
【０００３】特に、ＳＨＧ素子を用いた短波長光源は、
その実用性から現在盛んに研究開発が進められている。
しかしながら、ＳＨＧ素子では用いる光学材料の非線形
性を利用することから、その位相整合において基本波と
第２高調波の位相速度を合わせる必要があり、特に、光
記録のような民生用システムに応用する際には、動作補
償温度範囲が、例えば−１０℃から５０℃と広範囲に亘
り、このような素子外部の温度変化に伴う材料の屈折率
変化を極力抑えるための技術が必要不可欠であり、この
ことがＳＨＧ素子の実用化を妨げる一つの要因となって
いた。このため、ＳＨＧレーザに温度制御用の素子を取
り付ける試みがなされている。
その実用性から現在盛んに研究開発が進められている。
しかしながら、ＳＨＧ素子では用いる光学材料の非線形
性を利用することから、その位相整合において基本波と
第２高調波の位相速度を合わせる必要があり、特に、光
記録のような民生用システムに応用する際には、動作補
償温度範囲が、例えば−１０℃から５０℃と広範囲に亘
り、このような素子外部の温度変化に伴う材料の屈折率
変化を極力抑えるための技術が必要不可欠であり、この
ことがＳＨＧ素子の実用化を妨げる一つの要因となって
いた。このため、ＳＨＧレーザに温度制御用の素子を取
り付ける試みがなされている。
【０００４】例えば、特開平２−１１０４３６号公報に
記載の「光波長変換素子」は、非線形光学材料のコアが
それよりも低屈折率のクラッド内に充填されてなるファ
イバであって、コアに入射された基本波を波長変換して
クラッド中に放射する光波長変換素子において、素子温
度を調節する温度調節手段を設けたものである。
記載の「光波長変換素子」は、非線形光学材料のコアが
それよりも低屈折率のクラッド内に充填されてなるファ
イバであって、コアに入射された基本波を波長変換して
クラッド中に放射する光波長変換素子において、素子温
度を調節する温度調節手段を設けたものである。
【０００５】この公報のものは、ファイバチェレンコフ
型のＳＨＧレーザに、その構成部品である半導体レー
ザ、並びにファイバ素子各々にペルチェ素子等の温度制
御用素子を取り付け、その各々の構成部品を温度制御す
ることにより、放射されるＳＨＧ光の放射角を制御しよ
うとするものであるが、温度制御素子が最低２個必要で
あること、また、温度制御用駆動回路が複雑かつ大型化
すること等よりコスト的に問題があった。
型のＳＨＧレーザに、その構成部品である半導体レー
ザ、並びにファイバ素子各々にペルチェ素子等の温度制
御用素子を取り付け、その各々の構成部品を温度制御す
ることにより、放射されるＳＨＧ光の放射角を制御しよ
うとするものであるが、温度制御素子が最低２個必要で
あること、また、温度制御用駆動回路が複雑かつ大型化
すること等よりコスト的に問題があった。
【０００６】また、一方、周波数多重光通信用として、
発振波長１.３μm〜１.５５μm帯のＭＱＷ（Multi-Quan
tum Well）構造のレーザチップに直接薄膜抵抗体を付加
し、波長を可変できるようにする試みもなされている。
しかしながら、発振波長が可視域にあるＶＳＩＳ（V-Ch
anneled Substrate Inner Stripe）構造の半導体レーザ
に適用した例はなく、さらに、本発明にあるように、Ｓ
ＨＧレーザの一次光源としての半導体レーザの温度制御
用としては、従来なかった。
発振波長１.３μm〜１.５５μm帯のＭＱＷ（Multi-Quan
tum Well）構造のレーザチップに直接薄膜抵抗体を付加
し、波長を可変できるようにする試みもなされている。
しかしながら、発振波長が可視域にあるＶＳＩＳ（V-Ch
anneled Substrate Inner Stripe）構造の半導体レーザ
に適用した例はなく、さらに、本発明にあるように、Ｓ
ＨＧレーザの一次光源としての半導体レーザの温度制御
用としては、従来なかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】光記録システムの記録
密度の向上には、上述のようにＳＨＧ素子を光源として
用いることにより対応可能であるが、実用可能なシステ
ムにする際には、システム周辺の温度変化の影響を受け
ないようにすること、種々のタイプのＳＨＧ素子にも対
応可能とすること、並びにコスト的には使用する温度制
御方法を簡便にし、また温度制御用駆動回路を単純かつ
