KR100494474B1 - 카메라 모듈 및 그 제조방법 - Google Patents

카메라 모듈 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100494474B1
KR100494474B1 KR10-2003-0002465A KR20030002465A KR100494474B1 KR 100494474 B1 KR100494474 B1 KR 100494474B1 KR 20030002465 A KR20030002465 A KR 20030002465A KR 100494474 B1 KR100494474 B1 KR 100494474B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
isp
camera module
bonding pad
layer
Prior art date
Application number
KR10-2003-0002465A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040065484A (ko
Inventor
김나용
김호겸
김영준
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR10-2003-0002465A priority Critical patent/KR100494474B1/ko
Priority to TW092117837A priority patent/TWI232557B/zh
Priority to CNA031274153A priority patent/CN1518340A/zh
Priority to US10/641,256 priority patent/US20040135919A1/en
Publication of KR20040065484A publication Critical patent/KR20040065484A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100494474B1 publication Critical patent/KR100494474B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/243—Reinforcing the conductive pattern characterised by selective plating, e.g. for finish plating of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/049—Wire bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/064—Photoresists
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

본 발명은 카메라 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 이미지 센서와 ISP가 기판의 동일면상에 실장된 카메라 모듈에 있어서, 구리층이 형성된 기판과; 상기 구리층 위에 형성되어 동일 두께의 금도금층을 포함하는 본딩 패드부와; 상기 본딩 패드부 주변에 형성되되 ISP가 실장되는 본딩 패드부는 오픈된 PSR층과; 상기 본딩 패드부 위에 본딩되어 실장되는 이미지 센서와 ISP를 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈을 제공한다. 본 발명에 따른 카메라 모듈 및 그 제조방법은 금 도금조건이 상이한 와이어 본딩 방식과 범프 본딩 방식을 단일 기판에 대해 동시에 적용할 수 있으며, 이미지 센서 및 ISP 등의 부품을 동일 기판의 상면 또는 상하면에 최소 높이로 실장할 수 있고, 실장면적을 최소화할 수 있으며, 카메라 모듈의 전체적인 높이와 면적을 크게 저감시킬 수 있다.

Description

카메라 모듈 및 그 제조방법{CAMERA MODULE AND METHOD FOR MAKING THE SAME}
본 발명은 카메라 모듈 및 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게, 단일 기판상에 와이어 본딩과 범프 본딩을 동시에 적용하여 카메라 모듈의 이미지 센서 및 ISP(Image Signal Processor)를 최소 높이로 실장하는 카메라 모듈 및 제조방법에 관한 것이다.
최근, 휴대전화의 정보 단말기로서의 가치가 급증하는 추세속에 카메라가 부착된 모델이 상업적으로 이용가능하게 되었다. 그러나, 휴대전화용 카메라는 디지털 카메라 또는 PC 카메라에 비해 광학 모듈의 크기가 현저히 작아야만 휴대전화에 적용할 수 있다는 제약이 따른다.
특히, 휴대전화용 카메라 모듈은 그 두께(광축 방향의 크기)가 5㎜ 내지 7㎜ 이하로 억제되지 않으면 현재 사용화되고 있는 휴대전화에 탑재가 불가능한 상태이다. 더욱이, 향후 메가급 이상의 유효화소를 적용하고자 한다면, 카메라 모듈의 크기는 더 증대될 것이기 때문에, 렌즈를 포함한 카메라 모듈은 새로운 기술과의 접목을 통해 그 크기를 줄이려는 연구가 이루어지고 있다.
카메라 모듈의 크기를 줄이는 방법으로서, CCD(전하결합소자) 이미지 센서 또는 CMOS(상보성금속산화막반도체) 이미지 센서의 채용, 렌즈의 외형 축소, 이미지 센서의 화소 간격 축소, 패키징 방법의 개선 등이 고려되었다.
일반적인 카메라 모듈 제조 과정을 개략적으로 설명하면, 회로패턴이 형성된 기판에 이미지 센서(촬상소자), ISP(Image Signal Processor), 및 콘덴서 등의 수동부품을 실장하고, 상기 기판을 필터가 접착된 하우징으로 덮어 밀폐한 후, 렌즈를 장착하게 된다.
그 중, 회로패턴이 형성된 기판상에 이미지 센서, ISP 및 수동부품 등이 실장되는 종래 기술에 따른 카메라 모듈의 일예를 설명하면, 도 1에 도시된 바와 같이, 세라믹을 이용한 CLCC(Ceramic Leadless Chip Carrier)형으로 1차 패키징된 이미지 센서를 표면실장형 패키지(QFP: Quad Flat Pack) 또는 볼그리드어레이(BGA: Ball Grid Array)형으로 2차 패키징하여 이미지 센서 패키지(1a)를 제조한 후, 표면실장기술(SMT)을 이용하여 수동부품(2a)과 함께 기판(3a)상에 실장하고, 또한, 기판(3a)의 저면에 ISP 패키지(4a)를 와이어 본딩으로 부착하여 실장하게 된다.
그러나, 이러한 실장 방식은 기술적으로 매우 용이하게 실시할 수 있으나, 이미지 센서와 ISP가 각각 별도로 패키징된 상태로 실장되기 때문에, 패키징 높이로 인해 실장 높이와 면적이 커져 완성된 카메라 모듈을 휴대전화 단말기에 적용하기는 불가능하다.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 칩온보드(COB: Chip On Board)방식으로 패키징되지 않은 베어칩(Bare Chip) 상태의 이미지 센서(1b)와 수동부품(2b)을 기판(3b)의 상면에 직접 부착하여 와이어 본딩하고, ISP(4b)를 기판(3b)의 하면에 직접 부착하여 와이어 본딩한 후, 기판(3b) 하면에 와이어 본딩된 ISP(4b)를 인캡슐레이션(Encapsulation)하는 실장 방식을 이용한 카메라 모듈도 사용된다.
