JPH02184827A - 光変調波復調装置 - Google Patents
光変調波復調装置Info
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- JPH02184827A JPH02184827A JP1005232A JP523289A JPH02184827A JP H02184827 A JPH02184827 A JP H02184827A JP 1005232 A JP1005232 A JP 1005232A JP 523289 A JP523289 A JP 523289A JP H02184827 A JPH02184827 A JP H02184827A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 110
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 35
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 abstract description 10
- 239000013598 vector Substances 0.000 abstract description 8
- 238000005086 pumping Methods 0.000 abstract 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDLNIWJAILQSGW-UHFFFAOYSA-N [In].[Sb].[In] Chemical compound [In].[Sb].[In] DDLNIWJAILQSGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N dibismuth;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F2/002—Demodulating light; Transferring the modulation of modulated light; Frequency-changing of light using optical mixing
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04L27/00—Modulated-carrier systems
- H04L27/18—Phase-modulated carrier systems, i.e. using phase-shift keying
- H04L27/22—Demodulator circuits; Receiver circuits
- H04L27/223—Demodulation in the optical domain
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、同調精度の極めて高い光変調波復調装置に関
するもので、とくに波長多重光通信や空間的位相のそろ
った光波、すなわちコヒーレント光を利用したコヒーレ
ント光通信に有用な光変調波復調装置である。これらの
通信においては、光搬送波の波長に精度良くかつ安定に
同調できかつ安価な光変調波復調装置が必要とされてい
る。
するもので、とくに波長多重光通信や空間的位相のそろ
った光波、すなわちコヒーレント光を利用したコヒーレ
ント光通信に有用な光変調波復調装置である。これらの
通信においては、光搬送波の波長に精度良くかつ安定に
同調できかつ安価な光変調波復調装置が必要とされてい
る。
従来の技術
従来のコヒーレント光通信における光変調波復調装置の
構成例を第４図に示す。
構成例を第４図に示す。
第４図において、４０１は光変調波、４０２は光変調波
を伝達する光ファイバー ４０３は光合波器、４０４は
局部発振用分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザー ４０
５はＰＩＮフォトダイオードからなる光ミキサー ４０
６は中間同波増幅器、４０７は周波数弁別器、４０８は
前記半導体レーザー４０４０制御器である。
を伝達する光ファイバー ４０３は光合波器、４０４は
局部発振用分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザー ４０
５はＰＩＮフォトダイオードからなる光ミキサー ４０
６は中間同波増幅器、４０７は周波数弁別器、４０８は
前記半導体レーザー４０４０制御器である。
次にこの装置の動作を説明する。伝達すべき情報を周波
