JP6200236B2 - 電子装置 - Google Patents
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Description
先ず、本願において開示される実施の形態について概要を説明する。実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
電子装置(1)は、実装基板(3)と、第1半導体部品(11)と、第2半導体部品(17)と、第3半導体部品(2)とを含む。第1半導体部品はクロック信号に同期して動作する第1半導体チップ(11_CHP)を有し、前記実装基板の第1半導体部品搭載領域(21)に搭載される。第2半導体部品はクロック信号に同期して動作する第2半導体チップを有し、前記第1半導体部品搭載領域の隣に位置する前記実装基板の第2半導体部品搭載領域(27)に搭載される。第3半導体部品は、前記第1半導体チップ及び第2半導体チップをそれぞれ制御する第3半導体チップ(2_CHP)を有し、前記第1及び第2半導体部品搭載領域の隣に位置する前記実装基板の第3半導体部品搭載領域(20)に搭載される。前記第3半導体部品は、前記実装基板に設けられた主配線(CALmn)、及び前記主配線の第1分岐点(PSBcaf_1)及び第2分岐点(PSBcaf_4)において前記主配線からそれぞれ分岐した第1分岐配線(CALsb_1)及び第2分岐配線(CALsb_7)を介して、前記第1半導体部品及び第2半導体部品とそれぞれ電気的に接続されている。前記第1分岐点及び第2分岐点は、前記実装基板のうち、前記第1半導体部品搭載領域及び第2半導体部品搭載領域の外にそれぞれ配置されている。前記第1分岐配線及び第2分岐配線上には、第1チップ抵抗(RS_CA)及び第2チップ抵抗(RS_CA)がそれぞれ直列に実装されている。
項1記載の電子装置において、前記第1半導体部品及び第2半導体部品はクロック信号に同期動作される第1メモリデバイス及び第2メモリデバイスであり、前記第3半導体部品は前記第1メモリデバイス及び第2メモリデバイスを制御するコントロールデバイスである。
項2記載の電子装置において、前記主配線はコマンド・アドレス信号主配線であり、前記分岐配線はコマンド・アドレス信号分岐配線である。
項3記載の電子装置において、前記実装基板に設けられたクロック信号主配線(CKLmn)と、前記クロック信号主配線の第1及び第2分岐点(PSBck_1,PSBck_4))において前記クロック信号主配線からそれぞれ分岐したクロック信号分岐配線(CKLsb_1,CKLsb_7))とを介して、前記コントロールデバイスから前記第1メモリデバイス及び第2メモリデバイスにクロック信号が供給される。
項4記載の電子装置において、前記コントロールデバイスは、前記クロック信号主配線に出力するクロック信号のサイクル単位で前記コマンド・アドレス信号主配線にコマンド・アドレス信号を出力する。
項4記載の電子装置において、前記実装基板に設けられたコントロール信号主配線(CNTLmn)と、前記コントロール信号主配線の第1及び第2分岐点(PSBcnt_1,PSBcnt_4)において前記コントロール信号主配線からそれぞれ分岐したコントロール信号分岐配線(CNTLsb_1,CNTLsb_7)とを介して、前記コントロールデバイスから前記第1メモリデバイス及び第2メモリデバイスにコントロール信号が供給される。
項5に記載の電子装置において、前記実装基板は前記コントロールデバイスを前記第1メモリデバイスに接続する第1データ系配線(DTLmn,DTLsb_1)と、前記コントロールデバイスを前記第2メモリデバイスに接続する第2データ系配線とを含む。前記コントロールデバイスは、前記コントロール信号によって活性化された前記第1メモリデバイス及び第2メモリデバイスとの間でデータの入力又は出力を行う。
項1に記載の電子装置において、前記第1分岐点(PSBcaf_1)から最も離れた分岐点である前記第2分岐点(PSBcaf_4)までの配線長は、前記コントロールデバイスから前記第1分岐点までの配線長よりも長い。例えば、複数のDIMMを用いた場合、コントロールデバイスから各DIMMにデータ信号を供給するための配線は、主にフライバイ形態で接続される。そのため、信号品質を確保する上では、この配線(主配線)に接続された複数のDIMMのうち、最もコントロールデバイスの近くに接続されたDIMMへの分岐点から、コントロールデバイスから最も離れたDIMMとの接続点までの配線長を、できるだけ短くしておく必要がある。
電子装置(1)は、実装基板(3)と、i×j(iは2以上の整数、jは正の整数であって、j≦i)個の第1半導体部品(11〜18)と、第2半導体部品(2)とを含む。i×j個の第1半導体部品は、クロック信号に同期して動作する第1半導体チップ(11_CHP、…)をそれぞれが有し、前記実装基板のi×j個のデバイス搭載領域(21〜28)に個別に搭載される。第2半導体部品は、前記i×j個の第1半導体部品(メモリデバイス)を制御する第2半導体チップ(2_CHP)を有し、前記実装基板上の前記デバイス搭載領域の隣の領域(20)に搭載される。前記実装基板は、前記第2半導体部品とi×j個の前記第1半導体部品とを電気的に接続する複数の第1信号経路として、複数個の第1信号主配線(CALmn)と、夫々の前記第1信号主配線(コマンド・アドレス信号配線)のi個の分岐点(PSBcaf_1,2,3,4)で夫々分岐した第1信号分岐配線(CALsb_1,3,5,7、CALsb_2,4,6,8)とを含む。前記i個の分岐点の全部又は一部は、前記実装基板のうち、前記デバイス搭載領域外にそれぞれ配置されている。前記全部又は一部の分岐点から分岐された第1信号分岐配線の途中にはチップ抵抗(RS_CA)が直列に接続されている。
項9記載の電子装置において、前記第1半導体部品はクロック信号に同期動作されるメモリデバイスである。前記第2半導体部品は前記メモリデバイスを制御可能なコントロールデバイスである。
項10記載の電子装置において、前記第1信号主配線はコマンド・アドレス信号主配線であり、前記第1信号分岐配線はコマンド・アドレス信号分岐配線である。
項11に記載の電子装置において、前記コントロールデバイスは、前記i×j個のメモリデバイスをi個単位のjランクのメモリモジュールとして制御する。
項12に記載の電子装置において、前記実装基板は、前記コントロールデバイスとi×j個の前記メモリデバイスとを電気的に接続する複数の第2信号経路として、クロック信号主配線(CKLmn)と、前記クロック信号主配線のi個の分岐点(PSBck_1,2,3,4)で夫々分岐したクロック信号分岐配線(CKLsb_1,3,5,7、CKLsb2,4,6,8)とを含む。
項13記載の電子装置において、前記コントロールデバイスは、前記クロック信号主配線に出力するクロック信号のサイクル単位で前記コマンド・アドレス信号主配線にコマンド・アドレス信号を出力する。
項13に記載の電子装置において、前記実装基板は、前記コントロールデバイスとi×j個の前記メモリデバイスとを電気的に接続する複数の第3信号経路として、同一ランクに属するi個のメモリデバイスの集合単位で前記実装基板に設けられたコントロール信号主配線(CNTLmn)と、前記コントロール信号主配線のi個のコントロール信号分岐点(PSBcnt_1,2,3,4)で夫々分岐したコントロール信号分岐配線(CNTLsb_1,3,5,7、CNTLsb_2,4,6,8)とを含む。前記コントロールデバイスは、同一ランクに属する前記i個のメモリデバイスの集合単位で前記コントロール信号主配線にコントロール信号を出力する。
項15に記載の電子装置において、前記実装基板は、前記コントロールデバイスとi×j個の前記メモリデバイスとを電気的に接続する複数の第4信号経路として、同一ランク内ではメモリデバイス毎に個別であって且つjランクのランク間では対応するメモリデバイス毎に共通化して設けられたデータ系信号主配線(DTLmn)と、前記データ系信号主配線データ系信号分岐点で分岐したj個のデータ系信号分岐配線(DTLsb_1,DTLsb_2)とを含む。前記コントロールデバイスは、前記コントロール信号によって活性化されたランクのメモリデバイスとの間でデータの入力又は出力を行う。
実施の形態について更に詳述する。
電子装置の一例として、図1は配線を透視した場合のマザーボードの上面(表面)図、図2は配線を透視した場合のマザーボードの下面(裏面)図、図3は配線を透視しない場合の上面(表面)図、図4は配線を透視しない場合の下面(裏面)図である。
コマンドにはローアドレス系のアクティブコマンド(ACT)、カラムアドレス系コマンドとしてのリードコマンド(RD)及びライトコマンド(WR)等がある。アクティブコマンドはローアドレスを指示してローアドレス系をアクティブにするためのコマンドである。リードコマンドは、ローアドレス系がアクティブにされた後にカラムアドレスを指示してカラム系をリード動作させるコマンドである。ライトコマンドはローアドレス系がアクティブにされた後にカラムアドレスを指示してカラム系をライト動作させるコマンドである。ライトコマンド及びリードコマンドで指示されるカラム系動作はバーストアクセス動作とされ、カラムアドレスで指示されたアドレスを基点にバースト数分のデータを連続的にリード又はライトする。DDR3−SDRAMはバースト数8を基本とする。ライトコマンド及びリードコマンドで指示されるカラム系動作によって最初の読出しデータが確定し、或いは最初に書き込みデータを入力可能になるまでには、カラム系回路の動作が所定の状態に到達するのを待たなければならない。リード動作におけるそのような遅延時間をリードレイテンシ、ライト動作におけるそのような遅延時間をライトレイテンシと称し、回路構成上クロック信号(CK)の複数周期分の時間として決められる。オンダイターミネーション信号(ODT)はDDR3−SDRAMが内蔵するデータ系配線の終端に配置された終端抵抗を有効にするか否かを指示する信号であり、DQ,DQSなどのデータ系信号のチップ内配線に対してだけ有意とされる。
次に、本実施の形態で使用するコントロールデバイス2の構成について、以下に説明する。
次に、本実施の形態のコントロールデバイス2の製造方法について、以下に説明する。
基材準備工程(図16)では、母材を準備する。本実施の形態で使用する母材は、特に制限されないが、所謂、多数個取り基板ではなく、配線基板100とされ、平面形状が四角形から成り、ボンディングリード101及びバンプランド102が上下面それぞれに形成される。
チップマウント(ダイボンド)工程において配線基板100のデバイス領域にマイクロコンピュータチップのようなコントローラチップ2_CHPが搭載される(図17参照)。上記したコントローラチップ2_CHPを配線基板100のデバイス領域における上面(チップ搭載面)上に、接着材(ダイボンド材)を介して搭載する。詳細に説明すると、コントローラチップ2_CHPの裏面(背面)が配線基板100の上面と対向するように、接着材(ダイボンド材)を介して配線基板100の上面に搭載する。このとき、配線基板100の上面に形成された複数のボンディングリード101がコントローラチップ2_CHPから露出するように搭載する。尚、ここで用いる接着材は、例えばフィルム状の接着材であり、絶縁性を有する。これは、ペースト状(流動性を有する)の接着材(流動性を有する接着材)であってもよい。
ワイヤボンディング工程では、図18のようにコントローラチップ2_CHPの複数の電極パッド103を対応するボンディングリード101に、導電性部材であるワイヤ105を介してそれぞれ電気的に接続する。
モールド工程では、配線基板100の周縁部が露出するように、成型金型に形成された1つキャビティで1つのコントローラチップ2を覆う、所謂、個片モールド方式により封止体106を形成する(図19参照)。封止体106には、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂を用いることができる。
ボールマウント工程では、封止体106で封止された配線基板100を図示しない成形金型から取り出した後、各デバイス領域における下面に形成されたバンプランド102に、外部端子となる半田ボール(半田材)107を形成(接続)する(図20参照)。尚、半田ボール107は、例えば錫(Sn)と銀(Ag)と銅(Cu)の合金からなる、所謂、鉛フリー半田材を使用している。尚、前記鉛フリー半田材とは、RoHS(Restriction of Hazardous Substances)指令に基づいて、鉛(Pb)の含有率が1000ppm(0.1wt%)以下のものを言う。尚、錫(Sn)を含有する半田材を使用した場合には、銅(Cu)が拡散しやすいことから、本実施の形態は、前記鉛フリー半田材に限らず、鉛(Pb)を含有する半田材を使用した場合にも適用することができるが、環境汚染対策を考慮した場合は、本実施の形態のように、鉛フリー半田材を使用することが好ましい。
上記組立工程を経て得られたコントロールデバイス2及びメモリデバイス11〜18などの半導体部品を実装基板3に実装する部品マウント工程において、主な半導体部品の搭載順は、実装基板3の第1面(表面)にコントロールデバイス2を先に実装してから、複数のメモリデバイス11,13,15,17を搭載し、その後に、実装基板3の第2面(裏面)に複数のメモリデバイス12,14,16,18を搭載すればよい。或いはその逆に、実装基板3の第2面(裏面)に複数のメモリデバイス12,14,16,18を搭載し、その後に、実装基板3の第1面(表面)にコントロールデバイス2を先に実装してから、複数のメモリデバイス11,13,15,17を搭載してもよい。終端抵抗やスタブ抵抗はコントロールデバイス2及びメモリデバイス11〜18の搭載順に合わせて実装すればよい。
本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、上記実施の形態では、各半導体部品を組み立てた後、実装基板上に搭載することについて説明したが、各半導体部品は、予め完成したものを準備しておいてもよい。
また、上記実施の形態では、多層配線構造の実装基板のうち、主に3層目の配線層(内部配線層)においてコマンド・アドレス信号用配線を引き回すことについて説明したが、内部配線層であれば、3層目に限らず、例えば6層目の配線層において各メモリデバイスの近傍まで引き回してもよい。
また、フライバイトポロジで実装基板に搭載するメモリデバイスはDDR3−SDRAMに限定されず、その他の構成を有するメモリ、更にはその他の半導体部品であってもよい。
また、コントロールデバイスはマイクロコンピュータに限定されず、適宜のシステムオンチップのデータ処理デバイス、或いはメモリコントロールデバイスなどであってもよい。
i×jこのメモリデバイスは2ランクの8個のメモリデバイスに限定されない。ランク数と1ランク当たりのメモリデバイス数はコントロールデバイスのメモリコントロール機能に応じて適宜変更可能である。
分岐配線にスタブ抵抗としてチップ抵抗を挿入する信号線の種類はアドレス・コマンド信号線に限定されない。フライバイトポロジの分岐点が半導体部品と表裏で重なる位置から離れることになる分岐点を持つ信号線であれば、その信号の種類は問わない。
さらに、上記実施の形態で説明した技術思想の要旨を逸脱しない範囲内において、変形例同士を組み合わせて適用することができる。
2 コントロールデバイス(半導体部品、半導体装置、ロジックデバイス、SOC)
2_CHP コントロールチップ(半導体チップ、ロジックチップ)
3 実装基板(マザーボード、モジュール基板)
11 メモリデバイス(半導体部品、半導体装置、DRAM1)
12 メモリデバイス(半導体部品、半導体装置、DRAM2)
13 メモリデバイス(半導体部品、半導体装置、DRAM3)
14 メモリデバイス(半導体部品、半導体装置、DRAM4)
15 メモリデバイス(半導体部品、半導体装置、DRAM5)
16 メモリデバイス(半導体部品、半導体装置、DRAM6)
17 メモリデバイス(半導体部品、半導体装置、DRAM7)
18 メモリデバイス(半導体部品、半導体装置、DRAM8)
11_CHP〜18_CHP メモリチップ(半導体チップ)
CKL クロック信号経路
CAL コマンド・アドレス信号経路
DTL データ系信号経路
CNTL コントロール信号経路
CTdw1〜CTdw4 メモリ用データ端子
CTck クロック出力端子
CTca コマンド・アドレス出力端子
CTcnt コントロール出力端子
MTd1 データ端子
MTd2 データ端子
MTd3 データ端子
MTd4 データ端子
MTd5 データ端子
MTd6 データ端子
MTd7 データ端子
MTd8 データ端子
MTck クロック入力端子
MTca コマンド・アドレス入力端子
MTcnt コントロール入力端子
PSBd データ系信号経路の分岐点
PSBck クロック信号経路の分岐点
PSBcan メモリデバイスに表裏方向に重なるコマンド・アドレス信号経路の分岐点
PSBcaf メモリデバイスに表裏方向に重ならないコマンド・アドレス信号経路の分岐点
PSBcnt コントロール信号経路の分岐点
RD_CK クロック信号経路の差動終端抵抗
RT_CA コマンド・アドレス信号経路の終端抵抗
RT_CNTコントロール信号経路の終端抵抗
RS_CA スタブ抵抗
CALmn コマンド・アドレス信号主配線(主配線)
PSBcaf(PSBcaf_1〜PSBcaf_4) 分岐点
CALsb(CALsb_1〜CALsb_8) コマンド・アドレス分岐配線(スタブ配線)
CKLmn クロック信号主配線
PSBck_1〜PSBck_4クロック信号主配線CKLmnの分岐点
CKLsb_1〜CKLsb_8 クロック信号分岐配線
CNTLmn コントロール信号主配線
PSBcnt_1〜PSBcnt_4 コントロール信号主配線の分岐点
CNTLsb_1〜CNTLsb_8 コントロール信号分岐配線
20 コントロールデバイス搭載領域
21 メモリデバイス搭載領域(半導体部品搭載領域)
21a インタポーザ(配線基板)
21b 封止体(樹脂)
21c 半田ボール(外部端子)
22 メモリデバイス搭載領域(半導体部品搭載領域)
22a インタポーザ(配線基板)
22b 封止体(樹脂)
22c 半田ボール(外部端子)
23 メモリデバイス搭載領域(半導体部品搭載領域)
23a インタポーザ(配線基板)
23b 封止体(樹脂)
23c 半田ボール(外部端子)
24 メモリデバイス搭載領域(半導体部品搭載領域)
24a インタポーザ(配線基板)
24b 封止体(樹脂)
24c 半田ボール(外部端子)
25 メモリデバイス搭載領域(半導体部品搭載領域)
25a インタポーザ(配線基板)
25b 封止体(樹脂)
25c 半田ボール(外部端子)
26 メモリデバイス搭載領域(半導体部品搭載領域)
26a インタポーザ(配線基板)
26b 封止体(樹脂)
26c 半田ボール(外部端子)
27 メモリデバイス搭載領域(半導体部品搭載領域)
27a インタポーザ(配線基板)
27b 封止体(樹脂)
27c 半田ボール(外部端子)
28 メモリデバイス搭載領域(半導体部品搭載領域)
28a インタポーザ(配線基板)
28b 封止体(樹脂)
28c 半田ボール(外部端子)
30 ランド(電極パッド)
31 ランド(電極パッド)
31_can コマンド・アドレス信号用パッド
31_caf コマンド・アドレス信号用パッド
100 インタポーザ(配線基板)
101 ボンディングリード(電極)
102 バンプランド(電極パッド)
103 ボンディングパッド(電極)
104 ワイヤ(導電性部材)
106 封止体(樹脂)
107 半田ボール(外部端子)
Claims (5)
- 上面、前記上面のコントロールデバイス搭載領域に設けられたクロック出力用パッド、前記コントロールデバイス搭載領域に設けられたコマンド・アドレス出力用パッド、前記クロック出力用パッドに接続されたクロック信号主配線、前記コマンド・アドレス出力用パッドに接続されたコマンド・アドレス信号主配線、前記クロック信号主配線の第1分岐点において前記クロック信号主配線から分岐した第1クロック信号分岐配線、前記クロック信号主配線の前記第1分岐点よりも前記クロック信号主配線の下流側に位置する第2分岐点において前記クロック信号主配線から分岐した第2クロック信号分岐配線、前記コマンド・アドレス信号主配線の第1分岐点において前記コマンド・アドレス信号主配線から分岐した第1コマンド・アドレス信号分岐配線、前記コマンド・アドレス信号主配線の前記第1分岐点よりも前記コマンド・アドレス信号主配線の下流側に位置する第2分岐点において前記コマンド・アドレス信号主配線から分岐した第2コマンド・アドレス信号分岐配線、前記上面の第1メモリデバイス搭載領域に設けられ、かつ、前記第1クロック信号分岐配線が接続された第1クロック入力用パッド、前記第1メモリデバイス搭載領域に設けられ、かつ、前記第1コマンド・アドレス信号分岐配線が接続された第1コマンド・アドレス入力用パッド、前記上面の第2メモリデバイス搭載領域に設けられ、かつ、前記第2クロック信号分岐配線が接続された第2クロック入力用パッド、及び前記第2メモリデバイス搭載領域に設けられ、かつ、前記第2コマンド・アドレス信号分岐配線が接続された第2コマンド・アドレス入力用パッド、を有する実装基板と、
第1半導体チップ、第1クロック入力用端子、及び第1コマンド・アドレス入力用端子を有し、他の基板を介さずに前記実装基板の前記第1メモリデバイス搭載領域に搭載され、かつ、前記第1クロック入力用端子及び前記第1コマンド・アドレス入力用端子が前記第1クロック入力用パッド及び前記第1コマンド・アドレス入力用パッドにそれぞれ接続された第1メモリデバイスと、
第2半導体チップ、第2クロック入力用端子、及び第2コマンド・アドレス入力用端子を有し、他の基板を介さずに前記実装基板の前記第2メモリデバイス搭載領域に搭載され、かつ、前記第2クロック入力用端子及び前記第2コマンド・アドレス入力用端子が前記第2クロック入力用パッド及び前記第2コマンド・アドレス入力用パッドにそれぞれ接続された第2メモリデバイスと、
前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップのそれぞれを制御する第3半導体チップ、クロック出力用端子、及びコマンド・アドレス出力用端子を有し、他の基板を介さずに前記実装基板の前記コントロールデバイス搭載領域に搭載され、かつ、前記クロック出力用端子及び前記コマンド・アドレス出力用端子が前記クロック出力用パッド及び前記コマンド・アドレス出力用パッドにそれぞれ接続されたコントロールデバイスと、
を含み、
前記コマンド・アドレス出力用端子を介して前記コントロールデバイスから前記コマンド・アドレス信号主配線に出力されるコマンド・アドレス信号の確定期間は、前記クロック出力用端子を介して前記コントロールデバイスから前記クロック信号主配線に出力されるクロック信号の1サイクル分に相当し、
前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップのそれぞれは、前記コントロールデバイスから出力される前記クロック信号に同期して動作し、
前記クロック信号主配線の前記第1分岐点及び前記クロック信号主配線の前記第2分岐点は、平面視において、前記第1メモリデバイス搭載領域の内側及び前記第2メモリデバイス搭載領域の内側に、それぞれ配置されており、
前記コマンド・アドレス信号主配線の前記第1分岐点及び前記コマンド・アドレス信号主配線の前記第2分岐点は、平面視において、前記第1メモリデバイス搭載領域の外側及び前記第2メモリデバイス搭載領域の外側に、それぞれ配置されており、
前記第1コマンド・アドレス信号分岐配線の経路長及び前記第2コマンド・アドレス信号分岐配線の経路長は、前記第1クロック信号分岐配線の経路長及び前記第2クロック信号分岐配線の経路長よりも、それぞれ長く、
前記第1コマンド・アドレス信号分岐配線の経路上及び前記第2コマンド・アドレス信号分岐配線の経路上には、第1チップ抵抗及び第2チップ抵抗が、それぞれ直列に実装されており、
前記第1チップ抵抗及び前記第2チップ抵抗は、前記第1メモリデバイス及び前記第2メモリデバイスと重ならない位置に、それぞれ配置されている、電子装置。 - 前記実装基板に設けられたコントロール信号主配線と、前記コントロール信号主配線の第1分岐点及び前記コントロール信号主配線の第2分岐点において前記コントロール信号主配線からそれぞれ分岐した第1コントロール信号分岐配線及び第2コントロール信号分岐配線を介して、前記コントロールデバイスから前記第1メモリデバイス及び第2メモリデバイスにコントロール信号がそれぞれ供給される、請求項1に記載の電子装置。
- 前記実装基板は前記コントロールデバイスを前記第1メモリデバイスに接続する第1データ系配線と、前記コントロールデバイスを前記第2メモリデバイスに接続する第2データ系配線とを含み、
前記コントロールデバイスは、前記コントロール信号によって活性化された前記第1メモリデバイス及び第2メモリデバイスとの間でデータの入力又は出力を行う、請求項2に記載の電子装置。 - 前記コマンド・アドレス信号主配線の前記第1分岐点から前記コマンド・アドレス信号主配線の前記第2分岐点までの配線長は、前記コマンド・アドレス出力用パッドから前記コマンド・アドレス信号主配線の前記第1分岐点までの配線長よりも長い、請求項1に記載の電子装置。
- 前記第1チップ抵抗及び前記第2チップ抵抗は、前記実装基板の前記上面のうち、前記実装基板の前記上面に搭載された前記第1メモリデバイス及び前記第2メモリデバイスと重ならない位置に、それぞれ配置されている、請求項1に記載の電子装置。
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