CN109244642B - 封装天线的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种封装天线及其制造方法，封装天线包括：天线结构，该天线结构包括依次设置的天线辐射贴片、天线基板介质层和反射地平面，天线基板介质层具有相对的第一表面和第二表面，天线辐射贴片固定于第一表面上，反射地平面固定于第二表面上；芯片；封装体，该封装体具有相对的第一面和第二面，芯片的正面和反射地平面暴露于第二面且与该第二面平齐；再布线层，包括RDL介质层和RDL金属层，RDL金属层包括馈线、多个扇出引线和多个焊盘，至少部分多个焊盘通过RDL介质层中的过孔连接于芯片；以及焊球，该焊球植在焊盘上。所述封装天线能够降低其自身的寄生参数，同时改善天线辐射贴片性能。

Description

封装天线的制造方法
技术领域
本公开涉及封装天线技术领域，具体地，涉及一种封装天线和封装天线的制造方法。
背景技术
随着近几十年科学技术的发展，毫米波逐渐向民用小型化多功能的方向发展，在汽车雷达、高速数据通信、工业自动化传感器、医疗器材等方面获得了广泛的应用。天线是无线系统中的重要部件，有分离和集成两种形式。其中集成天线包括片上天线(Antenna-on-Chip，简称“AoC”)和封装天线(Antenna-in-Package，简称“AiP”)两大类型。片上天线技术通过半导体材料与工艺将天线与其他电路集成在同一个芯片上，优点是集成度高，不需要额外的互连，寄生效应小，尤其对于太赫兹频段更适用一些。缺点是天线占用成本较高的采用微波工艺的芯片面积，以及工艺本身对天线结构和性能产生了限制。另外集成电路设计和纠错周期长、费用高也限制了AoC技术的应用。AiP技术是通过封装材料与工艺将天线集成在携带芯片的封装内。AiP技术很好地兼顾了天线性能、成本及体积，代表着近年来天线技术重大成就，因而是目前毫米波应用的主流方向。同AoC相比， AiP系统设计周期短，方便灵活，可以采用同一颗芯片搭配不同的天线结构，实现需要的性能。如今几乎所有的60GHz无线通信和手势雷达芯片都采用了AiP技术。除此之外，在79GHz汽车雷达，5G通信，122GHz传感器等应用和研究中也都广泛应用AiP天线解决方案。
毫米波频段在30-300GHz之间，频带非常宽。同微波雷达相比，毫米波雷达具有波束窄、天线体积小的优点、同激光和远红外相比又有穿透性强的优势。天线是毫米波系统中的重要部件，如果将天线设计在系统封装的外面，则需要用同轴线、波导或微带线等实现系统到天线的连接，不仅体积大，而且引入寄生的电感、电容，影响系统的性能，此外制作加工过程引入的误差以及误差控制也提高了成本，使毫米波方案难以普及。封装天线(AiP)技术将天线与射频收发系统集成在一个小的封装模块中，大大减轻了天线到芯片互连的设计问题，在整个系统获得更高集成度的同时，降低了成本，提升了系统性能。
在AiP技术中，天线和MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit，单片微波集成电路)芯片的互连可以采用引线键合、倒装凸点或者扇出(fan out)技术。采用引线键合做芯片和天线的互连是最标准和低成本的封装形式，键合引线直接将芯片的毫米波信号焊盘引出到基板上或接到天线模块的馈线焊盘。由于键合引线寄生电感大，对带宽产生限制。同时严重影响匹配，需要做补偿。当键合引线的长度和波长可以比拟时，则形成寄生天线，使天线增益和辐射效率降低。
倒装凸点焊接采用转接基板，是另一种常用的封装形式，通常天线图形做在基板上，芯片通过焊球接到基板上的馈线，由于凸点寄生效应比较小，更适合毫米波连接。但这种结构只能用于芯片焊盘间距较大的情况，对于小尺寸焊盘应用较为困难，实现成本较高。通常采用CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺的芯片标准50ohm特征阻抗共面波导输出焊盘，其焊盘节距限制难以应用较低成本的凸点倒装焊的封装形式。
同前两种封装相比，采用扇出(Fan out)实现AiP的天线和电连接具有不可比拟的优势，对扇出结构来说，RDL层(Redistributed layer，重新布线层)连接芯片焊盘的通孔寄生效应在毫米波频段几乎可以忽略，尤其对于超过100GHz的应用性能优越。毫米波天线对形成天线和馈线的金属布线的尺寸精度要求较高，扇出工艺RDL布线层采用的光刻工艺精度远高于普通基板布线工艺，满足毫米波天线制作的误差要求。MMIC芯片通常功耗很大，同倒装凸点封装相比，扇出封装无需基板，热阻也小。
随着集成度的提高，扇出封装越来越成为封装技术的必经之路。对于毫米波芯片AiP封装而言，传统的封装技术是将MMIC芯片扇出封装起来，再集成到AiP系统中，但这会增加互连的寄生参数。
此外，目前多家厂商均提供扇出封装工艺，如英飞凌(Infineon)的 eWLB(embedded Wafer Level Ball gridarray，嵌入式圆片级球栅阵列封装)， TSMC的InFO-WLP等，但不提供工艺定制服务。以eWLB工艺为例，采用 eWLB工艺制造的封装结构只有一层RDL再布线层，在实现AiP时，若使用RDL金属层形成天线图形，则无法在eWLB封装上做反射地平面，只能用PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)上的布线层做地平面，需要仔细优化PCB结构以协同天线设计，给应用带来麻烦，提高了应用成本。
发明内容
本公开的目的是提供一种封装天线及其制造方法，以降低其自身的寄生参数，同时改善天线辐射贴片性能。
为了实现上述目的，本公开的第一方面提供一种封装天线，其中，所述封装天线包括：
天线结构，该天线结构包括依次设置的天线辐射贴片、天线基板介质层和反射地平面，所述天线基板介质层具有相对的第一表面和第二表面，所述天线辐射贴片固定于所述第一表面上且其辐射方向朝外，所述反射地平面固定于所述第二表面上；
芯片，该芯片具有相对的正面和反面；
封装体，该封装体具有相对的第一面和第二面，所述芯片的正面和所述反射地平面暴露于所述第二面且与该第二面平齐；
再布线层，包括依次设置在所述第二面上的RDL介质层和RDL金属层，所述RDL金属层包括馈线、多个扇出引线和多个焊盘，所述馈线连接于所述芯片以向所述天线辐射贴片馈电，至少部分所述多个焊盘通过所述 RDL介质层中的过孔连接于所述芯片；以及
焊球，该焊球植在所述焊盘上。
可选择地，所述封装体的第一面开设有窗口且该窗口位于所述天线辐射贴片的上方，以暴露所述天线辐射贴片的辐射面，可选择地，所述窗口中填充有窗体结构实体，该窗体结构实体由低介电常数材料制成。
可选择地，所述反射地平面形成有微孔，以使得所述馈线通过孔径耦合的方式向所述天线辐射贴片馈电。
可选择地，部分所述焊盘通过RDL介质层中的过孔连接于所述反射地平面。
根据本公开的第二方面，提供一种封装天线的制造方法，所述封装天线为上述的封装天线，所述制造方法包括：
制作天线结构，将天线辐射贴片、天线基板介质层和反射地平面依次布置且压合在一起，所述天线基板介质层具有相对的第一表面和第二表面，所述天线辐射贴片固定于所述第一表面上且其辐射面朝外，所述反射地平面固定于所述第二表面上；
提供芯片，该芯片具有相对的正面和反面；
提供载体，该载体具有承载面；
将所述芯片和所述天线结构固定在所述载体的承载面上，且使得所述芯片的正面和所述反射地平面与所述承载面贴合；
将所述芯片和所述天线结构通过封装层模塑为一个封装体，该封装体具有相对的第一面和第二面，所述芯片的正面和所述反射地平面暴露于所述第二面且与该第二面平齐；
去除所述载体；
在所述封装体的第二面制作再布线层，该再布线层包括依次设置在所述第二面上的RDL介质层和RDL金属层，该RDL金属层形成有馈线图形、多个扇出引线图形和多个焊盘图形，所述馈线图形连接于所述芯片以向所述天线辐射贴片馈电；
在多个所述焊盘上植焊球。
可选择地，所述封装体的第一面开设有窗口，且该窗口位于所述天线辐射贴片的上方，以暴露所述天线辐射贴片的辐射面。
可选择地，所述步骤“在所述封装体的第一面开设窗口，且该窗口位于所述天线辐射贴片的上方，以暴露所述天线辐射贴片的辐射面”包括：
提供与所述窗口形状相匹配的窗体结构实体；
在所述步骤“将所述芯片和所述天线结构通过封装层模塑为一个封装体”之前，将所述窗体结构实体连接到所述天线结构上并位于所述天线辐射贴片的外侧，且完全覆盖所述天线辐射贴片；
在所述步骤“将所述芯片和所述天线结构使用模塑材料经模塑封装在一起”之后，去除所述窗体结构实体以形成所述窗口。
可选择地，所述步骤“在所述封装体的第一面开设窗口，且该窗口位于所述天线辐射贴片的上方，以暴露所述天线辐射贴片的辐射面”包括：
提供与所述窗口形状相匹配的窗体结构实体，该窗体结构实体由低介电常数材料制成；
在所述步骤“将所述芯片和所述天线结构通过封装层模塑为一个封装体”之前，将所述窗体结构实体连接到所述天线结构上并位于所述天线辐射贴片的外侧，且完全覆盖所述天线辐射贴片；
在所述步骤“将所述芯片和所述天线结构使用模塑材料经模塑封装在一起”之后，将所述窗体结构实体保留在所述天线结构上。
可选择地，所述窗口通过所述步骤“将所述芯片和所述天线结构使用模塑材料经模塑封装在一起”中所使用的模具形成。
可选择地，所述天线结构包括层压在所述第一表面的窗体结构实体，该窗体结构实体由低介电常数材料制成，在所述步骤“将所述芯片和所述天线结构使用模塑材料经模塑封装在一起”之后，所述封装体形成所述窗口，且所述窗体结构实体位于该窗口中。
可选择地，所述步骤“在所述封装体的第二面制作再布线层”包括：
在所述第二面上涂覆或层压RDL介质层；
在所述RDL介质层上制作所述RDL金属层；
采用溅射或光刻工艺在所述RDL金属层形成所述馈线和多个焊盘的图形。
通过上述技术方案，本公开提供的封装天线及其方法，通过天线辐射贴片封装的同时一并扇出封装芯片的方式，能够显著地降低互连的寄生参数，进而实现封装天线的高度集成化、小型化，并且通过再布线层能够灵活地设计结构，可以实现多种天线结构，包括微带天线辐射贴片、偶极子天线辐射贴片、平面八目天线辐射贴片、喇叭天线辐射贴片等，同时也为封装天线的性能优化提供了较大的改善空间，同时还可以提高成本和效益。另外，通过上述提供的封装天线，从焊球引出的管脚只需提供低频、直流信号以及电源地连接，因此，可以降低对安装焊接的PCB图形和精度的要求，整个封装天线可以和通常芯片同样贴装。另外，用高精度再布线层减小孔径尺寸误差，天线辐射贴片可以采用高精度基板工艺做。馈线和天线辐射贴片不在一个金属层内，馈线在底部，由再布线层形成，天线辐射贴片则由天线辐射贴片基板工艺形成。反射地平面到天线辐射贴片的距离由天线基板介质层厚度决定，馈线地平面可以由再布线层或者天线辐射贴片基板工艺形成。因此，可以实现多种天线辐射贴片馈线结构。
本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
图1是至图3是本公开实施例提供的封装天线的制造步骤示意图，其中图3为本公开一种实施例提供的封装天线的结构示意图；
图4是本公开实施例提供的封装天线的一种馈电模式示意图；
图5时本公开实施例提供的封装天线的另一种馈电模式示意图。
附图标记说明
1天线结构，11天线辐射贴片，12天线基板介质层，13反射地平面， 14微孔；
2芯片，3封装体，4再布线层，41馈线，5焊球，6载体，7窗体结构实体。
具体实施方式
以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。
在本公开中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下”通常是指对应附图中的上、下，“内、外”是指相对于部件自身轮廓的内、外，“远、近”是指距离上的远、近。另外，所使用的术语词如“第一”、“第二”仅用于区分一个要素与另一个要素，不具有顺序性和重要性。
根据本公开的第一方面，提供一种封装天线，图3示出了一种实施例，参考图3中所示，所述封装天线包括：天线结构1，该天线结构1包括天线辐射贴片11、天线基板介质层12和反射地平面13，所述天线基板介质层12 具有相对的第一表面和第二表面，所述天线辐射贴片11固定于所述第一表面上且其辐射方向朝外，所述反射地平面13固定于所述第二表面上，天线辐射贴片11的辐射方向背离反射地平面；芯片2，该芯片2具有相对的正面和反面；封装体3，该封装体3具有相对的第一面和第二面，所述芯片2的正面和所述反射地平面13暴露于所述第二面且与该第二面平齐；再布线层 4，包括覆盖在所述第二面上的RDL介质层以及在RDL介质层上制作的 RDL金属层，所述RDL金属层形成包括馈线41和多个焊盘，所述馈线41 连接所述芯片2以向所述天线辐射贴片11馈电，所述焊盘通过所述RDL介质层中的过孔连接于所述芯片2；以及焊球5，该焊球5植在所述焊盘上。
通过上述技术方案，本公开提供的封装天线通过将预先制作好的天线模块与芯片同时集成在一个扇出封装体内的方式，能够显著地降低互连的寄生参数，进而实现封装天线的高度集成化、小型化，可以独立设计天线结构并交由厂家封装，在不牺牲天线性能的情况下简化了设计制作流程为封装天线的性能优化提供了较大的改善空间。馈线和辐射贴片分别在地平面两侧，便于分别设计馈线网络和天线辐射贴片。同时，虽然采用厂家提供的标准封装工艺，但天线介质层为预先制作好的天线基板介质，不是封装工艺所用的模塑材料，因而避免了模塑料介质波对方向图的影响。天线基板介质层的介电常数和厚度等参数可以根据设计自由调整，以便提高天线性能，有效抑制地平面表面波和介质波。另外，通过上述提供的封装天线，从焊球5引出的管脚只需提供低频、直流信号以及电源地连接，因此，可以降低对安装焊接所设计AiP的PCB图形和精度的要求，整个封装天线可以和通常芯片同样贴装。另外，天线辐射贴片11的尺寸直接影响谐振频率，也可以采用高精度基板工艺做，或者改用中心频率对尺寸误差敏感较弱的叠层贴片结构。
在本公开提供的具体实施方式中，天线辐射贴片11可以具有多种多样的形状，例如方形、圆形、椭圆、三角、扇形、环形等，对此，本公开不作具体限定。此外，天线基板介质层12可以由任意合适的材料制成，例如液晶LCP、聚酰亚胺PI、聚四氟乙烯PTFE、低温共烧陶瓷LTCC、FR4 等。模塑材料可以是环氧树脂等。另外，本方案中RDL金属层以及过孔均可以采用光刻方法形成，尺寸精度高，可以满足毫米波天线辐射贴片对馈线设计精度的要求。采用标准的Fan out工艺会使得制作较为简单。而高精度的RDL层能够实现小节距焊盘的扇出封装。
在本公开提供的具体实施方式中，为了消除模塑尺寸对方向图的影响和天线辐射贴片发射电磁波在模塑中的损耗，所述封装体3的第一面开设有窗口且该窗口位于所述天线辐射贴片11的上方，以暴露所述天线辐射贴片 11的辐射面。可选择地，所述窗口中填充有窗体结构实体7，该窗体结构实体7由低介电常数材料制成。
在本公开提供的具体实施方式中，馈线41和天线辐射贴片11不在一个金属层内，馈线41在底部，由再布线层3形成，天线辐射贴片11则由基板工艺形成。反射地平面13到天线辐射贴片11的距离由天线辐射贴片基板介质12层厚度决定，地平面可以由再布线层或者基板介质层布线工艺形成。因此，可以实现多种天线馈线结构，在本公开提供的实施方式中，所述反射地平面13形成有微孔14，以使得所述馈线41通过孔径耦合参考图5中所示的方式向所述天线辐射贴片11馈电，由于微孔14的孔径尺寸对天线辐射贴片输入阻抗有影响，可以用高精度的再布线工艺制作带孔径的地平面，以减小孔径尺寸误差。孔径馈电结构的采用使得信号通过地平面的孔径耦合到地平面上方的辐射贴片，预制天线内部无需制作通孔，内置地平面，无需在后续使用AiP的电路板上做反射地平面等图形。在本公开提供的另一种实施方式中，所述馈线41通过邻近馈电的方式向所述天线辐射贴片11 馈电，参考图4中所示。
在本公开提供的具体实施方式中，部分所述焊盘通过RDL介质层中的过孔连接于所述反射地平面13，以实现反射地平面13的接地，例如，通过焊盘下方的焊球5连接到PCB中。
根据本公开的第二方面，提供一种封装天线的制造方法，其中，所述封装天线制造方法包括：
制作天线结构1，将天线辐射贴片11、天线基板介质层12和反射地平面13依次布置且压合在一起，所述天线基板介质层12具有相对的第一表面和第二表面，所述天线辐射贴片11位于所述第一表面上且其辐射面朝外，所述反射地平面13位于所述第二表面上；
提供芯片2，该芯片2具有相对的正面和反面；
提供载体6，该载体6具有承载面；
将所述芯片2和所述天线结构1固定在所述载体6的承载面上，且使得所述芯片2的正面和所述反射地平面13与所述承载面贴合；
将所述芯片2和所述天线结构1通过封装层模塑为一个封装体3，该封装体3具有相对的第一面和第二面，所述芯片2的正面和所述反射地平面13 暴露于所述第二面且与该第二面平齐；
去除所述载体6；
在所述封装体3的第二面制作再布线层4，该再布线层4包括依次设置在所述第二面上的RDL介质层和RDL金属层，该RDL金属层形成有馈线 41图形、多个扇出引线图形和多个焊盘图形，所述馈线41图形连接于所述芯片2以向所述天线辐射贴片11馈电；
在多个所述焊盘上植焊球5。
通过上述技术方案，即本公开提供的封装天线的制造方法，通过将预先制作好的天线辐射贴片与芯片同时集成在一个扇出封装体内的方式，能够显著地降低互连的寄生参数，进而实现封装天线的高度集成化、小型化，可以独立设计天线结构并交由厂家封装，在不牺牲天线性能的情况下简化了设计制作流程，为封装天线的性能优化提供了较大的改善空间。馈线和辐射贴片分别在地平面两侧，便于分别设计馈线网络和天线辐射贴片。同时，虽然采用厂家提供的标准封装工艺，但天线基板介质层为预先制作好的天线基板介质，不是封装工艺所用的模塑材料，因而避免了模塑料介质波对方向图的影响。天线基板介质层的介电常数和厚度等参数可以根据设计自由调整，以便提高天线性能，有效抑制地平面表面波和介质波。另外，通过上述提供的封装天线，从焊球5引出的管脚只需提供低频、直流信号以及电源地连接，因此，可以降低对安装焊接所设计AiP的PCB图形和精度的要求，整个封装天线可以和通常芯片同样贴装。另外，天线辐射贴片11的尺寸直接影响谐振频率，也可以采用高精度基板工艺做，或者改用中心频率对尺寸误差敏感较弱的叠层贴片结构。
在本公开提供的具体实施方式中，为了消除模塑尺寸对方向图的影响和天线辐射贴片发射电磁波在模塑中的损耗，所述封装体3的第一面开设有窗口，且该窗口位于所述天线辐射贴片11的上方，以暴露所述天线辐射贴片11的辐射面。
在本公开提供的具体实施方式中，所述步骤“在所述封装体3的第一面开设窗口，且该窗口位于所述天线辐射贴片11的上方，以暴露所述天线辐射贴片11的辐射面”包括：
提供与所述窗口形状相匹配的窗体结构实体7；
在所述步骤“将所述芯片2和所述天线结构1通过封装层模塑为一个封装体3”之前，将所述窗体结构实体7连接到所述天线结构1上并位于所述天线辐射贴片11的外侧，且完全覆盖所述天线辐射贴片11；
在所述步骤“将所述芯片2和所述天线结构1使用模塑材料经模塑封装在一起”之后，去除所述窗体结构实体7以形成所述窗口。
在本公开提供的另一具体实施方式中，所述步骤“在所述封装体3的第一面开设窗口，且该窗口位于所述天线辐射贴片11的上方，以暴露所述天线辐射贴片11的辐射面”包括：
提供与所述窗口形状相匹配的窗体结构实体7，该窗体结构实体7由低介电常数材料制成；
在所述步骤“将所述芯片2和所述天线结构1通过封装层模塑为一个封装体3”之前，将所述窗体结构实体7连接到所述天线结构1上并位于所述天线辐射贴片11的外侧，且完全覆盖所述天线辐射贴片11；
在所述步骤“将所述芯片2和所述天线结构1使用模塑材料经模塑封装在一起”之后，将所述窗体结构实体7保留在所述天线结构1上。
在本公开提供的又一具体实施方式中，所述窗口通过所述步骤“将所述芯片2和所述天线结构1使用模塑材料经模塑封装在一起”中所使用的模具形成。
在本公开提供的具体实施方式中，所述天线结构1包括层压在所述第一表面的窗体结构实体7，该窗体结构实体7由低介电常数材料制成，在所述步骤“将所述芯片2和所述天线结构1使用模塑材料经模塑封装在一起”之后，所述封装体3形成所述窗口，且所述窗体结构实体7位于该窗口中。
在本公开提供的具体实施方式中，所述步骤“在所述封装体3的第二面制作再布线层4”包括：
在所述第二面上涂覆或层压RDL介质层；
在所述RDL介质层上制作所述RDL金属层；
采用溅射或光刻工艺在所述RDL金属层形成所述馈线41和多个焊盘的图形。
以上结合附图详细描述了本公开的优选实施方式，但是，本公开并不限于上述实施方式中的具体细节，在本公开的技术构思范围内，可以对本公开的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本公开的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。

Claims (2)

1.一种封装天线的制造方法，其特征在于，
所述封装天线包括：
天线结构（1），该天线结构（1）包括天线辐射贴片（11）、天线基板介质层（12）和反射地平面（13），所述天线基板介质层（12）具有相对的第一表面和第二表面，所述天线辐射贴片（11）固定于所述第一表面上且其辐射方向朝外，所述反射地平面（13）固定于所述第二表面上；
芯片（2），该芯片（2）具有相对的正面和反面；
封装体（3），该封装体（3）具有相对的第一面和第二面，所述芯片（2）的正面和所述反射地平面（13）暴露于所述第二面且与该第二面平齐；
再布线层（4），包括依次设置在所述第二面上的RDL介质层和RDL金属层，所述RDL金属层包括馈线（41）、多个扇出引线和多个焊盘，所述馈线（41）连接于所述芯片（2）以向所述天线辐射贴片（11）馈电，所述多个焊盘通过所述RDL介质层中的过孔连接于所述芯片（2）；以及
焊球（5），该焊球（5）植在所述焊盘上；
其中，所述封装体（3）的第一面开设有窗口且该窗口位于所述天线辐射贴片（11）的上方，其中，所述窗口不填充，以暴露所述天线辐射贴片（11）的辐射面；
所述制造方法包括：
制作天线结构（1），将天线辐射贴片（11）、天线基板介质层（12）和反射地平面（13）依次布置且压合在一起；
提供芯片（2）；
提供载体（6），该载体（6）具有承载面；
将所述芯片（2）和所述天线结构（1）固定在所述载体（6）的承载面上，且使得所述芯片（2）的正面和所述反射地平面（13）与所述承载面贴合；
将所述芯片（2）和所述天线结构（1）通过封装层模塑为一个封装体（3）；
在所述封装体（3）的第一面开设窗口，且该窗口位于所述天线辐射贴片（11）的上方；
去除所述载体（6）；
在所述封装体（3）的第二面制作再布线层（4）；
在多个所述焊盘上植焊球（5）；
其中，所述步骤“在所述封装体（3）的第一面开设窗口，且该窗口位于所述天线辐射贴片（11）的上方”包括：
提供与所述窗口形状相匹配的窗体结构实体（7）；
在所述步骤“将所述芯片（2）和所述天线结构（1）通过封装层模塑为一个封装体（3）”之前，将所述窗体结构实体（7）连接到所述天线结构（1）上并位于所述天线辐射贴片（11）的外侧，且完全覆盖所述天线辐射贴片（11）；
在所述步骤“将所述芯片（2）和所述天线结构（1）使用模塑材料经模塑封装在一起”之后，去除所述窗体结构实体（7）以形成所述窗口。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤“在所述封装体（3）的第二面制作再布线层（4）”包括：
在所述第二面上涂覆或层压RDL介质层；
在所述RDL介质层上制作所述RDL金属层；
采用溅射或光刻工艺在所述RDL金属层形成所述馈线（41）和多个焊盘的图形。
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