JP6068829B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6068829B2 JP6068829B2 JP2012108657A JP2012108657A JP6068829B2 JP 6068829 B2 JP6068829 B2 JP 6068829B2 JP 2012108657 A JP2012108657 A JP 2012108657A JP 2012108657 A JP2012108657 A JP 2012108657A JP 6068829 B2 JP6068829 B2 JP 6068829B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- semiconductor layer
- gate
- wiring
- drain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 201
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 135
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 24
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 3
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- -1 polycrystal Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020944 Sn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009369 Zn Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007573 Zn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C15/00—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
- G11C15/04—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores using semiconductor elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- H10B99/22—Subject matter not provided for in other groups of this subclass including field-effect components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Dram (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
連想メモリを有する半導体装置の一例について図1、図2を用いて説明する。
図1、図2、図4、図5において、「X(Don’t Care)」を記憶せずに、第1状態及び第2状態のみを書き込んだ場合は2値連想メモリ(BCAM)となる。
2値連想メモリ(BCAM)又は3値連想メモリ(TCAM)において、各メモリセルの記憶内容を書き込み後に確認したい場合がある。
図1、図4ではチャネル容量を用いて電荷を保持(データを記憶)することにより、一つのメモリセルの面積を小さくしている。
図1及び図4において、読み出し用且つ電荷保持用のトランジスタ(トランジスタ21、トランジスタ22)に用いる半導体は、読み出し速度向上のため、結晶性を有し、シリコンを含有する半導体を用いると好ましい。
本実施の形態では、半導体材料について説明する。
連想メモリを用いた半導体装置の作製方法の一例について、図6〜図15を用いて説明する。
実施の形態7では、トップゲート型トランジスタの場合を示したが、ボトムゲート型トランジスタとしても良いし、フィン型トランジスタとしても良い。
組成比としてIn:Sn:Zn=1:1:1のターゲットを用いて、ガス流量比をAr/O2=6/9sccm、成膜圧力を0.4Pa、成膜電力100Wとして、15nmの厚さとなるように基板上に酸化物半導体層を成膜した。
サンプルAは酸化物半導体層の成膜中に基板に意図的な加熱を施さなかった。
サンプルBは基板を200℃になるように加熱した状態で酸化物半導体層の成膜を行った。
サンプルCは基板を200℃になるように加熱した状態で酸化物半導体層の成膜を行った。
図16(A)にサンプルAのトランジスタの初期特性を示す。
サンプルB(成膜後加熱処理なし)及びサンプルC(成膜後加熱処理あり)とに対してゲートBTストレス試験を行った。
12 トランジスタ
21 トランジスタ
22 トランジスタ
23 トランジスタ
31 配線
32 配線
33 配線
34 配線
35 配線
101 基板
102 絶縁層
200 半導体層
210 半導体層
300 ゲート絶縁層
411 電極
412 電極
413 電極
421 電極
422 電極
423 電極
424 電極
510 サイドウォール
600 層間絶縁膜
711 酸化物半導体層
712 酸化物半導体層
800 ゲート絶縁層
811 ゲート電極
910 サイドウォール
1011 電極
1012 電極
1021 電極
1022 電極
1023 配線
1024 配線
1025 配線
1100 層間絶縁膜
1211 配線
1212 配線
Claims (3)
- 第1乃至第4のトランジスタと、第1乃至第4の配線と、を有し、
前記第1の配線には、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と、が電気的に接続され、
前記第2の配線には、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方と、が電気的に接続され、
前記第3の配線には、前記第1のトランジスタのゲートと、前記第2のトランジスタのゲートと、が電気的に接続され、
前記第4の配線には、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方と、が電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートには、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方が電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲートには、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方が電気的に接続され、
前記第1及び前記第2のトランジスタの半導体層として、酸化物半導体層が用いられ、
前記第3及び前記第4のトランジスタの半導体層として、シリコンを含有する半導体層が用いられ、
前記第1のトランジスタは、前記第3のトランジスタの上方に設けられており、
前記第2のトランジスタは、前記第4のトランジスタの上方に設けられており、
前記第1のトランジスタの半導体層は、前記第3のトランジスタの半導体層と重なる領域を有し、
前記第2のトランジスタの半導体層は、前記第4のトランジスタの半導体層と重なる領域を有し、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された第1の接続電極を有し、
前記第1の接続電極、及び前記第3のトランジスタのゲートとしての機能を有する導電層は、同一工程を経て形成されたものであり、
前記第1の接続電極は、前記第1のトランジスタの半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 第1乃至第5のトランジスタと、第1乃至第5の配線と、を有し、
前記第1の配線には、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と、が電気的に接続され、
前記第2の配線には、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方と、が電気的に接続され、
前記第3の配線には、前記第1のトランジスタのゲートと、前記第2のトランジスタのゲートと、が電気的に接続され、
前記第4の配線には、前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、
前記第5の配線には、前記第5のトランジスタのゲートが電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートには、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方が電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲートには、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方が電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方には、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方と、が電気的に接続され、
前記第1及び前記第2のトランジスタの半導体層として、酸化物半導体層が用いられ、
前記第3乃至前記第5のトランジスタの半導体層として、シリコンを含有する半導体層が用いられ、
前記第1のトランジスタは、前記第3のトランジスタの上方に設けられており、
前記第2のトランジスタは、前記第4のトランジスタの上方に設けられており、
前記第1のトランジスタの半導体層は、前記第3のトランジスタの半導体層と重なる領域を有し、
前記第2のトランジスタの半導体層は、前記第4のトランジスタの半導体層と重なる領域を有し、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された第1の接続電極を有し、
前記第1の接続電極、及び前記第3のトランジスタのゲートとしての機能を有する導電層は、同一工程を経て形成されたものであり、
前記第1の接続電極は、前記第1のトランジスタの半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第3のトランジスタのゲートとしての機能を有する導電層は、前記第1のトランジスタの半導体層と重なる領域を有し、
前記第4のトランジスタのゲートとしての機能を有する導電層は、前記第2のトランジスタの半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012108657A JP6068829B2 (ja) | 2011-05-17 | 2012-05-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011110391 | 2011-05-17 | ||
JP2011110391 | 2011-05-17 | ||
JP2012108657A JP6068829B2 (ja) | 2011-05-17 | 2012-05-10 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016147997A Division JP6285509B2 (ja) | 2011-05-17 | 2016-07-28 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012256411A JP2012256411A (ja) | 2012-12-27 |
JP2012256411A5 JP2012256411A5 (ja) | 2015-06-25 |
JP6068829B2 true JP6068829B2 (ja) | 2017-01-25 |
Family
ID=47174272
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012108657A Expired - Fee Related JP6068829B2 (ja) | 2011-05-17 | 2012-05-10 | 半導体装置 |
JP2016147997A Expired - Fee Related JP6285509B2 (ja) | 2011-05-17 | 2016-07-28 | 半導体装置 |
JP2017001504A Active JP6333419B2 (ja) | 2011-05-17 | 2017-01-09 | 半導体装置 |
JP2018082845A Active JP6570694B2 (ja) | 2011-05-17 | 2018-04-24 | 半導体装置 |
JP2019144565A Withdrawn JP2019220698A (ja) | 2011-05-17 | 2019-08-06 | 半導体装置 |
JP2020182480A Active JP6987949B2 (ja) | 2011-05-17 | 2020-10-30 | 半導体装置 |
JP2021195344A Active JP7340584B2 (ja) | 2011-05-17 | 2021-12-01 | 半導体装置 |
JP2023137665A Pending JP2023162325A (ja) | 2011-05-17 | 2023-08-28 | 半導体装置 |
Family Applications After (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016147997A Expired - Fee Related JP6285509B2 (ja) | 2011-05-17 | 2016-07-28 | 半導体装置 |
JP2017001504A Active JP6333419B2 (ja) | 2011-05-17 | 2017-01-09 | 半導体装置 |
JP2018082845A Active JP6570694B2 (ja) | 2011-05-17 | 2018-04-24 | 半導体装置 |
JP2019144565A Withdrawn JP2019220698A (ja) | 2011-05-17 | 2019-08-06 | 半導体装置 |
JP2020182480A Active JP6987949B2 (ja) | 2011-05-17 | 2020-10-30 | 半導体装置 |
JP2021195344A Active JP7340584B2 (ja) | 2011-05-17 | 2021-12-01 | 半導体装置 |
JP2023137665A Pending JP2023162325A (ja) | 2011-05-17 | 2023-08-28 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9859268B2 (ja) |
JP (8) | JP6068829B2 (ja) |
KR (2) | KR101996214B1 (ja) |
TW (1) | TWI570891B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5960000B2 (ja) * | 2012-09-05 | 2016-08-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US9318484B2 (en) * | 2013-02-20 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI644433B (zh) * | 2013-03-13 | 2018-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP2015084418A (ja) | 2013-09-23 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN105097793B (zh) * | 2014-04-22 | 2018-03-16 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种集成电路的设计方法和集成电路 |
US10305460B2 (en) | 2016-02-23 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Data comparison circuit and semiconductor device |
WO2018004663A1 (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Intel Corporation | Two transistor memory cell with metal oxide semiconductors and silicon transistors |
WO2018004667A1 (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Intel Corporation | Two transistor memory cell using high mobility metal oxide semiconductors |
WO2018004659A1 (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Intel Corporation | Three transistor memory cell with metal oxide semiconductors and si transistors |
US10714181B2 (en) * | 2016-11-30 | 2020-07-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory cell |
US10283411B1 (en) * | 2018-01-02 | 2019-05-07 | International Business Machines Corporation | Stacked vertical transistor device for three-dimensional monolithic integration |
CN108615812B (zh) * | 2018-05-14 | 2020-02-07 | 浙江大学 | 一种基于记忆二极管的三态内容寻址存储器 |
US10741585B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-08-11 | Sandisk Technologies Llc | Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same |
TWI752667B (zh) * | 2020-10-07 | 2022-01-11 | 旺宏電子股份有限公司 | 三態內容可定址記憶體及其記憶胞 |
US11328775B2 (en) | 2020-10-07 | 2022-05-10 | Macronix International Co., Ltd. | Ternary content addressable memory and memory cell thereof |
US20240052086A1 (en) | 2021-02-03 | 2024-02-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method of producing optical material, polymerizable composition for optical material, and optical material |
JP2023170727A (ja) * | 2022-05-20 | 2023-12-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
Family Cites Families (145)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3701980A (en) * | 1970-08-03 | 1972-10-31 | Gen Electric | High density four-transistor mos content addressed memory |
US3750115A (en) * | 1972-04-28 | 1973-07-31 | Gen Electric | Read mostly associative memory cell for universal logic |
DE3171836D1 (en) | 1980-12-08 | 1985-09-19 | Toshiba Kk | Semiconductor memory device |
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPS6396799A (ja) | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Nec Corp | 連想メモリ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0352196A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-06 | Toshiba Corp | 連想メモリ |
US5146300A (en) | 1989-11-27 | 1992-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit device having improved stacked capacitor and manufacturing method therefor |
JPH088342B2 (ja) | 1989-11-27 | 1996-01-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US5930608A (en) * | 1992-02-21 | 1999-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a thin film transistor in which the channel region of the transistor consists of two portions of differing crystallinity |
JPH05101681A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2966638B2 (ja) * | 1992-04-17 | 1999-10-25 | 三菱電機株式会社 | ダイナミック型連想メモリ装置 |
JPH07121444A (ja) | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 補助記憶装置 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4103968B2 (ja) | 1996-09-18 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
US6169308B1 (en) | 1996-11-15 | 2001-01-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
JP3554666B2 (ja) | 1997-10-07 | 2004-08-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体メモリ装置 |
US6060723A (en) | 1997-07-18 | 2000-05-09 | Hitachi, Ltd. | Controllable conduction device |
EP0843361A1 (en) | 1996-11-15 | 1998-05-20 | Hitachi Europe Limited | Memory device |
US6642574B2 (en) | 1997-10-07 | 2003-11-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
EP0892440A1 (en) | 1997-07-18 | 1999-01-20 | Hitachi Europe Limited | Controllable conduction device |
US6753568B1 (en) | 1996-11-15 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Memory device |
EP0843360A1 (en) | 1996-11-15 | 1998-05-20 | Hitachi Europe Limited | Memory device |
US5888872A (en) * | 1997-06-20 | 1999-03-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for forming source drain junction areas self-aligned between a sidewall spacer and an etched lateral sidewall |
ATE422099T1 (de) | 1998-02-06 | 2009-02-15 | Hitachi Ltd | Steuerbare festkörperanordnung mit einer tunnelbarrierestruktur |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
GB2360113B (en) | 2000-03-08 | 2004-11-10 | Seiko Epson Corp | Dynamic random access memory |
JP2001338992A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Seiko Epson Corp | メモリセル、メモリセルの製造方法、半導体記憶装置及び電子機器 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
JP2002093178A (ja) | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Sony Corp | 半導体記憶装置および動作方法 |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP2003050405A (ja) * | 2000-11-15 | 2003-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US6888730B2 (en) | 2001-04-03 | 2005-05-03 | Mosaid Technologies Incorporated | Content addressable memory cell |
CA2342575A1 (en) | 2001-04-03 | 2002-10-03 | Mosaid Technologies Incorporated | Content addressable memory cell |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP2003272386A (ja) | 2002-03-20 | 2003-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | Tcamセル、tcamセルアレイ、アドレス検索メモリおよびネットワークアドレス検索装置 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7216284B2 (en) * | 2002-05-15 | 2007-05-08 | International Business Machines Corp. | Content addressable memory having reduced power consumption |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
JP2004111562A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Seiko Epson Corp | 素子基板及びその製造方法、電気光学装置、投射型表示装置 |
JP4602635B2 (ja) | 2002-10-03 | 2010-12-22 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP2004295967A (ja) | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Kawasaki Microelectronics Kk | 連想メモリ |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
JP4803953B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2011-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
EP1737044B1 (en) | 2004-03-12 | 2014-12-10 | Japan Science and Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
BRPI0517568B8 (pt) | 2004-11-10 | 2022-03-03 | Canon Kk | Transistor de efeito de campo |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
RU2358355C2 (ru) | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Полевой транзистор |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
EP1998373A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577281B (zh) | 2005-11-15 | 2012-01-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器及包含该显示器的电视机 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5015470B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-08-29 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ及びその製法 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP5608347B2 (ja) | 2008-08-08 | 2014-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5781720B2 (ja) | 2008-12-15 | 2015-09-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
EP2491585B1 (en) | 2009-10-21 | 2020-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device |
SG10201910510UA (en) | 2009-10-29 | 2020-01-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
WO2011052351A1 (en) | 2009-10-29 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
EP2494599B1 (en) | 2009-10-30 | 2020-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
EP2494597A4 (en) | 2009-10-30 | 2015-03-18 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
JP6023453B2 (ja) | 2011-04-15 | 2016-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
US8729545B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US8897049B2 (en) | 2011-05-13 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. | Semiconductor device and memory device including semiconductor device |
-
2012
- 2012-05-07 TW TW101116218A patent/TWI570891B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-05-10 JP JP2012108657A patent/JP6068829B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-11 US US13/469,175 patent/US9859268B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-15 KR KR1020120051314A patent/KR101996214B1/ko active Application Filing
-
2016
- 2016-07-28 JP JP2016147997A patent/JP6285509B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-01-09 JP JP2017001504A patent/JP6333419B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-24 JP JP2018082845A patent/JP6570694B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-26 KR KR1020190076137A patent/KR102079492B1/ko active IP Right Grant
- 2019-08-06 JP JP2019144565A patent/JP2019220698A/ja not_active Withdrawn
-
2020
- 2020-10-30 JP JP2020182480A patent/JP6987949B2/ja active Active
-
2021
- 2021-12-01 JP JP2021195344A patent/JP7340584B2/ja active Active
-
2023
- 2023-08-28 JP JP2023137665A patent/JP2023162325A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018142719A (ja) | 2018-09-13 |
JP2016192250A (ja) | 2016-11-10 |
TW201250990A (en) | 2012-12-16 |
JP2019220698A (ja) | 2019-12-26 |
JP2022027814A (ja) | 2022-02-14 |
JP7340584B2 (ja) | 2023-09-07 |
KR20190080838A (ko) | 2019-07-08 |
KR102079492B1 (ko) | 2020-02-21 |
JP6570694B2 (ja) | 2019-09-04 |
US9859268B2 (en) | 2018-01-02 |
US20120292614A1 (en) | 2012-11-22 |
JP2023162325A (ja) | 2023-11-08 |
JP2021015995A (ja) | 2021-02-12 |
TWI570891B (zh) | 2017-02-11 |
JP2012256411A (ja) | 2012-12-27 |
JP2017073194A (ja) | 2017-04-13 |
JP6333419B2 (ja) | 2018-05-30 |
KR20120128566A (ko) | 2012-11-27 |
JP6285509B2 (ja) | 2018-02-28 |
JP6987949B2 (ja) | 2022-01-05 |
KR101996214B1 (ko) | 2019-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6570694B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR101960221B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동방법 | |
JP6952145B2 (ja) | 記憶装置 | |
KR101912575B1 (ko) | 반도체 장치의 구동 방법 | |
TWI540686B (zh) | 半導體記憶體裝置 | |
JP6302110B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6127180B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6633723B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
KR101840474B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동방법 | |
JP5750005B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8576636B2 (en) | Semiconductor device | |
US8467232B2 (en) | Semiconductor device | |
KR102220602B1 (ko) | 반도체 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150501 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150501 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160728 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6068829 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |