JP2003084251A - 光導波路素子 - Google Patents
光導波路素子Info
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- JP2003084251A JP2003084251A JP2001279397A JP2001279397A JP2003084251A JP 2003084251 A JP2003084251 A JP 2003084251A JP 2001279397 A JP2001279397 A JP 2001279397A JP 2001279397 A JP2001279397 A JP 2001279397A JP 2003084251 A JP2003084251 A JP 2003084251A
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- JP
- Japan
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- thin film
- film heater
- heater
- waveguide
- tantalum nitride
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 長時間通電加熱しても窒化タンタル薄膜ヒー
タの表面が酸化して抵抗値が劣化しない光導波路素子を
提供する。 【解決手段】 窒化タンタル薄膜ヒータ１４を有する石
英系ガラス光導波路素子において、上記窒化タンタル薄
膜ヒータ１４の下面および上面にＳｉ3 Ｎ4 からなる酸
化防止膜２０を形成する。
タの表面が酸化して抵抗値が劣化しない光導波路素子を
提供する。 【解決手段】 窒化タンタル薄膜ヒータ１４を有する石
英系ガラス光導波路素子において、上記窒化タンタル薄
膜ヒータ１４の下面および上面にＳｉ3 Ｎ4 からなる酸
化防止膜２０を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野で用い
られる石英系ガラス光導波路素子に係り、特に位相シフ
タとしての窒化タンタル薄膜ヒータを備えた光導波路素
子に関するものである。
られる石英系ガラス光導波路素子に係り、特に位相シフ
タとしての窒化タンタル薄膜ヒータを備えた光導波路素
子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、石英系ガラス光導波路により構成
される光干渉計を用いて、光減衰器、光分岐器、光スイ
ッチ等の機能部品が開発されている。
される光干渉計を用いて、光減衰器、光分岐器、光スイ
ッチ等の機能部品が開発されている。
【０００３】通常ガラス導波路型光干渉計に用いられる
位相シフタには、熱光学効果を利用するための薄膜ヒー
タが用いられている。図６に従来の光減衰器の上面図、
図７に図６の VII-VII線断面図を示す。
位相シフタには、熱光学効果を利用するための薄膜ヒー
タが用いられている。図６に従来の光減衰器の上面図、
図７に図６の VII-VII線断面図を示す。
【０００４】図６に示すように、光減衰器は、石英ガラ
ス基板５上に、入力導波路１ａおよび出力導波路１ｂ
と、これら入力導波路１ａおよび出力導波路１ｂの端部
にそれぞれ接続する２つののＹ分岐導波路２ａ，２ｂ
と、これらＹ分岐導波路２ａ，２ｂの一方の分岐した端
部同士と他方の分岐した端部同士を接続する長さの等し
い２本のアーム導波路３ａ，３ｂとからなる光導波路が
形成されており、図７に示すように、一方のアーム導波
路３ａ上に窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）薄膜ヒータ４が形
成され、さらにこの薄膜ヒータ４はＳｉＯ2保護膜６で
覆われている。
ス基板５上に、入力導波路１ａおよび出力導波路１ｂ
と、これら入力導波路１ａおよび出力導波路１ｂの端部
にそれぞれ接続する２つののＹ分岐導波路２ａ，２ｂ
と、これらＹ分岐導波路２ａ，２ｂの一方の分岐した端
部同士と他方の分岐した端部同士を接続する長さの等し
い２本のアーム導波路３ａ，３ｂとからなる光導波路が
形成されており、図７に示すように、一方のアーム導波
路３ａ上に窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）薄膜ヒータ４が形
成され、さらにこの薄膜ヒータ４はＳｉＯ2保護膜６で
覆われている。
【０００５】ＳｉＯ2 保護膜６は、大気中の水分など抵
抗を劣化させる要因の浸入を防ぐ役割を果たしている。
抗を劣化させる要因の浸入を防ぐ役割を果たしている。
【０００６】この光減衰器の薄膜ヒータ４に電力を供給
しないときは、入力導波路１ａから入射した信号光は、
Ｙ分岐導波路２ａで２本のアーム導波路３ａ，３ｂに等
分配される。等分配された光は、Ｙ分岐導波路２ｂで結
合し、出力導波路１ｂを通して入力信号光パワーがその
まま出射する。
しないときは、入力導波路１ａから入射した信号光は、
Ｙ分岐導波路２ａで２本のアーム導波路３ａ，３ｂに等
分配される。等分配された光は、Ｙ分岐導波路２ｂで結
合し、出力導波路１ｂを通して入力信号光パワーがその
まま出射する。
【０００７】これに対して、薄膜ヒータ４に電力を供給
して加熱すると、加熱されたアーム導波路３ａのコアの
屈折率が変化し、光の位相が変わる。位相が変化すると
Ｙ分岐導波路２ｂで結合する光の強度が変化する。すな
わち、この光強度は、薄膜ヒータ４に供給する電力を変
えることによってコントロールすることができる。
して加熱すると、加熱されたアーム導波路３ａのコアの
屈折率が変化し、光の位相が変わる。位相が変化すると
Ｙ分岐導波路２ｂで結合する光の強度が変化する。すな
わち、この光強度は、薄膜ヒータ４に供給する電力を変
えることによってコントロールすることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た窒化タンタル薄膜ヒータ４においては、ヒータ表面と
ＳｉＯ2 保護膜６との界面付近で、ＴａがＳｉよりも酸
化しやすいことに起因して、長時間の通電加熱時にＴａ
2 Ｎが酸化され、Ｔａ2 Ｏ5 に変化する現象が起こり、
薄膜ヒータ４の抵抗値が劣化（増加）するという問題が
あった。さらにこの抵抗値変化は光減衰量を変化させる
要因となった。
た窒化タンタル薄膜ヒータ４においては、ヒータ表面と
ＳｉＯ2 保護膜６との界面付近で、ＴａがＳｉよりも酸
化しやすいことに起因して、長時間の通電加熱時にＴａ
2 Ｎが酸化され、Ｔａ2 Ｏ5 に変化する現象が起こり、
薄膜ヒータ４の抵抗値が劣化（増加）するという問題が
あった。さらにこの抵抗値変化は光減衰量を変化させる
要因となった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、長時間通電加熱
しても窒化タンタル薄膜ヒータの表面が酸化して抵抗値
が劣化しない光導波路素子を提供することにある。
しても窒化タンタル薄膜ヒータの表面が酸化して抵抗値
が劣化しない光導波路素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、窒化タンタル薄膜ヒータを有する
石英系ガラス光導波路素子において、上記窒化タンタル
薄膜ヒータの下面および上面にＳｉ3 Ｎ4 からなる酸化
防止膜を形成したものである。
に請求項１の発明は、窒化タンタル薄膜ヒータを有する
石英系ガラス光導波路素子において、上記窒化タンタル
薄膜ヒータの下面および上面にＳｉ3 Ｎ4 からなる酸化
防止膜を形成したものである。
【００１１】請求項２の発明は、窒化タンタル薄膜ヒー
タを有する石英系ガラス光導波路素子において、上記窒
化タンタル薄膜ヒータの全面をＳｉ3 Ｎ4 からなる酸化
防止膜で被覆したものである。
タを有する石英系ガラス光導波路素子において、上記窒
化タンタル薄膜ヒータの全面をＳｉ3 Ｎ4 からなる酸化
防止膜で被覆したものである。
【００１２】上記請求項１の構成によれば、長時間通電
加熱しても、薄膜ヒータの表面に形成されたＳｉ3 Ｎ4
酸化防止膜によりＴａ2 Ｎの酸化が防止される。この薄
膜ヒータは抵抗変化が少ないので光減衰量が変化せず、
熱光学効果が安定した光干渉計を実現できる。
加熱しても、薄膜ヒータの表面に形成されたＳｉ3 Ｎ4
酸化防止膜によりＴａ2 Ｎの酸化が防止される。この薄
膜ヒータは抵抗変化が少ないので光減衰量が変化せず、
熱光学効果が安定した光干渉計を実現できる。
【００１３】上記請求項２の構成によれば、薄膜ヒータ
の横方向からの酸化も抑止される。
の横方向からの酸化も抑止される。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適一実施の形態
を添付図面に基づいて詳述する。
を添付図面に基づいて詳述する。
【００１５】図２は本発明にかかる光導波路素子である
光減衰器の上面図、図１は図２のＩ−Ｉ線断面図を示し
ている。
光減衰器の上面図、図１は図２のＩ−Ｉ線断面図を示し
ている。
【００１６】図２に示すように、この光減衰器は、石英
ガラス基板１５上に、コアとそのコアを覆うクラッドと
からなる光導波路が形成され、さらにそのコアの近傍
に、コアを加熱して波長シフトさせるための窒化タンタ
ル（Ｔａ2 Ｎ）材料膜で形成された薄膜ヒータが形成さ
れている。
ガラス基板１５上に、コアとそのコアを覆うクラッドと
からなる光導波路が形成され、さらにそのコアの近傍
に、コアを加熱して波長シフトさせるための窒化タンタ
ル（Ｔａ2 Ｎ）材料膜で形成された薄膜ヒータが形成さ
れている。
【００１７】光導波路は、入力導波路１１ａおよび出力
導波路１１ｂと、これら入力導波路１１ａおよび出力導
波路１１ｂの端部にそれぞれ接続する２つのＹ分岐導波
路１２ａ，１２ｂと、これらＹ分岐導波路１２ａ，１２
ｂの一方の分岐した端部同士及び他方の分岐した端部同
士を接続する長さの等しい２本のアーム導波路１３ａ，
１３ｂとで構成されており、上述した薄膜ヒータは、一
方のアーム導波路１３ａ上にコアとほぼ平行に形成され
ている。
導波路１１ｂと、これら入力導波路１１ａおよび出力導
波路１１ｂの端部にそれぞれ接続する２つのＹ分岐導波
路１２ａ，１２ｂと、これらＹ分岐導波路１２ａ，１２
ｂの一方の分岐した端部同士及び他方の分岐した端部同
士を接続する長さの等しい２本のアーム導波路１３ａ，
１３ｂとで構成されており、上述した薄膜ヒータは、一
方のアーム導波路１３ａ上にコアとほぼ平行に形成され
ている。
【００１８】そして、図１に示すように、この薄膜ヒー
タ１４は、上面と下面がＳｉ3Ｎ4で形成された酸化防止
膜２０ａ，２０ｄで被覆されており、さらにその上か
ら、大気中の水分など抵抗を劣化させる要因の浸入を防
ぐためのＳｉＯ2 保護膜１６で覆われている。
タ１４は、上面と下面がＳｉ3Ｎ4で形成された酸化防止
膜２０ａ，２０ｄで被覆されており、さらにその上か
ら、大気中の水分など抵抗を劣化させる要因の浸入を防
ぐためのＳｉＯ2 保護膜１６で覆われている。
【００１９】この光減衰器を製造するに際しては、ま
ず、光導波路が形成された石英ガラス基板１５の表面
に、プラズマＣＶＤ法により下側酸化防止膜２０ｄとし
てＳｉ3Ｎ4 薄膜を０．１μｍ堆積させ、続いて反応性
スパッタリング法によりＴａ2 Ｎヒータ膜１４を０．２
μｍ堆積させる。その後、再度プラズマＣＶＤ法により
上側酸化防止膜２０ｕとしてＳｉ3 Ｎ4 薄膜を０．１μ
ｍ形成する。
ず、光導波路が形成された石英ガラス基板１５の表面
に、プラズマＣＶＤ法により下側酸化防止膜２０ｄとし
てＳｉ3Ｎ4 薄膜を０．１μｍ堆積させ、続いて反応性
スパッタリング法によりＴａ2 Ｎヒータ膜１４を０．２
μｍ堆積させる。その後、再度プラズマＣＶＤ法により
上側酸化防止膜２０ｕとしてＳｉ3 Ｎ4 薄膜を０．１μ
ｍ形成する。
【００２０】ヒータ形状パターンは、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてパターニングしたレジストをマスク材と
して、ＳＦ6 ガスを用いた反応性イオンエッチングによ
り形成する。
ィ技術を用いてパターニングしたレジストをマスク材と
して、ＳＦ6 ガスを用いた反応性イオンエッチングによ
り形成する。
【００２１】最後にプラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2
保護膜１６を約２μｍ形成して、光減衰器が製造され
る。
保護膜１６を約２μｍ形成して、光減衰器が製造され
る。
【００２２】次に、作用を説明する。
【００２３】この光減衰器の薄膜ヒータ１４に電力を供
給しないときは、入力導波路１１ａから入射した信号光
は、入力側のＹ分岐導波路１２ａで２つのアーム導波路
１３ａ，１３ｂに等分配される。これら等分配された光
は、出力側のＹ分岐導波路１２ｂで結合し、出力導波路
１１ｂを通して入力信号光パワーがそのまま出射する。
給しないときは、入力導波路１１ａから入射した信号光
は、入力側のＹ分岐導波路１２ａで２つのアーム導波路
１３ａ，１３ｂに等分配される。これら等分配された光
は、出力側のＹ分岐導波路１２ｂで結合し、出力導波路
１１ｂを通して入力信号光パワーがそのまま出射する。
【００２４】これに対して、薄膜ヒータ１４に電力を供
給して加熱すると、加熱されたアーム導波路１３ａのコ
アの屈折率が変化し、光の位相が変わる。位相が変化す
ると出力側のＹ分岐導波路１２ｂで結合する光の強度が
変化する。これを利用し、薄膜ヒータ１４に供給する電
力を変えることによって、光強度をコントロールする。
給して加熱すると、加熱されたアーム導波路１３ａのコ
アの屈折率が変化し、光の位相が変わる。位相が変化す
ると出力側のＹ分岐導波路１２ｂで結合する光の強度が
変化する。これを利用し、薄膜ヒータ１４に供給する電
力を変えることによって、光強度をコントロールする。
【００２５】また、長時間通電加熱した際には、薄膜ヒ
ータ１４の表面に形成されたＳｉ3Ｎ4 酸化防止膜によ
りＴａ2 Ｎの酸化が防止されるため、薄膜ヒータ１４の
抵抗変化が少なく、光減衰量が変化しない。これによ
り、熱光学効果が安定した光干渉計を実現できる。
ータ１４の表面に形成されたＳｉ3Ｎ4 酸化防止膜によ
りＴａ2 Ｎの酸化が防止されるため、薄膜ヒータ１４の
抵抗変化が少なく、光減衰量が変化しない。これによ
り、熱光学効果が安定した光干渉計を実現できる。
【００２６】以上説明したように、本発明により抵抗変
動や断線等を防ぐことが可能となるので、薄膜ヒータ１
４の長寿命化を図ることができる。
動や断線等を防ぐことが可能となるので、薄膜ヒータ１
４の長寿命化を図ることができる。
【００２７】次に、本発明の他の実施の形態について述
べる。
べる。
【００２８】図４に他の光減衰器の断面図を示す。
【００２９】図４に示すように、この光減衰器は、図
１、図２に示した光減衰器と同様に、石英ガラス基板２
５上に、コアとそのコアを覆うクラッドとからなる光導
波路が形成され、さらに一方のコアの近傍に、コアを加
熱して波長シフトさせるための窒化タンタル（Ｔａ2
Ｎ）材料膜で形成された薄膜ヒータ２４が形成されてい
る。
１、図２に示した光減衰器と同様に、石英ガラス基板２
５上に、コアとそのコアを覆うクラッドとからなる光導
波路が形成され、さらに一方のコアの近傍に、コアを加
熱して波長シフトさせるための窒化タンタル（Ｔａ2
Ｎ）材料膜で形成された薄膜ヒータ２４が形成されてい
る。
【００３０】この光減衰器にあっては、薄膜ヒータ２４
の全面がＳｉ3 Ｎ4 で形成された酸化防止膜３０で被覆
されており、さらにその上から、大気中の水分など抵抗
を劣化させる要因の浸入を防ぐためのＳｉＯ2 保護膜２
６で覆われている。
の全面がＳｉ3 Ｎ4 で形成された酸化防止膜３０で被覆
されており、さらにその上から、大気中の水分など抵抗
を劣化させる要因の浸入を防ぐためのＳｉＯ2 保護膜２
６で覆われている。
【００３１】この光減衰器を製造するに際しては、先
ず、光導波路が形成された石英ガラス基板２５の表面
に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ3 Ｎ4 薄膜を０．１μ
堆積させ、続いて反応性スパッタリング法によりＴａ2
Ｎヒータ膜２４を０．２μｍ堆積させる。その後、フォ
トリソグラフィ技術を用いてレジスト材でヒータパター
ンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてＳＦ
6 ガスを用いた反応性イオンエッチングにより薄膜ヒー
タ２４を形成する。
ず、光導波路が形成された石英ガラス基板２５の表面
に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ3 Ｎ4 薄膜を０．１μ
堆積させ、続いて反応性スパッタリング法によりＴａ2
Ｎヒータ膜２４を０．２μｍ堆積させる。その後、フォ
トリソグラフィ技術を用いてレジスト材でヒータパター
ンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてＳＦ
6 ガスを用いた反応性イオンエッチングにより薄膜ヒー
タ２４を形成する。
【００３２】そして、再度プラズマＣＶＤ法により薄膜
ヒータ２４の側面と上面にＳｉ3 Ｎ 4 薄膜を０．１μｍ
形成し、ヒータ全面を酸化防止膜３０で被覆する。
ヒータ２４の側面と上面にＳｉ3 Ｎ 4 薄膜を０．１μｍ
形成し、ヒータ全面を酸化防止膜３０で被覆する。
【００３３】このＳｉ3 Ｎ4 薄膜は、フォトリソグラフ
ィ技術と反応性イオンエッチングにより、ヒータ付近以
外の部分を除く。
ィ技術と反応性イオンエッチングにより、ヒータ付近以
外の部分を除く。
【００３４】最後に、図１、図２に示した実施の形態と
同様、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2 保護膜２６を
約２μｍ形成して、光減衰器が製造される。
同様、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2 保護膜２６を
約２μｍ形成して、光減衰器が製造される。
【００３５】このようにして製造された光減衰器は、長
時間通電加熱した際に、Ｓｉ3 Ｎ4酸化防止膜３０によ
り、薄膜ヒータ２４の下面と上面だけでなく側面も酸化
が防止されるため、さらに薄膜ヒータ２４の抵抗変化が
少なくなり、光減衰量の変化もより小さくできる。
時間通電加熱した際に、Ｓｉ3 Ｎ4酸化防止膜３０によ
り、薄膜ヒータ２４の下面と上面だけでなく側面も酸化
が防止されるため、さらに薄膜ヒータ２４の抵抗変化が
少なくなり、光減衰量の変化もより小さくできる。
【００３６】次に、酸化防止膜による抵抗率変化の低減
効果について説明する。
効果について説明する。
【００３７】実験に際しては、Ｓｉ3 Ｎ4 薄膜が無い薄
膜ヒータ、下面および上面にＳｉ3Ｎ4 膜が有る薄膜ヒ
ータ、全面にＳｉ3 Ｎ4 膜が有る薄膜ヒータのそれぞれ
に１Ｗの電力を供給し、５００時間の通電を行って薄膜
ヒータの抵抗率変化を測定した。
膜ヒータ、下面および上面にＳｉ3Ｎ4 膜が有る薄膜ヒ
ータ、全面にＳｉ3 Ｎ4 膜が有る薄膜ヒータのそれぞれ
に１Ｗの電力を供給し、５００時間の通電を行って薄膜
ヒータの抵抗率変化を測定した。
【００３８】その結果を図３、図５に示す。
【００３９】図３、図５中、横軸は通電時間（時間）、
縦軸は抵抗変化率（％）を示している。また、図３の
（１）はＳｉ3 Ｎ4 薄膜が無い薄膜ヒータの抵抗率変化
を示しており、（２）は薄膜ヒータの下面および上面に
Ｓｉ3 Ｎ4 膜が有る薄膜ヒータの抵抗率変化を示してい
る。
縦軸は抵抗変化率（％）を示している。また、図３の
（１）はＳｉ3 Ｎ4 薄膜が無い薄膜ヒータの抵抗率変化
を示しており、（２）は薄膜ヒータの下面および上面に
Ｓｉ3 Ｎ4 膜が有る薄膜ヒータの抵抗率変化を示してい
る。
【００４０】図３に示すように、酸化防止膜が無い場合
の５００時間後の抵抗変化率は約１０％であったのに対
して、下面および上面に酸化防止膜が形成された場合の
抵抗変化率は５％程度であった。
の５００時間後の抵抗変化率は約１０％であったのに対
して、下面および上面に酸化防止膜が形成された場合の
抵抗変化率は５％程度であった。
【００４１】この結果から、薄膜ヒータの下面および上
面にＳｉ3Ｎ4薄膜を形成することにより、抵抗の変化率
を約半分に低減できることが分かる。
面にＳｉ3Ｎ4薄膜を形成することにより、抵抗の変化率
を約半分に低減できることが分かる。
【００４２】さらに、図５に、（１）下面および上面に
Ｓｉ3 Ｎ4 膜が有る薄膜ヒータの抵抗率変化と、（２）
全面にＳｉ3 Ｎ4 膜が有る薄膜ヒータの抵抗率変化を示
す。
Ｓｉ3 Ｎ4 膜が有る薄膜ヒータの抵抗率変化と、（２）
全面にＳｉ3 Ｎ4 膜が有る薄膜ヒータの抵抗率変化を示
す。
【００４３】図５に示すように、下面と上面に酸化防止
膜が形成された場合の５００時間後の抵抗変化率は、上
述したように５％程度であったのに対して、全面に酸化
防止膜が形成された場合の抵抗変化率は３．５％程度で
あった。
膜が形成された場合の５００時間後の抵抗変化率は、上
述したように５％程度であったのに対して、全面に酸化
防止膜が形成された場合の抵抗変化率は３．５％程度で
あった。
【００４４】この結果から、薄膜ヒータの下面および上
面だけでなく、全面にＳｉ3Ｎ4薄膜を形成することによ
り、さらに抵抗変化率を小さくできることが分かる。
面だけでなく、全面にＳｉ3Ｎ4薄膜を形成することによ
り、さらに抵抗変化率を小さくできることが分かる。
【００４５】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、Ｔａ2 Ｎ
薄膜ヒータの酸化を防止することができるため、抵抗変
動や断線等を防ぐことが可能となる。すなわち、薄膜ヒ
ータの長寿命化を図ることができる。
薄膜ヒータの酸化を防止することができるため、抵抗変
動や断線等を防ぐことが可能となる。すなわち、薄膜ヒ
ータの長寿命化を図ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す光減衰器の断面図
である。
である。
【図２】図１の光減衰器の上面図である。
【図３】図１の光減衰器の通電時間に対する抵抗変化率
の変化を示す図である。
の変化を示す図である。
【図４】本発明の他の実施の形態を示す光減衰器の断面
図である。
図である。
【図５】図４の光減衰器の通電時間に対する抵抗変化率
の変化を示す図である。
の変化を示す図である。
【図６】従来の光減衰器の上面図である。
【図７】図６の VII-VII線断面図である。
１３ａ，１３ｂ アーム導波路（光導波路）
１４ 薄膜ヒータ
１５ 石英ガラス基板
１６ 保護膜
２０ 酸化防止膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田中 康太郎
茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立
電線株式会社オプトロシステム研究所内
Ｆターム(参考） 2H047 KA04 KA11 LA12 NA01 QA07
RA08 TA00
2H079 AA06 AA12 BA01 BA03 DA17
DA23 EA05 EA34 EB27
Claims (2)
- 【請求項１】 窒化タンタル薄膜ヒータを有する石英系
ガラス光導波路素子において、上記窒化タンタル薄膜ヒ
ータの下面および上面にＳｉ3 Ｎ4 からなる酸化防止膜
を形成したことを特徴とする光導波路素子。 - 【請求項２】 窒化タンタル薄膜ヒータを有する石英系
ガラス光導波路素子において、上記窒化タンタル薄膜ヒ
ータの全面をＳｉ3 Ｎ4 からなる酸化防止膜で被覆した
ことを特徴とする光導波路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001279397A JP2003084251A (ja) | 2001-09-14 | 2001-09-14 | 光導波路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001279397A JP2003084251A (ja) | 2001-09-14 | 2001-09-14 | 光導波路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003084251A true JP2003084251A (ja) | 2003-03-19 |
Family
ID=19103594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001279397A Pending JP2003084251A (ja) | 2001-09-14 | 2001-09-14 | 光導波路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003084251A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016054168A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
-
2001
- 2001-09-14 JP JP2001279397A patent/JP2003084251A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016054168A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
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