JP6272387B2 - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents

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Description

本発明は、撮像素子および撮像装置に関する。
近年、デジタルカメラなどの撮像装置に用いられるCMOSなどの撮像素子は、画素を微細化することにより多画素化し、解像度の高い画像を撮影することが可能となっている。コンシューマ向けの撮像装置においても1000万画素以上の画素数を備えるものが一般的になってきている(特許文献1参照)。
図18は、一般的な撮像装置の構成ブロック図である。図18において、撮像素子1500は、画素部1501、AD変換部1502、P/S変換部1503を備える。画素部1501は、被写体像を電気信号に変換してAD変換部1502に出力する。
AD変換部1502は、画素部1501から読み出される画像信号をデジタル信号に変換する。P/S変換部1503は、AD変換部1502により変換されたデジタル信号に対し、パラレル・シリアル変換を行う。画像信号処理回路1600は、撮像素子1500からの画像信号に対し各種信号処理を施す。
特開2013−26675号
上記した撮像装置では、撮像素子1500から画像信号処理回路1501に画像データを転送する転送路の転送容量が一定であることから、撮像素子の画素数が増加することで相対的に画像データの転送時間が長くなるという課題がある。
また、各撮影モードに対応した画像サイズが異なる場合にも、全画素の画像データを撮像素子1500から画像信号処理回路1501に転送するために時間がかかる。すなわち、撮像素子1500から画像信号処理回路1501へのデータ転送容量が画像データ読み出し速度のボトルネックとなる。さらに、高速転送を実現しようとすると、転送回路や処理回路などの消費電力や発熱の増大、データ転送精度などが問題となる。
そこで、フレームレートの高い動画撮影などにおいては、データ容量が転送路の転送容量を超えないように画素数の少ない撮像素子を採択する必要があり、画素数の多い高品位な動画撮影を行うことができない。或いは、画素数の多い撮像素子を用いる場合には、画素部から読み出す画素数を間引き処理等によって削減した後に撮像素子から転送する必要がある。
また、動画撮影中に撮影画像領域の中から所望の範囲の画像を拡大して電子的にズームを行うようにした電子ズーム機能が搭載されているものがある。従来は、このような電子ズーム機能は、画素数を削減した撮影画像データを撮像素子から画像信号処理回路に転送した後に、画像信号処理回路において行われていた。そのため、ズーム倍率が大きくなると画像の拡大率も大きくなり、それに伴いジャギーが目立ったり、解像感が劣化するという課題があった。
本発明は、適切な転送容量で高画質な画像データを出力することのできる撮像素子およびそれを用いた撮像装置を提供することを目的としてなされたものである。
上記した課題を解決するために、本発明の撮像素子は、互いに積層されるとともに電気的に直接接続された第1の半導体基板および第2の半導体基板を備えた撮像素子であって、前記第1の半導体基板に設けられ、入射光を受光して光電変換する撮像手段と、前記撮像手段から出力されるアナログ画像信号をデジタル画像データに変換するAD変換手段と、前記第2の半導体基板に設けられ、前記AD変換手段により変換される1フレームのデジタル画像データを記憶する記憶手段と、前記第2の半導体基板に設けられ、前記記憶手段に記憶された前記デジタル画像データから所定領域の画像データを切り出して縮小変倍処理を施す処理手段と、を有し、前記処理手段により縮小変倍処理される画像データのサイズが縮小変倍処理の倍率にかかわらず常に一定サイズとなるように設定されることを特徴とする。
また、互いに積層されるとともに電気的に直接接続された第1の半導体基板および第2の半導体基板を備えた撮像素子であって、前記第1の半導体基板に設けられ、入射光を受光して光電変換する撮像手段と、前記撮像手段から出力されるアナログ画像信号をデジタル画像データに変換するAD変換手段と、前記第2の半導体基板に設けられ、前記AD変換手段により変換される1フレームのデジタル画像データを記憶する記憶手段と、前記第2の半導体基板に設けられ、前記記憶手段に記憶された前記デジタル画像データから所定領域の画像データを切り出して縮小変倍処理を施す処理手段と、を有し、前記処理手段により縮小変倍処理される画像データのサイズは、記録動画サイズであることを特徴とする。
さらに、互いに積層されるとともに電気的に直接接続された第1の半導体基板および第2の半導体基板を備えた撮像素子であって、前記第1の半導体基板に設けられ、入射光を受光して光電変換する撮像手段と、前記撮像手段から出力されるアナログ画像信号をデジタル画像データに変換するAD変換手段と、前記第2の半導体基板に設けられ、前記AD変換手段により変換される1フレームのデジタル画像データを記憶する記憶手段と、前記第2の半導体基板に設けられ、前記記憶手段に記憶された前記デジタル画像データに対して縮小変倍処理を施す処理手段と、を有し、前記処理手段により縮小変倍処理された画像データのサイズは、前記撮像素子の出力転送容量以下となるように設定されることを特徴とする。
本発明によれば、適切な転送容量で高画質な画像データを撮像素子から出力することができる。
実施例1における撮像素子の概略構造を示す図である。 実施例1におけるデータバス構成の一例を説明する図である。 実施例1における画素、カラムADCブロックの構成を示す図である。 実施例1における撮像素子の積層構成を示す図である。 実施例1における撮像素子の断面図である。 実施例1における撮像装置のシステム概要図である。 実施例1における撮影シーケンスのフローチャートである。 実施例1における画像信号のサイズと転送レートの関係を説明する図である。 実施例1におけるズーム倍率と変倍処理の関係を説明する図である。 実施例1における動画の各フレームの画像処理のタイミングを示す模式図である。 実施例2におけるパン、チルト処理を説明する図である。 実施例3の動作を説明するためのフローチャートである。 実施例3の画素サイズ変換の方法を示す詳細図である。 実施例4の動作を説明するためのフローチャートである。 実施例4の画素サイズ切り出しの方法を示す詳細図である。 実施例5の動作を説明するためのフローチャートである。 実施例5の画像拡大方法を示す詳細図である。 一般的な撮像装置の構成を示す図である。
(実施例1)
以下に、本発明の好ましい実施の形態を、添付の図面を用いて詳細に説明する。
図1は、本発明の実施例1における撮像素子の概略をブロック図として示したものである。
撮像素子506は、第1のチップ(第1の半導体基板)10および第2のチップ(第2の半導体基板)11を有しており、第2のチップ11と第1のチップ10がお互いに積層されている。第1のチップ10は、マトリックス状に配列された複数の画素101からなる画素部を有し、第2のチップ11に対して光入射側(光学像の受光側)に配置されている。
第1のチップ10の画素部において、マトリックス状に配列された複数の画素101は行毎に転送信号線103、リセット信号線104、および行選択信号線105にそれぞれ接続され、列毎に複数の列出力線102に接続されている。なお、各列に配置された複数の列出力線102の各々には、同列の異なる読み出し行に配置された画素が接続される。
第2のチップ11は、列毎に設けられた複数のAD変換器(以下、ADCと表記)111、行走査回路112、列走査回路113、タイミング制御回路114を有する。さらに、第2のチップ11は、切り替えスイッチ116、フレームメモリ117、素子内演算部118、パラレル・シリアル変換部(以下、P/S変換部と表記する)119等を有する。タイミング制御回路114は、全体制御演算部509により駆動制御される。
このように、第1のチップ10に画素部を形成し、第2のチップ11に画素部の駆動回路やメモリ、演算部等を形成することで、撮像素子506の撮像層と回路層とで製造プロセスを分けることができる。そして、回路層における配線の細線化、高密度化による高速化、小型化、および高機能化を図ることができる。
切り替えスイッチ116は、チャンネル毎に設けられた水平信号線115−a、水平信号線115−bから出力される各チャンネルのデジタル画像データを素子内演算部118に選択的に入力する。素子内演算部118は、各チャンネルの画像データを並び替えて1フレームの画像データを生成し、順次フレームメモリ117に出力する。フレームメモリ117は、出力された少なくとも1フレーム分のデジタル画像データを一時的に記憶する。
素子内演算部118は、フレームメモリ117に記憶された1フレームのデジタル画像データに対し、必要な画角へのリサイズ処理、切り出し処理、間引き処理等の演算処理を行う。詳細は後述する。素子内演算部118でリサイズ処理等の演算処理を施された1フレームのデジタル画像データは、P/S変換部119においてパラレル・シリアル変換を行い、撮像素子506の外部にある撮像信号処理回路507へと出力される。
ここで、水平信号線115−a、水平信号線115−b、切り替えスイッチ116、素子内演算部118、フレームメモリ117の間のデータ転送経路は、同一チップ内に形成されるデジタル信号ラインである。そのため、水平読み出し期間内に全ての水平データの転送が完結するように、必要なデータバス幅を確保して高速化を図ることができる。
図2は、第2のチップ11におけるADC111からP/S変換部119までのデータバス構成の一例を説明する図である。図2に示すように、第2のチップ11において、ADC111と素子内演算部118の間には、ADC111のデジタル変換出力を一時的に保持する列メモリ111aが設けられている。なお、図2では切り替えスイッチ116は省略されている。
列走査回路113からの制御信号に応じて各列に設けられた列メモリ111aに保持されている画像データは、水平転送回路115内に16チャンネル設けられた水平信号線115−a,115−bに振り分けられて並列に出力される。水平信号線115−a,115−bに出力された画像データは、素子内演算部118内のメモリI/F回路を経由してフレームメモリ117に入力される。
例えば、8K4K(水平8000画素、垂直4000画素)の32Mピクセルの画像データがADC111から出力される場合について説明する。32Mピクセルの画像データをフレームレート60fpsで読み出した場合に必要なデータバス帯域は、1920Mピクセル/secである。
ここで、水平転送回路115に設けられた16チャンネルの水平信号線115−a,115−bの各々の転送容量が12bitである場合、転送可能な周波数120MHzまで転送容量を落とす必要がある。列走査回路113からの制御信号により順次、列メモリの選択が行われ、水平転送回路115の1チャンネルあたり120Mピクセル/secの画像データが16チャンネルで並列に読み出される。
水平転送回路115から素子内演算部118を経由してフレームメモリ117へ入力された画像データは、フレームメモリから所定エリアのデータが部分的に読み出されて、再び、素子内演算部118に入力される。例えば、フレームメモリ117から出力された画像データは、素子内演算部118内の縮小変倍回路により1/16倍の画像サイズに縮小される。その場合に必要となるデータバス帯域は、120Mピクセル/secまで低減される。これは、フルHDサイズ(2Mピクセル)の画像データを60fpsで読み出す場合に相当するデータ転送容量である。
データバス帯域が低減されて素子内演算部118から出力された画像データは、P/S変換部119で、最大シリアル転送容量1Gbpsを超えないように、720Mbpsの2チャンネル構成でシリアル信号に変換されて出力される。
このように、第2のチップ11内にADC111、素子内演算部118、フレームメモリ117を設けることにより、第2のチップ11内で画像データの処理に必要な広いデータバス帯域を確保し、ADC111からフレームメモリ117までの転送速度の高速化を実現しつつ、撮像素子外に転送可能なシリアル転送容量で高画質な動画を出力することができる。
図3は、本実施例における撮像素子506の画素部の各画素101及びADC111の詳細な構成を示した図である。図1及び図3を用いて、実施例1における撮像素子の動作の概略を説明する。
フォトダイオード(以下、PDと表記する)201は、受光した入射光をその光量に応じた電荷量の光電荷(ここでは、電子)に光電変換する。PD201のカソードは、転送トランジスタ202を介して増幅トランジスタ204のゲートと電気的に接続されている。この増幅トランジスタ204のゲートと電気的に接続されたノードは、フローティングディフュージョン(以下、FDと表記する)部206を構成する。
転送トランジスタ202は、PD201のカソードとFD部206との間に設けられ、ゲートに図1の転送信号線103を介して転送パルスφTRGが供給されることによってオン状態となる。そして、PD201で光電変換された光電荷をFD部206に転送する。
リセットトランジスタ203は、ドレインが画素電源Vddに、ソースがFD部206にそれぞれ接続され、ゲートに図1のリセット信号線104を介してリセットパルスφRSTが供給されることによってオン状態となる。そして、PD201からFD部206への信号電荷の転送に先立って、FD部206の電荷を画素電源Vddに捨てることによって当該FD部206をリセットする。
増幅トランジスタ204は、ゲートがFD部206に、ドレインが画素電源Vddにそれぞれ接続され、リセットトランジスタ203によってリセットした後のFD部206の電位をリセットレベルとして出力する。さらに、増幅トランジスタ204は、転送トランジスタ202によってPD201の信号電荷を転送した後のFD部206の電位を信号レベルとして出力する。
選択トランジスタ205は、例えば、ドレインが増幅トランジスタ204のソースに、ソースが列出力線102にそれぞれ接続される。そして、ゲートに図1の行選択信号線105を介して選択パルスφSELが与えられることによってオン状態となり、画素101を選択状態として増幅トランジスタ204により増幅される信号を列出力線102に出力する。
なお、この選択トランジスタ205については、画素電源Vddと増幅トランジスタ204のドレインとの間に接続した回路構成を採ることも可能である。トランジスタ202〜205として、例えばNチャネルのMOSトランジスタを用いることができる。また、画素101としては、上記した4つのトランジスタを備えた構成に限られるものではなく、増幅トランジスタ204と選択トランジスタ205を1つのトランジスタで兼用した3つのトランジスタを備えた構成等であっても良い。
また、画素101から列出力線102を介して出力されるアナログ画像信号は、ADC111に伝送される。ADC111は、比較器211、アップダウンカウンタ212、メモリ213、DAコンバータ(以下、DACと表記する)214を有する。
比較器211は、一対の入力端子を備え、その一方に列出力線102が接続され、他方にDAC214が接続される。比較器211の出力端子は、アップダウンカウンタ212に接続される。図1のタイミング制御回路114は、全体制御演算部509からの指令に基づきDAC214へ基準信号を出力する。
DAC214は、図1のタイミング制御回路114から入力される基準信号に基づいて、時間の経過とともにレベルが変化するランプ信号を出力する。そして、比較器211は、DAC214から入力されるランプ信号のレベルと、列出力線102から入力される画像信号のレベルとを比較する。
例えば、比較器211は、画像信号のレベルがランプ信号のレベルより低い場合にはハイレベルの比較信号を出力し、画像信号のレベルがランプ信号のレベルより高い場合にはローレベルの比較信号を出力する。アップダウンカウンタ212は、比較信号がハイレベルとなる期間、またはローレベルとなる期間をカウントする。このカウント処理により、各画素101の出力信号はデジタル値へ変換される。
なお、比較器211とアップダウンカウンタ212との間にアンド回路を設け、このアンド回路にパルス信号を入力し、このパルス信号の個数をアップダウンカウンタ212によりカウントさせてもよい。
また、ADC111は、画素101のリセット解除時のリセット信号に基づいてリセットレベルに対応したカウント値をカウントし、さらに所定の撮像時間経過後の光信号に基づいてカウント値をカウントしてもよい。そして、これらの光信号のカウント値とリセット信号のカウント値の差分値をメモリ213に記憶させてもよい。
メモリ213は、アップダウンカウンタ212と接続され、アップダウンカウンタ212によりカウントされたカウント値を記憶する。メモリ213に記憶されたカウント値がデジタル画像データとして、図1の列走査回路113の駆動制御により水平信号線115−a、水平信号線115−bに伝送される。
図4は、図1を用いて説明した実施例1に係る撮像素子506の外形構成を示す。図4(a)は、撮像素子506を光の入射する側から見た斜視図、図4(b)は、撮像素子506の断面図を示している。
撮像素子506は、第1のチップ(撮像層)10と第2のチップ(回路層)11により構成される。第1のチップ10と第2のチップ11は、それぞれのチップに設けられている複数のマイクロパッド302を、複数のマイクロバンプ301を介して電気的に接続して一体化させる。すなわち、第1のチップ10と第2のチップ11は、複数のマクロバンプ101および複数のマイクロパッド302を介して電気的に直接接続されている。なお、マクロパッドおよびマイクロパッド以外を用いた方法により、第1のチップ10と第2のチップ11が電気的に直接接続されるように構成してもかまわない。
図5に、図1、図3、図4で示した実施例1に係る撮像素子506の断面構造の詳細を示す。図4において、撮像層401が第1のチップ10に対応し、回路層402が第2のチップ11に対応する。
撮像層401においては、シリコン(以下、Siと表記する)基板403上に配線層404が形成されている。Si基板403には、PD201となるn型拡散領域407が形成され、PD201の表面部(配線層404との境界部)にはp+拡散領域408が形成されている。
Si基板403には、その表面部にFD部206となるn+拡散領域409、スイッチ用トランジスタのn+拡散領域410が複数形成されている。配線層404には、SiO2等からなる絶縁層内に、各トランジスタのゲート配線411、信号伝搬用配線412が形成され、さらにその表面部にはCu等からなるマイクロパッド302aが形成されている。
上記したn+拡散領域409、n+拡散領域410とトランジスタのゲート配線411により転送トランジスタ202、リセットトランジスタ203、増幅トランジスタ204、選択トランジスタ205がそれぞれ構成される。配線層404には、n+拡散領域410をマイクロパッド302aと接続するためのビア414が形成されている。
回路層402においては、Si基板405上に配線層406が形成されている。Si基板405には、表面部にトランジスタ拡散領域416が複数形成されている。配線層406には、SiO2等からなる絶縁層内に、各トランジスタのゲート配線417、信号伝搬用配線418が複数形成され、さらにその表面部にはCu等からなるマイクロパッド302bが形成されている。
回路層402に形成されたトランジスタ拡散領域416やトランジスタのゲート配線417、信号伝搬用配線418などにより各種回路が構成される。回路断面の詳細については、説明を省略する。配線層406には、拡散領域416等をマイクロパッド302bと接続するためのビア420が形成されている。
撮像層401の配線層404に形成されたマイクロパッド302aと、回路層402の配線層406に形成されたマイクロパッド302bは、マイクロバンプ301によりお互いに電気的に接続されている。なお、図4では撮像層401、回路層402を接続端子としてマイクロバンプ301を用いて接続する構成例を示したが、マイクロバンプを用いずに直接接続することも可能である。
図6は、図1〜5で説明した撮像素子を用いた撮像装置のシステム概要図である。レンズ部501を通った被写体像は絞り504により適切な光量に調整され、図1〜図4に示した構成を有する撮像素子506上の撮像面に結像される。
撮像素子506上の撮像面に結像された被写体像は、撮像素子506のPD201により光電変換され、さらに画素内アンプや画素101とADC111の間に設けた列アンプによるゲイン調整が行われる。そして、ADC111を用いてアナログ信号からデジタル信号にA/D変換が行われ、R、G、Bの各色のデジタル画像信号として撮像信号処理回路507に取り込まれる。
撮像信号処理回路507では、ノイズを軽減するローパスフィルタ処理やシェーディング補正などの各種補正処理、ホワイトバランス調整処理などの画像信号処理、さらに画像データの圧縮処理等を行う。なお、これらの処理を行う撮像信号処理回路507を積層構造の撮像素子506に内蔵するように構成してもかまわない。
レンズ部501は、レンズ駆動部502によって駆動されることにより、ズーム、フォーカス等が制御される。メカニカルシャッタ(メカシャッタ)503、絞り504は、シャッタ・絞り駆動部505によって駆動制御される。
全体制御演算部509は、撮像装置全体の制御と各種演算処理を行う。第1のメモリ部508は、画像データを一時的に記憶する。半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体512は、画像データを記録する。記録媒体制御インターフェース部510は、記録媒体512に画像データを記録し、または記録媒体512に記録された画像データを読み出す。なお、全体制御演算部509を積層構造の撮像素子506に内蔵するように構成してもかまわない。
表示部511は、画像データの表示を行う。外部インターフェース部513は、外部コンピュータ等と通信を行うためのインターフェースである。第2のメモリ部514は、全体制御演算部509での演算結果やパラメータ等を一時的に記憶する。操作部515によりユーザーが設定した撮像装置の駆動条件に関する情報は、全体制御演算部509に送られ、これらの情報に基づいて撮像装置全体の制御が行われる。
次に図1、図3、図7を用いて、実施例1における撮像システムの動作手順について説明する。
図7は、実施例1における撮像システムにおける動画の撮影シーケンスおよび信号処理をフローチャートとして記載したものである。
ステップS601では、全体制御演算部509において、操作部515からユーザーが入力した設定に基づき各種パラメータを初期化する。そして、初期化したパラメータを第2のメモリ部514に記録する。
ステップS602では、撮影した被写体像の映像をリアルタイムで表示部511へ表示させるモニターモードで撮像システムを駆動する。具体的には、複数の画素を混合または一部の画素を間引いて画像信号を読み出す混合/間引きモードで撮像素子506を駆動して画像信号を読み出す。そして、読み出した画像信号に対して撮像信号処理回路507において各種信号処理を施してから表示部511に表示する。
また、モニターモード駆動時には、適宜、撮像素子506から読み出した画像信号に基づいて自動露出調節(AE)制御のための測光動作や自動焦点調節(AF)制御のための測距動作を行う。そして、撮像信号処理回路507は、測光結果に基づいて被写体の明るさを測定し、撮影した画像が適切な明るさになるような絞り値Av、シャッタ速度Tvを算出する。また、測距結果に基づいて被写体像の焦点距離を算出する。
ここで、撮像素子506から読み出される画像信号から得られるコントラスト情報に基づくAF制御を行っているが、撮像素子506に撮像用画素とは別に焦点検出用画素を設けてもよい。そして、焦点検出用画素から得られる位相差情報(デフォーカス量)を用いた撮像面位相差検出によるAF制御を行ってもよい。さらに、コントラストAF制御と撮像面位相差AF制御を撮影条件や被写体等に応じて適宜組み合わせて併用したり、各AF方式を切り替えるように制御してもかまわない。
そして、全体制御演算部509は、算出した絞り値Av、シャッタ速度Tvになるようにシャッタ・絞り駆動部505に指令を出す。また、全体制御演算部509は、算出したレンズ位置Lになるように、レンズ駆動部502に指令を出す。シャッタ・絞り駆動部505は、受け取った指令に基づいてメカシャッタ503、絞り504を駆動する。また、レンズ駆動部502は、受け取った指令に基づいてレンズ501を駆動する。なお、算出された絞り値Av、シャッタ速度Tv、レンズ位置Lをそれぞれ第2のメモリ部514へ記録する。
なお、AE制御を行なう場合に、撮像素子506の行毎や画素毎に蓄積時間(露光時間)を異ならせたり、画像信号を増幅するゲインを異ならせることで1フレーム内の行毎や画素毎に異なる露出の画像を取得するように制御してもかまわない。このように制御することで、ダイナミックレンジの広いHDR画像を生成することができる。
ステップS603では、全体制御演算部509により操作部515にある動画撮影トリガースイッチSW_1のON/OFFを判定し、スイッチSW_1がONであればステップS604へ、OFFであれば再びステップS602へ戻る。
ステップS604では、撮影パラメータiを0にリセットする。撮影パラメータiは、動画のフレームインデックスを表すパラメータである。
ステップS605では、第2のメモリ部514から絞り値Av、シャッタ速度Tv、レンズ位置Lを読み出す。そして、撮像素子506から読み出された画像データと第2のメモリ部514から読み出した絞り値Av、シャッタ速度Tvに基づいて適切な明るさになる絞り値Av、シャッタ速度Tvを算出する。
また、撮像素子506から読み出された画像データと第2のメモリ部514から読み出したレンズ位置Lから、適切な焦点距離になるレンズ位置Lを算出する。そして、算出した絞り値Av、シャッタ速度Tv、レンズ位置Lを第2のメモリ部514へ記録する。
撮影パラメータi=0である場合には、第2のメモリ部514から読み出した絞り値Av、シャッタ速度Tvを元に、ステップS606の駆動モードとステップS602での駆動モードの感度差を考慮して、絞り値Av、シャッタ速度Tvを再算出する。レンズ位置Lは、第2のメモリ部514から読み出した値を使用する。
撮影パラメータi≠0である場合には、第2のメモリ部514から読み出した絞り値Av、シャッタ速度Tv、レンズ位置Lをそのまま使用する。そして、絞り値Av、シャッタ速度Tv、レンズ位置Lになるように、全体制御演算部509からレンズ駆動部502、シャッタ・絞り駆動部505に指令を出し、レンズ501、メカシャッタ503、絞り504を駆動させる。
ステップS606では、ステップS602とは異なり、撮像素子506上の全ての画素から画像信号を読み出す全画素読み出しモードで撮像素子506を駆動して撮影動作を行う。撮影動作により得られた1フレームの画像データは、素子内演算部118に送られる。
ステップS607では、素子内演算部118によりステップS606で撮影した画像の所定の領域(例えば、8K4Kサイズの領域)に対応する画像データを切り出して、フレームメモリ117へ一時記憶する。
ステップS608では、全体制御演算部509が操作部515にある電子ズーム操作釦にてユーザーにより設定・指示されたズーム倍率Xを読み込む。ここで設定可能なズーム倍率Xの範囲としては、例えば1倍から4倍の範囲である。
ステップS609では、素子内演算部118において、設定されたズーム倍率Xの値に基づいて、フレームメモリ117から画像中心に合わせて1/Xの領域の画像データを読み出す。さらに、素子内演算部118において、読み出した1/X領域の画像データを記録動画サイズであるフルHD(以下、FHDと表記する)サイズに縮小変倍する処理を行う。
ステップS610では、ステップS609においてFHDサイズに縮小変倍された画像データに対し、P/S変換部119においてパラレル/シリアル変換を行い、撮像信号処理回路507に転送する。
P/S変換部119から出力される画像データは、撮像素子506の出力転送容量以下となるように、画像データのデータサイズがFHDサイズ(2M)、フレームレートは60fpsが設定されている。
ステップS611では、全体制御演算部509からの指令によりステップS609において素子内演算部118により縮小変倍処理され、ステップS610において転送された画像データに対し、撮像信号処理回路507により各種処理を施される。そして、記録媒体512に動画として記録される。
撮像信号処理回路507で施される各種処理としては、ノイズを低減するローパスフィルタ処理やキズ補正処理、シェーディング補正処理、ホワイトバランス処理などの各種画像信号処理、現像処理、画像信号の圧縮等がある。
ステップS612では、パラメータiに1を加えて、フレームインデックスをインクリメントする。
ステップS613では、全体制御演算部509においてスイッチSW_1のON/OFFを判定し、スイッチSW_1がOFFであればステップS605へ、ONであれば一連の動画撮影シーケンスを終了する。
ここで、図8を用いて、本実施例において撮像素子506から撮像信号処理回路507に転送される画像データの出力転送容量と、動画の画像サイズおよびフレームレートの関係について説明する。
撮像素子506から撮像信号処理回路507へのシリアル転送I/Fの1ポートあたりの転送容量能力の上限は1Gbps程度であり、撮像素子506の出力部には、このシリアル転送I/Fを2ポート搭載している。
動画の画像サイズがFHDサイズ(2M)で、画像データのビット長が12ビット、フレームレートが60fpsの場合の総転送容量は、1440Mbps(=2M*12*60)である。このままでは転送容量能力の上限である1Gbpsを越えてしまうので、シリアル転送I/Fの2ポートに半分ずつ割り振ることで1ポートあたりの容量を720Mbpsとして、転送容量の上限を超えないようにする。
なお、画像サイズで見ると、FHD(2M)に対して、4K2K(8M)はおおよそ4倍、8K4K(32M)はおおよそ16倍となるため、FHDと同じ転送容量に抑えるためにはフレームレートを落とさざるを得ない。すなわち、4K2Kサイズの動画の場合には、FHDの60fpsに対して、1/4倍の15fps、8K4Kサイズの動画の場合には、FHDの1/16倍の3.75fpsへのレートダウンが必要となる。
また、図9において、本実施例におけるズーム倍率とフレームメモリの切り出し領域および縮小変倍処理との関係について説明する。本実施例では、ズーム倍率は1倍から4倍の範囲で可変としている。
図9(a)のようにズーム倍率が最小の1倍に設定されている場合には、切り出し領域はフレームメモリ117に記録された画像データの全領域である8K4Kサイズ(32M)の読み出しを行う。そして、このサイズから画像中心に合わせてFHDサイズ(2M)となるように、素子内演算部118において縦横でそれぞれ1/4倍に縮小変倍処理される。
図9(b)のようにズーム倍率が2倍に設定されている場合には、切り出し領域はフレームメモリ117に記録された画像データの全領域から画像中心に合わせて縦横1/2の領域である4K2Kサイズ(8M)を切り出して読み出す。そして、このサイズから画像中心に合わせてFHDサイズ(2M)となるように、素子内演算部118において縦横でそれぞれ1/2倍に縮小変倍処理される。
図9(c)のようにズーム倍率がX倍に設定されている場合には、切り出し領域はフレームメモリ117に記録された画像データの全領域から画像中心に合わせて縦横1/Xの領域(32M/X^2)を切り出して読出しを行う。そして、このサイズから画像中心に合わせてFHDサイズ(2M)となるように、縦横でそれぞれX/4倍に縮小変倍処理される。
図9(d)のようにズーム倍率が最大の4倍に設定されている場合には、切り出し領域はフレームメモリ117に記録された画像データの全領域から画像中心に合わせて縦横1/4の領域であるFHDサイズ(2M)を切り出して読み出しを行う。そして、このFHDサイズ(2M)のまま等倍で処理される。
このように縮小変倍される画像データのサイズが縮小変倍処理の倍率にかかわらず常に記録動画サイズである一定サイズとなるように制御される。
なお、縮小変倍処理回路で採用するアルゴリズムは、Lanczos法、平均画素法、バイキュービック法など各種方式が一般に存在するが、撮像素子に要求される処理回路の規模や速度や画質との兼ね合いで決定される。
また、図10は一例として、動画の各フレームの各部の画像処理およびそのタイミングを模式的に示した説明図である。図10において、横軸は時刻tを示し、時間の経過とともに動画の各フレームが1コマずつ更新されて出力されていく様子が示されている。
動画の撮影シーケンスが開始されると、まず、最初のフレーム(i=0)で、撮像素子506の全ての画素から読み出された画像データのうち、動画像に関与する8K4Kサイズの領域の画像データがフレームメモリ117に一時記憶される。このとき、ズーム倍率は1倍に設定されている。このズーム倍率に基づいてフレームメモリ117に記憶された全領域の8K4Kサイズ(32M)の画像データが読み出される。そして、このサイズから記録動画サイズであるFHDサイズ(2M)となるように、素子内演算部118において縦横でそれぞれ1/4倍に縮小変倍処理された後に、撮像素子506から出力される。
時刻が進み、次のフレーム(i=1)で、新たに撮像素子506の全ての画素から読み出された画像データのうち、同じく動画像に関与する8K4Kサイズの領域の画像データがフレームメモリに一時記憶される(更新される)。このとき、ズーム倍率は1倍よりもやや大きい新たな値に設定が更新されている。このズーム倍率に基づいてフレームメモリ117から全領域よりもやや小さい領域の画像データが読み出される。そして、このサイズからFHDサイズ(2M)となるように、素子内演算部118において縮小変倍処理された後に、撮像素子506から出力される。
以降、時刻が進み、ズーム倍率が大きくなるように設定を変えながら、動画のフレームが更新されていく様子が示されている。
なお、本実施例では、シリアル転送ポートの転送容量が1Gbpsを超えないことを前提に、動画の画像サイズをFHDサイズ、フレームレートを30fps、電子ズームの倍率の使用範囲を1倍から4倍とした。そして、これらを実現すべく、フレームメモリの読み込みサイズを8K4Kサイズとして設計した。
しかしながら、シリアル転送ポートの転送容量は、年々、高速化に向かって性能向上が進んでおり、撮像装置に要求される動画の画像サイズやフレームレートも高まってきているため、これらに合わせた仕様で柔軟に適用できることは言うまでもない。
以上説明したように、本実施例1によれば、画素層と回路層を積層した撮像素子の回路層にフレームメモリを有することで、画像の拡大処理を行うことなく、撮像素子内の縮小変倍処理だけで電子ズームが可能となる。
(実施例2)
実施例2では、電子的に撮影画像のパン、チルト処理を行うことが可能な撮影モードを有する撮像装置について説明する。すなわち、実施例1と同様にしてフレームメモリ117に一時記憶された画像データの画像中心から、上下、左右方向に切り出し領域の中心をずらしながら切り出して読み出すことにより実現する。
本実施例の撮像素子の構成については、実施例1の図1〜図5で示したものと同様であるため説明を省略する。また、撮像システムの概要についても実施例1の図6で示したものと同様であるため説明を省略する。さらに、画像データの縮小変倍処理についても実施例1の図9で説明したものと同様に実現可能であるため、説明を省略する。
図11は、ズーム倍率が4倍に設定されている場合のフレームメモリ117に記録された全領域の画像データからの切り出し領域を示す図である。
図11(a)は、実施例1の図9(d)と同様にフレームメモリ117に記録された画像の全領域(8K4K)から画像中心に合わせて縦横1/4の領域であるFHDサイズ(2M)で切り出して読み出す様子を示す。
これに対し図11(b)は、実施例2における切り出し領域を示している。すなわち、フレームメモリ117に記録された画像の全領域(8K4K)の画像中心から、切り出し領域の中心を縦横にずらしながらFHDサイズ(2M)の画像データを様々な位置から切り出して読出す様子を示している。
なお、切り出し領域の中心を縦横にずらす操作は、操作部515に設けたパン・チルト操作釦により、電子ズーム操作と同様に設定・指示することにより全体制御演算部509にて読み込む。そして、全体制御演算部509から素子内演算部118、フレームメモリ117を制御することにより実現される。
このようにして、切り出し領域の中心を縦横にずらすことにより、電子ズームだけではなく、電子的に撮影画像のパン、チルト処理にも適用することが可能である。そして、画像の拡大処理を行うことなく電子的なパン、チルト機能が可能となる。
(実施例3)
実施例3では、動画撮影中に静止画を撮影することが可能な撮影モードを有する撮像システムについて説明する。なお、本実施例では、撮像素子は常に全画素読み出しモードにて撮影動作を行い、動画、静止画ともにこの全画素読み出しモードにて駆動して出力された画像信号から作成する方法を例に示す。
本実施例の撮像素子の構成については、実施例1の図1〜図5で示したものと同様であるため説明を省略する。また、撮像システムの概要についても実施例1の図6で示したものと同様であるため説明を省略する。
次に、図12のフローチャートを用いて、本実施例における撮像システムの動作手順について説明する。特に、動画などの駆動モードが選択された際に、全画素の画素データをリサイズして動画用の画素データを伝送する場合の動作について、詳細に説明する。ここでは動画モードとして、4K2K動画や、Full_HD動画、HD動画を例にとって説明する。また、撮像素子の画素数は、3:2画角の2400万(水平6000×垂直4000)画素であるものとする。
ステップS601において、ユーザーにより操作部515に含まれる電源釦がONされると、ステップS602において各種初期設定が行われる。
ステップS603において、ユーザーにより撮影モードとして動画モードが選択され、操作部515に含まれる動画記録釦がONされると動画記録が開始される。ここでは、4K2K動画、Full_HD動画、HD動画のいずれかが選択されるものとする。
ステップS604において、全体制御部によって決められた露出設定(蓄積時間/絞り設定/感度設定)に応じて撮像素子506の露光を開始する。
ステップS605において、ステップS604によって露光された撮像素子506の全画素から信号を読み出し、ステップS606では、ステップS605で読みだされた全画素の信号をフレームメモリ117に画像データとして保存する。
ステップS607、ステップS608では、ステップS603のユーザーによるモード設定時において選択された動画モードを判定する。ステップS603において4K2K動画が選択されている場合はステップS609へ、FULL_HD動画が選択されている場合はステップS610へ、HD動画が選択されている場合はステップS611へそれぞれ進む。
ステップS609、ステップS610、ステップS611では、フレームメモリ117に保存された全画素の画像データを基にして、ユーザーが選択したそれぞれの動画モードに応じた画像サイズの画像データにリサイズ変換処理される。詳細は後述する。
ステップS612において、ステップS609、ステップS610、ステップS611において、それぞれの動画モードに応じた画像サイズにリサイズ変換された画像データがP/S変換部120においてP/S変換され、最適な伝送速度やポート数が選択される。そして、P/S変換された画像データは撮像信号処理回路507へ伝送される。
ステップS613では、撮像信号処理回路507がP/S変換部120から出力された画像データに対して、動画の現像処理を行う。具体的には、ノイズを低減するローパスフィルタ処理やシェーディング補正処理、ホワイトバランス処理など各種の画像データ処理や補正処理を行う。
ステップS614では、ステップS613で処理された画像データを動画データとして、記録媒体512へ動画記録、または、表示部511へのライブビュー表示などを行う。
ステップS615では、撮影が継続される場合にはステップS604へ戻り、続けて動画記録がなされる。ステップS615において動画記録が終了された場合は、ステップS616へ進み電源がOFFされる。
次に、本実施例における画像サイズ変換処理について図13を用いて説明する。図13(a)は、撮像素子から読み出される3:2画角の2400万(6000×4000)画素の画像データを示している。
ユーザーが4K2K動画を動画モードとして選択している場合、全体制御演算部509の制御に応じて素子内演算部118は、4K2K動画に必要な画素数に合うようにリサイズ変換処理を行う。すなわち、フレームメモリ117に保存された全画素の画像データから4K2K動画用の画像サイズを演算し、演算された結果を基にリサイズ変換処理を行う。
4K2K動画に必要な水平・垂直のサイズは、4096×2160(16:9画角、約800万画素)である。したがって、図13(b)に示すように全画素から4K2K動画用にリサイズされた画像データに対して、16:9の画角に合う領域701のみの画像データを出力する。
同様にユーザーがFULL_HD動画を動画モードとして選択している場合、全体制御部509の制御に応じて素子内演算部118は、FULL_HD動画の画素数に合うようにリサイズ変換処理を行う。すなわち、フレームメモリ117に保存された全画素の画像データからFULL_HD動画用の画像サイズを演算し、演算された結果を基にリサイズ変換処理を行う。
FULL_HD動画に必要な水平・垂直のサイズは、1920×1080(16:9画角、約200万画素)である。したがって、図13(C)に示すように全画素のデータからFULL_HD動画用にリサイズされた画像データに対して、16:9の画角に合う領域702のみの画像データを出力する。
また、ユーザーがHD動画を動画モードとして選択している場合、全体制御部509の制御に応じて素子内演算部118は、HD動画の画素数に合うようにリサイズ変換処理を行う。すなわち、フレームメモリ117に保存された全画素の画像データからHD動画用の画像サイズを演算し、演算された結果を基にリサイズ変換処理を行う。
HD動画に必要な水平・垂直のサイズは、1280×720(16:9画角、約100万画素)である。したがって、図13(d)に示すように全画素のデータからHD動画用にリサイズされた画像データに対して、16:9の画角に合う領域703のみの画像データを出力する。
上記したように、フレームメモリに保存した全画素のデータをユーザーが選択した動画の画像サイズにリサイズ変換することで、P/S変換部120から信号処理部507へ伝送するデータ量を大幅に削減することが可能となる。
例えば、2400万画素の全画素の画像データをフレームレート120fpsでP/S変換部120から画素信号処理回路507の間を8ポートで伝送するものとする。4K2K動画をフレームレート120fpsで伝送する際の画像データのデータ量は、全画素伝送時の1/4以下になるため、8ポートで伝送していた全画素に対して、2ポートで伝送可能となる。
または、8ポートで伝送する場合は、伝送速度を1/4以下に落とすことが可能となる。HD動画や、VGA動画の場合は、さらに伝送する画像データが小さくなるため、さらに、ポートの削減や、画像データの伝送速度を落とすことができ消費電力の削減が可能となる。
また、フレームレートに関しても、120fpsとして説明を行ったが、動画時のフレームレートを60fpsや30fpsと可変することも可能である。その場合は全画素の画像データを読み出すフレームレートを動画のフレームレートに合わせたレートで転送すればよい。
また、本実施例における撮像素子の画素数が2400万画素を例に説明したが、これに限らず様々な画素数の撮像素子において対応可能であることはいうまでもない。
以上説明したように、本実施例1によれば、画素層と回路層を積層した撮像素子の回路層にフレームメモリを有することで、ユーザーが選択した動画モードの画像サイズに全画素のから変換処理することで画像データを伝送するデータ量を削減可能になる。さらに、消費電力の削減が可能となる。
(実施例4)
前述した実施例3では、動画モード時における画像サイズの変換を行う際に、リサイズ処理を行い、各モードにおいて最適な画像サイズにすることで、画像データ伝送するデータ量を減らすことで消費電力の削減を行った。これに対し実施例4では、全画面から画像を切り出す際の動作に関しての詳細を説明する。
実施例4における切り出し動作を行う例として、全画素のデータから画角を切り出した4K2K(4096×2160)動画を例として説明する。なお、本実施例における装置構成に関しては、上述した実施例と同様であるため説明を省略する。
ユーザーにより4K2K動画が動画モードとして選択され、全画素から4K2K動画に必要な画角領域のみを切り出して読み出す動作を、図14のフローチャートを用いて説明する。なお、実施例3の図12において説明した動作と同じフローに関しては、説明を省略する。
ステップS603において、ユーザーによって4K2K動画が動画モードとして選択され、操作部515に含まれる動画記録釦が押されると動画記録が開始され、ステップS606において全画素の画像データがフレームメモリ117に保存される。
ステップS801では、全体制御部509の制御により素子内演算部118は、4K2K動画の画素数に合うようにフレームメモリ117に保存された全画素の画像データから画角切り出し処理を行う。切り出された4K2K動画用の画像データはP/S変換部120へ送られる。ステップS612以降の動作は、実施例1の図12と同様である。
次に、画像切り出しについて図15を用いて説明する。図15(a)は、撮像素子から読み出される3:2画角の2400万(6000×4000)画素の画像データを示している。
ユーザーが4K2K動画を動画モードとして選択している場合、全体制御演算部509の制御に応じて素子内演算部118は、4K2K動画に必要な画角に合うように、フレームメモリ117に保存された全画素の画像データから画角切り出し処理を行う。
4K2K動画に必要な水平・垂直のサイズは4096×2160であることから、撮像信号処理回路507で行う各種補正を考慮し、例えば、図15(b)に示すような4136×2200の画像データに画角切り出し処理を行う。
以上説明したように、本実施例によれば、画素層と回路層を積層した撮像素子の回路層にフレームメモリを有することで、ユーザーが選択した動画モードの画像サイズに全画素のから切り出して出力することで画像データを伝送するデータ量を削減可能になる。さらに、消費電力の削減が可能となる。
(実施例5)
ユーザーが撮影時に手動でフォーカスを合わせるために、表示部のライブビュー動画の画面領域を拡大してフォーカスを合わせる操作を行う場合がある。しかしながら、画像が間引かれて表示されているライブビューの表示状態から、そのままの状態で画像を拡大した場合、解像度が落ちて画質が粗くなるためフォーカスを合わせるのが難しい場合がある。
そこで、実施例5では、ユーザーがライブビュー画面を見ながら、所定の領域を拡大した際に、解像度が落ちることなくかつシームレスに、画像データを出力可能な動作について説明する。なお、本実施例における装置構成に関しては、上述した実施例と同様であるため説明を省略する。
また、ライブビューの際に表示される画像データは、3:2画角の2400万(6000×4000)画素を、ライブビュー表示に合う画像サイズ(750×500)にリサイズ処理するものとする。
本実施例における、ライブビュー動画の表示動作からの表示領域拡大動作について、図16のフローチャートを用いて説明する。
ステップS1001において、ユーザーにより操作部515に含まれる電源釦がONされると、各種初期設定が行われた後、ライブビュー動画の撮影および表示が開始される。
ステップS1002において、全体制御部によって決められた露出設定(蓄積時間/絞り設定/感度設定)に応じて撮像素子506の露光を開始する。
ステップS1003において、ステップS1002によって露光された撮像素子506の全画素から信号を読み出し、ステップS1004では、ステップS1003で読み出された全画素の信号をフレームメモリ117に画像データとして保存する。
ステップS1005において、ユーザーによりライブビュー拡大が選択されたかどうかを判定する。ステップS1005でライブビュー拡大が選択されていないと判定した場合、ステップS1006へ進む。
ステップS1006では、フレームメモリ117に保存された全画像データを基にライブビュー動画サイズの画素サイズ(750×500)になるように画像データをリサイズ処理する。
また、ステップS1005でライブビューの拡大が選択されたと判定した場合、ステップS1007へ進む。ライブビュー拡大の選択とは、例えば、ユーザーが拡大枠を選択し、操作部515に含まれる拡大釦を押した場合である。
ステップS1007では、ユーザーによって指定された拡大領域の情報が、全体制御部509から素子内演算部118に送られる。そして、素子演算部118は、拡大領域の情報を基に、フレームメモリ117に保存されている全画素の画像データに対して拡大領域に当たる画像データをライブビュー表示の画角に合わせたリサイズ率を算出する。
ステップS1008では、ステップS1007において算出されたリサイズ率を基に、フレームメモリ117に保存されている全画素の画像データを拡大領域に合わせてリサイズ処理する。
ステップS1009では、ステップS1008においてリサイズにより画像サイズを変更された画像から、拡大領域のみを切り出した画像データのみをP/S変換部120へ送る。
ステップS1010では、ステップS1006またはステップS1009において送信された画像データがP/S変換部120において、データ量を基にP/S変換され、最適な伝送速度やポート数が選択される。そして、P/S変換された画像データは撮像信号処理回路507へ伝送される。
ステップS100では、撮像信号処理回路507がP/S変換部120から出力された画像データに対して、ライブビュー表示用の現像処理を行う。具体的には、ノイズを低減するローパスフィルタ処理やシェーディング処理、ホワイトバランス処理など各種の画像データ処理や補正処理、画像データの圧縮等を行う。
ステップS1011では、ステップS100で処理された画像データを動画データとして、表示部511へ表示する。
ステップS1012では、撮影を継続する場合には、ステップS1002へ戻り、続けてライブビュー動作がなされる。また、ステップS1012において撮影を終了する場合には、ステップS1013へ進み、ライビュー動作を終了する。
次に、本実施例におけるライブビュー表示時の拡大変換処理について図17を用いて説明する。図17(a)は、表示部511に表示されたライブビュー動画の例であり、ユーザーが拡大領域1100の拡大を指定したものとする。
図17(b)は、図17(a)に示した拡大領域1100を表示部511に拡大表示させた様子を示している。フレームメモリ117には、図17(c)に示すように、常に撮像素子から読み出された全画素の画像データ1101が保存されている。
通常のライブビュー表示の際には、図13(d)に示すように、フレームメモリ117に保存された全画素の画像データに対するリサイズ変換処理を行い、画像データのサイズをライブビュー動画サイズの画素サイズ(750×500)に変換している。
これに対し、ライブビュー拡大時の拡大領域1100は、図17(c)に示す全画素の画像データから領域1102を切り出し、切り出した領域1102の画像データを表示するように制御される。
ここで切り出される領域1102の画素数は、例えば2250画素×1550画素であるものとする。そして、切り出された領域1102の画像データに対して、図17(e)に示すようにリサイズ処理を行うことで、ライブビュー表示と同じ画像サイズ750×500に変換する。
以上説明したように、本実施例によれば、画素層と回路層を積層した撮像素子の回路層にフレームメモリを有することで、ライブビュー表示の時にユーザーが選択した拡大領域に対して、全画素の画像データから切り出しを行う。また、最適なリサイズ処理を行うことにより、通常のライブビュー表示と同じサイズの画像データを伝送することが可能となる。そして、解像度を落とすことなく、かつ、シームレスに拡大画像を出力することが可能となる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
101 画素
10 第1のチップ
11 第2のチップ
117 フレームメモリ
118 素子内演算部

Claims (10)

  1. 互いに積層されるとともに電気的に直接接続された第1の半導体基板および第2の半導体基板を備えた撮像素子であって、
    前記第1の半導体基板に設けられ、入射光を受光して光電変換する撮像手段と、
    前記撮像手段から出力されるアナログ画像信号をデジタル画像データに変換するAD変換手段と、
    前記第2の半導体基板に設けられ、前記AD変換手段により変換される1フレームのデジタル画像データを記憶する記憶手段と、
    前記第2の半導体基板に設けられ、前記記憶手段に記憶された前記デジタル画像データから所定領域の画像データを切り出して縮小変倍処理を施す処理手段と、
    を有し、
    前記処理手段により縮小変倍処理される画像データのサイズが縮小変倍処理の倍率にかかわらず常に一定サイズとなるように設定されることを特徴とする撮像素子。
  2. 互いに積層されるとともに電気的に直接接続された第1の半導体基板および第2の半導体基板を備えた撮像素子であって、
    前記第1の半導体基板に設けられ、入射光を受光して光電変換する撮像手段と、
    前記撮像手段から出力されるアナログ画像信号をデジタル画像データに変換するAD変換手段と、
    前記第2の半導体基板に設けられ、前記AD変換手段により変換される1フレームのデジタル画像データを記憶する記憶手段と、
    前記第2の半導体基板に設けられ、前記記憶手段に記憶された前記デジタル画像データから所定領域の画像データを切り出して縮小変倍処理を施す処理手段と、
    を有し、
    前記処理手段により縮小変倍処理される画像データのサイズは、記録動画サイズであることを特徴とする撮像素子。
  3. 前記処理手段は、前記記憶手段に記憶された前記画像データから所定領域の画像データを切り出す際に、電子的なパン、チルト処理を行なう請求項1または2に記載の撮像素子。
  4. 互いに積層されるとともに電気的に直接接続された第1の半導体基板および第2の半導体基板を備えた撮像素子であって、
    前記第1の半導体基板に設けられ、入射光を受光して光電変換する撮像手段と、
    前記撮像手段から出力されるアナログ画像信号をデジタル画像データに変換するAD変換手段と、
    前記第2の半導体基板に設けられ、前記AD変換手段により変換される1フレームのデジタル画像データを記憶する記憶手段と、
    前記第2の半導体基板に設けられ、前記記憶手段に記憶された前記デジタル画像データに対して縮小変倍処理を施す処理手段と、
    を有し、
    前記処理手段により縮小変倍処理された画像データのサイズは、前記撮像素子の出力転送容量以下となるように設定されることを特徴とする撮像素子。
  5. 前記処理手段は、前記記憶手段に記憶する前の1フレームのデジタル画像データから所定領域の画像データを切り出し、切り出した画像データを前記記憶手段に記憶することを特徴とする請求項4に記載の撮像素子。
  6. 互いに積層されるとともに電気的に直接接続された第1の半導体基板および第2の半導体基板を備え、前記第1の半導体基板に設けられ、入射光を受光して光電変換する撮像手段と、前記撮像手段から出力されるアナログ画像信号をデジタル画像データに変換するAD変換手段と、前記第2の半導体基板に設けられ、前記AD変換手段により変換される1フレームのデジタル画像データを記憶する記憶手段と、前記第2の半導体基板に設けられ、前記記憶手段に記憶された前記デジタル画像データから所定領域の画像データを切り出して縮小変倍処理を施す処理手段と、を有する撮像素子と、
    前記撮像素子から出力される画像データに所定の信号処理を施す信号処理部と、
    前記画像を表示する表示部と、
    前記撮像素子、前記信号処理部、前記表示部の各々を制御する制御部と、
    を有し、
    前記処理手段により縮小変倍処理される画像データのサイズが縮小変倍処理の倍率にかかわらず常に一定サイズとなるように設定されることを特徴とする撮像装置。
  7. 互いに積層されるとともに電気的に直接接続された第1の半導体基板および第2の半導体基板を備え、前記第1の半導体基板に設けられ、入射光を受光して光電変換する撮像手段と、前記撮像手段から出力されるアナログ画像信号をデジタル画像データに変換するAD変換手段と、前記第2の半導体基板に設けられ、前記AD変換手段により変換される1フレームのデジタル画像データを記憶する記憶手段と、前記第2の半導体基板に設けられ、前記記憶手段に記憶された前記デジタル画像データから所定領域の画像データを切り出して縮小変倍処理を施す処理手段と、を有する撮像素子と、
    前記撮像素子から出力される画像データに所定の信号処理を施す信号処理部と、
    前記画像を表示する表示部と、
    前記撮像素子、前記信号処理部、前記表示部の各々を制御する制御部と、
    を有し、
    前記処理手段により縮小変倍処理される画像データのサイズは、記録動画サイズであることを特徴とする撮像装置。
  8. 前記処理手段は、前記記憶手段に記憶された前記画像データから所定領域の画像データを切り出す際に、電子的なパン、チルト処理を行なうことを特徴とする請求項6または7に記載の撮像装置。
  9. 互いに積層されるとともに電気的に直接接続された第1の半導体基板および第2の半導体基板を備え、前記第1の半導体基板に設けられ、入射光を受光して光電変換する撮像手段と、前記撮像手段から出力されるアナログ画像信号をデジタル画像データに変換するAD変換手段と、前記第2の半導体基板に設けられ、前記AD変換手段により変換される1フレームのデジタル画像データを記憶する記憶手段と、前記第2の半導体基板に設けられ、前記記憶手段に記憶された前記デジタル画像データに対して縮小変倍処理を施す処理手段と、を有する撮像素子と、
    前記撮像素子から出力される画像データに所定の信号処理を施す信号処理部と、
    前記画像を表示する表示部と、
    前記撮像素子、前記信号処理部、前記表示部の各々を制御する制御部と、
    を有し、
    前記処理手段により縮小変倍処理された画像データのサイズは、前記撮像素子の出力転送容量以下となるように設定されることを特徴とする撮像装置。
  10. 前記処理手段は、前記記憶手段に記憶する前の1フレームのデジタル画像データから所定領域の画像データを切り出し、切り出した画像データを前記記憶手段に記憶することを特徴とする請求項9の撮像装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6689656B2 (ja) * 2016-04-18 2020-04-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 画像処理システム、画像処理方法及び画像送信装置
CN110168937B (zh) * 2017-01-17 2023-07-18 索尼半导体解决方案公司 模拟数字转换器、固态图像传感装置和电子系统
JP6580111B2 (ja) * 2017-02-10 2019-09-25 キヤノン株式会社 撮像素子および撮像装置
US10893199B2 (en) 2018-06-07 2021-01-12 Canon Kabushiki Kaisha Imaging apparatus and control method thereof
JP6821723B2 (ja) * 2018-06-07 2021-01-27 キヤノン株式会社 撮像装置およびその制御方法
JP7210172B2 (ja) 2018-07-06 2023-01-23 キヤノン株式会社 撮像装置およびその制御方法
CN112640430A (zh) 2018-08-31 2021-04-09 富士胶片株式会社 成像元件、摄像装置、图像数据处理方法及程序
KR20200055851A (ko) * 2018-11-13 2020-05-22 삼성디스플레이 주식회사 피검체의 결함 검사 시스템 및 결함 검사 방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4783838A (en) * 1984-12-26 1988-11-08 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Image processing method and apparatus therefor
US6701017B1 (en) * 1998-02-10 2004-03-02 Nihon Computer Co., Ltd. High resolution high-value added video transfer method system and storage medium by using pseudo natural image
JP2000092461A (ja) * 1998-09-10 2000-03-31 Sony Corp 付加情報重畳方法および映像信号出力装置
JP4000293B2 (ja) * 2002-10-22 2007-10-31 富士フイルム株式会社 デジタルカメラ
JP4250437B2 (ja) 2003-03-04 2009-04-08 キヤノン株式会社 信号処理装置、信号処理方法およびプログラム
JP4795186B2 (ja) 2006-10-02 2011-10-19 ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 静止画像送信装置、静止画像受信装置、静止画像送受信装置、静止画像送信方法、静止画像受信方法、静止画像送受信方法、カメラ装置、及び携帯端末装置
JP2008193359A (ja) 2007-02-02 2008-08-21 Olympus Imaging Corp 撮像モジュール及び撮像素子パッケージ
US10080006B2 (en) * 2009-12-11 2018-09-18 Fotonation Limited Stereoscopic (3D) panorama creation on handheld device
US9257467B2 (en) 2009-12-16 2016-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor modules, methods of manufacturing the same, and image processing systems including the image sensor modules
JP5685898B2 (ja) 2010-01-08 2015-03-18 ソニー株式会社 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム
JP4983961B2 (ja) * 2010-05-25 2012-07-25 株式会社ニコン 撮像装置
TWI510047B (zh) * 2010-07-20 2015-11-21 Htc Corp 手持電子裝置
JP5696513B2 (ja) * 2011-02-08 2015-04-08 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5734121B2 (ja) 2011-07-15 2015-06-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
JP2013030939A (ja) 2011-07-27 2013-02-07 Canon Inc 撮像装置
JP6021078B2 (ja) * 2011-12-21 2016-11-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 画像処理装置および画像処理方法
US9607971B2 (en) 2012-06-04 2017-03-28 Sony Corporation Semiconductor device and sensing system
JP2014044345A (ja) 2012-08-28 2014-03-13 Ricoh Co Ltd 撮像装置
JP6292754B2 (ja) * 2013-02-21 2018-03-14 キヤノン株式会社 表示制御装置及びその制御方法
JP6190184B2 (ja) 2013-06-28 2017-08-30 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置、その制御方法、および制御プログラム
JP2015041792A (ja) * 2013-08-20 2015-03-02 株式会社ニコン 画像処理装置および撮像装置
DE102016109179B4 (de) * 2015-05-29 2023-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Bildaufnahmeeinrichtung und Bildgebungsvorrichtung

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