그러나, 이와 같이 와이어 본딩을 이용한 실장 방식은 전술한 표면실장기술을 이용한 실장 방식에 비해 실장 두께는 줄일 수 있으나, ISP의 와이어 본딩부를 보호하기 위한 인캡슐레이션의 자체 높이가 증가하여 완성된 카메라 모듈을 휴대전화 단말기에 적용하기에는 여전히 높이가 큰 상황이다.
따라서, 실장면적을 줄이기 위하여, 기판상에 이미지 센서는 와이어 본딩하되, ISP는 와이어 본딩하지 않고 범프 본딩하여 칩사이즈패키지로 실장하려는 시도가 있었다.
이 경우, 기판 제조시, 금 도금층은 기판에 대하여 동일한 조건으로 형성된다. 그러나, 전술한 바와 같이 와이어 본딩과 범프 본딩을 동시에 적용하고자 하는 경우, 이들 두가지 본딩 방식에 요구되는 금 도금층의 두께가 상이하여 전기적 신뢰성을 모두 만족시킬 수 없었다. 즉, 단일 기판에 와이어 본딩과 범프 본딩을 동시에 적용하기 위해서는 센서와 기판간의 전기적인 연결의 신뢰성이 보장될 수 있어야 하는데, 와이어 본딩과 범프 본딩을 위한 기판의 금 도금층 두께 조건이 서로 상이하기 때문에 동시에 적용하기가 어려웠다.
특히, 와이어 본딩시 기판상의 금 도금층 두께는 평균 0.5㎛ 이상인 것이 바람직하다. 이는 와이어 본더의 와이어 접착시 충격에 의한 기판패드의 손상을 방지하고, 와이어와 패드간에 견고한 부착력을 제공할 수 있기 때문이다.
이에 반하여, 와이어 본딩의 경우와는 다르게, 범프 본딩할 기판 패드의 금 도금층이 두꺼우면 범프 본딩 후 시간이 지날수록 납(Pb) 성분으로 이루어진 범프 패드부와 금 도금층간의 화학적 결합으로 인해 합금이 발생하여 본딩 접합면에 크랙을 발생하게 되며 노이즈로 인한 전기적인 신뢰성이 저하되기 때문에, 범프 본딩시 기판상의 금 도금층 두께는 되도록 얇게 도금하는 것이 좋다. 여기서 금도금의 역할은 기판의 동판이 산화됨을 방지하기 위함인 것이다.
따라서, 기판상에서 전체 영역을 먼저 범프 본딩조건에 맞게 얇게 금 도금한 후, 이미지 센서가 와이어 본딩으로 실장되는 영역을 제외한 나머지 부분에 보호 테이프를 접착한 후, 다시 전체 기판에 두껍게 금 도금을 실시하게 된다. 그리고 나서 보호 테이프를 떼내면 와이어 본딩과 범프 본딩을 위한 금도금층의 높이가 만들어진다.
그러나, 이와 같은 제조방식에 의해 제조된 기판은 제조공정상에 두번의 도금 공정과 테이프 접착을 위한 공정이 추가적으로 필요하기 때문에, 시간과 비용면에서 불리하며, 현재 기판 제조에 있어서 신뢰성이 보장된 상황이 아니다.
따라서, 단일 기판상에 와이어 본딩과 범프 본딩을 동시에 적용하기 위해서는 금 도금층 두께가 균등하게 조절된 기판이 요구된다.
이에 대해, 본 발명자들은 접합면의 크랙 발생 방지와 전기적 신뢰성을 확보하기 위해 범프 본딩영역의 PSR을 제거한 후, 와이어 본딩의 전기적 신뢰성이 보장될 수 있는 한도내에서 최소의 금 도금층 높이를 설정하여 금 도금을 동일한 높이로 도금되게 실시함으로써, 일회의 도금 공정으로 와이어 본딩과 범프 본딩 두 가지 본딩 방식의 신뢰성을 모두 보장함과 아울러, ISP를 플립칩 범프 본딩함으로 와이어 본딩으로 본딩할 때의 loop height(와이어 본딩되는 칩의 최상층부로부터 본딩되는 와이어의 최대높이까지의 거리)를 줄여 이미지 센서와 ISP를 최저 높이로 단일 기판상에 실장할 수 있고, 궁극적으로 카메라 모듈의 높이를 최소화할 수 있음을 발견하였다.
또한, ISP를 범프 본딩하기 전에 재배치 공정을 이용하여 실장면적을 줄이고, 중첩되는 패드를 연결하여 최종 I/O 패드를 줄일 수 있음을 발견하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 이미지 센서 및 ISP 등의 부품을 기판상에 최소 높이로 실장할 수 있는 카메라 모듈 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 이미지 센서 및 ISP 등의 부품을 기판의 상하면에 최소 높이로 실장함과 아울러, 실장면적을 최소화할 수 있는 카메라 모듈 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 금 도금 조건이 상이한 와이어 본딩방식과 범프 본딩 방식을 단일 기판의 동일면상에 동시에 적용할 수 있는 카메라 모듈 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 1 실시예는, 이미지 센서와 ISP가 기판의 동일면상에 실장된 카메라 모듈에 있어서, 구리층이 형성된 기판과; 상기 구리층 위에 형성되어 동일 두께의 금도금층을 포함하는 본딩 패드부와; 상기 본딩 패드부 주변에 형성되되 ISP가 실장되는 본딩 패드부는 오픈된 PSR층과; 상기 본딩 패드부 위에 본딩되어 실장되는 이미지 센서와 ISP를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 1 실시예에 있어서, 상기 금 도금층의 두께는 0.2 내지 0.3㎛인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 1 실시예에 있어서, 상기 ISP는 미리 재배치된 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 1 실시예에 있어서, 상기 ISP가 본딩되는 영역은 언더필드된 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 1 실시예에 있어서, 상기 기판은 CCL인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 1 실시예에 있어서, 상기 이미지 센서는 와이어 본딩되고, 상기 ISP는 플립칩 본딩되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 1 실시예에 있어서, 상기 본딩 패드부는 니켈 도금층을 더 포함하여 구성된 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈 제조방법의 제 1 실시예는, 기판의 구리층상에 에칭용 필름과 노광용 필름을 덮고 자외선광을 노광시켜 현상하는 단계; 상기 구리층과 에칭용 필름을 에칭하여 회로 패턴, 와이어 본딩 및 범프 본딩 패드를 형성하는 단계; 상기 회로 패턴을 보호하기 위한 PSR층을 형성하는 단계; 상기 PSR층에 노광용 필름을 덮고 자외선광을 노광시켜 와이어 본딩 패드와 범프 본딩 패드를 현상하되, 범프 본딩 패드 영역의 PSR층을 완전히 오픈시키는 단계; 상기 와이어 본딩 패드와 범프 본딩 패드상에 니켈 도금층을 형성하는 단계; 상기 니켈 도금층상에 금 도금층을 형성하는 단계; 상기 와이어 본딩 패드에 이미지 센서를 와이어 본딩으로 실장하는 단계; 상기 범프 본딩 패드에 재배치된 ISP를 범프 본딩으로 실장하는 단계; 및 상기 범프 본딩으로 실장된 ISP를 언더필드하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈 제조방법의 제 1 실시예에 있어서, 상기 금 도금층의 두께는 0.2 내지 0.3㎛인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈 제조방법의 제 1 실시예에 있어서, 상기 기판은 CCL인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 2 실시예는, 이미지 센서와 ISP가 각각 기판의 양면상에 실장된 카메라 모듈에 있어서, 구리층이 형성된 기판과; 상기 구리층 위에 형성되어 동일 두께의 금도금층을 포함하는 본딩 패드부와; 상기 기판의 상면의 상기 본딩 패드부 주변에 형성되는 PSR층과; 상기 기판의 상면의 상기 본딩 패드부 위에 본딩되어 실장되는 이미지 센서와; 상기 기판의 저면의 상기 본딩 패드부 위에 본딩되어 실장되는 ISP와; 상기 ISP 주변에 상기 본딩 패드부 위에 본딩되어 전기적으로 연결되는 플렉시블 PCB;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 2 실시예에 있어서, 상기 금 도금층의 두께는 0.2 내지 0.3㎛인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 2 실시예에 있어서, 상기 ISP는 미리 재배치된 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 2 실시예에 있어서, 상기 ISP가 본딩되는 영역은 언더필드된 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 2 실시예에 있어서, 상기 기판은 CCL인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 2 실시예에 있어서, 상기 이미지 센서는 와이어 본딩되고, 상기 ISP는 플립칩 본딩되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 2 실시예에 있어서, 상기 본딩 패드부는 니켈 도금층을 더 포함하여 구성된 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 2 실시예에 있어서, 상기 ISP를 도포하는 인캡슐레이션을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈 제조방법의 제 2 실시예는, 기판의 상하면 구리층에 에칭용 필름과 노광용 필름을 각각 덮고 자외선광을 노광시켜 현상하는 단계; 상기 기판의 상하면 구리층과 에칭용 필름을 에칭으로 제거하여 기판의 상면에 회로 패턴과 와이어 본딩 패드를 형성하고, 기판의 하면에 회로 패턴과 범프 본딩 패드를 형성하는 단계; 상기 기판의 상면에 회로 패턴을 보호하기 위한 PSR층을 형성하는 단계; 상기 와이어 본딩 패드와 범프 본딩 패드상에 각각 니켈 도금층, 금 도금층을 형성하는 단계; 상기 범프 본딩 패드에 미리 재배치된 ISP를 범프 본딩으로 실장하는 단계; 상기 범프 본딩으로 실장된 ISP를 인캡슐레이션하는 단계; 및 상기 와이어 본딩 패드에 이미지 센서를 와이어 본딩으로 실장하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈 제조방법의 제 2 실시예에 있어서, 상기 기판은 CCL인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈 제조방법의 제 2 실시예에 있어서, 상기 금 도금층의 두께는 0.2 내지 0.3㎛인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 카메라 모듈 제조방법의 제 2 실시예에 있어서, 상기 ISP 주변에 플렉시블 PCB를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부도면을 참조하여, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 바람직한 제 1 실시예를 설명한다.
본 실시예에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 단일 기판(3)의 상면에 이미지 센서(1), ISP(4), 및 콘덴서 등의 수동 부품(2)이 실장된다.
상기 기판(3)은 회로 패턴과 본딩 패드가 형성되고, 그 위에 니켈 도금층과 금 도금층이 형성되어 이루어진다. 상기 기판은 바람직하게는 일면 또는 양면에 구리층이 얇게 코팅된 동박적층판(Copper Clad laminate)이며, 본 실시예에서는 상면에만 구리층이 코팅된 기판을 사용한다. 기판의 세부 구조는 후에 상세하게 설명한다.
상기 기판(3)상에 이미지 센서(1)와 ISP(4)가 상호 근접하여 배치되며, 이들 주위로 수동 부품(2)이 실장된다.
상기 이미지 센서(1)는 와이어 본딩 패드상의 금 도금층에 와이어 본딩으로 실장된다. 이미지 센서(1)는 예를 들어 CCD형 또는 CMOS형 이미지 센서가 바람직하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않음을 당업자는 알 수 있을 것이다.
본 실시예에서, 상기 와이어 본딩 패드상의 금 도금층의 두께는 당해 이미지 센서의 와이어 본더의 전기적 신뢰성을 보장할 수 있는 최소 두께로 설정된다. 실험에 따르면, 와이어 본딩 패드상의 금 도금층의 최소 두께 범위는 0.2 내지 0.3㎛인 것이 전기적 신뢰성 면에서 문제가 없음이 밝혀졌다.
또한, 상기 이미지 센서(1)가 실장되는 기판(3) 영역에는 PSR층이 형성된다. 보다 상세하게, 상기 PSR층은 이미지 센서(1)의 와이어 본딩 패드 영역을 제외한 기판상의 모든 영역에 형성되어 있다. 알려진 바와 같이, 상기 PSR(Print Solder Resister)층은 이미지 센서의 회로 패턴을 전기적으로 보호하는 보호층 역할을 한다.
상기 ISP(4)는 이미지 센서(1)와 근접하여 기판의 상면에 실장되며, 범프 본딩 패드상의 금 도금층에 범프 본딩으로 실장된다.
본 실시예에서, 상기 범프 본딩 패드는 상기 이미지 센서용 와이어 본딩 패드와 동일한 두께의 금 도금층을 포함하며, 전술한 바와 같이, 금 도금층의 두께는 0.2 내지 0.3㎛이며, 접합 면적을 넓혀 접합 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 보장하기 위해, 전술한 이미지 센서(1)와는 다르게, 상기 ISP(4)가 실장되는 기판 영역에는 PSR층이 ISP 칩 사이즈만큼 오픈되어진다. 이는 본 발명이 종래의 기술과 구분되는 뚜렷한 특징으로서, ISP 범프 본딩 패드간에도 PSR층은 형성되지 않는다.
또한, ISP(4)는 범프 본딩으로 실장되기 전에 웨이퍼 레벨에서 통상의 재배치 공정으로 처리된다. 따라서, 종래 방식에 따라 와이어 본딩으로 실장되는 것보다 실장면적이 크게 축소된다.
또한, 본 실시예에서, 상기 ISP(4)가 실장된 기판 영역은 신뢰성을 확보할 수 있도록 통상의 충진제로 언더필드된다.
이와 같이 실장된 상기 이미지 센서(1)와 ISP(4)의 주변에는 콘덴서, 저항 등의 수동 부품(2)이 적절하게 배치되어 실장된다.
단일 기판(3)상에 이미지 센서(1), 수동부품(2) 및 ISP(4)가 실장 완료되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 이들을 필터(5)가 접착된 하우징(6)에 수납하고 렌즈(7)를 장착함으로써 카메라 모듈이 완성된다.
완성된 카메라 모듈은 PSR이 제거된 기판상에 ISP가 범프 본딩으로 실장되어 기존 방식에 비해 좀 더 작은 기판으로 제작되기 때문에, 종래의 카메라 모듈에 비해 실장면적과 높이를 크게 줄일 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 1 실시예는, 이미지 센서의 와이어 본더의 전기적 신뢰성을 보장할 수 있는 금 도금층을 포함하는 복수의 와이어 본딩 패드와 범프 본딩 패드상에 이미지 센서와 ISP를 각각 와이어 본딩과 범프 본딩으로 실장함으로써, 카메라 모듈의 두께를 줄일 수 있는 구조를 제공한다.
이하, 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 2 실시예에 대해 설명한다.
전술한 제 1 실시예가 카메라 모듈의 높이를 줄이기 위한 실장 구조라면, 제 2 실시예는 카메라 모듈의 높이뿐만 아니라 넓이도 줄이기 위한 실장구조이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제 2 실시예에서, 이미지 센서(1)는 전술한 제 1 실시예와 동일하게 기판(3)의 상면에 와이어 본딩으로 실장된다. 또한, 콘덴서, 저항 등의 수동 부품(2)이 상기 이미지 센서(1) 주변에 적절하게 배치되어 실장된다.
보다 상세하게, 상기 이미지 센서(1)는 기판의 상면에 형성된 와이어 본딩 패드상의 금 도금층에 와이어 본딩으로 실장된다. 또한, 상기 와이어 본딩 패드상의 금 도금층의 두께는 당해 이미지 센서의 와이어 본더의 전기적 신뢰성을 보장할 수 있는 최소 두께로 설정된다. 전술한 바와 같이, 와이어 본딩 패드상의 금 도금층의 최소 두께 범위는 0.2 내지 0.3㎛인 것이 가장 바람직하다. 또한, 상기 이미지 센서(1)가 실장되는 기판(3) 영역에는 패드만 오픈된 PSR층이 형성된다.
그러나, 본 실시예에서, ISP(4)는 기판(3)의 저면에 범프 본딩으로 실장된 후 인캡슐레이션된다. 이러한 실장 구조를 제공하기 위하여, 본 실시예에서 기판(3)의 저면에는 ISP 칩 사이즈만큼 PSR층없이 범프 본딩 패드가 형성되어 있으며, ISP(4)는 상기 범프 본딩 패드에 범프 본딩으로 실장되기 전에 재배치 공정으로 처리되어 실장면적이 최소화된 상태로 실장된다. 전술한 종래 기술(도 2 참조)와 비교해 보면, 기판 저면에 실장된 ISP를 인켑슐레이션시 와이어 본딩에 의한 와이어 루프만큼 줄일 수 있기 때문에, 카메라 모듈 전체 높이를 줄일 수 있게 된다.
또한, 기판(3)의 저면에는 당해 카메라 모듈이 적용될 핸드폰 등의 애플리케이션과 플렉시블 PCB(8)를 연결하기 위한 본딩 영역(9)이 구비되며, ISP 인켑슐레이션시 상기 플렉시블 PCB 본딩 영역(9)만을 제외하고 인켑슐레이션하는 것이 바람직하다.
이와 같이 기판(3)의 상면에 이미지 센서(1)를 와이어 본딩으로 실장하고, 기판(3)의 저면에 ISP(4)를 범프 본딩으로 실장하여 인켑슐레이션하는 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 2 실시예는 종래의 기술에 따른 실장 구조에 비해 카메라 모듈 두께를 더 줄일 수 있을 뿐만 아니라, ISP 면적만큼 실장 면적도 크게 줄일 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 카메라 모듈 제조방법의 바람직한 제 1 실시예를 설명한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 기판상에 에칭용 필름(10)과 노광용 필름(11)을 덮고 자외선광을 노광시킨다. 전술한 바와 같이, 상기 기판은 바람직하게는 일면 또는 양면에 구리층이 얇게 코팅된 동박적층판(Copper Clad laminate)이며, 본 실시예에서는 상면에만 구리층이 코팅된 CCL을 사용한다.
전술한 바와 같이, 자외선광에 노출된 에칭용 필름(10)을 현상액에 침전시켜 현상하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판의 구리층(12)상에는 회로 패턴과 본딩 패드가 형성될 부분의 에칭용 필름(10)만 남게 된다.
그 후, 상기 기판의 구리층(12)을, 도 8에 도시된 바와 같이, 에칭으로 제거한다. 이때, 상기 에칭용 필름(10)으로 인해 회로 패턴과 본딩 패드가 형성될 부분의 구리층(12)은 식각되지 않은 채로 남게 된다. 구리층(12)의 에칭에는, 예를 들어, 메탈에칭, 포토에칭 등 통상의 에칭기술이 사용될 수 있다.
상기 구리층상에 남겨진 에칭용 필름(10)을 에칭으로 제거하면, 도 9에 도시된 바와 같이, 기판상에는 구리층(12)으로 이루어진 회로 패턴, 와이어 본딩 및 범프 본딩 패드가 형성된다.
도 10에 도시된 바와 같이, 상기 회로 패턴을 보호하기 위한 PSR층(13)을 형성한다.
상기 PSR층(13)에 노광용 필름(11)을 덮고 자외선광을 노광시켜 와이어 본딩 패드와 범프 본딩 패드를 도 11에 도시된 바와 같이 현상하되, 범프 본딩 패드 영역(14)의 PSR층을 완전히 오픈시킨다. 범프 본딩 패드 영역(14)의 PSR층이 오픈되면, 범프 본딩시 ISP의 수평유지가 용이하고, 힘의 분배를 균등하게 할 수 있으며, 범프와 기판 패드간의 접촉 면적을 넓힐 수 있어서 본딩 신뢰성이 보장되므로 전체 패드가 전기적으로 안정한 상태를 유지할 수 있게 된다.
그 후, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 구리층(12)으로 이루어진 와이어 본딩 패드와 범프 본딩 패드상에 니켈 도금층(15), 금 도금층(16)을 형성한다. 상기 니켈 도금층(15)은 금 도금층(16)과 구리층(12)의 혼합을 방지하며 경도를 유지하기 위한 보호층이다.
상기 금 도금층(16)의 두께는 0.2 내지 0.3㎛인 것이 가장 바람직하다. 즉, 전술한 바와 같이, 상기 금 도금층의 두께는 당해 이미지 센서의 와이어 본더의 전기적 신뢰성을 보장할 수 있는 최소 두께이다. 또한, 이는 와이어 본딩과 범프 본딩이 동일 기판상에서 동시에 적용될 수 있는 최적의 두께 범위이다.
만약, 금 도금층(16)의 두께가 이보다 작으면, 와이어 본더의 와이어 접착시 충격에 의해 기판 패드가 손상될 수 있을 뿐만 아니라, 와이어와 패드간에 견고한 부착력을 제공할 수 없어서 전기적 신뢰성을 보장하지 못한다.
이와 반대로, 금 도금층(16)의 두께가 이 범위를 초과하여 좀 더 두껍게 도금 되면, 금 도금층(16)이 너무 두꺼워 시간이 지날수록 납(Pb) 성분으로 이루어진 범프 패드부와 금 도금층 간의 화학적 결합으로 인해 합금이 발생하여 본딩 접합 면에 크랙이 발생되며 노이즈로 인한 전기적인 신뢰성이 저하되는 동시에 ISP 범프 본딩시 수평 유지의 어려움과 각각의 범프 높이에 의한 차이로 인해 본딩 신뢰성을 보장하기 어렵게 된다.
그 후, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 와이어 본딩 패드에 이미지 센서(1)를 와이어 본딩으로 실장하고, 상기 범프 본딩 패드에 재배치된 ISP(4)를 범프 본딩으로 실장한 후, 상기 범프 본딩으로 실장된 ISP(4)를 통상의 충진재로 언더필드한다.
이와 같이, 기판(2)의 본딩 패드상에 이미지 센서(1)와 ISP(4)가 실장 완료되면, 이들 주변에 콘덴서, 저항 등의 수동 부품(2)을 설계에 따라 적절하게 실장한 후, 도 4에 도시된 바와 같이, 이들을 필터(5)가 접착된 하우징(6)에 수납하고 렌즈(7)를 장착함으로써 카메라 모듈이 완성된다.
이하, 본 발명에 따른 카메라 모듈 제조방법의 제 2 실시예에 대해 설명한다.
본 실시예에서는 바람직하게는 상하면에 구리층(12)이 형성된 CCL을 기판으로 사용한다.
도 14에 도시된 바와 같이, 상기 구리층(12)에 에칭용 필름(10)과 노광용 필름(12)을 덮고 자외선광에 노광시키되, 기판의 상면에 덮히는 노광용 필름(12)상에는 수동 부품과 이미지 센서를 위한 패턴이 형성되어 있고, 기판의 하면에 덮히는 노광용 필름(12)상에는 ISP를 위한 패턴이 형성되어 있다.
자외선광에 노출된 에칭용 필름(10)을 현상액에 침전시켜 현상하면, 도 15에 도시된 바와 같이, 기판의 상하면 구리층(12)에는 회로 패턴과 본딩 패드가 형성될 부분의 에칭용 필름(10)만 남게 된다.
그 후, 상기 기판의 상하면 구리층(12)을, 도 16에 도시된 바와 같이, 에칭으로 제거한다. 이때, 상기 에칭용 필름(10)으로 인해 회로 패턴과 본딩 패드가 형성될 부분의 구리층(12)은 식각되지 않은 채로 남게 된다. 전술한 바와 같이, 구리층(12)의 에칭에는, 예를 들어, 메탈에칭, 포토에칭 등 통상의 에칭기술이 사용될 수 있다.
상기 구리층(12)상에 남겨진 에칭용 필름(10)을 에칭으로 제거하면, 도 17에 도시된 바와 같이, 기판의 상면에는 구리층(12)으로 이루어진 회로 패턴과 와이어 본딩 패드가 형성되며, 기판의 하면에는 구리층(12)으로 이루어진 회로 패턴과 범프 본딩 패드가 형성된다. 상기 기판의 상면에는 회로 패턴을 보호하기 위한 PSR(13)층이 더 형성된다.
그 후, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 구리층(12)으로 이루어진 와이어 본딩 패드와 범프 본딩 패드상에 각각 니켈 도금층(15), 금 도금층(16)을 형성하되, 금 도금층(16)의 두께는 0.2 내지 0.3㎛인 것이 가장 바람직하다.
그 후, 상기 기판 저면에 범프 본딩 패드에 재배치된 ISP(4)를 범프 본딩으로 실장한 후, 상기 범프 본딩으로 실장된 ISP(4)를 통상의 충진재로 언더필드하고 일부의 수동부품을 설계에 따라 실장 후 인캡슐레이션을 한다. 이 후 상기 기판 상면에 나머지 수동부품을 실장하고 와이어 본딩 패드에 이미지 센서(1)를 와이어 본딩으로 실장하면 상기 도 5에 도시된 실장 구조를 얻을 수 있게 된다.
전술한 바와 같이, 상기 ISP(4)를 인캡슐레이션할 때, 기판의 하면 일측에 구비된 플렉시블 PCB 본딩 영역(9)을 제외하고 인켑슐레이션하는 것이 바람직하며, 제 1 실시예와 같이, 이들을 필터가 접착된 하우징에 수납하고 렌즈를 장착함으로써 카메라 모듈이 완성된다
본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상과 범주를 벗어나지 않는 다양한 변경과 변형이 이루어질 수 있음을 당업자는 알 수 있을 것이다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 카메라 모듈 및 그 제조방법은, 동일 기판상에 이미지 센서와 ISP를 각각 와이어 본딩과 범프 본딩으로 실장하되, 해당 본딩 패드의 금 도금층 두께를 당해 이미지 센서의 와이어 본더의 전기적 신뢰성을 보장할 수 있는 최소 두께로 설정하고, ISP 범프 본딩 패드 영역의 PSR층을 칩 사이즈만큼 완전히 오픈시킴으로써, 금 도금조건이 상이한 와이어 본딩 방식과 범프 본딩 방식을 단일 기판에 대해 동시에 적용할 수 있으며, 카메라 모듈의 이미지 센서 및 ISP 등의 부품을 동일 기판의 상면 또는 상하면에 최소 높이로 실장할 수 있고, ISP를 미리 재배치한 후 범프 본딩으로 실장함으로써, 실장면적을 최소화할 수 있으며, 카메라 모듈의 전체적인 높이를 크게 저감시킬 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 표면실장기술을 이용하여 제조된 카메라 모듈을 도시한 개략도이고,
도 2는 종래 기술에 따른 칩온보드기술을 이용하여 제조된 카메라 모듈을 도시한 개략도이며,
도 3 및 도 4는 각각 본 발명예 따른 카메라 모듈의 제 1 실시예 및 그 완성구조를 도시한 개략도이고,
도 5는 본 발명에 따른 카메라 모듈의 제 2 실시예를 도시한 개략 단면도이며,
도 6 내지 도 13은 본 발명에 따른 카메라 모듈 제조방법의 제 1 실시예를 설명하기 위한 도면이고,
도 14 내지 도 18은 본 발명에 따른 카메라 모듈 제조방법의 제 2 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※
1 : 이미지 센서 2 : 수동부품
3 : 기판 4 : ISP
5 : 필터 6 : 하우징
7 : 렌즈 8 : 플렉시블 PCB
9 : 플렉시블 PCB 본딩 영역 10 : 에칭용 필름
11 : 노광용 필름 12 : 기판 구리층
13 : PSR층 14 : 범프 본딩 패드 영역
15 : 니켈 도금층 16 : 금 도금층

Claims (22)

