JP6279754B2 - パッケージングされたダイ用のセラミック上アンテナ - Google Patents

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Description

本開示は、無線チップパッケージングの分野に関し、特に、パッケージ内のチップへの接続のためにアンテナをセラミックと組み合わせることに関する。
半導体及び微小機械のダイ又はチップはよく、外部環境に対する保護のためにパッケージングされる。パッケージは、物理的な保護、安定性、外部接続を提供し、そして一部の場合において、パッケージの内部のダイに対する冷却を提供する。典型的に、ダイが基板に取り付けられ、その後、基板に付着するカバーが、ダイを覆って配置される。他の例では、ダイがカバーに取り付けられ、その後、パッケージ基板がダイ上に形成される。より多くの装置が無線接続性を提供するように設計されるにつれ、パッケージは、パッケージ内部にある１つ以上のチップにアンテナを接続することを可能にするように適応されている。外部アンテナ接続は、組立ての複雑さ及び装置を製造するコストを増大させる。
アンテナは典型的に、装置のシステムボード上、又は接続されたＰＣＢ（印刷回路基板）上に形成される。チップパッケージへの接続がＰＣＢを介して為される。これは、チップに届くのにＰＣＢ及びパッケージ基板を介する長くて複雑な接続である。インピーダンスを制御することが難しく、境界での反射が存在する。ＰＣＢ上のアンテナは高価ではないが、アンテナの品質が制限される。一部の場合には、別個の外部アンテナが使用されるが、これは、製造及びパッケージングするのがいっそう高価であるとともに、よりいっそう複雑な接続経路を有し得る。
無線装置のサイズが縮小されるにつれ、ＲＦ（無線周波数）パッケージが、デジタル・ベースバンドパッケージに対して、ますます近くに配置されている。デジタル・ベースバンドパッケージは典型的に、ＲＦシステムの動作を妨害したり損ねたりし得るノイズや干渉を発生する。ＲＦパッケージ及びアンテナは典型的に、互いの動作及びデジタル・ベースバンドパッケージの動作を妨害し得るノイズ及び干渉を発生する。結果として、コンポーネント同士が離間され、パッケージの内部のチップを覆う金属ケースによって遮蔽される。一部の場合には、パッケージは、デジタル回路又はＲＦコンポーネントそれぞれからの干渉を回避するために、内部遮蔽を含むことがある。これは、装置のサイズ及び複雑さを更に増大させてしまう。
同様の要素を似通った参照符号で参照する添付図面の図にて、本発明の実施形態を、限定としてではなく、例として示す。
本発明の一実施形態に従った、セラミック基板上アンテナを有するｅＷＬＢパッケージの側断面図である。 本発明の一実施形態に従った、セラミック基板をダイに取り付けた他のｅＷＬＢパッケージの側断面図である。 本発明の一実施形態に従った、セラミック基板から前面ＲＤＬに向けられたビアを有するｅＷＬＢパッケージの側断面図である。 本発明の一実施形態に従った、セラミック基板内に埋込アンテナを有するｅＷＬＢパッケージの側断面図である。 本発明の一実施形態に従った、ｅＷＬＢパッケージ上に積層されたセラミック基板上アンテナの側断面図である。 本発明の一実施形態に従った、ｅＷＬＢパッケージ上に積層された他のセラミック基板上アンテナの側断面図である。 本発明の一実施形態に従った、ｅＷＬＢパッケージ上に積層された別の他のセラミック基板上アンテナの側断面図である。 本発明の一実施形態に従った、セラミック基板上に内蔵アンテナを有するｅＷＬＢパッケージを形成するためのプロセスフロー図である。 本発明の一実施形態に従った、セラミック基板上に内蔵アンテナを有するフリップチップパッケージを形成するためのプロセスフロー図である。 一実施形態に従ったセラミック基板上アンテナを有するパッケージを組み込むコンピューティング装置のブロック図である。
パッケージへのアンテナのインテグレーションは、低減されたコスト及びより単純な装置アセンブリを可能にする。例えばモバイルフォンなどのシステムでは、パッケージは、アンテナと、該アンテナに接続されたＲＦチップとを含み得る。パッケージはまた、例えば更なるチップ、受動部品、再配線層、及び遮蔽などの、その他のコンポーネントを含み得る。チップは、パッケージを介してモバイルフォンのシステムボードに接続されることができ、そしてそれにより、その他のコンポーネントに接続されることができる。一体化されたアンテナは、アンテナをチップに接続することをいっそう容易にする。これは、アンテナ及びその接続に関するいっそう容易なインピーダンス整合を可能にする。これは、より小型のフォームファクタ、より高いアンテナ品質係数、より高いアンテナ効率、及び向上されたアンテナ感度を示す。
ここに記載されるように、アンテナは、セラミックの上又は中に構築されて、パッケージの中に、又はパッケージ・オン・パッケージ構成で、インテグレートされることができる。パッケージ内の能動チップが、同じパッケージ内にインテグレートされた遮蔽によって、アンテナによって放射されるＲＦから保護され得る。セラミック基板上のこのパッケージ内アンテナは、数ある中でもとりわけ、ｅＷＬＢ（embedded Wafer Level Ball Grid Array；埋込ウエハレベルボールグリッドアレイ）及びフリップチップ・イン・パッケージを含む、多様な異なる種類のパッケージにインテグレートされることができる。
多くの場合において、アンテナをその共鳴周波数で使用することが有利である。共鳴するアンテナの最小可能寸法は１／４波長程度である。モバイルフォンに使用される典型的な周波数において、この寸法は、アンテナに典型的に接続される種類のチップの多くのパッケージよりも大きい。故に、アンテナは、パッケージがもっと大きくされる（これはパッケージのコストを上昇させる）のでない限り、パッケージの中又は上に収まらないことになる。例えば、ウエハレベルパッケージのコストは、パッケージのサイズに直接関係して上昇する。
アンテナのサイズは、それをセラミック基板上に形成することによって縮小することができる。高い誘電率を持つセラミック材料が利用可能である。アンテナの共鳴周波数は、誘電率の平方根の逆数に関係付けられるので、高い誘電率は、アンテナのサイズを縮小することを可能にする。例えば、クラス１のセラミックキャパシタに使用されているセラミック材料は、２００に至る誘電率と０．００５より低い誘電正接とを有する。標準的なＦＲ４材料で製造されるＰＣＢの場合、誘電率は約４．２であり、誘電正接は約０．０２である。
多様な異なるセラミック材料が、アンテナ用のセラミック基板として使用され得る。特に一般的なセラミックは、９の誘電率と０．０００１の誘電正接とを持つアルミニウム（ＩＩＩ）酸化物（Ａｌ２Ｏ３）である。低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）も使用されることができる。これらは、より低い温度での焼結を可能にする幾らかのガラスを有したアルミニウム（ＩＩＩ）酸化物の形態を取り得る。ＬＴＣＣは、約５−１６の誘電率と約０．０００５−０．００３５の誘電正接とを有し得る。
また、キャパシタ用に開発された、使用され得る多様なセラミックが存在する。クラス１及びクラス２のキャパシタセラミックはどちらも使用され得る。クラス１材料は、数ある中でもとりわけ、ＭｇＮｂ２Ｏ６、ＺｎＮｂ２Ｏ６、ＭｇＴａ２Ｏ６、ＺｎＴａ２Ｏ６、（ＺｎＭｇ）ＴｉＯ３、（ＺｒＳｎ）ＴｉＯ４、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０を含み得る。クラス２材料は、例えばケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及び酸化アルミニウムなどの１つ以上の添加物を含むチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）に基づいた強誘電材料を含む。
セラミック上に形成される小型化されたアンテナは、典型的な大きさのパッケージにインテグレートされることができる。結果として、パッケージ内のチップとアンテナとの間の接続が、ＰＣＢ上の別個のアンテナの場合よりも遥かに短い。これは、全体的な性能の向上につながる。単一のパッケージ内にアンテナとチップとを有する完成システムがアセンブリに提供され、次いで、それを単純に、装置のシステムボードに単一の部品として取り付けることができる。このアンテナパッケージはまた、アンテナ接続に関するインピーダンス整合を組み込み得る。これは、システムボードの設計及び製造を単純にする。というのは、システムボードからアンテナ接続を除去することが、その除去された接続に関するシステムボード上の整合インピーダンスを不要にするからである。
サイズの縮小は、アンテナ品質係数Ｑを増大させて、効率を向上させるとともにユーザの影響を抑制する。このアンテナは、ユーザによる装置の握られ方による影響を遥かに受けにくい。
アンテナがパッケージにインテグレートされるとき、アンテナは、典型的なパッケージ材料に接触し、あるいは物理的に近付く。これらの材料の多くは、その材料を通じたＲＦエネルギーの強い消散につながる比較的高い誘電正接を有し、それにより、アンテナの効率及び品質係数が低下される。これらの損失は、アンテナを好適なセラミック基板の上又は中に構築することによって低減される。このアンテナでは、高損失のパッケージ材料が、低損失のセラミックによって置き換えられる。セラミックはまた、アンテナのＲＦエネルギーによって高度に分極され得る。この分極は、アンテナのＲＦ場をダイから遮蔽するとともに、アンテナのＲＦ場をパッケージ材料から遮蔽する。セラミック基板上に、あるいはダイを覆って、金属遮蔽を用いることで、遮蔽をなおさら強めることができる。
ダイを有するパッケージ上にアンテナが一体化される実施形態が記述される。他の実施形態においては、セラミック上アンテナが、別個のＰＯＰ（パッケージ・オン・パッケージ）として、ダイを有する底部パッケージに接続される。モジュール式ＰＯＰアプローチは、パッケージングプロセスを単純化するとともに、アンテナ及びチップの独立した試験を可能にする。
図１は、埋め込まれたダイ１１６と埋め込まれたセラミック基板１２４又はセラミックブロックの頂部に形成されたアンテナとを有するｅＷＬＢ（埋込ウエハレベル）パッケージの側断面図である。このパッケージは、システムボード又はその他のコンポーネントへのはんだボール１１２接続のための多数のパッドを備えた再配線層（ＲＤＬ）１１０又はパッケージ基板を有する。埋込チップ１１６は、パッケージ基板１１０に取り付けられるとともに、該基板への接続のためのパッド１１４を有している。ＲＤＬは、埋込チップからのパッド１１４を、はんだボールアレイ１１２を介してシステムボードに接続する。
典型的なｅＷＬＢパッケージでは、先ず、チップ１１６が、成形コンパウンドとも称されるモールドコンパウンドに埋め込まれる。次いで、チップの前面側の表面上に、前面再配線層１１０が形成される。ＲＤＬは、チップに最も近い第１の誘電体層と、金属経路を有する導電体層と、はんだストップ層とを有し得る。チップは、金属経路に、第１の誘電体層を貫くビアによって接続される。金属経路は、銅、アルミニウム、チタン、タングステン、ニッケル、パラジウム、金を含む多様な異なる金属、又は、銅、アルミニウム、チタン、タングステン、ニッケル、パラジウム、及び金のうちの１つ以上を含む金属合金、のうちの何れかで形成され得る。
また、セラミック基板１２４が成形コンパウンド１１８に埋め込まれる。成形コンパウンド１１８は、パッケージカバーとしての役割を果たすとともに、埋込チップを保護のために完全に包囲する。成形コンパウンドの上及びセラミックの上に、第２の裏面ＲＤＬが形成される。これは、チップの前面ＲＤＬとは反対側にある。裏面ＲＤＬは、アンテナ１２６と、成形コンパウンドを貫くビア１２０へのアンテナの接続１２２と、を含むものとして示されている。成形コンパウンドを貫くビア１２０は、アンテナを前面ＲＤＬに接続し、それにより、埋込チップ又は外部接続のためのはんだボールに接続する。導電配線１２２は、ビアをアンテナ１２６に接続し、アンテナが、接地若しくは給電されること、又は所望のようにアンテナとダイとの間で信号を通信することを可能にするのに使用され得る。単一のチップ及び単一のモールド貫通ビアのみが図示されているが、もっと多く存在していてもよい。数個のはんだボール接続のみが図示されているが、もっと多く存在していてもよい。
モールドコンパウンド又は成形コンパウンドは、パッケージの性質及びその意図する用途に応じて、多様な異なる材料のうちの何れかで形成され得る。好適なモールドコンパウンドは、例えば熱硬化性ポリマー若しくはエポキシ樹脂などのプラスチック材料、又は例えば熱硬化性モールド化合物などの充填エポキシ樹脂を含むか、それで構成されるかし得る。他の例では、アンダーフィル又はその他の材料が、ダイを保護するために使用され得る。
チップは、成形コンパウンドによって、又は成形コンパウンド１１８を用いたラミネーションによって埋め込まれる。セラミックプレート１２４は、成形コンパウンドが設けられるときに成形コンパウンドに埋め込まれ得る。例えば、金型が閉じられるときにセラミックが上型チェイスを用いてセラミックがパッケージ基板の方に下降すると、セラミックが成形コンパウンドに埋め込まれ得る。これはまた、埋込チップ１１６とセラミック基板１２４との間に、明確に制御された距離が維持されることを可能にする。図示していないが、アンテナ１２６は、接続経路若しくはビア（図示せず）を用いて、あるいは、例えばモールド貫通ビア１２０などのパッケージ基板及びモールドコンパウンドを貫くビアを用いて、埋込チップに直接的に接続されてもよい。パッケージ基板１１０は、埋込チップ１１６をアンテナ１２６に接続するとともにチップ上の様々な接続点を互いに接続する再配線層（ＲＤＬ）とし得る。
ｅＷＬＢパッケージに代えて、パッケージは代替的にフリップチップパッケージであってもよい。フリップチップパッケージでは、前面ＲＤＬが基板によって置き換えられる。この基板に、フリップチップインターコネクトによってチップが接続される。この基板は典型的に、シリコンで形成され、あるいは例えばＦＲ４などの多様なＰＣＢ材料のうちの何れかで形成される。その他のパッケージタイプでは、金属経路を有するビルドアップ層を用いて、様々なパッドをともに接続し得るとともに、回路基板又はその他のコンポーネント上の対応するパッドに接続するようにチップ上の接続をファンアウトし得る。
図２は、特定の実施形態に応じて使用され得る幾つかの追加オプション機構とともにアンテナを備えた、埋込セラミック基板を含む他のパッケージを示している。パッケージ基板２１０が埋込チップ２１６を担持しており、埋込チップ２１６は、図１の例においてのように、接続パッド及びビア２１４を用いて、パッケージ基板２１０電気的に接続されている。パッケージ基板２１０は、チップ上の接続点を様々なはんだボール接続２１２に（そして、はんだボールを介してシステムボード又はロジックボードに）接続するＲＤＬとし得る。パッケージは成形コンパウンド２１８で覆われ、この例において、成形コンパウンド２１８はパッケージ基板及び埋込チップを完全に覆っている。
図２のパッケージは、セラミック基板２２４上に先ずアンテナ２２６を形成することによって組み立てられ得る。次いで、セラミック基板の反対側に遮蔽層２３２が付着され、そして、この遮蔽されたアンテナとセラミックとの組み合わせが、接着剤２３８を用いてダイ２１６に取り付けられ得る。他の例では、遮蔽層がセラミック基板上に形成され、次いで、セラミック基板がダイに取り付けられてもよい。その後、裏面ＲＤＬ２３４、２２２を形成することの一部として、アンテナ層が形成され得る。
そして、このアセンブリを覆って成形コンパウンド２１８を設けることで、ダイ及びセラミック基板のアセンブリを有する成形コンパウンドの再構成ウエハが作り出され得る。次いで、成形コンパウンドを裏面研削することによってセラミック基板が露出され、また、シールドまでモールドコンパウンドを貫くモールド貫通ビアが穿設され得る。
この段階で、アンテナとは反対側のダイの前面は成形コンパウンドによって固定されており、ダイを覆って前面ＲＤＬ２１０が構築され得る。前面ＲＤＬ中の接続を形成するとともに、モールド貫通ビア２２０を金属めっきすることができる。一例として、前面ＲＤＬの最初の誘電体層内のビアを開けた後に、遮蔽層までのモールド貫通ビアが開けられ得る。開けた後、シード層が堆積される。次いで、フォトレジストが前面に塗布され且つ構造化される。次に、ビア及び前面ＲＤＬが一緒にレジスト開口内にめっきされる。シード層をエッチングすることによって構造化が完了する。所望のようにＲＤＬ内に多数の相互接続層を構築するため、このようなプロセスが繰り返され得る。
モールド貫通ビア２２０はまた、パッケージの裏面まで開けられることができ、パッケージを覆って裏面ＲＤＬ２３４、２２２が形成され得る。ビアは、この場合、直接的にモールドコンパウンドを貫いてアンテナを前面ＲＤＬに接続することができる。はんだボール２１２を取り付け、モールドコンパウンドを切断してウエハを別々のパッケージに分離することにより、パッケージが完成され得る。
他の例では、図２の例の構造と同様の構造が、フリップチップパッケージとして形成され得る。先ず、埋込チップがセラミック基板２２４とアセンブリされる。セラミック基板は、接着剤２３８を用いて埋込チップに取り付けられ得る。これら２つの部品が取り付けられた後に、埋込チップがパッケージ基板２１０に取り付けられる。セラミックは、基板への取付けの前且つ成形の前に、例えばダイ取付けフィルム（ＤＡＦ）などの接着剤によって、ダイに取り付けられ得る。そして、チップ及び取付けセラミックの予め製造された組み合わせが、成形及びラミネーションの間に、モールドコンパウンド又は同様の材料に埋め込まれ得る。
成形後、例えば研削によって、セラミックがモールドコンパウンドから解放され得る。これはなおも、薄いモールド層で覆われてもよい。具体的な実装に応じて、モールドコンパウンドの代わりに薄い誘電体が設けられてもよい。この例において、セラミックが埋込チップに取り付けられる前に、セラミック基板２２４の底面に遮蔽金属層２３２が設けられる。この遮蔽層２３２は、モールド貫通ビア２３０を介して、定められた電位に結合され得る。
チップ及びセラミックが基板に取り付けられ、且つセラミックの頂部の層まで成形コンパウンドが除去された後、アンテナが付着され得る。この例において、先ず、パッケージ全体の頂部を覆って誘電体層２３４が設けられる。そして、外部のグランド又はその他の所望の接続に接続するモールド貫通ビア２２０が、成形コンパウンドを貫いて、パッケージ基板２１０上の対応するパッドまでエッチングされる。アンテナ２２６は、誘電体層の上に特定の形状及び構成で形成され、配線２２２を介してアンテナビア２２０に接続するように構成され得る。その後、パッケージ及びアンテナの全体が、典型的には誘電体層である別の保護層２３６で覆われ得る。
図３は、パッケージの更なる一例を、図１及び２のものと同様の側断面図として示している。パッケージ基板又はＲＤＬ３１０は、外部の印刷回路基板（ＰＣＢ）、システムボード、ロジックボード、又はその他の外部コンポーネントへの取付けのための、例えばボールグリッドアレイなどのはんだボール接続３１２を有している。図２の例においてのように、セラミック基板３２４が、接着剤３３８を用いて埋込チップ３１６に取り付けられる。パッケージ基板３１０は、埋込チップの接続パッドを覆って形成される。基板を貫くビア３１４が、チップ上のパッド３１６をパッケージ基板（そして、基板及びはんだボールを介して外部接続）と接続することを可能にする。
セラミックは、モールド貫通ビア３３０を用いて電位源に結合される遮蔽層３３２を有し得る。これらのビアは、基板を貫いて外部コンポーネント又は電源と接続し得る。他の例では、これらのビアは、基板によって担持される電位にアクセスするために基板に接続し得る。遮蔽層３３２は、埋込チップとセラミック基板との間のセラミックの底面側にある。
さらに、パッケージの頂部で、アンテナ３２６がセラミック基板の上に形成される。しかしながら、上から下までパッケージを貫く距離全体を延在するモールド貫通ビアまで接続配線２２２がパッケージの頂部を横切ってつながる図２の例とは対照的に、この例においては、導電配線３２２が、セラミック基板の端部及び底部を横切って設けられている。結果として、もっと短いモールド貫通ビア３２０を用いてアンテナ信号を接続し得る。このビアは、セラミック基板の底面の一部をパッケージ基板３１０に接続する。セラミック基板は、図４に示されるようにセラミックを貫くビアを有するように形成されてもよいし、端面キャップ上の導電経路３２２を有するように形成されてもよい。これらは、セラミックの頂面上のアンテナ構造３２６に接続する。導電経路を形成するメタライゼーションは、セラミックが埋込チップに取り付けられる前に、セラミックの端面キャップ及び底面に沿って設けられ得る。具体的な実装に応じて、このプロセス中にアンテナ３２６及び遮蔽層３３２も設けられ得る。
ダイ及びセラミックがモールドコンパウンドに埋め込まれた後、ビア及び前面ＲＤＬが形成される。このパッケージは、多様な異なる手法のうちの何れで完成されてもよい。この段階において、セラミックはモールドコンパウンド層で覆われていることになる。モールドコンパウンドの研削によって、アンテナを露出させることができる。研削はまた、薄いモールドコンパウンド層が保存されるように終了してもよい。他の例では、露出されたアンテナが薄い誘電体によって覆われてもよい。
図４の例において、アンテナ４２６は、セラミック基板４２４に埋め込まれている。このアンテナは、セラミックを貫くビアの形態の導電経路４２２を介して接続されている。この導電経路は、パッケージ基板４１０に結合するモールド貫通ビア４２０に接続している。その他の例においてのように、このパッケージは、外部コンポーネントへのボールグリッドアレイ接続４１２を有するパッケージ基板を含んでいる。パッケージ内に埋め込まれたチップ４１６は、接着剤４３８を用いてセラミック基板４２４に取り付けられている。セラミック基板はまた、セラミックに埋め込まれたアンテナ４２６とともに底面層遮蔽４４０を含むものとして図示されている。アンテナをセラミックに埋め込むことにより、アンテナが腐食及びその他の外部ダメージから保護される。さらに、アンテナを損傷するリスクなく、例えば研削、コーティング、及びめっきなどの多様な様々なプロセスに対してセラミックを晒し得る。
図５は、別の代替的なパッケージ設計を示している。この場合、埋込チップ５１６は第１の底部パッケージ内にあるが、セラミック基板５２４及びアンテナ５２６は第２の頂部パッケージ内にある。これら２つのパッケージが、パッケージ・オン・パッケージ（ＰＯＰ）として取り付けられている。これらのパッケージは、具体的な実装に応じて、ｅＷＬＢパッケージ、フリップチップパッケージ、埋込ダイパッケージ、又は積み重ねられるその他の種類のパッケージとし得る。２つのパッケージを別々に形成することにより、これら異なるパッケージは異なるサイズであってもよい。例えば、埋込アンテナは、埋込チップを保持するパッケージと同じサイズ、又はそれより大きいとし得る。底部パッケージからアンテナへの接続は、例えばはんだボールを用いて２つのパッケージをともに接続するビアを介する。多様な異なるパッケージ・オン・パッケージ接続及び積層技術が、具体的な実装に応じて適用され得る。
図示した例において、底部パッケージは、モールド貫通ビア５２０及び裏面ＲＤＬ５５２を有するｅＷＬＢパッケージである。裏面ＲＤＬ５５２は、メタライゼーション層５３２と、メタライゼーション層の下の誘電体と、メタライゼーション層の上のはんだストップとで構成されている。前面ＲＤＬ５１０が、ＰＣＢへの接続のためのはんだボールアレイ５１２を有している。前面ＲＤＬ５１０は、モールドコンパウンド５１８で覆われた埋込チップ５１６に取り付けられている。上側すなわち裏面の再配線層５５２は、頂部はんだボール接続アレイ５５０を含んでいる。頂部パッケージはアンテナのみを含んでいるので、頂部パッケージ上のはんだボール接続アレイは、底部パッケージ５１２上のはんだボール接続アレイよりも遥かに単純である。再配線層５５２はまた、やはり底部パッケージに埋め込まれ得る更なるチップ（図示せず）への接続を含んでいてもよい。さらに、上側の再配線層５５２は、特定の電位に接続されてもよいし接続されなくてもよい遮蔽を含み得る。この例において、このＲＤＬは、遮蔽を提供するとともに、頂部パッケージへのはんだボール接続用のパッドを含んでいる。このＲＤＬは、シールドを接地するためにモールド貫通ビア５２０のうちの少なくとも１つに結合されている。遮蔽はまた、あるいは代わりに、ＲＤＬ５５２の中、該ＲＤＬの上方、又は該ＲＤＬの下方にあってもよい。
上側のパッケージは、頂面５２６にアンテナが形成されたセラミック基板を含む。これはまた、上側のはんだボールアレイ５５０を介して底部パッケージに接続するセラミック貫通ビア５２２を含み得る。そして、これらのビアは、底部パッケージ内のチップへの接続のために、及び先の例においてのように外部接続のために、モールド貫通ビア５２０を用いて、前面ＲＤＬ５１０に接続し得る。
図６は、セラミック基板６２４の表面上又は上に形成されるアンテナの他の一例を示している。この断面図には、別のパッケージ・オン・パッケージ手法が示されている。この場合の遮蔽は、図５においてのように上側のＲＤＬ５５２にではなく、セラミック基板６２４の底面に設けられている。さらに、この例は、はんだ充填されたモールド貫通ビア６２０を有する底部ｅＷＬＢパッケージを用いている。これは、裏面再配線層及び特定のはんだパッドの使用を回避することによって、底部パッケージを単純化することを可能にする。
より詳細に図６を見るに、パッケージ基板としての前面ＲＤＬ６１０に埋込チップ６１６が接続されている。これらのチップ及び基板は、モールドコンパウンド６１８内で覆われている。上側のパッケージは、セラミック基板６２４と、付着されたアンテナ６２６とを有している。アンテナとは反対側のセラミック基板の底面に、遮蔽層６３２が設けられている。この遮蔽層は、片側で、はんだインターコネクト６５０及びはんだ充填孔を介してパッケージ基板６１０に接続している。同様に、アンテナが、反対側で、セラミック貫通ビア６２２を用いて接続している。セラミック基板の底面から、アンテナは同様に、パッケージ・オン・パッケージ構造の他方側のはんだ充填ビアを介して接続している。
図７は、アンテナ７２６がセラミック基板７２４の内部に埋め込まれている同様のパッケージを示している。底部パッケージは、モールドコンパウンド７１８によって覆われた埋込チップ７１６を担持する底部パッケージＲＤＬ又は基板７１０を有している。モールド貫通ビア７２０が、パッケージ基板の底部からパッケージの頂部までつながっている。他の例では、図６に示したようなはんだ充填されたモールド貫通孔が代わりに用いられてもよい。底部パッケージの頂部のはんだボール接続７５０に、セラミック基板頂部パッケージが接続している。これらのはんだボール接続は、セラミック基板の底面の遮蔽層及び該基板内に埋め込まれたアンテナへの接続を可能にする。代わりに、この例において、並びに図５及び６の例において、セラミック基板の片面又は両面にＲＤＬが形成されてもよい。
ここでは、多様な異なる実施形態を説明した。各々の場合において、アンテナはセラミック基板の上又は中の金属ラインとして形成される。セラミックは、アンテナの品質係数を何重にも高めることを可能にする。多くのパッケージ材料の主要成分は、約３．５の比誘電率を持つポリイミドである。ポリイミド上の銅配線アンテナは、約３ＧＨｚの周波数で約２０のＱ係数を有する。一方で、セラミック材料は約１０の比誘電率を持ち得る。このようなセラミック上の銅配線アンテナは、約５００のＱ係数を有し得る。これは、信号の品質において重大な利益を提供するとともに、アンテナをかなり小さくすることを可能にする。ポリイミドでの遥かに低いＱ係数は、部分的に、アンテナがパッケージ上のチップに対して強い容量結合を有するからである。セラミックでは、これが実質的に抑制される。
アンテナのＱ係数は、薄いセラミック基板のみでも改善される。セラミックが約１０μｍ厚であることで十分である。このような薄い層は製造及び取扱いが難しく、故に、セラミック基板は、なおも同じ又はいっそう良好な利益をアンテナにもたらしながら、遥かに厚くされ得る。一部の実施形態において、セラミック基板は、５０μｍ厚ほどにされてもよく、あるいはさらに５００μｍ以上にされ得る。
セラミックとアンテナとの組み合わせは、多様な異なる種類のパッケージ構成で使用され得る。ここに記述されるように、この組み合わせは、半導体チップ、ＲＦチップ、又はその他の種類のチップを収容するパッケージに付与され得る。図１、２、３及び４は、セラミックとアンテナとの組み合わせを頂部に置いたｅＷＬＢパッケージの様々なバリエーションを示している。この組み合わせは、その他の種類のパッケージにも同様に付与され得る。他の例では、セラミックとアンテナとの組み合わせが、あたかも別個のパッケージであるかのように、他のパッケージ上に積層され得る。図５、６及び７は、ｅＷＬＢ底部パッケージを有するＰｏＰ構造の様々なバリエーションを示しているが、セラミックとアンテナとの組み合わせは、その他の手法で他のパッケージと積層されてもよい。
数多くの様々なバリエーションを図示の例で説明しているが、これらは、その他の代わりの例にも適用され得る。導電性の遮蔽は、アンテナと、同一パッケージ内あるいは近隣パッケージ内のダイとの間の、多様な異なる位置に設けられ得る。遮蔽は、セラミック上、インターポーザ上、ＲＤＬの上若しくは中、又はパッケージ若しくはそのカバー内のその他の場所に形成され得る。
同じように、アンテナは、図示した例の殆どで頂部層として示されているが、数多くの異なる手法でカバーあるいは保護されてもよい。アンテナは、腐食及び物理的なダメージを被ることがある。これらの損傷は、コーティング、フィルム、及びカバーを単独あるいは組み合わせで用いて防止され得る。図示した例のうちの何れの例においても、アンテナは、例えばＡｌ又はＡｕなどの金属で覆われてもよい。例えば様々な酸化物及びポリマーなどの誘電体コーティングも使用され得る。さらに、ここに図示あるいは記述されたアンテナの何れの上にも、別個のカバーが組み込まれてもよい。
アンテナの上のカバー層として、及びアンテナの下のカバー層として、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）系誘電材料、ベンゾシクロブタン（ＢＣＢ）系誘電材料、及びその他のポリマー材料が使用され得る。図２は、アンテナの上及びアンテナとセラミックとの間のアンテナの下の双方の誘電体層を示している。誘電体のこれらの使用の一方又は双方が、アンテナとセラミックとの組み合わせの何れの使用にも適用され得る。図４及び７は、セラミック内に埋め込まれたアンテナを示しているが、埋め込まれたアンテナであっても、アンテナは１つ以上の側面で例えばポリマーなどの別個の誘電材料でカバーされ得る。セラミックは、アンテナの頂面上の追加のカバーとして用いられてもよい。このカバーは、セラミックの主要部分とは別に形成されて、その後にアンテナの上に取り付けられてもよいし、アンテナ及びセラミックの主要部分の上に直接的に形成されてもよい。
アンテナ及びシールドのための接続は、シリコン基板を介して、モールドコンパウンドを介して、セラミックを介して、あるいはこれらの表面の幾つかの周りで、多様な異なる手法で為され得る。接続はまた、例えばワイヤリード又は外部コネクタなどの他の手法（図示せず）で為されてもよい。
記述したセラミックとアンテナとの組み合わせは、その他のコンポーネントとともにパッケージにアンテナを一体化すること、又はその他のコンポーネントパッケージの上に積層することを可能にする。これは、装置のアセンブリに関する部品及び作業の数を減らすとともに、アンテナコンポーネントの組み合わせのサイズを小さくする。これらの組み合わせは、アンテナをその他のコンポーネントに近付けることによって効率を向上させ、電力消費を低減する。これはまた、インピーダンス整合用のアンテナ経路をシステム内に設計する必要がないので、システム設計を単純化する。アンテナ接続は、このコンポーネント内に設計される。
図８Ａは、内蔵セラミック上にアンテナを有するパッケージをアセンブリする方法を示している。先ず、８１０にて、セラミック基板の上又は中に１つ以上のアンテナが形成される。アンテナは、堆積によって、ペースト印刷によって、あるいは多様なその他の手法で形成され得る。該１つ以上のアンテナは、セラミック基板の表面に導電配線を堆積することによって付着されてもよい。アンテナは、セラミックの一部上にアンテナを形成し、その後、該アンテナを覆ってセラミックの第２の部分を取り付けることによって、セラミックの内部に形成されてもよい。一例はＬＴＣＣ技術である。他の例では、金属アンテナ構造の周りにセラミックが形成されてもよい。別の選択肢として、アンテナは、セラミック及びダイがパッケージングされた後に、セラミックの上の裏面ＲＤＬの一部として形成されてもよい。アンテナはまた、それがどのようにして形成されるかにかかわらず、例えば耐食金属又は誘電体の保護コーティングなどの、保護コーティングで覆われてもよい。
８１２にて、セラミック基板が１つ以上のダイに取り付けられる。上述のように、セラミックとダイとの間に遮蔽層が用いられてもよい。アンテナとは反対側のセラミック基板上に電気経路が存在してもよく、それらは、誘電体によって、若しくは遮蔽を用いて、又はこれら双方でアイソレートされ得る。
８１４にて、物理的又はその他の環境上の影響からダイを保護するため、ダイ及びセラミック基板を覆って成形又は充填材が設けられ、８１６にて、意図した接続に所望されるように、モールドコンパウンド又は充填材の中にビアが形成される。ビアは、先ず、チャネルをエッチングし、次いで、銅若しくははんだで充填することによって、又は多様なその他の手法のうちの何れかで形成され得る。
８１８にて、ダイと、モールドコンパウンドと、アンテナを備えたセラミックとの上に、再配線層が形成される。再配線層は、一方側でビア及びダイへの接続を有し得る。反対側のコンタクトアレイが、コンピューティングシステムのシステムボードへの、又はその他のコンポーネントへの接続のために使用され得る。再配線層はまた、ピッチ変換を有し得るとともに、アンテナをダイ及びシステムボードの双方に接続する経路を含み得る。
他の例では、セラミック基板は、別個のパッケージとして扱われて、ダイと結合された上側のＲＤＬ又はパッケージカバーの上に設けられ得る。８２０にて、アンテナとその他のコンポーネント又はパッドとの間の接続が為される。この接続は、パッケージ基板を介してアンテナをダイに電気的に接続することを含む。このパッケージは、もはや動作可能である。パッケージは、アンテナ及びダイの上に更なるカバー又は保護材料を形成することによって、より頑丈にされてもよい。
これに代わる一プロセスとして、図８Ｂは、８４２にて、セラミックの上又は中にアンテナを形成することで開始する。次いで、８４４にて、セラミック基板が、例えば接着剤で、１つ以上のダイに取り付けられる。８４６にて、アンテナ基板を備えたダイがパッケージ基板に取り付けられる。このようなプロセスは、例えばフリップチップパッケージに使用され得る。
８４８にて、ダイ及びアンテナを覆って、例えばモールドコンパウンドなどのカバーを設けることができ、８５０にて、ビアが形成され、８５２にて、アンテナに接続され得る。そして、８５４にて、パッケージが完成され得る。
図９は、本発明の一実装例に従ったコンピューティング装置９００を例示している。コンピューティング装置９００は、システムボード９０２を収容している。ボード９０２は、以下に限られないがプロセッサ９０４及び少なくとも１つの通信パッケージ９０６を含む多数のコンポーネントを含み得る。通信パッケージは、１つ以上のアンテナ９１６に結合される。プロセッサ９０４は、ボード９０２に物理的及び電気的に結合され得る。少なくとも１つのアンテナ９１６が、通信パッケージ９０６とインテグレートされ、パッケージを介してボード９０２に物理的及び電気的に結合される。本発明の一部の実装例において、これらのコンポーネント、コントローラ、ハブ、又はインタフェースのうちの何れか１つ以上は、上述のようにシリコン貫通ビアを用いてダイ上に形成される。
パッケージングされたダイ９０６、９２４、９２６は、上述のセラミック基板を用いて、そのパッケージ内又はパッケージスタック内にあるアンテナ９１６に接続し得る。このブロック図のアンテナ９１６は、これらの種類のアンテナ位置及び接続の各々を表す。それはまた、この装置によって使用され得る様々な種類のアンテナ及びアンテナアレイの全てを表す。
コンピューティング装置９００は、その用途に応じて、他のコンポーネントを含むことができ、それら他のコンポーネントは、ボード９０２に物理的及び電気的に結合されたものであってもよいし、結合されていないものであってもよい。それら他のコンポーネントは、以下に限られないが、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）９０８、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）９０９、フラッシュメモリ（図示せず）、グラフィックスプロセッサ９１２、デジタル信号プロセッサ（図示せず）、暗号プロセッサ（図示せず）、チップセット９１４、アンテナ９１６、例えばタッチスクリーンディスプレイなどのディスプレイ９１８、タッチスクリーンコントローラ９２０、バッテリー９２２、オーディオコーデック（図示せず）、ビデオコーディック（図示せず）、電力増幅器９２４、グローバル・ポジショニング・システム（ＧＰＳ）デバイス９２６、方位計９２８、加速度計（図示せず）、ジャイロスコープ（図示せず）、スピーカ９３０、カメラ９３２、及び大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）９１０、コンパクトディスク（ＣＤ）（図示せず）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）（図示せず）、等々を含む。これらのコンポーネントは、システムボード９０２に接続され、システムボードにマウントされ、あるいはその他のコンポーネントの何れかと組み合わされ得る。
通信パッケージ９０６は、コンピューティング装置９００への、及びそれからのデータの伝送のための無線通信及び／又は有線通信を可能にし得る。用語“無線（ワイヤレス）”及びその派生形は、変調された電磁放射線を用いて非固体媒体を介してデータを伝達し得る回路、装置、システム、方法、技術、通信チャネルなどを記述するために使用され得る。この用語は、関連する装置が如何なるワイヤをも含まないことを意味するものではない（一部の実施形態では、如何なるワイヤをも含まないことがあり得る）。通信パッケージ９０６は、数多くある無線又は有線の規格又はプロトコルのうちの何れを実装してもよい。それらの規格又はプロトコルは、以下に限られないが、Ｗｉ−Ｆｉ（ＩＥＥＥ８０２．１１ファミリ）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ８０２．１６ファミリ）、ＩＥＥＥ８０２．２０、ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）、Ｅｖ−ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ（登録商標）、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、イーサネット（登録商標）、これらの派生形、並びに、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ及びそれ以降として指定されるその他の無線及び有線のプロトコルを含む。コンピューティング装置９００は複数の通信パッケージ９０６を含み得る。例えば、第１の通信パッケージ９０６は、例えばＷｉ−Ｆｉ及び／又はＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）など、より短距離の無線通信用にされ、第２の通信パッケージ９０６は、例えばＧＰＳ、ＥＤＧＥ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＷｉＭＡＸ、ＬＴＥ、Ｅｖ−ＤＯ及び／又はその他など、より長距離の無線通信用にされ得る。
コンピューティング装置９００のプロセッサ９０４は、プロセッサ９０４内にパッケージングされた集積回路ダイを含む。用語“プロセッサ”は、レジスタ及び／又はメモリからの電子データを処理して、該電子データをレジスタ及び／又はメモリに格納され得る他の電子データへと変換する如何なるデバイス又はデバイス部分をも意味し得る。
様々な実装例において、コンピューティング装置９００は、ラップトップ、ネットブック、ノートブック、ウルトラブック、スマートフォン、タブレット、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ウルトラモバイルＰＣ、携帯電話、デスクトップコンピュータ、サーバ、プリンタ、スキャナ、モニタ、セットトップボックス、娯楽制御ユニット、デジタルカメラ、ポータブル音楽プレーヤ、又はデジタルビデオレコーダとし得る。更なる実装例において、コンピューティング装置９００は、データを処理するその他の如何なる電子装置であってもよい。
実施形態は、１つ以上のメモリチップ、コントローラ、ＣＰＵ（中央演算処理ユニット）、マザーボードを用いて相互接続されたマイクロチップ若しくは集積回路、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、及び／又はフィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）の一部として実装され得る。
“一実施形態”、“実施形態”、“実施形態例”、“様々な実施形態”などの参照は、そのように記述された本発明の実施形態が、特定の機構、構造又は特性を含み得ることを指し示しており、必ずしも全ての実施形態がその特定の機構、構造又は特性を含むわけではない。また、一部の実施形態は、他の実施形態に関して記述された機構の一部又は全てを有することもあるし、それらの機構を全く含まないこともある。
以下の説明及び請求項において、用語“結合される”及びその派生語が使用されることがある。“結合される”は、２つ以上の要素が互いに協働あるいは相互作用することを指し示すが、それらは、それらの間に、介在する物理的又は電気的なコンポーネントを有することもあるし、有しないこともある。
請求項中で使用されるとき、他に特に規定がなければ、共通の要素を記述する序数形容詞である“第１の”、“第２の”、“第３の”などは、単に、同様の要素の異なるインスタンスを参照していることを指し示すものであり、そのように記述されるそれらの要素が、時間的に、空間的に、ランク付けで、又は何らかのその他のやり方で、の何れかで所与の順序になければならないということを意味する意図はない。
図面及び以上の記述は、実施形態の例を与えるものである。当業者が理解するように、記述される要素のうちの１つ以上が単一の機能的要素へと良好に組み合わされてもよい。あるいは、特定の要素が、複数の機能的要素へと分離されてもよい。１つの実施形態からの要素が別の１つの実施形態に付加されてもよい。例えば、ここに記載されるプロセスの順序は、変更されてもよく、ここに記載のように限定されるものではない。また、何れのフロー図の行為も、図示した順序で実行される必要はなく、また、必ずしもそれらの行為の全てが実行される必要はない。また、他の行為に依存しない行為は、それらの他の行為と並行して実行されてもよい。実施形態の範囲は、決して、これらの具体的な例によって限定されない。明細書で明示的に与えられていようとなかろうと、例えば構造、寸法、及び材料の使用における相違など、数多くの変形が可能である。実施形態の範囲は、少なくとも、以下の請求項によって与えられるほどに広いものである。
以下の例は、更なる実施形態に関連する。異なる実施形態の様々な機構が、多様な異なる用途に適するように、一部が含められ、他の一部が除外されて、様々に組み合わされ得る。一部の実施形態は、ダイと、前記ダイの上のセラミック基板と、前記セラミック基板に取り付けられたアンテナと、前記アンテナを前記ダイに電気的に接続する導電リードと、を有するパッケージに関連する。一部の実施形態において、前記アンテナは、前記セラミック基板の表面に形成されている。一部の実施形態において、前記セラミック基板は、前記ダイに面する第１の面と、前記ダイとは反対側の第２の面とを有し、前記アンテナは前記第２の面に形成されている。
一部の実施形態において、前記アンテナは、前記セラミック基板の中に形成されている。一部の実施形態は、前記ダイを覆うモールドコンパウンドを含み、前記導電リードは、前記アンテナから前記ダイへのモールド貫通ビアを有する。一部の実施形態において、前記モールドコンパウンドは、前記セラミック基板を覆っている。
一部の実施形態は、前記ダイと前記アンテナとの間に導電性のシールドを含む。一部の実施形態において、前記シールドは、前記ダイと前記セラミック基板との間にある。一部の実施形態において、前記シールドは、前記セラミック基板に取り付けられている。一部の実施形態において、前記シールドは、外部接続へのビアを介して接地されている。
一部の実施形態はパッケージ基板を含み、前記導電リードのうちの少なくとも一部が前記パッケージ基板に結合されている。一部の実施形態において、前記導電リードは、前記パッケージ基板内のルーティング経路を含む。一部の実施形態は、前記セラミック基板及び前記ダイを覆うモールドコンパウンドを含み、前記パッケージ基板は、前記ダイの前面上及び前記モールドコンパウンド上に形成された再配線層を有する。
一部の実施形態において、前記セラミック基板は、前記ダイに面する第１の面と、前記ダイとは反対側の第２の面とを有し、前記第２の面に前記アンテナが形成されており、前記第１の面に、前記アンテナを前記ダイからアイソレートするシールドが形成されており、前記第１の面と前記第２の面との間の第３の面に、前記第１の面に近接した導電リードに前記アンテナを電気的に接続する導電配線が形成されている。
一部の実施形態は、前記ダイと前記セラミック基板との間で前記ダイを覆うパッケージカバーを含み、前記セラミック基板は、前記アンテナに結合された導電性のパッドを有し、前記セラミック基板は、前記パッド上のはんだボールを用いて前記パッケージカバーに取り付けられており、前記導電リードは、前記パッド及び前記はんだボールを含む。
一部の実施形態において、前記パッケージカバーは、第２のダイへの接続を有する再配線層を有する。一部の実施形態において、前記導電リードは、はんだ充填されたビアを有する。
一部の実施形態は、プロセッサと、ユーザインタフェースと、パッケージ内の通信チップと、を有するコンピューティングシステムに関連する。このパッケージは、ダイと、前記ダイの上のセラミック基板と、前記セラミック基板に取り付けられたアンテナと、前記セラミック基板及び前記ダイを覆うモールドコンパウンドと、前記ダイの前面上及び前記モールドコンパウンド上に形成された再配線層と、前記アンテナを前記再配線層に電気的に接続する導電リードとを有する。一部の実施形態は、前記セラミック基板上の導電経路であり、該基板の一方の面上の前記アンテナを、該基板の反対側の面に接続されたビアに接続する導電経路、を含む。
一部の実施形態は、セラミック基板にアンテナを取り付けることと、前記セラミック基板をダイに取り付けることと、前記ダイを覆うカバーを形成することと、前記カバー及び前記ダイの上に再配線層を形成することと、前記再配線層を介して前記アンテナを前記ダイに電気的に接続することと、を有する方法に関連する。一部の実施形態において、前記アンテナを取り付けることは、前記セラミック基板の表面に導電ラインを堆積することを有する。

Claims (18)

  1. ダイと、
    前記ダイの裏面に取り付けられたセラミック基板と、
    前記セラミック基板に取り付けられたアンテナと、
    前記ダイ及び前記セラミック基板を覆うモールドコンパウンドと、
    前記ダイの前面及び前記モールドコンパウンドに取り付けられたパッケージ基板と、
    前記モールドコンパウンド及び前記パッケージ基板の中に配置され、前記アンテナを前記ダイに電気的に接続する導電リードと、
    を有するパッケージ。
  2. 前記アンテナは、前記セラミック基板の表面に形成されている、請求項１に記載のパッケージ。
  3. 前記セラミック基板は、前記ダイに面する第１の面と、前記ダイとは反対側の第２の面とを有し、前記アンテナは前記第２の面に形成されている、請求項２に記載のパッケージ。
  4. 前記アンテナは、前記セラミック基板の中に形成されている、請求項１に記載のパッケージ。
  5. 前記導電リードは、前記モールドコンパウンド中のモールド貫通ビアを含む、請求項１乃至４の何れかに記載のパッケージ。
  6. 前記モールドコンパウンドは、前記セラミック基板の前記第２の面を覆っている、請求項３に記載のパッケージ。
  7. 前記ダイと前記アンテナとの間に導電性のシールドを更に有する請求項１乃至６の何れかに記載のパッケージ。
  8. 前記シールドは、前記ダイと前記セラミック基板との間にある、請求項７に記載のパッケージ。
  9. 前記シールドは、前記セラミック基板に取り付けられている、請求項８に記載のパッケージ。
  10. 前記シールドは、外部接続へのビアを介して接地されている、請求項８に記載のパッケージ。
  11. 前記セラミック基板は、接着剤を用いて前記ダイの裏面に取り付けられている、請求項１乃至１０の何れかに記載のパッケージ。
  12. 前記導電リードは、前記パッケージ基板内のルーティング経路を含む、請求項１乃至１１の何れかに記載のパッケージ。
  13. 前記パッケージ基板は、前記ダイの前面上及び前記モールドコンパウンド上に形成された再配線層を有する、請求項１乃至１２の何れかに記載のパッケージ。
  14. 前記セラミック基板は、前記ダイに面する第１の面と、前記ダイとは反対側の第２の面とを有し、前記第２の面に前記アンテナが形成されており、前記第１の面に、前記アンテナを前記ダイからアイソレートするシールドが形成されており、前記第１の面と前記第２の面との間の第３の面に、前記第１の面に近接した導電リードに前記アンテナを電気的に接続する導電配線が形成されている、請求項１乃至１３の何れかに記載のパッケージ。
  15. プロセッサと、
    ユーザインタフェースと、
    パッケージ内の通信チップと
    を有し、
    前記パッケージは、
    ダイと、
    前記ダイの裏面に取り付けられたセラミック基板と、
    前記セラミック基板に取り付けられたアンテナと、
    前記セラミック基板及び前記ダイを覆うモールドコンパウンドと、
    前記ダイの前面上及び前記モールドコンパウンド上に形成された再配線層と、
    前記モールドコンパウンド及び前記再配線層の中に配置され、前記アンテナを前記ダイに電気的に接続する導電リードと
    を有する、
    コンピューティングシステム。
  16. 前記セラミック基板上の導電経路であり、前記セラミック基板の一方の面上の前記アンテナを、前記セラミック基板の反対側の面に接続されたビアに接続する導電経路、を更に有する請求項１５に記載のコンピューティングシステム。
  17. セラミック基板にアンテナを取り付けることと、
    前記セラミック基板をダイに取り付けることと、
    前記ダイを覆うカバーを形成することと、
    前記カバー及び前記ダイの上に再配線層を形成することと、
    前記再配線層を介して前記アンテナを前記ダイに電気的に接続することと、
    を有する方法。
  18. 前記アンテナを取り付けることは、前記セラミック基板の表面に導電ラインを堆積することを有する、請求項１７に記載の方法。
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