JPH0756200A - 安定化高調波発生装置 - Google Patents
安定化高調波発生装置Info
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- JPH0756200A JPH0756200A JP19843893A JP19843893A JPH0756200A JP H0756200 A JPH0756200 A JP H0756200A JP 19843893 A JP19843893 A JP 19843893A JP 19843893 A JP19843893 A JP 19843893A JP H0756200 A JPH0756200 A JP H0756200A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 入射する基本波長の変動や周囲温度変化に対
して第２高調波の出力の低下を防ぐ。 【構成】 非線型光学結晶から成る基板１上に光導波路
２ａが設けられ、途中から分岐する形で光導波路２ｂ，
２ｃが設けられている。光導波路２ａ近くの基板中に周
期的分極反転層３ａが設けられ、同様に他の光導波路２
ｂ，２ｃにも周期的分極反転層３ｂ，３ｃが設けられ
る。光源からの基本波となる出射光は、集光レンズによ
り光導波路２ａ入射端面に集光され、光導波路２ａ〜２
ｃに分岐されて導波していく。周期的分極反転層３ａ〜
３ｃにより高調波の導波モード光が各光導波路２ａ〜２
ｃ中に発生する。光導波路２ａ〜２ｃの他端から出射し
た基本波及び高調波は、フィルタ７ａ〜７ｃにより高調
波のみが透過し、光検知器８ａ〜８ｃに各々入射する。
して第２高調波の出力の低下を防ぐ。 【構成】 非線型光学結晶から成る基板１上に光導波路
２ａが設けられ、途中から分岐する形で光導波路２ｂ，
２ｃが設けられている。光導波路２ａ近くの基板中に周
期的分極反転層３ａが設けられ、同様に他の光導波路２
ｂ，２ｃにも周期的分極反転層３ｂ，３ｃが設けられ
る。光源からの基本波となる出射光は、集光レンズによ
り光導波路２ａ入射端面に集光され、光導波路２ａ〜２
ｃに分岐されて導波していく。周期的分極反転層３ａ〜
３ｃにより高調波の導波モード光が各光導波路２ａ〜２
ｃ中に発生する。光導波路２ａ〜２ｃの他端から出射し
た基本波及び高調波は、フィルタ７ａ〜７ｃにより高調
波のみが透過し、光検知器８ａ〜８ｃに各々入射する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、安定化高調波発生装置に関し、
より詳細には、非線形光学素子、高調波発生素子、短波
長光源における安定化高調波発生装置に関する。例え
ば、光ディスクメモリ、光プリンタ、光計測等に適用さ
れるものである。
より詳細には、非線形光学素子、高調波発生素子、短波
長光源における安定化高調波発生装置に関する。例え
ば、光ディスクメモリ、光プリンタ、光計測等に適用さ
れるものである。
【０００２】
【従来技術】本発明に係る従来技術を記載した公知文献
としては、例えば、特開平２−２４２２３６号公報に
「光波処理のための光学装置及びその製造方法と周波数
二倍器」がある。図９（ａ）,（ｂ）は、上記公報に記
載された光学装置を示す図で、図中、２１は基板、２２
は基板表面、２３は導波路、２４−１〜２４−ｎはドー
ピングゾーンである。符号ＸＹＺで表される画面に方向
が合わせられた基板２１は、該基板表面２２に軸Ｘに沿
って配向された光導波路２３を有する。該光導波路２３
に沿って長さ方向にドーピングゾーン２４−１，２４−
２，…，２４−ｎが配設されている。このゾーンの配設
ピッチＰは、入射光波の第２の調波の生成に対するコヒ
ーレンス長Ｌの２倍に等しい。方向Ｘに沿ったドーピン
グゾーンの長さは光波の１コヒーレンス長に等しい。
としては、例えば、特開平２−２４２２３６号公報に
「光波処理のための光学装置及びその製造方法と周波数
二倍器」がある。図９（ａ）,（ｂ）は、上記公報に記
載された光学装置を示す図で、図中、２１は基板、２２
は基板表面、２３は導波路、２４−１〜２４−ｎはドー
ピングゾーンである。符号ＸＹＺで表される画面に方向
が合わせられた基板２１は、該基板表面２２に軸Ｘに沿
って配向された光導波路２３を有する。該光導波路２３
に沿って長さ方向にドーピングゾーン２４−１，２４−
２，…，２４−ｎが配設されている。このゾーンの配設
ピッチＰは、入射光波の第２の調波の生成に対するコヒ
ーレンス長Ｌの２倍に等しい。方向Ｘに沿ったドーピン
グゾーンの長さは光波の１コヒーレンス長に等しい。
【０００３】図（ｂ）の平面図からわかるように、ドー
ピングゾーン２４−１，２４−２，…，２４−ｎは、光
導波路２３の方向Ｘに垂直なストリップの形態に作製さ
れている。ＬiＮbＯ3，ＬiＴaＯ3等の誘電体基板２に、
ドービングにより周期的分極反転層が形成され、さら
に、その上に光導波路２３が形成されている。周期的分
極反転層の周期は、基本波に対する光導波路の等価屈折
率と、第２高調波に対する等価屈折率及び基本波長から
求まるコヒーレント長の偶数倍となっている。この構造
の素子の一端に基本波となるコヒーレント光を入射する
と、第２高調波が基本波とともに他端より出射する。
ピングゾーン２４−１，２４−２，…，２４−ｎは、光
導波路２３の方向Ｘに垂直なストリップの形態に作製さ
れている。ＬiＮbＯ3，ＬiＴaＯ3等の誘電体基板２に、
ドービングにより周期的分極反転層が形成され、さら
に、その上に光導波路２３が形成されている。周期的分
極反転層の周期は、基本波に対する光導波路の等価屈折
率と、第２高調波に対する等価屈折率及び基本波長から
求まるコヒーレント長の偶数倍となっている。この構造
の素子の一端に基本波となるコヒーレント光を入射する
と、第２高調波が基本波とともに他端より出射する。
【０００４】このように、従来技術においては、高調波
発生素子中の光導波路端に基本波を入射すると他端から
第２高調波と基本波が出射するようになっている。しか
し、Kazuhisa Yamamoto、他２名「Milliwatt-order blu
e-light generation in a periodically domain-invert
ed LiTaO3 waveguide」（Optics LETTERS,Vol 16，No1
5，August 1,1991）に示すように、従来技術の素子にお
いては、入射する基本波の波長が少し変動したり、素子
の温度が周囲温度の変動により少し変化した場合、基本
波と第２高調波の位相整合条件からずれが生じ、基本波
が第２高調波へ効率よく変換しなくなり、第２高調波の
出力が低下してしまう。
発生素子中の光導波路端に基本波を入射すると他端から
第２高調波と基本波が出射するようになっている。しか
し、Kazuhisa Yamamoto、他２名「Milliwatt-order blu
e-light generation in a periodically domain-invert
ed LiTaO3 waveguide」（Optics LETTERS,Vol 16，No1
5，August 1,1991）に示すように、従来技術の素子にお
いては、入射する基本波の波長が少し変動したり、素子
の温度が周囲温度の変動により少し変化した場合、基本
波と第２高調波の位相整合条件からずれが生じ、基本波
が第２高調波へ効率よく変換しなくなり、第２高調波の
出力が低下してしまう。
【０００５】
【目的】本発明は、上述のごとき実情に鑑みなされたも
ので、入射する基本波長が変動したり、周囲温度の変化
により素子の温度が低下した場合に第２高調波の出力が
低下しないような安定化高調波発生装置を提供すること
を目的としてなされたものである。
ので、入射する基本波長が変動したり、周囲温度の変化
により素子の温度が低下した場合に第２高調波の出力が
低下しないような安定化高調波発生装置を提供すること
を目的としてなされたものである。
【０００６】
【構成】本発明は、上記目的を達成するために、（１）
光源と、周期的屈折率分散手段を有する第１の光導波路
と、該第１の光導波路より大きい周期及び小さい周期の
周期的屈折率分散手段を有する２つ以上の第２，及び第
３の光導波路と、該第２，及び第３の光導波路からの高
調波出力を受光する２つの光検知器とからなり、前記各
光導波路は、その全部あるいは一部が非線形光学材料で
構成されるとともに基板上あるいは基板中に一体的に形
成され、かつ該基板の付近に温度制御手段を有し、前記
光検知器の出力の差動を検出するようにしたこと、或い
は、（２）光源として波長可変光源を用い、周期的屈折
率分散手段を有する第１の光導波路と、該第１の光導波
路より大きな周期及び小さい周期の周期的屈折率分散手
段を有する２つ以上の第２，及び第３の光導波路と、該
第２，及び第３の光導波路からの高調波出力を受光する
２つの光検知器とからなり、前記各光導波路は、その全
部あるいは一部が非線形光学材料で構成されるとともに
基板上あるいは基板中に一体的に形成され、前記光検知
器の出力の差動を検出して光源波長を可変するようにし
たこと、更には、（３）前記（１）又は（２）におい
て、１つの光導波路が３つ以上の光導波路に分岐して配
置され、分岐後の光導波路にそれぞれ周期の異なる周期
的屈折率分散手段を有していること、更には、（４）前
記（１）又は（２）において、３つ以上の光導波路のう
ち最後の１つを除いてその一部で曲率を有し、該部分か
ら基本波のみを他の光導波路に結合させるようにしたこ
と、更には、（５）前記（１）〜（４）のいずれかにお
いて、中間の周期の周期的分極反転層を有する光導波路
の高調波出力を受光する光検知器と該光検知器の出力を
もとに光源の出力を一定にさせる制御手段を設けたこ
と、更には、（６）前記（１）〜（５）のいずれかにお
いて、非線形光学材料として強誘電体を用い、周期的屈
折率分散手段として周期的分極反転層を用いたことを特
徴としたものである。以下、本発明の実施例に基づいて
説明する。
光源と、周期的屈折率分散手段を有する第１の光導波路
と、該第１の光導波路より大きい周期及び小さい周期の
周期的屈折率分散手段を有する２つ以上の第２，及び第
３の光導波路と、該第２，及び第３の光導波路からの高
調波出力を受光する２つの光検知器とからなり、前記各
光導波路は、その全部あるいは一部が非線形光学材料で
構成されるとともに基板上あるいは基板中に一体的に形
成され、かつ該基板の付近に温度制御手段を有し、前記
光検知器の出力の差動を検出するようにしたこと、或い
は、（２）光源として波長可変光源を用い、周期的屈折
率分散手段を有する第１の光導波路と、該第１の光導波
路より大きな周期及び小さい周期の周期的屈折率分散手
段を有する２つ以上の第２，及び第３の光導波路と、該
第２，及び第３の光導波路からの高調波出力を受光する
２つの光検知器とからなり、前記各光導波路は、その全
部あるいは一部が非線形光学材料で構成されるとともに
基板上あるいは基板中に一体的に形成され、前記光検知
器の出力の差動を検出して光源波長を可変するようにし
たこと、更には、（３）前記（１）又は（２）におい
て、１つの光導波路が３つ以上の光導波路に分岐して配
置され、分岐後の光導波路にそれぞれ周期の異なる周期
的屈折率分散手段を有していること、更には、（４）前
記（１）又は（２）において、３つ以上の光導波路のう
ち最後の１つを除いてその一部で曲率を有し、該部分か
ら基本波のみを他の光導波路に結合させるようにしたこ
と、更には、（５）前記（１）〜（４）のいずれかにお
いて、中間の周期の周期的分極反転層を有する光導波路
の高調波出力を受光する光検知器と該光検知器の出力を
もとに光源の出力を一定にさせる制御手段を設けたこ
と、更には、（６）前記（１）〜（５）のいずれかにお
いて、非線形光学材料として強誘電体を用い、周期的屈
折率分散手段として周期的分極反転層を用いたことを特
徴としたものである。以下、本発明の実施例に基づいて
説明する。
【０００７】図１は、本発明による高調波発生素子の一
実施例を説明するための構成図で、図中、１は基板、
２，２ａ〜２ｃは光導波路、３ａ〜３ｃは周期的分極反
転層である。非線型光学結晶からなる基板１上あるいは
表面近くの基板中に光導波路２ａが設けられ、さらに光
導波路２ａの途中から分岐する形で光導波路２ｂ及び２
ｃが設けられている。さらに光導波路２ａ近くの基板１
中に周期Λａの周期的分極反転層３ａが設けられ、さら
に光導波路２ｂの付近の基板１中に同期Λｂの同期的分
極反転層３ｂが、同様に光導波路２ｃの付近の基板１中
には同期Λｃの周期的分極反転層３ｃが設けられてい
る。
実施例を説明するための構成図で、図中、１は基板、
２，２ａ〜２ｃは光導波路、３ａ〜３ｃは周期的分極反
転層である。非線型光学結晶からなる基板１上あるいは
表面近くの基板中に光導波路２ａが設けられ、さらに光
導波路２ａの途中から分岐する形で光導波路２ｂ及び２
ｃが設けられている。さらに光導波路２ａ近くの基板１
中に周期Λａの周期的分極反転層３ａが設けられ、さら
に光導波路２ｂの付近の基板１中に同期Λｂの同期的分
極反転層３ｂが、同様に光導波路２ｃの付近の基板１中
には同期Λｃの周期的分極反転層３ｃが設けられてい
る。
【０００８】基板１については、ＬiＴaＯ3，ＬiＮb
Ｏ3，ＫＴＰ等の誘電体非線形光学結晶やＭＮＡ（２−m
etyl−４−nitroaniline）等の有機非線型光学材料が考
えられる。基板方法は、Ｘ,Ｙ,Ｚ板どのようなものでも
よい。実施例１では、ＬiＴaＯ3のＺ板の例を示してい
る。さらに光導波路３ａ，３ｂ，３ｃについては、本実
施例ではプロトン交換光導波路の場合を示しているが、
これにかぎらず、Ｔi，Ｒb，Ｋ，Ｂa，Ｃn，Ａg，Ｔl，
Ｃs等の金属イオンのイオン交換や、イオン注入により
基板中の屈折率を増加させる方法や、基板より高屈折率
の材料をコア層としたリッジ型光導波路等が考えられ
る。また、有機材料をコア層に用いた場合は、基板１は
光学的に透明な材料であればよい。さらに周期的分極反
転層３ａ，３ｂ，３ｃについては、本実施例ではＬiＴa
Ｏ3＋Ｚ板の分極方向を反転させることにより形成され
ており、作製法としては、周期的プロトン交換と熱処理
による方法や周期的な電界印加法，周期的電子ビームに
よる方法等が知られている。
Ｏ3，ＫＴＰ等の誘電体非線形光学結晶やＭＮＡ（２−m
etyl−４−nitroaniline）等の有機非線型光学材料が考
えられる。基板方法は、Ｘ,Ｙ,Ｚ板どのようなものでも
よい。実施例１では、ＬiＴaＯ3のＺ板の例を示してい
る。さらに光導波路３ａ，３ｂ，３ｃについては、本実
施例ではプロトン交換光導波路の場合を示しているが、
これにかぎらず、Ｔi，Ｒb，Ｋ，Ｂa，Ｃn，Ａg，Ｔl，
Ｃs等の金属イオンのイオン交換や、イオン注入により
基板中の屈折率を増加させる方法や、基板より高屈折率
の材料をコア層としたリッジ型光導波路等が考えられ
る。また、有機材料をコア層に用いた場合は、基板１は
光学的に透明な材料であればよい。さらに周期的分極反
転層３ａ，３ｂ，３ｃについては、本実施例ではＬiＴa
Ｏ3＋Ｚ板の分極方向を反転させることにより形成され
ており、作製法としては、周期的プロトン交換と熱処理
による方法や周期的な電界印加法，周期的電子ビームに
よる方法等が知られている。
【０００９】ＬiＮbＯ3基板の場合は、周期的Ｔi拡散と
熱処理の組合せや、周期的ＳiＯ2層の装荷と熱処理によ
る方法や周期的電子ビーム照射，イオン注入による方法
等が知られている。また、ＫＴＰでは、Ｒb／Ｂaイオン
の交換による方法が知られている。この周期的分極反転
層３ａ，３ｂ，３ｃの他に有機材料の場合は、周期的に
極性分子の配向方向を変化させることもでき、コロナ放
電等による選択的な配向法が考えられる。このほか、周
期的分極反転層３ａ，３ｂ，３ｃに替えて、周期的構造
による屈折率分散手段３ａ，３ｂ，３ｃを用いることも
できる。この場合、イオン交換等により周期的に基板中
に高屈折率領域あるいは低屈折領域を設けたり、周期的
な層を装荷する等の方法や、逆に周期的に光導波層２
ａ，２ｂ，２ｃの膜厚を変化させる等の方法が考えられ
る。
熱処理の組合せや、周期的ＳiＯ2層の装荷と熱処理によ
る方法や周期的電子ビーム照射，イオン注入による方法
等が知られている。また、ＫＴＰでは、Ｒb／Ｂaイオン
の交換による方法が知られている。この周期的分極反転
層３ａ，３ｂ，３ｃの他に有機材料の場合は、周期的に
極性分子の配向方向を変化させることもでき、コロナ放
電等による選択的な配向法が考えられる。このほか、周
期的分極反転層３ａ，３ｂ，３ｃに替えて、周期的構造
による屈折率分散手段３ａ，３ｂ，３ｃを用いることも
できる。この場合、イオン交換等により周期的に基板中
に高屈折率領域あるいは低屈折領域を設けたり、周期的
な層を装荷する等の方法や、逆に周期的に光導波層２
ａ，２ｂ，２ｃの膜厚を変化させる等の方法が考えられ
る。
【００１０】作製法としては、イオン交換，イオン注
入，フォトクロミック，イオンミーリング，選択的エッ
チング及び他の材料の装荷等を組み合せることで可能で
ある。ここで、周期的分極反転層あるいは周期的構造３
ａ，３ｂ，３ｃの周期Λａ，Λｂ，Λｃの間では、Λ
ｃ〉Λａ〉Λｂの関係を満たしている必要がある。ま
た、光導波路３ａ，３ｂ，３ｃの構造は同じである必要
がある。また、光導波路３ａからの光導波路３ｂ，３ｃ
の分岐のしかたは、同一の場所からそれぞれ反対方向に
ほぼ対称に分岐しているが、必ずしも同一箇所から分岐
する必要はなく、また、同一方向でも異なる方向でもよ
く、対称である必要もない。
入，フォトクロミック，イオンミーリング，選択的エッ
チング及び他の材料の装荷等を組み合せることで可能で
ある。ここで、周期的分極反転層あるいは周期的構造３
ａ，３ｂ，３ｃの周期Λａ，Λｂ，Λｃの間では、Λ
ｃ〉Λａ〉Λｂの関係を満たしている必要がある。ま
た、光導波路３ａ，３ｂ，３ｃの構造は同じである必要
がある。また、光導波路３ａからの光導波路３ｂ，３ｃ
の分岐のしかたは、同一の場所からそれぞれ反対方向に
ほぼ対称に分岐しているが、必ずしも同一箇所から分岐
する必要はなく、また、同一方向でも異なる方向でもよ
く、対称である必要もない。
【００１１】図２は、図１に示す高調波発生素子を用い
た安定化高調波発生装置の一実施例を説明するための構
成図で、図中、４は光源、５,６は集光レンズ、７ａ〜
７ｃはフィルタ、８ａ〜８ｃは光検知器、９はミラー
で、その他、図１と同じ作用をする部分は同一の符号を
付してある。
た安定化高調波発生装置の一実施例を説明するための構
成図で、図中、４は光源、５,６は集光レンズ、７ａ〜
７ｃはフィルタ、８ａ〜８ｃは光検知器、９はミラー
で、その他、図１と同じ作用をする部分は同一の符号を
付してある。
【００１２】光源４からの基本波となる出射光は、集光
レンズ５により光導波路２の入射端面に集光され、光導
波路２中に基本波の導波モードが励起される。このと
き、基本波は光導波路２ａ，２ｂ，２ｃに分岐され、そ
れぞれ導波していく。このとき、周期的分極反転層３
ａ，３ｂ，３ｃ及び光導波路中あるいは基板のもつ非線
形性の効果により、疑似的に位相整合のとれた高調波の
導波モード光が各光導波路２ａ，２ｂ，２ｃ中に発生
し、基本波の導波モードとともに導波していく。光導波
路２ａ，２ｂ，２ｃ他端から出射した基本波及び高調波
は、基本波をカットするフィルタ７ａ，７ｂ，７ｃによ
り、高調波のみが透過し、光検知器８ａ，８ｂ，８ｃに
それぞれ入射する。ただし、光導波路２ａからの出射光
の高調波は、その一部がミラー９によって反射されて光
検知器８ａで検出される。ここで、光源４としては、本
実施例では半導体レーザを用いているが、この他に空間
及び時間的コヒーレンスのより光源であればよく、各種
気体，固体レーザやその第２，第３高調波及びＬＥＤ等
の光源と狭帯域フィルタの組合せ等でもよい。
レンズ５により光導波路２の入射端面に集光され、光導
波路２中に基本波の導波モードが励起される。このと
き、基本波は光導波路２ａ，２ｂ，２ｃに分岐され、そ
れぞれ導波していく。このとき、周期的分極反転層３
ａ，３ｂ，３ｃ及び光導波路中あるいは基板のもつ非線
形性の効果により、疑似的に位相整合のとれた高調波の
導波モード光が各光導波路２ａ，２ｂ，２ｃ中に発生
し、基本波の導波モードとともに導波していく。光導波
路２ａ，２ｂ，２ｃ他端から出射した基本波及び高調波
は、基本波をカットするフィルタ７ａ，７ｂ，７ｃによ
り、高調波のみが透過し、光検知器８ａ，８ｂ，８ｃに
それぞれ入射する。ただし、光導波路２ａからの出射光
の高調波は、その一部がミラー９によって反射されて光
検知器８ａで検出される。ここで、光源４としては、本
実施例では半導体レーザを用いているが、この他に空間
及び時間的コヒーレンスのより光源であればよく、各種
気体，固体レーザやその第２，第３高調波及びＬＥＤ等
の光源と狭帯域フィルタの組合せ等でもよい。
【００１３】さらに、集光レンズ５及び６は、１枚の通
常レンズの他に組み合わせレンズ，フレミルレンズ，グ
レーティングレンズ，ＧＲＩＮロッドレンズ、平板マイ
クロレンズ等の各種のレンズが適用可能である。しか
し、光源４の種類によっては、出射ビームを直接光導波
路に結合させることができるため、集光レンズ５は必要
とは限らない。また、集光レンズ６についても、出射す
る高調波のコリメーションを必要としなければ必要でな
い。次に、フィルタ７ａ，７ｂ，７ｃとしては、誘電体
多層膜フィルタやカラーフィルタ等が考えられる。ま
た、フィルタのかわりにプリズムやダイクロイックミラ
ー等基本波を他方へ屈折や反射させるものも用いること
ができる。光検知器８ａ，８ｂ，８ｃについては、Ｓ
i，Ｇe，ＧaＡs，ＩnＰ，α−Ｓi等の半導体材料による
接合型やショトキーバリア等のフォトダイオードが適用
可能である。
常レンズの他に組み合わせレンズ，フレミルレンズ，グ
レーティングレンズ，ＧＲＩＮロッドレンズ、平板マイ
クロレンズ等の各種のレンズが適用可能である。しか
し、光源４の種類によっては、出射ビームを直接光導波
路に結合させることができるため、集光レンズ５は必要
とは限らない。また、集光レンズ６についても、出射す
る高調波のコリメーションを必要としなければ必要でな
い。次に、フィルタ７ａ，７ｂ，７ｃとしては、誘電体
多層膜フィルタやカラーフィルタ等が考えられる。ま
た、フィルタのかわりにプリズムやダイクロイックミラ
ー等基本波を他方へ屈折や反射させるものも用いること
ができる。光検知器８ａ，８ｂ，８ｃについては、Ｓ
i，Ｇe，ＧaＡs，ＩnＰ，α−Ｓi等の半導体材料による
接合型やショトキーバリア等のフォトダイオードが適用
可能である。
【００１４】次に、本発明による安定化高調波発生装置
の動作について説明する前に、光源４からの基本波の出
射光が高調波に光導波路２ａ中で変換される時の高調波
の光パワーＰHと光導波路２ａの温度Ｔや光源４の基本
波の波長λとの関係を説明する。一般に、光導波路２
ａ，２ｂ，２ｃが無機の誘電体材料からなる場合は、屈
折率は温度とともに増加し、高調波の出力ＰHと光導波
路２ａの温度Ｔとの間に、図３（ａ）に示したような関
係がある。ここで、実線は周期的分極反転層３ａの周期
Λａの時に基本波の波長λ＝λ0の場合における光導波
路２ａの中の温度Ｔに対する高調波の出力ＰHを示して
いる。
の動作について説明する前に、光源４からの基本波の出
射光が高調波に光導波路２ａ中で変換される時の高調波
の光パワーＰHと光導波路２ａの温度Ｔや光源４の基本
波の波長λとの関係を説明する。一般に、光導波路２
ａ，２ｂ，２ｃが無機の誘電体材料からなる場合は、屈
折率は温度とともに増加し、高調波の出力ＰHと光導波
路２ａの温度Ｔとの間に、図３（ａ）に示したような関
係がある。ここで、実線は周期的分極反転層３ａの周期
Λａの時に基本波の波長λ＝λ0の場合における光導波
路２ａの中の温度Ｔに対する高調波の出力ＰHを示して
いる。
【００１５】また、２つの破線のグラフは、基本波の波
長λがλ＜λ0及びλ＞λ0のそれぞれの場合における光
導波路２ａの温度Ｔと発生する高調波の出力ＰHを示し
ている。ここで、周期的分極反転層３ａの周期Λａは一
定であるとする。この時、図３（ａ）からわかるよう
に、温度Ｔを変化させた時、たとえば高調波の出力は点
Ａ，Ｃ，Ｂのようにグラフ上を変化し、点Ｃにおいて最
高出力が得られる。この状態が擬似的に位相整合が完全
にとれた状態である。しかし、基本波の波長λがλ＜λ
0となった場合、実線のグラフは左側の破線のグラフに
ように左側へシフトする。このため、同じ温度では点Ｃ
の高調波出力は点Ｄのように低下してしまう。これを再
び増加させるには、光導波路２ａの温度Ｔを低下させて
いけば、再び位相整合を完全にとることにより、最高出
力を得ることができる。また、同様に基本波の波長λ＞
λ0になった場合は、実線のグラフが右側にシフトして
破線のグラフのようになり、高調波の出力が低下する。
このため、光導波路３ａの温度Ｔを上昇させれば、再び
最高出力を得ることができる。
長λがλ＜λ0及びλ＞λ0のそれぞれの場合における光
導波路２ａの温度Ｔと発生する高調波の出力ＰHを示し
ている。ここで、周期的分極反転層３ａの周期Λａは一
定であるとする。この時、図３（ａ）からわかるよう
に、温度Ｔを変化させた時、たとえば高調波の出力は点
Ａ，Ｃ，Ｂのようにグラフ上を変化し、点Ｃにおいて最
高出力が得られる。この状態が擬似的に位相整合が完全
にとれた状態である。しかし、基本波の波長λがλ＜λ
0となった場合、実線のグラフは左側の破線のグラフに
ように左側へシフトする。このため、同じ温度では点Ｃ
の高調波出力は点Ｄのように低下してしまう。これを再
び増加させるには、光導波路２ａの温度Ｔを低下させて
いけば、再び位相整合を完全にとることにより、最高出
力を得ることができる。また、同様に基本波の波長λ＞
λ0になった場合は、実線のグラフが右側にシフトして
破線のグラフのようになり、高調波の出力が低下する。
このため、光導波路３ａの温度Ｔを上昇させれば、再び
最高出力を得ることができる。
【００１６】このように、一般に誘電体材料から光導波
路２ａが成る時は、基本波の波長λ＜λ0となった場
合、光導波路２ａの温度Ｔを低下させる。あるいは、λ
＞λ0となったときは、Ｔを上昇させれば最大の高調波
出力を得ることができる。ただし、有機材料や樹脂等か
ら光導波路２ａが成る場合は、これが反対となり、基本
波の波長λ＜λ0となった場合、光導波路２ａの温度Ｔ
を上昇させ、あるいはλ＞λ0となった時は、Ｔを低下
させれば高調波の最高出力を得ることができる。
路２ａが成る時は、基本波の波長λ＜λ0となった場
合、光導波路２ａの温度Ｔを低下させる。あるいは、λ
＞λ0となったときは、Ｔを上昇させれば最大の高調波
出力を得ることができる。ただし、有機材料や樹脂等か
ら光導波路２ａが成る場合は、これが反対となり、基本
波の波長λ＜λ0となった場合、光導波路２ａの温度Ｔ
を上昇させ、あるいはλ＞λ0となった時は、Ｔを低下
させれば高調波の最高出力を得ることができる。
【００１７】次に、光導波路２ａ，２ｂ，２ｃに同期が
それぞれΛａ，Λｂ，Λｃの周期的分極反転層あるいは
周期的屈折率分散手段３ａ，３ｂ，３ｃが形成され、各
周期の間にΛｃ＞Λａ＞Λｂなる関係がある場合、各光
導波路２ａ，２ｂ，２ｃの出射端から得られる高調波の
出力ＰHと基本波の波長λとの関係を図４に示す。ここ
で、各光導波路２ａ，２ｂ，２ｃの温度Ｔは同じで、か
つある一定の値の場合を示している。また、光導波路２
ａの出力が最高値のときの基本波の波長をλ＝λ0と
し、このときの光導波路２ａ，２ｂ，２ｃの温度をＴと
する。また、光検知器８ａ，８ｂ，８ｃの出力はＰａ，
Ｐｂ，Ｐｃとすると、Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃは光導波路２
ａ，２ｂ，２ｃからの高調波の光出力にそれぞれ比例す
る。ここで、λ＝λ0のとき、光検知器８ｂ，８ｃの出
力Ｐb，Ｐcを等しくなるように、周期的分極反転層ある
いは周期的屈折率分散手段３ｂ，３ｃの周期Λｂ，Λｃ
をそれぞれ設定するか、あるいは光検知器８ｂ，８ｃの
ゲインを調節しておく。
それぞれΛａ，Λｂ，Λｃの周期的分極反転層あるいは
周期的屈折率分散手段３ａ，３ｂ，３ｃが形成され、各
周期の間にΛｃ＞Λａ＞Λｂなる関係がある場合、各光
導波路２ａ，２ｂ，２ｃの出射端から得られる高調波の
出力ＰHと基本波の波長λとの関係を図４に示す。ここ
で、各光導波路２ａ，２ｂ，２ｃの温度Ｔは同じで、か
つある一定の値の場合を示している。また、光導波路２
ａの出力が最高値のときの基本波の波長をλ＝λ0と
し、このときの光導波路２ａ，２ｂ，２ｃの温度をＴと
する。また、光検知器８ａ，８ｂ，８ｃの出力はＰａ，
Ｐｂ，Ｐｃとすると、Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃは光導波路２
ａ，２ｂ，２ｃからの高調波の光出力にそれぞれ比例す
る。ここで、λ＝λ0のとき、光検知器８ｂ，８ｃの出
力Ｐb，Ｐcを等しくなるように、周期的分極反転層ある
いは周期的屈折率分散手段３ｂ，３ｃの周期Λｂ，Λｃ
をそれぞれ設定するか、あるいは光検知器８ｂ，８ｃの
ゲインを調節しておく。
【００１８】すなわち、λ＝λ0のときにＰb＝ＰCとな
っている。この時に、光源４からの基本波の波長λが周
囲の温度変化等でλ＞λ0と長波長側にシフトしたとす
る。このとき、図４に示すようにＰb＜Ｐcとなる。この
ため、出力差ΔＰ＝Ｐb−Ｐcを定義すると、ΔＰ＜０と
なる。反対に、光源４からの基本波の波長λがλ＜λ0
と短波長側にシフトした場合、図４に示すようにＰb＞
Ｐcとなる。このため、出力差ΔＰ＞０となる。すなわ
ち、ΔＰの符号により基本波の波長λがλ0から長波長
側あるいは短波長側のどちら側へシフトしたかを判定す
ることができる。このため、半導体レーザや波長可変レ
ーザ等の波長変化可能な光源４を用いている場合は、そ
れぞれシフトした方向と反対方向に基本波長λを変化さ
せ、ΔＰ＝０すなわちＰb＝Ｐcとなった所で波長を固定
すればλ＝λ0となり、光導波路９からの出力を最大と
することができる。
っている。この時に、光源４からの基本波の波長λが周
囲の温度変化等でλ＞λ0と長波長側にシフトしたとす
る。このとき、図４に示すようにＰb＜Ｐcとなる。この
ため、出力差ΔＰ＝Ｐb−Ｐcを定義すると、ΔＰ＜０と
なる。反対に、光源４からの基本波の波長λがλ＜λ0
と短波長側にシフトした場合、図４に示すようにＰb＞
Ｐcとなる。このため、出力差ΔＰ＞０となる。すなわ
ち、ΔＰの符号により基本波の波長λがλ0から長波長
側あるいは短波長側のどちら側へシフトしたかを判定す
ることができる。このため、半導体レーザや波長可変レ
ーザ等の波長変化可能な光源４を用いている場合は、そ
れぞれシフトした方向と反対方向に基本波長λを変化さ
せ、ΔＰ＝０すなわちＰb＝Ｐcとなった所で波長を固定
すればλ＝λ0となり、光導波路９からの出力を最大と
することができる。
【００１９】また、反対に周囲の温度変化等により、光
導波路２ａ，２ｂ，２ｃの温度Ｔが上昇した場合を考え
る。このとき、基本波の波長λ＝λ0で一定であるとす
る。また、周期的分極反転層あるいは周期屈折率分散手
段の周期ΛがΛ＝Λ0を中心として、Λ＞Λ0あるいはΛ
＜Λ0に変化した場合の温度Ｔに対する各周期Λを持つ
光導波路からの出力ＰHを図３（ｂ）に示す。ここで、
各光導波路の構造は周期Λ以外は同様で、温度も同時に
変化するとする。また、周期Λ＝Λ0の光導波路におい
て、温度Ｔ＝Ｔ0で高調波の出力ＰHが最大であったとす
る。ここから光導波路の温度ＴがＴ0より大きくなった
場合、図３（ｂ）に示すように、同期ΛがΛ＞Λ0であ
る光導波路の光出力ＰHは上昇し、同期Λ＜Λ0の光導波
路の出力ＰＨは低下することがわかる（ただし、この図
３（ｂ）は、前述したように光導波路が無機の誘電体材
料から成る場合で、有機材料等から成る場合は、温度の
変化方向に対してグラフは反対とする）。
導波路２ａ，２ｂ，２ｃの温度Ｔが上昇した場合を考え
る。このとき、基本波の波長λ＝λ0で一定であるとす
る。また、周期的分極反転層あるいは周期屈折率分散手
段の周期ΛがΛ＝Λ0を中心として、Λ＞Λ0あるいはΛ
＜Λ0に変化した場合の温度Ｔに対する各周期Λを持つ
光導波路からの出力ＰHを図３（ｂ）に示す。ここで、
各光導波路の構造は周期Λ以外は同様で、温度も同時に
変化するとする。また、周期Λ＝Λ0の光導波路におい
て、温度Ｔ＝Ｔ0で高調波の出力ＰHが最大であったとす
る。ここから光導波路の温度ＴがＴ0より大きくなった
場合、図３（ｂ）に示すように、同期ΛがΛ＞Λ0であ
る光導波路の光出力ＰHは上昇し、同期Λ＜Λ0の光導波
路の出力ＰＨは低下することがわかる（ただし、この図
３（ｂ）は、前述したように光導波路が無機の誘電体材
料から成る場合で、有機材料等から成る場合は、温度の
変化方向に対してグラフは反対とする）。
【００２０】また、光導波路２ａ，２ｂ，２ｃの場合
は、周期的分極反転層あるいは同期的屈折率分散手段３
ａ，３ｂ，３ｃの各周期の間にΛｃ＞Λａ＞Λｂなる関
係があるので、各光導波路Ｔ＝Ｔ0のときに光検知器
８A，８B，８Cからの光出力Ｐa，Ｐb，ＰcのうちＰaが
最大になり、このときにＰb＝ＰcとなるようにＰbとＰc
の各出力を調整してあるとすると、温度Ｔが上昇し、Ｔ
＞Ｔ0となった場合、出力差ΔＰ＝Ｐb−ＰcはＰb＜Ｐc
となるので、ΔＰ＜０となる。反対に、温度Ｔが低下
し、Ｔ＜Ｔ0となった場合には、Ｐb＞Ｐcとなるため、
出力差ΔＰ＞０となる。すなわち、出力差の符号によ
り、光導波路２ａ，２ｂ，２ｃの温度変化の方向を判定
することができる。
は、周期的分極反転層あるいは同期的屈折率分散手段３
ａ，３ｂ，３ｃの各周期の間にΛｃ＞Λａ＞Λｂなる関
係があるので、各光導波路Ｔ＝Ｔ0のときに光検知器
８A，８B，８Cからの光出力Ｐa，Ｐb，ＰcのうちＰaが
最大になり、このときにＰb＝ＰcとなるようにＰbとＰc
の各出力を調整してあるとすると、温度Ｔが上昇し、Ｔ
＞Ｔ0となった場合、出力差ΔＰ＝Ｐb−ＰcはＰb＜Ｐc
となるので、ΔＰ＜０となる。反対に、温度Ｔが低下
し、Ｔ＜Ｔ0となった場合には、Ｐb＞Ｐcとなるため、
出力差ΔＰ＞０となる。すなわち、出力差の符号によ
り、光導波路２ａ，２ｂ，２ｃの温度変化の方向を判定
することができる。
【００２１】図５は、図２に示す本発明の安定化高調波
発生装置に温度可変手段を設けた実施例を示す図で、図
中、１０は波長ビームスプリッタ、１１は温度可変手
段、１２は基板温度可変手段で、その他、図２と同じ作
用をする部分は同一の符号を付してある。ヒータあるい
はペルチエ素子等あるいは赤外線ランプや高周波加熱等
の基板温度可変手段１２を用いて、光導波路２ａ，２
ｂ，２ｃの温度ＴをΔＰ＝０となるように、反対方向に
変化させることによりＴ0に戻し、光検知器８ａの出力
Ｐaを最大にすることができる。
発生装置に温度可変手段を設けた実施例を示す図で、図
中、１０は波長ビームスプリッタ、１１は温度可変手
段、１２は基板温度可変手段で、その他、図２と同じ作
用をする部分は同一の符号を付してある。ヒータあるい
はペルチエ素子等あるいは赤外線ランプや高周波加熱等
の基板温度可変手段１２を用いて、光導波路２ａ，２
ｂ，２ｃの温度ＴをΔＰ＝０となるように、反対方向に
変化させることによりＴ0に戻し、光検知器８ａの出力
Ｐaを最大にすることができる。
【００２２】以上のことを整理すると、波長差Δλ＝λ
−λ0，温度差ΔＴ＝Ｔ−Ｔ0を定義するとき、出力差Δ
Ｐと波長差Δλ及び温度差ΔＴとの関係は両方とも図６
のような形になる（光導波路が無機材料からなる場
合）。このため、ΔＰ＞０の時はΔλ＜０あるいはΔＴ
＜０の場合であり、ΔＰ＜０の時はΔλ＞０あるいはΔ
Ｔ＞０の場合である。このためΔＰ＞０のときは、波長
λを大きくするか、あるいは温度Ｔを上昇させ、ΔＰ≒
０となるようにすれば、出力Ｐａを最大かそれに近い状
態にすることができる。この反対にΔＰ＜０の場合も波
長λを小さくするか、温度Ｔを低下させることによりΔ
Ｐ≒０となるようにすれば、出力Ｐaを最大かそれに近
い状態にすることができる。
−λ0，温度差ΔＴ＝Ｔ−Ｔ0を定義するとき、出力差Δ
Ｐと波長差Δλ及び温度差ΔＴとの関係は両方とも図６
のような形になる（光導波路が無機材料からなる場
合）。このため、ΔＰ＞０の時はΔλ＜０あるいはΔＴ
＜０の場合であり、ΔＰ＜０の時はΔλ＞０あるいはΔ
Ｔ＞０の場合である。このためΔＰ＞０のときは、波長
λを大きくするか、あるいは温度Ｔを上昇させ、ΔＰ≒
０となるようにすれば、出力Ｐａを最大かそれに近い状
態にすることができる。この反対にΔＰ＜０の場合も波
長λを小さくするか、温度Ｔを低下させることによりΔ
Ｐ≒０となるようにすれば、出力Ｐaを最大かそれに近
い状態にすることができる。
【００２３】ここで、ΔＰとΔＴ及びΔＰとΔλのグラ
フは、厳密には必ずしも重ならず、少しずれており、ま
た、それぞれΔλ，ΔＴの値により多少変化するが、ほ
ぼ同様の傾向を持ち、ΔＰ＝０にするように、温度Ｔあ
るいは波長λを変化させればほぼ出力Ｐaを最大付近に
合わせることができる（ただし、光導波路が有機材料か
ら成る場合は、ΔＰとΔＴの関係のグラフのみ符号が反
対となる。このため、温度Ｔの補正方向が反対とな
る）。光源波長が可変できない光源４の場合は、温度Ｔ
のみで調整する。また、実施例では光源４として半導体
レーザ４を用いているので、温度可変手段１１を用いて
光源４の温度を変化させ、基本波の波長λを可変するこ
とができる。この構成は、基板温度可変手段１２と同様
のものが適用可能である。さらに、集光レンズ６は必ず
しも必要でない。また、ミラー９についてもフィルタ７
ａと光検知器８ａにより出射光束の一部を直接受光する
ようにすれば必要ない。
フは、厳密には必ずしも重ならず、少しずれており、ま
た、それぞれΔλ，ΔＴの値により多少変化するが、ほ
ぼ同様の傾向を持ち、ΔＰ＝０にするように、温度Ｔあ
るいは波長λを変化させればほぼ出力Ｐaを最大付近に
合わせることができる（ただし、光導波路が有機材料か
ら成る場合は、ΔＰとΔＴの関係のグラフのみ符号が反
対となる。このため、温度Ｔの補正方向が反対とな
る）。光源波長が可変できない光源４の場合は、温度Ｔ
のみで調整する。また、実施例では光源４として半導体
レーザ４を用いているので、温度可変手段１１を用いて
光源４の温度を変化させ、基本波の波長λを可変するこ
とができる。この構成は、基板温度可変手段１２と同様
のものが適用可能である。さらに、集光レンズ６は必ず
しも必要でない。また、ミラー９についてもフィルタ７
ａと光検知器８ａにより出射光束の一部を直接受光する
ようにすれば必要ない。
【００２４】図７は、本発明による安定化高調波発生装
置の他の実施例を示す図で、図中、１３ａ〜１３ｃは集
光レンズ、１４ｂ，１４ｃは光ビームスプリッタ、１５
ｂ，１５ｃはミラーで、その他、図２と同じ作用をする
部分は同一の符号を付してある。
置の他の実施例を示す図で、図中、１３ａ〜１３ｃは集
光レンズ、１４ｂ，１４ｃは光ビームスプリッタ、１５
ｂ，１５ｃはミラーで、その他、図２と同じ作用をする
部分は同一の符号を付してある。
【００２５】本実施例は、図１，図２，図５で示した実
施例のうち、光導波路２ｂ及び２ｃが光導波路２ａから
分岐する形でなく、基板１中あるいは表面上に独立して
存在する点が異なる。しかし、各光導波路の断面形状は
同様とする必要がある。また、本実施例では、集光レン
ズ５に加えて、３組の集光レンズ１３ａ，１３ｂ，１３
ｃを用いて、各光導波路２ａ，２ｂ，２ｃに基本波を結
合するようになっている。また、基本波光の分割には、
光ビームスプリッタ１４ｂ，１４ｃを用い、光路の変換
のためにミラー１５ｂ，１５ｃを用いている。
施例のうち、光導波路２ｂ及び２ｃが光導波路２ａから
分岐する形でなく、基板１中あるいは表面上に独立して
存在する点が異なる。しかし、各光導波路の断面形状は
同様とする必要がある。また、本実施例では、集光レン
ズ５に加えて、３組の集光レンズ１３ａ，１３ｂ，１３
ｃを用いて、各光導波路２ａ，２ｂ，２ｃに基本波を結
合するようになっている。また、基本波光の分割には、
光ビームスプリッタ１４ｂ，１４ｃを用い、光路の変換
のためにミラー１５ｂ，１５ｃを用いている。
【００２６】ここで、光ビームスプリッタ１４ｂ，１４
ｃは、半透明ミラーやグレーティング等でも代用でき、
また、ミラー１５ｂ，１５ｃも同様にプリズムやグレー
ティング等が適用可能である。また本実施例の場合、同
等な光源４を３個用いれば、集光レンズ５，光ビームス
プリッタ１４ｂ，１４ｃ及び、ミラー１４ｂ，１４ｃは
不要となり、集光レンズ１３ａ，１３ｂ，１３ｃのみで
よい。また、この場合、必ずしも集光レンズ１３ａ，１
３ｂ，１３ｃは必要でなく、複数の光源４が３の出射光
を２ａ，２ｂ，２ｃの入射端面に直接照射させてもよ
い。その他の構成は前実施例と同様であり、動作原理、
作製法も同様である。
ｃは、半透明ミラーやグレーティング等でも代用でき、
また、ミラー１５ｂ，１５ｃも同様にプリズムやグレー
ティング等が適用可能である。また本実施例の場合、同
等な光源４を３個用いれば、集光レンズ５，光ビームス
プリッタ１４ｂ，１４ｃ及び、ミラー１４ｂ，１４ｃは
不要となり、集光レンズ１３ａ，１３ｂ，１３ｃのみで
よい。また、この場合、必ずしも集光レンズ１３ａ，１
３ｂ，１３ｃは必要でなく、複数の光源４が３の出射光
を２ａ，２ｂ，２ｃの入射端面に直接照射させてもよ
い。その他の構成は前実施例と同様であり、動作原理、
作製法も同様である。
【００２７】図８は、本発明による安定化高調波発生装
置の更に他の実施例を示す図で、図中の参照番号は図２
及び図５と同様である。本実施例は最初の実施例と異な
る所として、光導波路２ａ，２ｂ，２ｃに関して、光導
波路２ｃの入射端に光源４からの基本波の導波モードを
励起する。光導波路２ｃ中の基本波の導波モードが伝搬
してゆくうちに高調波の導波モードが生じる。図８に示
すように、光導波路２ｃの途中で光導波路２ｃに曲率を
もたせると、一般に高調波の導波モードの等価屈折率
は、基本波の導波モードの等価屈折率より高いため、高
調波の導波モードは光導波路２ｃに沿って伝搬して行く
が、基本波の導波モードは曲率のある部分で放射モード
となり、基板中に放射するような曲率を持たせた構造を
とることができる。
置の更に他の実施例を示す図で、図中の参照番号は図２
及び図５と同様である。本実施例は最初の実施例と異な
る所として、光導波路２ａ，２ｂ，２ｃに関して、光導
波路２ｃの入射端に光源４からの基本波の導波モードを
励起する。光導波路２ｃ中の基本波の導波モードが伝搬
してゆくうちに高調波の導波モードが生じる。図８に示
すように、光導波路２ｃの途中で光導波路２ｃに曲率を
もたせると、一般に高調波の導波モードの等価屈折率
は、基本波の導波モードの等価屈折率より高いため、高
調波の導波モードは光導波路２ｃに沿って伝搬して行く
が、基本波の導波モードは曲率のある部分で放射モード
となり、基板中に放射するような曲率を持たせた構造を
とることができる。
【００２８】さらに、光導波路２ｂの入射端をこの光導
波路２ｃの曲率のある部分の付近に設けることにより、
放射させた基本波を再び光導波路２ｂに結合させること
ができる。同様なことを光導波路２ｂと２ａとの間で繰
り返すことにより、光検出器８ａ，８ｂ，８ｃより高調
波に比例した出力Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃを得ることができ
る。この実施例では、フィルタ７ｂ，７ｃは不要であ
る。また、フィルタ７ａのかわりに波長ビームスプリッ
タ１０を用いて高調波出力のみ取り出している。この構
成においても、出力差ΔＰを得ることができ、前出の各
実施例と同様にΔＰ＝０とするように、温度Ｔあるいは
基本波の波長λを変化させ、光検出器８ａからの出力を
ほぼ最高に近くすることが可能である。その他、動作原
理や作製法等は前出の各実施例の場合と同様である。
波路２ｃの曲率のある部分の付近に設けることにより、
放射させた基本波を再び光導波路２ｂに結合させること
ができる。同様なことを光導波路２ｂと２ａとの間で繰
り返すことにより、光検出器８ａ，８ｂ，８ｃより高調
波に比例した出力Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃを得ることができ
る。この実施例では、フィルタ７ｂ，７ｃは不要であ
る。また、フィルタ７ａのかわりに波長ビームスプリッ
タ１０を用いて高調波出力のみ取り出している。この構
成においても、出力差ΔＰを得ることができ、前出の各
実施例と同様にΔＰ＝０とするように、温度Ｔあるいは
基本波の波長λを変化させ、光検出器８ａからの出力を
ほぼ最高に近くすることが可能である。その他、動作原
理や作製法等は前出の各実施例の場合と同様である。
【００２９】さらに、周期的屈折率分散手段の周期Λに
関しては、光導波路の基本波及び高調波の導波モードの
等価屈折率をｎF，ｎHとし、基本波の波長をλとすると
き、
関しては、光導波路の基本波及び高調波の導波モードの
等価屈折率をｎF，ｎHとし、基本波の波長をλとすると
き、
【００３０】
【数１】
【００３１】の関係を満たす必要がある。さらに、この
周期Λ＝Λａに対してΛｃ，ΛｂはΛｃ＞Λａ＞Λｂな
る関係を満たす必要があるが、この範囲でΛａになるべ
く近くして、図３，図４，図６のような関係が満たされ
るようにしておく必要がある。なお、周期Λａ，Λｂ，
Λｃとも一定の周期である必要がなく、平均値がこの関
係を満たすようにして周期が可変であってもよい。
周期Λ＝Λａに対してΛｃ，ΛｂはΛｃ＞Λａ＞Λｂな
る関係を満たす必要があるが、この範囲でΛａになるべ
く近くして、図３，図４，図６のような関係が満たされ
るようにしておく必要がある。なお、周期Λａ，Λｂ，
Λｃとも一定の周期である必要がなく、平均値がこの関
係を満たすようにして周期が可変であってもよい。
【００３２】さらにつけ加えると、図２，図７，図８の
各実施例について、光検知器８ａについては、最初に光
導波路３ａの高調波出力が最大のとき、光検知器８ｂ及
び８ｃの出力Ｐb及びＰcのバランスをとっておけば、必
ずしも必要ではない。また、光検知器８ｂにより、高調
波の出力Ｐaをモニタすることにより、光源４の出力を
変化させ、出力を安定化させる機能をつけ加えることも
可能である。この場合、たとえば高調波出力が光源の効
率低下やアライメントの変化等で低下した場合、光源の
基本波出力を増加させて高調波出力を増加させて出力を
安定化させることができる。
各実施例について、光検知器８ａについては、最初に光
導波路３ａの高調波出力が最大のとき、光検知器８ｂ及
び８ｃの出力Ｐb及びＰcのバランスをとっておけば、必
ずしも必要ではない。また、光検知器８ｂにより、高調
波の出力Ｐaをモニタすることにより、光源４の出力を
変化させ、出力を安定化させる機能をつけ加えることも
可能である。この場合、たとえば高調波出力が光源の効
率低下やアライメントの変化等で低下した場合、光源の
基本波出力を増加させて高調波出力を増加させて出力を
安定化させることができる。
【００３３】
【効果】以上の説明から明らかなように、本発明による
と、以下のような効果がある。 （１）請求項１に対応する効果：光源に加えて周期の異
なる周期的屈折率分散手段を付近に有する少くとも３つ
以上の光導波路と、光導波路から出射する高調波を受光
する３つ以上の光検知器とからなり、光導波路は全部あ
るいはその一部が非線形光学材料からなり、かつ基板上
あるいは基板中に一体的に形成されており、かつ基板の
付近に温度制御手段を有する。このため、光源の波長変
動あるいは光導波路の温度変動等により、高調波出力が
低下した場合、周期的屈折率分散手段の周期の、より大
きい光導波路と、より小さい光導波路の高調波出力の差
動を検出することにより、その符号の違いを用いて、光
源の波長の補正あるいは温度制御手段により光導波路の
温度を変化させ、高調波出力が低下しないようにしてい
るので、高調波出力の安定化が図れる。 （２）請求項２に対応する効果：光源として波長可変光
源を用いており、また光導波路の温度制御手段がないた
め、請求項１と同様に高調波出力が低下した場合、周期
的屈折率分散手段の周期のより大きい光導波路と、より
小さい光導波路の高調波出力の差動を検出し、その符号
を用いて光源の波長を変化させ、高調波出力が低下しな
いようにしているため、高調波出力の安定化が図れる。 （３）請求項３に対応する効果：１つの光導波路が３つ
以上の光導波路に分岐して配置され、分岐後の各光導波
路にそれぞれ周期の異なる周期的屈折率分散手段を有し
ている。このため、請求項１,２の装置に比べ、各光導
波路への基本波の励起が容易になる。 （４）請求項４に対応する効果：３つ以上の光導波路の
うち最後の１つを除いて、その一部に曲率を持ち、基本
波をこの部分から次の光導波路に結合させているため、
請求項１,２の装置に比べ各光導波路への基本波の励起
が容易になり、基本波を分岐しないため、高調波の発生
効率も高くなる。 （５）請求項５に対応する効果：請求項１〜４の装置に
加えて、中間の周期の周期的分極反転層を持つ光導波路
の高調波出力を受光する光検知器及び光源の出力を一定
にさせる制御手段を設けているため、高調波出力が請求
項１〜４の装置に比べて、より安定にすることができ
る。 （６）請求項６に対応する効果：非線形光学材料として
強誘電体を用いており、周期的屈折率分散手段として、
周期的分極反転層を用いているため、前記請求項１〜５
の装置に比べ、良好な光導波路を作製でき、かつ高調波
出力をより大きく、効率よく発生させることができる。
と、以下のような効果がある。 （１）請求項１に対応する効果：光源に加えて周期の異
なる周期的屈折率分散手段を付近に有する少くとも３つ
以上の光導波路と、光導波路から出射する高調波を受光
する３つ以上の光検知器とからなり、光導波路は全部あ
るいはその一部が非線形光学材料からなり、かつ基板上
あるいは基板中に一体的に形成されており、かつ基板の
付近に温度制御手段を有する。このため、光源の波長変
動あるいは光導波路の温度変動等により、高調波出力が
低下した場合、周期的屈折率分散手段の周期の、より大
きい光導波路と、より小さい光導波路の高調波出力の差
動を検出することにより、その符号の違いを用いて、光
源の波長の補正あるいは温度制御手段により光導波路の
温度を変化させ、高調波出力が低下しないようにしてい
るので、高調波出力の安定化が図れる。 （２）請求項２に対応する効果：光源として波長可変光
源を用いており、また光導波路の温度制御手段がないた
め、請求項１と同様に高調波出力が低下した場合、周期
的屈折率分散手段の周期のより大きい光導波路と、より
小さい光導波路の高調波出力の差動を検出し、その符号
を用いて光源の波長を変化させ、高調波出力が低下しな
いようにしているため、高調波出力の安定化が図れる。 （３）請求項３に対応する効果：１つの光導波路が３つ
以上の光導波路に分岐して配置され、分岐後の各光導波
路にそれぞれ周期の異なる周期的屈折率分散手段を有し
ている。このため、請求項１,２の装置に比べ、各光導
波路への基本波の励起が容易になる。 （４）請求項４に対応する効果：３つ以上の光導波路の
うち最後の１つを除いて、その一部に曲率を持ち、基本
波をこの部分から次の光導波路に結合させているため、
請求項１,２の装置に比べ各光導波路への基本波の励起
が容易になり、基本波を分岐しないため、高調波の発生
効率も高くなる。 （５）請求項５に対応する効果：請求項１〜４の装置に
加えて、中間の周期の周期的分極反転層を持つ光導波路
の高調波出力を受光する光検知器及び光源の出力を一定
にさせる制御手段を設けているため、高調波出力が請求
項１〜４の装置に比べて、より安定にすることができ
る。 （６）請求項６に対応する効果：非線形光学材料として
強誘電体を用いており、周期的屈折率分散手段として、
周期的分極反転層を用いているため、前記請求項１〜５
の装置に比べ、良好な光導波路を作製でき、かつ高調波
出力をより大きく、効率よく発生させることができる。
【図１】 本発明による高調波発生素子の一実施例を説
明するための構成図である。
明するための構成図である。
【図２】 本発明による安定化高調波発生装置の一実施
例を説明するための構成図である。
例を説明するための構成図である。
【図３】 本発明における光導波路中の温度に対する高
調波の出力を示す図である。
調波の出力を示す図である。
【図４】 本発明における高調波の出力と基本波の波長
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図５】 本発明による安定化高調波発生装置に温度可
変手段を設けた実施例を示す図である。
変手段を設けた実施例を示す図である。
【図６】 図５における出力差と波長差と温度差との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図７】 本発明による安定化高調波発生装置の他の実
施例を示す図である。
施例を示す図である。
【図８】 本発明による安定化高調波発生装置の更に他
の実施例を示す図である。
の実施例を示す図である。
【図９】 従来の高調波発生装置の構成図である。
１…基板、２，２ａ〜２ｃ…光導波路、３ａ〜３ｃ…周
期的分極反転層。
期的分極反転層。
Claims (6)
- 【請求項１】 光源と、周期的屈折率分散手段を有する
第１の光導波路と、該第１の光導波路より大きい周期及
び小さい周期の周期的屈折率分散手段を有する２つ以上
の第２，及び第３の光導波路と、該第２，及び第３の光
導波路からの高調波出力を受光する２つの光検知器とか
らなり、前記各光導波路は、その全部あるいは一部が非
線形光学材料で構成されるとともに、基板上あるいは基
板中に一体的に形成され、かつ該基板の付近に温度制御
手段を有し、前記光検知器の出力の差動を検出するよう
にしたことを特徴とする安定化高調波発生装置。 - 【請求項２】 光源として波長可変光源を用い、周期的
屈折率分散手段を有する第１の光導波路と、該第１の光
導波路より大きな周期及び小さい周期の周期的屈折率分
散手段を有する２つ以上の第２，及び第３の光導波路
と、該第２，及び第３の光導波路からの高調波出力を受
光する２つの光検知器とからなり、前記各光導波路は、
その全部あるいは一部が非線形光学材料で構成されると
ともに、基板上あるいは基板中に一体的に形成され、前
記光検知器の出力の差動を検出して光源波長を可変する
ようにしたことを特徴とする安定化高調波発生装置。 - 【請求項３】 １つの光導波路が３つ以上の光導波路に
分岐して配置され、分岐後の光導波路にそれぞれ周期の
異なる周期的屈折率分散手段を有していることを特徴と
する請求項１又は２記載の安定化高調波発生装置。 - 【請求項４】 ３つ以上の光導波路のうち最後の１つを
除いてその一部で曲率を有し、該部分から基本波のみを
他の光導波路に結合させるようにしたことを特徴とする
請求項１又は２記載の安定化高調波発生装置。 - 【請求項５】 中間の周期の周期的分極反転層を有する
光導波路の高調波出力を受光する光検知器と、該光検知
器の出力をもとに光源の出力を一定にさせる制御手段を
設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に
記載の安定化高調波発生装置。 - 【請求項６】 非線形光学材料として強誘電体を用い、
周期的屈折率分散手段として周期的分極反転層を用いた
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の
安定化高調波発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19843893A JP3390493B2 (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 安定化高調波発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19843893A JP3390493B2 (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 安定化高調波発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0756200A true JPH0756200A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3390493B2 JP3390493B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=16391089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19843893A Expired - Fee Related JP3390493B2 (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 安定化高調波発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3390493B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073552A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Sony Corp | レーザ光発生装置及び画像生成装置 |
| WO2008015745A1 (fr) * | 2006-08-03 | 2008-02-07 | Nabtesco Corporation | Dispositif de commutation de trajets optiques |
| JP2009086064A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | レーザ光発生装置 |
-
1993
- 1993-08-10 JP JP19843893A patent/JP3390493B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073552A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Sony Corp | レーザ光発生装置及び画像生成装置 |
| WO2008015745A1 (fr) * | 2006-08-03 | 2008-02-07 | Nabtesco Corporation | Dispositif de commutation de trajets optiques |
| JPWO2008015745A1 (ja) * | 2006-08-03 | 2009-12-17 | ナブテスコ株式会社 | 光路切換装置 |
| JP2009086064A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | レーザ光発生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3390493B2 (ja) | 2003-03-24 |
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