  1. 이미지 센서와 ISP가 기판의 동일면상에 실장된 카메라 모듈에 있어서,
    구리층이 형성된 기판과;
    상기 구리층 위에 형성되어 동일 두께의 금도금층을 포함하는 본딩 패드부와;
    상기 본딩 패드부 주변에 형성되되 ISP가 실장되는 본딩 패드부는 오픈된 PSR층과;
    상기 본딩 패드부 위에 본딩되어 실장되는 이미지 센서와 ISP를 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 금 도금층의 두께는 0.2 내지 0.3㎛인 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 ISP는 미리 재배치된 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 ISP가 본딩되는 영역은 언더필드된 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 CCL인 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 이미지 센서는 와이어 본딩되고, 상기 ISP는 플립칩 본딩되는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 본딩 패드부는 니켈 도금층을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  8. 기판의 구리층상에 에칭용 필름과 노광용 필름을 덮고 자외선광을 노광시켜 현상하는 단계;
    상기 구리층과 에칭용 필름을 에칭하여 회로 패턴, 와이어 본딩 및 범프 본딩 패드를 형성하는 단계;
    상기 회로 패턴을 보호하기 위한 PSR층을 형성하는 단계;
    상기 PSR층에 노광용 필름을 덮고 자외선광을 노광시켜 와이어 본딩 패드와 범프 본딩 패드를 현상하되, 범프 본딩 패드 영역의 PSR층을 완전히 오픈시키는 단계;
    상기 와이어 본딩 패드와 범프 본딩 패드상에 니켈 도금층을 형성하는 단계;
    상기 니켈 도금층상에 금 도금층을 형성하는 단계;
    상기 와이어 본딩 패드에 이미지 센서를 와이어 본딩으로 실장하는 단계;
    상기 범프 본딩 패드에 재배치된 ISP를 범프 본딩으로 실장하는 단계; 및
    상기 범프 본딩으로 실장된 ISP를 언더필드하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 금 도금층의 두께는 0.2 내지 0.3㎛인 것을 특징으로 하는 카메라 모듈 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 기판은 CCL인 것을 특징으로 하는 카메라 모듈 제조방법.
  11. 이미지 센서와 ISP가 각각 기판의 양면상에 실장된 카메라 모듈에 있어서,
    구리층이 형성된 기판과;
    상기 구리층 위에 형성되어 동일 두께의 금도금층을 포함하는 본딩 패드부와;
    상기 기판의 상면의 상기 본딩 패드부 주변에 형성되는 PSR층과;
    상기 기판의 상면의 상기 본딩 패드부 위에 본딩되어 실장되는 이미지 센서와;
    상기 기판의 저면의 상기 본딩 패드부 위에 본딩되어 실장되는 ISP와;
    상기 ISP 주변에 상기 본딩 패드부 위에 본딩되어 전기적으로 연결되는 플렉시블 PCB;를 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 금 도금층의 두께는 0.2 내지 0.3㎛인 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 ISP는 미리 재배치된 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 ISP가 본딩되는 영역은 언더필드된 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 기판은 CCL인 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 이미지 센서는 와이어 본딩되고, 상기 ISP는 플립칩 본딩되는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  17. 제 11 항에 있어서, 상기 본딩 패드부는 니켈 도금층을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  18. 제 11 항에 있어서, 상기 ISP를 도포하는 인캡슐레이션을 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  19. 기판의 상하면 구리층에 에칭용 필름과 노광용 필름을 각각 덮고 자외선광을 노광시켜 현상하는 단계;
    상기 기판의 상하면 구리층과 에칭용 필름을 에칭으로 제거하여 기판의 상면에 회로 패턴과 와이어 본딩 패드를 형성하고, 기판의 하면에 회로 패턴과 범프 본딩 패드를 형성하는 단계;
    상기 기판의 상면에 회로 패턴을 보호하기 위한 PSR층을 형성하는 단계;
    상기 와이어 본딩 패드와 범프 본딩 패드상에 각각 니켈 도금층, 금 도금층을 형성하는 단계;
    상기 범프 본딩 패드에 미리 재배치된 ISP를 범프 본딩으로 실장하는 단계;
    상기 범프 본딩으로 실장된 ISP를 인캡슐레이션하는 단계; 및
    상기 와이어 본딩 패드에 이미지 센서를 와이어 본딩으로 실장하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 기판은 CCL인 것을 특징으로 하는 카메라 모듈 제조방법.
  21. 제 19 항에 있어서, 상기 금 도금층의 두께는 0.2 내지 0.3㎛인 것을 특징으로 하는 카메라 모듈 제조방법.
  22. 제 19 항에 있어서, 상기 ISP 주변에 플렉시블 PCB를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈 제조방법.
KR10-2003-0002465A 2003-01-14 2003-01-14 카메라 모듈 및 그 제조방법 KR100494474B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0002465A KR100494474B1 (ko) 2003-01-14 2003-01-14 카메라 모듈 및 그 제조방법
TW092117837A TWI232557B (en) 2003-01-14 2003-06-30 Camera module and method of fabricating the same
CNA031274153A CN1518340A (zh) 2003-01-14 2003-08-07 照相机组件及其制造方法
US10/641,256 US20040135919A1 (en) 2003-01-14 2003-08-13 Camera module and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0002465A KR100494474B1 (ko) 2003-01-14 2003-01-14 카메라 모듈 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040065484A KR20040065484A (ko) 2004-07-22
KR100494474B1 true KR100494474B1 (ko) 2005-06-10

Family

ID=36320064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0002465A KR100494474B1 (ko) 2003-01-14 2003-01-14 카메라 모듈 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20040135919A1 (ko)
KR (1) KR100494474B1 (ko)
CN (1) CN1518340A (ko)
TW (1) TWI232557B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10257426B2 (en) 2009-12-16 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor modules, methods of manufacturing the same, and image processing systems including the image sensor modules

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7091058B2 (en) * 2003-12-11 2006-08-15 Omnivision Technologies, Inc. Sacrificial protective layer for image sensors and method of using
TWI242287B (en) * 2004-12-24 2005-10-21 Innolux Display Corp Portable camera device
US8471822B2 (en) 2006-09-06 2013-06-25 Apple Inc. Dual-sided track pad
KR100790714B1 (ko) 2007-01-05 2008-01-02 삼성전기주식회사 Ｉｓｐ를 갖는 카메라 모듈 패키지
US20090072823A1 (en) * 2007-09-17 2009-03-19 Honeywell International Inc. 3d integrated compass package
KR100930778B1 (ko) * 2007-10-08 2009-12-09 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 그 제조 방법
WO2010073520A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 パナソニック株式会社 固体撮像デバイスおよびその製造方法
KR101665560B1 (ko) * 2009-12-16 2016-10-13 삼성전자주식회사 이미지 센서 모듈과 이를 포함하는 장치들
JP5685898B2 (ja) * 2010-01-08 2015-03-18 ソニー株式会社 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム
KR101285393B1 (ko) * 2011-12-01 2013-07-10 주식회사 팬택 카메라 모듈을 포함하는 이동통신 단말기
FR3008809B1 (fr) 2013-07-18 2017-07-07 Fogale Nanotech Dispositif accessoire garde pour un appareil electronique et/ou informatique, et appareil equipe d'un tel dispositif accessoire
US9292141B2 (en) 2013-10-30 2016-03-22 Apple Inc. Double sided touch sensor on transparent substrate
FR3013472B1 (fr) 2013-11-19 2016-07-08 Fogale Nanotech Dispositif accessoire couvrant pour un appareil portable electronique et/ou informatique, et appareil equipe d'un tel dispositif accessoire
CN105428378B (zh) * 2015-11-27 2018-11-30 苏州晶方半导体科技股份有限公司 影像传感芯片封装结构及其封装方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5650640A (en) * 1995-04-05 1997-07-22 Motorola Integrated electro-optic package
US5748161A (en) * 1996-03-04 1998-05-05 Motorola, Inc. Integrated electro-optical package with independent menu bar
US6441486B1 (en) * 2001-03-19 2002-08-27 Texas Instruments Incorporated BGA substrate via structure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10257426B2 (en) 2009-12-16 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor modules, methods of manufacturing the same, and image processing systems including the image sensor modules

Also Published As

Publication number Publication date
TWI232557B (en) 2005-05-11
CN1518340A (zh) 2004-08-04
KR20040065484A (ko) 2004-07-22
TW200412656A (en) 2004-07-16
US20040135919A1 (en) 2004-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11508776B2 (en) Image sensor semiconductor packages and related methods
US10068938B2 (en) Solid image-pickup device with flexible circuit substrate
US7282693B2 (en) Camera module for compact electronic equipments
US7443028B2 (en) Imaging module and method for forming the same
KR100494474B1 (ko) 카메라 모듈 및 그 제조방법
CN100536111C (zh) 半导体装置及其制造方法、摄像机组件
EP0729180A2 (en) Packaging multi-chip modules without wirebond interconnection
US20020140085A1 (en) Semiconductor package including passive elements and method of manufacture
US6194778B1 (en) Semiconductor package with improved cross talk and grounding, and method of manufacturing same
US20050139946A1 (en) Photosensitive semiconductor package and method for fabricating the same
KR20080057174A (ko) 전자 부품 내장 기판 및 전자 부품 내장 기판의 제조 방법
US8288189B2 (en) Package structure having MEMS element and fabrication method thereof
KR20080057156A (ko) 전자 부품 내장 기판 및 그 제조 방법
JP3614840B2 (ja) 半導体装置
US7745907B2 (en) Semiconductor package including connector disposed in troughhole
JP3061014B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR100207902B1 (ko) 리드 프레임을 이용한 멀티 칩 패키지
JP2005159136A (ja) Ｃｏｂ実装用の枠体、パッケージ実装用の枠体、及び半導体装置
JP2009032013A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR20010058581A (ko) 반도체패키지 및 그 제조방법
JPH10189819A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080328

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee