JP5999526B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
そこで、本発明の課題は、逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの持つ上記特性に着目し、逆電圧印加時の漏れ電流の増加を抑制して、この漏れ電流に起因した損失の低減を図ることができる電力変換装置を提供することにある。
前記第1、第2の半導体スイッチ素子には、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタを適用することができる。
更に別の実施形態では、前記双方向スイッチがマトリックスコンバータを構成するように接続される。
また、逆電圧が印加される逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタのゲートをオン状態するための指令信号を制御回路から出力させるので、上記逆電圧が印加された逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタを検出するための手段が不要であるという利点も有する。
電源PSは、キャパシタC1,C2を直列接続した構成を有する。キャパシタC1,C2の端子電圧は共にVcc2である。従って、この電源PSの正極と負極間の電圧Vcc1は2×Vcc2である。
上アーム側の半導体スイッチ素子T1のコレクタは端子Pを介して電源PSの正極に接続され、下アーム側の半導体スイッチ素子T2のエミッタは端子Nを介して電源PSの負極に接続されている。また、半導体スイッチ素子T1のエミッタと半導体スイッチ素子T2のコレクタとの接続点であるアーム対APの中点は、出力端子Uに接続されている。
以下、逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタをRB−IGBTと略称する。
周知のように、RB−IGBTは逆耐圧能力を備える点で一般のIGBTと相違する。このようなRB−IGBTで構成された双方向スイッチSWは、逆方向電流をブロックするためのダイオードが不要であり、このため、該ダイオードによる損失を生じないという利点を有する。なお、双方向スイッチSWとアーム対APは、一体化(モジュール化)が可能である。
ゲート駆動回路GDU1〜GDU4には周知の構成のものを使用することができ、図2にその一例を示す。このゲート駆動回路GDU1〜GDU4は、フォトカプラPC、トランジスタT4,T5からなるバッファ回路BU、正側電源E1、負側電源E2及び抵抗Rを備えている。各ゲート駆動回路GDU1〜GDU4のフォトカプラPCには、図1に示す制御回路CCからの指令信号S1〜S4がそれぞれ入力される。
ゲートをオンさせるゲート駆動駆号の電圧値はほぼ正側電源E1の電圧(+15V)となり、ゲートをオフさせるゲート駆動駆号の電圧値はほぼ負側電源E2の出力電圧(−15V)となる。
この表において、「ON」はゲートをオンさせることを、「OFF」はゲートをオフさせることを、「SW」はゲートをオン、オフさせることをそれぞれ示している。
まず、負荷Lを端子Uと端子N間に接続し(実線参照)、この負荷Lを上アーム側のスイッチ素子T1によって駆動する場合について説明する。この場合、制御回路CCは「SW」を指令する信号S1と、「OFF」を指令する信号S2〜S4とを出力する。この場合、信号S1は、変調(例えばパルス幅変調)処理されたパルス列からなる信号である。
これに伴い、ゲート駆動回路GDU1はスイッチ素子T1のゲートをオン・オフさせるゲート駆動信号を出力し、ゲート駆動回路GDU2,GDU3,GDU4はスイッチ素子T2、RB−IGBT T3,RB−IGBT T4のゲートをオフさせるゲート駆動信号をそれぞれ出力する。この結果、スイッチ素子T1のみがオン・オフ動作し、スイッチ素子T2,RB−IGBT T3,RB−IGBT T4はオフ状態となる。
スイッチ素子T1がオン・オフ動作すると、オン期間に負荷Lに電流ILが流れるとともに、オフ期間にフリーホイールダイオードD2を介してリカバリー電流IRが流れる。
これに伴い、スイッチ素子T2のみがオン、オフ動作し、スイッチ素子T1,RB−IGBT T3,RB−IGBT T4はオフ状態となる。
スイッチ素子T2がオン、オフ動作すると、オン期間に負荷電流(図示省略)が流れ、オフ期間にフリーホイールダイオードD1を介してリカバリー電流(図示省略)が流れる。
まず、負荷Lを端子Pと端子U間に接続し、この負荷LをスイッチSWのRB−IGBT T3によって駆動する場合について説明する。この場合、制御回路CCは「OFF」を指令する信号S1,S2と、「SW」を指令する信号S3と、「ON」を指令する信号S4とを出力する。
これに伴い、ゲート駆動回路GDU1,GDU2は図3(a)、(b)に示すようなゲート駆動信号を、ゲート駆動回路GDU3は、同図(c)に例示するようなゲート駆動信号を、ゲート駆動回路GDU4は同図(d)に示すようなゲート駆動信号をそれぞれ出力する。この結果、RB−IGBT T3がオン、オフ動作し、スイッチ素子T1,T2が共にオフ状態となる。このとき、RB−IGBT T4は、ゲートをオンさせるゲート駆動信号が与えられているもののオンしない。なぜなら、RB−IGBT T4のコレクタ、エミッタ間には、負荷Lを介してキャパシタC1の端子電圧Vcc2が逆方向に印加されているからである。
一方、コレクタ、エミッタ間に逆電圧Vcc2が印加されたRB−IGBT T4は、上記のようにゲートをオンさせるゲート駆動信号が入力されるので、前述した正孔の再注入による漏れ電流の増加が抑制されて、この漏れ電流による損失が低減される。
これに伴い、ゲート駆動回路GDU1,GDU2は図5(a)、(b)に示すようなゲート駆動信号を、ゲート駆動回路GDU3は図5(c)に示すようなゲート駆動信号を、ゲート駆動回路GDU4は図5(d)に示すようなゲート駆動信号(図3(c)に示す信号を反転した信号)をそれぞれ出力する。この結果、RB−IGBT T4がオン、オフ動作するとともに、スイッチ素子T1,T2がそれぞれオフ状態となる。RB−IGBT T3は、コレクタ、エミッタ間に逆方向電圧が印加されているためオフ状態となる。
一方、コレクタ、エミッタ間に逆電圧Vcc2が印加されたRB−IGBT T3のゲートには、前記したように、ゲートをオンさせるゲート駆動信号が入力されているので、正孔の再注入による漏れ電流の増加が抑制される。
まず、負荷Lを端子Mと端子U間に接続し(図1には示されていない)、この負荷Lを上アーム側のスイッチ素子T1によって駆動する場合について説明する。この場合、制御回路CCは、「SW」を指令する信号S1と、「OFF」を指令する信号S2,S3と、「ON」を指令する信号S4とを出力する。
これに伴い、ゲート駆動回路GDU1は図7(a)に示すようなゲート駆動信号を、GDU2,GDU3は図7(b)、(c)に示すようなゲート駆動信号を、ゲート駆動回路GDU4は図7(d)に示すようなゲート駆動信号をそれぞれ出力する。この結果、スイッチ素子T1がオン、オフ動作し、スイッチ素子T2とRB−IGBT T3が共にオフ状態となる。
RB−IGBT T4は、スイッチ素子T1のオン期間にオフ状態となり、スイッチ素子T1のオフ期間にリカバリー電流IRを流す。また、RB−IGBT T4は、スイッチ素子T1のオン期間に逆電圧Vcc2が印加されるが、このとき、図7(d)に示すゲートオン信号が入力されるので、前述した正孔の再注入による漏れ電流の増加が抑制されて、この漏れ電流による損失が低減される。
これに伴い、GDU1,GDU4は図9(a)、(d)に示すようなゲート駆動信号を、ゲート駆動回路GDU2は図9(b)に例示するようなゲート駆動信号(図7(a)に示す信号を反転した信号)を、GDU3は図9(c)に示すようなゲート駆動信号をそれぞれ出力する。この結果、スイッチ素子T2がオン、オフ動作し、スイッチ素子T1及びRB−IGBT T4が共にオフ状態となる。
RB−IGBT T3は、スイッチ素子T2のオン期間にオフ状態となり、スイッチ素子T2のオフ期間にリカバリー電流IRを流す。また、RB−IGBT T3は、スイッチ素子T2のオン期間に逆電圧Vcc2が印加されるが、このとき、図9(c)に示すゲートオン信号が入力されるので、前述した正孔の再注入による漏れ電流の増加が抑制される。
RB−IGBT T11,T12にはゲート駆動回路GDU11、GDU12が、RB−IGBT T21,T22にはゲート駆動回路GDU21、GDU22が、RB−IGBT T31,T32にはゲート駆動回路GDU31、GDU32が、RB−IGBT T41,T42にはゲート駆動回路GDU41、GDU42がそれぞれ接続されている。
これらのゲート駆動回路は、図2に示すゲート駆動回路GDU1〜GDU4と同様の構成を有し、それぞれ制御回路CC’からの指令信号を入力する。
すなわち、制御回路CC’は、図16に示す期間(1)において、RB−IGBT T11,T22,T32,T41のゲートをオンさせるゲート駆動信号と、RB−IGBT T12,T21,T31,T42のゲートをオフさせるゲート駆動信号とが生成されるような指令信号を出力する。
この結果、RB−IGBT T11,T41がオンして、図12に示す経路で負荷駆動電流IAが流れるとともに、RB−IGBT T22,T32のコレクタ、エミッタ間に逆電圧が印加される。斜線で示すように、逆電圧が印加されるRB−IGBT T22,T32は、ゲートをオンさせるゲート駆動信号を入力するので、正孔の再注入による漏れ電流の増加が抑制されることになる。
この結果、RB−IGBT T22,T32がオンして、図13に示す経路でリカバリー電流IBが流れるとともに、RB−IGBT T12,T42のコレクタ、エミッタ間に逆電圧が印加されることになる。斜線で示すように、逆電圧が印加されるRB−IGBT T12,T42は、ゲートをオンさせるゲート駆動信号を入力するので、正孔の再注入による漏れ電流の増加が抑制される。
この結果、RB−IGBT T21,T31がオンして、図14に示す経路で負荷駆動電流ICが流れるとともに、RB−IGBT T12,T42のコレクタ、エミッタ間に逆電圧が印加されることになる。斜線で示すように、逆電圧が印加されるRB−IGBT T12,T42は、ゲートをオンさせるゲート駆動信号を入力するので、正孔の再注入による漏れ電流の増加が抑制される。
この結果、RB−IGBT T12,T42がオンして、図15に示す経路でリカバリー電流IDが流れるとともに、RB−IGBT T22,T32のコレクタ、エミッタ間に逆方向電圧が印加されることになる。斜線で示すように、逆電圧が印加されるRB−IGBT T22,T32は、ゲートをオンさせるゲート駆動信号を入力するので、正孔の再注入による漏れ電流の増加が抑制される。
上記双方向スイッチSW50〜SW100を構成するRB−IGBTのいくつかはコレクタ、エミッタ間に逆電圧が印加される場合がある。
逆電圧が印加されるRB−IGBTは、ゲート制御シーケンスから予め知られる。そこで、図示していない制御回路は、逆電圧が印加されるRB−IGBTの漏れ電流の増加を抑制するために、該RB−IGBTのゲートをオンさせるゲート駆動信号が生成されるような指令信号を出力する。これにより、逆電圧が印加されるRB−IGBTの漏れ電流の増加による損失が低減される。
この電力変換装置においても、双方向スイッチSW110〜SW190を構成するRB−IGBTのいくつかは、そのコレクタ、エミッタ間に逆方向の電圧が印加される場合がある。そこで、図示していない制御回路は、逆方向の電圧が印加されるスイッチ素子のゲートにゲートオン信号が入力されるように、そのスイッチ素子に係るゲート駆動回路にゲートオンを指示する制御信号を出力する。この結果、逆方向の電圧が印加されるスイッチ素子は、正孔の再注入による漏れ電流の増加が抑制されて、この漏れ電流の増加による損失が低減される。
AP,AP1〜AP3 アーム対
SW、SW1〜SW3,SW10〜SW190 双方向スイッチ
C1,C2 キャパシタ
T1,T2 半導体スイッチ素子
T3,T4 逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
D1,D2 フリーホイールダイオード
GDU1〜GDU4、GDU11, GDU12〜GDU41,GDU42 ゲート駆動回路
L 単相負荷
L’ 三相負荷
CC,CC’ 制御回路
Claims (5)
- 逆耐圧性を持つ2つの逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタを逆並列接続してなる双方向スイッチを備え、制御回路から出力される指令信号に基づいて生成されるゲート駆動信号を前記各逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタに与えるようにした電力変換器であって、
ある双方向スイッチに電流が流れない動作を、前記制御回路が前記電力変換器に指令している期間の前記制御回路から出力される前記指令信号は、該双方向スイッチ内の前記2つの逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタのうち、逆電圧が印加される逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタのゲートをオン状態にするゲート駆動信号が生成されるように設定されることを特徴とする電力変換装置。 - 3レベル以上の電力変換を行なう電力変換器であって、
1相分の電力変換回路が、
正極、中間極、負極を有する直流電源と、
ダイオードが逆並列接続されかつ前記直流電源の正極にコレクタが接続された第1の半導体スイッチ素子と、
ダイオードが逆並列接続されかつ前記直流電源の負極にエミッタが接続された第2の半導体スイッチ素子と、
前記前記第1の半導体スイッチ素子のエミッタと前記第2の半導体スイッチ素子のコレクタとの接続点に一端が接続され、前記直流電源の中間極に他端が接続された前記双方向スイッチと、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記第1、第2の半導体スイッチ素子が絶縁ゲートバイポーラトランジスタである請求項2に記載の電力変換装置。
- 1相分の電力変換回路が、
直流電源と、
前記直流電源の正極と負極間に直列接続された前記双方向スイッチの第1の対と、
前記直流電源の正極と負極間に直列接続された前記双方向スイッチの第2の対と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 複数の前記双方向スイッチをマトリックスコンバータが構成されるように接続したことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
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