JPH0528915B2 - - Google Patents
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- JPH0528915B2 JPH0528915B2 JP61099117A JP9911786A JPH0528915B2 JP H0528915 B2 JPH0528915 B2 JP H0528915B2 JP 61099117 A JP61099117 A JP 61099117A JP 9911786 A JP9911786 A JP 9911786A JP H0528915 B2 JPH0528915 B2 JP H0528915B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 45
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 19
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/107—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using electro-optic devices, e.g. exhibiting Pockels or Kerr effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
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Description
【発明の詳細な説明】
《産業上の利用分野》
本発明は、レーザ光の発振波長を変えることが
できる可変波長レーザ光源の特性の改良に関する
ものである。
できる可変波長レーザ光源の特性の改良に関する
ものである。
《従来の技術》
従来の可変波長レーザ光源としては次のような
ものがある。
ものがある。
イ レーザ共振器内の光路上に音響光学フイルタ
を備え、通過周波数を制御するもの。
を備え、通過周波数を制御するもの。
ロ レーザ共振器内の光路上に複屈折フイルタを
備えたもの。
備えたもの。
ハ レーザ共振器内部に共振部を２つ有し、ミラ
ーを動かして発振波長を変化させる複合共振器
形。
ーを動かして発振波長を変化させる複合共振器
形。
ニ レーザ共振器内部において、音響偏向器によ
り回折格子への光入射角を変えることにより、
発振波長を制御するもの。
り回折格子への光入射角を変えることにより、
発振波長を制御するもの。
ホ その他レーザ共振器内にプリズムを入れるも
の、共振器を形成するミラーの代りに回折格子
を用いるものなどがある。
の、共振器を形成するミラーの代りに回折格子
を用いるものなどがある。
《発明が解決しようとする問題点》
しかしながら、上記のような構成の可変波長光
源において、ロとハ以外は発振スペクトル幅が広
くなるという欠点があり、ロは可変範囲が狭く、
ハは電気的な制御が難しいという問題点がある。
源において、ロとハ以外は発振スペクトル幅が広
くなるという欠点があり、ロは可変範囲が狭く、
ハは電気的な制御が難しいという問題点がある。
本発明はこのような問題点を解決するためにな
されたもので、スペクトル幅の狭い可変波長光源
を実現することを目的とする。
されたもので、スペクトル幅の狭い可変波長光源
を実現することを目的とする。
《問題点を解決するための手段》
本発明に係る可変波長光源は、
光路の一部を互いに共用する２つのレーザ共振
器と、 前記２つのレーザ共振器の光路上にそれぞれ設
けられ、且つ、互いに同一温度となるように構成
され、同一の光路長であつて、同一の温度特性を
持つ電気光学結晶と、 を備え、一方の電気光学結晶の屈折率を電気的に
制御することにより発振波長を変化させるように
構成したことを特徴とする。
器と、 前記２つのレーザ共振器の光路上にそれぞれ設
けられ、且つ、互いに同一温度となるように構成
され、同一の光路長であつて、同一の温度特性を
持つ電気光学結晶と、 を備え、一方の電気光学結晶の屈折率を電気的に
制御することにより発振波長を変化させるように
構成したことを特徴とする。
《実施例》
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は、本発明に係る装置が行う発振波長の
可変原理を説明する図である。LD１は半導体レ
ーザ、１，２はこの半導体レーザLD１の両端に
設けられた無反射コート部、LS１はこの無反射
コート部１から出射される光を平行光とするレン
ズ、HM１はこのレンズLS1を通過した光が反射
されるハーフミラー、LS２は無反射コート部２
から出射される光を平行光とするレンズ、EO１
はLiNbO3（ニオブ酸リチウム）等の結晶からなり
前記レンズLS２の出力光を入射する両面無反射
コートの電気光学素子、３はこの電気光学素子
EO１を制御する信号源、Ｍ１はこの電気光学素
子EO１の出力光を入射するミラーである。
可変原理を説明する図である。LD１は半導体レ
ーザ、１，２はこの半導体レーザLD１の両端に
設けられた無反射コート部、LS１はこの無反射
コート部１から出射される光を平行光とするレン
ズ、HM１はこのレンズLS1を通過した光が反射
されるハーフミラー、LS２は無反射コート部２
から出射される光を平行光とするレンズ、EO１
はLiNbO3（ニオブ酸リチウム）等の結晶からなり
前記レンズLS２の出力光を入射する両面無反射
コートの電気光学素子、３はこの電気光学素子
EO１を制御する信号源、Ｍ１はこの電気光学素
子EO１の出力光を入射するミラーである。
半導体レーザLD１の無反射コート部１から出
射した光はレンズLS１で平行光となり、ハーフ
ミラーHM１で反射される。ハーフミラーHM１
からの反射光は光路を元に戻つて再び半導体レー
ザLD１に入射する。無反射コート部２から出射
した周波数f01の光はレンズLS２で平行光とされ、
電気光学素子EO１を通過し、ミラーＭ１で反射
した後元の光路を逆行して、再び半導体レーザ
LD１に入射する。この結果ハーフミラーHM１
とミラーＭ１の間で共振器を構成できる。ハーフ
ミラーHM１とミラーＭ１の間の電気光学素子
EO１の光路に沿つた長さｌを除く光学長をＬ、
電気光学素子EO１の屈折率をｎ、光速をｃ，ｐ
を整数とすると、発振周波数f01は f01＝ｐ・ｃ／２（Ｌ＋ｎ(V)ｌ） …(1) となる。すなわち信号源３により電気光学素子
EO１の電界強度を変えることにより屈折率ｎを
変化させることができ、その結果発振周波数f01
を掃引できる。レーザ光はハーフミラーHM１を
介して外部へ出力される。
射した光はレンズLS１で平行光となり、ハーフ
ミラーHM１で反射される。ハーフミラーHM１
からの反射光は光路を元に戻つて再び半導体レー
ザLD１に入射する。無反射コート部２から出射
した周波数f01の光はレンズLS２で平行光とされ、
電気光学素子EO１を通過し、ミラーＭ１で反射
した後元の光路を逆行して、再び半導体レーザ
LD１に入射する。この結果ハーフミラーHM１
とミラーＭ１の間で共振器を構成できる。ハーフ
ミラーHM１とミラーＭ１の間の電気光学素子
EO１の光路に沿つた長さｌを除く光学長をＬ、
電気光学素子EO１の屈折率をｎ、光速をｃ，ｐ
を整数とすると、発振周波数f01は f01＝ｐ・ｃ／２（Ｌ＋ｎ(V)ｌ） …(1) となる。すなわち信号源３により電気光学素子
EO１の電界強度を変えることにより屈折率ｎを
変化させることができ、その結果発振周波数f01
を掃引できる。レーザ光はハーフミラーHM１を
介して外部へ出力される。
このような構成の可変波長光源によれば、共振
器長が長く共振器のＱが高いので、スペクトル幅
が狭いという利点がある。
器長が長く共振器のＱが高いので、スペクトル幅
が狭いという利点がある。
また電気光学素子を用いているので、電気的な
制御が容易にできる。
制御が容易にできる。
なお半導体レーザLD１の左側端面をミラー・
コートすれば、レンズLS１とハーフミラーHM
１を省略することができる。
コートすれば、レンズLS１とハーフミラーHM
１を省略することができる。
第２図は、第１図の可変波長光源を１チツプ上
に集積したものを示す斜視図である。集積形可変
波長光源１０において、１１はGaAlAs，
InGaAsP等から構成されるレーザダイオード、
１２はこのレーザダイオード１１の接合部に設け
られた光増幅部、１３は同じく設けられた導波路
形外部共振器、１４，１５はレーザダイオード１
１の両端にもうけられたミラー、１６は前記光増
幅部１２に対応してレーザダイオード１１の表面
に設けられた電極、１７は前記導波路形外部共振
器１３に対応してレーザダイオード１１の表面に
設けられた電極である。電極１６を介して接合部
に電流ILDを注入して光増幅部１２においてレー
ザ光を発生させ、導波路形外部共振器１３に電極
１７を介して電流IFを流し導波路形外部共振器１
３の屈折率を変化させて発振周波数を掃引する。
