KR102605145B1 - 복수의 채널로 동작하는 복수의 다이를 포함하는 반도체 장치 - Google Patents

복수의 채널로 동작하는 복수의 다이를 포함하는 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102605145B1
KR102605145B1 KR1020180081446A KR20180081446A KR102605145B1 KR 102605145 B1 KR102605145 B1 KR 102605145B1 KR 1020180081446 A KR1020180081446 A KR 1020180081446A KR 20180081446 A KR20180081446 A KR 20180081446A KR 102605145 B1 KR102605145 B1 KR 102605145B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pad
data
die
channel
byte
Prior art date
Application number
KR1020180081446A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200007393A (ko
Inventor
임수빈
Original Assignee
에스케이하이닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이하이닉스 주식회사 filed Critical 에스케이하이닉스 주식회사
Priority to KR1020180081446A priority Critical patent/KR102605145B1/ko
Priority to US16/215,292 priority patent/US10969998B2/en
Priority to CN201811574741.5A priority patent/CN110718242B/zh
Publication of KR20200007393A publication Critical patent/KR20200007393A/ko
Priority to US17/201,767 priority patent/US20210200479A1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102605145B1 publication Critical patent/KR102605145B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0655Vertical data movement, i.e. input-output transfer; data movement between one or more hosts and one or more storage devices
    • G06F3/0659Command handling arrangements, e.g. command buffers, queues, command scheduling
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/52Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/025Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1048Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1068Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0604Improving or facilitating administration, e.g. storage management
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671In-line storage system
    • G06F3/0673Single storage device
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/24Accessing extra cells, e.g. dummy cells or redundant cells
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/30Accessing single arrays
    • G11C29/32Serial access; Scan testing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • G11C5/063Voltage and signal distribution in integrated semi-conductor memory access lines, e.g. word-line, bit-line, cross-over resistance, propagation delay
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/18Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657Stacked arrangements of devices
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1006Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061Disposition
    • H01L2224/0618Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/06181On opposite sides of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • H01L2924/143Digital devices
    • H01L2924/1434Memory

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

반도체 장치는 기판, 제 1 다이 및 제 2 다이를 포함할 수 있다. 상기 기판은 제 1 채널의 제 1 및 제 2 바이트 패드를 포함하고, 제 2 채널의 제 1 및 제 2 바이트 패드를 포함할 수 있다. 상기 제 1 다이의 제 1 바이트 패드는 상기 제 1 채널의 제 1 바이트 패드와 각각 연결되고, 상기 제 1 다이의 제 2 바이트 패드는 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드와 각각 연결될 수 있다. 상기 제 2 다이는 상기 제 1 다이를 기준으로 180도 회전되어 배치되고, 상기 제 2 다이의 제 1 바이트 패드는 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드와 연결되고, 상기 제 2 다이의 제 2 바이트 패드는 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드와 각각 연결될 수 있다.

Description

복수의 채널로 동작하는 복수의 다이를 포함하는 반도체 장치 {SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING A PLURALITY OF DIES OPERATING AS A PLURALITY OF CHANNELS}
본 발명은 집적 회로 기술에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 장치에 관한 것이다.
반도체 다이는 웨이퍼 상에서 제조되고, 다이싱된 다이들은 패키지 기판에 실장되어 패키징됨으로써 반도체 장치로 제조될 수 있다. 상기 기판에는 상기 다이와 전기적 연결되기 위한 기판 패드가 형성되고, 상기 다이들은 상기 기판 패드와 전기적으로 연결될 수 있는 다이 패드들을 포함하고 있다. 상기 기판 패드는 정형화된 위치에 특정 패드들이 배치되고, 상기 다이에도 정형화된 위치에 특정 패드들이 배치될 수 있다.
반도체 장치의 용량 및 데이터 처리 속도를 향상시키기 위해 복수의 채널을 구성하는 복수의 다이가 단일 패키지로 패키징될 수 있다. 하지만, 동일한 설계로 제조된 복수의 다이는 그대로 패키지 기판에 적층될 수 없다. 패키지 기판의 기판 패드의 배열 및 순서와 반도체 다이의 다이 패드의 배열 및 순서가 매칭되지 않기 때문이다. 따라서, 복수의 다이를 단일 패키지에 실장하기 위해서는 다이의 설계 및 제조를 다르게 해야 할 수 있다. 이는 반도체 장치의 수율 및 제조 비용에 단점으로 작용할 수 있다.
본 발명의 실시예는 하나의 패키지 기판 상에 동일한 설계로 제조된 복수의 다이를 실장하여 복수의 채널로 동작할 수 있는 반도체 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 일 측에 제 1 채널의 제 1 바이트 패드 및 제 2 채널의 제 1 바이트 패드가 순차적으로 배치되고, 상기 일 측의 맞은 편인 타 측에 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드 및 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드가 순차적으로 배치되는 기판; 및 일 측에 제 1 바이트 패드가 순차적으로 배치되고, 상기 일 측의 맞은 편인 타 측에 제 2 바이트 패드가 순차적으로 배치되는 제 1 다이 및 제 2 다이를 포함하고, 상기 제 1 다이의 제 1 바이트 패드는 상기 제 1 채널의 제 1 바이트 패드와 각각 연결되고, 상기 제 1 다이의 제 2 바이트 패드는 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드와 각각 연결되며, 상기 제 2 다이는 상기 제 1 다이를 기준으로 180도 회전되어 배치되고, 상기 제 2 다이의 제 1 바이트 패드는 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드와 연결되고, 상기 제 2 다이의 제 2 바이트 패드는 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드와 각각 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 제 1 채널의 제 1 바이트 패드, 제 1 채널의 제 2 바이트 패드, 제 2 채널의 제 1 바이트 패드 및 제 2 채널의 제 2 바이트 패드를 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제 1 다이; 및 상기 제 1 다이를 기준으로 180도 회전되어 상기 기판 상에 배치되는 제 2 다이를 포함하고, 상기 제 2 다이의 제 1 바이트 패드는 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드와 연결되며, 상기 제 2 다이의 제 2 바이트 패드는 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드와 연결되고, 상기 제 2 다이는 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드를 통해 수신된 제어 신호에 기초하여 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드를 통해 수신된 데이터를 저장하고, 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드를 통해 수신된 제어 신호에 기초하여 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드를 통해 수신된 데이터를 저장할 수 있다.
본 발명의 실시예는 동일한 설계로 제조된 복수의 다이로 복수의 채널 환경을 구현할 수 있으므로, 고성능 반도체 장치의 제조를 용이하게 하고, 반도체 장치의 제조 비용을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 시스템의 구성을 보여주는 도면,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 구성을 보여주는 도면,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 적어도 일부의 구성을 보여주는 도면,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 데이터 마스킹 회로의 구성을 보여주는 도면,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 적어도 일부의 구성을 보여주는 도면,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 바운더리 스캔 체인 및 바운더리 스캔 셀의 구성을 보여주는 도면,
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 벤더 ID 출력 회로의 구성을 보여주는 도면,
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 EDC (Error Detection Circuit) 제어 회로의 구성을 보여주는 도면,
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 시스템(1)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 1에서, 상기 반도체 시스템(1)은 외부 장치(110) 및 반도체 장치(120)를 포함할 수 있다. 상기 외부 장치(110)는 상기 반도체 장치(120)가 동작하는데 필요한 다양한 제어신호를 제공할 수 있다. 상기 외부 장치(110)는 다양한 종류의 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 외부 장치(110)는 중앙처리장치(CPU), 그래픽 처리 장치(Graphic Processing Unit, GPU), 멀티미디어 프로세서(Multi-Media Processor, MMP), 디지털 신호 프로세서(Digital Signal Processor), 어플리케이션 프로세서(AP) 및 메모리 컨트롤러와 같은 호스트 장치일 수 있다. 또한, 상기 외부 장치(110)는 상기 반도체 장치(120)를 테스트하기 위한 테스트 장치 또는 테스트 장비일 수 있다. 상기 반도체 장치(120)는 메모리 장치일 수 있고, 상기 메모리 장치는 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 상기 휘발성 메모리는 SRAM (Static RAM), DRAM (Dynamic RAM), SDRAM (Synchronous DRAM)을 포함할 수 있고, 상기 비휘발성 메모리는 ROM (Read Only Memory), PROM (Programmable ROM), EEPROM (Electrically Erase and Programmable ROM), EPROM (Electrically Programmable ROM), 플래시 메모리, PRAM (Phase change RAM), MRAM (Magnetic RAM), RRAM (Resistive RAM) 및 FRAM (Ferroelectric RAM) 등을 포함할 수 있다.
상기 외부 장치(110)와 상기 반도체 장치(120) 사이에는 복수의 채널이 형성될 수 있다. 상기 외부 장치(110) 및 상기 반도체 장치(120)는 상기 복수의 채널을 통해 독립적인 데이터 입출력 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 채널은 제 1 채널 및 제 2 채널을 포함할 수 있다. 상기 외부 장치(110)는 제 1 채널 버스(CHA) 및 제 2 채널 버스(CHB)를 통해 상기 반도체 장치(120)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 채널 버스(CHA, CHB)는 각각 신호를 전송하기 위한 신호 전송 경로, 링크 또는 채널일 수 있다. 상기 채널 버스는 커맨드 어드레스 버스, 클럭 버스 및 데이터 버스 등을 포함할 수 있다. 상기 커맨드 어드레스 버스, 상기 클럭 버스는 단방향 버스일 수 있고, 상기 데이터 버스는 양방향 버스일 수 있다. 상기 반도체 장치(120)는 제 1 및 제 2 채널 버스(CHA, CHB)와 연결되어 독립적인 데이터 입출력 동작을 수행할 수 있다.
상기 반도체 장치(120)는 제 1 다이(130) 및 제 2 다이(140)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 다이(130, 140)는 하나의 기판상에 적층될 수 있고, 단일 패키지로 패키징되어 단일 반도체 장치를 구성할 수 있다. 제 1 및 제 2 다이(130, 140)는 동일한 설계로 제조되어 실질적으로 동일한 구성을 가질 수 있다. 상기 제 1 다이(130)는 상기 제 1 채널 버스(CHA)와 연결되어 제 1 채널을 형성할 수 있고, 상기 제 2 다이(140)는 상기 제 2 채널 버스(CHB)와 연결되어 제 2 채널을 형성할 수 있다. 상기 제 1 다이(130)는 상기 제 1 채널 버스(CHA)와 연결되어 데이터 입출력 동작을 수행하고, 상기 제 2 다이(140)는 상기 제 2 채널 버스(CHB)와 연결되어 데이터 입출력 동작을 수행할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 다이(130, 140)는 각각 채널 제어 회로(131, 141)를 포함할 수 있다. 상기 채널 제어 회로(131)는 상기 제 1 다이(130)가 제 1 채널과 연결되어 동작하는 것을 가리키기 위해 채널 옵션 신호(CHOPT)를 생성할 수 있다. 상기 채널 제어 회로(141)는 상기 제 2 다이(140)가 제 2 채널(CHB)과 연결되어 동작하는 것을 가리키기 위해 채널 옵션 신호(CHOPT)를 생성할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 2 다이(140)는 상기 제 1 다이(130)를 기준으로 180도 회전되어 배치될 수 있다. 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)는 다이가 회전되어 적층되었는지 여부에 대한 정보를 포함할 수 있다. 상기 채널 제어 회로(131)로부터 출력되는 채널 옵션 신호(CHOPT)와 상기 채널 제어 회로(141)로부터 출력되는 채널 옵션 신호(CHOPT)는 서로 반대의 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 채널 제어 회로(131)는 제 1 전원전압 단자와 연결되어 로우 레벨을 갖는 채널 옵션 신호(CHOPT)를 생성할 수 있다. 상기 채널 제어 회로(141)는 상기 제 1 전원전압보다 높은 레벨을 갖는 제 2 전원전압 단자와 연결되어 하이 레벨을 갖는 채널 옵션 신호(CHOPT)를 생성할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치(200)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 2에서, 상기 반도체 장치(200)는 기판(201), 제 1 다이(202) 및 제 2 다이(203)를 포함할 수 있다. 상기 기판(201)은 패키지 기판일 수 있고, 단일 패키지의 기판일 수 있다. 상기 기판(201)은 복수의 기판 패드를 포함할 수 있다. 상기 기판은 상기 반도체 장치(200)가 복수의 채널로 동작할 수 있도록 채널 별로 기판 패드를 구비할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(201)은 제 1 채널의 기판 패드 및 제 2 채널의 기판 패드를 포함할 수 있다. 상기 기판은 제 1 채널의 제 1 바이트 패드(210), 제 1 채널의 제 2 바이트 패드(220), 제 2 채널의 제 1 바이트 패드(230) 및 제 2 채널의 제 2 바이트 패드(240)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 바이트 패드(210, 230) 및 제 2 바이트 패드(220, 240)는 각각 복수의 패드를 포함할 수 있다. 상기 제 1 채널의 제 1 바이트 패드(210) 및 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드(230)는 각각 상기 기판(201)의 일 측에 순차적으로 배치될 수 있다. 도 2에서, 상기 제 1 채널의 제 1 바이트 패드(210) 및 제 2 채널의 제 1 바이트 패드(230)는 상기 기판(201)의 상 측에서 왼쪽으로부터 오른쪽으로 순차적으로 배치될 수 있다. 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드(220) 및 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드(240)는 각각 상기 기판(201)의 일 측과 마주보는 타 측에 순차적으로 배치될 수 있다. 도 2에서, 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드(220) 및 제 2 채널의 제 2 바이트 패드(240)는 각각 상기 기판(201)의 하 측에서 왼쪽으로부터 오른쪽으로 순차적으로 배치될 수 있다.
상기 제 1 채널의 제 1 바이트 패드(210)는 제 1 데이터 관련 패드(211, DA1) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(212, CA_UP)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드(220)는 제 2 데이터 관련 패드(221, DA2) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(222, CA_DN)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드(230)는 제 1 데이터 관련 패드(231, DA1) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(232, CA_UP)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드(240)는 제 2 데이터 관련 패드(241, DA2) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(242, CA_DN)를 포함할 수 있다. 상기 데이터 관련 패드(211, 221, 231, 241)는 데이터의 입출력 동작에 직접적으로 사용되는 데이터 및 상기 데이터와 관련된 신호들이 수신되거나 출력되는 패드들일 수 있다. 예를 들어, 데이터, 에러 감지 코드 신호, 클럭 신호, 데이터 버스 인버전 신호 등이 상기 데이터 관련 패드(211, 221, 231, 241)를 통해 입력 또는 출력될 수 있다. 상기 커맨드 어드레스 패드(212, 222, 232, 242)는 상기 데이터 입출력 동작을 제어하기 위해 커맨드 어드레스 신호를 수신하기 위한 패드일 수 있다. 도 2에 도시된 것과 같이 상기 제 1 채널의 제 1 데이터 관련 패드(211) 및 제 2 데이터 관련 패드(221)와, 상기 제 2 채널의 제 1 데이터 관련 패드(231) 및 제 2 데이터 관련 패드(241)는 상기 기판(201)의 바깥 쪽에 배치될 수 있다. 상기 제 1 채널의 제 1 커맨드 어드레스 패드(212) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(222)와, 상기 제 2 채널의 제 1 커맨드 어드레스 패드(232) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(242)는 상기 데이터 관련 패드(211, 221, 231, 241)보다 상대적으로 안쪽에 배치될 수 있다. 상기 커맨드 어드레스 패드(212, 222, 232, 242)들은 상기 기판(201)의 중앙 쪽에 배치될 수 있다.
상기 제 1 다이(202) 및 제 2 다이(203)는 서로 동일한 설계로 제조되어 동일한 구조를 갖는 반도체 칩일 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 다이(202, 203)는 복수의 채널로 동작할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 다이(202)는 제 1 채널로 동작하고, 상기 제 2 다이(203)는 제 2 채널로 동작할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 다이(202, 203)는 상기 기판(201) 상에 적층되어 2개의 채널로 동작할 수 있는 단일 반도체 장치를 구성할 수 있다. 상기 제 1 다이(202)는 제 1 바이트 패드(250) 및 제 2 바이트 패드(260)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 바이트 패드(250)는 상기 제 1 다이(202)에서 일 측에 배치될 수 있고, 상기 제 2 바이트 패드(260)는 상기 제 1 다이(202)에서 상기 일 측과 마주하는 타 측에 배치될 수 있다. 상기 제 1 다이(202)의 제 1 바이트 패드(250)는 제 1 데이터 관련 패드(251, DA1) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(252, CA_UP)를 포함할 수 있고, 상기 제 1 다이(202)의 제 2 바이트 패드(260)는 제 2 데이터 관련 패드(261, DA2) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(262, CA_DN)를 포함할 수 있다.
상기 제 2 다이(203)는 상기 제 1 다이(202)와 동일한 구조를 가질 수 있다. 상기 제 2 다이(202)는 제 1 바이트 패드(270) 및 제 2 바이트 패드(280)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 바이트 패드(270)는 상기 제 2 다이(203)에서 일 측에 배치될 수 있고, 상기 제 2 바이트 패드(280)는 상기 제 2 다이(203)에서 상기 일 측과 마주하는 타 측에 배치될 수 있다. 상기 제 2 다이(203)의 제 1 바이트 패드(270)는 제 1 데이터 관련 패드(271, DA1) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(272, CA_UP)를 포함할 수 있고, 상기 제 2 다이(203)의 제 2 바이트 패드(280)는 제 2 데이터 관련 패드(281, DA2) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(282, CA_DN)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 기판(201)의 바이트 패드들의 배치로 인해 상기 제 1 및 제 2 다이(202, 203)는 동일한 방향으로 적층 또는 장착되기 어렵다. 도 2에 도시된 것과 같이, 상기 기판(201)의 패드들은 커맨드 어드레스 패드가 중앙 쪽에 몰려 있기 때문에, 상기 제 2 다이(203)를 상기 제 1 다이(202)와 동일한 방향으로 적층하는 경우 상기 제 2 채널의 커맨드 어드레스 패드(232, 242)가 상기 제 2 다이(203)의 데이터 관련 패드(271, 281)와 정렬되고, 상기 제 2 채널의 데이터 관련 패드(231, 241)가 상기 제 2 다이(203)의 커맨드 어드레스 패드(272, 282)와 정렬될 수 있다. 위와 같은 경우, 동일한 기능을 수행하는 패드끼리 와이어 본딩과 같은 전기적 연결을 형성시키기 어렵고, 전기적으로 연결시킨다고 하여도 전기적 경로의 차이로 인해 정확한 신호의 전송 및 수신을 어렵게 할 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제 2 다이(203)는 상기 제 1 다이(202)를 기준으로 180도 회전되어 상기 기판(201) 상에 적층 또는 장착될 수 있다. 도 2에 도시된 것과 같이, 상기 제 2 다이(203)가 180도 회전되어 상기 기판(201) 상에 배치되는 경우, 상기 제 2 다이(203)의 제 1 커맨드 어드레스 패드(272)는 상기 제 2 채널의 제 2 커맨드 어드레스 패드(242)와 마주하고, 상기 제 2 다이(203)의 제 1 데이터 관련 패드(271)는 상기 제 2 채널의 제 2 데이터 관련 패드(241)와 마주하며, 상기 제 2 다이(203)의 제 2 커맨드 어드레스 패드(282)는 상기 제 2 채널의 제 1 커맨드 어드레스 패드(232)와 마주하고, 상기 제 2 다이(203)의 제 2 데이터 관련 패드(281)는 상기 제 2 채널의 제 1 데이터 관련 패드(231)와 마주할 수 있다.
도 2에서, 상기 제 1 다이(202)의 제 1 데이터 관련 패드(251)는 상기 제 1 채널의 제 1 데이터 관련 패드(211)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 다이(202)의 제 1 커맨드 어드레스 패드(252)는 상기 제 1 채널의 제 1 커맨드 어드레스 패드(212)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 다이(202)의 제 2 데이터 관련 패드(261)는 상기 제 1 채널의 제 2 데이터 관련 패드(221)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 다이(202)의 제 2 커맨드 어드레스 패드(262)는 상기 제 1 채널의 제 2 커맨드 어드레스 패드(222)와 연결될 수 있다. 상기 제 2 다이(203)의 제 1 데이터 관련 패드(271)는 상기 제 2 채널의 제 2 데이터 관련 패드(241)와 연결될 수 있다. 상기 제 2 다이(203)의 제 2 데이터 관련 패드(281)는 상기 제 2 채널의 제 1 데이터 관련 패드(231)와 연결될 수 있다. 상기 제 2 다이(203)의 제 1 커맨드 어드레스 패드(272)는 상기 제 2 채널의 제 1 커맨드 어드레스 패드(232)와 연결될 수 있다. 상기 제 2 다이의 제 2 커맨드 어드레스 패드(282)는 상기 제 2 채널의 제 2 커맨드 어드레스 패드(242)와 연결될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치(300)의 적어도 일부의 구성을 보여주는 도면이다. 도 3에서, 상기 반도체 장치(300)는 기판(301), 제 1 다이(302) 및 제 2 다이(303)를 포함하고, 상기 반도체 장치(300)는 도 2에 도시된 반도체 장치(200)로 적용될 수 있다. 도 3에서, 상기 제 1 채널의 제 1 데이터 관련 패드 중 데이터 패드(311, DQ1-DQ8)가 도시되었고, 상기 제 1 채널의 제 2 데이터 관련 패드 중 데이터 패드(312, DQ9-DQ16)가 도시되었다. 또한, 상기 제 2 채널의 제 1 데이터 관련 패드 중 데이터 패드(313, DQ8-DQ1)가 도시되었고, 상기 제 2 채널의 제 2 데이터 관련 패드 중 데이터 패드(314, DQ16-DQ9)가 도시되었다. 마찬가지로, 상기 제 1 다이(302)의 제 1 데이터 관련 패드 중 데이터 패드(321, DQ1-DQ8)가 도시되었고, 상기 제 1 다이(302)의 제 2 데이터 관련 패드 중 데이터 패드(322, DQ9-DQ16)가 도시되었다. 상기 제 2 다이(303)의 제 1 데이터 관련 패드 중 데이터 패드(331, DQ1-DQ8)가 도시되었고, 상기 제 2 다이(303)의 제 2 데이터 관련 패드 중 데이터 패드(332, DQ9-DQ16)가 도시되었다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 제 1 다이(302)의 데이터 패드(321)는 상기 제 1 채널의 상기 데이터 패드(311)와 연결되고, 상기 제 1 다이(302)의 데이터 패드(322)는 상기 제 1 채널의 상기 데이터 패드(312)와 연결될 수 있다. 상기 제 2 다이(303)의 데이터 패드(331)는 상기 제 2 채널의 상기 데이터 패드(314)와 연결되고, 상기 제 2 다이의 데이터 패드(332)는 상기 제 2 채널의 상기 데이터 패드(313)와 연결될 수 있다. 상기 데이터 패드들은 각각 8개의 데이터를 수신하거나 출력할 수 있도록 8개의 패드로 구성될 수 있다. 다만, 데이터의 개수 및 패드의 개수를 한정하려는 의도는 아니다.
도 3에서, 상기 제 1 다이(302)는 제 1 바이트 메모리 뱅크(323) 및 제 2 바이트 메모리 뱅크(324)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 바이트 메모리 뱅크(323, 324)는 각각 복수의 메모리 뱅크를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 바이트 메모리 뱅크(323, 324)는 각각 4개의 메모리 뱅크를 포함할 수 있다. 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크(323)는 제 1 내지 제 4 메모리 뱅크(BANK1-BANK4)를 포함할 수 있고, 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크(324)는 제 5 내지 제 8 메모리 뱅크(BANK5-BANK8)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크(323)는 상기 데이터 패드(321)와 연결되고, 상기 데이터 패드(311) 및 상기 데이터 패드(321)를 통해 수신된 데이터를 저장할 수 있다. 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크(323)로부터 출력된 데이터는 상기 데이터 패드(321)를 통해 상기 데이터 패드(311)로 출력될 수 있다. 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크(324)는 상기 데이터 패드(322)와 연결되고, 상기 데이터 패드(312) 및 상기 데이터 패드(322)를 통해 수신된 데이터를 저장할 수 있다. 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크(324)로부터 출력된 데이터는 상기 데이터 패드(322)를 통해 상기 데이터 패드(312)로 출력될 수 있다. 상기 제 1 채널의 데이터 패드(311)를 통해 수신된 제 1 내지 제 8 데이터(DQ<1:8>)는 상기 제 1 다이(302)의 상기 데이터 패드(321)를 통해 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크(323)로 전송되어 저장될 수 있다. 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크(323)로부터 출력되는 데이터는 상기 제 1 다이(302)의 상기 데이터 패드(321)를 통해 상기 제 1 내지 제 8 데이터(DQ<1:8>)로서 상기 제 1 채널의 데이터 패드(311)로 출력될 수 있다. 상기 제 1 채널의 데이터 패드(312)를 통해 수신된 제 9 내지 제 16 데이터(DQ<9:16>)는 상기 제 1 다이(302)의 상기 데이터 패드(322)를 통해 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크(324)로 전송되어 저장될 수 있다. 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크(324)로부터 출력되는 데이터는 상기 제 1 다이(302)의 상기 데이터 패드(322)를 통해 제 9 내지 제 16 데이터(DQ<9:16>)로서 상기 제 1 채널의 데이터 패드(312)로 출력될 수 있다.
상기 제 2 다이(303)는 제 1 바이트 메모리 뱅크(333) 및 제 2 바이트 메모리 뱅크(334)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크(333)는 제 1 내지 제 4 메모리 뱅크(BANK1-BANK4)를 포함할 수 있고, 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크(334)는 제 5 내지 제 8 메모리 뱅크(BANK5-BANK8)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크(333)는 상기 데이터 패드(331)와 연결되고, 상기 데이터 패드(314)를 통해 수신된 데이터를 저장할 수 있다. 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크(334)로부터 출력된 데이터는 상기 데이터 패드(331)를 통해 상기 데이터 패드(314)로 출력될 수 있다. 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크(334)는 상기 데이터 패드(332)와 연결되고, 상기 데이터 패드(313)를 통해 수신된 데이터를 저장할 수 있다. 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크(334)로부터 출력된 데이터는 상기 데이터 패드(332)를 통해 상기 데이터 패드(313)로 출력될 수 있다. 상기 제 2 채널의 데이터 패드(313)를 통해 수신된 제 1 내지 제 8 데이터(DQ<8:1>)는 상기 제 2 다이(303)의 상기 데이터 패드(332)를 통해 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크(334)로 전송되어 저장될 수 있다. 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크(334)로부터 출력되는 데이터는 상기 제 2 다이(303)의 상기 데이터 패드(332)를 통해 상기 제 1 내지 제 8 데이터(DQ<8:1>)로서 상기 제 2 채널의 데이터 패드(313)로 출력될 수 있다. 상기 제 2 채널의 데이터 패드(314)를 통해 수신된 제 9 내지 제 16 데이터(DQ<16:9>)는 상기 제 2 다이(303)의 상기 데이터 패드(331)를 통해 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크(333)로 전송되어 저장될 수 있다. 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크(333)로부터 출력되는 데이터는 상기 제 2 다이(303)의 상기 데이터 패드(331)를 통해 제 9 내지 제 16 데이터(DQ<16:9>)로서 상기 제 2 채널의 데이터 패드(314)로 출력될 수 있다.
상기 제 2 다이(303)는 상기 제 2 채널의 상기 데이터 패드(313)를 통해 수신된 제 1 내지 제 8 데이터(DQ<8:1>)를 상기 데이터 패드(332)를 통해 제 9 내지 제 16 데이터로서 수신하여 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크(334)에 저장할 수 있고, 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크(334)로부터 출력된 데이터를 상기 제 1 내지 제 8 데이터(DQ<8:1>)로서 상기 제 2 채널의 상기 데이터 패드(313)로 출력할 수 있다. 상기 제 2 다이(303)는 상기 제 2 채널의 상기 데이터 패드(314)를 통해 수신된 제 9 내지 제 16 데이터(DQ<16:9>)를 상기 데이터 패드(331)를 통해 제 1 내지 제 8 데이터로서 수신하여 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크(333)에 저장할 수 있고, 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크(333)로부터 출력된 데이터를 상기 제 9 내지 제 16 데이터(DQ<16:9>)로서 상기 제 2 채널의 상기 데이터 패드(314)로 출력할 수 있다. 따라서, 상기 제 2 채널의 데이터 패드(313, 314)를 통해 수신된 데이터의 순번과 상기 제 2 다이(303)가 수신하여 저장하는 데이터의 순번이 서로 바뀔 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 데이터 마스킹 회로(400)를 보여주는 도면이다. 도 2를 함께 참조하면, 도시된 제 1 및 제 2 다이(202, 203)는 각각 상기 데이터 마스킹 회로(400)를 포함할 수 있다. 상기 데이터 마스킹 회로(400)는 상기 외부 장치로부터 수신된 데이터 중 특정 데이터가 상기 반도체 장치(200)로 저장되지 않도록 마스킹 할 수 있다. 상기 데이터 마스킹 회로(400)는 커맨드 어드레스 신호(CA<1:5>, CA<6:10>)에 기초하여 적어도 2개의 마스킹 제어 신호를 생성하고, 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 적어도 2개의 마스킹 제어 신호 중 하나를 선택하여 데이터 마스킹 신호를 생성할 수 있다. 상기 커맨드 어드레스 신호(CA<1:5>)는 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP)를 통해 수신된 신호일 수 있고, 상기 커맨드 어드레스 신호(CA<6:10>)는 제 2 커맨드 어드레스 패드(CA_DN)를 통해 수신된 신호일 수 있다. 도 4에서, 상기 데이터 마스킹 회로(400)는 마스킹 신호 생성 회로(410), 제 1 선택기(421) 및 제 2 선택기(422)를 포함할 수 있다. 상기 마스킹 신호 생성 회로(410)는 제 1 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(CA_UP, CA_DN)와 연결되어 커맨드 어드레스 신호(CA<1:5>, CA<6:10>)를 수신할 수 있다. 상기 마스킹 신호 생성 회로(410)는 상기 커맨드 어드레스 신호(CA<1:5>, CA<6:10>)에 기초하여 제 1 마스킹 제어 신호(MC1<1:16>) 및 제 2 마스킹 제어 신호(MC2<1:16>)를 생성할 수 있다. 상기 커맨드 어드레스 신호는 10비트를 갖는 것을 예시하였고, 상기 마스킹 제어 신호는 16비트를 갖는 것을 예시하였으나, 이에 한정하려는 것은 아니다.
상기 제 1 선택기(421)는 상기 제 1 및 제 2 마스킹 제어 신호(MC1<1:16>, MC2<1:16>)와 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 선택기(421)는 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 마스킹 제어 신호(MC1<1:16>, MC2<1:16>) 중 하나를 제 1 데이터 마스킹 신호(DM1<1:16>)로 출력할 수 있다. 상기 제 2 선택기(422)는 상기 제 1 및 제 2 마스킹 제어 신호(MC1<1:16>, MC2<1:16>) 와 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 선택기(422)는 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 마스킹 제어 신호(MC1<1:16>, MC2<1:16>) 중 다른 하나를 제 2 데이터 마스킹 신호(DM2<1:16>)로 출력할 수 있다.
도 3에 도시된 것과 같이, 상기 제 2 다이의 데이터 패드(331)는 상기 제 2 채널의 데이터 패드(314)와 연결되고, 상기 제 2 다이(303)의 데이터 패드(332)는 상기 제 2 채널의 데이터 패드(313)와 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제 2 채널의 데이터 패드(313, 314)가 수신하는 데이터의 순번과 제 2 다이(303)가 수신하는 데이터의 순번이 서로 상이할 수 있다. 만약, 제 1 내지 제 8 데이터(DQ<8:1>)에 대해 데이터 마스킹이 필요한 경우, 상기 제 2 다이(303)는 상기 데이터 패드(331)를 통해 수신된 데이터가 아닌 상기 데이터 패드(332)를 통해 수신된 데이터에 대해 마스킹 동작을 수행해야 한다. 상기 데이터 마스킹 회로(400)는 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 마스킹 제어 신호(MC1<1:16>, MC2<1:16>) 중 하나를 선택하여 제 1 및 제 2 데이터 마스킹 신호(DM1<1:16>, DM2<1:16>)로서 출력함으로써, 원하는 데이터가 정상적으로 마스킹되도록 할 수 있다.
상기 제 1 다이(302)에 포함되는 마스킹 제어 회로(400)는 예를 들어, 로우 레벨을 갖는 채널 옵션 신호(CHOPT)를 수신할 수 있다. 상기 마스킹 제어 회로(400)는 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 제 1 마스킹 제어 신호(MC1<1:16>)를 상기 제 1 데이터 마스킹 신호(DM1<1:16>)로 출력하고, 상기 제 2 마스킹 제어 신호(MC2<1:16>)를 상기 제 2 데이터 마스킹 신호(DM2<1:16>)로 출력할 수 있다. 상기 제 2 다이(303)에 포함되는 마스킹 제어 회로(400)는 예를 들어, 하이 레벨을 갖는 채널 옵션 신호(CHOPT)를 수신할 수 있다. 상기 마스킹 제어 회로(400)는 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 제 2 마스킹 제어 신호(MC2<1:16>)를 상기 제 1 데이터 마스킹 신호(DM1<1:16>)로 출력하고, 상기 제 1 마스킹 제어 신호(MC1<1:16>)를 상기 제 2 데이터 마스킹 신호(DM2<1:16>)로 출력할 수 있다. 따라서, 상기 마스킹 제어 회로(400)는 제 1 내지 제 8 데이터(DQ<8:1>) 중 전부 또는 일부에 대한 마스킹이 필요할 때, 상기 제 2 다이(203)가 상기 데이터 패드(332)를 통해 수신한 데이터의 전부 또는 일부를 마스킹하도록 제어할 수 있고, 상기 제 9 내지 제 16 데이터(DQ<16:9>) 중 전부 또는 일부 대한 마스킹이 필요할 때 상기 제 2 다이(303)가 상기 데이터 패드(331)를 통해 수신한 데이터의 전부 또는 일부를 마스킹하도록 제어할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치(500)의 적어도 일부의 구성을 보여주는 도면이다. 도 5에서, 상기 반도체 장치(500)는 기판(501), 제 1 다이(502) 및 제 2 다이(503)를 포함할 수 있다. 상기 기판(501)은 제 1 채널의 제 1 및 제 2 바이트 패드(511, 512)와 제 2 채널의 제 1 및 제 2 바이트 패드(513, 514)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 다이(502, 503)는 각각 제 1 및 제 2 바이트 패드(521, 522, 531, 532)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 채널의 제 1 바이트 패드(511)는 상기 기판(501)의 일 측에서 상기 기판(501)의 바깥쪽으로부터 안쪽으로 순차적으로 배치되는 제 1 데이터 패드(DQ1), 제 2 데이터 패드(DQ2), 제 1 EDC (Error Detection Code) 패드(EDC1), 제 1 클럭 패드(WCK1), 제 2 클럭 패드(WCK1B), 제 1 DBI (Data Bus Inversion) 패드(DBI1), 제 3 데이터 패드(DQ3), 제 4 데이터 패드(DQ4) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 데이터 패드(DQ1), 제 2 데이터 패드(DQ2), 제 1 EDC 패드(EDC1), 제 1 클럭 패드(WCK1), 제 2 클럭 패드(WCK1B), 제 1 DBI 패드(DBI1), 제 3 데이터 패드(DQ3) 및 제 4 데이터 패드(DQ4)는 데이터 관련 패드일 수 있다. 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드(512)는 상기 기판(501)의 타 측에서 상기 기판(501)의 바깥 쪽으로부터 안쪽으로 순차적으로 배치되는 제 5 데이터 패드(DQ5), 제 6 데이터 패드(DQ6), 제 2 EDC (Error Detection Code) 패드(EDC2), 제 3 클럭 패드(WCK2), 제 4 클럭 패드(WCK2B), 제 2 DBI (Data Bus Inversion) 패드(DBI2), 제 7 데이터 패드(DQ7), 제 8 데이터 패드(DQ8) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(CA_DN)를 포함할 수 있다. 상기 제 5 데이터 패드(DQ5), 제 6 데이터 패드(DQ6), 제 2 EDC 패드(EDC2), 제 3 클럭 패드(WCK2), 제 4 클럭 패드(WCK2B), 제 2 DBI 패드(DBI2), 제 7 데이터 패드(DQ7) 및 제 8 데이터 패드(DQ8)는 데이터 관련 패드일 수 있다.
상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드(513)는 상기 기판(501)의 일 측에서 상기 기판(510)의 바깥쪽으로부터 안쪽으로 순차적으로 배치되는 제 1 데이터 패드(DQ1), 제 2 데이터 패드(DQ2), 제 1 EDC (Error Detection Code) 패드(EDC1), 제 1 클럭 패드(WCK1), 제 2 클럭 패드(WCK1B), 제 1 DBI (Data Bus Inversion) 패드(DBI!), 제 3 데이터 패드(DQ3), 제 4 데이터 패드(DQ4) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 데이터 패드(DQ1), 제 2 데이터 패드(DQ2), 제 1 EDC 패드(EDC1), 제 1 클럭 패드(WCK1), 제 2 클럭 패드(WCK1B), 제 1 DBI 패드(DBI1), 제 3 데이터 패드(DQ3) 및 제 4 데이터 패드(DQ4)는 데이터 관련 패드일 수 있다. 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드(514)는 상기 기판(501)의 타 측에서 상기 기판(501)의 바깥 쪽으로부터 안쪽으로 순차적으로 배치되는 제 5 데이터 패드(DQ5), 제 6 데이터 패드(DQ6), 제 2 EDC (Error Detection Code) 패드(EDC2), 제 3 클럭 패드(WCK2), 제 4 클럭 패드(WCK2B), 제 2 DBI (Data Bus Inversion) 패드(DBI2), 제 7 데이터 패드(DQ7), 제 8 데이터 패드(DQ8) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(CA_DN)를 포함할 수 있다. 상기 제 5 데이터 패드(DQ5), 제 6 데이터 패드(DQ6), 제 2 EDC 패드(EDC2), 제 3 클럭 패드(WCK2), 제 4 클럭 패드(WCK2B), 제 2 DBI 패드(DBI2), 제 7 데이터 패드(DQ7) 및 제 8 데이터 패드(DQ8)는 데이터 관련 패드일 수 있다.
상기 제 1 다이(502)의 제 1 바이트 패드(521)는 상기 제 1 다이(502)의 일 측에 순차적으로 배치되는 제 1 데이터 패드(DQ1), 제 2 데이터 패드(DQ2), 제 1 EDC 패드(EDC1), 제 1 클럭 패드(WCK1), 제 2 클럭 패드(WCK1B), 제 1 DBI 패드(DBI1), 제 3 데이터 패드(DQ3), 제 4 데이터 패드(DQ4) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 데이터 패드(DQ1), 제 2 데이터 패드(DQ2), 제 1 EDC 패드(EDC1), 제 1 클럭 패드(WCK1), 제 2 클럭 패드(WCK1B), 제 1 DBI 패드(DBI1), 제 3 데이터 패드(DQ3) 및 제 4 데이터 패드(DQ4)는 데이터 관련 패드일 수 있다. 상기 제 1 다이(502)의 제 2 바이트 패드(522)는 상기 제 1 다이(502)의 타 측에 순차적으로 배치되는 제 5 데이터 패드(DQ5), 제 6 데이터 패드(DQ6), 제 2 EDC 패드(EDC2), 제 3 클럭 패드(WCK2), 제 4 클럭 패드(WCK2B), 제 2 DBI 패드(DBI2), 제 7 데이터 패드(DQ7), 제 8 데이터 패드(DQ8) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(CA_DN)를 포함할 수 있다. 상기 제 5 데이터 패드(DQ5), 제 6 데이터 패드(DQ6), 제 2 EDC 패드(EDC2), 제 3 클럭 패드(WCK2), 제 4 클럭 패드(WCK2B), 제 2 DBI 패드(DBI2), 제 7 데이터 패드(DQ7) 및 제 8 데이터 패드(DQ8)는 데이터 관련 패드일 수 있다.
상기 제 2 다이(503)의 제 1 바이트 패드(531)는 상기 제 2 다이(503)의 일 측에 순차적으로 배치되는 제 1 데이터 패드(DQ1), 제 2 데이터 패드(DQ2), 제 1 EDC 패드(EDC1), 제 1 클럭 패드(WCK1), 제 2 클럭 패드(WCK1B), 제 1 DBI 패드(DBI1), 제 3 데이터 패드(DQ3), 제 4 데이터 패드(DQ4) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 데이터 패드(DQ1), 제 2 데이터 패드(DQ2), 제 1 EDC 패드(EDC1), 제 1 클럭 패드(WCK1), 제 2 클럭 패드(WCK1B), 제 1 DBI 패드(DBI1), 제 3 데이터 패드(DQ3) 및 제 4 데이터 패드(DQ4)는 데이터 관련 패드일 수 있다. 상기 제 2 다이(503)의 제 2 바이트 패드(532)는 상기 제 2 다이(503)의 타 측에 순차적으로 배치되는 제 5 데이터 패드(DQ5), 제 6 데이터 패드(DQ6), 제 2 EDC 패드(EDC2), 제 3 클럭 패드(WCK2), 제 4 클럭 패드(WCK2B), 제 2 DBI 패드(DBI2), 제 7 데이터 패드(DQ7), 제 8 데이터 패드(DQ8) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(CA_DN)를 포함할 수 있다. 상기 제 5 데이터 패드(DQ5), 제 6 데이터 패드(DQ6), 제 2 EDC 패드(EDC2), 제 3 클럭 패드(WCK2), 제 4 클럭 패드(WCK2B), 제 2 DBI 패드(DBI2), 제 7 데이터 패드(DQ7) 및 제 8 데이터 패드(DQ8)는 데이터 관련 패드일 수 있다. 도 5에서는 설명의 편의를 위해 제 1 및 제 2 채널을 통해 각각 8개의 데이터가 입출력될 수 있는 구조를 예시하였다. 하지만, 데이터의 개수에 따라 데이터 패드의 개수도 증가 또는 감소될 수 있다. 또한, 도 5에 도시된 반도체 장치(500)의 구성은 도 1 내지 도 3에 도시된 반도체 장치(120, 200, 300)의 구성으로 각각 적용될 수 있다.
상기 제 1 다이(502)의 제 1 데이터 패드(DQ1), 제 2 데이터 패드(DQ2), 제 1 EDC 패드(EDC1), 제 1 클럭 패드(WCK1), 제 2 클럭 패드(WCK1B), 제 1 DBI 패드(DBI1), 제 3 데이터 패드(DQ3), 제 4 데이터 패드(DQ4) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP)는 상기 제 1 채널의 제 1 바이트 패드(511)의 제 1 데이터 패드(DQ1), 제 2 데이터 패드(DQ2), 제 1 EDC 패드(EDC1), 제 1 클럭 패드(WCK1), 제 2 클럭 패드(WCK1B), 제 1 DBI 패드(DBI1), 제 3 데이터 패드(DQ3), 제 4 데이터 패드(DQ4) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP)와 각각 연결될 수 있다. 상기 제 1 다이(502)의 제 5 데이터 패드(DQ5), 제 6 데이터 패드(DQ6), 제 2 EDC 패드(EDC2), 제 3 클럭 패드(WCK2), 제 4 클럭 패드(WCK2B), 제 2 DBI 패드(DBI2), 제 7 데이터 패드(DQ7), 제 8 데이터 패드(DQ8) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(CA_DN)는 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드(512)의 제 5 데이터 패드(DQ5), 제 6 데이터 패드(DQ6), 제 2 EDC 패드(EDC2), 제 3 클럭 패드(WCK2), 제 4 클럭 패드(WCK2B), 제 2 DBI 패드(DBI2), 제 7 데이터 패드(DQ7), 제 8 데이터 패드(DQ8) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(CA_DN)와 각각 연결될 수 있다.
상기 제 2 다이(503)는 상기 제 2 다이(503)의 데이터 관련 패드 및 커맨드 어드레스 패드가 기판의 데이터 관련 패드 및 커맨드 어드레스 패드와 맞춰 정렬될 수 있도록 상기 제 1 다이(502)를 기준으로 180도 회전되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 다이(503)의 제 1 데이터 패드(DQ1), 제 2 데이터 패드(DQ2), 제 1 EDC 패드(EDC1), 제 1 클럭 패드(WCK1), 제 2 클럭 패드(WCK1B), 제 1 DBI 패드(DBI1), 제 3 데이터 패드(DQ3), 제 4 데이터 패드(DQ4) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP)는 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드(514)의 제 5 데이터 패드(DQ5), 제 6 데이터 패드(DQ6), 제 2 EDC 패드(EDC2), 제 3 클럭 패드(WCK2), 제 4 클럭 패드(WCK2B), 제 2 DBI 패드(DBI2), 제 7 데이터 패드(DQ7), 제 8 데이터 패드(DQ8) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(CA_DN)와 각각 연결될 수 있다. 상기 제 2 다이(503)의 제 5 데이터 패드(DQ5), 제 6 데이터 패드(DQ6), 제 2 EDC 패드(EDC2), 제 3 클럭 패드(WCK2), 제 4 클럭 패드(WCK2B), 제 2 DBI 패드(DBI2), 제 7 데이터 패드(DQ7), 제 8 데이터 패드(DQ8) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(CA_DN)는 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드(513)의 제 1 데이터 패드(DQ1), 제 2 데이터 패드(DQ2), 제 1 EDC 패드(EDC1), 제 1 클럭 패드(WCK1), 제 2 클럭 패드(WCK1B), 제 1 DBI 패드(DBI1), 제 3 데이터 패드(DQ3), 제 4 데이터 패드(DQ4) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP)와 각각 연결될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 다이(502, 503)는 각각 제 1 및 제 2 다이(502, 503)가 포함하는 패드들과 일대일로 연결되는 복수의 바운더리 스캔 셀(BST)을 구비할 수 있다. 상기 복수의 바운더리 스캔 셀(BST)은 상기 기판(501)의 패드들과 상기 제 1 및 제 2 다이(502, 503)의 패드들이 정상적으로 연결되었는지 여부를 테스트하기 위해 구비될 수 있다. 상기 테스트 동작은 바운더리 스캔 테스트일 수 있다. 상기 바운더리 스캔 테스트는 테스트 신호를 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP)로 입력시켜, 상기 테스트 신호가 순차적으로 상기 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP), 제 1 데이터 관련 패드, 제 2 데이터 관련 패드 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(CA_DN)를 경유한 후, 상기 제 2 커맨드 어드레스 패드(CA_DN)를 통해 출력되도록 함으로써 수행될 수 있다. 따라서, 제 1 다이(502)에서 상기 바운더리 스캔 테스트는 제 1 방향으로 수행될 수 있고, 상기 제 2 다이(503)에서 상기 바운더리 스캔 테스트는 상기 제 1 방향의 반대 방향인 제 2 방향으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 방향은 반시계 방향일 수 있고, 상기 제 2 방향은 시계 방향일 수 있다. 상기 제 2 다이(503)는 상기 제 1 다이(502)를 기준으로 180도 회전되어 적층되므로, 상기 제 2 다이(503)에서 상기 테스트 신호가 상기 바운더리 스캔 셀(BST)을 경유하는 방향은 상기 제 1 다이(502)에서 상기 테스트 신호가 상기 바운더리 스캔 셀(BST)을 경유하는 방향과 반대여야 한다.
상기 바운더리 스캔 셀은 채널 옵션 신호(CHOPT)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 다이(502)에서, 상기 바운더리 스캔 셀(BST)은 각각 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 제 2 방향에 배치된 바운더리 스캔 셀(BST)로부터 전송된 신호를 수신하고, 제 1 방향에 배치된 바운더리 스캔 셀(BST)로 신호를 출력할 수 있다. 상기 제 2 다이(503)에서, 상기 바운더리 스캔 셀(BST)은 각각 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 제 1 방향에 배치된 바운더리 스캔 셀(BST)로부터 전송된 신호를 수신하고, 제 2 방향에 배치된 바운더리 스캔 셀(BST)로 신호를 출력할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 바운더리 스캔 체인(600) 및 바운더리 스캔 셀의 구성을 보여주는 도면이다. 도 6에 도시된 바운더리 스캔 체인(600)은 도 5에 도시된 바운더리 스캔 셀(BST)의 연결 관계로 각각 적용될 수 있다. 도 6에서, 3개의 바운더리 스캔 셀을 예시적으로 도시하였다. 제 1 바운더리 스캔 셀(611)의 제 1 방향에는 제 2 바운더리 스캔 셀(612)이 연결되고, 상기 제 1 바운더리 스캔 셀의 제 2 방향에는 제 3 바운더리 스캔 셀(613)이 연결될 수 있다. 상기 제 1 내지 제 3 바운더리 스캔 셀(611, 612, 613)은 제 1 입력 단자(INA), 제 2 입력 단자(INB) 및 출력 단자(OUT)를 각각 포함할 수 있다. 상기 제 1 내지 제 3 바운더리 스캔 셀(611, 612, 613)은 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)를 공통으로 수신할 수 있다. 상기 제 1 바운더리 스캔 셀(611)의 제 1 입력 단자(INA)는 상기 제 3 바운더리 스캔 셀(613)의 출력 단자(OUT)와 연결되고, 상기 제 1 바운더리 스캔 셀(611)의 제 2 입력 단자(INB)는 상기 제 2 바운더리 스캔 셀(612)의 출력 단자(OUT)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 바운더리 스캔 셀(611)의 출력 단자(OUT)는 상기 제 2 바운더리 스캔 셀(612)의 제 1 입력 단자(INA) 및 상기 제 3 바운더리 스캔 셀(613)의 제 2 입력 단자(INB)와 공통 연결될 수 있다. 상기 제 2 바운더리 스캔 셀(612)의 제 2 입력 단자(INB)는 상기 제 2 바운더리 스캔 셀(612)의 제 1 방향에 배치되는 또 다른 바운더리 스캔 셀의 출력 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 2 바운더리 스캔 셀(612)의 출력 단자(OUT)는 상기 제 1 바운더리 스캔 셀(611)의 제 2 입력 단자(INB) 및 상기 또 다른 바운더리 스캔 셀의 제 1 입력 단자와 공통 연결될 수 있다. 상기 제 3 바운더리 스캔 셀(613)의 제 1 입력 단자(INA)는 상기 제 3 바운더리 스캔 셀(613)의 제 2 방향에 배치되는 또 다른 바운더리 스캔 셀의 출력 단자와 연결될 수 있다. 상기 제 3 바운더리 스캔 셀(613)의 출력 단자(OUT)는 상기 제 1 바운더리 스캔 셀(611)의 제 1 입력 단자(INA) 및 상기 또 다른 바운더리 스캔 셀의 제 2 입력 단자와 공통 연결될 수 있다.
상기 제 1 내지 제 3 바운더리 스캔 셀(611, 612, 613)은 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 입력 단자(INA, INB) 중 하나를 통해 다른 바운더리 스캔 셀로부터 전송된 신호를 수신할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 내지 제 3 바운더리 스캔 셀(611, 612, 613)이 상기 제 1 다이(502)에 포함될 때, 상기 제 1 내지 제 3 바운더리 스캔 셀(611, 612, 613)은 각각 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 제 1 입력 단자(INA)를 통해 신호를 수신할 수 있다. 따라서, 제 3 바운더리 스캔 셀(613)로 입력된 신호는 제 1 바운더리 스캔 셀(611)을 경유하여 상기 제 2 바운더리 스캔 셀(612)로 출력될 수 있고, 바운더리 스캔 테스트는 제 1 방향으로 수행될 수 있다. 상기 제 1 내지 제 3 바운더리 스캔 셀(611, 612, 613)이 상기 제 2 다이(503)에 포함될 때, 상기 제 1 내지 제 3 바운더리 스캔 셀(611, 612, 613)은 각각 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 제 2 입력 단자(INB)를 통해 신호를 수신할 수 있다. 따라서, 제 2 바운더리 스캔 셀(612)로 입력된 신호는 제 1 바운더리 스캔 셀(611)을 경유하여 상기 제 3 바운더리 스캔 셀(613)로 출력될 수 있고, 바운더리 스캔 테스트는 제 2 방향으로 수행될 수 있다.
상기 바운더리 스캔 셀은 동일한 구조를 가질 수 있다. 상기 바운더리 스캔 셀은 입력 버퍼(620), 입력 경로 선택기(630), 신호 선택기(640) 및 플립플롭(650)을 포함할 수 있다. 상기 입력 버퍼(620)는 노멀 신호(NS) 및 테스트 신호(TS)를 수신할 수 있다. 도 5를 함께 참조하면, 상기 노멀 신호(NS)는 상기 반도체 장치(500)의 노멀 동작 중에 입력되는 신호로서, 상기 바운더리 스캔 셀(BST)이 연결된 패드가 데이터 패드일 때 상기 노멀 신호(NS)는 데이터일 수 있다. 상기 테스트 신호(TS)는 바운더리 스캔 테스트 중에 입력되는 신호일 수 있다. 상기 입력 경로 선택기(630)는 제 1 입력 단자(INA) 및 제 2 입력 단자(INB)와 연결되고, 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 제 1 입력 단자(INA) 및 제 2 입력 단자(INB)를 통해 입력되는 신호 중 하나를 출력할 수 있다. 예를 들어, 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)가 로우 레벨일 때 상기 입력 경로 선택기(630)는 상기 제 1 입력 단자(INA)를 통해 입력되는 신호를 출력할 수 있다. 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)가 하이 레벨일 때 상기 입력 경로 선택기(630)는 상기 제 2 입력 단자(INB)를 통해 입력되는 신호를 출력할 수 있다. 상기 신호 선택기(640)는 테스트 제어 신호(TC)에 기초하여 상기 입력 버퍼(620)의 출력 및 상기 입력 경로 선택기(630)의 출력 중 하나를 출력할 수 있다. 제 1 다이(502)에서 테스트 신호(TS)는 상기 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP)와 연결되는 바운더리 스캔 셀(BST)로 입력될 수 있고, 상기 바운더리 스캔 셀(BST)의 신호 선택기(640)는 상기 테스트 제어 신호(TC)에 기초하여 상기 입력 버퍼(620)를 통해 수신된 테스트 신호(TS)를 출력할 수 있다. 상기 제 1 커맨드 어드레스 패드(CA_UP)와 연결되는 바운더리 스캔 셀(BST)을 제외한 나머지 바운더리 스캔 셀(BST)은 상기 테스트 제어 신호(TC)에 기초하여 상기 입력 경로 선택기(630)의 출력을 출력할 수 있다. 상기 플립플롭(650)은 상기 신호 선택기(640)의 출력 및 클럭 신호(CLK)를 수신할 수 있다. 상기 플립플롭(650)은 상기 신호 선택기(640)의 출력을 상기 클럭 신호(CLK)에 동기하여 지연시키고, 지연된 신호를 출력 단자(OUT)로 출력할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 벤더 ID 출력 회로(700)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 2에 도시된 상기 제 1 및 제 2 다이(202, 203)는 상기 벤더 ID 출력 회로(700)를 각각 포함할 수 있다. 상기 벤더 ID 출력 회로(700)는 각각의 다이에 저장된 고유의 정보를 외부 장치로 출력하기 위한 구성요소일 수 있다. 상기 벤더 ID 출력 회로(700)는 벤더 ID 저장 회로(710, VID 저장 회로), 출력 제어 회로(720), 제 1 선택기(731) 및 제 2 선택기(732)를 포함할 수 있다. 상기 벤더 ID 저장 회로(710)는 레지스터, 비휘발성 메모리와 같은 정보 저장 회로일 수 있다. 상기 벤더 ID 저장 회로(710)는 제 1 벤더 ID 정보(VID<1:8>) 및 제 2 벤더 ID 정보(VID<9:16>)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 벤더 ID 정보(VID<1:8>)는 하나의 벤더 ID 정보의 일부일 수 있고, 상기 제 2 벤더 ID 정보(VID<9:16>)는 상기 하나의 벤더 ID 정보의 다른 일부일 수 있다. 상기 출력 제어 회로(720)는 커맨드 어드레스 신호(CA<1:5>, CA<6:10>)에 기초하여 출력 제어 신호(VIDEN)를 생성할 수 있다.
상기 제 1 선택기(731)는 상기 제 1 및 제 2 벤더 ID 정보(VID<1:8>, VID<9:16>)와 채널 옵션 신호(CHOPT)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 선택기(731)는 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 벤더 ID 정보(VID<1:8>, VID<9:16>) 중 하나를 제 1 벤더 ID 신호(VID_DQ<1:8>)로 출력할 수 있다. 상기 제 2 선택기(732)는 상기 제 1 및 제 2 벤더 ID 정보(VID<1:8>, VID<9:16>)와 채널 옵션 신호(CHOPT)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 선택기(732)는 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 벤더 ID 정보(VID<1:8>, VID<9:16>) 중 하나를 제 2 벤더 ID 신호(VID_DQ<9:16>)로 출력할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 벤더 ID 신호(VID_DQ<1:8>, VID_DQ<9:16>)는 데이터 패드를 통해 출력될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 벤더 ID 신호(VID_DQ<1:8>)는 제 1 내지 제 8 데이터 패드(DQ1-DQ8)를 통해 출력될 수 있고, 상기 제 2 벤더 ID 신호(VID_DQ<9:16>)는 제 9 내지 제 16 데이터 패드(DQ9-DQ16)를 통해 출력될 수 있다.
