JPS62254478A - 可変波長光源 - Google Patents
可変波長光源Info
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- JPS62254478A JPS62254478A JP9911786A JP9911786A JPS62254478A JP S62254478 A JPS62254478 A JP S62254478A JP 9911786 A JP9911786 A JP 9911786A JP 9911786 A JP9911786 A JP 9911786A JP S62254478 A JPS62254478 A JP S62254478A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/107—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using electro-optic devices, e.g. exhibiting Pockels or Kerr effect
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、レーデ光の発振波長を変えることができる可
変波長レーザ光源の特性の改良に関するものである。
変波長レーザ光源の特性の改良に関するものである。
（従来の技術）
従来の可変波長レーザ光源としては次のようなものがあ
る。
る。
イ、レーデ共１辰器内の光路上に音饗光学フィルタを備
え、通過周波数を制御するもの。
え、通過周波数を制御するもの。
ロ、レーザ共娠器内の光路上に複屈折フィルタを備えた
もの。
もの。
ハ、レーザ共振器内部に共振部を２つ有し、ミラーを動
かして発振波長を変化させる複合共振器形。
かして発振波長を変化させる複合共振器形。
二、レーザ共振器内部において、音ｗＩ偏向器により回
折格子への光入射角を変えることにより、発振波長をｔ
１１制御するもの。
折格子への光入射角を変えることにより、発振波長をｔ
１１制御するもの。
ホ、その他レーザ共振器内にプリズムを入れるもの、共
振器を形成するミラーの代りに回折格子を用いるものな
どがある。
振器を形成するミラーの代りに回折格子を用いるものな
どがある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記のような構成の可変波長光源におい
て、口とハ以外は発振スペクトル幅が広くなるという欠
点があり、Ｏは可変範囲が狭く、八は電気的な制御が難
しいという問題点がある。
て、口とハ以外は発振スペクトル幅が広くなるという欠
点があり、Ｏは可変範囲が狭く、八は電気的な制御が難
しいという問題点がある。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたち
ので、スペクトル幅の狭い５Ｉ変波瓜光源を実現するこ
とを目的とする。
ので、スペクトル幅の狭い５Ｉ変波瓜光源を実現するこ
とを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係る可変波長光源はレーザ共ｔｒｉ器内の光路
の屈折率を制御することにより、発振波１（を変化する
ように構成したことを特徴とする。
の屈折率を制御することにより、発振波１（を変化する
ように構成したことを特徴とする。
（実施例）
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は本発明に係る可変波長光源の一実施例を示す構
成ブロック図である。ＬＤｌは半導体レーザ、１．２は
この半導体レー嗜！ＬＤ１の両端に設けられた無反射＝
１−ト部、ＬＳＩはこの無反田コート部１から出射され
る光を平行光とするレンズ、ＨＭｌはこのレンズ１８１
を通過した光が反射されるハーフミラ−１ＬＳ２は無反
射コート部２から出射される光を平行光とするレンズ、
ＥｏｌはＬ＜Ｎｂ０ｚにオプ酸リチウム）＠の結晶から
なり前記レンズＬＳ２の出力光を入ｔＪＪ する両面無
反射コートの電気光学素子、３はこの電気光学素子ＥＯ
１をＩＩＪｉｌｌｌする信号源、Ｍｌはこの電気光学素
子ＥＯ１の出力光を入射するミラーである。
成ブロック図である。ＬＤｌは半導体レーザ、１．２は
この半導体レー嗜！ＬＤ１の両端に設けられた無反射＝
１−ト部、ＬＳＩはこの無反田コート部１から出射され
る光を平行光とするレンズ、ＨＭｌはこのレンズ１８１
を通過した光が反射されるハーフミラ−１ＬＳ２は無反
射コート部２から出射される光を平行光とするレンズ、
ＥｏｌはＬ＜Ｎｂ０ｚにオプ酸リチウム）＠の結晶から
なり前記レンズＬＳ２の出力光を入ｔＪＪ する両面無
反射コートの電気光学素子、３はこの電気光学素子ＥＯ
１をＩＩＪｉｌｌｌする信号源、Ｍｌはこの電気光学素
子ＥＯ１の出力光を入射するミラーである。
半導体レーザＬＤＩの無反射コート部１から出射した光
はレンズ１８１で平行光となり、ハーフミラ−ＨＭｌで
反射される。ハーフミラ−ＨＭｌからの反射光は光路を
元に戻って再び半導体レーザＬ ｌ’） １に入射する
。無反射コート部２から出射した周波数ｆ’ｏｔの光は
レンズＬＳ２で平行光とされ、電気光学素子ＥＯ１を通
過し、ミラーＭ１で反射した摸元の光路を逆行して、再
び半導体レーｆＬＤ１に入射する。この結果ハーフミラ
−１」ＭｌとミラーＭ１の間で共振器を構成できる。ハ
ーフミラ−ＨＭＩとミラーＭ１の間の電気光学素子ＥＯ
１の光路に沿った艮ざｅを除く光学長を１、゛電気光学
素子ＥＯＩの屈折率をｎ、光速をＣ１ｐを整数とすると
、発振周波数ｆｏＩは ｆｏ ｒ −ｐ−ｃ／２ （Ｌ＋ｎ （Ｖ）Ｒ）・・
・（１） となる。すなわら信号源３により電気光学索子ＥＯ１の
電界強度を変えることにより屈折率ｎを変化させること
かでき、その結果発振周波数ｒｏｔを昂引できる。レー
ザ光はハーフミラ−ＨＮｌを介して外部へ出力される。
はレンズ１８１で平行光となり、ハーフミラ−ＨＭｌで
反射される。ハーフミラ−ＨＭｌからの反射光は光路を
元に戻って再び半導体レーザＬ ｌ’） １に入射する
。無反射コート部２から出射した周波数ｆ’ｏｔの光は
レンズＬＳ２で平行光とされ、電気光学素子ＥＯ１を通
過し、ミラーＭ１で反射した摸元の光路を逆行して、再
び半導体レーｆＬＤ１に入射する。この結果ハーフミラ
−１」ＭｌとミラーＭ１の間で共振器を構成できる。ハ
ーフミラ−ＨＭＩとミラーＭ１の間の電気光学素子ＥＯ
１の光路に沿った艮ざｅを除く光学長を１、゛電気光学
素子ＥＯＩの屈折率をｎ、光速をＣ１ｐを整数とすると
、発振周波数ｆｏＩは ｆｏ ｒ −ｐ−ｃ／２ （Ｌ＋ｎ （Ｖ）Ｒ）・・
・（１） となる。すなわら信号源３により電気光学索子ＥＯ１の
電界強度を変えることにより屈折率ｎを変化させること
かでき、その結果発振周波数ｒｏｔを昂引できる。レー
ザ光はハーフミラ−ＨＮｌを介して外部へ出力される。
このような構成の可変波長光源によれば、共振器長が長
く共振器のＱが高いので、スペクトル幅が狭いという利
点がある。
く共振器のＱが高いので、スペクトル幅が狭いという利
点がある。
また電気光学素子を用いているので、電気的な制御が容
易にできる。
易にできる。
なお半導体レーデＬＤ１の左１１１１端而をミラー・コ
ニトすれば、レンズＬＳＩとハーフミラ−ＨＭｌを省略
することができる。
ニトすれば、レンズＬＳＩとハーフミラ−ＨＭｌを省略
することができる。
第２図は本発明に係る可変波長光源の第２の実施例で、
第１図の可変波長光源を１チツプ上に集積したものを示
す斜′ｐＡ図である。集積形可変波艮光源１０において
、１１はＧａＡｆｆｉＡｓ、ＩｍＧａＡｓＰ等から構成
されるレーザダイオード、１２はこのレーザダイオード
１１の接合部に工２けられた光増幅部、１３は同じく設
けられた導波路形外部共１辰器、１４．１５はレーデダ
イオード１１の両端にもうけられたミラー、１６は前記
光増幅部１２に対応してレーザダイオード１１０表面に
設けられた電極、１７は前記導波路形体部共振器１３に
対応してレーザダイオード１１の表面に設けられた電極
である。電極１６を介して接合部に電流ＩＬＯを注入し
て光増幅部１２においてレーザ光を発生させ、導波路形
体部共振器１３に電極１７を介して電流１ｐを流し導波
路形体部共振器１３の屈折率を変化させて発振周波数を
掃引する。
第１図の可変波長光源を１チツプ上に集積したものを示
す斜′ｐＡ図である。集積形可変波艮光源１０において
、１１はＧａＡｆｆｉＡｓ、ＩｍＧａＡｓＰ等から構成
されるレーザダイオード、１２はこのレーザダイオード
１１の接合部に工２けられた光増幅部、１３は同じく設
けられた導波路形外部共１辰器、１４．１５はレーデダ
イオード１１の両端にもうけられたミラー、１６は前記
光増幅部１２に対応してレーザダイオード１１０表面に
設けられた電極、１７は前記導波路形体部共振器１３に
対応してレーザダイオード１１の表面に設けられた電極
である。電極１６を介して接合部に電流ＩＬＯを注入し
て光増幅部１２においてレーザ光を発生させ、導波路形
体部共振器１３に電極１７を介して電流１ｐを流し導波
路形体部共振器１３の屈折率を変化させて発振周波数を
掃引する。
光増幅部１２および導波路形外部共娠器１３の接合部に
沿った長さをそれぞれｆｆ１ｌｔ１２２＋屈折率をそれ
ぞれ’Ｉ ＋ ｎ２ 、Ｑを整数とすると、発振周波数
ｆ０２は ｆｏ２−ｑ−ｃ／２（ｎ＋ Ｑ＋ ＋ｎｚ （Ｉｐ
）１２） ・・・（２）
となる。
沿った長さをそれぞれｆｆ１ｌｔ１２２＋屈折率をそれ
ぞれ’Ｉ ＋ ｎ２ 、Ｑを整数とすると、発振周波数
ｆ０２は ｆｏ２−ｑ−ｃ／２（ｎ＋ Ｑ＋ ＋ｎｚ （Ｉｐ
）１２） ・・・（２）
となる。
第３図は本発明に係る可変波長光源の第３の実施例で、
第１図の可変波長光源を二重共振器型としたものを示す
構成ブロック図である。第１図と同じ部分は同一の記号
を付して説明を省略する。
第１図の可変波長光源を二重共振器型としたものを示す
構成ブロック図である。第１図と同じ部分は同一の記号
を付して説明を省略する。
８８１はレンズ１８２からの出射光を２方向に分離する
ビームスプリッタ、ＥＯｌはこのビームスプリッタＢＳ
１を透過した光を入射する電気光学索子、Ｍｌはこの電
気光学素子ＥＯ１の出射光を反射するミラー、ＥＯ２は
前記ビームスプリッタＢＳ１で反射した光を入射する電
気光学素子、Ｍ２はこの電気光学素子ＥＯ２の出射光を
反射するミラーである。電気光学素子ＥＯ１，ＥＯ２の
光路方向の長さをそれぞれＱｚ＊Ｑａ、屈折率をそれぞ
れｎ３．ｎ４、ハーフミラ−１−ＩＭｌ、Ｍｌ間の光路
に沿ったＱａを除（光学長をＬ ＋ 、”−フミラー１
−ＩＭ１．Ｍ２間の光路に沿ったｇ４を除く光学長を１
２、’を整数とすると、この場合の発条周波数ｆ０３は ｆｏ ３ ＝ｒ −ｃ／２１ （ｍｌ ＋ｎ
３ （Ｖｌ ＞Ｑｓ ）（Ｌ２ ＋ｎ４ （
Ｖ２ ）＋１４ ）ｌ −（３）となる。た
だしＶｌ、Ｖ２はそれぞれ電気光学素子ＥＯ１，ＥＯ２
の駆動電圧である（図では省略）。（３）式は（１）式
よりも分母を小さくできるので、第１図装置の場合より
もＱｌ＆周波数の可変範囲を大きくできる。
ビームスプリッタ、ＥＯｌはこのビームスプリッタＢＳ
１を透過した光を入射する電気光学索子、Ｍｌはこの電
気光学素子ＥＯ１の出射光を反射するミラー、ＥＯ２は
前記ビームスプリッタＢＳ１で反射した光を入射する電
気光学素子、Ｍ２はこの電気光学素子ＥＯ２の出射光を
反射するミラーである。電気光学素子ＥＯ１，ＥＯ２の
光路方向の長さをそれぞれＱｚ＊Ｑａ、屈折率をそれぞ
れｎ３．ｎ４、ハーフミラ−１−ＩＭｌ、Ｍｌ間の光路
に沿ったＱａを除（光学長をＬ ＋ 、”−フミラー１
−ＩＭ１．Ｍ２間の光路に沿ったｇ４を除く光学長を１
２、’を整数とすると、この場合の発条周波数ｆ０３は ｆｏ ３ ＝ｒ −ｃ／２１ （ｍｌ ＋ｎ
３ （Ｖｌ ＞Ｑｓ ）（Ｌ２ ＋ｎ４ （
Ｖ２ ）＋１４ ）ｌ −（３）となる。た
だしＶｌ、Ｖ２はそれぞれ電気光学素子ＥＯ１，ＥＯ２
の駆動電圧である（図では省略）。（３）式は（１）式
よりも分母を小さくできるので、第１図装置の場合より
もＱｌ＆周波数の可変範囲を大きくできる。
また従来の複合共振器の片面無反射コートと異なり、半
導体レーデｌ−Ｄ Ｉの両端を無反射コートして外部ミ
ラーを用いているので、半導体レーザＬ Ｄ １の両端
面による共振器のＱが下がり、前記共振器の影響が少な
いという利点もある。
導体レーデｌ−Ｄ Ｉの両端を無反射コートして外部ミ
ラーを用いているので、半導体レーザＬ Ｄ １の両端
面による共振器のＱが下がり、前記共振器の影響が少な
いという利点もある。
なお電気光学素子は２つの共振器の一方のみに設けても
よい。
よい。
第３図装置において、電気光学結晶の屈折率は電界のみ
ならず、温度によっても変化する。例えば、ＬＬＮｂ０
３の屈折率の温度係数は、ｄ ｎ ｅ ／ ｄ ’ｒ
＝ ５ Ｘ １０°Ｓ （１／’Ｃ）ｄｎｏ／ｄＴ＝
５Ｘ１Ｑ−’ （１／’Ｃ）（ただしｎｅ＋ ｎｏは
主屈折率） であり、光軸方向に電界を加えたときの単位電界に対す
る屈折率の変化 （２／３）ｎｅ２ｒ３：ｚ＝９．９７Ｘ１０−”（ｍ／
Ｖ） （２／３）ｎｏ ２ｒ＋ ３−３．３４Ｘ１０−”（ｍ
／Ｖ） （ただし波長λ−６３３ｎｍにお番プる値。ｒ３３゜ｒ
１３は電気光学係数）と比較すると、温度変化の屈折率
への彰冑は非常に大きい。その結果、発揚波長が変化す
るだけでなく、ＦＳＲ（ＦｒｅｅＳｐｅｃｔｒａｌ
Ｒａｎｇｅ）が狭くなり、ある温度で１１−波長発振す
るように調整しても、温度が変ることにより、多モード
発振となってしまう場合さえある。そこで、２つの電気
光学結晶ＥＯ１，ＥＯ２として同一長、同一温度特性の
ものを使用し、光の偏波面に対して同一結晶軸方向に配
置すれば、以下のように温度補償を行うことができる。
ならず、温度によっても変化する。例えば、ＬＬＮｂ０
３の屈折率の温度係数は、ｄ ｎ ｅ ／ ｄ ’ｒ
＝ ５ Ｘ １０°Ｓ （１／’Ｃ）ｄｎｏ／ｄＴ＝
５Ｘ１Ｑ−’ （１／’Ｃ）（ただしｎｅ＋ ｎｏは
主屈折率） であり、光軸方向に電界を加えたときの単位電界に対す
る屈折率の変化 （２／３）ｎｅ２ｒ３：ｚ＝９．９７Ｘ１０−”（ｍ／
Ｖ） （２／３）ｎｏ ２ｒ＋ ３−３．３４Ｘ１０−”（ｍ
／Ｖ） （ただし波長λ−６３３ｎｍにお番プる値。ｒ３３゜ｒ
１３は電気光学係数）と比較すると、温度変化の屈折率
への彰冑は非常に大きい。その結果、発揚波長が変化す
るだけでなく、ＦＳＲ（ＦｒｅｅＳｐｅｃｔｒａｌ
Ｒａｎｇｅ）が狭くなり、ある温度で１１−波長発振す
るように調整しても、温度が変ることにより、多モード
発振となってしまう場合さえある。そこで、２つの電気
光学結晶ＥＯ１，ＥＯ２として同一長、同一温度特性の
ものを使用し、光の偏波面に対して同一結晶軸方向に配
置すれば、以下のように温度補償を行うことができる。
電気光学素子ＥＯ１のみを駆動し、電気光学索子ＥＯ２
を温度補償用結晶として用いると、電界の変化ΔＥおよ
び温１女の変化ΔＴに対応するＥＯｌ側の光学長の変化
ΔｎＱｓはΔ ｎ Ｉｌ ３ ＝ （（ｄｎ／
ｄＥ） Δ Ｅ −ト （ｄｎ／ｄｌ’＞ΔＴｈ
ｅ ・・・（４）となり、
温度の変化ΔＴに対応するＥＯ２側の光学長の変化Δｎ
Ｑａは Δｎ Ｑ ４− （ｄ ｎ ／ ｄ Ｔ ）ΔＴ Ｑ
−（５）となる。ただしｎ３−ｎ４−ｎ＋ Ｑ３−
Ｑａ ＝Ｑである。したがって、電界および温度の変化
ΔＥ。
を温度補償用結晶として用いると、電界の変化ΔＥおよ
び温１女の変化ΔＴに対応するＥＯｌ側の光学長の変化
ΔｎＱｓはΔ ｎ Ｉｌ ３ ＝ （（ｄｎ／
ｄＥ） Δ Ｅ −ト （ｄｎ／ｄｌ’＞ΔＴｈ
ｅ ・・・（４）となり、
温度の変化ΔＴに対応するＥＯ２側の光学長の変化Δｎ
Ｑａは Δｎ Ｑ ４− （ｄ ｎ ／ ｄ Ｔ ）ΔＴ Ｑ
−（５）となる。ただしｎ３−ｎ４−ｎ＋ Ｑ３−
Ｑａ ＝Ｑである。したがって、電界および温度の変化
ΔＥ。
６丁に対応する等価的共振器長Ｌｅｇの変化はΔＬｅｅ
ｉ−ΔｎＱ３−Δｎ１ｌａ −（ｄｎ／ｄＥ）ΔＥｌ’ ・ （６）となり、温
度を含む項が相殺されるので、温度変化の影響を受けな
い。
ｉ−ΔｎＱ３−Δｎ１ｌａ −（ｄｎ／ｄＥ）ΔＥｌ’ ・ （６）となり、温
度を含む項が相殺されるので、温度変化の影響を受けな
い。
第４図は第３図装置の２つの電気光学結晶を一体ブロッ
ク化して同一温度となるよ−）に構成したものを示す斜
視図である。２０は銅等の熱伝導の良い金属等からなる
ブロック、２１．２２はこのブロック２０内に近接して
埋め込まれた波長可変用と温度補償用の２つの電気光学
結晶である。第５図はこの電気光学素子を用いた可変波
長光源の第４の実施例を示す構成ブロック図である。第
３図と異なるのは電気光学素子ＥＯ１，ＥＯ２の代りに
ブロック２０を使用し、ミラーＭ３で光路の方向を変え
ている点のみで、動作は同様である。
ク化して同一温度となるよ−）に構成したものを示す斜
視図である。２０は銅等の熱伝導の良い金属等からなる
ブロック、２１．２２はこのブロック２０内に近接して
埋め込まれた波長可変用と温度補償用の２つの電気光学
結晶である。第５図はこの電気光学素子を用いた可変波
長光源の第４の実施例を示す構成ブロック図である。第
３図と異なるのは電気光学素子ＥＯ１，ＥＯ２の代りに
ブロック２０を使用し、ミラーＭ３で光路の方向を変え
ている点のみで、動作は同様である。
２つの電気光学結晶は光の偏波面に対して同一結晶軸方
向に配置され、光路長および温度特性が等しく選ばれ、
一体ブロック化しているので温度も等しくなり、前述の
ようなＳ度補償効果を実現できる。
向に配置され、光路長および温度特性が等しく選ばれ、
一体ブロック化しているので温度も等しくなり、前述の
ようなＳ度補償効果を実現できる。
第６図は第３図’ｊＡｒｉの２つの電気光学結晶を１つ
の結晶内に一体化して同一温度となるように構成したも
のを示寸斜ｌ！図である。３０は電気光学結晶、３１．
３２はこの電気光学結晶３０の両面の半分に対向して設
けられた波長変化用の電極である。第７図はこの電気光
学素子を用いた可変波長光源の第５の実施例を示す構成
ブロック図である。ｆＪ４５図装置のブロック２０の代
りに、結晶３０をその電極３１が光路と平行となるよう
に配置したもので、電極３１に対応する光路で波長可変
を行い、他の光路で温度補償を行う。
の結晶内に一体化して同一温度となるように構成したも
のを示寸斜ｌ！図である。３０は電気光学結晶、３１．
３２はこの電気光学結晶３０の両面の半分に対向して設
けられた波長変化用の電極である。第７図はこの電気光
学素子を用いた可変波長光源の第５の実施例を示す構成
ブロック図である。ｆＪ４５図装置のブロック２０の代
りに、結晶３０をその電極３１が光路と平行となるよう
に配置したもので、電極３１に対応する光路で波長可変
を行い、他の光路で温度補償を行う。
第８図は同じ電気光学素子を用いた可変波長光源の第６
の実施例を示す構成ブロック図で、結晶３０の縦横の良
さを等しくとり、第７図において、結晶３０の方向を９
０″回転させるとともに、ミラーＭ４を挿入して、２つ
の光路を交差させたものである。
の実施例を示す構成ブロック図で、結晶３０の縦横の良
さを等しくとり、第７図において、結晶３０の方向を９
０″回転させるとともに、ミラーＭ４を挿入して、２つ
の光路を交差させたものである。
なお、さらに温度の安定度が必要な場合には、第４図の
ブロックや第６図の結晶、さらには装置全体を恒温槽に
入れればよい。
ブロックや第６図の結晶、さらには装置全体を恒温槽に
入れればよい。
第９図は本発明に係る可変波長光源の第７の実施例を示
す構成ブロック図で、光導波路を用いて二重外部共振器
型の可変波長光源を実現したものである。４は半導体レ
ーザＬＤ１の片端面に設けられたミラーコート面、４０
は光導波路で構成された外部杖ｉ！器、この外部共振器
４０において、４１は半導体レーずＬＤＩの出力光を集
光用レンズしＳ２を介して入射する第１の導波路、４３
はこの光導波路４１の端面に設けられたミラーコート部
、４６は前記導波路４１に設けられた波長変化用の変調
器、４２は前記光導波路４１の光を方向性結合器４９を
介して結合する第２のｙｔ、導波路、４４はこの光導波
路４２の一端に設（プられたミラーコート部、４５は同
じく他端に設けられ出力光を出ＯＡする無反射コート部
、４７は前記光導波路４２に設けられた波長変化用の変
調部、４８は出力変調器である。
す構成ブロック図で、光導波路を用いて二重外部共振器
型の可変波長光源を実現したものである。４は半導体レ
ーザＬＤ１の片端面に設けられたミラーコート面、４０
は光導波路で構成された外部杖ｉ！器、この外部共振器
４０において、４１は半導体レーずＬＤＩの出力光を集
光用レンズしＳ２を介して入射する第１の導波路、４３
はこの光導波路４１の端面に設けられたミラーコート部
、４６は前記導波路４１に設けられた波長変化用の変調
器、４２は前記光導波路４１の光を方向性結合器４９を
介して結合する第２のｙｔ、導波路、４４はこの光導波
路４２の一端に設（プられたミラーコート部、４５は同
じく他端に設けられ出力光を出ＯＡする無反射コート部
、４７は前記光導波路４２に設けられた波長変化用の変
調部、４８は出力変調器である。
上記の装置は第３図装置と同様の動作を行い、半導体レ
ーザＬＤ１のミラーコート部４と外部ｊｔ振１１４０の
ミラーコート面４３および４４との間には方向性結合器
４９を介して共振器が形成され、変調器４６および変調
器４７の少なくとも一方を駆動することにより、発振波
長を変化させることができる。
ーザＬＤ１のミラーコート部４と外部ｊｔ振１１４０の
ミラーコート面４３および４４との間には方向性結合器
４９を介して共振器が形成され、変調器４６および変調
器４７の少なくとも一方を駆動することにより、発振波
長を変化させることができる。
このような構成の可変波長光源によれば、光学系の構成
を簡単にできる。
を簡単にできる。
むお上記の実ｍ例において、第５図装置と同様の温度補
償を容易に行うことができる。
償を容易に行うことができる。
ｇｉｏ図は本発明に係る可変波１に光源の第８の実施例
を示す構成ブロック図である。第１図装置と異なるのは
。電気光学素子ＥＯＩとミラーＭ１の間の光路上に、複
屈折フィルタあるいは音響先学フィルタ等で構成され、
透過帯域を外部から制御可能な光学フィルタＯＦ１を設
けた点で、共振器のゲインが大となる前記透過帯域で発
振するように構成したものである。電気光学索子ＥＯ１
で制御できる波長の幅は余り人きくないが、光学フィル
タＯＦＩは帯域を大幅に制御することができるので、可
変波長範囲の広い可変波長光源を実現できる。
を示す構成ブロック図である。第１図装置と異なるのは
。電気光学素子ＥＯＩとミラーＭ１の間の光路上に、複
屈折フィルタあるいは音響先学フィルタ等で構成され、
透過帯域を外部から制御可能な光学フィルタＯＦ１を設
けた点で、共振器のゲインが大となる前記透過帯域で発
振するように構成したものである。電気光学索子ＥＯ１
で制御できる波長の幅は余り人きくないが、光学フィル
タＯＦＩは帯域を大幅に制御することができるので、可
変波長範囲の広い可変波長光源を実現できる。
第１１図は本発明に係る可変波長光源の第９の実施例を
示づ構成ブロック図で、第２図の集積形の可変波長光源
１０の片端面を無反射コートしたものと第１０図装置の
ＯＦｌ、Ｍｌと同様の光学フィルタＯＦ２．ミラーＭ５
を組合せて半集積形で可変波長範囲の広い可変波長光源
を構成したものである。
示づ構成ブロック図で、第２図の集積形の可変波長光源
１０の片端面を無反射コートしたものと第１０図装置の
ＯＦｌ、Ｍｌと同様の光学フィルタＯＦ２．ミラーＭ５
を組合せて半集積形で可変波長範囲の広い可変波長光源
を構成したものである。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、スペクトル幅の狭い
可変波長光源を簡単な構成で実現することができる。
可変波長光源を簡単な構成で実現することができる。
第１図は本発明に係る可変波長光源の一実施例を示す構
成ブロック図、第２図は本発明に係る可変波長光源の第
２の実施例を示す斜視図、第３図は本発明に係る可変波
長光源の第３の実施例を示す構成ブロック図、第４図は
第３図装置の一部の変形例を示す部分斜視図、第５図は
第４図装置を用いた本発明に係る可変波長光源の第４の
実施例を示す構成ブロック図、第６図は第３図装置の一
部の他の変形例を示す部分斜視図、第７図は第６図￥装
置を用いた本発明に係る可変波長光源の第５の実施例を
示す構成ブロック図、第８図は同じく第６の実施例を示
す構成ブロック図、第９図は本発明に係る可変波長光源
の第７の実施例を示丈構成ブロック図、第１０図は本発
明に係る可変波長光源の第８の実施例を示す構成ブロッ
ク図、第１１図は本発明に係る可変波長光源の第９の実
施例を示す構成ブロック図である。 ３・・・信号源、４，１４．１５．４３，４４．Ｍｌ、
Ｍ２．Ｍ５・・・ミラー、１０・・・可変波長光源、１
２・・・光増幅部、１３・・・導波路形体部共振器、ト
ＩＭ１・・・ハーフミラ−１２１，２２，３０，ＥＯＩ
。 ＥＯ２・・・電気光学素子、４６．４６・・・変調器、
ＬＤｌ・・・半導体レーザ。
成ブロック図、第２図は本発明に係る可変波長光源の第
２の実施例を示す斜視図、第３図は本発明に係る可変波
長光源の第３の実施例を示す構成ブロック図、第４図は
第３図装置の一部の変形例を示す部分斜視図、第５図は
第４図装置を用いた本発明に係る可変波長光源の第４の
実施例を示す構成ブロック図、第６図は第３図装置の一
部の他の変形例を示す部分斜視図、第７図は第６図￥装
置を用いた本発明に係る可変波長光源の第５の実施例を
示す構成ブロック図、第８図は同じく第６の実施例を示
す構成ブロック図、第９図は本発明に係る可変波長光源
の第７の実施例を示丈構成ブロック図、第１０図は本発
明に係る可変波長光源の第８の実施例を示す構成ブロッ
ク図、第１１図は本発明に係る可変波長光源の第９の実
施例を示す構成ブロック図である。 ３・・・信号源、４，１４．１５．４３，４４．Ｍｌ、
Ｍ２．Ｍ５・・・ミラー、１０・・・可変波長光源、１
２・・・光増幅部、１３・・・導波路形体部共振器、ト
ＩＭ１・・・ハーフミラ−１２１，２２，３０，ＥＯＩ
。 ＥＯ２・・・電気光学素子、４６．４６・・・変調器、
ＬＤｌ・・・半導体レーザ。
Claims (6)
- （１）レーザ共振器内の光路の屈折率を制御することに
より、発振波長を変化するように構成したことを特徴と
する可変波長光源。 - （２）レーザ共振器内の光路上に電気光学結晶を設け、
電気光学結晶の屈折率を電気的に制御することにより発
振波長を変化するように構成した特許請求の範囲第１項
記載の可変波長光源。 - （３）半導体基板上に光増幅部と導波路形外部共振部を
集積化してレーザ共振器を構成し、外部共振部の導波路
に電流注入を行って屈折率を制御することにより、発振
波長を変化するように構成した特許請求の範囲第１項記
載の可変波長光源。 - （４）レーザ共振器が複数の共振器と、少なくとも１つ
の前記共振器内の光路上に電気光学結晶を備え、電気光
学結晶の屈折率を電気的に制御することにより発振波長
を変化するように構成した特許請求の範囲第１項記載の
可変波長光源。 - （５）レーザ共振器が２つの共振器と、この各共振器内
の光路上に同一温度となるようにそれぞれ設けられた同
一長かつ同一温度特性の電気光学結晶とを備え、一方の
電気光学結晶の屈折率を電気的に制御することにより発
振波長を変化するように構成した特許請求の範囲第１項
記載の可変波長光源。 - （６）レーザ共振器が光導波路で構成された２つの共振
器と、少なくとも１つの前記光導波路に電気光学結晶を
備え、電気光学結晶の屈折率を電気的に制御することに
より発振波長を変化するように構成した特許請求の範囲
第１項記載の可変波長光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9911786A JPS62254478A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 可変波長光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9911786A JPS62254478A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 可変波長光源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62254478A true JPS62254478A (ja) | 1987-11-06 |
| JPH0528915B2 JPH0528915B2 (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=14238849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9911786A Granted JPS62254478A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 可変波長光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62254478A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0404308A2 (en) * | 1989-06-23 | 1990-12-27 | Kokusai Denshin Denwa Co., Ltd | Semiconductor laser light source device |
| JP2009033078A (ja) * | 2007-01-29 | 2009-02-12 | Optical Comb Inc | 波長走査型光源 |
| JP2012004514A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変レーザ光源 |
| JP2012142432A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632785A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light amplifier |
| JPS57124490A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | Coupler for semiconductor laser and optical fiber |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP9911786A patent/JPS62254478A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632785A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light amplifier |
| JPS57124490A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | Coupler for semiconductor laser and optical fiber |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0404308A2 (en) * | 1989-06-23 | 1990-12-27 | Kokusai Denshin Denwa Co., Ltd | Semiconductor laser light source device |
| JP2009033078A (ja) * | 2007-01-29 | 2009-02-12 | Optical Comb Inc | 波長走査型光源 |
| JP2012004514A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変レーザ光源 |
| JP2012142432A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0528915B2 (ja) | 1993-04-27 |
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