光増幅部１２および導波路形外部共振器１３の接
合部に沿つた長さをそれぞれl1，l2、屈折率をそ
れぞれn1，n2，ｑを整数とすると、発振周波数
f02は f02＝ｑ・ｃ／２（n1l1＋n2（IF）l2） …(2) となる。
に集積したものを示す斜視図である。集積形可変
波長光源１０において、１１はGaAlAs，
InGaAsP等から構成されるレーザダイオード、
１２はこのレーザダイオード１１の接合部に設け
られた光増幅部、１３は同じく設けられた導波路
形外部共振器、１４，１５はレーザダイオード１
１の両端にもうけられたミラー、１６は前記光増
幅部１２に対応してレーザダイオード１１の表面
に設けられた電極、１７は前記導波路形外部共振
器１３に対応してレーザダイオード１１の表面に
設けられた電極である。電極１６を介して接合部
に電流ILDを注入して光増幅部１２においてレー
ザ光を発生させ、導波路形外部共振器１３に電極
１７を介して電流IFを流し導波路形外部共振器１
３の屈折率を変化させて発振周波数を掃引する。
光増幅部１２および導波路形外部共振器１３の接
合部に沿つた長さをそれぞれl1，l2、屈折率をそ
れぞれn1，n2，ｑを整数とすると、発振周波数
f02は f02＝ｑ・ｃ／２（n1l1＋n2（IF）l2） …(2) となる。
第３図は本発明に係る可変波長光源の実施例
で、第１図の可変波長光源を二重共振器型とした
ものを示す構成ブロツク図である。第１図と同じ
部分は同一の記号を付して説明を省略する。BS
１はレンズLS２からの出射光を２方向に分離す
るビームスプリツタ、EO１はこのビームスプリ
ツタBS１を透過した光を入射する電気光学素子、
Ｍ１はこの電気光学素子EO１の出射光を反射す
るミラー、EO２は前記ビームスプリツタBS１で
反射した光を入射する電気光学素子、Ｍ２はこの
電気光学素子EO２の出射光を反射するミラーで
ある。電気光学素子EO１，EO２の光路の方向の
長さをそれぞれl3，l4、屈折率をそれぞれn3，n4、
ハーフミラーHM１，Ｍ１間の光路に沿つたl3を
除く光学長をL1、ハーフミラーHM１Ｍ２間の光
路に沿つたl4を除く光学長をL2，ｒを整数とする
と、この場合の発振周波数f03は f03＝ｒ・ｃ／２｜（L1＋n3（V1）l3） −（L2＋n4（V2）l4｜ …(3) となる。ただしV1，V2はそれぞれ電気光学素子
EO１，EO２の駆動電圧である（図では省略）。
(3)式は(1)式よりも分母を小さくできるので、第１
図装置の場合よりも発振周波数の可変範囲を大き
くできる。
で、第１図の可変波長光源を二重共振器型とした
ものを示す構成ブロツク図である。第１図と同じ
部分は同一の記号を付して説明を省略する。BS
１はレンズLS２からの出射光を２方向に分離す
るビームスプリツタ、EO１はこのビームスプリ
ツタBS１を透過した光を入射する電気光学素子、
Ｍ１はこの電気光学素子EO１の出射光を反射す
るミラー、EO２は前記ビームスプリツタBS１で
反射した光を入射する電気光学素子、Ｍ２はこの
電気光学素子EO２の出射光を反射するミラーで
ある。電気光学素子EO１，EO２の光路の方向の
長さをそれぞれl3，l4、屈折率をそれぞれn3，n4、
ハーフミラーHM１，Ｍ１間の光路に沿つたl3を
除く光学長をL1、ハーフミラーHM１Ｍ２間の光
路に沿つたl4を除く光学長をL2，ｒを整数とする
と、この場合の発振周波数f03は f03＝ｒ・ｃ／２｜（L1＋n3（V1）l3） −（L2＋n4（V2）l4｜ …(3) となる。ただしV1，V2はそれぞれ電気光学素子
EO１，EO２の駆動電圧である（図では省略）。
(3)式は(1)式よりも分母を小さくできるので、第１
図装置の場合よりも発振周波数の可変範囲を大き
くできる。
また従来の複合共振器の片面無反射コートと異
なり、半導体レーザLD１の両端を無反射コート
して外部ミラーを用いているので、半導体レーザ
LD１の両端面による共振器のＱが下がり、前記
共振器の影響が少ないという利点もある。
なり、半導体レーザLD１の両端を無反射コート
して外部ミラーを用いているので、半導体レーザ
LD１の両端面による共振器のＱが下がり、前記
共振器の影響が少ないという利点もある。
なお電気光学素子は２つの共振器の一方のみに
設けてもよい。
設けてもよい。
第３図装置において、電気光学結晶の屈折率は
電界のみならず、温度によつても変化する。例え
ば、LiNbO3の屈折率の温度係数は、 dne／dT＝５×10-5（１／℃） dn0／dT＝５×10-6（１／℃） （ただしne，n0は主屈折率） であり、光軸方向に電界を加えたときの単位電界
に対する屈折率の変化 （２／３）ne 2r33＝9.97×10-11 （ｍ／Ｖ） （２／３）n0 2r13＝3.34×10-11 （ｍ／Ｖ） （ただし波長λ＝633nmにおける値。r33，r13は
電気光学係数）と比較すると、温度変化の屈折率
への影響は非常に大きい。その結果、発振波長が
変化するだけでなく、FSR（Free Spectral
Range）が狭くなり、ある温度で単一波長発振す
るように調整しても、温度が変ることにより、多
モード発振となつてしまう場合さえある。そこ
で、２つの電気光学結晶EO１，EO２として同一
長、同一温度特性のものを使用し、光の偏波面に
対して同一結晶軸方向に配置すれば、以下のよう
に温度補償を行うことができる。電気光学素子
EO１のみを駆動し、電気光学素子EO２を温度補
償用結晶として用いると、電界の変化ΔEおよび
温度の変化ΔTに対応するEO１側の光学長の変
化Δnl3は Δnl3＝｛（dn／dE）ΔE＋（dn／dT）△Ｔ｝ｌ …(4) となり、温度の変化△Ｔに対応するEO２側の光
学長の変化Δnl4は Δnl4＝（dn／dT）ΔTl …(5) となる。ただしn3＝n4＝ｎ，l3＝l4＝ｌ である。したがつて、電界および温度の変化ΔE、
ΔTに対応する等価的共振器Leqの変化は ΔLeq＝Δnl3−Δnl4＝（dn／dE）ΔEl …(6) となり、温度を含む項が相殺されるので、温度変
化の影響を受けない。
電界のみならず、温度によつても変化する。例え
ば、LiNbO3の屈折率の温度係数は、 dne／dT＝５×10-5（１／℃） dn0／dT＝５×10-6（１／℃） （ただしne，n0は主屈折率） であり、光軸方向に電界を加えたときの単位電界
に対する屈折率の変化 （２／３）ne 2r33＝9.97×10-11 （ｍ／Ｖ） （２／３）n0 2r13＝3.34×10-11 （ｍ／Ｖ） （ただし波長λ＝633nmにおける値。r33，r13は
電気光学係数）と比較すると、温度変化の屈折率
への影響は非常に大きい。その結果、発振波長が
変化するだけでなく、FSR（Free Spectral
Range）が狭くなり、ある温度で単一波長発振す
るように調整しても、温度が変ることにより、多
モード発振となつてしまう場合さえある。そこ
で、２つの電気光学結晶EO１，EO２として同一
長、同一温度特性のものを使用し、光の偏波面に
対して同一結晶軸方向に配置すれば、以下のよう
に温度補償を行うことができる。電気光学素子
EO１のみを駆動し、電気光学素子EO２を温度補
償用結晶として用いると、電界の変化ΔEおよび
温度の変化ΔTに対応するEO１側の光学長の変
化Δnl3は Δnl3＝｛（dn／dE）ΔE＋（dn／dT）△Ｔ｝ｌ …(4) となり、温度の変化△Ｔに対応するEO２側の光
学長の変化Δnl4は Δnl4＝（dn／dT）ΔTl …(5) となる。ただしn3＝n4＝ｎ，l3＝l4＝ｌ である。したがつて、電界および温度の変化ΔE、
ΔTに対応する等価的共振器Leqの変化は ΔLeq＝Δnl3−Δnl4＝（dn／dE）ΔEl …(6) となり、温度を含む項が相殺されるので、温度変
化の影響を受けない。
第４図は第３図装置の２つの電気光学結晶を一
体ブロツク化して同一温度となるように構成した
ものを示す斜視図である。２０は銅等の熱伝導の
良い金属等からなるブロツク、２１，２２はこの
ブロツク２０内に近接して埋め込まれた波長可変
用と温度補償用の２つの電気光学結晶である。第
５図はこの電気光学素子を用いた可変波長光源の
第２の実施例を示す構成ブロツク図である。第３
図と異なるのは電気光学素子EO１，EO２の代り
にブロツク２０を使用し、ミラーＭ３で光路の方
向を変えている点のみで、動作は同様である。２
つの電気光学結晶は光の偏波面に対して同一結晶
軸方向に配置され、光路長および温度特性が等し
く選ばれ、一体ブロツク化しているので温度も等
しくなり、前述のような温度補償効果を実現でき
る。
体ブロツク化して同一温度となるように構成した
ものを示す斜視図である。２０は銅等の熱伝導の
良い金属等からなるブロツク、２１，２２はこの
ブロツク２０内に近接して埋め込まれた波長可変
用と温度補償用の２つの電気光学結晶である。第
５図はこの電気光学素子を用いた可変波長光源の
第２の実施例を示す構成ブロツク図である。第３
図と異なるのは電気光学素子EO１，EO２の代り
にブロツク２０を使用し、ミラーＭ３で光路の方
向を変えている点のみで、動作は同様である。２
つの電気光学結晶は光の偏波面に対して同一結晶
軸方向に配置され、光路長および温度特性が等し
く選ばれ、一体ブロツク化しているので温度も等
しくなり、前述のような温度補償効果を実現でき
る。
第６図は第３図装置の２つの電気光学結晶を１
つの結晶内に一体化して同一温度となるように構
成したものを示す斜視図である。３０は電気光学
結晶、３１，３２はこの電気光学結晶３０の両面
の半分に対向して設けられた波長変化用の電極で
ある。第７図はこの電気光学素子を用いた可変波
長光源の第３の実施例を示す構成ブロツク図であ
る。第５図装置のブロツク２０の代りに、結晶３
０をその電極３１が光路と平行となるように配置
したもので、電極３１に対応する光路で波長可変
を行い、他の光路で温度補償を行う。
つの結晶内に一体化して同一温度となるように構
成したものを示す斜視図である。３０は電気光学
結晶、３１，３２はこの電気光学結晶３０の両面
の半分に対向して設けられた波長変化用の電極で
ある。第７図はこの電気光学素子を用いた可変波
長光源の第３の実施例を示す構成ブロツク図であ
る。第５図装置のブロツク２０の代りに、結晶３
０をその電極３１が光路と平行となるように配置
したもので、電極３１に対応する光路で波長可変
を行い、他の光路で温度補償を行う。
第８図は同じ電気光学素子を用いた可変波長光
源の第４の実施例を示す構成ブロツク図で、結晶
３０の縦横の長さを等しくとり、第７図におい
て、結晶３０の方向を90゜回転させるとともに、
ミラーＭ４を挿入して、２つの光路を交差させた
ものである。
源の第４の実施例を示す構成ブロツク図で、結晶
３０の縦横の長さを等しくとり、第７図におい
て、結晶３０の方向を90゜回転させるとともに、
ミラーＭ４を挿入して、２つの光路を交差させた
ものである。
なお、さらに温度の安定度が必要な場合には、
第４図のブロツクや第６図の結晶、さらには装置
全体を恒温槽に入れればよい。
第４図のブロツクや第６図の結晶、さらには装置
全体を恒温槽に入れればよい。
第９図は本発明に係る可変波長光源の第５の実
施例を示す構成ブロツク図で、光導波路を用いて
二重外部共振器型の可変波長光源を実現したもの
である。４は半導体レーザLD１の片端面に設け
られたミラーコート面、４０は光導波路で構成さ
れた外部共振器、この外部共振器４０において、
４１は半導体レーザLD１の出力光を集光用レン
ズLS２を介して入射する第１の導波路、４３は
この光導波路４１の端面に設けられたミラーコー
ト部、４６は前記導波路４１に設けられた波長変
化用の変調器、４２は前記光導波路４１の光を方
向性結合器４９を介して結合する第２の光導波
路、４４はこの光導波路４２の一端に設けられた
ミラーコート部、４５は同じく他端に設けられた
出力光を出射する無反射コート部、４７は前記光
導波路４２に設けられた波長変化用の変調部、４
８は出力変調器である。
施例を示す構成ブロツク図で、光導波路を用いて
二重外部共振器型の可変波長光源を実現したもの
である。４は半導体レーザLD１の片端面に設け
られたミラーコート面、４０は光導波路で構成さ
れた外部共振器、この外部共振器４０において、
４１は半導体レーザLD１の出力光を集光用レン
ズLS２を介して入射する第１の導波路、４３は
この光導波路４１の端面に設けられたミラーコー
ト部、４６は前記導波路４１に設けられた波長変
化用の変調器、４２は前記光導波路４１の光を方
向性結合器４９を介して結合する第２の光導波
路、４４はこの光導波路４２の一端に設けられた
ミラーコート部、４５は同じく他端に設けられた
出力光を出射する無反射コート部、４７は前記光
導波路４２に設けられた波長変化用の変調部、４
８は出力変調器である。
上記の装置は第３図装置と同様の動作を行い、
半導体レーザLD１のミラーコート面４と外部共
振器４０のミラーコート面４３および４４との間
には方向性結合器４９を介して共振器が形成さ
れ、変調器４６および変調器４７の少なくとも一
方を駆動することにより、発振波長を変化させる
ことができる。
半導体レーザLD１のミラーコート面４と外部共
振器４０のミラーコート面４３および４４との間
には方向性結合器４９を介して共振器が形成さ
れ、変調器４６および変調器４７の少なくとも一
方を駆動することにより、発振波長を変化させる
ことができる。
このような構成の可変波長光源によれば、光学
系の構成を簡単にできる。
系の構成を簡単にできる。
なお上記実施例において、第５図装置と同様の
温度補償を容易に行うことができる。
温度補償を容易に行うことができる。
第１０図は本発明に係る可変波長光源の第６の
実施例を示す構成ブロツク図である。第１図装置
と異なるのは。電気光学素子EO１とミラーＭ１
の間の光路上に、複屈折フイルタあるいは音響光
学フイルタ等で構成され、透過帯域を外部から制
御可能な光学フイルタOF１を設けた点で、共振
器のゲインが大となる前記透過帯域で発振するよ
うに構成したものである。電気光学素子EO１で
制御できる波長の幅は余り大きくないが、光学フ
イルタOF１は帯域を大幅に制御することができ
るので、可変波長範囲の広い可変波長光源を実現
できる。
実施例を示す構成ブロツク図である。第１図装置
と異なるのは。電気光学素子EO１とミラーＭ１
の間の光路上に、複屈折フイルタあるいは音響光
学フイルタ等で構成され、透過帯域を外部から制
御可能な光学フイルタOF１を設けた点で、共振
器のゲインが大となる前記透過帯域で発振するよ
うに構成したものである。電気光学素子EO１で
制御できる波長の幅は余り大きくないが、光学フ
イルタOF１は帯域を大幅に制御することができ
るので、可変波長範囲の広い可変波長光源を実現
できる。
第１１図は本発明に係る可変波長光源の第７の
実施例を示す構成ブロツク図で、第２図の集積形
の可変波長光源１０の片端面を無反射コートした
ものと第１０図装置のOF１，Ｍ１と同様の光学
フイルタOF２、ミラーＭ５を組合せて半集積形
で可変波長範囲の広い可変波長光源を構成したも
のである。
実施例を示す構成ブロツク図で、第２図の集積形
の可変波長光源１０の片端面を無反射コートした
ものと第１０図装置のOF１，Ｍ１と同様の光学
フイルタOF２、ミラーＭ５を組合せて半集積形
で可変波長範囲の広い可変波長光源を構成したも
のである。
《発明の効果》
以上述べたように本発明によれば、温度変化の
影響を受けることなく、スペクトル幅の狭い可変
波長のレーザ光を得ることができる。
影響を受けることなく、スペクトル幅の狭い可変
波長のレーザ光を得ることができる。
第１図は本発明に係る装置が行う発振波長の可
変原理を説明する図、第２図は第１図の可変波長
光源を１チツプ上に集積したものを示す斜視図、
第３図は本発明に係る可変波長光源の実施例を示
す構成ブロツク図、第４図は第３図装置の一部の
変形例を示す部分斜視図、第５図は第４図装置を
用いた本発明に係る可変波長光源の第２の実施例
を示す構成ブロツク図、第６図は第３図装置の一
部の他の変形例を示す部分斜視図、第７図は第６
図装置を用いた本発明に係る可変波長光源の第３
の実施例を示す構成ブロツク図、第８図は同じく
第４の実施例を示す構成ブロツク図、第９図は本
発明に係る可変波長光源の第５の実施例を示す構
成ブロツク図、第１０図は本発明に係る可変波長
光源の第６の実施例を示す構成ブロツク図、第１
１図は本発明に係る可変波長光源の第７の実施例
を示す構成ブロツク図である。 ３…信号源、４，１４，１５，４３，４４，Ｍ
１，Ｍ２，Ｍ５…ミラー、１０…可変波長光源、
１２…光増幅部、１３…導波路形外部共振器、
HM１…ハーフミラー、２１，２２，３０，EO
１，EO２…電気光学素子、４６，４６…変調器、
LD１…半導体レーザ。
変原理を説明する図、第２図は第１図の可変波長
光源を１チツプ上に集積したものを示す斜視図、
第３図は本発明に係る可変波長光源の実施例を示
す構成ブロツク図、第４図は第３図装置の一部の
変形例を示す部分斜視図、第５図は第４図装置を
用いた本発明に係る可変波長光源の第２の実施例
を示す構成ブロツク図、第６図は第３図装置の一
部の他の変形例を示す部分斜視図、第７図は第６
図装置を用いた本発明に係る可変波長光源の第３
の実施例を示す構成ブロツク図、第８図は同じく
第４の実施例を示す構成ブロツク図、第９図は本
発明に係る可変波長光源の第５の実施例を示す構
成ブロツク図、第１０図は本発明に係る可変波長
光源の第６の実施例を示す構成ブロツク図、第１
１図は本発明に係る可変波長光源の第７の実施例
を示す構成ブロツク図である。 ３…信号源、４，１４，１５，４３，４４，Ｍ
１，Ｍ２，Ｍ５…ミラー、１０…可変波長光源、
１２…光増幅部、１３…導波路形外部共振器、
HM１…ハーフミラー、２１，２２，３０，EO
１，EO２…電気光学素子、４６，４６…変調器、
LD１…半導体レーザ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光路の一部を互いに共用する２つのレーザ共