상기 제 1 선택기(731)의 출력은 데이터 버퍼(741)와 연결될 수 있다. 상기 데이터 버퍼(741)는 상기 제 1 벤더 ID 신호(VID_DQ<1:8>) 및 상기 출력 제어 신호(VIDEN)를 수신할 수 있다. 상기 데이터 버퍼(741)는 상기 출력 제어 신호(VIDEN)가 인에이블되었을 때 상기 제 1 벤더 ID 신호(VID_DQ<1:8>)를 버퍼링하여 버퍼링된 제 1 벤더 ID 신호(VID_DQ<1:8>)를 상기 제 1 내지 제 8 데이터 버퍼(DQ1-DQ8)를 통해 출력할 수 있다. 상기 데이터 버퍼(742)는 상기 제 2 벤더 ID 신호(VID_DQ<9:16>) 및 상기 출력 제어 신호(VIDEN)를 수신할 수 있다. 상기 데이터 버퍼(742)는 상기 출력 제어 신호(VIDEN)가 인에이블되었을 때 상기 제 2 벤더 ID 신호(VID_DQ<9:16>)를 버퍼링하여 버퍼링된 제 2 벤더 ID 신호(VID_DQ<9:16>)를 상기 제 9 내지 제 16 데이터 버퍼(DQ9-DQ16)를 통해 출력할 수 있다.
도 3을 함께 참조하면, 상기 제 1 다이(302)에 포함되는 벤더 ID 출력 회로(700)는 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 제 1 벤더 ID 정보(VID<1:8>)를 상기 제 1 벤더 ID 신호(VID_DQ<1:8>)로 출력하고, 상기 제 2 벤더 ID 정보(VID<9:16>)를 상기 제 2 벤더 ID 신호(VID_DQ<9:16>)로 출력할 수 있다. 상기 제 2 다이(303)는 상기 제 1 다이(302)를 기준으로 180도 회전되어 배치되고, 상기 제 2 다이(303)의 제 1 데이터 관련 패드는 상기 제 2 채널의 제 2 데이터 관련 패드와 연결되며, 상기 제 2 다이(303)의 제 2 데이터 관련 패드는 상기 제 2 채널의 제 1 데이터 관련 패드와 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제 2 다이(303)에 포함되는 벤더 ID 출력 회로(700)는 상기 제 1 벤더 ID 정보(VID<1:8>)를 상기 제 2 벤더 ID 신호(VID_DQ<9:16>)로 출력하여 상기 제 1 벤더 ID 정보(VID<1:8>)가 상기 제 2 다이(303)의 데이터 패드(332, DQ16-DQ9)를 통해 상기 제 2 채널의 제 1 데이터 패드(313, DQ8-DQ1)로 출력되도록 할 수 있다. 마찬가지로, 상기 벤더 ID 출력 회로(700)는 상기 제 2 벤더 ID 정보(VID<9:16>)를 상기 제 1 벤더 ID 신호(VID_DQ<1:8>)로 출력하여 상기 제 2 벤더 ID 정보(VID<9:16>)가 상기 제 2 다이(303)의 데이터 패드(331, DQ8-DQ1)를 통해 상기 제 2 채널의 데이터 패드(314, DQ16-DQ9)로 출력되도록 할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 EDC (Error Detection Circuit) 제어 회로(800)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 상기 제 1 및 제 2 다이(202, 203)는 상기 EDC 제어 회로(800)를 각각 포함할 수 있다. 상기 EDC 제어 회로(800)는 도 5에 도시된 EDC 패드(EDC1, EDC2)로 EDC 패턴을 출력하기 위해 구비될 수 있다. 상기 EDC 제어 회로(800)는 커맨드 어드레스 신호(CA<1:5>, CA<6:10>)에 기초하여 상기 EDC 패턴(EDCP)을 반전 또는 비반전시켜 출력할 수 있다. 상기 EDC 제어 회로(800)는 EDC 제어 신호 생성 회로(810), 제 1 선택기(821), 제 2 선택기(822), 제 1 EDC 인버전부(831) 및 제 2 EDC 인버전부(832)를 포함할 수 있다. 상기 EDC 제어 신호 생성 회로(810)는 상기 커맨드 어드레스 신호(CA<1:5>, CA<6:10>)에 기초하여 EDC 제어 신호(EDCINV)를 생성할 수 있다. 상기 EDC 제어 신호(EDCINV)는 상기 EDC 패턴(EDCP)의 반전 여부를 지시하는 인버전 플래그로서 사용될 수 있다. 상기 제 1 선택기(821)는 상기 EDC 제어 신호(EDCINV), 디스에이블 전압(VSS) 및 채널 옵션 신호(CHOPT)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 선택기(821)는 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 EDC 제어 신호(EDCINV) 및 상기 디스에이블 전압(VSS) 중 하나를 제 1 EDC 인버전 제어 신호(EDC1INV)로 출력할 수 있다. 상기 디스에이블 전압(VSS)은 상기 제 1 EDC 인버전 제어 신호(EDC1INV)를 디스에이블시킬 수 있는 전압 레벨을 가질 수 있고, 예를 들어, 접지전압에 대응하는 전압 레벨을 가질 수 있다. 상기 제 2 선택기(822)는 상기 EDC 제어 신호(EDCINV), 디스에이블 전압(VSS) 및 채널 옵션 신호(CHOPT)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 선택기(822)는 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 EDC 제어 신호(EDCINV) 및 상기 디스에이블 전압(VSS) 중 하나를 제 2 EDC 인버전 제어 신호(EDC2INV)로 출력할 수 있다.
상기 제 1 EDC 인버전부(831)는 상기 EDC 패턴(EDCP) 및 상기 제 1 EDC 인버전 제어 신호(EDC1INV)를 수신할 수 있다. 상기 제 1 EDC 인버전부(831)는 상기 제 1 EDC 인버전 제어 신호(EDC1INV)가 인에이블되었을 때 상기 EDC 패턴(EDCP)을 반전시켜 반전된 EDC 패턴을 출력할 수 있고, 상기 제 1 EDC 인버전 제어 신호(EDC1INV)가 디스에이블되었을 때 상기 EDC 패턴(EDCP)을 반전시키지 않고 비반전된 EDC 패턴을 출력할 수 있다. 상기 제 1 EDC 인버전부(831)의 출력은 제 1 EDC 패드(EDC1)를 통해 출력될 수 있다. 상기 제 2 EDC 인버전부(832)는 상기 EDC 패턴(EDCP) 및 상기 제 2 EDC 인버전 제어 신호(EDC2INV)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 EDC 인버전부(832)는 상기 제 2 EDC 인버전 제어 신호(EDC2INV)가 인에이블되었을 때 상기 EDC 패턴(EDCP)을 반전시켜 반전된 EDC 패턴을 출력할 수 있고, 상기 제 2 EDC 인버전 제어 신호(EDC2INV)가 디스에이블되었을 때 상기 EDC 패턴(EDCP)을 반전시키지 않고 비반전된 EDC 패턴을 출력할 수 있다. 상기 제 2 EDC 인버전부(832)의 출력은 제 2 EDC 패드(EDC2)를 통해 출력될 수 있다.
도 5를 함께 참조하면, 상기 제 1 다이(502)의 제 1 EDC 패드(EDC1)는 상기 제 1 채널의 제 1 EDC 패드(EDC1)와 연결되고, 상기 제 1 다이(502)의 제 2 EDC 패드(EDC2)는 상기 제 1 채널의 제 2 EDC 패드(EDC2)와 연결되므로 상기 제 1 및 제 2 EDC 인버전 제어 신호(EDC1INV, EDC2INV)의 레벨을 변화시키지 않을 수 있다. 상기 제 2 다이(503)는 상기 제 1 다이(502)를 기준으로 180도 회전되어 배치되므로, 상기 제 2 다이(503)의 제 1 EDC 패드(EDC1)는 상기 제 2 채널의 제 2 EDC 패드(EDC2)와 연결되고, 상기 제 2 다이(503)의 제 2 EDC 패드(EDC2)는 상기 제 2 채널의 제 1 EDC 패드(EDC1)와 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제 2 다이(503)에 배치되는 상기 EDC 제어 회로(700)는 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 제 1 EDC 인버전 제어 신호(EDC1INV)와 상기 제 2 EDC 인버전 제어 신호(EDC2INV)의 레벨을 스와핑하여 출력함으로써, 반전이 필요한 EDC 패턴(EDCP)을 정확하게 반전시켜 출력할 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치(900)의 구성을 보여주는 도면이다. 상기 반도체 장치(900)는 도 2에 도시된 반도체 장치(200)와 실질적으로 동일한 구성을 가질 수 있다. 동일한 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 도 9에서, 상기 기판(901)은 제 1 채널의 제 1 바이트 패드(910), 제 1 채널의 제 2 바이트 패드(920), 제 2 채널의 제 1 바이트 패드(930) 및 제 2 채널의 제 2 바이트 패드(940)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 채널의 제 1 바이트 패드(910)는 제 1 데이터 관련 패드(911) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(912)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드(920)는 제 2 데이터 관련 패드(921) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(922)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드(930)는 제 1 데이터 관련 패드(931) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(932)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드(940)는 제 2 데이터 관련 패드(941) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(942)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 다이(902)는 상기 제 1 다이(902)의 제 1 바이트 패드(950) 및 제 1 다이(902)의 제 2 바이트 패드(960)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 다이(902)의 제 1 바이트 패드(950)는 제 1 데이터 관련 패드(951) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(952)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 다이(902)의 제 2 바이트 패드(960)는 제 2 데이터 관련 패드(961) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(962)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 다이(903)는 제 2 다이(903)의 제 1 바이트 패드(970) 및 제 2 다이(903)의 제 2 바이트 패드(980)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 다이(903)의 제 1 바이트 패드(970)는 제 1 데이터 관련 패드(971) 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(972)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 다이(903)의 제 2 바이트 패드(980)는 제 2 데이터 관련 패드(981) 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(982)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 다이(902)의 제 1 데이터 관련 패드(951)는 상기 제 1 채널의 제 1 데이터 관련 패드(911)와 연결되고, 상기 제 1 다이(902)의 제 1 커맨드 어드레스 패드(952)는 상기 제 1 채널의 제 1 커맨드 어드레스 패드(912)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 다이(902)의 제 2 데이터 관련 패드(961)는 상기 제 1 채널의 제 2 데이터 관련 패드(921)와 연결되고, 상기 제 1 다이(902)의 제 2 커맨드 어드레스 패드(962)는 상기 제 1 채널의 제 2 커맨드 어드레스 패드(922)와 연결될 수 있다. 상기 제 2 다이(903)의 제 1 데이터 관련 패드(971)는 상기 제 2 채널의 제 2 데이터 관련 패드(941)와 연결되고, 상기 제 2 다이(903)의 제 1 커맨드 어드레스 패드(972)는 상기 제 2 채널의 제 2 커맨드 어드레스 패드(942)와 연결될 수 있다. 상기 제 2 다이(903)의 제 2 데이터 관련 패드(981)는 상기 제 2 채널의 제 1 데이터 관련 패드(931)와 연결되고, 상기 제 2 다이(903)의 제 2 커맨드 어드레스 패드(982)는 상기 제 2 채널의 제 1 커맨드 어드레스 패드(932)와 연결될 수 있다. 상기 반도체 장치(900)는 상기 제 2 다이(903)의 제 1 및 제 2 커맨드 어드레스 패드(972, 982)가 각각 제 2 채널의 제 2 및 제 1 커맨드 어드레스 패드(942, 932)와 연결되는 점에서 도 2의 반도체 장치(200)와 차이점이 있다. 상기 반도체 장치(900)는 상기 제 2 채널의 제 1 커맨드 어드레스 패드(932)를 통해 전송된 커맨드 어드레스 신호를 상기 제 2 다이(903)의 제 2 커맨드 어드레스 패드(982)를 통해 수신할 수 있다. 상기 반도체 장치(900)는 상기 제 2 채널의 제 2 커맨드 어드레스 패드(942)를 통해 전송된 커맨드 어드레스 신호를 상기 제 2 다이(903)의 제 1 커맨드 어드레스 패드(972)를 통해 수신할 수 있다.
상기 제 2 다이(903)는 상기 제 1 커맨드 어드레스 패드(972)를 통해 수신된 커맨드 어드레스 신호와 상기 제 2 커맨드 어드레스 패드(982)를 통해 수신된 커맨드 어드레스 신호를 스와핑하여 사용할 수 있다. 상기 제 2 다이(903)는 상기 채널 옵션 신호(CHOPT)에 기초하여 상기 제 1 커맨드 어드레스 패드(972)를 통해 수신된 커맨드 어드레스 신호와 상기 제 2 커맨드 어드레스 패드(982)를 통해 수신된 커맨드 어드레스 신호를 스와핑할 수 있다. 상기 제 2 다이(903)는 상기 제 1 커맨드 어드레스 패드(972)를 통해 수신된 커맨드 어드레스 신호에 기초하여 상기 제 2 데이터 관련 패드(981)를 통해 수신된 데이터를 저장하거나 상기 제 2 데이터 관련 패드(981)로 데이터를 출력할 수 있다. 상기 제 2 다이(903)는 상기 제 2 커맨드 어드레스 패드(982)를 통해 수신된 커맨드 어드레스 신호에 기초하여 상기 제 1 데이터 관련 패드(971)를 통해 수신된 데이터를 저장하거나 상기 제 1 데이터 관련 패드(971)로 데이터를 출력할 수 있다. 도 3 내지 도 8에 도시된 구성 요소들은 상기 반도체 장치(900)의 구성요소로 각각 적용될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (16)

  1. 일 측에 제 1 채널의 제 1 바이트 패드 및 제 2 채널의 제 1 바이트 패드가 순차적으로 배치되고, 상기 일 측의 맞은 편인 타 측에 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드 및 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드가 순차적으로 배치되는 기판;
    상기 일 측과 마주하는 제 1 면에 제 1 바이트 패드가 배치되고, 상기 타 측과 마주하는 제 2 면에 제 2 바이트 패드가 배치되는 제 1 다이; 및
    상기 타 측과 마주하는 제 1 면에 제 1 바이트 패드가 배치되고, 상기 일 측과 마주하는 제 2 면에 제 2 바이트 패드가 배치되는 제 2 다이를 포함하고,
    상기 제 1 다이의 제 1 바이트 패드는 상기 제 1 채널의 제 1 바이트 패드와 각각 연결되고, 상기 제 1 다이의 제 2 바이트 패드는 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드와 각각 연결되며,
    상기 제 2 다이는 상기 제 1 다이를 기준으로 180도 회전되어 배치되고, 상기 제 2 다이의 제 1 바이트 패드는 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드와 연결되고, 상기 제 2 다이의 제 2 바이트 패드는 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드와 각각 연결되는 반도체 장치.
  2. ◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 채널의 제 1 바이트 패드는 순차적으로 배치되는 제 1 데이터 관련 패드 및 제 1 커맨드 어드레스 패드를 포함하고, 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드는 순차적으로 배치되는 제 1 커맨드 어드레스 패드 및 제 1 데이터 관련 패드를 포함하며,
    상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드는 순차적으로 배치되는 제 2 데이터 관련 패드 및 제 2 커맨드 어드레스 패드를 포함하고, 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드는 순차적으로 배치되는 제 2 커맨드 어드레스 패드 및 제 2 데이터 관련 패드를 포함하며,
    상기 제 1 다이의 제 1 바이트 패드는 순차적으로 배치되는 제 1 데이터 관련 패드 및 제 1 커맨드 어드레스 패드를 포함하고, 상기 제 1 다이의 제 2 바이트 패드는 순차적으로 배치되는 제 2 데이터 관련 패드 및 제 2 커맨드 어드레스 패드를 포함하고,
    상기 제 2 다이의 제 1 바이트 패드는 순차적으로 배치되는 제 1 데이터 관련 패드 및 제 1 커맨드 어드레스 패드를 포함하고, 상기 제 2 다이의 제 2 바이트 관련 패드는 순차적으로 배치되는 제 2 데이터 관련 패드 및 제 2 커맨드 어드레스 패드를 포함하는 반도체 장치.
  3. ◈청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 다이의 제 1 데이터 관련 패드는 상기 제 1 채널의 제 1 데이터 관련 패드와 연결되고, 상기 제 1 다이의 제 1 커맨드 어드레스 패드는 상기 제 1 채널의 제 1 커맨드 어드레스 패드와 연결되며, 상기 제 1 다이의 제 2 데이터 관련 패드는 상기 제 1 채널의 제 2 데이터 관련 패드와 연결되고, 상기 제 1 다이의 제 2 커맨드 어드레스 패드는 상기 제 1 채널의 제 2 커맨드 어드레스 패드와 연결되는 반도체 장치.
  4. ◈청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 다이는 제 1 바이트 메모리 뱅크 및 제 2 바이트 메모리 뱅크를 포함하고,
    상기 제 1 다이는 상기 제 1 다이의 상기 제 1 데이터 관련 패드를 통해 수신된 데이터를 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크에 저장하거나 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크로부터 출력된 데이터를 상기 제 1 다이의 상기 제 1 데이터 관련 패드를 통해 출력하며, 상기 제 1 다이의 상기 제 2 데이터 관련 패드를 통해 수신된 데이터를 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크에 저장하거나 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크로부터 출력된 데이터를 상기 제 1 다이의 상기 제 2 데이터 관련 패드를 통해 출력하는 반도체 장치.
  5. ◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 다이의 제 1 데이터 관련 패드는 상기 제 2 채널의 제 2 데이터 관련 패드와 연결되고, 상기 제 2 다이의 제 1 커맨드 어드레스 패드는 상기 제 2 채널의 제 1 커맨드 어드레스 패드와 연결되며, 상기 제 2 다이의 제 2 데이터 관련 패드는 상기 제 2 채널의 제 1 데이터 관련 패드와 연결되고, 상기 제 2 다이의 제 2 커맨드 어드레스 패드는 상기 제 2 채널의 제 2 커맨드 어드레스 패드와 연결되는 반도체 장치.
  6. ◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 다이는 제 1 바이트 메모리 뱅크 및 제 2 바이트 메모리 뱅크를 포함하고,
    상기 제 2 다이는 상기 제 2 다이의 상기 제 1 데이터 관련 패드를 통해 수신된 데이터를 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크에 저장하거나 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크로부터 출력된 데이터를 상기 제 2 다이의 상기 제 1 데이터 관련 패드를 통해 출력하며, 상기 제 2 다이의 상기 제 2 데이터 관련 패드를 통해 수신된 데이터를 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크에 저장하거나 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크로부터 출력된 데이터를 상기 제 2 다이의 상기 제 2 데이터 관련 패드를 통해 출력하는 반도체 장치.
  7. ◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 다이의 제 1 데이터 관련 패드는 상기 제 2 채널의 제 2 데이터 관련 패드와 연결되고, 상기 제 2 다이의 제 1 커맨드 어드레스 패드는 상기 제 2 채널의 제 2 커맨드 어드레스 패드와 연결되며, 상기 제 2 다이의 제 2 데이터 관련 패드는 상기 제 2 채널의 제 1 데이터 관련 패드와 연결되고, 상기 제 2 다이의 제 2 커맨드 어드레스 패드는 상기 제 2 채널의 제 1 커맨드 어드레스 패드와 연결되는 반도체 장치.
  8. ◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 다이는 제 1 바이트 메모리 뱅크 및 제 2 바이트 메모리 뱅크를 포함하고,
    상기 제 2 다이는 상기 제 2 다이의 제 1 커맨드 어드레스 패드를 통해 수신된 커맨드 어드레스 신호에 기초하여, 상기 제 2 다이의 제 2 데이터 관련 패드를 통해 수신된 데이터를 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크에 저장하거나 상기 제 2 바이트 메모리 뱅크로부터 출력된 데이터를 상기 제 2 다이의 제 2 데이터 관련 패드로 출력하며, 상기 제 2 다이의 제 2 커맨드 어드레스 패드를 통해 수신된 커맨드 어드레스 신호에 기초하여, 상기 제 2 다이의 제 1 데이터 관련 패드를 통해 수신된 데이터를 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크에 저장하거나 상기 제 1 바이트 메모리 뱅크로부터 출력된 데이터를 상기 제 2 다이의 제 1 데이터 관련 패드로 출력하는 반도체 장치.
  9. ◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 다이는 각각 데이터 마스킹 회로를 포함하고,
    상기 데이터 마스킹 회로는 상기 제 1 및 제 2 커맨드 어드레스 패드를 통해 수신된 커맨드 어드레스 신호에 기초하여 제 1 마스킹 제어 신호 및 제 2 마스킹 제어 신호를 생성하는 마스킹 신호 생성 회로; 및
    채널 옵션 신호에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 마스킹 제어 신호 중 하나를 제 1 데이터 마스킹 신호로 출력하는 제 1 선택기; 및
    상기 채널 옵션 신호에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 마스킹 제어 신호 중 다른 하나를 제 2 데이터 마스킹 신호로 출력하는 제 2 선택기를 포함하는 반도체 장치.
  10. ◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 다이는 상기 제 1 데이터 관련 패드, 제 2 데이터 관련 패드, 제 1 커맨드 어드레스 패드, 제 2 커맨드 어드레스 패드와 각각 연결되는 복수의 바운더리 스캔 셀을 포함하고,
    상기 제 1 다이의 바운더리 스캔 셀은 제 1 방향에 배치된 바운더리 스캔 셀로부터 전송된 신호를 수신하여 제 2 방향에 배치된 바운더리 스캔 셀로 신호를 출력하고,
    상기 제 2 다이의 바운더리 스캔 셀은 상기 제 2 방향에 배치된 바운더리 스캔 셀로부터 전송된 신호를 수신하여 상기 제 1 방향에 배치된 바운더리 스캔 셀로 신호를 출력하는 반도체 장치.
  11. ◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 10 항에 있어서,
    상기 바운더리 스캔 셀은 제 1 입력 단자, 제 2 입력 단자 및 출력 단자를 포함하고, 채널 옵션 신호에 기초하여 제 1 및 제 2 입력 단자 중 하나로부터 신호를 수신하여 출력 단자로 신호를 출력하는 반도체 장치.
  12. ◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 다이는 각각 벤더 ID 출력 회로를 포함하고,
    상기 벤더 ID 출력 회로는 제 1 벤더 ID 정보 및 제 2 벤더 ID 정보를 저장하는 벤더 ID 저장 회로;
    채널 옵션 신호에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 벤더 ID 정보 중 하나를 제 1 벤더 ID 신호로 출력하는 제 1 선택기; 및
    상기 채널 옵션 신호에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 벤더 ID 정보 중 다른 하나를 제 2 벤더 ID 신호로 출력하는 제 2 선택기를 포함하고,
    상기 제 1 벤더 ID 신호는 제 1 데이터 관련 패드를 통해 출력되고, 상기 제 2 벤더 ID 신호는 제 2 데이터 관련 패드를 통해 출력되는 반도체 장치.
  13. ◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 다이는 각각 EDC 제어 회로를 포함하고,
    상기 EDC 제어 회로는 상기 제 1 및 제 2 커맨드 어드레스 패드를 통해 수신된 커맨드 어드레스 신호에 기초하여 EDC 인버전 신호를 생성하는 EDC 제어 신호 생성 회로;
    채널 옵션 신호에 기초하여 상기 EDC 인버전 신호 및 디스에이블 전압 중 하나를 제 1 EDC 인버전 제어 신호로 출력하는 제 1 선택기;
    상기 채널 옵션 신호에 기초하여 상기 EDC 인버전 신호 및 상기 디스에이블 전압 중 다른 하나를 제 2 EDC 인버전 제어 신호로 출력하는 제 2 선택기;
    상기 제 1 EDC 인버전 제어 신호에 기초하여 EDC 패턴을 선택적으로 반전시키고, 상기 선택적으로 반전된 EDC 패턴을 상기 제 1 데이터 관련 패드를 통해 출력하는 제 1 EDC 인버전부; 및
    상기 제 2 EDC 인버전 제어 신호에 기초하여 상기 EDC 패턴을 선택적으로 반전시키고, 상기 선택적으로 반전된 EDC 패턴을 상기 제 2 데이터 관련 패드를 통해 출력하는 제 2 EDC 인버전부를 포함하는 반도체 장치.
  14. 제 1 채널의 제 1 바이트 패드, 제 1 채널의 제 2 바이트 패드, 제 2 채널의 제 1 바이트 패드 및 제 2 채널의 제 2 바이트 패드를 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 제 1 다이; 및
    상기 제 1 다이를 기준으로 180도 회전되어 상기 기판 상에 배치되는 제 2 다이를 포함하고,
    상기 제 2 다이의 제 1 바이트 패드는 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드와 연결되며, 상기 제 2 다이의 제 2 바이트 패드는 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드와 연결되고,
    상기 제 2 다이는 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드를 통해 수신된 제어 신호에 기초하여 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드를 통해 수신된 데이터를 저장하고, 상기 제 2 채널의 제 1 바이트 패드를 통해 수신된 제어 신호에 기초하여 상기 제 2 채널의 제 2 바이트 패드를 통해 수신된 데이터를 저장하는 반도체 장치.
  15. ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 다이는 상기 제 1 채널의 제 1 바이트 패드를 통해 수신된 제어 신호에 기초하여 상기 제 1 채널의 제 1 바이트 패드를 통해 수신된 데이터를 저장하고, 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드를 통해 수신된 제어 신호에 기초하여 상기 제 1 채널의 제 2 바이트 패드를 통해 수신된 데이터를 저장하는 반도체 장치.
  16. ◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 다이는 상기 제 2 다이의 제 1 바이트 패드와 연결되고, 상기 제 2 다이의 제 1 바이트 패드를 통해 데이터를 수신하거나 출력하는 제 1 바이트 메모리 뱅크; 및
    상기 제 2 다이의 제 2 바이트 패드와 연결되고, 상기 제 2 다이의 제 2 바이트 패드를 통해 데이터를 수신하거나 출력하는 제 2 바이트 메모리 뱅크를 포함하는 반도체 장치.
KR1020180081446A 2018-07-13 2018-07-13 복수의 채널로 동작하는 복수의 다이를 포함하는 반도체 장치 KR102605145B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180081446A KR102605145B1 (ko) 2018-07-13 2018-07-13 복수의 채널로 동작하는 복수의 다이를 포함하는 반도체 장치
US16/215,292 US10969998B2 (en) 2018-07-13 2018-12-10 Semiconductor apparatus including a plurality of dies operating as a plurality of channels
CN201811574741.5A CN110718242B (zh) 2018-07-13 2018-12-21 包括操作为多个通道的多个裸片的半导体装置
US17/201,767 US20210200479A1 (en) 2018-07-13 2021-03-15 Semiconductor apparatus including a plurality of dies operating as a plurality of channels

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180081446A KR102605145B1 (ko) 2018-07-13 2018-07-13 복수의 채널로 동작하는 복수의 다이를 포함하는 반도체 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200007393A KR20200007393A (ko) 2020-01-22
KR102605145B1 true KR102605145B1 (ko) 2023-11-24

Family

ID=69138175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180081446A KR102605145B1 (ko) 2018-07-13 2018-07-13 복수의 채널로 동작하는 복수의 다이를 포함하는 반도체 장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10969998B2 (ko)
KR (1) KR102605145B1 (ko)
CN (1) CN110718242B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102179297B1 (ko) * 2014-07-09 2020-11-18 삼성전자주식회사 모노 패키지 내에서 인터커넥션을 가지는 반도체 장치 및 그에 따른 제조 방법
US11657858B2 (en) * 2018-11-28 2023-05-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices including memory planes and memory systems including the same
KR20230018773A (ko) * 2021-07-30 2023-02-07 에스케이하이닉스 주식회사 신호 경로들을 스와핑할 수 있는 반도체 회로 및 이를 이용하는 반도체 장치
US20230280906A1 (en) * 2022-03-02 2023-09-07 Ati Technologies Ulc Memory organization for multi-mode support

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060248419A1 (en) 2005-04-29 2006-11-02 Colunga Tomas V Methods and apparatus for extending semiconductor chip testing with boundary scan registers
JP2011166147A (ja) 2010-02-09 2011-08-25 Samsung Electronics Co Ltd 半導体メモリ装置及びそれを含む半導体パッケージ
JP2017092491A (ja) 2013-03-13 2017-05-25 アップル インコーポレイテッド 積層型メモリパッケージ、その製造方法及びicパッケージ基板のピン配列デザイン

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3955712B2 (ja) * 2000-03-03 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2003338175A (ja) * 2002-05-20 2003-11-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体回路装置
US6975527B1 (en) * 2002-11-12 2005-12-13 Integrated Device Technology, Inc. Memory device layout
US7840136B1 (en) * 2006-03-28 2010-11-23 Oracle America, Inc. Low-latency switch using optical and electrical proximity communication
EP2339476B1 (en) * 2009-12-07 2012-08-15 STMicroelectronics (Research & Development) Limited Interface connecting dies in an IC package
US8966208B2 (en) * 2010-02-25 2015-02-24 Conversant Ip Management Inc. Semiconductor memory device with plural memory die and controller die
US20120167392A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Stmicroelectronics Pte. Ltd. Razor with chemical and biological sensor
KR20120119960A (ko) * 2011-04-21 2012-11-01 삼성전자주식회사 마이크로 범프 연결성을 테스트할 수 있는 반도체 장치
US8476768B2 (en) * 2011-06-28 2013-07-02 Freescale Semiconductor, Inc. System on a chip with interleaved sets of pads
US9390772B2 (en) * 2012-05-22 2016-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device including option pads for determining an operating structure thereof, and a system having the same
KR20140023706A (ko) * 2012-08-17 2014-02-27 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치의 파워 tsv
JP6200236B2 (ja) * 2013-08-09 2017-09-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電子装置
US9710410B2 (en) * 2013-10-31 2017-07-18 Qualcomm Incorporated Camera control slave devices with multiple slave device identifiers
US9391032B2 (en) * 2013-11-27 2016-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuits with internal pads
KR102246878B1 (ko) * 2014-05-29 2021-04-30 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 모듈, 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR20160001099A (ko) * 2014-06-26 2016-01-06 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 패키지
KR102179297B1 (ko) * 2014-07-09 2020-11-18 삼성전자주식회사 모노 패키지 내에서 인터커넥션을 가지는 반도체 장치 및 그에 따른 제조 방법
KR102215826B1 (ko) * 2014-12-22 2021-02-16 삼성전자주식회사 입출력 부하를 감소하는 적층형 메모리 칩, 이를 포함하는 메모리 모듈 및 메모리 시스템
KR102263224B1 (ko) * 2015-06-03 2021-06-09 삼성전자 주식회사 방송수신장치, 이를 포함하는 시스템 및 그 제어방법
KR102422224B1 (ko) * 2015-07-31 2022-07-18 삼성전자주식회사 적층형 이미지 센서 및 이를 포함하는 시스템
KR102379704B1 (ko) * 2015-10-30 2022-03-28 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR102432934B1 (ko) * 2015-12-02 2022-08-17 에스케이하이닉스 주식회사 적층형 반도체 장치
KR102578171B1 (ko) * 2016-08-31 2023-09-14 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 시스템
US20190157253A1 (en) * 2019-01-22 2019-05-23 Intel Corporation Circuit Systems Having Memory Modules With Reverse Orientations
CN114496971A (zh) * 2021-05-05 2022-05-13 威盛电子股份有限公司 封装基板、芯片封装体及集成电路芯片

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060248419A1 (en) 2005-04-29 2006-11-02 Colunga Tomas V Methods and apparatus for extending semiconductor chip testing with boundary scan registers
JP2011166147A (ja) 2010-02-09 2011-08-25 Samsung Electronics Co Ltd 半導体メモリ装置及びそれを含む半導体パッケージ
JP2017092491A (ja) 2013-03-13 2017-05-25 アップル インコーポレイテッド 積層型メモリパッケージ、その製造方法及びicパッケージ基板のピン配列デザイン

Also Published As

Publication number Publication date
US10969998B2 (en) 2021-04-06
KR20200007393A (ko) 2020-01-22
US20210200479A1 (en) 2021-07-01
CN110718242B (zh) 2023-04-18
CN110718242A (zh) 2020-01-21
US20200019344A1 (en) 2020-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102605145B1 (ko) 복수의 채널로 동작하는 복수의 다이를 포함하는 반도체 장치
US11194505B2 (en) High bandwidth memory device and system device having the same
CN105304141B (zh) 包括共用校准参考电阻器的存储器的系统及其校准方法
JP5616636B2 (ja) マルチダイメモリ素子
CN106157996B (zh) 半导体器件
KR20200053754A (ko) 반도체 메모리 장치, 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법
US8803597B2 (en) Semiconductor integraged circuit having compatible mode selection circuit
US7721010B2 (en) Method and apparatus for implementing memory enabled systems using master-slave architecture
US11681457B2 (en) High bandwidth memory device and system device having the same
CN107209735B (zh) 可配置管芯、层叠封装装置以及方法
KR101889509B1 (ko) 반도체 장치 및 이를 포함하는 반도체 시스템
US11289174B2 (en) Stacked semiconductor device and semiconductor system including the same
CN110556154B (zh) 包括多输入移位寄存器电路的半导体器件
US10050017B2 (en) Semiconductor apparatus and semiconductor system including the same
US10340255B2 (en) Semiconductor apparatus and semiconductor system including the same
US10255954B1 (en) Memory device
KR102657544B1 (ko) 반도체 장치 및 이를 포함하는 반도체 시스템
US20230298631A1 (en) Stacked semiconductor device
WO2014115599A1 (ja) 半導体装置
JP2006073153A (ja) 入出力縮退回路
JP2011170914A (ja) 半導体装置
KR20130130621A (ko) 반도체 장치, 이를 제조하는 방법, 및 이를 포함하는 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant