CN115133266A - 一种用于sip射频模组的封装天线 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种用于SIP射频模组的封装天线，包括：电路板；设置在电路板一侧的介质层，介质层包括依次连接的天线介质层、传输线介质层和植球介质层，植球介质层和电路板相接；天线介质层内部设置有天线模块，天线模块包括天线辐射体，天线辐射体设置在天线介质层远离传输线介质层一侧的外表面，天线辐射体为溅射形成的金属层；传输线介质层内部设置有射频传输线模块；植球介质层内部设置有植球模块和芯片裸片；其中，芯片裸片设置在植球介质层内部靠近传输线介质层的一侧。如此，通过在多层介质层内设置天线模块、射频传输线模块和植球模块，并将溅射形成的金属层作为天线辐射体，提高封装天线的整合度，解决现有封装天线的整合度较低问题。

Description

一种用于SIP射频模组的封装天线

技术领域

本申请涉及通信技术领域，特别涉及一种用于SIP射频模组的封装天线。

背景技术

在物联网时代，全球终端电子产品逐渐走向多功能整合设计，因此，将天线和芯片集成在一个封装结构内制成封装天线(Antenna inPacage，AiP)后，再将多个封装天线经过系统级封装形成一个SIP(System In aPackage)射频模组的技术日益受到关注。

现有的封装天线通常是将天线直接固定于电路板上，电路板的一侧为天线辐射侧，另一侧设置芯片和主板，另外再设置连接器用于封装天线和外界的互连。然而，这种方法获得的封装天线中，芯片、主板和电路板的连接方式导致占用空间过大，导致封装天线的整合度较低，不利于实现终端产品的多功能整合。

发明内容

本申请提供了一种用于SIP射频模组的封装天线，可用于解决现有封装天线的整合度较低的技术问题。

本申请提供一种用于SIP射频模组的封装天线，所述封装天线包括：

电路板；

设置在所述电路板一侧的介质层，所述介质层包括依次连接的天线介质层、传输线介质层和植球介质层，其中，所述植球介质层和所述电路板相接；所述介质层为模塑材料；

所述天线介质层内部设置有天线模块，所述天线模块包括天线辐射体，所述天线辐射体设置在所述天线介质层远离所述传输线介质层一侧的外表面，所述天线辐射体为溅射形成的金属层；

所述传输线介质层内部设置有射频传输线模块；

所述植球介质层内部设置有植球模块和芯片裸片；其中，所述芯片裸片设置在所述植球介质层内部靠近所述传输线介质层的一侧。

在一种可实现方式中，所述天线介质层包括依次连接的第一天线介质层和第二天线介质层，其中，所述第二天线介质层和所述天线介质层相接。

在一种可实现方式中，所述天线模块包括天线辐射体、天线地、至少一个第一馈电孔和至少一个短路孔，其中：

所述天线辐射体设置在所述第一天线介质层远离所述第二天线介质层一侧的外表面；

所述天线地设置在所述第二天线介质层远离所述第一天线介质层一侧的外表面；

所述第一馈电孔穿透设置在所述第一天线介质层和所述第二天线介质层的内部，一端连接所述天线辐射体，另一端连接所述天线地；所述第一馈电孔上设置有馈电孔孔环，所述馈电孔孔环和所述第一天线介质层靠近所述第二天线介质层一侧的内表面相接；

所述短路孔穿透设置在所述第一天线介质层和所述第二天线介质层的内部，一端连接所述天线地，另一端连接所述天线辐射体；所述短路孔上设置有短路孔孔环，所述短路孔孔环和所述第一天线介质层靠近所述第二天线介质层一侧的内表面相接。

在一种可实现方式中，所述天线模块还包括第二馈电孔和金属走线，其中：

所述第二馈电孔设置在所述第二天线介质层内部，一端连接所述天线地，另一端连接所述金属走线；

所述金属走线设置在所述第一天线介质层靠近所述第二天线介质层一侧的内表面，和所述天线辐射体耦合连接。

在一种可实现方式中，与所述第一馈电孔和所述第二馈电孔相对应，所述天线地上开设有至少一个天线地净空。

在一种可实现方式中，所述第一天线介质层远离所述第二天线介质层的一侧设置有第三天线介质层。

在一种可实现方式中，所述第三天线介质层远离所述第一天线介质层一侧的外表面设置有寄生天线，所述寄生天线为溅射形成的金属层；所述短路孔和所述第二馈电孔的一端连接所述天线地，另一端连接所述寄生天线。

在一种可实现方式中，所述传输线介质层包括依次连接的第一传输线介质层和第二传输线介质层，其中，所述第一传输线介质层和所述天线介质层相接，所述第二传输线介质层和所述植球介质层相接。

在一种可实现方式中，所述射频传输线模块包括射频传输线和至少两个互联结构，其中：

所述射频传输线设置在所述第一传输线介质层和所述第二传输线介质层之间，通过所述互联结构分别和所述天线模块、所述植球模块以及所述芯片裸片连接。

在一种可实现方式中，所述植球模块包括植球焊盘、植球槽和植球，其中：

所述植球焊盘一侧设置在所述植球介质层靠近所述传输线介质层一侧的内表面，另一侧和所述植球槽相连接；

所述植球设置在所述植球槽内部。

本申请提供一种用于SIP射频模组的封装天线，所述封装天线包括：电路板；设置在所述电路板一侧的介质层，所述介质层包括依次连接的天线介质层、传输线介质层和植球介质层，其中，所述植球介质层和所述电路板相接；所述介质层为模塑材料；所述天线介质层内部设置有天线模块，所述天线模块包括天线辐射体，所述天线辐射体设置在所述天线介质层远离所述传输线介质层一侧的外表面，所述天线辐射体为溅射形成的金属层；所述传输线介质层内部设置有射频传输线模块；所述植球介质层内部设置有植球模块和芯片裸片；其中，所述芯片裸片设置在所述植球介质层内部靠近所述传输线介质层的一侧。如此，通过在多层介质层内设置天线模块、射频传输线模块和植球模块，以及将溅射形成的金属层作为天线辐射体，提高封装天线的整合度，解决现有封装天线的整合度较低问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的一种用于SIP射频模组的封装天线的一种结构示意图；

图2为本申请提供的一种用于SIP射频模组的封装天线的另一种双层天线结构示意图；

图3为本申请提供的一种用于SIP射频模组的封装天线的又一种单芯片双天线结构示意图；

图4为本申请提供的一种用于SIP射频模组的封装天线的剖面结构示意图；

图5为本申请提供的一种用于SIP射频模组的封装天线的通过溅射的金属实现的不同的天线形式示意图。

图1至图5中：

100为电路板，200为介质层，210为天线介质层，211为第一天线介质层，212为第二天线介质层，213为第三天线介质层，220为传输线介质层，221为第一传输线介质层，222为第二传输线介质层，230为植球介质层，300为天线模块，310为天线辐射体，311为第一天线辐射体，312为第二天线辐射体，320为天线地，321为天线地净空，330为第一馈电孔，331为馈电孔孔环，340为短路孔，341为短路孔孔环，350为第二馈电孔，360为金属走线，370为寄生天线，400为射频传输线模块，410为射频传输线，420为互联结构，500为植球模块，510为植球焊盘，520为植球槽，530为植球，600为芯片裸片。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

以下实施例中所使用的术语只是为了描述特定实施例的目的，而并非旨在作为对本申请的限制。如在本申请的说明书和所附权利要求书中所使用的那样，单数表达形式“一个”、“一种”、“所述”、“上述”、“该”和“这一”旨在也包括例如“一个或多个”这种表达形式，除非其上下文中明确地有相反指示。还应当理解，在本申请以下各实施例中，“至少一个”、“一个或多个”是指一个、两个或两个以上，“多个”是指两个或者两个以上。术语“和/或”，用于描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系；例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A、B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

在本说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。

下面首先对本申请实施例的在模塑上进行溅射的技术进行介绍。

Sputter溅射一般是在充有惰性气体的真空环境中，通过高压电场的作用，使得氩气电离，产生氩离子流，轰击靶阴极，被溅出的靶材料原子或分子沉淀积累在半导体芯片或玻璃，陶瓷等基板上而形成薄膜，通过溅射形成的金属层具有很好的均匀性和延展性，而且金属层的阻抗非常小，具有非常低损耗的优点，另外还具有加工精度高的优势，溅射工艺通常用来在基板材料上溅射大面积的金属层从而制造各种屏蔽结构体，本发明通过在模塑(Molding Compound)表面加上溅射(Sputter)技术为用于SIP射频模组的封装天线设计提供了新的可能。在模塑表面上通过溅射形成预先设定好的金属图形，该金属图形为预先设计好的有规律的天线图形。如此，可以通过在模塑上溅射形成的金属图形将电磁能量辐射出去，这样制成的金属天线还可以用来做电磁屏蔽体。此外，模塑的各个表面都可以用于封装天线的设计，从而提高封装天线的整合度，解决现有封装天线的整合度较低的问题。

需要说明的是，除了在模塑表面上通过溅射技术形成预先设定好的金属图形，也可以在模塑表面上通过喷涂(Spray Coating)技术形成预先设定好的金属图形，二者的效果是一致的。

本申请实施例公开了一种用于SIP射频模组的封装天线，下面结合附图对本申请实施例公开的一种用于SIP射频模组的封装天线进行具体说明。

参见图1，为本申请提供的一种用于SIP射频模组的封装天线的一种结构示意图；

由图1可知，本申请实施例提供的所述封装天线包括：

电路板100；

在本申请一些实施例中，所述电路板100为PCB(Printed Circuit Board)印制电路板，又称印刷线路板，是本申请中封装天线的支撑体，也是所述封装天线和外界实现电气相互连接的载体。所述电路板100具有导电线路和绝缘底板的双重作用。

设置在所述电路板100一侧的介质层200，所述介质层200包括依次连接的天线介质层210、传输线介质层220和植球介质层230，其中，所述植球介质层230和所述电路板100相接；所述介质层200为模塑材料；

在本申请一些实施例中，所述介质层200为模塑材料，所述天线辐射体310和所述射频传输线410都是经过溅射或者喷涂技术形成的，因此，所述天线辐射体310和所述射频传输线410等天线和线路都会设置在所述介质层200中各层的表面。

所述天线介质层210内部设置有天线模块300，所述天线模块300包括天线辐射体310，所述天线辐射体310设置在所述天线介质层210远离所述传输线介质层220一侧的外表面，所述天线辐射体310为溅射形成的金属层；

在本申请一些实施例中，所述天线辐射体310为溅射形成的金属层，也可以为喷涂形成的金属层。经过溅射或者喷涂形成的所述天线辐射体310，工艺精度可以达到纳米级。而传统的封装天线所用的PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)工艺、HDI(HighDensity Interconnector，高密度互连制造)工艺、LTCC(Low Temperature Co-firedCeramic，低温共烧陶瓷)工艺或者基板工艺基本上都是在微米级别。然而，5G毫米波频段频率比较高，因此对封装天线的设计精度要求比较高，本申请中采用溅射形成的所述天线辐射体310就可以达到5G毫米波频段频率对封装天线的设计精度要求。

在本申请实施例中，通过溅射形成的金属层非常平整，金属层的粗糙度非常好，这对于60Ghz毫米波手势雷达天线的设计和W波段SiP天线设计都非常有优势，由于频段非常高，所以天线的射频性能对粗糙度要求比较高。

在本申请实施例中，溅射工艺除了上下表面层可以用于天线的设计以外，侧面也可以用于天线的设计，这样可以使天线更加小型化，集成度更高，同时也可以改善天线隔离度进一步增加相控阵天线相位扫描带宽。

下面介绍本申请实施例中所述天线模块300的不同实施例。

在本申请实施例的一种可实现方式中，所述天线介质层210包括依次连接的第一天线介质层211和第二天线介质层212，其中，所述第二天线介质层212和所述传输线介质层220相接。

在本申请实施例中，所述第一天线介质层211和所述第二天线介质层212均为模塑。

在本申请实施例中，将所述天线介质层210设置为所述第一天线介质层211和所述第二天线介质层212，可以更方便在所述第一天线介质层211和所述第二天线介质层212之间设置走线，比如所述金属走线360。

在本申请实施例的一种可实现方式中，所述天线模块300包括天线辐射体310、天线地320、至少一个第一馈电孔330和至少一个短路孔340，其中，所述第一馈电孔330和所述短路孔340的数量及具体位置根据实际的天线使用需求设置；

在本申请实施例的一种可实现方式中，所述天线辐射体310设置在所述第一天线介质层211远离所述第二天线介质层212一侧的外表面；所述天线辐射体310为溅射形成的金属层；

所述天线地320设置在所述第二天线介质层212远离所述第一天线介质层211一侧的外表面；

所述第一馈电孔330穿透设置在所述第一天线介质层211和所述第二天线介质层212的内部，一端连接所述天线辐射体310，另一端连接所述天线地320；所述第一馈电孔330上设置有馈电孔孔环331，所述馈电孔孔环331和所述第一天线介质层211靠近所述第二天线介质层212一侧的内表面相接；

所述短路孔340穿透设置在所述第一天线介质层211和所述第二天线介质层212的内部，一端连接所述天线地320，另一端连接所述天线辐射体310；所述短路孔340上设置有短路孔孔环341，所述短路孔孔环341和所述第一天线介质层211靠近所述第二天线介质层212一侧的内表面相接。

在本申请实施例的一种可实现方式中，所述天线模块300还包括第二馈电孔350和金属走线360，其中：

所述第二馈电孔350设置在所述第二天线介质层212内部，一端连接所述天线地320，另一端连接所述金属走线360；

所述金属走线360设置在所述第一天线介质层211靠近所述第二天线介质层212一侧的内表面，和所述天线辐射体310耦合连接。

在本申请实施例的一种可实现方式中，与所述第一馈电孔330和所述第二馈电孔350相对应，所述天线地320上开设有至少一个天线地净空321。所述天线地净空321用于使信号线穿过当前介质层或所述天线地320，避免短路。

参见图2，为本申请提供的一种用于SIP射频模组的封装天线的另一种双层天线结构示意图；

由图2可知，本申请的所述天线模块300可以在另一种可实现方式中，设置为双层天线。

在本申请实施例的另一种可实现方式中，所述第一天线介质层211远离所述第二天线介质层212的一侧设置有第三天线介质层213。此时，所述天线辐射体310设置在所述第三天线介质层213靠近所述第一天线介质层211的内表面。

在本申请实施例的另一种可实现方式中，所述第三天线介质层213远离所述第一天线介质层211一侧的外表面设置有寄生天线370，所述寄生天线370为溅射形成的金属层；所述短路孔340和所述第二馈电孔350的一端连接所述天线地320，另一端连接所述寄生天线370。

在本申请实施例的另一种可实现方式中，通过将所述天线辐射体310当做天线主辐射体，再设置所述寄生天线370，实现双层封装天线的结构。

需要说明的是，基于本申请实施例另一种可实现方式中的双层封装天线，也可以实现多层封装天线的结构，只需要在所述第三天线介质层213和所述寄生天线370的基础上继续增设天线介质层和寄生天线即可。

参见图3，为本申请提供的一种用于SIP射频模组的封装天线的又一种单芯片双天线结构示意图；

由图3可知，本申请的所述天线模块300可以在又一种可实现方式中，设置为双天线。

在本申请实施例的又一种可实现方式中，所述天线辐射体310包括第一天线辐射体311和第二天线辐射体312，所述第一天线辐射体311和所述第二天线辐射体312设置在和所述天线辐射体310相同的位置。

需要说明的是，基于本申请实施例又一种可实现方式中的单芯片双天线结构，也可以实现单芯片多天线的结构。天线的数量可以芯片的通道数确定。

参见图4，为本申请提供的一种用于SIP射频模组的封装天线的剖面结构示意图；

由图4可知，在本申请实施例中，也可以实现单芯片四天线的结构，此时的天线辐射体310可以包括四个天线。

下面继续介绍本申请实施例中其他结构的可实现方式。

在本申请实施例中，所述传输线介质层220内部设置有射频传输线模块400。

参见图1，在本申请实施例的一种可实现方式中，所述传输线介质层220包括依次连接的第一传输线介质层221和第二传输线介质层222，其中，所述第一传输线介质层221和所述天线介质层210相接，所述第二传输线介质层222和所述植球介质层230相接。

在本申请实施例中，将所述传输线介质层220设置为所述第一传输线介质层221和所述第二传输线介质层222，可以更方便在所述第一传输线介质层221和所述第二传输线介质层222之间设置走线，比如所述射频传输线410。

在本申请实施例的一种可实现方式中，所述射频传输线模块400包括射频传输线410和至少两个互联结构420，其中：

所述射频传输线410设置在所述第一传输线介质层221和所述第二传输线介质层222之间，通过所述互联结构420分别和所述天线模块300、所述植球模块500以及所述芯片裸片600连接。

在本申请实施例的一种可实现方式中、另一种可实现方式中以及又一种可实现方式中，都可以根据具体的布线要求，设置所述射频传输线410的走线以及所述互联结构420的数量和位置。

在本申请实施例中，所述植球介质层230内部设置有植球模块500和芯片裸片600；其中，所述芯片裸片600设置在所述植球介质层230内部靠近所述传输线介质层220的一侧。

在本申请实施例的一种可实现方式中，所述植球模块500包括植球焊盘510、植球槽520和植球530，其中：

所述植球焊盘510一侧设置在所述植球介质层230靠近所述传输线介质层220一侧的内表面，另一侧和所述植球槽520相连接；

所述植球530设置在所述植球槽520内部。

在本申请实施例的一种可实现方式中、另一种可实现方式中以及又一种可实现方式中，都可以根据具体的布线要求，设置所述植球模块500的数量和位置。

参见图5，为本申请提供的一种用于SIP射频模组的封装天线的通过溅射的金属实现的不同的天线形式示意图；

由图5可知，本申请实施例可以通过溅射的金属实现的不同的天线形式。

具体来说，图5中的(a)采用双层天线结构，作为主天线的天线辐射体与寄生天线分别位于不同的模塑的表面，实现双频双极化的宽频天线性能；图5中的(b)为±45度极化双频天线性能；图5中的(c)、图5中的(d)和图5中的(e)为不同的贴片(patch)双频双极化天线形式，均为±45度极化的，可以根据不同的项目实际需求进行选择。

结合图5，在本申请中，封装天线(antenna inpacage，AiP)是基于封装材料于工艺将天线与芯片集成在封装内实现系统级无线功能的一门技术。AiP技术将天线触角伸向集成电路，封装，材料与工艺等领域，倡导多学科协同谁与系统级优化。多个AiP可以组成SiP(System in Pacage)。具体来说，根据芯片的通道数来看，比如：有的芯片一颗可以带1个天线，那么一个天线就是AiP，2x2天线阵列就是SiP。有的芯片一颗可以带4个天线，那么2x2共4个天线就是AiP，4x4天线阵列或者更多阵列数组成的就是SiP。

基于本申请的封装天线形成的SIP射频模组的优势主要体现在：可以通过改变模组以及尺寸缩小，为终端产品提供更大的电磁空间，从而集成更多的功能；以及通过异质整合减少组装厂的工序，降低产业链的复杂度；此外，SIP射频模组还可以实现更好的电磁屏蔽功能。

采用上述技术方案，本申请提供一种用于SIP射频模组的封装天线，所述封装天线包括：电路板100；设置在所述电路板100一侧的介质层200，所述介质层200包括依次连接的天线介质层210、传输线介质层220和植球介质层230，其中，所述植球介质层230和所述电路板100相接；所述介质层200为模塑材料；所述天线介质层210内部设置有天线模块300，所述天线模块300包括天线辐射体310，所述天线辐射体310设置在所述天线介质层210远离所述传输线介质层220一侧的外表面，所述天线辐射体310为溅射形成的金属层；所述传输线介质层220内部设置有射频传输线模块400；所述植球介质层230内部设置有植球模块500和芯片裸片600；其中，所述芯片裸片600设置在所述植球介质层230内部靠近所述传输线介质层220的一侧。如此，通过在多层介质层内设置天线模块、射频传输线模块和植球模块，以及将溅射形成的金属层作为天线辐射体，提高封装天线的整合度，解决现有封装天线的整合度较低的问题。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段；说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变；本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种用于SIP射频模组的封装天线，其特征在于，所述封装天线包括：

电路板(100)；

设置在所述电路板(100)一侧的介质层(200)，所述介质层(200)包括依次连接的天线介质层(210)、传输线介质层(220)和植球介质层(230)，其中，所述植球介质层(230)和所述电路板(100)相接；所述介质层(200)为模塑材料；

所述天线介质层(210)内部设置有天线模块(300)，所述天线模块(300)包括天线辐射体(310)，所述天线辐射体(310)设置在所述天线介质层(210)远离所述传输线介质层(220)一侧的外表面，所述天线辐射体(310)为溅射形成的金属层；

所述传输线介质层(220)内部设置有射频传输线模块(400)；

所述植球介质层(230)内部设置有植球模块(500)和芯片裸片(600)；其中，所述芯片裸片(600)设置在所述植球介质层(230)内部靠近所述传输线介质层(220)的一侧。

2.根据权利要求1所述的一种用于SIP射频模组的封装天线，其特征在于，所述天线介质层(210)包括依次连接的第一天线介质层(211)和第二天线介质层(212)，其中，所述第二天线介质层(212)和所述天线介质层(220)相接。

3.根据权利要求2所述的一种用于SIP射频模组的封装天线，其特征在于，所述天线模块(300)包括天线辐射体(310)、天线地(320)、至少一个第一馈电孔(330)和至少一个短路孔(340)，其中：

所述天线辐射体(310)设置在所述第一天线介质层(211)远离所述第二天线介质层(212)一侧的外表面；

所述天线地(320)设置在所述第二天线介质层(212)远离所述第一天线介质层(211)一侧的外表面；

所述第一馈电孔(330)穿透设置在所述第一天线介质层(211)和所述第二天线介质层(212)的内部，一端连接所述天线辐射体(310)，另一端连接所述天线地(320)；所述第一馈电孔(330)上设置有馈电孔孔环(331)，所述馈电孔孔环(331)和所述第一天线介质层(211)靠近所述第二天线介质层(212)一侧的内表面相接；

所述短路孔(340)穿透设置在所述第一天线介质层(211)和所述第二天线介质层(212)的内部，一端连接所述天线地(320)，另一端连接所述天线辐射体(310)；所述短路孔(340)上设置有短路孔孔环(341)，所述短路孔孔环(341)和所述第一天线介质层(211)靠近所述第二天线介质层(212)一侧的内表面相接。

4.根据权利要求3所述的一种用于SIP射频模组的封装天线，其特征在于，所述天线模块(300)还包括第二馈电孔(350)和金属走线(360)，其中：

所述第二馈电孔(350)设置在所述第二天线介质层(212)内部，一端连接所述天线地(320)，另一端连接所述金属走线(360)；

所述金属走线(360)设置在所述第一天线介质层(211)靠近所述第二天线介质层(212)一侧的内表面，和所述天线辐射体(310)耦合连接。

5.根据权利要求4所述的一种用于SIP射频模组的封装天线，其特征在于，与所述第一馈电孔(330)和所述第二馈电孔(350)相对应，所述天线地(320)上开设有至少一个天线地净空(321)。

6.根据权利要求5所述的一种用于SIP射频模组的封装天线，其特征在于，所述第一天线介质层(211)远离所述第二天线介质层(212)的一侧设置有第三天线介质层(213)。

7.根据权利要求6所述的一种用于SIP射频模组的封装天线，其特征在于，所述第三天线介质层(213)远离所述第一天线介质层(211)一侧的外表面设置有寄生天线(370)，所述寄生天线(370)为溅射形成的金属层；所述短路孔(340)和所述第二馈电孔(350)的一端连接所述天线地(320)，另一端连接所述寄生天线(370)。

8.根据权利要求1所述的一种用于SIP射频模组的封装天线，其特征在于，所述传输线介质层(220)包括依次连接的第一传输线介质层(221)和第二传输线介质层(222)，其中，所述第一传输线介质层(221)和所述天线介质层(210)相接，所述第二传输线介质层(222)和所述植球介质层(230)相接。

9.根据权利要求8所述的一种用于SIP射频模组的封装天线，其特征在于，所述射频传输线模块(400)包括射频传输线(410)和至少两个互联结构(420)，其中：

所述射频传输线(410)设置在所述第一传输线介质层(221)和所述第二传输线介质层(222)之间，通过所述互联结构(420)分别和所述天线模块(300)、所述植球模块(500)以及所述芯片裸片(600)连接。

10.根据权利要求1所述的一种用于SIP射频模组的封装天线，其特征在于，所述植球模块(500)包括植球焊盘(510)、植球槽(520)和植球(530)，其中：

所述植球焊盘(510)一侧设置在所述植球介质层(230)靠近所述传输线介质层(220)一侧的内表面，另一侧和所述植球槽(520)相连接；

所述植球(530)设置在所述植球槽(520)内部。

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