振器と、 前記２つのレーザ共振器の光路上にそれぞれ設
けられ、且つ、互いに同一温度となるように構成
され、同一の光路長であつて、同一の温度特性を
持つ電気光学結晶と、 を備え、一方の電気光学結晶の屈折率を電気的に
制御することにより発振波長を変化させるように
構成した可変波長光源。 ２ 前記レーザ共振器の光路が光導波路で構成さ
れたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の可変波長光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9911786A JPS62254478A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 可変波長光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9911786A JPS62254478A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 可変波長光源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62254478A JPS62254478A (ja) | 1987-11-06 |
| JPH0528915B2 true JPH0528915B2 (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=14238849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9911786A Granted JPS62254478A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 可変波長光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62254478A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0325987A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体レーザ光源装置 |
| JP2009033078A (ja) * | 2007-01-29 | 2009-02-12 | Optical Comb Inc | 波長走査型光源 |
| JP5457952B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2014-04-02 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変レーザ光源 |
| JP2012142432A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632785A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light amplifier |
| JPS57124490A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | Coupler for semiconductor laser and optical fiber |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP9911786A patent/JPS62254478A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632785A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light amplifier |
| JPS57124490A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | Coupler for semiconductor laser and optical fiber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62254478A (ja) | 1987-11-06 |
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