JP3455995B2 - 高周波回路装置のエアブリッジ配線 - Google Patents
高周波回路装置のエアブリッジ配線Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波トランジスタや
高周波ICなどの高周波回路装置のエアブリッジ配線に
関する。 【0002】 【従来技術】特開昭63ー250155号公報は、高周
波回路の配線の寄生容量を低減するために空中配線(エ
アブリッジ配線)構造を提案している。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】このエアブリッジ配線
を形成するには、上層配線下の犠牲層を除去する必要が
あるが、配線幅が増大すると除去すべき犠牲層の体積が
増加するので、犠牲層除去時間の延長や犠牲層残渣の発
生が問題となる。また、配線幅が増大すると、犠牲層を
除去しても交差配線間の寄生容量が増大してしまい、そ
れにより交差配線間のクロストークもSN比劣化を生じ
させる。 【0004】さらに、上記のエアブリッジ配線を用いた
としても、周波数が高くなると寄生容量が増加する。こ
のため、高周波特性の劣化を招いてしまう。本発明は上
記問題点に鑑みなされたものであり、犠牲層除去時間の
延長や犠牲層残渣の発生を回避するとともに、交差配線
間の寄生容量の低減も実現可能な高周波回路装置のエア
ブリッジ配線を提供することを、その目的としている。 【0005】 【課題を解決するための手段】本願発明の高周波回路装
置のエアブリッジ配線は、基板上に延設された下層配線
と、空隙を隔てて前記下層配線と交差する上層配線とを
有し、前記上層配線は前記基板上に延設された敷設部
と、前記敷設部から互いに接近する方向に立ち上がる一
対の脚部と、両端が前記両脚部に支持される跨線部とか
らなる高周波回路装置のエアブリッジ配線において、前
記跨線部の幅は、前記敷設部及び前記脚部よりも狭く形
成されるとともに、前記脚部近傍よりも前記下層配線真
上に向けて連続的に狭くなっており、前記下層配線真上
において最も狭くなっている、又、 前記脚部の幅は、前
記敷設部から前記跨線部へ向けて連続的に狭く形成され
ていることを特徴としている。 【0006】 【0007】 【作用及び発明の効果】下層配線を跨ぐ上層配線は、基
板上に延設された敷設部から立ち上がる一対の脚部を有
し、一対の脚部は、他の部分より狭幅の跨線部を空中に
支持する。このようにすれば、上層配線の全体としての
幅が広くても、跨線部の幅は狭いために、直下の犠牲層
の除去は容易であり、しかも跨線部と下層配線との間の
寄生容量も小さい。もちろん、跨線部の電気抵抗は幅が
狭い分だけ増大するが、跨線部は下層配線を跨ぐに足る
長さがあればよく、上層配線全体としての抵抗増加はほ
とんど無視することができる。 【0008】跨線部の幅は、敷設部及び脚部よりも狭く
形成されるとともに、脚部近傍よりも下層配線真上に向
けて連続的に狭くなっており、下層配線真上において最
も狭くなっている。このようにすれば、後述する実施例
から理解されるように跨線部と下層配線との間の容量を
低減できるとともに、脚部は自己の強度に比べて比較的
小型軽量の跨線部を支持することになり、振動などに対
する強度が向上する。そして、脚部の幅は、敷設部から
跨線部へ向けて連続的に狭く形成されているので、脚部
の強度低下を抑止しつつ、脚部に隣接する犠牲層の除去
の容易化、及び脚部と下層配線との間の寄生容量の削減
を実現できる。 【0009】 【実施例】 (実施例1)本発明の高周波回路装置のエアブリッジ配
線の一例を(図示せず)1に基づいて説明する。図1
(a)はこのエアブリッジ配線の要部平面模式図を、図
1(b)は図1(a)のエアブリッジ構造のCーC線断
面模式図を示す。 【0010】基板12上には下層配線11(以下配線1
1ともいう)と上層配線15(以下配線15ともいう)
が形成されており、配線11と配線15の交差部分で、
配線15は空中で配線11を跨ぐいわゆるエアブリッジ
配線構造となっている。すなわち、配線15は、基板1
2上に延設された広幅の敷設部15aと、敷設部15a
から互いに接近する略斜め方向に立ち上がる一対の脚部
15bと、両脚部に支持される狭幅の跨線部15cとか
らなる。また。脚部15bは下部から上部へ徐々に幅が
狭くなっている。 【0011】この実施例では、脚部15bの下端幅は3
0μm、上端幅は10μm、跨線部15cの幅は中央部
で10μmとなっている。また、跨線部15cの両端部
は脚部15bの上端に整合するように徐々に拡幅されて
いる。このようにすれば、エアブリッジ構造における跨
線部15cの幅は、脚部15bに比べて狭いので、後述
する犠牲層の除去は容易であり、しかも跨線部15cと
下層配線11との間の寄生容量も低減することができ
る。 【0012】また、脚部15bは自己の強度に比べて比
較的小型軽量の跨線部15cを支持することになり、振
動などに対する強度が向上する。更に、脚部15bは下
部から上部へ徐々に幅が狭くなっているので、脚部15
bの強度低下を抑止しつつ、脚部15bに隣接する犠牲
層の除去の容易化、及び脚部15bと下層配線11との
間の寄生容量の低減が実現する。 【0013】次にこのエアブリッジ配線の製造工程の一
例を図2(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
図2(a)において、下層配線22が配設された基板2
1上に第1層目のレジストパターン23を形成する。こ
のレジストパターンは跨線部形成予定領域Aにおいて下
層配線22を覆っている。 【0014】次に図2(b)に示すように、メッキ用の
給電電極24をマスク蒸着等の方法で形成し、さらに第
2層目のレジストパターン25を形成する。給電電極2
4は、跨線部形成予定領域Aの表面及びその左右の脚部
形成予定領域Bの表面に配設された給電電極24aと、
給電電極部24aに給電するための給電電極24bとか
らなる。第2層目のレジストパターン25は、給電電極
部24aを露出し、給電電極24bを覆う。次に、給電
電極24を通じて電流を流して、給電電極24a上にエ
アブリッジ配線26を電解メッキにより形成する。 【0015】次に、第2層レジストパターン25と給電
電極24b、更に第1層レジストパターン23を順に除
去し、図2(c)に示すエアブリッジ配線を得る。第1
層レジスト23および第2層レジスト25の除去は、酸
素アッシングまたはアセトンやレジストリムーバー等の
有機溶剤による洗浄等により行う。また給電電極24は
ウエットエッチングやアルゴンスパッタ等の方法により
除去する。 【0016】なお、メッキ用の給電電極24をマスク蒸
着等の方法で形成する前に、第1層目のレジストパター
ン23を熱軟化するなどして山状に変形すれば、図1に
示すように給電電極24を斜めに立ち上げることができ
る。 (他の実施例)本発明によるエアブリッジ構造の他の実
施例を図3(a)、(b)に基づいて説明する。図3
(a)はこのエアブリッジ配線の平面模式図を示し、図
3(b)はそのDーD線断面模式図を示す。 【0017】図3(a)、(b)において、基板32上
に下層配線31と上層配線35が形成されており、配線
31と配線35との交差部分で、配線35は空中で配線
31を乗り越えるいわゆるエアブリッジ配線となってい
る。配線35の跨線部35cにおいて、配線31直上方
に位置して配線35に開口部33が形成されている。こ
の開口の形成プロセスは、例えば図2(b)において、
マスク蒸着される給電電極24のパターンに開口を形成
すればよい。 【0018】なお、開口部33の形状は、四角形とした
が、円形やひし形や楕円形等、形状は問わない。また、
複数の開口を設けることも可能である。このようにすれ
ば、上層配線35の跨線部35cの幅はその敷設部35
aの幅より削減され、かつ、跨線部35cの中央部に開
口35cを有するので、上層配線35と下層配線とのオ
ーバーラップ(交差)面積が削減されて寄生容量を小さ
くすることができる。 【0019】さらに開口部34を設けることにより、跨
線部35c直下の第1層目のレジストパターン23の除
去も容易となる効果が生じる。つまり、図2(b)にお
いて、第1層目のレジスト23をレジストの溶剤による
洗浄等の方法により除去する場合、エアブリッジ配線に
設けた開口部からも第1層目のレジスト23の除去が行
われ、レジストの除去時間を低減したり、エアブリッジ
配線下に発生するレジスト残渣を防止することが可能と
なる。
高周波ICなどの高周波回路装置のエアブリッジ配線に
関する。 【0002】 【従来技術】特開昭63ー250155号公報は、高周
波回路の配線の寄生容量を低減するために空中配線(エ
アブリッジ配線)構造を提案している。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】このエアブリッジ配線
を形成するには、上層配線下の犠牲層を除去する必要が
あるが、配線幅が増大すると除去すべき犠牲層の体積が
増加するので、犠牲層除去時間の延長や犠牲層残渣の発
生が問題となる。また、配線幅が増大すると、犠牲層を
除去しても交差配線間の寄生容量が増大してしまい、そ
れにより交差配線間のクロストークもSN比劣化を生じ
させる。 【0004】さらに、上記のエアブリッジ配線を用いた
としても、周波数が高くなると寄生容量が増加する。こ
のため、高周波特性の劣化を招いてしまう。本発明は上
記問題点に鑑みなされたものであり、犠牲層除去時間の
延長や犠牲層残渣の発生を回避するとともに、交差配線
間の寄生容量の低減も実現可能な高周波回路装置のエア
ブリッジ配線を提供することを、その目的としている。 【0005】 【課題を解決するための手段】本願発明の高周波回路装
置のエアブリッジ配線は、基板上に延設された下層配線
と、空隙を隔てて前記下層配線と交差する上層配線とを
有し、前記上層配線は前記基板上に延設された敷設部
と、前記敷設部から互いに接近する方向に立ち上がる一
対の脚部と、両端が前記両脚部に支持される跨線部とか
らなる高周波回路装置のエアブリッジ配線において、前
記跨線部の幅は、前記敷設部及び前記脚部よりも狭く形
成されるとともに、前記脚部近傍よりも前記下層配線真
上に向けて連続的に狭くなっており、前記下層配線真上
において最も狭くなっている、又、 前記脚部の幅は、前
記敷設部から前記跨線部へ向けて連続的に狭く形成され
ていることを特徴としている。 【0006】 【0007】 【作用及び発明の効果】下層配線を跨ぐ上層配線は、基
板上に延設された敷設部から立ち上がる一対の脚部を有
し、一対の脚部は、他の部分より狭幅の跨線部を空中に
支持する。このようにすれば、上層配線の全体としての
幅が広くても、跨線部の幅は狭いために、直下の犠牲層
の除去は容易であり、しかも跨線部と下層配線との間の
寄生容量も小さい。もちろん、跨線部の電気抵抗は幅が
狭い分だけ増大するが、跨線部は下層配線を跨ぐに足る
長さがあればよく、上層配線全体としての抵抗増加はほ
とんど無視することができる。 【0008】跨線部の幅は、敷設部及び脚部よりも狭く
形成されるとともに、脚部近傍よりも下層配線真上に向
けて連続的に狭くなっており、下層配線真上において最
も狭くなっている。このようにすれば、後述する実施例
から理解されるように跨線部と下層配線との間の容量を
低減できるとともに、脚部は自己の強度に比べて比較的
小型軽量の跨線部を支持することになり、振動などに対
する強度が向上する。そして、脚部の幅は、敷設部から
跨線部へ向けて連続的に狭く形成されているので、脚部
の強度低下を抑止しつつ、脚部に隣接する犠牲層の除去
の容易化、及び脚部と下層配線との間の寄生容量の削減
を実現できる。 【0009】 【実施例】 (実施例1)本発明の高周波回路装置のエアブリッジ配
線の一例を(図示せず)1に基づいて説明する。図1
(a)はこのエアブリッジ配線の要部平面模式図を、図
1(b)は図1(a)のエアブリッジ構造のCーC線断
面模式図を示す。 【0010】基板12上には下層配線11(以下配線1
1ともいう)と上層配線15(以下配線15ともいう)
が形成されており、配線11と配線15の交差部分で、
配線15は空中で配線11を跨ぐいわゆるエアブリッジ
配線構造となっている。すなわち、配線15は、基板1
2上に延設された広幅の敷設部15aと、敷設部15a
から互いに接近する略斜め方向に立ち上がる一対の脚部
15bと、両脚部に支持される狭幅の跨線部15cとか
らなる。また。脚部15bは下部から上部へ徐々に幅が
狭くなっている。 【0011】この実施例では、脚部15bの下端幅は3
0μm、上端幅は10μm、跨線部15cの幅は中央部
で10μmとなっている。また、跨線部15cの両端部
は脚部15bの上端に整合するように徐々に拡幅されて
いる。このようにすれば、エアブリッジ構造における跨
線部15cの幅は、脚部15bに比べて狭いので、後述
する犠牲層の除去は容易であり、しかも跨線部15cと
下層配線11との間の寄生容量も低減することができ
る。 【0012】また、脚部15bは自己の強度に比べて比
較的小型軽量の跨線部15cを支持することになり、振
動などに対する強度が向上する。更に、脚部15bは下
部から上部へ徐々に幅が狭くなっているので、脚部15
bの強度低下を抑止しつつ、脚部15bに隣接する犠牲
層の除去の容易化、及び脚部15bと下層配線11との
間の寄生容量の低減が実現する。 【0013】次にこのエアブリッジ配線の製造工程の一
例を図2(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
図2(a)において、下層配線22が配設された基板2
1上に第1層目のレジストパターン23を形成する。こ
のレジストパターンは跨線部形成予定領域Aにおいて下
層配線22を覆っている。 【0014】次に図2(b)に示すように、メッキ用の
給電電極24をマスク蒸着等の方法で形成し、さらに第
2層目のレジストパターン25を形成する。給電電極2
4は、跨線部形成予定領域Aの表面及びその左右の脚部
形成予定領域Bの表面に配設された給電電極24aと、
給電電極部24aに給電するための給電電極24bとか
らなる。第2層目のレジストパターン25は、給電電極
部24aを露出し、給電電極24bを覆う。次に、給電
電極24を通じて電流を流して、給電電極24a上にエ
アブリッジ配線26を電解メッキにより形成する。 【0015】次に、第2層レジストパターン25と給電
電極24b、更に第1層レジストパターン23を順に除
去し、図2(c)に示すエアブリッジ配線を得る。第1
層レジスト23および第2層レジスト25の除去は、酸
素アッシングまたはアセトンやレジストリムーバー等の
有機溶剤による洗浄等により行う。また給電電極24は
ウエットエッチングやアルゴンスパッタ等の方法により
除去する。 【0016】なお、メッキ用の給電電極24をマスク蒸
着等の方法で形成する前に、第1層目のレジストパター
ン23を熱軟化するなどして山状に変形すれば、図1に
示すように給電電極24を斜めに立ち上げることができ
る。 (他の実施例)本発明によるエアブリッジ構造の他の実
施例を図3(a)、(b)に基づいて説明する。図3
(a)はこのエアブリッジ配線の平面模式図を示し、図
3(b)はそのDーD線断面模式図を示す。 【0017】図3(a)、(b)において、基板32上
に下層配線31と上層配線35が形成されており、配線
31と配線35との交差部分で、配線35は空中で配線
31を乗り越えるいわゆるエアブリッジ配線となってい
る。配線35の跨線部35cにおいて、配線31直上方
に位置して配線35に開口部33が形成されている。こ
の開口の形成プロセスは、例えば図2(b)において、
マスク蒸着される給電電極24のパターンに開口を形成
すればよい。 【0018】なお、開口部33の形状は、四角形とした
が、円形やひし形や楕円形等、形状は問わない。また、
複数の開口を設けることも可能である。このようにすれ
ば、上層配線35の跨線部35cの幅はその敷設部35
aの幅より削減され、かつ、跨線部35cの中央部に開
口35cを有するので、上層配線35と下層配線とのオ
ーバーラップ(交差)面積が削減されて寄生容量を小さ
くすることができる。 【0019】さらに開口部34を設けることにより、跨
線部35c直下の第1層目のレジストパターン23の除
去も容易となる効果が生じる。つまり、図2(b)にお
いて、第1層目のレジスト23をレジストの溶剤による
洗浄等の方法により除去する場合、エアブリッジ配線に
設けた開口部からも第1層目のレジスト23の除去が行
われ、レジストの除去時間を低減したり、エアブリッジ
配線下に発生するレジスト残渣を防止することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)はこのエアブリッジ配線の要部平面
模式図を、図1(b)はそのCーC線断面模式図を示
す。 【図2】エアブリッジ配線の製造工程の一例を示す。 【図3】図3(a)はこのエアブリッジ配線の平面模式
図を示し、図3(b)はそのDーD線断面模式図を示
す。 【符号の説明】 11は下層配線、12は基板、15は上層配線、15a
は敷設部、15bは脚部、15cは跨線部。
模式図を、図1(b)はそのCーC線断面模式図を示
す。 【図2】エアブリッジ配線の製造工程の一例を示す。 【図3】図3(a)はこのエアブリッジ配線の平面模式
図を示し、図3(b)はそのDーD線断面模式図を示
す。 【符号の説明】 11は下層配線、12は基板、15は上層配線、15a
は敷設部、15bは脚部、15cは跨線部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平3−105949(JP,A)
実開 平2−98641(JP,U)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/3205 - 21/3213
H01L 21/768
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板上に延設された下層配線と、空隙を
隔てて前記下層配線と交差する上層配線とを有し、前記
上層配線は前記基板上に延設された敷設部と、前記敷設
部から互いに接近する方向に立ち上がる一対の脚部と、
両端が前記両脚部に支持される跨線部とからなる高周波
回路装置のエアブリッジ配線において、 前記跨線部の幅は、前記敷設部及び前記脚部よりも狭く
形成されるとともに、前記脚部近傍よりも前記下層配線
真上に向けて連続的に狭くなっており、前記下層配線真
上において最も狭くなっている、又、 前記脚部の幅は、前記敷設部から前記跨線部へ向けて連
続的に狭く形成されている ことを特徴とする高周波回路
装置のエアブリッジ配線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28237293A JP3455995B2 (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 高周波回路装置のエアブリッジ配線 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28237293A JP3455995B2 (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 高周波回路装置のエアブリッジ配線 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07135251A JPH07135251A (ja) | 1995-05-23 |
JP3455995B2 true JP3455995B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=17651552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28237293A Expired - Fee Related JP3455995B2 (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 高周波回路装置のエアブリッジ配線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100367623B1 (ko) * | 1999-11-29 | 2003-01-10 | 대한민국 | 공기 절연층을 갖는 마이크로스트립 구조의 모놀리식마이크로웨이브 아이.씨.용 3 dB 커플러 및 그 제작 방법 |
US6798064B1 (en) * | 2000-07-12 | 2004-09-28 | Motorola, Inc. | Electronic component and method of manufacture |
JP2007201413A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP5072417B2 (ja) | 2007-04-23 | 2012-11-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
US8912547B2 (en) * | 2012-01-20 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, and semiconductor device |
US9437745B2 (en) * | 2012-01-26 | 2016-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
JP6444787B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2018-12-26 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
-
1993
- 1993-11-11 JP JP28237293A patent/JP3455995B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07135251A (ja) | 1995-05-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |