JP2018109771A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体層と、前記半導体層上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上のゲート電極及び第1の導電層と、前記ゲート電極上及び前記第1の導電層上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上のソース電極、ドレイン電極、及び第2の導電層と、前記ソース電極上、前記ドレイン電極上、及び前記第2の導電層上の第3の絶縁層と、前記第3の絶縁層上の第1の電極及び第3の導電層と、前記第1の電極の端部を覆う平坦化膜と、前記第1の電極上のエレクトロルミネッセンス層と、前記エレクトロルミネッセンス層上及び前記平坦化膜上の第2の電極と、を有し、前記第2の電極は、前記平坦化膜に設けられた開口部を介して前記第3の導電層と電気的に接続されており、前記開口部は、前記第1の導電層、前記第2の導電層、及び前記第3の導電層と重ねる。
【選択図】図4
Description
関する。
発光装置が開示されている。
ので、画素電極が形成されていない領域には導電層を配置可能なスペースが存在すること
になる。
1の課題とする。
良い。
トランジスタとを接続する接続配線、容量電極等を形成することによって、第1の課題を
解決することができる。
を設け、第2の配線に第2の開口部を設ける。
且つ、第1の開口部の一部又は全部が第2の開口部と重ならないようにすることによって
、第2の課題を解決することができる。
電極及び第1の導電層と、前記ゲート電極上及び前記第1の導電層上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上のソース電極、ドレイン電極、及び第2の導電層と、前記ソース電極
上、前記ドレイン電極上、及び前記第2の導電層上の第3の絶縁層と、前記第3の絶縁層
上の第1の電極及び第3の導電層と、前記第1の電極の端部を覆う平坦化膜と、前記第1
の電極上のエレクトロルミネッセンス層と、前記エレクトロルミネッセンス層上及び前記
平坦化膜上の第2の電極と、を有し、前記第2の電極は、前記平坦化膜に設けられた開口
部を介して前記第3の導電層と電気的に接続されており、前記開口部は、前記第1の導電
層、前記第2の導電層、及び前記第3の導電層と重なることを特徴とする発光装置を提供
することができる。
第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上の半導体層及び第2の導電層と、前記半導体層上の
ソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極上、前記ドレイン電極上、及び前記第2
の導電層上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の第1の電極及び第3の導電層と、前
記第1の電極の端部を覆う平坦化膜と、前記第1の電極上のエレクトロルミネッセンス層
と、前記エレクトロルミネッセンス層上及び前記平坦化膜上の第2の電極と、を有し、前
記第2の電極は、前記平坦化膜に設けられた開口部を介して前記第3の導電層と電気的に
接続されており、前記開口部は、前記第1の導電層、前記第2の導電層、及び前記第3の
導電層と重なることを特徴とする発光装置を提供することができる。
であり、前記第1の導電層又は前記第2の導電層の他方は、配線であると好ましい。
ー電極であり、前記第1の導電層又は前記第2の導電層の他方は、第2のダミー電極であ
ると好ましい。
であり、前記第1の導電層又は前記第2の導電層の他方は、第2の配線であり、前記開口
部は、前記第1の配線と前記第2の配線との交差部に設けられていると好ましい。
1の開口部は、前記開口部の内側に設けられていると好ましい。
2の開口部は、前記開口部の内側に設けられていると好ましい。
2の導電層には第2の開口部が設けられており、前記第1の開口部及び前記第2の開口部
は、前記開口部の内側に設けられていると好ましい。
の導電層は、前記ソース電極及びドレイン電極と同層であり、前記第3の導電層は、前記
第1の電極と同層であると好ましい。
、前記第1及び前記第2のトランジスタは、逆スタガ構造のトランジスタであり、前記第
1の配線には、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され
ており、前記第2の配線には、前記第1のトランジスタのゲートが電気的に接続されてお
り、前記第3の配線には、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方が電気的
に接続されており、前記画素電極には、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの
他方が電気的に接続されており、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方と
、前記第2のトランジスタのゲートと、が前記画素電極と同層の接続配線を介して電気的
に接続されていることを特徴とする表示装置を提供することができる。
記容量素子の一方の電極と兼用されており、前記第3の配線は、前記容量素子の他方の電
極と兼用されていると好ましい。
の配線と重なり、前記導電層は、前記第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続さ
れていると好ましい。
いて、前記第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されていると好ましい。
ランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、前記第2の配線は、
前記トランジスタのゲートと電気的に接続されており、前記第1の配線は第1の開口部を
有し、前記第2の配線は第2の開口部を有し、前記第1及び前記第2の開口部は、前記第
1の配線と前記第2の配線の交差部に設けられており、前記交差部において、前記第1の
開口部は前記第2の開口部と重ならない領域を有することを特徴とする半導体装置を提供
することができる。
、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、前記第2の
配線は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続されており、前記第3の配線は、前記
容量素子の一方の電極と電気的に接続されており、前記トランジスタのソース又はドレイ
ンの他方と、前記容量素子の他方の電極と、は電気的に接続されており、前記第1の配線
は第1の開口部を有し、前記第3の配線は第3の開口部を有し、前記第1及び前記第3の
開口部は、前記第1の配線と前記第3の配線の交差部に設けられており、前記交差部にお
いて、前記第1の開口部は前記第3の開口部と重ならない領域を有することを特徴とする
半導体装置を提供することができる。
、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、前記第2の
配線は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続されており、前記第3の配線は、前記
容量素子の一方の電極と電気的に接続されており、前記トランジスタのソース又はドレイ
ンの他方と、前記容量素子の他方の電極と、は電気的に接続されており、前記第1の配線
は第1の開口部を有し、前記第2の配線は第2の開口部を有し、前記第3の配線は第3の
開口部を有し、前記第1の配線は第4の開口部を有し、前記第1及び前記第2の開口部は
、前記第1の配線と前記第2の配線の第1の交差部に設けられており、前記第3及び前記
第4の開口部は、前記第1の配線と前記第3の配線の第2の交差部に設けられており、前
記第1の交差部において、前記第1の開口部は前記第2の開口部と重ならない領域を有し
、前記第2の交差部において、前記第3の開口部は前記第4の開口部と重ならない領域を
有することを特徴とする半導体装置を提供することができる。
とは、電流又は電圧が供給されない電気的に浮遊状態(フローティング状態)の電極を意
味する。
グ半導体層)とは、電流又は電圧が供給されない電気的に浮遊状態(フローティング状態
)の半導体層を意味する。
は「AとBとを同一材料で形成した」ことを意味する。
は、所定の膜(出発膜)をパターン加工してAとBと形成したことを意味する。
いて所定の膜(出発膜)を所定の形状に加工し、マスクを除去すること等を意味する。
いう概念には「AとBは同じ出発膜を用いて形成した」という概念が含まれる。
形成する場合は、「AとBとを同一工程で形成した」又は「AとBとを同一材料で形成し
た」とは、A及びBの双方がパターン形成されるように印刷を行ったことを意味する。
ースを有効利用することができる。
ることができる。
当業者であれば容易に理解される。
ない。
符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
図1に発光装置の一例を示す。
する。
重なる位置に形成されている。
する。
トホールを介して半導体層のソース領域又はドレイン領域の一方に電気的に接続されてい
る。
する。
トホールを介して半導体層のソース領域又はドレイン領域の他方に電気的に接続されてい
る。
15に電気的に接続されている。
230と電気的に接続され、導電層1230の補助配線(補助電極)として機能する。
とが好ましい。即ち、導電層1211と導電層1212とが同層であることが好ましい。
層1212の表面の一部を露出させるための開口部と、が設けられている。
いる。
EL層、電界発光層)が形成されている。
は、導電層1230が形成されている。
を介して導電層1212と電気的に接続されている。
された導電層1212を導電層1230の補助配線として用いることができる。
型TFTを図示しているが、トランジスタ1100をボトムゲート型TFTとしても良い
し、シリコンウェハ、SOI基板等を用いて形成したトランジスタとしても良い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
隔壁層として平坦化膜を用いた場合について説明する。
絶縁膜等である。
絶縁膜等がある。
、構造物と膜表面との間の距離が短くなる。
距離が短くなる。
lishing)等を用いて表面を研磨して平坦化した絶縁膜等を用いても良い。
された後に研磨を行うことによって表面を平坦化して形成するため、液状の原材料を用い
て形成した絶縁膜と類似する形状となる。
で形成された導電層であると好ましい。
ン電極と同一工程で形成された導電層であると好ましい。
(電気的に孤立した電極、フローティング電極)等である。
去線等を用いることができる。
配線又は電極と電気的に分離された電極である。
電気的に接続するために絶縁層1130に設けられた開口部と重なる位置に形成されてい
る。
る位置に形成されていれば良い。
が断線する確率を低減することができる。
口部の段差が小さくなる。
ができる。
半導体層、フローティング半導体層)を配置すると、導電層1230が断線する確率がよ
り低減するので好ましい。
い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
図4は、図1において導電層1300及び導電層1400の双方を追加した構成の一例
である。なお、図4では隔壁層として平坦化膜を用いている。
で形成された導電層であると好ましい。
ン電極と同一工程で形成された導電層であると好ましい。
図3よりも導電層1230が断線する確率を低減することができるので好ましい。
(電気的に孤立した電極、フローティング電極)等である。
去線等を用いることができる。
配線又は電極と電気的に分離された電極である。
に対応し、導電層1400が第2の配線に対応する。
又はダミー電極の一方に対応し、導電層1400が配線又はダミー電極の他方に対応する
。
ー電極に対応し、導電層1400が第2のダミー電極に対応する。
層、フローティング半導体層)を配置すると、導電層1230が断線する確率がより低減
するので好ましい。
い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
隔壁層として平坦化膜を用いる場合、発光領域における断線の確率を低減するために、
画素電極の下にダミー電極又はダミー半導体層を配置しても良い。
い。
。
ることが好ましい。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
図5、図6、図7に逆スタガ構造のTFTの一種であるチャネルエッチ型TFTを用い
た発光装置の一例を示す。
配線V、発光素子EL(EL素子)を有する。
導通、非導通を制御する信号を供給する機能を有する。
いる。
は電気的に接続されている。
ジスタTr2のゲートとの接続部の断面図に対応する。
層102が形成されている。
タTr2のゲートとを電気的に接続するための接続配線の一部としての機能も有する。
r2のゲート絶縁膜としての機能と、を有する。
。
る。
。
。
タTr2のゲートとを電気的に接続するための接続配線の一部としての機能も有する。
。
500が形成されている。
電気的に接続されている。
2のゲートとを電気的に接続するための接続配線の一部としての機能を有する。
03に電気的に接続され、且つ、絶縁層200及び絶縁層500に形成された第2のコン
タクトホールを介して導電層101に電気的に接続されている。
ルの長手方向とが平行になるようにすると、コンタクトホールの面積を大きくすることが
できるので好ましい。
方向とが交差している。
で形成し、且つ、導電層601と導電層602とを同一工程で形成することが好ましい。
とを電気的に接続するために、導電層403を導電層101と接触させようとした場合、
絶縁層200を形成した後であって絶縁層500を形成する前にコンタクトホール作製工
程が必要となる。
ンの他方とトランジスタTr2のゲートとを電気的に接続するための接続配線の一部とし
て用いることによって、絶縁層200を形成した後であって絶縁層500を形成する前に
コンタクトホール作製工程が不要となる。
同時に形成することができる構造であるため、絶縁層200を形成した後であって絶縁層
500を形成する前にコンタクトホール作製工程を行う必要がなくなる構造であるといえ
る。
あるといえる。
いる。
、電界発光層)が形成されている。
れている。
構造とすることができる。
存在しないスペースを有効利用することができる。
良い。
ても良い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
図5〜図7において、容量素子を追加した構成の一例を図8〜図9に示す。
続されている。
る。
用する。
る。
素子Cの他方の電極と配線V(電源線)とを兼用することによって、開口率を低減させる
ことなく容量素子を作製することができる。
ても良い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
容量素子の容量を増加させる構成を図10に示す。
いため好ましい。
電気的に接続されている。
複数設けると好ましい。
ができるので、容量素子Cの容量を大きくすることができる。
存在しないスペースを有効利用することができる。
ても良い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
容量素子の容量を増加させる構成を図11に示す。
いため好ましい。
て導電層101と電気的に接続されている。
複数設けると好ましい。
極で挟み込む構造となるため、容量素子Cの容量を大きくすることができる。
1では容量素子Cの他方の端子(他方の電極)を容量素子の一方の端子(一方の電極)で
挟み込む構造であるため、図11の容量素子Cの容量は図10の容量素子Cの容量よりも
大きくなる。
存在しないスペースを有効利用することができる。
ても良い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
容量素子の容量を増加させる構成を図12に示す。
いため好ましい。
て導電層101と電気的に接続されている。
る。
は、導電層402(配線V(電源線))に設けられた開口部の内側に設けられている。
いて電気的に接続している。
複数設けると好ましい。
402に複数のコンタクトホールに対応する開口部を複数設けると好ましい。
極で挟み込む構造となるため、容量素子Cの容量を大きくすることができる。
ため、図11と比較して導電層604の大きさを小さくすることができる。
存在しないスペースを有効利用することができる。
ても良い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
逆スタガ構造のTFTを用いる場合において、発光素子の第2の電極(対向電極、上部
電極)の補助配線(補助電極)を設けるとより好ましい。
有する。
層900と電気的に接続されている。
ある。
開口部に複数の画素電極が配置される構造としても良い。
コンタクトホール)を導電層102(配線G(ゲート線))と重なる位置に形成している
ため、導電層900が断線する確率を低減することができる。
孤立した半導体層、フローティング半導体層)を、絶縁層700に設けられた開口部(コ
ンタクトホール)と重なる位置に配置することによって、導電層900が断線する確率を
低減することができる。
存在しないスペースを有効利用することができる。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
図13において、絶縁層700に設けられた開口部(コンタクトホール)と重なる位置
に導電層405を配置した構成を図14に示す。
ると工程数が増加しないため好ましい。
きる。
孤立した半導体層、フローティング半導体層)を、絶縁層700に設けられた開口部(コ
ンタクトホール)と重なる位置に配置することによって、導電層900が断線する確率を
低減することができる。
存在しないスペースを有効利用することができる。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
図15及び図16は、図13において絶縁層700に設けられた開口部(コンタクトホ
ール)を配線同士の交差部に配置した構成である。
電層402との交差部に開口部(コンタクトホール)を設けた構成である。
電層404との交差部に開口部(コンタクトホール)を設けた構成である。
きる。
孤立した半導体層、フローティング半導体層)を、絶縁層700に設けられた開口部(コ
ンタクトホール)と重なる位置に配置することによって、導電層900が断線する確率を
低減することができる。
存在しないスペースを有効利用することができる。
良い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
図17、図18は、図13において絶縁層700に設けられた開口部(コンタクトホー
ル)を導電層404(配線)と重なる位置に配置した構成である。
4(配線)と重なる位置に配置した構成とすることによって、導電層900が断線する確
率を低減することができる。
重なる位置に導電層103を配置した構成である。
しないため好ましい。
きる。
孤立した半導体層、フローティング半導体層)を、絶縁層700に設けられた開口部(コ
ンタクトホール)と重なる位置に配置することによって、導電層900が断線する確率を
低減することができる。
存在しないスペースを有効利用することができる。
良い。
導電層103を導電層404と重ねて配置したが、導電層402と重ねて配置しても良い
。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
図19、図20は、図13において絶縁層700に設けられた開口部(コンタクトホー
ル)を導電層104及び導電層406と重ねて配置した構成である。
しないため好ましい。
きる。
ると工程数が増加しないため好ましい。
きる。
04及び導電層406の一方だけを形成する構成としても良い。
図19と比較して画素電極の面積を大きくすることができるので、開口率を向上させるこ
とができる。
孤立した半導体層、フローティング半導体層)を、絶縁層700に設けられた開口部(コ
ンタクトホール)と重なる位置に配置することによって、導電層900が断線する確率を
低減することができる。
存在しないスペースを有効利用することができる。
良い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
導電層605の形状は複数の開口部を有する形状(格子状、網目状)のみに限定されず
、さまざまな形状とすることができる。
しても良い。
ても良い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
絶縁層700に設けられた開口部(コンタクトホール)を複数個形成すると導電層60
5と導電層900との電気的な接続が確実になるので好ましい。
合わせて実施しても良い(例えば、配線G(ゲート線)と重なる位置に第1の開口部を設
け、且つ、配線V(電源線)と重なる位置に第2の開口部を設ける等)。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
発光装置の画素回路はどのような回路でも適用することができる。
ある。
ともある。
。
する機能を有する。
的に接続されている。
一方を配線Vと電気的に接続しても良い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
発光装置の画素回路はどのような回路でも適用することができる。
線S(信号線)、配線G1〜配線G3(ゲート線)、配線R(リセット線)、配線V(電
源線)、容量素子C1、容量素子C2、発光素子EL(EL素子)を有する。
ル型トランジスタでもどちらでもよい。
れている。
的に接続されている。
子C2の一方の端子(一方の電極)と、に電気的に接続されている。
。
端子(一方の電極)と、に電気的に接続されている。
ている。
ンの他方と、トランジスタTr3のゲートと、トランジスタTr4のソース又はドレイン
の一方と、容量素子C2の他方の端子(他方の電極)と、は電気的に接続されている。
ドレインの他方と、トランジスタTr3のソース又はドレインの一方と、は電気的に接続
されている。
ドレインの他方と、トランジスタTr5のソース又はドレインの他方と、は電気的に接続
されている。
通状態として画素回路のリセットを行う。
ランジスタTr4が導通状態となり、配線Sから映像信号が書き込まれる。
ジスタTr3、トランジスタTr5を介して配線Vから発光素子ELに電流が供給される
。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
発光装置の画素回路はどのような回路でも適用することができる。
線S(信号線)、配線G1〜配線G3(ゲート線)、配線V1〜配線V2(電源線)、容
量素子C、発光素子EL(EL素子)を有する。
れている。
的に接続されている。
的に接続されている。
る。
のソース又はドレインの一方と、に電気的に接続されている。
合は、配線V1に印加される第1の電圧は配線V2に印加される第2の電圧よりも高くす
る。
準電位より低い電圧)とする。
合は、配線V1に印加される第1の電圧は配線V2に印加される第2の電圧よりも低くす
る。
準電位より高い電圧)とする。
r6のソース又はドレインの他方と、に電気的に接続されている。
ドレインの他方と、容量素子Cの一方の端子(一方の電極)と、は電気的に接続されてい
る。
容量素子Cの他方の端子(他方の電極)と、は電気的に接続されている。
ドレインの他方と、トランジスタTr4のソース又はドレインの他方と、は電気的に接続
されている。
ジスタTr2、トランジスタTr6を導通状態とする。
を導通状態として表示を行う。
に接続する。
又は第2の端子の他方には入力信号を反転させた信号を入力する。
電気的に接続し、入力端子と第1の端子又は第2の端子の他方とをインバータ回路を介し
て電気的に接続することによって、回路を簡略化できるので好ましい。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
画素部の外側において画素電極が形成されていない領域のスペースを有効利用する構成
の一例を示す。
ed circuit)と導電層1230との接続配線として用いられている。
供給される。
されている。
導電層1230とを電気的に接続させても良い。
置されている。
缶等を用いることができる。
れた導電層であると好ましい。
同一工程で形成された導電層であると好ましい。
(電気的に孤立した電極、フローティング電極)等である。
配線又は電極と電気的に分離された電極である。
層1130の端部と重なる位置に配置すると、絶縁層1130の端部において導電層12
30が断線する確率を低減できるので好ましい。
層1300、導電層1400、及び導電層1212を重ねることによって、導電層121
2の下層に凹凸が形成されないため、導電層1212の断線を防止することができる。
に孤立した半導体層、フローティング半導体層)を配置すると、導電層1230が断線す
る確率がより低減するので好ましい。
い。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
図27は、図26において導電層1212と導電層1400とをコンタクトホールを介
して電気的に接続した構成である。
して電気的に接続した構成である。
とができる。
。
層1212の一層のみを接続配線として用いる距離が短くなるので、導電層1230とF
PC1700の間に存在する抵抗を下げることができる。
は複数設けることが好ましい。
しい。
導電層1212の一層のみを配線として用いる距離が短くなるので、導電層1230とF
PC1700の間に存在する抵抗を下げることができる。
数設けることが好ましい。
膜)等を用いて固着される。
数設けることは、FPC1700と導電層1212との固着を確実にする観点でも好まし
い。
700の取付け部と重なる位置にコンタクトホールを複数設けることが好ましい。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
隔壁層下の導電層と、隔壁層上の導電層と、を電気的に接続するコンタクト構造の変形
例を示す。
ことが好ましい。
一工程で形成することが好ましい。
重なるように配置されていることによって、絶縁層4007に設けられた開口部において
導電層4008が断線する確率を低減している。
うに配置されている。
られた開口部よりも小さく、絶縁層4007に設けられた開口部の内側に配置されている
。
内側に凹凸が生じるので、導電層4006と導電層4008との接触面積を大きくするこ
とができる。
06と導電層4008とのコンタクト抵抗が低減する。
層4004に設けられた開口部の一部が、絶縁層4007に設けられた開口部からはみ出
していても良い。
れた開口部の外周と重なる領域を有する。
うに配置されている。
られた開口部よりも小さく、絶縁層4007に設けられた開口部の内側に配置されている
。
内側に凹凸が生じるので、導電層4006と導電層4008との接触面積を大きくするこ
とができる。
06と導電層4008とのコンタクト抵抗が低減する。
層4002に設けられた開口部の一部が、絶縁層4007に設けられた開口部からはみ出
していても良い。
れた開口部の外周と重なる領域を有する。
た開口部と重なるように配置されている。
縁層4007に設けられた開口部よりも小さく、絶縁層4007に設けられた開口部の内
側に配置されている。
内側に凹凸が生じるので、導電層4006と導電層4008との接触面積を大きくするこ
とができる。
06と導電層4008とのコンタクト抵抗が低減する。
層4002及び導電層4004に設けられた開口部の一部が、絶縁層4007に設けられ
た開口部からはみ出していても良い。
層4004に設けられた開口部の外周とそれぞれ重なる領域を有する。
層4007に設けられた開口部の内側に導電層4004に設けられた開口部を配置し、且
つ、導電層4004に設けられた開口部の内側に導電層4002に設けられた開口部を配
置することが好ましい。
大きくし、且つ、導電層4004に設けられた開口部は導電層4002に設けられた開口
部より大きくする。
することができる。
4004には開口部4010が設けられており、導電層4002には開口部4011が設
けられている。
れている。
)及び(B)と比較してコンタクト抵抗を低減することができる。
部4011が重なる領域(溝の深い領域)が形成されない、若しくは、開口部4009内
に開口部4010及び開口部4011が重なる領域(溝の深い領域)の面積を小さくでき
るので、導電層4008が断線する確率を低減することができる。
(電気的に孤立した電極、フローティング電極)等である。
去線等を用いることができる。
配線又は電極と電気的に分離された電極である。
孤立した半導体層、フローティング半導体層)を配置すると、導電層4008が断線する
確率がより低減するので好ましい。
い。
2及び導電層4004の双方が配線である場合)において、図30(A)が特に好ましい
。
場合において、図30(A)を採用した場合を示している。
域に発生する。
ずらして配置することによって、交差部において導電層4002(第1の配線)と導電層
4004(第2の配線)とが互いに重なり合う領域の面積が減少する。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
配線の交差部における寄生容量の低減という技術的思想は半導体装置全般に適用可能で
ある。
置、記憶装置、CPU、RFID等がある。
示している。
ことが好ましい。
一工程で形成することが好ましい。
域に発生する。
よって、交差部において導電層4002(第1の配線)と導電層4004(第2の配線)
とが互いに重なり合う領域の面積が減少する。
、開口部4010と開口部4011とが重なる領域と、開口部4010と開口部4011
とが重ならない領域と、の双方を有していても良い。
ト線)、配線S(信号線)、配線CL(容量線)を有する。
極)と、液晶素子LCと、は電気的に接続されている。
しては、例えば、配線Gと配線S、配線Gと配線CL等がある。
同一工程で形成することが好ましい。
工程で形成することが好ましい。
(ビット線)、配線CL(容量線)を有する。
極)と、は電気的に接続されている。
しては、例えば、配線Gと配線S、配線Gと配線CL等がある。
同一工程で形成することが好ましい。
工程で形成することが好ましい。
。
。
的に接続されている。
に、第1の配線と交差する。
重なる位置に配置されている。即ち、第1の開口部及び第2の開口部は交差部からはみ出
していても良い。
重ならない形態がもっとも好ましい。
線と、容量素子と、を有する。
。
接続されている。
、は電気的に接続されている。
に、第1の配線と交差する。
重なる位置に配置されている。即ち、第1の開口部及び第3の開口部は交差部からはみ出
していても良い。
重ならない形態がもっとも好ましい。
記載された構成を適用することが可能である。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
各層の材料について説明する。
ることができるがこれらに限定されない。
機絶縁膜(酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒素を含む酸化シリコン膜、酸素を含む窒
化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜)、有機絶
縁膜(ポリイミド膜、アクリル膜、シロキサン膜)等を用いることができるがこれらに限
定されない。絶縁層は、単層構造でも積層構造でも良い。
防止するため、隔壁層より下方の絶縁層(層間絶縁膜、ゲート絶縁膜等)を全て無機絶縁
膜とすることが好ましい。
ルミニウム膜、チタン膜、モリブデン膜、タングステン膜、金膜、銀膜、銅膜、ドナー元
素又はアクセプター元素を含有するシリコン膜、様々な合金からなる膜、透明導電膜(イ
ンジウム錫酸化物等)等を用いることができるがこれらに限定されない。導電層は、単層
構造でも積層構造でも良い。
する半導体膜、酸化物半導体膜、有機半導体膜等を用いることができるがこれらに限定さ
れない。半導体層は、単層構造でも積層構造でも良い。なお、TFTの場合は素子分離さ
れた半導体膜(島状の半導体膜)が半導体層となる。SOI基板を用いて形成したトラン
ジスタはTFTに含まれるものとする。また、シリコンウェハを用いて形成したトランジ
スタの場合は、シリコンウェハ自体が半導体層に該当する。
含有させておくと、ソース領域及びドレイン領域の抵抗を下げることができるので好まし
い。
iGe)、シリコンカーバイト(SiC)等があるがこれらに限定されない。
。特にIn及びZnの双方を含むことが好ましい。
ライザーとして、ガリウム(Ga)、スズ(Sn)、ハフニウム(Hf)、アルミニウム
(Al)、又はランタノイドから選ばれた一種又は複数種を含むことが好ましい。
ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)
、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(E
r)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)がある。
用いることができる。
酸化物、Al−Zn系酸化物、Zn−Mg系酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系
酸化物、In−Ga系酸化物等を用いることができる。
Oとも表記する)、In−Sn−Zn系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、In−Al
−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化物、In−Ce−
Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Z
n系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−Zn
系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Zn系
酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸
化物、Al−Ga−Zn系酸化物、Sn−Al−Zn系酸化物等を用いることができる。
In−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al
−Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物等
を用いることができる。
酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn
以外の金属元素を含有させても良い。
Ga:Zn=2:2:1(=2/5:2/5:1/5)の原子比のIn−Ga−Zn系酸
化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。
:Zn=2:1:3(=1/3:1/6:1/2)あるいはIn:Sn:Zn=2:1:
5(=1/4:1/8:5/8)の原子比のIn−Sn−Zn系酸化物やその組成の近傍
の酸化物を用いても良い。
に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、
キャリア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等
を適切なものとすることが好ましい。
を含む構造でもよい。なお、アモルファスは欠陥が多いため、非アモルファスが好ましい
。
に、半導体層とドレイン電極の間にそれぞれ、ドナー元素又はアクセプター元素を含有す
る不純物半導体層(バッファ層)を介在させても良い。
する半導体のアクセプター元素は例えばボロン等がある。
含む発光層を有する発光ユニットを有するようにする。
、正孔注入層、正孔輸送層等を有していても良い。
切る複数の電荷発生層と、を有する構造とすることにより輝度を向上させることができる
。
属酸化物と有機化合物との混合物等を用いることができる。
の混合物等を用いると、電圧印加時において、陰極方向にホールを注入し、陽極方向に電
子を注入することができるので好適である。
ル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウム等の
遷移金属酸化物である。
ン化合物)、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、Alq等を用いると遷移金属酸化物
と電荷移動錯体を形成するので好ましい。
含む発光層を有する発光ユニットを有するようにする。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
トップゲート型TFTを有する発光装置の作製方法の一例を示す。
する。
、島状のダミー電極等を形成する。
いて所定の膜(出発膜)を所定の形状に加工し、マスクを除去すること等を意味する。
、ドレイン電極、配線、島状のダミー電極等を形成する。
補助配線等を形成する。
成することができる。
できる。
成する。
着マスクを用いることにより、所定の形状のエレクトロルミネッセンス層及び第2の電極
を形成することができる。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
ボトムゲート型TFTを有する発光装置の作製方法の一例を示す。
示す。
ダミー電極等を形成する。
接続する場合は、ゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成する。
ート絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程は不要になる。
層を形成する。
し、半導体膜及び不純物半導体膜をパターン加工して島状の半導体層及び島状の不純物半
導体層を形成しても良い。
ても良い。
ソース電極、ドレイン電極、配線、島状のダミー電極等を形成する。
体層をエッチングして除去する。
純物半導体層をエッチングして除去する工程によって、ソース電極とドレイン電極の間の
半導体層の表面がエッチングされる。
縁膜に第2のコンタクトホールを形成する。
することが好ましい。
線、補助配線、容量電極等を形成する。
成することができる。
できる。
成する。
着マスクを用いることにより、所定の形状のエレクトロルミネッセンス層及び第2の電極
を形成することができる。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
他の実施の形態に記載の発光装置、半導体装置は、例えば、電子機器の表示部に搭載す
ることが可能である。
帯端末等があるがこれらに限定されない。
一部又は全部と適宜組み合わせて実施することができる。
101 導電層
102 導電層
103 導電層
104 導電層
200 絶縁層
301 半導体層
302 半導体層
401 導電層
402 導電層
403 導電層
404 導電層
405 導電層
406 導電層
500 絶縁層
601 導電層
602 導電層
603 導電層
604 導電層
605 導電層
700 絶縁層
801 エレクトロルミネッセンス層
900 導電層
1050 基板
1100 トランジスタ
1110 半導体層
1111 絶縁層
1112 導電層
1113 絶縁層
1114 導電層
1115 導電層
1120 絶縁層
1130 絶縁層
1211 導電層
1212 導電層
1220 エレクトロルミネッセンス層
1230 導電層
1300 導電層
1400 導電層
1500 封止材
1600 封止体
1700 FPC
4001 基板
4002 導電層
4003 絶縁層
4004 導電層
4005 絶縁層
4006 導電層
4007 絶縁層
4008 導電層
4009 開口部
4010 開口部
4011 開口部
Tr トランジスタ
Tr1 トランジスタ
Tr2 トランジスタ
Tr3 トランジスタ
Tr4 トランジスタ
Tr5 トランジスタ
Tr6 トランジスタ
C 容量素子
C1 容量素子
C2 容量素子
S 配線
R 配線
V 配線
V1 配線
V2 配線
G 配線
G1 配線
G2 配線
G3 配線
CL 配線
B 配線
W 配線
EL 発光素子
LC 液晶素子
Claims (2)
- 第1の導電層と、
前記第1の導電層上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の第2の導電層と、を有し、
前記第1の導電層と前記第2の導電層は、前記第1の絶縁層を介して重なる領域を有し、
前記重なる領域において、前記第1の導電層には第1の開口部が設けられており、
前記重なる領域において、前記第2の導電層には第2の開口部が設けられており、
前記第1の開口部は、前記第2の開口部と重なる領域を有さないことを特徴とする発光装置。 - 第1の導電層と、
前記第1の導電層上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の第2の導電層と、を有し、
前記第1の導電層と前記第2の導電層は、前記第1の絶縁層を介して重なる領域を有し、
前記重なる領域において、前記第1の導電層には第1の開口部が設けられており、
前記重なる領域において、前記第2の導電層には第2の開口部が設けられており、
前記第1の開口部は、前記第2の開口部と重なる領域を有し、
前記第1の開口部は、前記第2の開口部と重ならない領域を有し、
前記第2の開口部は、前記第1の開口部と重ならない領域を有することを特徴とする発光装置。
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