数変調または位相変調の形でのせた光変調波に、光合波
器４０３で、局部発振用半導体レーザー４０４により発
振させたレーザー光と合波させる。信号光搬送波波長と
局部発振光の波長が極めて近ければ、合波によってビー
ト信号を生じ、これが適当な周波数の中間周波数になれ
ば、中間周波数増幅器４０６で増幅し、以後通常の周波
数変調（ＦＭ）に対応する検波を行って、光変調波を復
調することができる。同調は周波数弁別器４０７を通し
て得られる信号を、適当に局部発振用半導体レーザーの
制御器４０８に帰還し、注入電流量を制御することによ
って行う。しかし同調検波の精度を上げるためには、局
部発振光の光源となるレーザーに、極めて発振波長スペ
クトル幅の狭い、安定なレーザー・が必要とされる。
数変調または位相変調の形でのせた光変調波に、光合波
器４０３で、局部発振用半導体レーザー４０４により発
振させたレーザー光と合波させる。信号光搬送波波長と
局部発振光の波長が極めて近ければ、合波によってビー
ト信号を生じ、これが適当な周波数の中間周波数になれ
ば、中間周波数増幅器４０６で増幅し、以後通常の周波
数変調（ＦＭ）に対応する検波を行って、光変調波を復
調することができる。同調は周波数弁別器４０７を通し
て得られる信号を、適当に局部発振用半導体レーザーの
制御器４０８に帰還し、注入電流量を制御することによ
って行う。しかし同調検波の精度を上げるためには、局
部発振光の光源となるレーザーに、極めて発振波長スペ
クトル幅の狭い、安定なレーザー・が必要とされる。
そのようなものとして、半導体レーザーの光共振反射鏡
に導波型回折格子を用いたいわゆる分布帰還型半導体レ
ーザー（ＤＦＢレーザー）が用いられている。
に導波型回折格子を用いたいわゆる分布帰還型半導体レ
ーザー（ＤＦＢレーザー）が用いられている。
第５図は、従来の代表的分布帰還型半導体レーザーの構
成を示したものである。図において５０１はレーザー発
振部、５０２は光導波部、５０３は導波型回折格子部、
５０４はレーザー光出射側の光共振用反射鏡となるべき
開端面、５０５は基板である。
成を示したものである。図において５０１はレーザー発
振部、５０２は光導波部、５０３は導波型回折格子部、
５０４はレーザー光出射側の光共振用反射鏡となるべき
開端面、５０５は基板である。
レーザー発振部５０１で、電気的に注入された電子と正
孔との再結合により発生した光は、光導波部５０２を通
って導波型回折格子部５０３に入る。入った光はここで
回折格子と干渉し、回折格子の周期と一定の関係のある
波長の光のみが反射される。
孔との再結合により発生した光は、光導波部５０２を通
って導波型回折格子部５０３に入る。入った光はここで
回折格子と干渉し、回折格子の周期と一定の関係のある
波長の光のみが反射される。
反射された光は再び光導波部を戻り、レーザー発振部を
通ってもう一方の端面に形成された通常の反射鏡５０４
によりまた反射され、結局光の導波型回折格子とこの反
射鏡により光共振器が形成される。したがって共振波長
は回折格子の周期によって固定され安定でかつ発振波長
スペクトル線幅の狭いレーザー光が得られる。この他導
波型回折格子の代りに通常の光学的回折格子を外部に設
置しこの回折格子を光共振の一方の反射鏡に用いた外部
共振器型半導体レーザーも知られている。
通ってもう一方の端面に形成された通常の反射鏡５０４
によりまた反射され、結局光の導波型回折格子とこの反
射鏡により光共振器が形成される。したがって共振波長
は回折格子の周期によって固定され安定でかつ発振波長
スペクトル線幅の狭いレーザー光が得られる。この他導
波型回折格子の代りに通常の光学的回折格子を外部に設
置しこの回折格子を光共振の一方の反射鏡に用いた外部
共振器型半導体レーザーも知られている。
発明が解決しようとする課題
前記光変調波復調装置においてはいくつかの課題がある
。第１に局部発振に用いる半導体レーザーの性能が十分
でない。そのため光変調波の搬′送波波長にうまく同調
させるのが困難である。分布帰還型半導体レーザーでは
、導波型回折格子を用いているがこの波長選択性があま
りよ（ないため発振波長のスペクトル線幅がまだ子分ム
こ狭くないからである。また外部共振器型半導体レーザ
ーでは１、回折格子として波長選択性のよいものを用い
ることかできるが、空間的に隔たっているため光軸を合
せて機械的に固定することになるが、光軸合せが難しく
また一度合せて取り付けても温度変化による熱膨張や収
縮、また機械的振動による変位を受けるため実際に安定
なものを作るのは困難である。発振波長スペクトル線幅
はこの空間的隔たりを長くするほど良いが、長くするほ
ど前述の機械的変動が起り易くなる。したがってやはり
外部共振器型半導体【／−ザーにおいても十分な性能の
ものが得られていない。
。第１に局部発振に用いる半導体レーザーの性能が十分
でない。そのため光変調波の搬′送波波長にうまく同調
させるのが困難である。分布帰還型半導体レーザーでは
、導波型回折格子を用いているがこの波長選択性があま
りよ（ないため発振波長のスペクトル線幅がまだ子分ム
こ狭くないからである。また外部共振器型半導体レーザ
ーでは１、回折格子として波長選択性のよいものを用い
ることかできるが、空間的に隔たっているため光軸を合
せて機械的に固定することになるが、光軸合せが難しく
また一度合せて取り付けても温度変化による熱膨張や収
縮、また機械的振動による変位を受けるため実際に安定
なものを作るのは困難である。発振波長スペクトル線幅
はこの空間的隔たりを長くするほど良いが、長くするほ
ど前述の機械的変動が起り易くなる。したがってやはり
外部共振器型半導体【／−ザーにおいても十分な性能の
ものが得られていない。
第２心こ波長多重光通信やコヒーレント光通信において
は、多重化するため、光搬送波の波長の幅が広くとれる
ほうが望ましいが、上記ＤＦＢ半導体レーし−ザーでは
、波長可変範囲が狭い。そのため波長の同調範囲が狭い
。
は、多重化するため、光搬送波の波長の幅が広くとれる
ほうが望ましいが、上記ＤＦＢ半導体レーし−ザーでは
、波長可変範囲が狭い。そのため波長の同調範囲が狭い
。
またうまく同調せるために周波数弁別器を用いており構
成が複雑なものとなっている。
成が複雑なものとなっている。
このよう番こ従来例では、発振波長のスペクトル線幅が
狭くかつ周囲の環境条件の変化に対して安定で、波長可
変範囲の広い半導体レーザーがないため、同調精度が高
く安定で、また同調範囲が広くかつ安価な光変調波復調
装置が得られなかった。
狭くかつ周囲の環境条件の変化に対して安定で、波長可
変範囲の広い半導体レーザーがないため、同調精度が高
く安定で、また同調範囲が広くかつ安価な光変調波復調
装置が得られなかった。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明では、一方の光共振
用反射鏡に入射光に対し空間的位相を反転させる機能を
有する４光波部合光位相共役素子を用いたレーザーと、
第１および第２のポンプ光光源を具備し、伝達情報を含
む光変調波の一部を、前記光位相共役素子にプローブ光
として入射させ、第１および第２のポンプ光との相互作
用により、光位相共役素子より出射した位相共投光を発
生させ、この位相共投光を利用して同調および復調を行
うようにしたものである。
用反射鏡に入射光に対し空間的位相を反転させる機能を
有する４光波部合光位相共役素子を用いたレーザーと、
第１および第２のポンプ光光源を具備し、伝達情報を含
む光変調波の一部を、前記光位相共役素子にプローブ光
として入射させ、第１および第２のポンプ光との相互作
用により、光位相共役素子より出射した位相共投光を発
生させ、この位相共投光を利用して同調および復調を行
うようにしたものである。
作用
上記のように構成することにより、同調精度が高く同調
範囲が広くかつ安定で、また安価な光変調波復調装置を
得ることができる。
範囲が広くかつ安定で、また安価な光変調波復調装置を
得ることができる。
実施例
以下本発明の一実施例の光変調波復調装置の構成とその
機能について、図面を参照しながら説明する。
機能について、図面を参照しながら説明する。
（実施例１）
本発明の光変調波復調装置の構成の第１の実施例を第１
図に示す０図において、１０１は光変調波入力端子、１
０２は半透明鏡、１０３は局部発振用半導体レーザー
１０４は前記半導体レーザー光がポンプ光となって入射
する４波混合光位相共役素子、１０５は第１のポンプ光
を正反対の方向に反射して第２のポンプ光を形成するた
めの反射鏡、１０６は光合波器、１０７はＰＩＮフォト
ダイオードからなる光混合検波器、１０Ｂは信号出力端
子、１０９は通常の反射鏡である。
図に示す０図において、１０１は光変調波入力端子、１
０２は半透明鏡、１０３は局部発振用半導体レーザー
１０４は前記半導体レーザー光がポンプ光となって入射
する４波混合光位相共役素子、１０５は第１のポンプ光
を正反対の方向に反射して第２のポンプ光を形成するた
めの反射鏡、１０６は光合波器、１０７はＰＩＮフォト
ダイオードからなる光混合検波器、１０Ｂは信号出力端
子、１０９は通常の反射鏡である。
ここで光位相共役について簡単に説明する。
光位相共役素子とは、任意方向に伝播する光波の方向と
その全波面を反転させる作用を有する素子のことである
。光位相共役素子による全波面反転作用を通常の鏡と対
比して示したのが第２図である。第２図（Ａ）において
、２０１は通常の鏡、２０２は光源、２０３のＫｉｎは
入射光の波数ベクトル、２０４Ｋｏｕｔは鏡により反射
された出射光の波数ベクトルであり、第２図（Ｂ）にお
いて、２０５は光位相共役素子、２０６は光源、２０７
０Ｋｉｎは入射光の波数ベクトル、２０８のＫｏｕｔは
光位相共役素子からの出射光の波数ベクトルである。第
２図（Ａ）は通常の鏡によって反射される光の様子を示
したもので、通常の鏡では反射光は入射角と同じ反射角
をもって鏡面に垂直な面に対し反対側に出射される。第
２図（Ｂ）は光位相共役素子の場合を示したもので、こ
の場合入射光と全く同じ経路を逆方向に進む波が発生さ
せている。すなわち光位相共役素子とは波数ベクトルの
符号を反転した波、すなわちＫｉｎ−−Ｋｏｕｔの関係
の波を発生できる素子のことである。このような関係は
極めて特殊な場合にしか得られない。その一つの方法と
して４光波部合という方法が知られている。これは同じ
周波数の３つの光を特定の媒質中に入射し、３次の非線
型分極を媒質中に形成し、これを新たな波源として第４
の光波を媒質中より発生させる方法である。この場合媒
質に入射させる３つの光波のうち２つをポンプ波Ｅ Ｐ
＋、ＥＰｚ、他の一つをプローブ波Ｅｐｒとし、出射
する光位相共役波をＥｐｃとし、それぞれの波数ベクト
ルをＫＰ＋ 、Ｋｐｚ 、Ｋｐ ｒ、Ｋｐ ｃとすると
、光位相共役波を発生させるためには、 Ｋｐ＋ ＋ＫＰｚ ＝Ｋｐ ｒ＋Ｋｐ ｃという位相整
合条件を満たす必要がある。ポンプ波間でＫ ｐ Ｉ十
Ｋ Ｐ ｚ ＝ Ｏいう関係を満たせば、Ｋｐ ｒ＋Ｋ
ｐ ｃ＝ｏとなり、Ｋｐｒ＝−Ｋｐｃの関係が常に得ら
れ、光位相共役波が発生できる。
その全波面を反転させる作用を有する素子のことである
。光位相共役素子による全波面反転作用を通常の鏡と対
比して示したのが第２図である。第２図（Ａ）において
、２０１は通常の鏡、２０２は光源、２０３のＫｉｎは
入射光の波数ベクトル、２０４Ｋｏｕｔは鏡により反射
された出射光の波数ベクトルであり、第２図（Ｂ）にお
いて、２０５は光位相共役素子、２０６は光源、２０７
０Ｋｉｎは入射光の波数ベクトル、２０８のＫｏｕｔは
光位相共役素子からの出射光の波数ベクトルである。第
２図（Ａ）は通常の鏡によって反射される光の様子を示
したもので、通常の鏡では反射光は入射角と同じ反射角
をもって鏡面に垂直な面に対し反対側に出射される。第
２図（Ｂ）は光位相共役素子の場合を示したもので、こ
の場合入射光と全く同じ経路を逆方向に進む波が発生さ
せている。すなわち光位相共役素子とは波数ベクトルの
符号を反転した波、すなわちＫｉｎ−−Ｋｏｕｔの関係
の波を発生できる素子のことである。このような関係は
極めて特殊な場合にしか得られない。その一つの方法と
して４光波部合という方法が知られている。これは同じ
周波数の３つの光を特定の媒質中に入射し、３次の非線
型分極を媒質中に形成し、これを新たな波源として第４
の光波を媒質中より発生させる方法である。この場合媒
質に入射させる３つの光波のうち２つをポンプ波Ｅ Ｐ
＋、ＥＰｚ、他の一つをプローブ波Ｅｐｒとし、出射
する光位相共役波をＥｐｃとし、それぞれの波数ベクト
ルをＫＰ＋ 、Ｋｐｚ 、Ｋｐ ｒ、Ｋｐ ｃとすると
、光位相共役波を発生させるためには、 Ｋｐ＋ ＋ＫＰｚ ＝Ｋｐ ｒ＋Ｋｐ ｃという位相整
合条件を満たす必要がある。ポンプ波間でＫ ｐ Ｉ十
Ｋ Ｐ ｚ ＝ Ｏいう関係を満たせば、Ｋｐ ｒ＋Ｋ
ｐ ｃ＝ｏとなり、Ｋｐｒ＝−Ｋｐｃの関係が常に得ら
れ、光位相共役波が発生できる。
Ｋｐ＋ ＋ＫＰｚ ＝Ｏいう関係は同一の波長の光源を
対向させれば良い。また単一の光源を用い通常の反射鏡
で正確に正反対に反射させても得られる。
対向させれば良い。また単一の光源を用い通常の反射鏡
で正確に正反対に反射させても得られる。
したがって光位相共役素子は３次の非線型分極の大きい
材料を用いることにより実現できる。このような材料と
して、チタン酸バリウム、珪酸ビスマス、ゲルマニウム
酸ビスマス、二オフ酸カリウムの電気光学材料およびガ
リウム砒素、アルミニウムガリウム砒素、インジウムア
ンチモンインジウムリンなどの■−■化合物半導体材料
が適当である。また■−■化合物半導体を用い多重量子
井戸構造を形成すると、ここに高温まで安定な励起子を
形成でき、励起子があると３次の電気分極が大きくなる
ことから、さらに効率の良い光位相共役素子が形成でき
る。
材料を用いることにより実現できる。このような材料と
して、チタン酸バリウム、珪酸ビスマス、ゲルマニウム
酸ビスマス、二オフ酸カリウムの電気光学材料およびガ
リウム砒素、アルミニウムガリウム砒素、インジウムア
ンチモンインジウムリンなどの■−■化合物半導体材料
が適当である。また■−■化合物半導体を用い多重量子
井戸構造を形成すると、ここに高温まで安定な励起子を
形成でき、励起子があると３次の電気分極が大きくなる
ことから、さらに効率の良い光位相共役素子が形成でき
る。
次にこのような光位相共役素子を光共振器の一方の反射
鏡として用いた本実施例の場合の動作について説明する
。第１図において、半導体レーザー１０３からでたレー
ザー光は第１のポンプ光として、光位相共役素子１０４
に入射する。入射した光は反射鏡１０５により正反対の
方向に反射され第２のポンプ光となる。第１および第２
のポンプ光それぞれの波数ベクトルをＫＰｔ ５ＫＰｚ
とすると、それぞれの光が全く反対方向に進むように配
置しておけば ＫＰｔ ＝ Ｋｐｔとなる。この状態
で信号光１０１が光位相共役素子に入射すると、ポンプ
光と波長の等しい波長の波の位相共役波のみが選択的に
出射される。位相共役光はプローブ光とポンプ光の波長
が正しく一致した時にのみ発生する。信号光を位相変調
している場合、位相共役光にも正しくその位相変調信号
が反映されるので、この位相共役光と半導体レーザー光
を合波してさらにホトダイオードに入れれば変調信号を
復調することができる。すなわち本実施例の構成を用い
れば、半導体レーザー光の発振波長を掃引することによ
り、光変調波搬送波波長に正しく同調した時にのみ、信
号光検出出力が得られる。したがって複雑な回路を必要
とせずに自動的に光変調波に同調することが可能である
。
鏡として用いた本実施例の場合の動作について説明する
。第１図において、半導体レーザー１０３からでたレー
ザー光は第１のポンプ光として、光位相共役素子１０４
に入射する。入射した光は反射鏡１０５により正反対の
方向に反射され第２のポンプ光となる。第１および第２
のポンプ光それぞれの波数ベクトルをＫＰｔ ５ＫＰｚ
とすると、それぞれの光が全く反対方向に進むように配
置しておけば ＫＰｔ ＝ Ｋｐｔとなる。この状態
で信号光１０１が光位相共役素子に入射すると、ポンプ
光と波長の等しい波長の波の位相共役波のみが選択的に
出射される。位相共役光はプローブ光とポンプ光の波長
が正しく一致した時にのみ発生する。信号光を位相変調
している場合、位相共役光にも正しくその位相変調信号
が反映されるので、この位相共役光と半導体レーザー光
を合波してさらにホトダイオードに入れれば変調信号を
復調することができる。すなわち本実施例の構成を用い
れば、半導体レーザー光の発振波長を掃引することによ
り、光変調波搬送波波長に正しく同調した時にのみ、信
号光検出出力が得られる。したがって複雑な回路を必要
とせずに自動的に光変調波に同調することが可能である
。
（実施例２）
本発明の光変調波復調装置の構成の第２の実施例を第３
図に示す。第３図において、３０１は光変調波入力端子
、３０２は半透明鏡、３０３は局部発振用半導体レーザ
ー ３０４は前記半導体レーザー光がポンプ光となって
入射する４波混合光位相共役素子、３０５は第１のポン
プ光を正反対の方向に反射して第２のポンプ光を形成す
るための反射鏡、３０６は光合波器、３０７はＰＩＮホ
トダイオードからなる光混合検波器、３０８は信号出力
端子、３０９は位相共役光検出用ホトダイオード、３１
０は半導体レーザーの制御器である。
図に示す。第３図において、３０１は光変調波入力端子
、３０２は半透明鏡、３０３は局部発振用半導体レーザ
ー ３０４は前記半導体レーザー光がポンプ光となって
入射する４波混合光位相共役素子、３０５は第１のポン
プ光を正反対の方向に反射して第２のポンプ光を形成す
るための反射鏡、３０６は光合波器、３０７はＰＩＮホ
トダイオードからなる光混合検波器、３０８は信号出力
端子、３０９は位相共役光検出用ホトダイオード、３１
０は半導体レーザーの制御器である。
半導体レーザー３０３と光位相共役素子３０４の関係は
実施例１の場合と同様である。したがってやはり光変調
波と半導体レーザー光の波長が正しく一致した場合にの
み位相共役光が出射される。本実施例では、この位相共
役光の強度を、ホトダイオード３０９で検出し、その強
度が最大になるように制御器３１０によって半導体レー
ザー３０３の発振波長を制御固定してやる。この状態で
、光変調波と半導体レーザーの発振光を合波、混合検波
してやれば光変調波を復調することができる。このよう
に位相共役光の強度を検出することによって、局部発振
光である半導体レーザーの発振波長を光変調波搬送波波
長に同調することができる。この場合位相共役素子の位
相共役光発生効率が低くても良いという利点がある。
実施例１の場合と同様である。したがってやはり光変調
波と半導体レーザー光の波長が正しく一致した場合にの
み位相共役光が出射される。本実施例では、この位相共
役光の強度を、ホトダイオード３０９で検出し、その強
度が最大になるように制御器３１０によって半導体レー
ザー３０３の発振波長を制御固定してやる。この状態で
、光変調波と半導体レーザーの発振光を合波、混合検波
してやれば光変調波を復調することができる。このよう
に位相共役光の強度を検出することによって、局部発振
光である半導体レーザーの発振波長を光変調波搬送波波
長に同調することができる。この場合位相共役素子の位
相共役光発生効率が低くても良いという利点がある。
発明の効果
本発明は、以下説明したような構成と動作原理から成る
ので、以下に記載されるような効果を示す。
ので、以下に記載されるような効果を示す。
いずれの実施例においても、光変調波のけ送波波長と半
導体レーザー発振光の波長が正しく一致した場合にのみ
位相共役光が発生するので、位相共役光を検出、あるい
は位相共役光との合波を行うことにより光変調波への同
調が容易にかつ安定に行える。
導体レーザー発振光の波長が正しく一致した場合にのみ
位相共役光が発生するので、位相共役光を検出、あるい
は位相共役光との合波を行うことにより光変調波への同
調が容易にかつ安定に行える。
実施例１においては、位相共役光と半導体レーザー光を
直接混合検波していることから、同調した時にのみ信号
出力が得られるので構成が極めて簡単となる。
直接混合検波していることから、同調した時にのみ信号
出力が得られるので構成が極めて簡単となる。
また実施例２においては、光位相共役素子の位相共役光
発生効率が低くても良いことから、光位相共役素子の選
択の幅が増し実用」二有利である。
発生効率が低くても良いことから、光位相共役素子の選
択の幅が増し実用」二有利である。
たとえば安価な材料を用いることができる。
本実施例では代表的光学系のみ示したが、この構成に限
られるものではなく、反射鏡の枚数を増したり、光ファ
イバーを用いたり、光導波路を用いて光学系を構成する
こともできる。
られるものではなく、反射鏡の枚数を増したり、光ファ
イバーを用いたり、光導波路を用いて光学系を構成する
こともできる。
第１図は本発明の光変調波復調装置の１実施例の構成図
、第２図は本発明に用いる光位相共役の説明図、第３図
は本発明の光変調波復調装置の他の実施例の構成図、第
４図は従来の光変調波復調装置の構成図、第５図は従来
の光変調波復調装置に用いられる半導体レーザーの構成
図である。 １０１・・・・・・光変調波入力端子、１０２・・・・
・・半透明鏡、１０３・・・・・・局部発振用半導体レ
ーザー １０４・・・・・・光位相共役素子、１０５・
・・・・・反射鏡、１０６・・・・・・光合波器、１０
７・・・・・・光混合検波器、１０８・・・・・・信号
出力端子、１０９・・・・・・反射鏡、２０１・・・・
・・鏡、２０２・・・・・・光源、２０３・・・・・・
入射光、２０４・・・・・・出射光、２０５・・・・・
・光位相共役素子、２０６・・・・・・光源、２０７・
・・・・・入射光、２０Ｂ・・・・・・出射光、３０１
・・・・・・光変調波入力端子、３０２・・・・・・半
透明鏡、３０３・・・・・・局部発振用半導体レーザー
３０４・・・・・・光位相共役素子、３０５・・・・・
・反射鏡、３０６・・・・・・光合波器、３０７・・・
・・・光混合検波器、３０８・・・・・・信号出力端子
、３０９・・・・・・ホトダイオード、３１０・・・・
・・制御器。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名瘍 図 （Ａ＞ （Ｂ） 図 況５
、第２図は本発明に用いる光位相共役の説明図、第３図
は本発明の光変調波復調装置の他の実施例の構成図、第
４図は従来の光変調波復調装置の構成図、第５図は従来
の光変調波復調装置に用いられる半導体レーザーの構成
図である。 １０１・・・・・・光変調波入力端子、１０２・・・・
・・半透明鏡、１０３・・・・・・局部発振用半導体レ
ーザー １０４・・・・・・光位相共役素子、１０５・
・・・・・反射鏡、１０６・・・・・・光合波器、１０
７・・・・・・光混合検波器、１０８・・・・・・信号
出力端子、１０９・・・・・・反射鏡、２０１・・・・
・・鏡、２０２・・・・・・光源、２０３・・・・・・
入射光、２０４・・・・・・出射光、２０５・・・・・
・光位相共役素子、２０６・・・・・・光源、２０７・
・・・・・入射光、２０Ｂ・・・・・・出射光、３０１
・・・・・・光変調波入力端子、３０２・・・・・・半
透明鏡、３０３・・・・・・局部発振用半導体レーザー
３０４・・・・・・光位相共役素子、３０５・・・・・
・反射鏡、３０６・・・・・・光合波器、３０７・・・
・・・光混合検波器、３０８・・・・・・信号出力端子
、３０９・・・・・・ホトダイオード、３１０・・・・
・・制御器。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名瘍 図 （Ａ＞ （Ｂ） 図 況５
Claims (4)
- （１）一方の光共振用反射鏡に入射光に対し空間的位相
を反転させる機能を有する４光波混合光位相共役素子を
用いたレーザーと、第１および第２のポンプ光光源を具
備し、伝達情報を含む光変調波の少なくとも一部を、前
記光位相共役素子にプローブ光として入射させ、第１お
よび第２のポンプ光との相互作用により、光位相共役素
子より出射した位相共投光と、前記レーザー光とを合波
することにより、前記光変調波を復調するようにした光
変調波復調装置。 - （２）ポンプ光光源の少なくとも一つに、発振波長を可
変にできる光源を用いた請求項（１）記載の光変調波復
調装置。 - （３）一方の光共振用反射鏡に入射光に対し空間的位相
を反転させる機能を有する４光波混合光位相共役素子を
用いたレーザーと、第１および第２のポンプ光光源を具
備し、伝達情報を含む光変調波の一部を、前記光位相共
役素子にプローブ光として入射させ、第１および第２の
ポンプ光との相互作用により、光位相共役素子より出射
した位相共役光の強度を検出し、この強度が最大になる
時に、前記光変調波と前記レーザー光とを合波すること
により、前記光変調波を復調するようにした光変調波復
調装置。 - （４）ポンプ光光源の少なくとも一つに、発振波長を可
変にできる光源を用いた請求項（３）記載の光変調波復
調装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005232A JPH0675144B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 光変調波復調装置 |
| US07/464,000 US5062155A (en) | 1989-01-12 | 1990-01-12 | Modulated light wave demodulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005232A JPH0675144B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 光変調波復調装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02184827A true JPH02184827A (ja) | 1990-07-19 |
| JPH0675144B2 JPH0675144B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=11605443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1005232A Expired - Lifetime JPH0675144B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 光変調波復調装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5062155A (ja) |
| JP (1) | JPH0675144B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994009403A1 (en) * | 1992-10-20 | 1994-04-28 | Fujitsu Limited | Application of optical system to phase conjugate optics |
| CN114112000A (zh) * | 2020-08-27 | 2022-03-01 | 精工爱普生株式会社 | 激光干涉仪以及激光干涉仪的控制方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6304348B1 (en) | 1994-03-08 | 2001-10-16 | Fujitsu Limited | Optical communication method and optical communication system based on optical phase conjugation |
| US5847853A (en) * | 1995-12-29 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Modulation and demodulation of light to facilitate transmission of information |
| US5920588A (en) * | 1996-04-11 | 1999-07-06 | Fujitsu Limited | Method and device for generation of phase conjugate light and wavelength conversion, and system having the device |
| US6714565B1 (en) * | 2000-11-01 | 2004-03-30 | Agilent Technologies, Inc. | Optically tunable Fabry Perot microelectromechanical resonator |
| TWI227799B (en) * | 2000-12-29 | 2005-02-11 | Honeywell Int Inc | Resonant reflector for increased wavelength and polarization control |
| US6727520B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-04-27 | Honeywell International Inc. | Spatially modulated reflector for an optoelectronic device |
| US7134343B2 (en) * | 2003-07-25 | 2006-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Opto-acoustoelectric device and methods for analyzing mechanical vibration and sound |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4529273A (en) * | 1982-12-21 | 1985-07-16 | California Institute Of Technology | Passive phase conjugate mirror |
| US4953954A (en) * | 1989-02-10 | 1990-09-04 | Rockwell International Corporation | Phase-conjugate communication using mutually incoherent laser beams |
-
1989
- 1989-01-12 JP JP1005232A patent/JPH0675144B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-12 US US07/464,000 patent/US5062155A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994009403A1 (en) * | 1992-10-20 | 1994-04-28 | Fujitsu Limited | Application of optical system to phase conjugate optics |
| US5596667A (en) * | 1992-10-20 | 1997-01-21 | Fujitsu Limited | Application of phase conjugate optics to optical systems |
| CN114112000A (zh) * | 2020-08-27 | 2022-03-01 | 精工爱普生株式会社 | 激光干涉仪以及激光干涉仪的控制方法 |
| CN114112000B (zh) * | 2020-08-27 | 2024-01-16 | 精工爱普生株式会社 | 激光干涉仪以及激光干涉仪的控制方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0675144B2 (ja) | 1994-09-21 |
| US5062155A (en) | 1991-10-29 |
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