JP6042052B2 - イメージセンサーモジュール、その製造方法、及びそれを含むイメージ処理システム - Google Patents

イメージセンサーモジュール、その製造方法、及びそれを含むイメージ処理システム Download PDF

Info

Publication number
JP6042052B2
JP6042052B2 JP2010266518A JP2010266518A JP6042052B2 JP 6042052 B2 JP6042052 B2 JP 6042052B2 JP 2010266518 A JP2010266518 A JP 2010266518A JP 2010266518 A JP2010266518 A JP 2010266518A JP 6042052 B2 JP6042052 B2 JP 6042052B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image sensor
signal
synchronization signal
image
sensor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010266518A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011129902A (ja
Inventor
潤泰 李
潤泰 李
▲ジュン▼▲セオ▼ 林
▲ジュン▼▲セオ▼ 林
濟碩 李
濟碩 李
宰用 朴
宰用 朴
▲ジュン▼佑 朴
▲ジュン▼佑 朴
秀永 李
秀永 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020100052290A external-priority patent/KR101665560B1/ko
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2011129902A publication Critical patent/JP2011129902A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6042052B2 publication Critical patent/JP6042052B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60Control of cameras or camera modules
    • H04N23/69Control of means for changing angle of the field of view, e.g. optical zoom objectives or electronic zooming
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/80Camera processing pipelines; Components thereof
    • H04N23/84Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals
    • H04N23/843Demosaicing, e.g. interpolating colour pixel values
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/44Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
    • H04N25/443Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by reading pixels from selected 2D regions of the array, e.g. for windowing or digital zooming
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/79Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Description

本発明の実施形態は、イメージセンサーモジュール(image sensor module)に係り、特に、相異なる最小線幅を有するCMOS工程で製造されたイメージセンサーチップ(image sensor chip)とイメージ信号処理チップとを含むイメージセンサーモジュール、その製造方法、及び該イメージセンサーモジュールを含むイメージ処理システムに関する。
一般的に、イメージセンサー(image sensor)は、大きくCCD(Charge Couple Device)イメージセンサーとCMOSイメージセンサー(CMOS image sensor)とに分けられる。
CMOSイメージセンサーは、CMOS工程を用いて光学信号を電気信号に変換させる。前記CMOSイメージセンサーは、CCDイメージセンサーに比べて駆動方式が簡便であり、ピクセル(pixel)から出力される電気信号を処理するための回路をCMOS工程によって一つのチップ(chip)に集積することができるので、製品の小型化が可能であり、前記CMOS工程を使うので、製造コストを低めることができ、電力消耗が小さいという大きな長所がある。
このような工程上の利点によって、最近、ピクセルアレイ(pixel array)、前記ピクセルアレイから出力されるアナログ(analog)信号をデジタル(digital)信号に変換するADC(Analog Digital Converter)、及び前記ADCから出力されるデジタル信号をイメージ信号に処理するためのISP(Image Signal Processor)のいずれもを一つのチップに集積する方式も使われている。しかし、CMOSイメージセンサーとISPとを同一の基板を使って一つのチップに具現する場合、前記ISPで生成されたデジタルノイズ(digitalnoise)が、前記CMOSイメージセンサーに影響を及ぼす。
本発明が解決しようとする技術的な課題は、イメージ信号処理チップで生成されたデジタルノイズが、イメージセンサーチップに影響を及ぼさないように、そして、前記イメージ信号処理チップの高性能化及び集積度を向上させるように、相異なる最小線幅を有するCMOS工程を用いて、それぞれ製造されたイメージセンサーチップとイメージ信号処理チップとを含むイメージセンサーモジュール、該イメージセンサーモジュールの製造方法、及び該イメージセンサーモジュールを含むイメージ処理システムを提供することにある。
本発明の実施形態によるイメージセンサーモジュールは、PCB(printed circuit board)と、前記PCBの第1面に配され、前記PCBに電気的に接続されたイメージセンサーチップと、前記PCBの前記第1面に配され、前記PCBに電気的に接続されたイメージ信号処理チップと、を含み、前記イメージ信号処理チップの横縦比(aspect ratio)は、前記イメージセンサーチップの横縦比の少なくとも2倍以上であり、前記イメージセンサーチップに具現されたメタルラインの最小線幅(minimum feature size)は、前記イメージ信号処理チップに具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上である。
前記イメージセンサーチップの横縦比は、1.0〜2.0であり、前記イメージ信号処理チップの横縦比は、3〜10である。実施形態によっては、前記イメージセンサーモジュールは、複数のボンディングワイヤをさらに含み、前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップとのうちの少なくとも一つは、前記複数のボンディングワイヤを通じて前記PCBに電気的に接続される。
他の実施形態によっては、前記イメージセンサーモジュールは、複数のTSV(through silicon via)をさらに含み、前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップとのうちの少なくとも一つは、前記複数のTSVを通じて前記PCBに電気的に接続される。
また他の実施形態によっては、前記イメージセンサーモジュールは、複数のソルダバンプをさらに含み、前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップとのうちの少なくとも一つは、前記複数のソルダバンプを通じて前記PCBにフリップチップ(flip−chip)でボンディングされる。
前記イメージセンサーモジュールは、前記イメージセンサーチップを前記PCBの前記第1面に電気的に接続するための複数のボンディングワイヤと、前記イメージ信号処理チップを前記PCBの前記第1面にフリップチップボンディングするための複数のソルダバンプとをさらに含む。
前記イメージセンサーチップは、ピクセルアレイと、デジタルズーム倍率情報によって、水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号と垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号とを生成するためのタイミングジェネレーターと、前記第1垂直同期信号と前記第1水平同期信号とによって、前記ピクセルアレイから出力された信号に相応するデータ信号のうちからズーム領域に該当するデータ信号を出力するための出力回路と、を含む。
前記タイミングジェネレーターは、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記水平ブランク区間を増加させると同時に、前記垂直ブランク区間を減少させる。
実施形態によっては、前記イメージセンサーチップは、前記出力回路から出力された前記ズーム領域に該当する前記データ信号を受信して補間し、前記タイミングジェネレーターから出力された前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを受信し、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節し、前記第1垂直同期信号と水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号とによって補間されたデータ信号を出力するためのズームブロックをさらに含む。
他の実施形態によっては、前記イメージ信号処理チップは、前記イメージセンサーチップの前記出力回路から出力された前記ズーム領域に該当する前記データ信号を受信して補間し、前記タイミングジェネレーターから出力された前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを受信し、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節し、前記第1垂直同期信号と水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号とによって補間されたデータ信号を出力するためのズームブロックを含む。
本発明の実施形態によるパッケージは、PCBと、前記PCBの第1面に配され、前記PCBに電気的に接続されたイメージセンサーチップと、前記PCBの前記第1面に配され、前記PCBに電気的に接続されたイメージ信号処理チップと、を含み、前記イメージ信号処理チップの横縦比は、前記イメージセンサーチップの横縦比の少なくとも2.0倍以上であり、前記イメージセンサーチップに具現されたメタルラインの最小線幅は、前記イメージ信号処理チップに具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上であり、前記パッケージの横縦比は、0.8〜1.2である。
本発明の実施形態によるカメラは、レンズと、PCBに電気的に接続されたイメージセンサーチップとイメージ信号処理チップとを含むイメージセンサーモジュールと、を含む。前記イメージセンサーチップは、前記レンズを通過した光学信号を電気信号に変換し、前記イメージ信号処理チップは、前記イメージセンサーチップから出力された前記電気信号を処理し、前記イメージ信号処理チップの横縦比は、前記イメージセンサーチップの横縦比の少なくとも2.0倍以上であり、前記イメージセンサーチップに具現されたメタルラインの最小線幅は、前記イメージ信号処理チップに具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上である。
前記イメージセンサーチップは、ピクセルアレイと、デジタルズーム倍率情報によって、水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号と垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号とを生成するためのタイミングジェネレーターと、前記第1垂直同期信号と前記第1水平同期信号とによって、前記ピクセルアレイから出力された信号に相応するデータ信号のうちからズーム領域に該当するデータ信号を出力するための出力回路と、を含む。
実施形態によっては、前記イメージセンサーチップは、前記出力回路から出力された前記ズーム領域に該当する前記データ信号を受信して補間し、前記タイミングジェネレーターから出力された前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを受信し、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節し、前記第1垂直同期信号と水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号とによって補間されたデータ信号を出力するためのズームブロックをさらに含む。
他の実施形態によっては、前記イメージ信号処理チップは、前記イメージセンサーチップの前記出力回路から出力された前記ズーム領域に該当する前記データ信号を受信して補間し、前記タイミングジェネレーターから出力された前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを受信し、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節し、前記第1垂直同期信号と水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号とによって補間されたデータ信号を出力するためのズームブロックを含む。
前記イメージセンサーチップの横縦比は、1.0〜2.0であり、前記イメージ信号処理チップの横縦比は、3〜10である。前記カメラは、携帯電話機(mobile phoneまたはcellular phone)、スマートホン(smart phone)、ウェブカメラ(web camera)、PDA(personal digital assistant)、PC(personal computer)、イメージスキャナー(image scanner)、またはネットブック(net book)、ノート型パソコン(note−book)の一部として具現される。
本発明の実施形態によるイメージセンサーモジュールの製造方法は、第1横縦比(α)を有して光学信号を電気信号に変換することができるイメージセンサーチップをPCBに電気的に接続する段階と、第2横縦比(β)を有し、前記イメージセンサーチップから出力された前記電気信号を処理することができるイメージ信号処理チップを前記PCBに電気的に接続する段階と、を含み、前記第1横縦比(α)は、1.0<α<2.0を満足し、前記第2横縦比(β)は、3<β<10を満足し、前記イメージセンサーチップに具現されたメタルラインの最小線幅は、前記イメージ信号処理チップに具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上である。
本発明の実施形態によるカメラの製造方法は、第1横縦比(α)を有して光学信号を電気信号に変換することができるイメージセンサーチップをPCBに電気的に接続する段階と、第2横縦比(β)を有し、前記イメージセンサーチップから出力された前記電気信号を処理することができるイメージ信号処理チップを前記PCBに電気的に接続する段階と、レンズを通過した前記光学信号が、前記イメージセンサーチップに入射されるように、前記レンズを含むレンズモジュールを前記PCBに固定する段階と、を含み、前記第1横縦比(α)は、1.0<α<2.0を満足し、前記第2横縦比(β)は、3<β<10を満足し、前記イメージセンサーチップに具現されたメタルラインの最小線幅は、前記イメージ信号処理チップに具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上である。
本発明の実施形態によるイメージセンサーモジュールは、PCBと、前記PCBの第1面に配され、前記PCBに電気的に接続されたイメージセンサーチップと、前記PCBの内部に内蔵され、前記イメージセンサーチップから出力された信号を処理するためのイメージ信号処理チップと、を含む。
実施形態によっては、前記イメージセンサーモジュールは、前記イメージセンサーチップと前記PCBとを電気的に接続するための複数のボンディングワイヤと、前記PCBの内部に内蔵され、前記イメージ信号処理チップに接続された複数のバンプと、をさらに含み、前記イメージ信号処理チップは、前記複数のボンディングワイヤと前記複数のバンプとを通じて前記イメージセンサーチップから出力された前記信号を処理する。
他の実施形態によっては、前記イメージセンサーモジュールは、前記イメージセンサーチップと前記PCBとを電気的に接続するための複数のTSVと、前記PCBの内部に内蔵され、前記イメージ信号処理チップに接続された複数のバンプと、をさらに含み、前記イメージ信号処理チップは、前記複数のTSVと前記複数のバンプとを通じて前記イメージセンサーチップから出力された前記信号を処理する。
前記イメージ信号処理チップの横縦比は、前記イメージセンサーチップの横縦比の少なくとも2倍以上であり、前記イメージセンサーチップに具現されたメタルラインの最小線幅は、前記イメージ信号処理チップに具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上である。
本発明の実施形態によるイメージセンサーは、ピクセルアレイと、デジタルズーム倍率情報によって、水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号と垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号とを生成するためのタイミングジェネレーターと、前記第1垂直同期信号と前記第1水平同期信号とによって、前記ピクセルアレイから出力された信号に相応するデータ信号のうちからズーム領域に該当するデータ信号を出力するための出力回路と、を含む。
前記タイミングジェネレーターは、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記水平ブランク区間を増加させると同時に、前記垂直ブランク区間を減少させる。
前記タイミングジェネレーターは、前記デジタルズーム倍率情報を保存するためのレジスタと、前記ピクセルアレイのうちから前記ズーム領域に該当するピクセルを選択するためのアドレスを出力するアドレス発生器と、前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを生成するための同期信号発生器と、前記レジスタに保存された前記デジタルズーム倍率情報によって、前記アドレス発生器の動作と前記同期信号発生器の動作とを制御するためのメインコントロールユニットと、前記レジスタに保存された前記デジタルズーム倍率情報によって、前記ズーム領域に該当するデータ信号を出力するように、前記出力回路の動作を制御するためのコントロールユニットと、を含む。
前記イメージセンサーチップは、前記出力回路から出力された前記ズーム領域に該当する前記データ信号を前記デジタルズーム倍率情報によって補間し、前記タイミングジェネレーターから出力された前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを受信し、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節し、前記第1垂直同期信号と水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号とによって補間されたデータ信号を出力するためのズームブロックをさらに含む。
前記ズームブロックは、前記ズーム領域に該当する前記データ信号を前記デジタルズーム倍率情報によって補間して、前記補間されたデータ信号を生成するためのインターポレータと、前記タイミングジェネレーターから出力された前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを受信し、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節し、前記第1垂直同期信号と水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号とを生成するための同期信号再生成器と、を含み、前記インターポレータは、前記第1垂直同期信号と前記第2水平同期信号とによって、前記補間されたデータを出力する。
本発明の実施形態によるイメージセンサーチップとイメージ信号処理チップとを含むイメージ処理システムで、イメージセンサーチップは、ピクセルアレイと、デジタルズーム倍率情報によって、水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号と垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号とを生成するためのタイミングジェネレーターと、前記第1垂直同期信号と前記第1水平同期信号とによって、前記ピクセルアレイから出力された信号に相応するデータ信号のうちからズーム領域に該当するデータ信号を出力するための出力回路と、を含み、前記イメージ信号処理チップは、前記出力回路から出力された前記ズーム領域に該当する前記データ信号を前記デジタルズーム倍率情報によって補間し、前記タイミングジェネレーターから出力された前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを受信し、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節し、前記第1垂直同期信号と水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号とによって補間されたデータ信号を出力するためのズームブロックを含む。
本発明の実施形態によるイメージセンサーの動作方法は、デジタルズーム倍率情報を受信する段階と、該受信されたデジタルズーム倍率情報によって水平同期信号の水平ブランク区間と垂直同期信号の垂直ブランク区間とを同時に調節して、前記水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号と前記垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号とを生成する段階と、を含む。
前記イメージセンサーの動作方法は、ピクセルアレイから出力された信号に相応するデータ信号のうちから一部のデータ信号を前記ズーム倍率情報によって選択する段階と、前記第1垂直同期信号と前記第1水平同期信号とによって、前記一部のデータ信号を出力する段階と、をさらに含む。
前記イメージセンサーの動作方法は、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記一部のデータ信号を補間する段階と、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節して、前記水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号を生成する段階と、前記第1垂直同期信号と前記第2水平同期信号とによって補間されたデータ信号を出力する段階と、をさらに含む。
本発明の実施形態による相異なる最小線幅に具現された相異なるチップとして具現されたイメージセンサーチップとイメージ信号処理チップとを含むイメージセンサーモジュールは、前記イメージ信号処理チップで発生したデジタルノイズが、前記イメージセンサーチップに影響を及ぼすことを減少させるか、遮断することができる。また、前記イメージ信号処理チップに具現されたメタルラインの最小線幅を前記イメージセンサーチップに具現されたメタルラインの最小線幅より小さくすることによって、前記イメージ信号処理チップの集積度を向上させるだけではなく、前記イメージ信号処理チップのサイズを減少させることができる。
そして、イメージセンサーチップは、デジタルズーム動作を行うために、フレームバッファメモリを要しないので、前記フレームバッファメモリ、前記フレームバッファメモリの動作を制御するコントローラを除去することができ、前記イメージセンサーチップのサイズを減少させることができる。
本発明の詳細な説明で引用される図面をより十分に理解するために、各図面の詳細な説明が提供される。
本発明の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図である。 本発明の他の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図である。 本発明のまた他の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図である。 図1、図2、図3、図12、または図13に示されたイメージセンサーモジュールの平面図である。 本発明の実施形態によるカメラの製造方法を説明するためのフローチャートである。 図1、図2、図3、図12、図13、図14、または図15に示されたイメージセンサーモジュールを含むイメージ処理システムの一実施形態を示す図である。 図1、図2、図3、図12、図13、図14、または図15に示されたイメージセンサーモジュールを含むイメージ処理システムの他の実施形態を示す図である。 図1、図2、図3、図12、図13、図14、または図15に示されたイメージセンサーモジュールのイメージセンサーチップのブロック図の一実施形態を示す図である。 図8に示されたイメージセンサーチップの詳細ブロック図を示す図である。 図1、図2、図3、図12、図13、図14、または図15に示されたイメージセンサーモジュールを含むイメージ処理システムのまた他の実施形態を示す図である。 図10に示されたイメージ処理システムの動作を説明するためのフローチャートである。 本発明のさらに他の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図である。 本発明のさらに他の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図である。 本発明のさらに他の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図である。 本発明のさらに他の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図である。 図1、図2、図3、図12、図13、図14、または図15に示されたイメージセンサーチップのブロック図の他の実施形態を示す図である。 図16に示されたイメージセンサーチップのタイミングジェネレーターのブロック図である。 図16に示されたズームブロックのブロック図である。 図16に示されたタイミングジェネレーターによって水平ブランク区間の長さと垂直ブランク区間の長さとが調節される前のフレームを示す図である。 図16に示されたタイミングジェネレーターによって水平ブランク区間の長さと垂直ブランク区間の長さとが調節された後のフレームを示す図である。 図16に示されたタイミングジェネレーターによる垂直ブランク区間の調節方法を説明するためのタイミング図である。 図16に示されたズームブロックの入力信号と出力信号との波形の一実施形態を示す図である。 図16に示されたズームブロックの入力信号と出力信号との波形の他の実施形態を示す図である。 図23に示された一部の波形を拡大した波形を示す図である。 露出時間を説明するための図である。 図16に示されたイメージセンサーチップの動作を説明するためのフローチャートである。
以下、添付した図面を参照して、本発明を詳しく説明する。
図1は、本発明の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図を示す。図1を参照すると、カメラのようなイメージ処理システムに使われるイメージセンサーモジュール(または、multi−chip module)10Aは、PCB20、イメージセンサーチップ30、及びイメージ信号処理チップ(image signal processing chip)40を含む。PCB20は、FPCB(Flexible Printed Circuit Board)であり得る。
イメージセンサーチップ30とイメージ信号処理チップ40が、半導体基板上で互いに分離されているので、イメージ信号処理チップ40で発生したデジタルノイズが、イメージセンサーチップ30に及ぶ影響を減少または除去することができる。
PCB20の第1面20−1に配され、PCB20に電気的に接続されたイメージセンサーチップ30は、光学信号(optical signal)を電気信号(electrical signal)に変換することができる。
イメージセンサーチップ30は、入射された光学信号を電気信号に変換することができる複数の光電変換素子(optical−to−electrical conversion elements)が形成された光電変換領域、前記光電変換領域から出力された前記電気信号をカラムライン(column line)に伝送することができる複数のトランジスタが形成されたトランジスタ形成領域、及び前記カラムラインから出力された電気信号を処理し、該処理された信号、例えば、デジタル信号を出力信号としてイメージ信号処理チップ40に出力することができる複数の処理回路が形成された信号処理領域を含む。
イメージセンサーチップ30の前記光電変換領域、前記トランジスタ形成領域、及び前記信号処理領域は、微細工程、例えば、130nm、95nm、65nm、または、それ以下のCMOS工程を用いて形成される。
PCB20の第1面20−1に配され、PCB20に電気的に接続されたイメージ信号処理チップ40は、ISP(Image Signal Processor)またはDSP(Digital Signal Processor)の機能を行い、イメージセンサーチップ30から出力された電気信号を処理し、該処理された信号をディスプレイ(display)装置に出力することができる。
イメージ信号処理チップ40によって処理された信号は、ディスプレイ装置を通じてディスプレイされうる。前記ディスプレイ装置は、TFT−LCD(Thin film transistor liquid crystal display)、OLED(organic light emitting diode)、AMOLED(Active−matrix organic light−emitting diode)、またはLED(Light−emitting diode)を利用した平板ディスプレイ装置であり得る。
イメージ信号処理チップ40は、95nm、65nm、45nm、32nm、または、それ以下のCMOS(Complementary metal−oxide−semiconductor)工程を用いて形成される。
イメージセンサーチップ30に具現されたメタルラインの最小線幅は、イメージ信号処理チップ40に具現されたメタルラインの最小線幅より少なくとも1.5倍以上であり得る。したがって、イメージ信号処理チップ40の最小線幅をイメージセンサーチップ30の最小線幅より小さくすることによって、イメージ信号処理チップ40の集積度をイメージセンサーチップ30の集積度より高めることができる効果がある。したがって、イメージ信号処理チップ40にイメージ信号処理機能を向上させることができる回路を具現することができるので、イメージ信号処理チップ40の高性能化が可能である。
例えば、イメージセンサーチップ30が、90nm CMOS工程を用いて製造される時、イメージ信号処理チップ40は、32nm CMOS工程を用いて製造可能である。他の例として、イメージセンサーチップ30が、90nm CMOS工程を用いて製造される時、イメージ信号処理チップ40は、45nm CMOS工程を用いて製造可能である。ここで、90nm、45nmと32nmは、CMOS工程を使って形成されるメタルラインの最小線幅を意味する。
イメージセンサーモジュール10Aは、複数の第1ボンディングワイヤ(bonding wires)30−1と複数の第2ボンディングワイヤ40−1とを含む。イメージセンサーチップ30は、複数の第1ボンディングワイヤ30−1を通じてPCB20と電気的に接続され、イメージ信号処理チップ40は、複数の第2ボンディングワイヤ40−1を通じてPCB20と電気的に接続される。
イメージセンサーモジュール10Aは、PCB20に機械的に接続されたレンズモジュール(lens module)をさらに含む。前記レンズモジュールは、レンズ52を支持することができるホルダー(holder)50を含む。前記レンズモジュールは、レンズ52を通過した光学信号がイメージセンサーチップ30に具現されたピクセルアレイ(図示せず)に正確に入射されることができる位置に具現される。イメージセンサーモジュール10Aと前記レンズモジュールは、一つのパッケージ(package)としてパッケージングされうる。
図2は、本発明の他の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図を示す。図2を参照すると、イメージセンサーモジュール10Bは、PCB20、イメージセンサーチップ30、イメージ信号処理チップ40、複数のボンディングワイヤ30−1、及び複数のソルダバンプ(solder bumps)42を含む。
イメージ信号処理チップ40は、PCB20の第1面20−1に形成された複数のソルダバンプ42を通じてフリップチップボンディングされうる。
図2では、説明の便宜上、イメージセンサーチップ30は、複数の第1ボンディングワイヤ30−1を通じてPCB20と電気的に接続され、イメージ信号処理チップ40は、複数のソルダバンプ42を通じてフリップチップボンディングされるものを示すが、実施形態によっては、イメージセンサーチップ30とイメージ信号処理チップ40とのうちの少なくとも一つは、PCB20の第1面20−1に形成された複数のソルダバンプを通じてフリップチップボンディングされうる。
図3は、本発明のまた他の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図を示す。図3を参照すると、イメージセンサーモジュール10Cは、PCB20、イメージセンサーチップ30、イメージ信号処理チップ40、複数の第1TSV32、及び複数の第2TSV44を含む。イメージセンサーチップ30は、複数の第1TSV32を通じてPCB20に電気的に接続され、イメージ信号処理チップ40は、複数の第2TSV44を通じてPCB20に電気的に接続される。したがって、イメージ信号処理チップ40は、イメージセンサーチップ30から出力された電気信号を処理し、該処理された信号をディスプレイ装置に伝送しうる。
図1から図3に示された実施形態によっては、イメージセンサーチップ30は、複数のボンディングワイヤ、複数のバンプ、または複数のTSVを通じてPCB20に電気的に接続され、イメージ信号処理チップ40は、複数のボンディングワイヤ、複数のバンプ、または複数のTSVを通じてPCB20に電気的に接続されうる。
イメージセンサーモジュール10A、10B、10C、10D、10E、10F、または10Gは、レンズモジュールを含む意味として、または前記レンズモジュールを除いた意味として使われる。また、カメラのようなイメージ処理システムは、レンズモジュールとイメージセンサーモジュール10A、10B、10C、10D、10E、10F、または10Gとを含みうる。
図4は、図1、図2、または図3に示されたイメージセンサーモジュールの平面図を示す。図4を参照すると、イメージセンサーモジュール10A、10B、10C、10F、または10Gを意味するイメージセンサーモジュール22は、それぞれがPCB20に電気的に接続されたイメージセンサーチップ30とイメージ信号処理チップ40とを含む。例えば、イメージセンサーモジュール22は、正方形(square)として具現可能である。
イメージセンサーチップ30の横縦比(W1/H1)は、1〜2であり、イメージ信号処理チップ40の横縦比(W2/H2)は、3〜10であり、イメージセンサーモジュールとレンズモジュールとを含むパッケージの横縦比(W3/H3)は、0.8〜1.2であり得る。前記パッケージは、光学系に起因して正方形に近い横縦比、例えば、0.8〜1.2を有しうる。
図5は、本発明の実施形態によるカメラの製造方法を説明するためのフローチャートである。第1最小線幅CMOS工程(例えば、90nm)を用いて第1横縦比、例えば、1〜2を有するイメージセンサーチップ30が製造される(ステップS10)。
第2最小線幅CMOS工程(例えば、45nm、または32nm)を用いて第2横縦比、例えば、3.0〜10.0を有するイメージ信号処理チップ30が製造される(ステップS20)。S10とS20は、相異なるCMOS工程を利用するので、製造順序は変更されうる。
すなわち、製造業者は、相異なる最小線幅を有するCMOS工程を用いて、イメージセンサーチップ30に具現されたメタルラインの第1最小線幅が、イメージ信号処理チップ30に具現されたメタルラインの第1最小線幅より1.5倍以上になるように、各チップを具現することができる。
イメージセンサーモジュールの製造業者は、第1横縦比、例えば、1〜2を有するイメージセンサーチップ30と第2横縦比、例えば、3.0〜10.0を有するイメージ信号処理チップ30とのうちの何れか一つをPCB20の第1面20−1に電気的に接続する(ステップS30)。
前記イメージセンサーモジュールの製造業者は、第1横縦比、例えば、1〜2を有するイメージセンサーチップ30と第2横縦比、例えば、3.0〜10.0を有するイメージ信号処理チップ30とのうちの他の一つをPCB20の第1面20−1に電気的に接続する(ステップS40)。
前記イメージセンサーモジュールの製造業者は、レンズ52を通過した光学信号が、イメージセンサーチップ30のピクセルアレイに入射されるように、レンズモジュールをPCB20に機械的に接続する(ステップS50)。
図6は、図1、図2、図3、図12、図13、図14、または図15に示されたイメージセンサーモジュールを含むイメージ処理システムの一実施形態を示す。
イメージ処理システムは、イメージセンサーモジュール10A、10B、10C、10D、10E、10F、または10Gを含むシステムであって、携帯電話機、画像電話機、スマートホン、またはPDA(personal digital assistant)として具現可能である。レンズモジュールは、イメージセンサーモジュール10A、10B、10C、10D、10E、10F、または10Gに具現されたイメージセンサーチップ30と接続される。実施形態によっては、レンズモジュールとイメージセンサーモジュール10A、10B、10C、10D、10E、10F、または10Gは、一つのパッケージでパッケージング(packaging)されうる。
図7は、図1、図2、図3、図12、 図13、図14、または図15にイメージセンサーモジュールを含むイメージ処理システムの他の実施形態を示す。
イメージ処理システムは、イメージセンサーモジュール10A、10B、10C、10D、10E、10F、または10Gを含むシステムであって、PC、タブレット(tablet)PC、ノート型パソコン(notebook)、ネットブック(net−book)、CCTVシステム、ホームオートメーションシステム(home automationsystem)、または人工衛星システムに使われる。レンズモジュールは、イメージセンサーモジュール10A、10B、10C、10D、10E、10F、または10Gに具現されたイメージセンサーチップ30と接続される。
図8は、図1、図2、図3、図12、図13、図14、または図15に示されたイメージセンサーモジュールのイメージセンサーチップのブロック図の一実施形態を示す。
図1から図8を参照すると、イメージセンサーチップ30は、タイミングコントローラ(timing controller)90、アクティブピクセルアレイ(active pixel array)110、リードアウト回路(readout circuit)112、及び圧縮器160を含む。実施形態によっては、タイミングコントローラ90、アクティブピクセルアレイ110、リードアウト回路112、及び圧縮器160は、第1最小線幅を有するメタルライン(metal line)を含みうる。
タイミングコントローラ90は、アクティブピクセルアレイ110の動作とリードアウト回路112の動作とを制御することができる制御信号を生成する。
アクティブピクセルアレイ110は、レンズ52を通じて入射された光学信号をピクセル信号またはべイヤー(Bayer)信号に生成することができる複数のピクセルを含む。アクティブセンサーアレイ110の横縦比は、4:3であり、HD(High−definition)級の場合、16:9として具現可能である。
リードアウト回路112は、アクティブピクセルアレイ110から出力されたピクセル信号またはべイヤー信号(Bayer signals)をべイヤーデジタル信号に変換する。リードアウト回路112から出力されるべイヤーデジタル信号は、如何なる補正処理もされていない信号であり得る。
したがって、本実施形態によるイメージセンサー30は、アクティブピクセルアレイ110から出力されたピクセル信号またはべイヤー信号に対して補正処理を行うための如何なる回路ブロックも含まないので、本実施形態によるイメージセンサー30のレイアウト面積は、前記補正処理のための回路ブロックを含む従来のイメージセンサーのレイアウト面積に比べてかなり減る。
ここで、‘補正処理’とは、シェーディング補正(shading correction)、BPC(bad pixel correction)、ビニング(binning)、またはデジタル利得調節(digital gain adjusting)のうちの少なくとも一つを含む。
前記シェーディング補正は、イメージセンサーモジュール10A、10B、10C、10D、10E、10F、または10Gに具現されたレンズ52の特性によって、イメージセンサーチップ30に入射される入射光の強度がイメージの縁端付近で減少することを補償することを意味する。
前記BPCは、アクティブピクセルアレイ110に具現されたピクセルのうちからデッドピクセル(dead pixel)や熱によって損傷されたバッドピクセル(bad pixel)を周りのピクセルと比較して補正することを意味する。
前記ビニングは、サンプリングされながら捨てられるピクセルが発生するので、前記捨てられたピクセルと選択されたピクセルとに加重値を与えて平均を求める方法を通じて高周波成分を除去して画質を改善することを意味する。
前記デジタル利得調節は、低照度でノイズを最小化するレベルで利得を調節して視認性を高めることを意味する。
リードアウト回路112に接続された圧縮器160は、如何なる補正処理もされていないべイヤーデジタル信号を圧縮して、該圧縮されたべイヤーデジタル信号を出力インターフェース(interface)に伝送する。実施形態によっては、前記出力インターフェースは、直列インターフェースとして具現されるか、並列インターフェースとして具現可能である。
実施形態によっては、リードアウト回路112は、シェーディング補正された信号、BPC補正された信号、ビニング処理された信号、またはデジタル利得調節された信号を出力することができる。この際、圧縮器160は、シェーディング補正された信号、BPC補正された信号、ビニング処理された信号、またはデジタル利得調節された信号を圧縮して、該圧縮された信号を出力インターフェースに伝送しうる。
図9は、図8に示されたイメージセンサーチップの詳細ブロック図を示す。
図8と図9とを参照すると、イメージセンサーモジュール10A、10B、10C、10D、または10Eのイメージセンサーチップ30は、タイミングコントローラ90、ピクセルアレイ110、垂直デコーダ/ロードライバー(vertical decoder/row driver)100、アクティブロードブロック(active load block)120、アナログリードアウト回路(analog read−outcircuit)130、データ出力ブロック140、水平デコーダ(horizontal decoder)150、及び圧縮器(compressor)160を含みうる。
各構成要素90、100、110、120、130、140、150、及び160のメタルラインの最小線幅は、イメージ信号処理チップ40に具現されたメタルラインの最小線幅の1.5倍以上に具現される。
タイミングコントローラ90は、イメージセンサーチップ30の全般的な動作を制御するための複数の制御信号を生成する。ピクセルアレイ110は、複数のピクセルを含む。前記複数のピクセルは、多数のカラーピクセル、例えば、少なくとも一つのレッドピクセル(red pixel)、少なくとも一つのグリーン(green)ピクセル、及び少なくとも一つのブルー(blue)ピクセルを含みうる。
イメージセンサーチップ30が、3次元イメージセンサーとして具現される場合、前記複数のピクセルは、前記カラーピクセルの以外に少なくとも一つの深さピクセル(depth pixel)をさらに含みうる。前記少なくとも一つの深さピクセルは、赤外線領域の波長に相応する光電荷を生成することができる。
ピクセルアレイ110は、複数のカラムラインを含みうる。前記複数のカラムラインのそれぞれには、カラム方向に配列された複数のピクセルが接続されうる。アクティブロードブロック120は、複数のアクティブロード回路を含む。前記複数のアクティブロード回路のそれぞれは、タイミングコントローラ90から出力された制御信号CTL1に応答して、イネーブル(enable)またはディセーブル(disable)されうる。
ここで、イネーブルされたということは、カラムラインに接続されたピクセルが、ピクセル信号を出力するためのプロセッシング(processing)を行うことができ、前記ピクセルから出力されたピクセル信号は、アナログリードアウト回路130に伝送することができる状態を意味する。一方、ディセーブルされたということは、カラムラインに接続されたピクセルが、ピクセル信号を出力するためのプロセッシングを行うことができないだけではなく、前記ピクセルからは如何なるピクセル信号も出力されない状態を意味する。
アナログリードアウト回路130は、各カラムラインから出力された各ピクセル信号PX1、PX2、...、PXmを処理することができる信号処理回路である。実施形態によっては、アナログリードアウト回路130は、複数のCDS(correlated double sampling)回路を含みうる。前記多数のCDS回路のそれぞれは、多数のカラムラインのそれぞれに接続され、それぞれのカラムラインから出力されたピクセル信号にCDSを行い、CDSされたピクセル信号を出力することができる。
他の実施形態によっては、アナログリードアウト回路130は、複数のアナログ−デジタル変換回路をさらに含みうる。前記多数のアナログ−デジタル変換回路のそれぞれは、前記多数のCDS回路のそれぞれに接続されて、CDSされたピクセル信号をデジタル信号に変換することができる。
データ出力ブロック140は、アナログリードアウト回路130から出力された各出力信号D1、D2、...、Dmを圧縮器160に出力することができる。例えば、データ出力ブロック140は、水平デコーダ150から出力されたカラム選択信号CSEL1、CSEL2、...、CSELmのそれぞれに応答して、アナログリードアウト回路130から出力された各出力信号D1、D2、...、Dmを圧縮器160に出力することができる。
カラムデコーダ(column decoder)とも呼ばれる水平デコーダ150は、タイミングコントローラ90から出力されたカラムアドレスHDAをデコーディングし、該デコーディング結果によってカラム選択信号CSEL1、CSEL2、...、CSELmを出力することができる。
タイミングコントローラ90は、制御信号に応答して、垂直デコーダ/ロードライバー100の動作を制御するための制御信号(例えば、ローアドレスVDAを含む)、アナログリードアウト回路130の動作を制御するための少なくとも一つの制御信号、データ出力ブロック140の動作を制御するための制御信号、及び水平デコーダ150の動作を制御するための制御信号(例えば、カラムアドレスHDAを含む)を生成する。
リードアウト回路112は、構成要素100、120、130、140、及び150を含む回路を意味する。圧縮器160は、リードアウト回路112、例えば、データ出力ブロック140から出力されるピクセル信号またはべイヤーデジタル信号を圧縮して、該圧縮されたべイヤーデジタル信号を入出力インターフェースを通じてイメージ信号処理チップ40に伝送しうる。データ出力ブロック140から出力されるピクセル信号またはべイヤーデジタル信号は、如何なる補正処理もされていない信号である。
図10は、図1、図2、または図3に示されたイメージセンサーモジュールを含むイメージ処理システムのまた他の実施形態を示す。イメージ処理システム200は、本実施形態によるイメージセンサーモジュール10A、10B、10C、10D、または10E、総括的に10を含むイメージ処理システムを意味する。
イメージ処理システム200は、イメージセンサーモジュール10、イメージセンサーモジュール10の動作を制御することができるプロセッサ220を含む。イメージ処理システム200は、イメージセンサーモジュール10によって処理されたデータを保存することができるメモリ装置230をさらに含みうる。メモリ装置230は、不揮発性メモリ装置として具現可能である。
イメージ処理システム200は、入出力インターフェース240をさらに含みうる。
イメージ処理システム200は、プロセッサ220の制御下でメモリ装置230に保存されたデータをシステムバス210と入出力インターフェース240とを通じて外部に伝送しうる。入出力インターフェース240は、ディスプレイ装置であり得る。入出力インターフェース240は、マウス(mouse)、キーボード(keyboard)、またはタッチパッド(touch pad)のような入力装置であり得る。
図11は、図10に示されたイメージ処理システムの動作を説明するためのフローチャート(flowchart)を示す。図1から図11を参照すると、イメージセンサーチップ30のアクティブピクセルアレイ110は、光学信号からべイヤー信号を生成する(ステップS110)。
イメージセンサーチップ30の圧縮器160は、リードアウト回路112から出力された信号を圧縮して、該圧縮された信号をイメージ信号処理チップ40に出力する(ステップS120)。リードアウト回路112から出力された信号は、補正処理されていないべイヤー信号であり得る。イメージ信号処理チップ40は、イメージセンサーチップ30から出力された圧縮された信号に対して処理、例えば、インターポレーション(interpolation)またはカラー補正のうちの少なくとも一つを行う(ステップS130)。イメージ信号処理チップ40によって処理された信号は、ディスプレイのためにディスプレイ装置に伝送することができる。
図12は、本発明のさらに他の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図を示す。図12を参照すると、イメージセンサーモジュール10Dは、PCB20、イメージセンサーチップ30、イメージ信号処理チップ40、複数のTSV32を含む。
イメージセンサーチップ30は、複数のTSV32を通じてPCB20に電気的に接続され、イメージ信号処理チップ40は、PCB20内に内蔵される。複数のTSV32は、複数のバンプ42−1と電気的に接続されうる。したがって、イメージセンサーチップ30から出力された信号は、複数のTSV32と複数のバンプ42−1とを通じてイメージ信号処理チップ40に伝送することができるので、イメージ信号処理チップ40は、イメージセンサーチップ30から出力された信号を処理し、該処理された信号をディスプレイのためにディスプレイ装置に伝送しうる。
イメージ信号処理チップ40で発生する熱による影響が、イメージセンサーチップ30の内部に具現されたピクセルに伝達されることを防止するために、イメージ信号処理チップ40の横縦比は、イメージセンサーチップ30の横縦比の少なくとも2倍以上であり、イメージセンサーチップ30に具現されたメタルラインの最小線幅は、イメージ信号処理チップ40に具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上である。
図13は、本発明のさらに他の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図を示す。図13を参照すると、イメージセンサーモジュール10Eは、PCB20、イメージセンサーチップ30、イメージ信号処理チップ40、及び複数のボンディングワイヤ30−1を含む。
イメージセンサーチップ30は、複数のボンディングワイヤ30−1を通じてPCB20に電気的に接続され、イメージ信号処理チップ40は、PCB20内に内蔵される。イメージセンサーチップ30から出力された信号は、複数のボンディングワイヤ30−1と複数のバンプ42−2とを通じてイメージ信号処理チップ40に伝送することができるので、イメージ信号処理チップ40は、イメージセンサーチップ30から出力された信号を処理し、該処理された信号をディスプレイのためにディスプレイ装置に伝送しうる。
イメージ信号処理チップ40で発生する熱による影響が、イメージセンサーチップ30の内部に具現されたピクセルに伝達されることを防止するために、イメージ信号処理チップ40の横縦比は、イメージセンサーチップ30の横縦比の少なくとも2倍以上であり、イメージセンサーチップ30に具現されたメタルラインの最小線幅は、イメージ信号処理チップ40に具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上である。
図12または図13は、イメージ信号処理チップ40が、複数の層を含むPCB20内に内蔵された(embedded)形態の技術的思想を示す。したがって、イメージセンサーチップ30から出力された信号は、如何なる電気的な接続手段を通じてもイメージ信号処理チップ40に伝送することができれば良い。
図12または図13に示されたように、イメージ信号処理チップ40は、レンズモジュールが接続されたPCB20の下または横に内蔵されうる。
図14は、本発明のさらに他の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図を示す。図14を参照すると、イメージセンサーモジュール10Fは、PCB20、イメージセンサーチップ30、イメージ信号処理チップ40、及び複数のTSV32−1、32−2を含む。イメージセンサーチップ30は、複数のTSV32−1、32−2を通じてPCB20に内蔵されたイメージ信号処理チップ40に接続されうる。イメージセンサーチップ30は、イメージ信号処理チップ40の上部に形成される。
図15は、本発明のさらに他の実施形態によるイメージセンサーモジュールの概略的な構成図を示す。図15を参照すると、イメージセンサーモジュール10Gは、PCB20、イメージセンサーチップ30、イメージ信号処理チップ40、及び複数のボンディングワイヤ30−1を含む。イメージセンサーチップ30は、複数のボンディングワイヤ30−1を通じてPCB20に内蔵されたイメージ信号処理チップ40に接続されうる。イメージセンサーチップ30は、イメージ信号処理チップ40の上部に形成される。
図16は、図1、図2、図3、図12、図13、図14、または図15に示されたイメージセンサーチップのブロック図の他の実施形態を示す。
図16を参照すると、リアルタイムで(on−the−fly)デジタルズーム(digital zoom)を行うことができるイメージセンサーチップ30は、デジタルズームのためのフレームバッファメモリ(frame buffer memory)を要しない。イメージセンサーチップ30は、イメージ信号処理回路310、コントロールレジスタブロック(control register block)340、タイミングジェネレーター(timing generator)350、及びバッファ360を含みうる。実施形態によっては、ズームブロック370は、図16に示されたように、イメージセンサーチップ30の内部に具現されることもあり、図1、図2、図3、図12、図13、図14、または図15に示されたイメージ信号処理チップ40の内部に具現可能である。
光学イメージに相応するデータ信号を出力することができるイメージ信号処理回路310は、アクティブピクセルアレイ110、ロードライバー315、アナログリードアウト回路320、及びアナログ−デジタルブロック330を含む。アクティブピクセルアレイ110は、図9を参照して説明したように、複数のピクセルを含む。前記複数のピクセルのそれぞれは、光感知素子と複数のトランジスタとを含む。
ロードライバー315は、タイミングジェネレーター350から出力された少なくとも一つの制御信号に応答して、前記複数のピクセルのうちからロー単位で配列された複数のピクセルを選択することができる。アナログリードアウト回路320は、コントロールレジスタブロック340またはタイミングジェネレーター350のうちの何れか一つから出力された少なくとも一つの制御信号に応答して、アクティブピクセルアレイ110からロー単位で出力されたピクセル信号を処理することができる。
ノイズ(noise)除去機能を行うことができるアナログリードアウト回路320は、アクティブピクセルアレイ110からロー単位で出力されるピクセル信号のそれぞれに相関二重サンプリング(correlated double sampling、CDS)を行って、該相関二重サンプルされたピクセル信号のそれぞれを出力することができる。この際、アナログリードアウト回路320は、複数のCDS回路を含み、前記複数のCDS回路のそれぞれは、アクティブピクセルアレイ110の複数のカラムのそれぞれから出力されたピクセル信号に対してCDS動作を行うことができる。
アナログ−デジタルブロック330は、アナログリードアウト回路320から出力されたピクセル信号のそれぞれに、または相関二重サンプルされた信号のそれぞれに、アナログ−デジタル変換を行い、デジタル信号またはデータ信号をバッファ360に出力する。
コントロールレジスタブロック340は、外部、例えば、イメージ信号処理チップ40から出力された情報(または、データ)によってタイミングジェネレーター350の動作、イメージ信号処理回路310の動作、またはバッファ360の動作のうちの何れか一つの動作を制御することができる。例えば、コントロールレジスタブロック340は、外部、例えば、イメージ信号処理チップ40から出力されたデジタルズーム倍率情報RSVによって、タイミングジェネレーター350に具現されたレジスタ351の設定値を変更することができる。デジタルズーム倍率情報RSVは、デジタルズーム倍率を指示する情報である。
タイミングジェネレーター350は、コントロールレジスタブロック340から出力されたデジタルズーム倍率情報(RSV、またはデジタルズーム倍率情報RVSに相応する情報)によって水平ブランク区間(horizontal blank period)(長さ、または時間)が調節された第1水平同期信号Hsync(以下、‘第1水平同期信号’と称する)、垂直ブランク区間(長さ、または時間)が調節された第1垂直同期信号Vsync(以下、‘第1垂直同期信号’と称する)、及び第1データクロック信号DCLKを生成することができる。本明細書では、外部、例えば、イメージ信号処理チップ40またはDSPから出力されたデジタルズーム倍率情報RSVとデジタルズーム倍率情報RVSに相応する情報とをデジタルズーム倍率情報RVSと総称して使う。
すなわち、タイミングジェネレーター350は、デジタルズーム倍率情報RVSによって第1水平同期信号Hsyncの水平ブランク区間を調節すると同時に、フレームレート(frame rate)をデジタルズーム倍率と無関係に一定に維持させるために、第1垂直同期信号Vsyncの垂直ブランク区間を調節することができる。したがって、タイミングジェネレーター350は、垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号Vsync、水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号Hsync、及び第1データクロック信号DCLKを出力することができる。
バッファ360は、コントロールレジスタブロック340の制御下でイメージ信号処理回路310のアナログ−デジタルブロック330から出力されたデータ信号、例えば、ズーム領域に該当するデータ信号をバッファリングして、該バッファリングされたデータ信号をズームブロック370に出力する。実施形態によっては、出力回路は、ロードライバー315、アナログリードアウト回路320、及びアナログ−デジタルブロック330を含む回路を意味し、ロードライバー315、アナログリードアウト回路320、アナログ−デジタルブロック330、及びバッファ360を含む回路を意味することもある。
リアルタイムデジタルズーム動作を行うことができるズームブロック370は、前記出力回路から出力されたズーム領域(例えば、デジタルズームのためのデータ信号の一部またはディスプレイ上でデジタルズームのために選択された領域)に該当するデータ信号(すなわち、全体領域に対するデータ信号ではない前記データ信号のうちからズーム倍率によって選択されたデータ信号)をデジタルズーム倍率RSVによって補間し、タイミングジェネレーター350から出力された第1水平同期信号Hsync、第1垂直同期信号Vsync、及び第1データクロック信号DCLKを受信し、デジタルズーム倍率情報RSVによって第1水平同期信号Hsyncの水平ブランク区間を再調節し、第2垂直同期信号Vsynca、水平ブランク区間が再調節された第2水平同期信号Hsynca、及び第2データクロック信号DCLKaによって補間されたデータ信号DATAaを出力することができる。この際、第2垂直同期信号Vsyncaは、第1垂直同期信号Vsyncと同一の信号であり、第2データクロック信号DCLKaは、第1データクロック信号DCLKと同一の信号である。
実施形態によっては、ズームブロック370は、第1垂直同期信号Vsyncと第1データクロック信号DCLKとをバイパスすることができる。
図17は、図16に示されたイメージセンサーチップのタイミングジェネレーターのブロック図を示す。図16と図17とを参照すると、タイミングジェネレーター350は、レジスタ351、メインコントロールユニット353、アドレス発生器355、同期信号発生器357、及びコントロールユニット359を含む。
レジスタ351は、コントロールレジスタブロック340から出力されたデジタルズーム倍率情報RSVを受信して保存する。例えば、デジタルズーム倍率情報RSVは、1ビットまたはそれ以上のビットを含みうる。
メインコントロールユニット353は、レジスタ351に保存されたデジタルズーム倍率情報RSVによってアドレス発生器355の動作と同期信号発生器357の動作とを制御することができる。
アドレス発生器355は、メインコントロールユニット353の制御下でピクセルアレイ110に具現された複数のピクセルのうちからズーム領域に該当する複数のピクセルを選択するためのアドレスX_ADD、Y_ADDを出力することができる。したがって、イメージ信号処理回路310は、ローアドレスX_ADDとカラムアドレスY_ADDとによって、前記ズーム領域に該当する複数のピクセルのみを選択することができる。
同期信号発生器357は、メインコントロールユニット353の制御下で垂直同期信号の垂直ブランク区間と水平同期信号の水平ブランク区間とを同時に調節し、前記垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号Vsyncと前記水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号Hsyncとを生成することができる。もちろん、同期信号発生器357は、メインコントロールユニット253の制御下で第1データクロック信号DCLKも生成することができる。
ここで、第1垂直同期信号Vsyncは、フレーム(または、一フレームのデータ)の開始と終了とを定義する信号であり、第1水平同期信号Hsyncは、ライン(または、一ラインのデータ)の開始と終了とを定義する信号であり、第1データクロック信号DCLKは、ピクセルデータを伝送するために使われる信号である。
コントロールユニット359は、レジスタ351に保存されたデジタルズーム倍率情報RSVによってアクティブピクセルアレイ110のうちからズーム領域に該当するデータ信号を出力するように、出力回路の動作を制御することができる。実施形態によっては、コントロールユニット359は、アドレス発生器355によって発生したアドレスX_ADD、Y_ADDとデジタルズーム倍率情報RSVとによって、前記ズーム領域を選択し、該選択されたズーム領域に含まれた複数のピクセルから出力されたデータ信号が、バッファ360またはズームブロック370に伝送されることを制御することができる。
図18は、図16に示されたズームブロックのブロック図を示す。図16から図18を参照すると、実施形態によっては、イメージセンサーチップ30とイメージ信号処理チップ40とのうちの何れか一つに具現可能なズームブロック370は、インターポレータ(interpolator)371と同期信号再生成器(synchronizationsignal re−generator)373とを含みうる。
インターポレータ371は、バッファ360によってバッファリングされたズーム領域に該当するデータ信号DATAをデジタルズーム倍率情報RSVによって補間して、該補間されたデータ信号DATAaを生成することができる。
同期信号再生成器373は、タイミングジェネレーター350から出力された第1垂直同期信号Vsync、第1水平同期信号Hsync、及び第1データクロック信号DCLKを受信し、デジタルズーム倍率情報RSVによって第1水平同期信号Hsyncの水平ブランク区間を調節し、水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号Hsyncaを生成することができる。同期信号再生成器373は、第1垂直同期信号Vsyncと実質的に同一の第2垂直同期信号Vsyncaと第1データクロック信号DCLKと実質的に同一の第2データクロック信号DCLKaとを生成することができる。
インターポレータ371は、第2垂直同期信号Vsynca、第2水平同期信号Hsynca、及び第2データクロック信号DCLKaによって補間されたデータDATAaを出力することができる。
図19は、図16に示されたタイミングジェネレーターによって水平ブランク区間の長さと垂直ブランク区間の長さとが調節される前のフレームを示す。図19を参照すると、一つのフレーム(または、イメージセンサーチップ30から出力されるデータ信号を図式的に表現したもの)は、イメージ信号領域(または、アクティブ領域)A11、水平ブランク領域(または、非アクティブ(non−active)領域)A12、及び垂直ブランク領域(または、非アクティブ領域)A13と定義されうる。
垂直同期信号Vsyncと水平同期信号Hsyncが、第1レベル、例えば、ハイレベルを維持する間に(実施形態によっては、第2レベル、例えば、ローレベルを維持する間に)イメージ信号領域A11でのみデータ信号によるイメージがディスプレイされる。
図20は、図16に示されたタイミングジェネレーターによって水平ブランク区間の長さと垂直ブランク区間の長さとが調節された後のフレームを示す。図19と図20とを参照すると、デジタルズーム倍率が1より大きい時、第1水平同期信号Hsyncのブランク区間は、HBIからHBI’に増加する(HBI’>HBI)と同時に、第1垂直同期信号Vsyncの垂直ブランク区間は、VBIからVBI’に減少するということ(VBI’<VBI)が分かる。
デジタルズーム倍率が増加するほど第1水平同期信号Hsyncの水平ブランク区間は、HBIからHBI’に増加すると同時に、第1垂直同期信号Hsyncの垂直ブランク区間は、VBIからVBI’に減少する。これにより、イメージの横長さは、IHIからIHI’に減少し、イメージの縦長さは、IVIからIVI’に減少する。
したがって、第1水平同期信号Hsyncの水平ブランク区間が、HBIからHBI’に増加するにつれて、総横長さが、THIからTHI’に増加しても、第1垂直同期信号Vsyncの垂直ブランク区間は、VBIからVBI’に減少するので、垂直ブランク領域A23は、一定に維持される。したがって、フレームレートは、デジタルズーム倍率に無関係に一定に維持される。すなわち、ズームブロック370は、デジタルズーム倍率に無関係にフレームレートを一定に維持するために、第1垂直同期信号Vsyncの垂直ブランク区間をリアルタイムで調節することができる効果がある。
図21は、図16に示されたタイミングジェネレーターによる垂直ブランク区間の調節方法を説明するためのタイミング図である。
図21を参照すると、CASEIは、デジタルズーム倍率が1である時、第1垂直同期信号の波形を示す。CASEIIは、デジタルズーム倍率が2であり、第1水平同期信号の水平ブランク区間のみ増加させ、第1垂直同期信号の垂直ブランク区間を減少させていない時の第1垂直同期信号の波形を示す。
図19から図21を参照すると、第1水平同期信号Hsyncの水平ブランク区間が増加する(HBI<HBI’)につれて、第1垂直同期信号Vsyncの垂直ブランク区間が減少しなければ、総横長さTHI’が増加するにつれて、垂直ブランク領域A23が増加する。これは、フレームレートを減少させる原因となる。
したがって、図16、図20、及び図21のCASEIIIに示されたように、タイミングジェネレーター250は、第1水平同期信号Hsyncの水平ブランク区間HBI’を増加させると同時に、第1垂直同期信号Vsyncの垂直ブランク区間VBI’を減少させる。したがって、デジタルズーム倍率に関係なく、タイミングジェネレーター350は、常に一定の第1垂直同期信号Vsyncを生成することができる。
図22は、図16に示されたズームブロックの入力信号と出力信号との波形の一実施形態を示す。図22は、デジタルズーム倍率が1である場合のズームブロック370の入力信号Vsync、Hsync、及びDATAの波形と出力信号Vsynca、Hsynca、及びDATAaの波形とを示す。
図23は、図16に示されたズームブロックの入力信号と出力信号との波形の他の実施形態を示す。図23は、デジタルズーム倍率が2である場合のズームブロック370の入力信号Vsync、Hsync、及びDATAの波形と出力信号Vsynca、Hsynca、及びDATAaの波形とを示す。
図16、図20、図22、及び図23を参照すると、デジタルズーム倍率が2である時、タイミングジェネレーター350は、デジタルズーム倍率が2であることを表わすデジタルズーム倍率情報RSVによってフレームレートを一定に維持するために、第1垂直同期信号Vsyncの垂直ブランク区間を減少させると同時に、第1水平同期信号Hsyncの水平ブランク区間を増加させ、減少した垂直ブランク区間VBI’を有する第1垂直同期信号Vsyncと増加した水平ブランク区間HBI’を有する第1水平同期信号Hsyncとを出力する。
また、イメージ信号処理回路310は、デジタルズーム倍率情報RSVによってアクティブピクセルアレイ110のうちからズーム領域に該当するデータ信号DATAのみ第1垂直同期信号Vsyncと第1水平同期信号Hsyncとによって出力する。
図24は、図23に示された一部の波形を拡大した波形を示す。図16、図22、図23、及び図24を参照すると、ズームブロック370は、デジタルズーム倍率が2であることを表わすデジタルズーム倍率情報RSVによってデータ信号DATAを補間し、該補間されたデータDATAaを生成する。
ズームブロック370は、デジタルズーム倍率情報RSVによって第1水平同期信号Hsyncの水平ブランク区間を調節、例えば、減少させて調節された水平ブランク区間を有する第2水平同期信号Hsyncaを生成する。
図24に示されたように、ズームブロック370は、第1データ信号H1を補間して、該補間された第1データ信号H1’−1と補間された第1データ信号H1’−2とを生成し、第2水平同期信号Hsyncaによって第1データ信号H1’−1と補間された第1データ信号H1’−2とを出力する。
また、ズームブロック370は、第2データ信号H2を補間して、該補間された第3データ信号H2’−1と補間された第4データ信号H2’−2とを生成し、第2水平同期信号Hsyncaによって第3データ信号H2’−1と補間された第4データ信号H2’−2とを出力する。図22と図23とに示されたように、デジタルズーム倍率が増加するにつれて、補間されたデータ信号を出力するための第2水平同期信号Hsyncaのトグリングの回数は増加する。
図25は、露出時間を説明するための図である。
図25を参照すると、イメージセンサーチップ30から出力されるイメージが、図25に示されたようなものである時、イメージの横長さIHIと水平ブランク区間HBIは、ピクセル単位で、そして、イメージの縦長さIVIと垂直ブランク区間VBIは、ライン単位で表現されうる。
ディスプレイ装置でディスプレイされるイメージの明るさは、前記ディスプレイ装置に具現された複数のピクセルのそれぞれの露出時間を設定する二つの値cintr、cintcと定義される。ここで、cintrは、ラインの個数を定義し、cintcは、ピクセルの個数を定義する。したがって、露出時間は、(cintr*THI)+cintcと決定される。
図19、図20、及び図25を参照すると、デジタルズームのために、第1水平同期信号Hsyncの水平ブランク区間HBIが増加すれば、総横長さTHIも増加する。したがって、図25を参照して説明された露出時間は変化する。したがって、デジタルズーム倍率に無関係にイメージの明るさを維持させるためには、図25を参照して説明したcintrとcintcのそれぞれが、新たな値に変更されなければならない。
(cintr*THI)+cintc=(cintr’*THI’)+cintc’
ここで、cintr’とcintc’は、補間されたイメージに対するラインの個数とピクセルの個数とを表わす。THI’は、変更された総横長さを表わす。
図26は、図16に示されたイメージセンサーチップの動作を説明するためのフローチャートである。図16から図26を参照すると、タイミングジェネレーター350は、デジタルズーム倍率を表わすデジタルズーム倍率情報RSVを受信する(ステップS210)。
タイミングジェネレーター350は、デジタルズーム倍率情報RSVによって水平同期信号の水平ブランク区間と垂直同期信号の垂直ブランク区間とを同時に調節して、前記水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号Hsync、前記垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号Vsync、及び第1データクロック信号DCLKを生成する(ステップS220)。
出力回路は、アクティブピクセルアレイ110から出力されたピクセル信号に相応するデータ信号のうちからズーム領域に該当するデータ信号をズーム倍率情報RSVによって選択し、第1垂直同期信号Vsync、第1水平同期信号Hsync、及び第1データクロック信号DCLKによって、前記ズーム領域に該当するデータ信号DATAを出力する(ステップS230)。
ズームブロック370は、デジタルズーム倍率情報RSVによってバッファ360から出力されたズーム領域に該当するデータ信号DATAを補間して、該補間されたデータ信号DATAaを生成する。ズームブロック370は、デジタルズーム倍率情報RSVによって第1水平同期信号Hsyncの水平ブランク区間を調節して、前記水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号Hsyncaを生成する。すなわち、図22と図23とを参照して説明したように、ズームブロック270は、補間されたデータ信号DATAaを処理するために、デジタルズーム倍率情報RSVによって第1水平同期信号Hsyncのトグリングの回数とパルス幅とを制御することができる。
ズームブロック370は、第1垂直同期信号(Vsync=Vsynca)、第2水平同期信号Hsynca、及び第1データクロック信号(DCLK=DCLKa)によって補間されたデータ信号DATAaを出力する。したがって、ズームブロック370は、バッファ260から出力されたズーム領域に該当するデータ信号DATAを補間して、リアルタイムでデジタルズーム動作を行うことができる(ステップS240)。
前述したように、図16に示されたイメージセンサーチップ30は、デジタルズーム動作を行うために、フレームバッファメモリを要しないので、前記フレームバッファメモリ、前記フレームバッファメモリの動作を制御するコントローラを除去することができ、イメージセンサーチップ30のサイズを減少させることができる効果がある。
本発明は、イメージセンサーモジュール、それを含むパッケージ、及びカメラに使われる。
20:PCB
30:イメージセンサーチップ
30−1:第1ボンディングワイヤ
32:第1TSV
40:イメージ信号処理チップ
40−1:第2ボンディングワイヤ
44:第2TSV
50:ホルダー
90:タイミングコントローラ
110:アクティブピクセルアレイ
112:リードアウト回路
160:圧縮器

Claims (20)

  1. PCB(printed circuit board)と、
    レンズ及び前記レンズを支持するホルダーを含有すると共に前記PCBに機械的に接続されたレンズモジュールと、
    前記PCBの第1面に接するように実装され、前記PCBに電気的に接続されたイメージセンサーチップと、
    前記PCBの前記第1面に接するように実装され、前記PCBに電気的に接続されたイメージ信号処理チップと、を含み、
    前記イメージ信号処理チップのアスペクト比(aspect ratio)は、前記イメージセンサーチップのアスペクト比(aspect ratio)の少なくとも2倍以上であり、
    前記イメージセンサーチップに具現されたメタルラインの最小線幅は、前記イメージ信号処理チップに具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上であり、
    前記イメージ信号処理チップは、前記イメージセンサーチップから出力された電気信号を処理すると共に処理された信号をディスプレイ装置に出力するように構成される
    前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップは、前記ホルダーの間に配置され、
    前記レンズが、前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップとを共に全て覆う
    ことを特徴とするイメージセンサーモジュール。
  2. 前記イメージセンサーチップのアスペクト比は、1.0〜2.0であり、前記イメージ信号処理チップのアスペクト比は、3〜10である
    ことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーモジュール。
  3. 前記イメージセンサーチップは、
    ピクセルアレイと、
    デジタルズーム倍率情報によって、水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号と垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号とを生成するためのタイミングジェネレーターと、
    前記第1垂直同期信号と前記第1水平同期信号とによって、前記ピクセルアレイから出力された信号に相応するデータ信号のうちからズーム領域に該当するデータ信号を出力するための出力回路と、を含む
    ことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーモジュール。
  4. 前記タイミングジェネレーターは、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記水平ブランク区間を増加させると同時に、前記垂直ブランク区間を減少させる
    ことを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサーモジュール。
  5. 前記イメージセンサーチップは、
    前記出力回路から出力された前記ズーム領域に該当する前記データ信号を受信して補間し、前記タイミングジェネレーターから出力された前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを受信し、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節し、前記第1垂直同期信号と水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号とによって補間されたデータ信号を出力するためのズームブロックをさらに含む
    ことを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサーモジュール。
  6. 前記イメージ信号処理チップは、
    前記イメージセンサーチップの前記出力回路から出力された前記ズーム領域に該当する前記データ信号を受信して補間し、前記タイミングジェネレーターから出力された前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを受信し、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節し、前記第1垂直同期信号と水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号とによって補間されたデータ信号を出力するためのズームブロックを含む
    ことを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサーモジュール。
  7. パッケージにおいて、
    PCBと、
    レンズ及び前記レンズを支持するホルダーを含有すると共に前記PCBに機械的に接続されたレンズモジュールと、
    前記PCBの第1面に接するように実装され、前記PCBに電気的に接続されたイメージセンサーチップと、
    前記PCBの前記第1面に接するように実装され、前記PCBに電気的に接続されたイメージ信号処理チップと、を含み、
    前記イメージ信号処理チップのアスペクト比は、前記イメージセンサーチップのアスペクト比の少なくとも2.0倍以上であり、
    前記イメージセンサーチップに具現されたメタルラインの最小線幅は、前記イメージ信号処理チップに具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上であり、前記パッケージのアスペクト比は、0.8〜1.2であり、
    前記イメージ信号処理チップは、前記イメージセンサーチップから出力された電気信号を処理すると共に処理された信号をディスプレイ装置に出力するように構成され、
    前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップは、前記ホルダーの間に配置され、
    前記レンズが、前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップとを共に全て覆う
    ことを特徴とするパッケージ。
  8. 前記イメージセンサーチップは、
    ピクセルアレイと、
    デジタルズーム倍率情報によって、水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号と垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号とを生成するためのタイミングジェネレーターと、
    前記第1垂直同期信号と前記第1水平同期信号とによって、前記ピクセルアレイから出力された信号に相応するデータ信号のうちからズーム領域に該当するデータ信号を出力するための出力回路と、を含む
    ことを特徴とする請求項7に記載のパッケージ。
  9. レンズ及び前記レンズを支持するホルダーを含有すると共にPCBに機械的に接続されたレンズモジュールと、
    前記PCBに電気的に接続されたイメージセンサーチップとイメージ信号処理チップとを含むイメージセンサーモジュールと、を含み、
    前記イメージセンサーチップは、前記レンズを通過した光学信号を電気信号に変換し、
    前記イメージ信号処理チップは、前記イメージセンサーチップから出力された前記電気信号を処理すると共に処理された信号をディスプレイ装置に出力するように構成され、
    前記イメージ信号処理チップのアスペクト比は、前記イメージセンサーチップのアスペクト比の少なくとも2.0倍以上であり、
    前記イメージセンサーチップに具現されたメタルラインの最小線幅は、前記イメージ信号処理チップに具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上であり、
    前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップは、前記ホルダーの間に配置され、
    前記レンズが、前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップとを共に全て覆う
    ことを特徴とするカメラ。
  10. 前記イメージセンサーチップは、
    ピクセルアレイと、
    デジタルズーム倍率情報によって、水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号と垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号とを生成するためのタイミングジェネレーターと、
    前記第1垂直同期信号と前記第1水平同期信号とによって、前記ピクセルアレイから出力された信号に相応するデータ信号のうちからズーム領域に該当するデータ信号を出力するための出力回路と、を含む
    ことを特徴とする請求項9に記載のカメラ。
  11. PCBと、
    レンズ及び前記レンズを支持するホルダーを含有すると共に前記PCBに機械的に接続されたレンズモジュールと、
    前記PCBの第1面に接するように実装され、前記PCBに電気的に接続されたイメージセンサーチップと、
    前記PCBの内部に、前記イメージセンサーチップと重畳されないように、内蔵され、前記イメージセンサーチップから出力された信号を処理すると共に処理された信号をディスプレイ装置に出力するためのイメージ信号処理チップと、を含み、
    前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップは、前記ホルダーの間に配置され、
    前記レンズが、前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップとを共に全て覆う
    ことを特徴とするイメージセンサーモジュール。
  12. 前記イメージ信号処理チップのアスペクト比は、前記イメージセンサーチップのアスペクト比の少なくとも2倍以上であり、
    前記イメージセンサーチップに具現されたメタルラインの最小線幅は、前記イメージ信号処理チップに具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上である
    ことを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサーモジュール。
  13. 前記イメージセンサーチップは、
    ピクセルアレイと、
    デジタルズーム倍率情報によって、水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号と垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号とを生成するためのタイミングジェネレーターと、
    前記第1垂直同期信号と前記第1水平同期信号とによって、前記ピクセルアレイから出力された信号に相応するデータ信号のうちからズーム領域に該当するデータ信号を出力するための出力回路と、を含む
    ことを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサーモジュール。
  14. ピクセルアレイと、
    デジタルズーム倍率情報によって、水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号と垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号とを生成するためのタイミングジェネレーターと、
    前記第1垂直同期信号と前記第1水平同期信号とによって、前記ピクセルアレイから出力された信号に相応するデータ信号のうちからズーム領域に該当するデータ信号を出力するための出力回路と、
    を含むイメージセンサーチップであって、
    前記イメージセンサーチップと、前記イメージセンサーチップから出力された電気信号を処理すると共に処理された信号をディスプレイ装置に出力するように構成されたイメージ信号処理チップは、レンズ及び前記レンズを支持するホルダーを含有すると共にPCBに機械的に接続されたレンズモジュールの前記ホルダーの間に配置され、
    前記レンズが、前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップとを共に全て覆い、
    前記イメージ信号処理チップのアスペクト比は、前記イメージセンサーチップのアスペクト比の少なくとも2倍以上であり、
    前記イメージセンサーチップに具現されたメタルラインの最小線幅は、前記イメージ信号処理チップに具現されたメタルラインの最小線幅の少なくとも1.5倍以上である
    ことを特徴とするイメージセンサーチップ。
  15. 前記タイミングジェネレーターは、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記水平ブランク区間を増加させると同時に、前記垂直ブランク区間を減少させる
    ことを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサーチップ。
  16. 前記タイミングジェネレーターは、
    前記デジタルズーム倍率情報を保存するためのレジスタと、
    前記ピクセルアレイのうちから前記ズーム領域に該当するピクセルを選択するためのアドレスを出力するアドレス発生器と、
    前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを生成するための同期信号発生器と、
    前記レジスタに保存された前記デジタルズーム倍率情報によって、前記アドレス発生器の動作と前記同期信号発生器の動作とを制御するためのメインコントロールユニットと、
    前記レジスタに保存された前記デジタルズーム倍率情報によって、前記ズーム領域に該当するデータ信号を出力するように、前記出力回路の動作を制御するためのコントロールユニットと、を含む
    ことを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサーチップ。
  17. 前記イメージセンサーチップは、
    前記出力回路から出力された前記ズーム領域に該当する前記データ信号を前記デジタルズーム倍率情報によって補間し、前記タイミングジェネレーターから出力された前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを受信し、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節し、前記第1垂直同期信号と水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号とによって補間されたデータ信号を出力するためのズームブロックをさらに含む
    ことを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサーチップ。
  18. 前記ズームブロックは、
    前記ズーム領域に該当する前記データ信号を前記デジタルズーム倍率情報によって補間して、前記補間されたデータ信号を生成するためのインターポレータと、
    前記タイミングジェネレーターから出力された前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを受信し、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節し、前記第1垂直同期信号と水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号とを生成するための同期信号再生成器と、を含み、
    前記インターポレータは、前記第1垂直同期信号と前記第2水平同期信号とによって、前記補間されたデータを出力する
    ことを特徴とする請求項17に記載のイメージセンサーチップ。
  19. レンズ及び前記レンズを支持するホルダーを含有すると共にPCBに機械的に接続されたレンズモジュールと、イメージセンサーチップと、イメージ信号処理チップとを含むイメージ処理システムにおいて、
    前記イメージ信号処理チップは、前記イメージセンサーチップから出力された電気信号を処理すると共に処理された信号をディスプレイ装置に出力するように構成され、
    前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップは、前記ホルダーの間に配置され、
    前記レンズが、前記イメージセンサーチップと前記イメージ信号処理チップとを共に全て覆い、
    前記イメージセンサーチップは前記PCBの第1面に接するように実装され、前記イメージ信号処理チップは前記PCBの内部に、前記イメージセンサーチップと重畳されないように、内蔵され、
    前記イメージセンサーチップは、
    ピクセルアレイと、
    デジタルズーム倍率情報によって、水平ブランク区間が調節された第1水平同期信号と垂直ブランク区間が調節された第1垂直同期信号とを生成するためのタイミングジェネレーターと、
    前記第1垂直同期信号と前記第1水平同期信号とによって、前記ピクセルアレイから出力された信号に相応するデータ信号のうちからズーム領域に該当するデータ信号を出力するための出力回路と、を含み、
    前記イメージ信号処理チップは、
    前記出力回路から出力された前記ズーム領域に該当する前記データ信号を前記デジタルズーム倍率情報によって補間し、前記タイミングジェネレーターから出力された前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを受信し、前記デジタルズーム倍率情報によって、前記第1水平同期信号の水平ブランク区間を調節し、前記第1垂直同期信号と水平ブランク区間が調節された第2水平同期信号とによって補間されたデータ信号を出力するためのズームブロックを含む
    ことを特徴とするイメージ処理システム。
  20. 前記タイミングジェネレーターは、
    前記デジタルズーム倍率情報を保存するためのレジスタと、
    前記ピクセルアレイのうちから前記ズーム領域に該当するピクセルを選択するためのアドレスを出力するアドレス発生器と、
    前記第1水平同期信号と前記第1垂直同期信号とを生成するための同期信号発生器と、
    前記レジスタに保存された前記デジタルズーム倍率情報によって、前記アドレス発生器の動作と前記同期信号発生器の動作とを制御するためのメインコントロールユニットと、
    前記レジスタに保存された前記デジタルズーム倍率情報によって、前記ズーム領域に該当するデータ信号を出力するように、前記出力回路の動作を制御するためのコントロールユニットと、を含む
    ことを特徴とする請求項19に記載のイメージ処理システム。
JP2010266518A 2009-12-16 2010-11-30 イメージセンサーモジュール、その製造方法、及びそれを含むイメージ処理システム Active JP6042052B2 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2009-0125412 2009-12-16
KR20090125412 2009-12-16
KR10-2010-0000266 2010-01-04
KR20100000266 2010-01-04
KR10-2010-0052290 2010-06-03
KR1020100052290A KR101665560B1 (ko) 2009-12-16 2010-06-03 이미지 센서 모듈과 이를 포함하는 장치들

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011129902A JP2011129902A (ja) 2011-06-30
JP6042052B2 true JP6042052B2 (ja) 2016-12-14

Family

ID=44142486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010266518A Active JP6042052B2 (ja) 2009-12-16 2010-11-30 イメージセンサーモジュール、その製造方法、及びそれを含むイメージ処理システム

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9257467B2 (ja)
JP (1) JP6042052B2 (ja)
CN (1) CN102110699B (ja)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010073520A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 パナソニック株式会社 固体撮像デバイスおよびその製造方法
JP5685898B2 (ja) * 2010-01-08 2015-03-18 ソニー株式会社 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム
CN102569324B (zh) * 2012-02-22 2017-03-01 苏州晶方半导体科技股份有限公司 图像传感器的封装结构及封装方法
US8687086B1 (en) * 2012-03-30 2014-04-01 Gopro, Inc. On-chip image sensor data compression
TWI457575B (zh) * 2012-04-06 2014-10-21 Ind Tech Res Inst 具有自我測試的像素陣列模組及其自我測試方法
JP2013232756A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Sony Corp 光学モジュール
TWI473287B (zh) * 2012-06-14 2015-02-11 Lite On Semiconductor Corp Optical sensing device and manufacturing method thereof
AU2014223163A1 (en) * 2013-02-28 2015-08-20 Olive Medical Corporation Videostroboscopy of vocal chords with CMOS sensors
CN205453874U (zh) * 2013-03-07 2016-08-10 株式会社村田制作所 相机模块及电子设备
CN109981978B (zh) * 2013-04-26 2020-07-07 富士胶片株式会社 摄像装置
JP6261430B2 (ja) * 2014-04-01 2018-01-17 キヤノン株式会社 撮像装置及び画像処理システム
JP6235713B2 (ja) * 2014-06-25 2017-11-22 京セラ株式会社 撮像素子実装用基板および撮像装置
CN104580859B (zh) * 2014-12-22 2019-03-22 格科微电子(上海)有限公司 摄像头模组的装配方法和摄像头模组
US10154220B2 (en) 2015-04-07 2018-12-11 Rambus Inc. Imaging system with dynamic reconstruction workload allocation
CN107005625B (zh) * 2015-04-29 2020-04-14 华为技术有限公司 一种摄像头模组
JP6272387B2 (ja) 2015-05-29 2018-01-31 キヤノン株式会社 撮像素子および撮像装置
CN105847713A (zh) * 2016-04-07 2016-08-10 天津大学 基于一维解码读出的3d堆叠结构图像传感器读出方法
US10290672B2 (en) 2016-05-31 2019-05-14 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor semiconductor packages and related methods
CN106298699A (zh) * 2016-09-26 2017-01-04 苏州晶方半导体科技股份有限公司 封装结构以及封装方法
KR102295526B1 (ko) 2017-04-10 2021-08-30 삼성전자 주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치
US10389962B2 (en) * 2017-08-14 2019-08-20 Himax Imaging Limited Image pickup apparatus and method utilizing the same line rate for upscaling and outputting image
US10541264B2 (en) * 2017-11-29 2020-01-21 China Wafer Level Csp Co., Ltd. Package-on-package structure and package-on-package method
CN107808889B (zh) * 2017-11-29 2023-10-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 叠层封装结构及封装方法
US11942503B2 (en) 2018-05-08 2024-03-26 Eastern Blue Technologies, Inc. Module and methods of assembly for large area flat panel detectors
WO2019227385A1 (en) * 2018-05-31 2019-12-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display apparatus, display substrate, and method of fabricating display panel and display apparatus
KR102581210B1 (ko) * 2019-01-10 2023-09-22 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 신호 처리 방법, 이미지 신호 프로세서 및 이미지 센서 칩
US10834352B2 (en) * 2019-01-14 2020-11-10 Omnivision Technologies, Inc. Configurable interface alignment buffer between DRAM and logic unit for multiple-wafer image sensors
CN109923858B (zh) 2019-01-31 2021-08-13 深圳市汇顶科技股份有限公司 图像传感器及其制造方法和电子设备
CN111627940B (zh) * 2019-02-27 2023-08-11 中芯集成电路(宁波)有限公司 Cmos图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置
JP7261642B2 (ja) * 2019-03-29 2023-04-20 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント 画像処理方法、画像処理装置、およびヘッドマウントディスプレイ
TWI720682B (zh) * 2019-11-08 2021-03-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板
JP2023052713A (ja) * 2020-03-11 2023-04-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、撮像システム及び撮像方法
JP7465311B2 (ja) * 2021-10-20 2024-04-10 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システムおよび移動体
CN115118847A (zh) * 2022-04-27 2022-09-27 一汽奔腾轿车有限公司 一种汽车用小型化摄像头

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6240768A (ja) 1985-08-17 1987-02-21 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置
JPH1084509A (ja) 1996-09-06 1998-03-31 Matsushita Electron Corp 撮像装置およびその製造方法
US6317331B1 (en) * 1998-08-19 2001-11-13 Kulicke & Soffa Holdings, Inc. Wiring substrate with thermal insert
JP2002314060A (ja) 2001-04-11 2002-10-25 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd イメージセンサおよびその製造方法
KR20030091549A (ko) * 2002-05-28 2003-12-03 삼성전기주식회사 이미지 센서모듈 및 그 제조공정
KR100494474B1 (ko) 2003-01-14 2005-06-10 삼성전기주식회사 카메라 모듈 및 그 제조방법
JP2004253731A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法
EP1471730A1 (en) * 2003-03-31 2004-10-27 Dialog Semiconductor GmbH Miniature camera module
JP4255345B2 (ja) * 2003-09-12 2009-04-15 株式会社ルネサステクノロジ 撮像装置
US7417293B2 (en) * 2004-04-27 2008-08-26 Industrial Technology Research Institute Image sensor packaging structure
JP2005328476A (ja) 2004-05-17 2005-11-24 Sony Corp 撮像装置、および固体撮像素子の駆動制御方法
CN102290425B (zh) 2004-08-20 2014-04-02 Kamiyacho知识产权控股公司 具有三维层叠结构的半导体器件的制造方法
KR20060022575A (ko) 2004-09-07 2006-03-10 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 디지털 줌 방법
JP4834425B2 (ja) 2006-03-03 2011-12-14 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像装置の制御方法
US20060219862A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Kai-Kuang Ho Compact camera module with reduced thickness
JP2006311051A (ja) 2005-04-27 2006-11-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子用の信号処理回路および固体撮像装置
US7868432B2 (en) * 2006-02-13 2011-01-11 Fairchild Semiconductor Corporation Multi-chip module for battery power control
TWI311438B (en) * 2006-08-28 2009-06-21 Advanced Semiconductor Eng Image sensor module
US7821066B2 (en) * 2006-12-08 2010-10-26 Michael Lebby Multilayered BOX in FDSOI MOSFETS
JP4153016B1 (ja) 2007-03-30 2008-09-17 シャープ株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法およびその固体撮像装置を用いた撮影装置
US7911053B2 (en) * 2007-04-19 2011-03-22 Marvell World Trade Ltd. Semiconductor packaging with internal wiring bus
JP4378394B2 (ja) 2007-05-31 2009-12-02 シャープ株式会社 半導体装置およびそれを備えた光学装置用モジュール
KR100888195B1 (ko) * 2007-08-06 2009-03-12 한국과학기술원 능동소자가 내장된 유기기판 제조방법
US7675146B2 (en) * 2007-09-07 2010-03-09 Infineon Technologies Ag Semiconductor device with leadframe including a diffusion barrier
US20090087993A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Steven Maxwell Methods and apparatus for cost-effectively increasing feature density using a mask shrinking process with double patterning
JP2009094632A (ja) 2007-10-04 2009-04-30 Panasonic Corp 固体撮像装置
US8120409B2 (en) * 2007-12-20 2012-02-21 Qualcomm, Incorporated Programmable delay circuit with integer and fractional time resolution
JP5097006B2 (ja) 2008-05-14 2012-12-12 株式会社フジクラ プリント配線基板及びその製造方法
WO2010073520A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 パナソニック株式会社 固体撮像デバイスおよびその製造方法
US8981511B2 (en) * 2012-02-29 2015-03-17 Semiconductor Components Industries, Llc Multi-chip package for imaging systems

Also Published As

Publication number Publication date
US10257426B2 (en) 2019-04-09
CN102110699B (zh) 2015-06-03
US9257467B2 (en) 2016-02-09
US20160198095A1 (en) 2016-07-07
US20110141318A1 (en) 2011-06-16
JP2011129902A (ja) 2011-06-30
CN102110699A (zh) 2011-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6042052B2 (ja) イメージセンサーモジュール、その製造方法、及びそれを含むイメージ処理システム
US10721428B2 (en) Imaging device
US9060126B2 (en) Solid-state image sensing apparatus
JP5791571B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
TWI423668B (zh) 影像感測器以及電子裝置之驅動方法
US7990436B2 (en) Solid state image pickup device, drive method thereof and camera system
JP2006050566A (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置
JP2013034045A (ja) 固体撮像装置、撮像装置
US10277853B2 (en) Image capturing apparatus and control method of the same
KR20150145537A (ko) 이미지 센서 구동 방법, 이를 채용한 이미지 센서 및 이를 포함하는 휴대용 전자 기기
US20100110253A1 (en) Physical quantity detecting device, method of driving the physical quantity detecting device and imaging apparatus
US11356624B2 (en) Solid-state imaging element, signal processing circuit, and electronic equipment
US20150373289A1 (en) Image Sensors Including Pixel Arrays
US20090086077A1 (en) Solid-state image capture apparatus and image capture apparatus
JP6907358B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP6025348B2 (ja) 信号伝送装置、光電変換装置および撮像システム
KR101665560B1 (ko) 이미지 센서 모듈과 이를 포함하는 장치들
US8970766B2 (en) Imaging device
JP4232714B2 (ja) 読出アドレス制御方法、物理情報取得装置、および半導体装置
JP5274169B2 (ja) 撮像装置
JP3668604B2 (ja) 固体撮像素子およびこれを用いた画像システム
JP2006246148A (ja) 撮像装置
WO2023002643A1 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP2013247205A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の組立方法、および電子情報機器
WO2015002005A1 (ja) 固体撮像装置、制御方法、及び、電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140617

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140905

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20141226

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150519

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20150710

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20150814

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160511

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161109

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6042052

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250