小型化することが重要であり、従来のＳＨＧレーザでは
これが困難であった。
密度の向上には、上述のようにＳＨＧ素子を光源として
用いることにより対応可能であるが、実用可能なシステ
ムにする際には、システム周辺の温度変化の影響を受け
ないようにすること、種々のタイプのＳＨＧ素子にも対
応可能とすること、並びにコスト的には使用する温度制
御方法を簡便にし、また温度制御用駆動回路を単純かつ
小型化することが重要であり、従来のＳＨＧレーザでは
これが困難であった。
【０００８】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、薄膜抵抗加熱半導体レーザを一次光源として
用い、レーザ光の波長を任意に変えることができ、発振
強度を安定化することを可能にする温度制御型ＳＨＧレ
ーザを提供することを目的としている。
たもので、薄膜抵抗加熱半導体レーザを一次光源として
用い、レーザ光の波長を任意に変えることができ、発振
強度を安定化することを可能にする温度制御型ＳＨＧレ
ーザを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）半導体レーザを一次光源とし、該
レーザ光の波長を半分にするＳＨＧ素子を用いたＳＨＧ
レーザにおいて、半導体レーザチップに加熱用薄膜抵抗
体を取り付け、該半導体レーザチップの温度を制御して
用いること、更には、（２）制御温度を変化させること
により、前記ＳＨＧ素子より出射されるレーザ光の波長
を任意に変えることができること、或いは、（３）基本
波であるレーザ光を出射する薄膜抵抗加熱型の半導体レ
ーザと、該半導体レーザからの光がレンズ系を介して入
射側端面に集光され結合する有機非線形コアファイバ
と、該有機非線形コアファイバで発生した第２高調波か
ら基本波を除去するフィルタとから成ることを特徴とし
たものである。
決するために、（１）半導体レーザを一次光源とし、該
レーザ光の波長を半分にするＳＨＧ素子を用いたＳＨＧ
レーザにおいて、半導体レーザチップに加熱用薄膜抵抗
体を取り付け、該半導体レーザチップの温度を制御して
用いること、更には、（２）制御温度を変化させること
により、前記ＳＨＧ素子より出射されるレーザ光の波長
を任意に変えることができること、或いは、（３）基本
波であるレーザ光を出射する薄膜抵抗加熱型の半導体レ
ーザと、該半導体レーザからの光がレンズ系を介して入
射側端面に集光され結合する有機非線形コアファイバ
と、該有機非線形コアファイバで発生した第２高調波か
ら基本波を除去するフィルタとから成ることを特徴とし
たものである。
【００１０】
【作用】前記ＳＨＧレーザの特徴として、４００nm台の
波長のレーザ光を容易に得られることであり、さらに温
度制御型とすることにより、同一波長で出力強度を安定
させることができることである。また、逆に制御温度を
変化させることにより、１０nm程度の波長範囲で任意の
波長のレーザ光を得ることも可能である。また、光ディ
スクや光磁気ディスクに代表される光記録システムの記
録密度を向上させるためには、超解像を利用するなど、
システムサイドでの改良もさることながら、光源に従来
よりも短波長のレーザを用いることが有用である。さら
に、本発明の素子では、温度制御が可能なことから、発
振波長及び発振強度を安定化させることができ、記録密
度の向上とともに記録雑音特性（Ｃ／Ｎ）も低減するこ
とが可能である。
波長のレーザ光を容易に得られることであり、さらに温
度制御型とすることにより、同一波長で出力強度を安定
させることができることである。また、逆に制御温度を
変化させることにより、１０nm程度の波長範囲で任意の
波長のレーザ光を得ることも可能である。また、光ディ
スクや光磁気ディスクに代表される光記録システムの記
録密度を向上させるためには、超解像を利用するなど、
システムサイドでの改良もさることながら、光源に従来
よりも短波長のレーザを用いることが有用である。さら
に、本発明の素子では、温度制御が可能なことから、発
振波長及び発振強度を安定化させることができ、記録密
度の向上とともに記録雑音特性（Ｃ／Ｎ）も低減するこ
とが可能である。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明による温度制御型ＳＨＧレー
ザの一実施例を説明するための構成図で、薄膜抵抗体加
熱型ＧaＡlＡs系半導体レーザの構成図である。図中、
１は薄膜抵抗体、２は絶縁膜、３は半導体レーザチップ
である。基本構造としては、ＶＳＩＳ構造の半導体レー
ザチップ３の上端電極上に絶縁膜２を挟んで薄膜抵抗体
１を取り付けている。本実施例では、ＧaＡlＡs系ＶＳ
ＩＳ構造の半導体レーザチップ３は、液相エピタキシャ
ル（Liquid phase epitaxy）法を用いて作製した。次い
で、その上端Ｐ電極上部にＳiＯ2絶縁膜２を反応性蒸着
法により形成した。
ザの一実施例を説明するための構成図で、薄膜抵抗体加
熱型ＧaＡlＡs系半導体レーザの構成図である。図中、
１は薄膜抵抗体、２は絶縁膜、３は半導体レーザチップ
である。基本構造としては、ＶＳＩＳ構造の半導体レー
ザチップ３の上端電極上に絶縁膜２を挟んで薄膜抵抗体
１を取り付けている。本実施例では、ＧaＡlＡs系ＶＳ
ＩＳ構造の半導体レーザチップ３は、液相エピタキシャ
ル（Liquid phase epitaxy）法を用いて作製した。次い
で、その上端Ｐ電極上部にＳiＯ2絶縁膜２を反応性蒸着
法により形成した。
【００１２】図２は、絶縁膜形成に使用した反応性蒸着
装置の構成図で、図中、１１は排気系、１２は真空チャ
ンバ、１３は反応ガスボンベ、１４は減圧弁、１５はリ
ークバルブ、１６はガスノズル、１７は蒸発源、１８は
ヒータ、１９は基板である。
装置の構成図で、図中、１１は排気系、１２は真空チャ
ンバ、１３は反応ガスボンベ、１４は減圧弁、１５はリ
ークバルブ、１６はガスノズル、１７は蒸発源、１８は
ヒータ、１９は基板である。
【００１３】蒸着材料はＳiＯを用い、酸素ガスを反応
ガスとして使用した。蒸着時のチャンバ内圧力は、１０
-5〜１０-4Torr とし、基板温度は１００〜３００℃と
した。基板１９は、前記ＭＯＣＶＤ法により作製したレ
ーザチップウェハー上にフォトレジストにより絶縁膜パ
ターン形成したものを用いた。また、この時の蒸着レー
トは約４Å／ｓで、２５０秒の蒸着時間で膜厚０.１μm
の均一な絶縁膜を形成することができた。本実施例で
は、この絶縁膜としてＳiＯ2薄膜を用いたが、この他、
窒化シリコン（Ｓi3Ｎ4）や酸化アルミニウム（Ａl
2Ｏ3）などの誘電体薄膜を用いても支障はない。
ガスとして使用した。蒸着時のチャンバ内圧力は、１０
-5〜１０-4Torr とし、基板温度は１００〜３００℃と
した。基板１９は、前記ＭＯＣＶＤ法により作製したレ
ーザチップウェハー上にフォトレジストにより絶縁膜パ
ターン形成したものを用いた。また、この時の蒸着レー
トは約４Å／ｓで、２５０秒の蒸着時間で膜厚０.１μm
の均一な絶縁膜を形成することができた。本実施例で
は、この絶縁膜としてＳiＯ2薄膜を用いたが、この他、
窒化シリコン（Ｓi3Ｎ4）や酸化アルミニウム（Ａl
2Ｏ3）などの誘電体薄膜を用いても支障はない。
【００１４】上述のようにして形成した絶縁体薄膜の上
部に加熱用として抵抗体薄膜を真空蒸着法により形成し
た。抵抗加熱用として用いた材料はＮi-Ｃr合金薄膜を
用いた。該Ｎi-Ｃr薄膜抵抗体の蒸着条件としては、真
空度１０-6Torr で蒸着温度1600℃，基板温度２００℃
蒸着速度は１Å／ｓとした。基板は上述のプロセスによ
り予めＳiＯ2絶縁膜を形成したものを用い、フォトレジ
ストにより、そのＳiＯ2絶縁膜の上部にパターン形成し
たものを用いた。
部に加熱用として抵抗体薄膜を真空蒸着法により形成し
た。抵抗加熱用として用いた材料はＮi-Ｃr合金薄膜を
用いた。該Ｎi-Ｃr薄膜抵抗体の蒸着条件としては、真
空度１０-6Torr で蒸着温度1600℃，基板温度２００℃
蒸着速度は１Å／ｓとした。基板は上述のプロセスによ
り予めＳiＯ2絶縁膜を形成したものを用い、フォトレジ
ストにより、そのＳiＯ2絶縁膜の上部にパターン形成し
たものを用いた。
【００１５】これにより、８００秒の蒸着時間で膜厚８
００Åの均質なＮi-Ｃr薄膜抵抗体を作製することがで
きた。Ｎi-Ｃr薄膜抵抗体の組成は、蒸着速度により大
きく変動する。すなわち、蒸着物質の加熱温度に大きく
依存するため、蒸着膜の組成を均質化するためには、蒸
着速度のバラツキを極力抑えることが重要である。ま
た、用いる薄膜抵抗体はＮi-Ｃrに限らず、窒化タンタ
ル薄膜抵抗体や金属皮膜抵抗体等の薄膜抵抗体を用いて
も支障はない。
００Åの均質なＮi-Ｃr薄膜抵抗体を作製することがで
きた。Ｎi-Ｃr薄膜抵抗体の組成は、蒸着速度により大
きく変動する。すなわち、蒸着物質の加熱温度に大きく
依存するため、蒸着膜の組成を均質化するためには、蒸
着速度のバラツキを極力抑えることが重要である。ま
た、用いる薄膜抵抗体はＮi-Ｃrに限らず、窒化タンタ
ル薄膜抵抗体や金属皮膜抵抗体等の薄膜抵抗体を用いて
も支障はない。
【００１６】図３は、上述のプロセスにて作製した薄膜
抵抗加熱型ＶＳＩＳ構造の半導体レーザの発振波長の素
子温度依存性を示す図である。素子温度は２５℃から４
５℃まで変化させた時、発振波長は８８３nmから８８８
nmまでリニアに変化していることが分る。この時の変化
量は、約０.２５nm／℃であった。また、第２高調波出
力の安定性を評価するため、光スペクトラムアナライザ
にて出力波長，出力強度特性を観察したところ、波長，
強度ともにふらつきはなく、安定であることが分った。
抵抗加熱型ＶＳＩＳ構造の半導体レーザの発振波長の素
子温度依存性を示す図である。素子温度は２５℃から４
５℃まで変化させた時、発振波長は８８３nmから８８８
nmまでリニアに変化していることが分る。この時の変化
量は、約０.２５nm／℃であった。また、第２高調波出
力の安定性を評価するため、光スペクトラムアナライザ
にて出力波長，出力強度特性を観察したところ、波長，
強度ともにふらつきはなく、安定であることが分った。
【００１７】図４は、本発明による薄膜抵抗加熱型半導
体レーザを用いたＳＨＧレーザの構成図で、図中、２１
は薄膜抵抗体加熱型の半導体レーザ、２２は有機非線形
コアファイバ、２３はコリメートレンズ、２４はファイ
バ結合用対物レンズ、２５は出射光コリメート用円錐レ
ンズ、２６は基本波吸収フィルタ、２７は基本波、２８
は第２高調波である。基本構成としては、ＳＨＧ素子に
有機非線形コアファイバを用いたチェレンコフ位相整合
型ファイバＳＨＧレーザである。
体レーザを用いたＳＨＧレーザの構成図で、図中、２１
は薄膜抵抗体加熱型の半導体レーザ、２２は有機非線形
コアファイバ、２３はコリメートレンズ、２４はファイ
バ結合用対物レンズ、２５は出射光コリメート用円錐レ
ンズ、２６は基本波吸収フィルタ、２７は基本波、２８
は第２高調波である。基本構成としては、ＳＨＧ素子に
有機非線形コアファイバを用いたチェレンコフ位相整合
型ファイバＳＨＧレーザである。
【００１８】薄膜抵抗体加熱型の半導体レーザ２１から
発振された基本波２７は、コリメートレンズ２３，ファ
イバ結合用対物レンズ２４にて有機非線形コアファイバ
２２の入射側端面に集光され結合し、コア内をシングル
モードで伝播する。この時、チェレンコフ放射モードに
より位相整合された第２高調波２８が、クラドを伝播
し、有機非線形コアファイバ２２の出射側端面より基本
波２７とともに出射されてくる。
発振された基本波２７は、コリメートレンズ２３，ファ
イバ結合用対物レンズ２４にて有機非線形コアファイバ
２２の入射側端面に集光され結合し、コア内をシングル
モードで伝播する。この時、チェレンコフ放射モードに
より位相整合された第２高調波２８が、クラドを伝播
し、有機非線形コアファイバ２２の出射側端面より基本
波２７とともに出射されてくる。
【００１９】出射された基本波２７，及び第２高調波２
８は、それぞれ出射光コリメート用円錐レンズ２５によ
りコリメートされ、さらに基本波２７は基本波吸収フィ
ルタ２６により吸収除去され、素子外部には第２高調波
２８だけが取り出される。この時、該ＳＨＧレーザの一
次光源としては、上述の通り薄膜抵抗体加熱型半導体レ
ーザ２１を使用しているため、温度をコントロールする
ことにより、位相整合波長を最適化することができ、ま
た波長の外部温度による影響もなく安定で、かつ高効率
の波長変換を実現することができた。
８は、それぞれ出射光コリメート用円錐レンズ２５によ
りコリメートされ、さらに基本波２７は基本波吸収フィ
ルタ２６により吸収除去され、素子外部には第２高調波
２８だけが取り出される。この時、該ＳＨＧレーザの一
次光源としては、上述の通り薄膜抵抗体加熱型半導体レ
ーザ２１を使用しているため、温度をコントロールする
ことにより、位相整合波長を最適化することができ、ま
た波長の外部温度による影響もなく安定で、かつ高効率
の波長変換を実現することができた。
【００２０】このような構成により、本発明の温度制御
型ＳＨＧレーザが組み込まれたピックアップを光ディス
ク装置に組み込み、記録再生を行ったところ、従来の半
導体レーザ（７８０nm）で書込んだ場合に比べて、凡そ
４倍の情報を書込むことができた。なお、本発明では、
ＳＨＧ素子としてファイバチェレンコフ型を用いたが、
これの他、バルク型，導波路型等のＳＨＧ素子にも適用
することが可能である。
型ＳＨＧレーザが組み込まれたピックアップを光ディス
ク装置に組み込み、記録再生を行ったところ、従来の半
導体レーザ（７８０nm）で書込んだ場合に比べて、凡そ
４倍の情報を書込むことができた。なお、本発明では、
ＳＨＧ素子としてファイバチェレンコフ型を用いたが、
これの他、バルク型，導波路型等のＳＨＧ素子にも適用
することが可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
による温度制御型ＳＨＧレーザは、従来の素子に比べて
ある一定の温度あるいは任意の温度に調節して用いるこ
とができるため、出力波長及び強度の安定性に優れ、ま
た逆に制御置度を変化させることにより、任意の波長が
必要なシステムにも用いることができる効果を有する。
また、薄膜抵抗加熱型の半導体レーザとしたことによ
り、ペルチェ等の外部温度制御用素子を必要とせず、小
型軽量で耐環境性に優れ、集光径の小さいピックアップ
素子を従来に比較して低コストで作製することが可能と
なる。さらに、薄膜抵抗加熱型の半導体レーザを一次光
源としたＳＨＧレーザをピックアップに用いることによ
り、小型軽量で記録容量の大きい光ディスク装置の実現
が可能である。
による温度制御型ＳＨＧレーザは、従来の素子に比べて
ある一定の温度あるいは任意の温度に調節して用いるこ
とができるため、出力波長及び強度の安定性に優れ、ま
た逆に制御置度を変化させることにより、任意の波長が
必要なシステムにも用いることができる効果を有する。
また、薄膜抵抗加熱型の半導体レーザとしたことによ
り、ペルチェ等の外部温度制御用素子を必要とせず、小
型軽量で耐環境性に優れ、集光径の小さいピックアップ
素子を従来に比較して低コストで作製することが可能と
なる。さらに、薄膜抵抗加熱型の半導体レーザを一次光
源としたＳＨＧレーザをピックアップに用いることによ
り、小型軽量で記録容量の大きい光ディスク装置の実現
が可能である。
【図１】本発明による薄膜抵抗加熱型半導体レーザの実
施例を説明するための構成図である。
施例を説明するための構成図である。
【図２】本発明による反応性蒸着装置の構成図である。
【図３】本発明による発振波長の素子温度依存性を示す
図である。
図である。
【図４】本発明によるファイバチェレンコフ型ＳＨＧレ
ーザの構成図である。
ーザの構成図である。
１…薄膜抵抗体、２…絶縁体、３…半導体レーザチッ
プ、１１…排気系、１２…チャンバ、１３…反応ガスボ
ンベ、１４…減圧弁、１５…リークバルブ、１６…ガス
ノズル、１７…蒸着源、１８…ヒータ、１９…基板、２
１…薄膜抵抗加熱型ＶＳＩＳ半導体レーザ、２２…有機
コアファイバ、２３…コリメートレンズ、２４…結合用
対物レンズ、２５…出射光コリメート用円錐レンズ、２
６…基本光吸収フィルタ、２７…基本波、２８…第２高
調波。
プ、１１…排気系、１２…チャンバ、１３…反応ガスボ
ンベ、１４…減圧弁、１５…リークバルブ、１６…ガス
ノズル、１７…蒸着源、１８…ヒータ、１９…基板、２
１…薄膜抵抗加熱型ＶＳＩＳ半導体レーザ、２２…有機
コアファイバ、２３…コリメートレンズ、２４…結合用
対物レンズ、２５…出射光コリメート用円錐レンズ、２
６…基本光吸収フィルタ、２７…基本波、２８…第２高
調波。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザを一次光源とし、該レーザ
光の波長を半分にするＳＨＧ素子を用いたＳＨＧレーザ
において、半導体レーザチップに加熱用薄膜抵抗体を取
り付け、該半導体レーザチップの温度を制御して用いる
ことを特徴とする温度制御型ＳＨＧレーザ。 - 【請求項２】 制御温度を変化させることにより、前記
ＳＨＧ素子より出射されるレーザ光の波長を任意に変え
ることができることを特徴とする請求項１記載の温度制
御型ＳＨＧレーザ。 - 【請求項３】 基本波であるレーザ光を出射する薄膜抵
抗加熱型の半導体レーザと、該半導体レーザからの光が
レンズ系を介して入射側端面に集光され結合する有機非
線形コアファイバと、該有機非線形コアファイバで発生
した第２高調波から基本波を除去するフィルタとから成
ることを特徴とする温度制御型ＳＨＧレーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3126094A JPH07240564A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 温度制御型ｓｈｇレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3126094A JPH07240564A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 温度制御型ｓｈｇレーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240564A true JPH07240564A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12326384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3126094A Pending JPH07240564A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 温度制御型ｓｈｇレーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07240564A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7187701B2 (en) | 2003-04-30 | 2007-03-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ridge waveguide semiconductor laser |
| JP2016054168A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
| US10673446B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-06-02 | Seiko Epson Corporation | Atomic oscillator and frequency signal generation system |
| US10756513B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-08-25 | Seiko Epson Corporation | Atomic oscillator and frequency signal generation system |
-
1994
- 1994-03-01 JP JP3126094A patent/JPH07240564A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7187701B2 (en) | 2003-04-30 | 2007-03-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ridge waveguide semiconductor laser |
| JP2016054168A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
| US10673446B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-06-02 | Seiko Epson Corporation | Atomic oscillator and frequency signal generation system |
| US10756513B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-08-25 | Seiko Epson Corporation | Atomic oscillator and frequency signal generation system |
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