JP6067381B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
図1に発光装置の一例を示す。
隔壁層として平坦化膜を用いた場合について説明する。
図4は、図1において導電層1300及び導電層1400の双方を追加した構成の一例である。なお、図4では隔壁層として平坦化膜を用いている。
隔壁層として平坦化膜を用いる場合、発光領域における断線の確率を低減するために、画素電極の下にダミー電極又はダミー半導体層を配置しても良い。
図5、図6、図7に逆スタガ構造のTFTの一種であるチャネルエッチ型TFTを用いた発光装置の一例を示す。
図5〜図7において、容量素子を追加した構成の一例を図8〜図9に示す。
容量素子の容量を増加させる構成を図10に示す。
容量素子の容量を増加させる構成を図11に示す。
容量素子の容量を増加させる構成を図12に示す。
逆スタガ構造のTFTを用いる場合において、発光素子の第2の電極(対向電極、上部電極)の補助配線(補助電極)を設けるとより好ましい。
図13において、絶縁層700に設けられた開口部(コンタクトホール)と重なる位置に導電層405を配置した構成を図14に示す。
図15及び図16は、図13において絶縁層700に設けられた開口部(コンタクトホール)を配線同士の交差部に配置した構成である。
図17、図18は、図13において絶縁層700に設けられた開口部(コンタクトホール)を導電層404(配線)と重なる位置に配置した構成である。
図19、図20は、図13において絶縁層700に設けられた開口部(コンタクトホール)を導電層104及び導電層406と重ねて配置した構成である。
導電層605の形状は複数の開口部を有する形状(格子状、網目状)のみに限定されず、さまざまな形状とすることができる。
絶縁層700に設けられた開口部(コンタクトホール)を複数個形成すると導電層605と導電層900との電気的な接続が確実になるので好ましい。
発光装置の画素回路はどのような回路でも適用することができる。
発光装置の画素回路はどのような回路でも適用することができる。
発光装置の画素回路はどのような回路でも適用することができる。
画素部の外側において画素電極が形成されていない領域のスペースを有効利用する構成の一例を示す。
図27は、図26において導電層1212と導電層1400とをコンタクトホールを介して電気的に接続した構成である。
隔壁層下の導電層と、隔壁層上の導電層と、を電気的に接続するコンタクト構造の変形例を示す。
配線の交差部における寄生容量の低減という技術的思想は半導体装置全般に適用可能である。
各層の材料について説明する。
トップゲート型TFTを有する発光装置の作製方法の一例を示す。
ボトムゲート型TFTを有する発光装置の作製方法の一例を示す。
他の実施の形態に記載の発光装置、半導体装置は、例えば、電子機器の表示部に搭載することが可能である。
101 導電層
102 導電層
103 導電層
104 導電層
200 絶縁層
301 半導体層
302 半導体層
401 導電層
402 導電層
403 導電層
404 導電層
405 導電層
406 導電層
500 絶縁層
601 導電層
602 導電層
603 導電層
604 導電層
605 導電層
700 絶縁層
801 エレクトロルミネッセンス層
900 導電層
1050 基板
1100 トランジスタ
1110 半導体層
1111 絶縁層
1112 導電層
1113 絶縁層
1114 導電層
1115 導電層
1120 絶縁層
1130 絶縁層
1211 導電層
1212 導電層
1220 エレクトロルミネッセンス層
1230 導電層
1300 導電層
1400 導電層
1500 封止材
1600 封止体
1700 FPC
4001 基板
4002 導電層
4003 絶縁層
4004 導電層
4005 絶縁層
4006 導電層
4007 絶縁層
4008 導電層
4009 開口部
4010 開口部
4011 開口部
Tr トランジスタ
Tr1 トランジスタ
Tr2 トランジスタ
Tr3 トランジスタ
Tr4 トランジスタ
Tr5 トランジスタ
Tr6 トランジスタ
C 容量素子
C1 容量素子
C2 容量素子
S 配線
R 配線
V 配線
V1 配線
V2 配線
G 配線
G1 配線
G2 配線
G3 配線
CL 配線
B 配線
W 配線
EL 発光素子
LC 液晶素子
Claims (3)
- 半導体層と、
前記半導体層上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上のゲート電極及び第1の導電層と、
前記ゲート電極上及び前記第1の導電層上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上のソース電極、ドレイン電極、及び第2の導電層と、
前記ソース電極上、前記ドレイン電極上、及び前記第2の導電層上の第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層上の第1の電極及び第3の導電層と、
前記第1の電極の端部を覆う第4の絶縁層と、
前記第1の電極上のエレクトロルミネッセンス層と、
前記エレクトロルミネッセンス層上及び前記第4の絶縁層上の第2の電極と、を有し、
前記第2の電極は、前記第4の絶縁層に設けられた第1の開口部を介して前記第3の導
電層と電気的に接続されており、
前記第1の開口部は、前記第1の導電層、前記第2の導電層、及び前記第3の導電層と
重なり、
前記第1の導電層には第2の開口部が設けられており、
前記第2の開口部は、前記第1の開口部の内側に設けられていることを特徴とする発光
装置。 - 半導体層と、
前記半導体層上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上のゲート電極及び第1の導電層と、
前記ゲート電極上及び前記第1の導電層上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上のソース電極、ドレイン電極、及び第2の導電層と、
前記ソース電極上、前記ドレイン電極上、及び前記第2の導電層上の第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層上の第1の電極及び第3の導電層と、
前記第1の電極の端部を覆う第4の絶縁層と、
前記第1の電極上のエレクトロルミネッセンス層と、
前記エレクトロルミネッセンス層上及び前記第4の絶縁層上の第2の電極と、を有し、
前記第2の電極は、前記第4の絶縁層に設けられた第1の開口部を介して前記第3の導
電層と電気的に接続されており、
前記第1の開口部は、前記第1の導電層、前記第2の導電層、及び前記第3の導電層と
重なり、
前記第2の導電層には第3の開口部が設けられており、
前記第3の開口部は、前記第1の開口部の内側に設けられていることを特徴とする発光
装置。 - 半導体層と、
前記半導体層上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上のゲート電極及び第1の導電層と、
前記ゲート電極上及び前記第1の導電層上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上のソース電極、ドレイン電極、及び第2の導電層と、
前記ソース電極上、前記ドレイン電極上、及び前記第2の導電層上の第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層上の第1の電極及び第3の導電層と、
前記第1の電極の端部を覆う第4の絶縁層と、
前記第1の電極上のエレクトロルミネッセンス層と、
前記エレクトロルミネッセンス層上及び前記第4の絶縁層上の第2の電極と、を有し、
前記第2の電極は、前記第4の絶縁層に設けられた第1の開口部を介して前記第3の導
電層と電気的に接続されており、
前記第1の開口部は、前記第1の導電層、前記第2の導電層、及び前記第3の導電層と
重なり、
前記第1の導電層には第2の開口部が設けられており、
前記第2の導電層には第3の開口部が設けられており、
前記第3の開口部は、前記第1の開口部の内側に設けられており、
前記第2の開口部は、前記第3の開口部の内側に設けられていることを特徴とする発光装置。
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