JP4998238B2 - 集積型半導体光素子 - Google Patents
集積型半導体光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4998238B2 JP4998238B2 JP2007316950A JP2007316950A JP4998238B2 JP 4998238 B2 JP4998238 B2 JP 4998238B2 JP 2007316950 A JP2007316950 A JP 2007316950A JP 2007316950 A JP2007316950 A JP 2007316950A JP 4998238 B2 JP4998238 B2 JP 4998238B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ingaas contact
- contact layer
- type
- layer
- semiconductor optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 37
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
本発明は、バットジョイント接合された第１及び第２の半導体光素子がＩｎＰ基板上に集積され、第１及び第２の半導体光素子はＢｅがドープされたＩｎＧａＡｓコンタクト層を有する集積型半導体光素子に関し、特に良好な表面モホロジーを保ちつつ、コンタクト抵抗を低減することができる集積型半導体光素子に関するものである。
ＩｎＰ基板上に形成されたIII−Ｖ族化合物半導体において、ｐ型のドーパントとしてベリリウム（Ｂｅ）が使用される。Ｂｅは、一般的にｐ型ドーパントとして使用される亜鉛（Ｚｎ）に比べて拡散長が短い。従って、Ｂｅを電界吸収型（ＥＡ）光変調器のｐ型ドーパントとして使用すると、吸収層へ拡散されるドーパントの濃度を低減することができる。これにより、吸収層の電界が均一化して、消光特性が向上する（例えば、非特許文献１参照）。
Y. Miyazaki et.al, Journal of Applied Physics, vol.93, no.7, pp.3823-3826 (2003)
しかし、Ｂｅを高濃度にドープすると、結晶の表面モホロジーが悪化する。特に、ＥＡ変調器集積型レーザのような集積型半導体光素子では、２つの半導体光素子がバットジョイント（butt joint、突き合わせ）結合され、このバットジョイント結合の近傍では表面が平坦でない。このため、上記のＢｅドープによる表面モホロジーの悪化が顕著になる。
また、ｎ型ＩｎＰ基板上に形成された半導体レーザやＥＡ変調器は、ｐ側の最表面層としてＩｎＧａＡｓコンタクト層を有する。そして、ｐ側電極とのコンタクト抵抗を低減させるために、コンタクト層をｐ型に高濃度ドーピングしている。しかし、バットジョイント接合された集積型素子では、ｐ型ドーパントとしてＢｅを使用する場合、上記の表面モホロジーの悪化により、コンタクト層のドーピング濃度を高くすることができない。これにより、コンタクト抵抗が増加するため、動作電圧、消費電力、変調速度等の特性が悪化してしまうという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、良好な表面モホロジーを保ちつつ、コンタクト抵抗を低減することができる集積型半導体光素子を得るものである。
本発明に係る集積型半導体光素子は、バットジョイント接合された第１及び第２の半導体光素子がＩｎＰ基板上に集積され、前記第１及び第２の半導体光素子は、Ｂｅがドープされた複数のＩｎＧａＡｓコンタクト層を有し、前記複数のＩｎＧａＡｓコンタクト層はそれぞれＢｅドーピング濃度が異なり、前記複数のＩｎＧａＡｓコンタクト層のうち最表面にある層は、Ｂｅドーピング濃度が７×１０ １８ ｃｍ −３ 以上、厚みが２５０ｎｍ以下である。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
本発明により、良好な表面モホロジーを保ちつつ、コンタクト抵抗を低減することができる。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る集積型半導体光素子の光導波路方向の断面図である。この集積型半導体光素子は、分布帰還型（ＤＦＢ）の半導体レーザ１（第１の半導体光素子）と電界吸収型（ＥＡ）の光変調器２（第２の半導体光素子）が、同一のｎ型ＩｎＰ基板３（ＩｎＰ基板）上にモノリシックに集積された光変調器集積半導体レーザである。半導体レーザ１と光変調器２は、アイソレーション部４により電気的分離されている。半導体レーザ１と光変調器２により、レーザ光を生成し、出射するための光導波路が構成されている。
図１は、本発明の実施の形態１に係る集積型半導体光素子の光導波路方向の断面図である。この集積型半導体光素子は、分布帰還型（ＤＦＢ）の半導体レーザ１（第１の半導体光素子）と電界吸収型（ＥＡ）の光変調器２（第２の半導体光素子）が、同一のｎ型ＩｎＰ基板３（ＩｎＰ基板）上にモノリシックに集積された光変調器集積半導体レーザである。半導体レーザ１と光変調器２は、アイソレーション部４により電気的分離されている。半導体レーザ１と光変調器２により、レーザ光を生成し、出射するための光導波路が構成されている。
ｎ型ＩｎＰ基板３上にｎ型ＩｎＰクラッド層５が形成されている。その上に、半導体レーザ１として、ノンドープＩｎＧａＡｓＰの分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）層６、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸で構成される活性層７、ノンドープＩｎＧａＡｓＰのＳＣＨ層８が積層されている。一方、光変調器２として、ノンドープＩｎＧａＡｓのＳＣＨ層９、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸で構成される吸収層１０、ノンドープＩｎＧａＡｓのＳＣＨ層１１が積層されている。ＳＣＨ層８には周期的エッチングにより回折格子１２が形成されている。半導体レーザ１のＳＣＨ層６，８及び活性層７と光変調器２のＳＣＨ層９，１１及び活性層１０はバットジョイント接合されている。
半導体レーザ１のＳＣＨ層８及び光変調器２のＳＣＨ層１１上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１３が形成され、その上に、Ｂｅがドープされたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４が形成されている。即ち、半導体レーザ１及び光変調器２は、最表面層としてｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４を有する。このｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４はアイソレーション部４において除去されている。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４上に、半導体レーザ１のｐ型電極１５と光変調器２のｐ型電極１６がそれぞれ形成されている。ｎ型ＩｎＰ基板３の下面にｎ型電極１７が形成されている。
本実施の形態は、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４は、Ｂｅドーピング濃度が７×１０１８ｃｍ−３以上、厚みｄが３００ｎｍより薄いことを特徴とする。この構成による効果について以下に詳細に説明する。
図２は、ＩｎＰ基板上にＢｅドープのｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層を形成し、その上にｐ型電極であるＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを形成した場合のコンタクト抵抗率の測定結果である。横軸はＩｎＧａＡｓコンタクト層のＢｅドーピング濃度であり、縦軸はコンタクト抵抗率である。Ｂｅドーピング濃度の増加に伴いコンタクト抵抗率が下がることが分かる。
よって、上記のようにｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４のＢｅドーピング濃度を７×１０１８ｃｍ−３以上にすることで、コンタクト抵抗率を十分に下げることができるため、高速変調、低消費電力・低発熱の光変調器集積半導体レーザを実現することができる。
また、バットジョイント接合された半導体レーザと光変調器を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により成長した後に表面状態を測定した。ＩｎＧａＡｓコンタクト層のＢｅドーピング濃度を５×１０１８ｃｍ−３、厚みを１０００ｎｍとした場合、数点のモホロジー荒れがあるもののほぼ良好な表面モホロジーとなっていた。一方、厚みを同じにしてＢｅドーピング濃度を１×１０１９ｃｍ−３に上げた場合、バットジョイント結合の近傍で表面モホロジーが悪化していた。このようにＩｎＧａＡｓコンタクト層のＢｅドーピング濃度が高いほど表面モホロジーが悪化する。
しかし、前述のようにコンタクト抵抗率を下げるため、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４のＢｅドーピング濃度を７×１０１８ｃｍ−３以上にする必要がある。そこで、ＩｎＧａＡｓコンタクト層のＢｅドーピング濃度を１×１０１９ｃｍ−３と高くし、厚みを２５０ｎｍ，１００ｎｍと薄くしたところ、両者ともに良好な表面モホロジーが得られた。
よって、上記のようにｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４のＢｅドーピング濃度を７×１０１８ｃｍ−３以上にしても、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４の厚みを３００ｎｍより薄くすることで、良好な表面モホロジーを得ることができる。
実施の形態２．
図３は、本発明の実施の形態２に係る集積型半導体光素子の光導波路方向の断面図である。実施の形態１と異なる構成についてのみ説明する。
図３は、本発明の実施の形態２に係る集積型半導体光素子の光導波路方向の断面図である。実施の形態１と異なる構成についてのみ説明する。
ｐ型ＩｎＰクラッド層１３上に、Ｂｅがドープされたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１８とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１９が積層されている。即ち、半導体レーザ１及び光変調器２は、最表面層としてｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１８，１９を有する。このｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１８とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１９はそれぞれＢｅドーピング濃度が異なる。そして、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１８，１９のうち最表面にあるｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１９は、Ｂｅドーピング濃度が７×１０１８ｃｍ−３以上、厚みが３００ｎｍより薄い。また、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１８は、Ｂｅドーピング濃度が５×１０１８ｃｍ−３で、厚みは４００ｎｍである。これにより、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１８の厚みを２００ｎｍにしても実施の形態１と同様の効果を得ることができた。
また、ＩｎＧａＡｓコンタクト層全体の厚み、即ちｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１８とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１９の厚みの合計を、実施の形態１のようにｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４だけの時よりも厚くすることができる。これにより、素子の構造設計の自由度を向上することができる。例えば、ＩｎＧａＡｓはＩｎＰに比べ金属の拡散が小さいため、電極金属が活性層まで沈み込み素子が劣化するのを阻止する役割があるが、ＩｎＧａＡｓコンタクト層を厚くすることでその効果をより顕著にすることができる。また、本実施の形態では、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１８のＢｅドーピング濃度をｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１９のＢｅドーピング濃度より低くしたが、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１８のＢｅドーピング濃度をｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１９のＢｅドーピング濃度より高くしてもよい。こうすることによって、表面モホロジーの悪化を防ぎつつ、ＩｎＰクラッド層との間の抵抗を下げることができる。
なお、本実施の形態では、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層が２層の場合について説明したが、これに限らず、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層をＢｅドーピング濃度が異なる３層以上の積層構造としてもよい。
１ 半導体レーザ（第１の半導体光素子）
２ 光変調器（第２の半導体光素子）
３ ｎ型ＩｎＰ基板（ＩｎＰ基板）
１４，１８，１９ ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ＩｎＧａＡｓコンタクト層）
２ 光変調器（第２の半導体光素子）
３ ｎ型ＩｎＰ基板（ＩｎＰ基板）
１４，１８，１９ ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ＩｎＧａＡｓコンタクト層）
Claims (1)
- バットジョイント接合された第１及び第２の半導体光素子がＩｎＰ基板上に集積され、
前記第１及び第２の半導体光素子は、Ｂｅがドープされた複数のＩｎＧａＡｓコンタクト層を有し、
前記複数のＩｎＧａＡｓコンタクト層はそれぞれＢｅドーピング濃度が異なり、
前記複数のＩｎＧａＡｓコンタクト層のうち最表面にある層は、Ｂｅドーピング濃度が７×１０１８ｃｍ−３以上、厚みが２５０ｎｍ以下であることを特徴とする集積型半導体光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007316950A JP4998238B2 (ja) | 2007-12-07 | 2007-12-07 | 集積型半導体光素子 |
| US12/099,205 US7876799B2 (en) | 2007-12-07 | 2008-04-08 | Integrated semiconductor optical device |
| CN2008102111713A CN101453100B (zh) | 2007-12-07 | 2008-09-01 | 集成型半导体光元件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007316950A JP4998238B2 (ja) | 2007-12-07 | 2007-12-07 | 集積型半導体光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009141188A JP2009141188A (ja) | 2009-06-25 |
| JP4998238B2 true JP4998238B2 (ja) | 2012-08-15 |
Family
ID=40735176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007316950A Expired - Fee Related JP4998238B2 (ja) | 2007-12-07 | 2007-12-07 | 集積型半導体光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7876799B2 (ja) |
| JP (1) | JP4998238B2 (ja) |
| CN (1) | CN101453100B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5742344B2 (ja) | 2011-03-20 | 2015-07-01 | 富士通株式会社 | 受光素子、光受信器及び光受信モジュール |
| US9304335B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-04-05 | Globalfoundries Inc. | Integrated LDMOS devices for silicon photonics |
| US10923879B2 (en) * | 2016-11-17 | 2021-02-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method for fabricating an elctro-absorption modulated laser and electro-absorption modulated laser |
| US10862268B2 (en) * | 2017-04-04 | 2020-12-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| CN111418120B (zh) * | 2017-12-04 | 2022-10-21 | 三菱电机株式会社 | 电场吸收型调制器、光半导体装置及光模块 |
| US11616093B2 (en) * | 2017-12-28 | 2023-03-28 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light receiving element and electronic apparatus |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219790A (ja) * | 1982-06-14 | 1983-12-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JPH057053A (ja) | 1991-01-08 | 1993-01-14 | Nec Corp | 歪量子井戸レーザの製造方法 |
| JPH0738204A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光デバイス及びその製造方法 |
| JP3665911B2 (ja) * | 1994-08-05 | 2005-06-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子の製造方法，及び半導体光素子 |
| US5946336A (en) * | 1996-01-11 | 1999-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor apparatus, fabrication method thereof, modulation method therefor, light source apparatus and optical communication system or method using the same |
| JP3044604B2 (ja) | 1997-02-03 | 2000-05-22 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
| JP4105403B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2008-06-25 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体光集積素子の製造方法 |
| JP2003060311A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光素子及びその製造方法 |
| JP3654435B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2005-06-02 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子及びその製造方法 |
| JP4014861B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2007-11-28 | 古河電気工業株式会社 | 化合物半導体デバイス及びその作製方法 |
| US7573928B1 (en) * | 2003-09-05 | 2009-08-11 | Santur Corporation | Semiconductor distributed feedback (DFB) laser array with integrated attenuator |
| US7368062B2 (en) | 2004-09-17 | 2008-05-06 | Avago Technologies Fiber Ip Pte Ltd | Method and apparatus for a low parasitic capacitance butt-joined passive waveguide connected to an active structure |
-
2007
- 2007-12-07 JP JP2007316950A patent/JP4998238B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-08 US US12/099,205 patent/US7876799B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-01 CN CN2008102111713A patent/CN101453100B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7876799B2 (en) | 2011-01-25 |
| US20090166807A1 (en) | 2009-07-02 |
| CN101453100A (zh) | 2009-06-10 |
| CN101453100B (zh) | 2010-11-17 |
| JP2009141188A (ja) | 2009-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5451332B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2010157691A5 (ja) | ||
| JP4998238B2 (ja) | 集積型半導体光素子 | |
| JP2009059918A (ja) | 光半導体デバイス | |
| JP2016031970A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP5170869B2 (ja) | 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法 | |
| JP2006261340A (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| US11462886B2 (en) | Buried-type semiconductor optical device | |
| JP4641230B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2008211142A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2009260093A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP5062732B2 (ja) | 半導体変調器 | |
| JP2008198942A (ja) | 半導体光素子 | |
| JP5206368B2 (ja) | 光半導体素子 | |
| JP2018006590A (ja) | 光半導体素子 | |
| JP4983791B2 (ja) | 光半導体素子 | |
| JP5310271B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP6487236B2 (ja) | 半導体光素子、及びその製造方法 | |
| JP2007103581A (ja) | 埋込型半導体レーザ | |
| JP2012009674A (ja) | 半導体素子 | |
| JP6200158B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2010093156A (ja) | 半導体光素子 | |
| US8654430B2 (en) | Electro-absorption modulator and optical semiconductor device | |
| JP2005260109A (ja) | 光半導体素子 | |
| JP3295932B2 (ja) | 半導体レーザ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101015 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120221 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120323 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120417 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120430 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150525 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |