JP4930582B2

JP4930582B2 - 共振型電力変換装置

Info

Publication number: JP4930582B2
Application number: JP2009297867A
Authority: JP
Inventors: 伸二佐藤
Original assignee: Sanken Electric Co Ltd
Current assignee: Sanken Electric Co Ltd
Priority date: 2009-12-28
Filing date: 2009-12-28
Publication date: 2012-05-16
Anticipated expiration: 2029-12-28
Also published as: US20110157931A1; JP2011139592A

Description

本発明は、主要部品として構成される電力用半導体スイッチの負担を軽減する共振型電力変換装置に関し、特に、非常時に共振型電力変換装置を迅速且つ確実に停止させる技術に関する。

電力用半導体スイッチのスイッチング動作を利用して、交流電力又は直流電力をレベルの異なる交流電力又は直流電力に変換する電力変換装置は、例えば、無停電電源装置、モータ駆動用のインバータ、通信用直流電源等に利用される。

電力用半導体スイッチのスイッチング損失は、電力変換効率の悪化の原因になり、また、スイッチングノイズは自装置及び他装置の誤動作の原因になる。このため、スイッチング損失やスイッチングノイズを低減する共振型電力変換装置が用いられている。

図３は従来の共振型電力変換装置の一例を示す回路構成図である。図３において、直流電源１の陽極は陽極直流端子３ａに接続され、直流電源１の陰極は陰極直流端子３ｂに接続されている。陽極直流端子３ａと陰極直流端子３ｂとの間には、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）Ｑ６と共振リアクトル５とＩＧＢＴＱ５とコンデンサ７との直列回路が接続されている。この直列回路で第２スイッチング回路３０を構成する。

共振リアクトル５とＩＧＢＴＱ５とコンデンサ７との直列回路の両端には、ＩＧＢＴＱ１と共振コンデンサ６ａとダイオードＤ１との第１並列回路とＩＧＢＴＱ２と共振コンデンサ６ｂとダイオードＤ２との第２並列回路との第１直列回路が接続されている。

また、共振リアクトル５とＩＧＢＴＱ５とコンデンサ７との直列回路の両端には、ＩＧＢＴＱ３と共振コンデンサ６ｃとダイオードＤ３との第３並列回路とＩＧＢＴＱ４と共振コンデンサ６ｄとダイオードＤ４との第４並列回路との第２直列回路が接続されている。

第１並列回路と第２並列回路との接続点は、交流端子４ａを介して負荷２に接続され、第３並列回路と第４並列回路との接続点は、交流端子４ｂを介して負荷２に接続されている。第１〜第４並列回路で第１スイッチ回路２０を構成する。

ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ６のゲート−エミッタ間には抵抗１１ａ〜１１ｆを介してゲート駆動回路１０ａ〜１０ｆが接続されている。ゲート駆動回路１０ａ〜１０ｆは、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ６にゲート信号を印加することによりＩＧＢＴＱ１〜Ｑ６をオンオフ駆動する。

このように構成された図３に示す従来の共振型電力変換装置によれば、ゲート駆動回路１０ａ〜１０ｆが、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ６のゲート−エミッタ間に例えば＋１５Ｖのゲート信号を印加すると、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ６はオンし、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ６のゲート−エミッタ間に例えば０Ｖ又は負電圧を印加すると、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ６はオフする。即ち、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ６はノーマリオフ型のスイッチである。

ゲート駆動回路１０ａ〜１０ｆは、図示しない制御回路からの制御信号に基づき、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ６をオンオフ制御するので、直流電源１からの直流電力は交流電力に変換されて、負荷２に供給される。

この場合、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６は、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６に並列に接続された共振コンデンサ６ａ〜６ｄ，６ｆと共振リアクトル５との共振動作によりＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６はゼロ電圧スイッチングを行う。また、ＩＧＢＴＱ５はＩＧＢＴＱ５と直列に接続された共振リアクトル５と共振コンデンサ６ｆとの共振動作によりＩＧＢＴＱ５はゼロ電流スイッチングを行う。このため、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ６のスイッチング損失及びスイッチングノイズが低減される。

特開２０００−２６２０６６号公報

しかしながら、図３に示すような共振型電力変換装置の場合には、共振リアクトル５に電流が流れている状態において、ＩＧＢＴＱ５を強制的にターンオフさせると、共振リアクトル５のエネルギーがＩＧＢＴＱ５に流れ込むため、ＩＧＢＴＱ５が破損することがある。

また、共振コンデンサ６ａ〜６ｄ，６ｆに電圧がある状態において、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６をターンオンさせると、共振コンデンサ６ａ〜６ｄ，６ｆのエネルギーがＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６に流れ込むため、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６が破損することがある。

このため、共振リアクトル５又は共振コンデンサ６ａ〜６ｄ，６ｆのエネルギーを吸収するスナバ回路などの電力吸収回路を設けることにより、任意のタイミングでＩＧＢＴＱ１〜Ｑ６をターンオン又はターンオフさせることが望ましい。

また、制御回路を構成するマイクロコンピュータの誤動作や暴走、制御回路電源の異常などの非常時には、迅速に装置を停止させる必要がある。従来の装置では、非常時には、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６をオフさせるオフ信号とＩＧＢＴＱ５をオンさせるオン信号とが混在している。即ち、ゲート駆動回路１０ａ〜１０ｄ，１０ｆとゲート駆動回路１０ｅとの回路構成が異なるため、ゲート駆動回路が複雑化していた。

本発明は、簡単な回路で、非常時に迅速且つ確実に停止することができる共振型電力変換装置を提供することにある。

前記課題を解決するために、請求項１の発明は、共振コンデンサが並列に接続されたノーマリオフ型のスイッチを複数個用いて単相又は三相ブリッジ接続してなる第１スイッチ回路と、直流電源及び前記第１スイッチ回路に接続され、前記第１スイッチ回路の各共振コンデンサと共振回路を形成する共振リアクトル及び共振用スイッチを有し、前記第１スイッチ回路の各ノーマリオフ型のスイッチをゼロ電圧スイッチングさせる第２スイッチ回路とを備え、前記直流電源の直流電力を前記第１スイッチ回路で交流電力に変換して出力する共振型電力変換装置において、前記第２スイッチ回路の共振用スイッチは、ノーマリオン型のスイッチであり、前記第１スイッチ回路の各ノーマリオフ型のスイッチ及び前記第２スイッチ回路のノーマリオン型のスイッチは、それぞれ、制御端子と一方の主端子との間を短絡する短絡手段が接続され、前記短絡手段は、当該共振型電力変換装置が正常な状態である常時には前記制御端子と前記一方の主端子との間を短絡しないように制御され、当該共振型電力変換装置が異常な状態である非常時には、前記第１スイッチ回路の各ノーマリオフ型のスイッチをオフ状態、且つ前記第２スイッチ回路のノーマリオン型のスイッチをオン状態にさせるために、前記制御端子と前記一方の主端子との間を短絡するように制御されることを特徴とする。

本発明によれば、第１スイッチ回路の各ノーマリオフ型のスイッチ及び第２スイッチ回路のノーマリオン型のスイッチは、それぞれ、制御端子と一方の主端子との間を短絡する短絡手段が接続され、短絡手段は、共振型電力変換装置が正常な状態である常時には制御端子と一方の主端子との間を短絡しないように制御され、共振型電力変換装置が異常な状態である非常時には、第１スイッチ回路の各ノーマリオフ型のスイッチをオフ状態、且つ第２スイッチ回路のノーマリオン型のスイッチをオン状態にさせるために、制御端子と一方の主端子との間を短絡するように制御されるので、非常時に迅速且つ確実に共振型電力変換装置を停止することができる。

実施例１の共振型電力変換装置を示す回路構成図である。実施例２の共振型電力変換装置を示す回路構成図である。従来の共振型電力変換装置の一例を示す回路構成図である。

以下、本発明の共振型電力変換装置の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は実施例１の共振型電力変換装置を示す回路構成図である。図１に示す実施例１の共振型電力変換装置は、図３に示す共振型電力変換装置に対して、ＩＧＢＴＱ５に代えて、ノーマリオン型のスイッチＱ７（共振用スイッチ）を用いるとともに、フォトトランジスタ１２ａ〜１２ｆとフォトダイオード１３ａ〜１３ｆとからなるフォトカプラ及び保護回路１４（短絡手段）を設けたことを特徴とする。ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４は、ノーマリオフ型のスイッチからなる。

なお、図１に示す共振型電力変換装置のその他の構成は、図３に示す共振型電力変換装置の構成と同一であるので、同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。

ノーマリオン型のスイッチＱ７は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）などのワイドバンドギャップ半導体からなり、ゲート−ソース間電圧が０Ｖで、オン状態となる。また、ノーマリオン型のスイッチＱ７は、ゲート−ソース間電圧が＋１５Ｖでオン状態であり、ゲート−ソース間電圧が−１０Ｖでオフ状態である。これらのワイドバンドギャップ半導体は、Ｓｉデバイスと比較して、ノーマリオン型のデバイスが作成し易い。
ゲート駆動回路１０ａ〜１０ｆは、ノーマリオン型のスイッチＱ７とＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６とをオンオフ制御することにより交流端子４ａ，４ｂに交流電力を出力する。

フォトトランジスタ１２ａ〜１２ｄのコレクタはＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４のゲートと抵抗１１ａ〜１１ｄとに接続され、フォトトランジスタ１２ｆのコレクタはＩＧＢＴＱ６のゲートと抵抗１１ｆとに接続され、フォトトランジスタ１２ｅのコレクタはノーマリオン型のスイッチＱ７のソースとダイオードＤ７のアノードとコンデンサ７とに接続されている。

フォトトランジスタ１２ａ〜１２ｄのエミッタはＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４のエミッタとダイオードＤ１〜Ｄ４のアノードと共振コンデンサ６ａ〜６ｄとに接続されている。フォトトランジスタ１２ｆのエミッタはＩＧＢＴＱ６のダイオードＤ６と共振コンデンサ６ｆとに接続され、フォトトランジスタ１２ｅのエミッタはノーマリオン型のスイッチＱ７のゲートと抵抗１１ｅとに接続されている。

保護回路１４の両端には、フォトダイオード１３ａ〜１３ｆの直列回路が接続されている。保護回路１４は、非常時に、フォトダイオード１３ａ〜１３ｆの直列回路に電流を流すことにより、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６のゲート−エミッタ間、及びノーマリオン型のスイッチＱ７のゲート（制御端子）とソース（一方の主端子）とを短絡させる。

次にこのように構成された実施例１の共振型電力変換装置の動作を説明する。

まず、通常では、ゲート駆動回路１０ａ〜１０ｆから電圧（＋１５Ｖと−１０Ｖ）がノーマリオン型のスイッチＱ７のゲートとＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６のゲートとに印加されて、各スイッチがオンオフして交流端子４ａ，４ｂに交流電力が出力される。

次に、ゲート駆動回路１０ａ〜１０ｆ又は図示しない制御回路が異常となったときには、保護回路１４から保護信号がフォトダイオード１３ａ〜１３ｆの直列回路に印加される。このため、フォトダイオード１３ａ〜１３ｆが発光し、フォトトランジスタ１２ａ〜１２ｆに電流が流れて、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６のゲート−エミッタ間、及びノーマリオン型のスイッチＱ７のゲート−ソース間が短絡される。

このため、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６がオフ状態となり、ノーマリオン型のスイッチＱ７がオン状態となる。このように、非常時に、保護回路１４からの同一の保護信号により、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４，Ｑ６をオフさせ、ノーマリオン型のスイッチＱ７をオンさせることができる。即ち、各スイッチＱ１〜Ｑ４，Ｑ６，Ｑ７のオンオフを確定させることができるので、非常時に迅速且つ確実に共振型電力変換装置を停止することができる。

図２は実施例２の共振型電力変換装置を示す回路構成図である。図２に示す実施例２の共振型電力変換装置は、本発明を補助共振型転流ポール方式の共振型インバータに適用したことを特徴とする。

図２において、直流電源１の陽極は陽極直流端子３ａに接続され、直流電源１の陰極は陰極直流端子３ｂに接続されている。陽極直流端子３ａと陰極直流端子３ｂとの間には、コンデンサ１５とこのコンデンサ１５と同容量のコンデンサ１６との直列回路が接続されている。コンデンサ１５とコンデンサ１６との接続点には、直流電源１の電圧の１／２の電圧が生成される。

コンデンサ１５とコンデンサ１６との直列回路の両端には、ＩＧＢＴＱ１と共振コンデンサ６ａとダイオードＤ１との第１並列回路とＩＧＢＴＱ２と共振コンデンサ６ｂとダイオードＤ２との第２並列回路との第１直列回路が接続されている。コンデンサ１５とコンデンサ１６との直列回路の両端には、ＩＧＢＴＱ３と共振コンデンサ６ｃとダイオードＤ３との第３並列回路とＩＧＢＴＱ４と共振コンデンサ６ｄとダイオードＤ４との第４並列回路との第２直列回路が接続されている。

第１並列回路と第２並列回路との接続点は、交流端子４ａを介して負荷２に接続され、第３並列回路と第４並列回路との接続点は、交流端子４ｂを介して負荷２に接続されている。第１並列回路と第２並列回路との接続点と、コンデンサ１５とコンデンサ１６との接続点との間には、共振リアクトル５ａとノーマリオン型のスイッチＱ８とノーマリオン型のスイッチＱ９とが接続されている。

ノーマリオン型のスイッチＱ８とノーマリオン型のスイッチＱ９とで双方向スイッチ（共振用スイッチ）を構成している。ノーマリオン型のスイッチＱ８，Ｑ９は、ＳｉＣやＧａＮなどのワイドバンドギャップ半導体からなる。また、双方向スイッチとして、例えばＧａＮによる高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ；High Electron Mobility Transistor）を用いても良い。

ノーマリオン型のスイッチＱ９のドレインはダイオードＤ９のカソードとコンデンサ１５とコンデンサ１６との接続点とに接続されている。

ノーマリオン型のスイッチＱ９のソースはダイオードＤ９のアノードとダイオードＤ８のアノードとノーマリオン型のスイッチＱ８のソースとゲート駆動回路１１ｅ,１１ｆの一端とに接続されている。ノーマリオン型のスイッチＱ８のドレインは、ダイオードＤ８のカソードと共振リアクトル５ａの一端とに接続されている。

ノーマリオン型のスイッチＱ８のゲートは抵抗１１ｅを介してゲート駆動回路１０ｅの他端に接続され、ノーマリオン型のスイッチＱ９のゲートは抵抗１１ｆを介してゲート駆動回路１０ｆの他端に接続されている。

フォトトランジスタ１２ｅのコレクタ−エミッタ間はノーマリオン型のスイッチＱ８のゲート−ソース間に接続され、フォトトランジスタ１２ｆのコレクタ−エミッタ間はノーマリオン型のスイッチＱ９のゲート−ソース間に接続されている。

第３並列回路と第４並列回路との接続点と、コンデンサ１５とコンデンサ１６との接続点との間には、共振リアクトル５ｂとノーマリオン型のスイッチＱ１０とノーマリオン型のスイッチＱ１１とが接続されている。

ノーマリオン型のスイッチＱ１０とノーマリオン型のスイッチＱ１１とで双方向スイッチ（共振用スイッチ）を構成している。ノーマリオン型のスイッチＱ１０，Ｑ１１は、ＳｉＣやＧａＮなどのワイドバンドギャップ半導体からなる。また、双方向スイッチとして、例えばＧａＮによる高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ；High Electron Mobility Transistor）を用いても良い。

ノーマリオン型のスイッチＱ１１のドレインはダイオードＤ１１のカソードとコンデンサ１５とコンデンサ１６との接続点とに接続されている。

ノーマリオン型のスイッチＱ１１のソースはダイオードＤ１１のアノードとダイオードＤ１０のアノードとノーマリオン型のスイッチＱ１０のソースとゲート駆動回路１１ｇ,１１ｈの一端とに接続されている。ノーマリオン型のスイッチＱ１０のドレインは、ダイオードＤ１０のカソードと共振リアクトル５ｂの一端とに接続されている。

ノーマリオン型のスイッチＱ１０のゲートは抵抗１１ｇを介してゲート駆動回路１０ｇの他端に接続され、ノーマリオン型のスイッチＱ１１のゲートは抵抗１１ｈを介してゲート駆動回路１０ｈの他端に接続されている。

フォトトランジスタ１２ｇのコレクタ−エミッタ間はノーマリオン型のスイッチＱ１０のゲート−ソース間に接続され、フォトトランジスタ１２ｈのコレクタ−エミッタ間はノーマリオン型のスイッチＱ１１のゲート−ソース間に接続されている。フォトダイオード１３ｇ，１３ｈは、フォトダイオード１３ａ〜１３ｆに直列に接続され、フォトダイオード１３ｇとフォトトランジスタ１２ｇとでフォトカプラを構成し、フォトダイオード１３ｈとフォトトランジスタ１２ｈとでフォトカプラを構成する。

このように構成された実施例２の共振型電力変換装置においても、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４はノーマリオフ型のスイッチからなり、ノーマリオン型のスイッチＱ８，Ｑ９はノーマリオン型のスイッチからなるので、非常時に、保護回路１４からの同一の保護信号で、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ４をオフさせ、ノーマリオン型のスイッチＱ８，Ｑ９をオンさせることができる。即ち、各スイッチのオンオフを確定させることができるので、非常時に迅速且つ確実に共振型電力変換装置を停止することができる。

次に、実施例２の共振型電力変換装置のＩＧＢＴＱ１，Ｑ２について共振動作を説明する。ゲート駆動回路１０ａ〜１０ｆは、ＩＧＢＴＱ１とＩＧＢＴＱ２とのデットタイム期間中（ＩＧＢＴＱ１，Ｑ２が共にオフである期間）に、ノーマリオン型のスイッチＱ８，Ｑ９を同時にオンさせる。

ＩＧＢＴＱ４がオンしているとすると、ＩＧＢＴＱ１，Ｑ２がオフしている時の電流の経路は、４ａ，４ｂ→Ｑ４→Ｑ２→４ａ，４ｂとなる。ＩＧＢＴＱ２のダイオードＤ２に電流が流れるため、ＩＧＢＴＱ２のコレクタ−エミッタ間電圧はゼロとなる。このため、ＩＧＢＴＱ１をオンさせる時には、ＩＧＢＴＱ１のコレクタ−エミッタ間に直流電源１の直流電圧ＶＤＣが印加され、スイッチングロスが発生する。

そこで、ＩＧＢＴＱ１にスイッチングロスを発生させないために、ＩＧＢＴＱ１のスイッチングを行う直前のデットタイム期間中に、ＩＧＢＴＱ１のコレクタ−エミッタ間電圧をゼロにする。

ＩＧＢＴＱ１とＩＧＢＴＱ２とのデットタイム期間中にノーマリオン型のスイッチＱ８，Ｑ９を同時にオンさせる。この時、共振リアクトル５ａには電流が流れていないため、ノーマリオン型のスイッチＱ８，Ｑ９はゼロ電流スイッチングとなる。

直流電源１の負極電位を基準にすると、コンデンサ１５とコンデンサ１６との接続点の電位はＶＤＣ／２、ＩＧＢＴＱ１とＩＧＢＴＱ２との接続点の電位はゼロであるため、共振リアクトル５ａにかかる電圧はＶＤＣ／２となる。共振リアクトル５ａに流れる電流は、上昇していく。

そして、共振リアクトル５ａの電流が交流端子４ａ，４ｂに流れる電流の大きさに達した時、共振リアクトル５ａとコンデンサ６ａ，６ｂとで共振が起こる。この時、ＩＧＢＴＱ１に並列に接続されているコンデンサ６ａの電荷が放出し、ＩＧＢＴＱ２に並列に接続されているコンデンサ６ｂに電荷が流入する。

共振が完了した時、ＩＧＢＴＱ１とＩＧＢＴＱ２との接続点の電位はＶＤＣとなっているため、その時にＩＧＢＴＱ１をターンオンすることによってＩＧＢＴＱ１のゼロ電圧スイッチング(ソフトスイッチング)を実現することができる。

ＩＧＢＴＱ１をターンオンした後には、ＩＧＢＴＱ１とＩＧＢＴＱ２との接続点の電位がＶＤＣとなっているため、共振電流は減衰していく。共振リアクトル５ａの電流がゼロに達した時にノーマリオン型のスイッチＱ８，Ｑ９をターンオフすることによって、ノーマリオン型のスイッチＱ８，Ｑ９の損失も低減できる。

ＩＧＢＴＱ１がオンしている時の電流の経路は、４ａ，４ｂ→Ｑ４→１→Ｑ１→４ａ，４ｂとなる。

この状態において、ＩＧＢＴＱ１がオフした時には、共振コンデンサ６ｂの電荷が放電して、共振コンデンサ６ａの電荷が上昇していく。このとき、ＩＧＢＴＱ１には、共振コンデンサ６ａのみが並列に接続されているため、スイッチングロスが発生しない。よって、ＩＧＢＴＱ１のターンオン，ターンオフの両方において、ソフトスイッチングを実現でき、スイッチング損失がなくなり、高効率が実現できる。ＩＧＢＴＱ３，Ｑ４についても同様である。

なお、本発明は、実施例１，２の共振型電力変換装置に限定されるものではない。実施例１，２の共振型電力変換装置では、直流電源１の直流電力を単相交流電力に変換して交流端子４ａ，４ｂから負荷２に出力する直流−交流電力変換装置について説明したが、本発明は直流電源１の直流電力を３相交流電力に変換して交流端子から負荷に出力する直流−交流電力変換装置とすることもできる。

本発明は、無停電電源装置、モータ駆動用のインバータ、通信用直流電源等に適用可能である。

１直流電源
２負荷
３ａ陽極直流端子
３ｂ陰極直流端子
４ａ，４ｂ交流端子
５，５ａ共振リアクトル
６ａ〜６ｆ，７共振コンデンサ
１０ａ〜１０ｆゲート駆動回路
１１ａ〜１１ｆ抵抗
１２ａ〜１２ｆフォトトランジスタ
１３ａ〜１３ｆフォトダイオード
１４保護回路
Ｑ１〜Ｑ６ＩＧＢＴ
Ｑ７，Ｑ８，Ｑ９ノーマリオン型のスイッチ
Ｄ１〜Ｄ９ダイオード
２０第１スイッチ回路
３０，３０ａ，３０ｂ第２スイッチ回路

Claims

共振コンデンサが並列に接続されたノーマリオフ型のスイッチを複数個用いて単相又は三相ブリッジ接続してなる第１スイッチ回路と、
直流電源及び前記第１スイッチ回路に接続され、前記第１スイッチ回路の各共振コンデンサと共振回路を形成する共振リアクトル及び共振用スイッチを有し、前記第１スイッチ回路の各ノーマリオフ型のスイッチをゼロ電圧スイッチングさせる第２スイッチ回路とを備え、前記直流電源の直流電力を前記第１スイッチ回路で交流電力に変換して出力する共振型電力変換装置において、
前記第２スイッチ回路の共振用スイッチは、ノーマリオン型のスイッチであり、
前記第１スイッチ回路の各ノーマリオフ型のスイッチ及び前記第２スイッチ回路のノーマリオン型のスイッチは、それぞれ、制御端子と一方の主端子との間を短絡する短絡手段が接続され、前記短絡手段は、当該共振型電力変換装置が正常な状態である常時には前記制御端子と前記一方の主端子との間を短絡しないように制御され、当該共振型電力変換装置が異常な状態である非常時には、前記第１スイッチ回路の各ノーマリオフ型のスイッチをオフ状態、且つ前記第２スイッチ回路のノーマリオン型のスイッチをオン状態にさせるために、前記制御端子と前記一方の主端子との間を短絡するように制御されることを特徴とする共振型電力変換装置。
前記ノーマリオン型のスイッチは、ワイドバンドギャップ半導体からなることを特徴とする請求項１記載の共振型電力変換装置。